Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1
Опубликовано: 11-02-2021
Автор(ы): Meng-Han LIN, Te-Hsin Chiu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11569251B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US10522684B2. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20190035924A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20200105921A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11942475B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

High voltage CMOS with triple gate oxide

Номер патента: US09741718B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Pinghai Hao,Jarvis Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

High-K metal gate

Номер патента: US09431509B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

High-k metal gate

Номер патента: US20140183653A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200105921A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Scaling EOT by eliminating interfacial layers from high-K/metal gates of MOS devices

Номер патента: US09478637B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Hybrid high-voltage low-voltage finfet device

Номер патента: US20190172756A1. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum,Pavan Singaraju. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Cmos-vorrichtung einschliesslich pmos- metall-gate mit niedriger schwellenspannung

Номер патента: DE102019107531A1. Автор: Ying Pang,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-02.

Structure and method for nfet with high k metal gate

Номер патента: US20130270647A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20240008279A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190304990A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190027487A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: WO2019018194A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Nitrogen Profile in High-K Dielectrics Using Ultrathin Disposable Capping Layers

Номер патента: US20090104743A1. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A3. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Manuel Quevedo Lopez. Дата публикации: 2009-05-14.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A2. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Contact for high-K metal gate device

Номер патента: US8546227B2. Автор: Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin,Sheng-Chen Chung,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

The contact of high-K metal gate device

Номер патента: CN103000572B. Автор: 庄学理,李再春,林焕哲,吴伟成,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: TW200939354A. Автор: Husam Alshareef,Manuel A Quevedo-Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Sealing structure for high-k metal gate and method of making

Номер патента: US20120225529A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Harry Chuang,Kang-Cheng Lin,Chii-Horng Li,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Hao-Ming Lien,Jin-Aun Ng,Jun-Lin Yeh,Chieh-Hao Chen,Ssu-Yu Li,Chung-Hau Fei,Chi Hsin Chang,Chun Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: US20130234254A1. Автор: Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20130273729A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958B. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-29.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: KR101403097B1. Автор: 진언 능,포니엔 챈,솅챈 정,바오루 영,학-래이 정. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-06-03.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958A. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Enhanced confinement of sensitive materials of a high-K metal gate electrode structure

Номер патента: US8748281B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: CN103311185A. Автор: 庄学理,黄仁安,陈柏年,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Transistors comprising high-k metal gate electrode structures and adapted channel semiconductor materials

Номер патента: US8198152B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20110101470A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

High-k/metal gate transistor

Номер патента: WO2011060972A1. Автор: Vijay Narayanan,Wesley Natzle,Renee Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-26.

High-k/metal gate transistor with L-shaped gate encapsulation layer

Номер патента: US9263276B2. Автор: Jeffrey W. Sleight,Vijay Narayanan,Wesley C. Natzle,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Methods of tailoring work function of semiconductor devices with high-k/metal layer gate structures by performing a fluorine implant process

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Jan Hoentschel,Shesh Mani Pandey,Shiang Yang Ong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

High voltage extended drain mosfet (edmos) devices in a high-k metal gate (hkmg)

Номер патента: US20220020746A1. Автор: Peter Baars,Thorsten E. Kammler. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Eingebetteter ferroelektrischer speicher in high-k-first-technologie

Номер патента: DE102019115270B4. Автор: Wei Cheng Wu,Patrick Tzou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-K metal gate transistors

Номер патента: US09564521B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: KR102282224B1. Автор: 웨이 청 우,패트릭 추. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-07-28.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: US11751400B2. Автор: Wei Cheng Wu,Pai Chi Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: US20230371271A1. Автор: Wei Cheng Wu,Pai Chi Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for cmp of high-k metal gate structures

Номер патента: US20150340451A1. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR102198938B1. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-01-05.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR20160061969A. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-01.

Methods for high-k metal gate CMOS with SiC and SiGe source/drain regions

Номер патента: US09595585B2. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358587A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358588A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US9490255B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal Gates and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20200266282A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Partial sacrificial dummy gate with CMOS device with high-k metal gate

Номер патента: US09853116B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and device for high k metal gate transistors

Номер патента: US09570611B2. Автор: YONG Li,Xiao Na Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Oxygen vacancy passivation in high-k dielectrics for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220130732A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Method and structure for forming high-k/metal gate extremely thin semiconductor on insulator device

Номер патента: US20120043623A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD AND DEVICE FOR HIGH K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160225903A1. Автор: Li Yong,WANG XIAO NA. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Wang Chun-Chieh,YANG Huai-Tei,WU Chun-I,PAI Yueh-Ching,Liao Chien-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US9299802B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Method to form a polysilicon nanocrystal thin film storage bitcell within a high k metal gate platform technology using a gate last process to form transistor gates

Номер патента: US9275864B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H Perera,Jane A Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-01.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High-k metal gate process and device

Номер патента: US10971602B2. Автор: Chun Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J Jaeger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by preserving a resist material above end caps of gate electrode structures

Номер патента: US8481381B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

High voltage cmos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230197730A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-22.

High-voltage based low-power, temperature dependent, thin-oxide only on-chip high current low drop out (ldo) regulator

Номер патента: US20240222354A1. Автор: Shidong Zhou,Santosh Yachareni,Anil Kumar Kandala,Narendra Kumar PULIPATI,Sree Rama Krishna Chaithnya SARASWATULA. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09978850B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09711605B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20170317180A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US20160293721A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and integrated circuit with high-k/metal gate without high-k direct contact with sti

Номер патента: US20130146975A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

High voltage device fabricated using low-voltage processes

Номер патента: US09755072B2. Автор: Fethi Dhaoui,John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of Forming an Electrical Fuse and a Metal Gate Transistor and the Related Electrical Fuse

Номер патента: US20110147853A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120228718A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120225524A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

High-k metal gate structure fabrication method including hard mask

Номер патента: TW201011815A. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Shun-Jang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-16.

EMBEDDED FERROELECTRIC MEMORY IN HIGH-K FIRST TECHNOLOGY

Номер патента: US20200006359A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chou Pai Chi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

EMBEDDED FERROELECTRIC MEMORY IN HIGH-K FIRST TECHNOLOGY

Номер патента: US20210233919A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chou Pai Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

A semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-k metal gate transistors

Номер патента: KR101486504B1. Автор: 틸 쉬로에쎄르,피터 바르스. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2015-01-23.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: CN105390465A. Автор: 庄学理,吴伟成,刘世昌,高雅真. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: TW200924196A. Автор: Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-06-01.

High-k metal gate electrode structures formed by cap layer removal without sacrificial spacer

Номер патента: TW201227812A. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-07-01.

Methods and applications of novel amorphous high-k metal-oxide dielectrics by super-cycle atomic layer deposition

Номер патента: US20240194479A1. Автор: Lai ZHAO,Kwang Soo Huh,Zhelin SUN,Soo Yong Choi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: EP2160757B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for Manufacturing High-Voltage Metal Gate Device

Номер патента: US20230142968A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9012989B2. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-21.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9318586B2. Автор: Nam Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Method to control flatband/threshold voltage in high-k metal gated stacks and structures thereof

Номер патента: CN1885560A. Автор: 陈自强,雷贾拉奥·詹米,斯蒂芬·L·布朗,维杰伊·纳拉亚南,瓦姆西·K·帕鲁丘里. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

WET PROCESS ASSISTED APPROACH FOR SELECTIVE BARRIER METAL PATTERNING ON HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190273149A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Liang Chun-Sheng,Huang Ming-Chi,Chuang Ying-Liang,CHIANG Hsin-Che,Huang Ju-Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-05.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG10201405133YA. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2014-10-30.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by a Replacement Gate Approach Based on Superior Planarity of Placeholder Materials

Номер патента: US20120196425A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Andy Wei,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20190035924A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190067457A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20220148924A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-05-12.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20210202743A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Chiang Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Composite High-K Metal Gate Stack for Enhancement Mode GaN Semiconductor Devices

Номер патента: US20160204207A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

FinFET Device with High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20150303305A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-22.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150380408A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: WO2021091995A1. Автор: Srinivas Gandikota,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Steven C.H. Hung,Chi-Chou Lin,Haoyan Sha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-14.

Non-volatile split-gate memory cell with integrated high-K metal gate and method of making the same

Номер патента: JP6407488B1. Автор: シャン リウ,チエン−シェン スー,ジェン−ウェイ ヤン,ニャン ドー,フェン ジョウ. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-17.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Reduced threshold voltage-width dependency in transistors comprising high-K metal gate electrode structures

Номер патента: US9425052B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177B4. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Integration manufacturing method of high voltage device and low voltage device

Номер патента: US20230170262A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-01.

Shielding structure for ultra-high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20240194744A1. Автор: Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Shielding structure for ultra-high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20230207642A1. Автор: Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Shielding structure for ultra-high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20220231133A1. Автор: Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Gate structure in high-k metal gate technology

Номер патента: US20240290859A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Preventing fully silicided formation in high-k metal gate processing

Номер патента: US20130330899A1. Автор: Ming Cai,Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Kevin K. Chan,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20150021672A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE LOGIC DEVICE AND METAL-FREE ERASE GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170373077A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Non-volatile split game memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US10381359B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Nonvolatile, isolated gate memory cells having integrated high-K metal gate logic devices and metal-free erase gates, and methods of making same

Номер патента: KR20180030189A. Автор: 펭 조우,젱-웨이 양,치엔-쉥 수. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2018-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20130270619A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-17.

Nonvolatile Memory Bitcell With Inlaid High K Metal Select Gate

Номер патента: US20150041875A1. Автор: Perera Asanga H.. Владелец: Freescale Seminconductor, Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170098654A1. Автор: Zhou Feng,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140217481A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Control Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20190172942A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433B1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A4. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Plasma nitrided gate oxide, high-k metal gate based cmos device

Номер патента: WO2008121939A1. Автор: Manuel Quevedo-Lopez,Husam Niman Alshareef. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

An Embedded High Voltage LDMOS-SCR Device with a Strong Voltage Clamp and ESD Robustness

Номер патента: US20190006344A1. Автор: Sheng Ding,Xiaofeng Gu,Hailian LIANG,Huyun LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-03.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160204219A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160293721A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20170025315A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20190318966A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for doping high-k metal gates for tuning threshold voltages

Номер патента: US20240379365A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20220084869A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20220285161A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170162575A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20150318284A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20160336422A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Cap removal in a high-k metal gate electrode structure by using a sacrificial fill material

Номер патента: US8329526B2. Автор: Ralf Richter,Jens Heinrich,Markus Lenski,Frank Seliger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: TW201513311A. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US9911746B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Three-dimensional high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070012995A1. Автор: Lee Kim,Sung Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

EMBEDDED SONOS AND HIGH VOLTAGE SELECT GATE WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20200350213A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20130328115A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-12.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING HIGH-K/METAL GATE EXTREMELY THIN SEMICONDUCTOR ON INSULATOR DEVICE

Номер патента: US20130153929A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES AND EMBEDDED STRAIN-INDUCING SEMICONDUCTOR ALLOYS FORMED IN A LATE STAGE

Номер патента: US20130240988A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130328136A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Kothandaraman Chandrasekara. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

High-K Metal Gate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20190341317A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Chuang Ying-Liang,Huang Kuo Bin,Huang Ju-Li,Chiang Chih-Long. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20230097400A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

PMOS high-k metal gates

Номер патента: US12051734B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20220077298A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20120187522A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

High voltage field effect transistors and circuits utilizing the same

Номер патента: US09331204B2. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Integration manufacturing method of depletion high voltage nmos device and depletion low voltage nmos device

Номер патента: US20230178438A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-08.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Dual work function high voltage devices

Номер патента: US20090090983A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Edward J. Nowak,Steven H. Voldman,James W. Adkisson,Michael J. Zierak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

METAL-INSULATOR-POLY CAPACITOR IN A HIGH-K METAL GATE PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20200020761A1. Автор: Tan Shyue Seng,TAN Juan Boon,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS technology

Номер патента: CN105845686A. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS

Номер патента: CN105845686B. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-03.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated high-K/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US09601388B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor,Ray Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US9257426B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US8841731B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Multi time programmable memories using local implantation in high-K/ metal gate technologies

Номер патента: US10361093B2. Автор: Takashi Ando,Chandrasekharan Kothandaraman,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for CMOS devices

Номер патента: US8835260B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US09997518B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning

Номер патента: WO2011008401A1. Автор: Robert Binder,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch,Berthold Reimer,Falk Graetsch,Boris Bayah. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Self-Aligned Insulated Film For High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20180019133A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Pei-Ren Jeng ,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160196979A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Integrated High-K/Metal Gate in CMOS Process Flow

Номер патента: US20160293490A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Lin Jr-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Self-Aligned Insulated Film for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20190341263A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for tuning a work function of high-k metal gate devices

Номер патента: TW201025509A. Автор: Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh,Harry Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: KR101618511B1. Автор: 해리-학-레이 추앙,바오-루 영,후안-주스트 린,치-탕 펭,진-아운 엔쥐,맥시 창,젠-셍 양,타-웨이 린,쉬-하오 로,치-양 예,휘-웬 린,정-휘 카오,유안 티엔 투,페이-렌 젱. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2016-05-04.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9779947B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9252224B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method of fabricating high-k/metal gate device

Номер патента: US20110143529A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Da-Yuan Lee,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of integrating high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: TW201013849A. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of Forming a Single Metal that Performs N Work Function and P Work Function in a High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20180247937A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,CHAO Donald Y.,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of forming a single metal that performs n work function and p work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US20220216205A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of forming a single metal that peforms N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: TW201013759A. Автор: Kuo-Tai Huang,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Donald Y Chao,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing multi-voltage devices using high-k-metal-gate (hkmg) technology

Номер патента: US20190139837A1. Автор: Chii-Ming Wu,Cheng-Yuan Tsai,Yi-huan Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160027664A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: US20160056250A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chuang Harry Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140183653A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-VOLTAGE DEVICES USING HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20190139837A1. Автор: WU Chii-Ming,TSAI Cheng-Yuan,TSAO Chun-Han,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

BOUNDARY REGION FOR HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) INTEGRATION TECHNOLOGY

Номер патента: US20200144263A1. Автор: Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD TO IMPROVE RELIABILITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS

Номер патента: US20160181397A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Boundary region for high-k-metal-gate (HKMG) integration technology

Номер патента: US10991693B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

High-k metal gate electrode structure formed by removing a work function on sidewalls in replacement gate technology

Номер патента: US8735236B2. Автор: Christopher Prindle,Klaus Hempel,Rolf Stephan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

High k metal grid structure and method for manufacturing same

Номер патента: CN103794481A. Автор: 韩秋华,倪景华,李凤莲. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US9960161B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Stephan Kronholz,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for forming a transistor comprising high-k metal gate electrode structures including a polycrystalline semiconductor material and embedded strain-inducing semiconductor alloys

Номер патента: US8343826B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

High voltage logic circuit

Номер патента: US20210151436A1. Автор: Li-Shiuan Peh,Pilsoon Choi,Chirn-Chye Boon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-20.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: US20240204764A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: EP4386843A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Electrical overstress protection with low leakage current for high voltage tolerant high speed interfaces

Номер патента: WO2020144180A3. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Salcedo,Enrique BOSCH. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2020-08-20.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20150255463A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

E-fuse design for high-K metal-gate technology

Номер патента: US09515155B2. Автор: Roman Boschke,Maciej Wiatr,Stefan Flachowsky,Christian Schippel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Fabricating method for high voltage semiconductor power switching device

Номер патента: US09553085B2. Автор: Chiu-Sing Celement Tse,On-Bon Peter Chan,Chi-keung Tang. Владелец: Mosway Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150069524A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-03-12.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20180166452A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-14.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20170278853A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-28.

Reduced threshold voltage-width dependence in transistors having high-k metal gate electrode structures

Номер патента: DE102010040064A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

High-K/metal gate CMOS finFET with improved pFET threshold voltage

Номер патента: US7993999B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

High-k Metal Gate (HKMG) method for forming a memory cell with a large operating window

Номер патента: DE102018108894A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

High-k metal gate devices with a dual work function and methods for making the same

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Method Of Forming A Singe Metal That Performs N and P Work Functions In High-K/Metal Gate Devices

Номер патента: US20150303062A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: TW200847293A. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-12-01.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Mechanisms for monitoring impurity in high-K dielectric film

Номер патента: US09553160B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Low threshold voltage and inversion oxide thickness scaling for a high-k metal gate p-type mosfet

Номер патента: WO2013019696A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH A DUAL WORK FUNCTION AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Yu Chen-Hua,YAO Liang-Gi,LIN CHENG-TUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345722A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345723A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: US20080290416A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9006837B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Method and structure for threshold voltage control and drive current improvement for high-k metal gate transistors

Номер патента: TW201110239A. Автор: Wei He,Naim Moumen,Young-Hee Kim,Wesley Natzle,Renee T Mo,Rashmi Jha,Michael P Chudzik,Siddarth A Krishnan,Hui-Ming Bu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-03-16.

Enhanced gate replacement process for high-K metal gate technology

Номер патента: US09691876B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

ENHANCED DEVICE RELIABILITY OF A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PROVIDING SUPERIOR PROCESS CONDITIONS IN HIGH-K FILM GROWTH

Номер патента: US20130280873A1. Автор: Carter Richard,Trentzsch Martin,Grass Carsten,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Structure and method to control oxidation in high-k gate structures

Номер патента: WO2009120567A1. Автор: Richard A. Conti,Renee T. Mo,Wesley Natzle,Rashmi Jha,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitrogen profile engineering in high-k nitridation of a gate dielectric layer

Номер патента: WO2007024493A1. Автор: Yi Ma,Shankar Muthukrishnan,Rahul Sharangpani,Tejal Goyani,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher,Giuseppina R. Conti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Process for formation of ultra-thin base oxide in high k/oxide stack gate dielectrics of mosfets

Номер патента: US6448127B1. Автор: Qi Xiang,Joong Jeon,Colman Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Self-Aligned Contacts for High k/Metal Gate Process Flow

Номер патента: US20120175711A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120181616A1. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide Thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130032886A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR HIGH k/METAL GATE PROCESS FLOW

Номер патента: US20130189834A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

PMOS HIGH-K METAL GATES

Номер патента: US20220077298A1. Автор: YANG Yong,SRIRAM Mandyam,Gandikota Srinivas,Yang Yixiong,Wrench Jacqueline S.,HUNG Steven C. H.. Владелец: APPLIED MATERIAL, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

Silicon Nitride Layer Deposited at Low Temperature to Prevent Gate Dielectric Regrowth High-K Metal Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20150084132A1. Автор: Ortolland Claude,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,Zhao Kai,Chou Anthony I-Chih. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20160111522A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

NOVEL E-FUSE DESIGN FOR HIGH-K METAL-GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20150179753A1. Автор: Flachowsky Stefan,Boschke Roman,Wiatr Maciej,Schippel Christian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160181107A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160336180A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Enhanced gate replacement process for high-k metal gate technology

Номер патента: KR101366484B1. Автор: 밍 주,해리 학 레이 청. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-02-21.

high-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375B. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: US8536656B2. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: CN103299428A. Автор: 李影,R·拉玛钱德兰,R·迪瓦卡鲁尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9087784B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

High-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375A. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Niedrige Schwellenspannung und Skalierung der Inversionsoxiddicke für einen Mosfet vom P-Typ mit High-K-Metall-Gate

Номер патента: DE112012002543T5. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD OF FORMING A SINGLE METAL THAT PERFORMS N AND P WORK FUNCTIONS IN HIGH-K/METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20140319619A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

GATE STRUCTURE IN HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20200251566A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Wu Wei Cheng,Ko Hung-Pin,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Memory using hole trapping in high-k dielectrics

Номер патента: WO2006138370A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US8294196B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Lin Jr Jung,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Chen Ray Chia-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Gate Logic Device And Metal-Free Erase Gate, And Method Of Making Same

Номер патента: US20170025427A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US7602009B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATES FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20150021705A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHODS FOR HIGH-K METAL GATE CMOS WITH SiC AND SiGe SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160087040A1. Автор: MAO Gang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Low Threshold Voltage and Inversion Oxide Thickness Scaling for a High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20150243662A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Integrated method for forming high-k metal gate FinFET devices

Номер патента: US8034677B2. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Integrated method for forming high-k metal gate finfet devices

Номер патента: US20110207279A1. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

INTERFACIAL LAYER REGROWTH CONTROL IN HIGH-K GATE STRUCTURE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130187241A1. Автор: Mueller Markus,Boccardi Guillaume,Petry Jasmine. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2013-07-25.

Resistive device for high-k metal gate technology

Номер патента: US8334572B2. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

One Time Programmable Structure Using a Gate Last High-K Metal Gate Process

Номер патента: US20130082347A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Low-Power, High-Voltage Integrated Circuits

Номер патента: US20120038416A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-16.

High voltage metal-oxide-metal (hv-mom) device, hv-mom layout and method of making the hv-mom device

Номер патента: US20150021676A1. Автор: Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Chang-Sheng LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Structure and method for reduction of Vt-W effect in high-k metal gate devices

Номер патента: TW201238001A. Автор: Vijay Narayanan,Richard A Conti,Michael V Aquilino,Daniel J Jaeger,Christopher V Baiocco. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-09-16.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: WO2012099928A3. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Method for reducing high K metal gate device threshold voltage fluctuation

Номер патента: CN105304568A. Автор: 景旭斌,何志斌. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-03.

Fortification of charge-storing material in high-K dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: US09576805B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett T. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09514943B1. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09431255B2. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

FORTIFICATION OF CHARGE-STORING MATERIAL IN HIGH-K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20150200101A1. Автор: Ramaswamy D.V. Nirmal,Rocklein Matthew N.,Brewer Rhett T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

OXYGEN VACANCY PASSIVATION IN HIGH-K DIELECTRICS FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210249315A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

STRUCTURE AND METHOD FOR NFET WITH HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150004779A1. Автор: ZHU Ming,LIU Chi-Wen,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013197A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

RECESSED SALICIDE STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013198A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20210013111A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-01-14.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING A LOW GATE RESISTANCE HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140110790A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,HUANG Jingyan. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

Method to Form a Polysilicon Nanocrystal Thin Film Storage Bitcell within a High K Metal Gate Platform Technology Using a Gate Last Process to Form Transistor Gates

Номер патента: US20150054044A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Yater Jane A.,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150069518A1. Автор: HAN QIUHUA. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20140170844A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A MEMORY DEVICE AND A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR

Номер патента: US20170125432A1. Автор: Beyer Sven,Richter Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: KIRKPATRICK BRIAN K.,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190371806A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Structure and method for Vt tuning and short channel control with high K / metal gate MOSFETs.

Номер патента: JP5669954B2. Автор: ワン、シンリン,チェン、シャンドン,カイ、チン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-18.

The structure controlled for the Vt adjustment and short channel with high-k/metal gate mosfet and method

Номер патента: CN103262246B. Автор: 陈向东,蔡劲,王新琳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

A kind of method for forming high-k/metal gate

Номер патента: CN103811319B. Автор: 陈勇,何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-08.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: WO2012078225A1. Автор: Xiangdong Chen,Xinlin Wang,Jin Cai. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20090152636A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Low temperature nitridation of amorphous high-k metal-oxide in inter-gates insulator stack

Номер патента: TW200541080A. Автор: Tai-Peng Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-16.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A4. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: AU2003263872A8. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method for fabricating a flash memory cell utilizing a high-K metal gate process and related structure

Номер патента: US20110108903A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20140367802A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao,CHUANG HARRY-HAK-LA Y. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Method Of Forming A Single Metal That Performs N Work Function And P Work Function In A High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20140001566A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai,CHAO Yuan-Shun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

STRUCTURE AND METHOD TO MINIMIZE REGROWTH AND WORK FUNCTION SHIFT IN HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20130069196A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Kulkarni Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

MECHANISMS FOR MONITORING IMPURITY IN HIGH-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20150099315A1. Автор: ZHANG Wei,Chen Yen-Yu,Chen Wei-Jen,LEE Chang-Sheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130187239A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

REDUCED THRESHOLD VOLTAGE-WIDTH DEPENDENCY IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20150228490A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Langdon Steven. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Atomic layer deposition of high k metal silicates

Номер патента: WO2004017378A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems, Ltd.. Дата публикации: 2004-02-26.

HIGH VOLTAGE, HIGH FREQUENCY ESD PROTECTION CIRCUIT FOR RF ICs

Номер патента: WO2011091064A1. Автор: Eugene R. Worley,Byungwook Min,Der-Woei Wu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-28.

High voltage isolated microelectronic device

Номер патента: US20230122868A1. Автор: Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

High voltage isolated microelectronic device

Номер патента: US20220208956A1. Автор: Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

High voltage isolated microelectronic device

Номер патента: US11574995B2. Автор: Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

High-K metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876068B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Forming STI Regions After Gate Metals

Номер патента: US20130075820A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

N/P METAL CRYSTAL ORIENTATION FOR HIGH-K METAL GATE Vt MODULATION

Номер патента: US20140154848A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lin Chin-Hsiang,CHERN Chyi Shyuan,Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

HIGH-K METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180122893A1. Автор: Yang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: US20110241119A1. Автор: George Liu,Kuei Shun Chen,Chia-Ching Lin,Jiann Yuan Huang,Meng-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A3. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TW201145389A. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-16.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TWI479569B. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Adjustment of work function in high-k gate stacks containing gate dielectrics of different thickness

Номер патента: DE102009039418B4. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-08-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: US20110049642A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Work function adjustment in high-k gates stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: SG178409A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-04-27.

STRUCTURE AND METHOD TO MODULATE THRESHOLD VOLTAGE FOR HIGH-K METAL GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETs)

Номер патента: US20130316503A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190103414A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-04.

Integrated Circuits Having a Plurality of High-K Metal Gate FETs with Various Combinations of Channel Foundation Structure and Gate Stack Structure and Methods of Making Same

Номер патента: US20150287645A1. Автор: McWilliams Bruce,Ranade Pushkar,Zhao Dalong. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Methods of forming high-k/metal gates for nfets and pfets

Номер патента: US20090250760A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Hongwen Yan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

High-k metal gate electrode structures formed by reducing a gate fill aspect ratio in replacement gate technology

Номер патента: US8716120B2. Автор: Klaus Hempel,Andy Wei,Martin Mazur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed on the basis of a simplified spacer regime

Номер патента: US20110129972A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: CN102332448A. Автор: 黄建元,林家庆,陈孟伟,陈桂顺,刘家助. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process

Номер патента: US09824913B2. Автор: Shaohua Zhang,Yongxiang Wen,Guoqiang Yu,Yulei Jiang,Yanghui Sun. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

FINE-GRAINED ANALOG MEMORY DEVICE BASED ON CHARGE-TRAPPING IN HIGH-K GATE DIELECTRICS OF TRANSISTORS

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Iyer Subramanian S.,Gu Xuefeng. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-11-16.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY PRESERVING A RESIST MATERIAL ABOVE END CAPS OF GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20130267044A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

LOGIC HIGH-K/METAL GATE 1T-1C RRAM MTP/OTP DEVICES

Номер патента: US20160093672A1. Автор: Li Xia,Perry,Kang Seung Hyuk,JR. Daniel Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

INTEGRATION TECHNIQUES FOR MIM OR MIP CAPACITORS WITH FLASH MEMORY AND/OR HIGH-k METAL GATE CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20160225846A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,LIU Chen-Chin,Wang Yu-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20150236260A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20140319449A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Post silicide testing for replacement high-k metal gate technologies

Номер патента: US8610451B2. Автор: David M. Fried,Ishtiaq Ahsan,Lidor Goren,Jiun-Hsin Liao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Integrated High Voltage Power Device Having an Edge Termination of Enhanced Effectiveness

Номер патента: US20080237773A1. Автор: Davide Patti,Giuditta Settanni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-10-02.

Integrated high voltage power device having an edge termination of enhanced effectiveness

Номер патента: WO2006030467A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Giuditta Settanni. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2006-03-23.

Integrated high voltage power device having an edge termination of enhanced effectiveness

Номер патента: US7675135B2. Автор: Davide Patti,Giuditta Settanni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-03-09.

Methods for fabricating integrated circuits with low, medium, and/or high voltage transistors on an extremely thin silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09653365B1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Different-voltage device manufactured by a cmos compatible process and high-voltage device used in the different-voltage device

Номер патента: US20070178648A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for integrating high-voltage device and low-voltage device

Номер патента: US20020197812A1. Автор: Yung-Chieh Fan. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method and manufacture for high voltage gate oxide formation after shallow trench isolation formation

Номер патента: US20120034755A1. Автор: Fei Wang,Chih-Yun Lin. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of making high-voltage bipolar/CMOS/DMOS (BCD) devices

Номер патента: US20030068844A1. Автор: Luc Ouellet,Stephane Martel,Sebastien Michel,Yan Riopel. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

High voltage integrated switching devices on a bonded and trenched silicon substrate

Номер патента: WO2000065662A1. Автор: Nestore A. Polce,Scotten W. Jones,Mark F. Heisig. Владелец: C.P. Clare Corporation. Дата публикации: 2000-11-02.

High voltage and high-power diamond based junction-gate field effect transistor (jfet) switch with photo-controlled gate

Номер патента: US20240204128A1. Автор: Qinghui Shao,Lars F. Voss,Soroush Ghandiparsi. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

A high-voltage reset mems microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: EP3192278A1. Автор: Matthew Zeleznik. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-07-19.

High-voltage reset MEMS microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: US09743203B2. Автор: Matthew A. Zeleznik. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-22.

Planar high-voltage photoelectric module

Номер патента: RU2686449C1. Автор: Ольга Вячеславовна Шеповалова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИМ). Дата публикации: 2019-04-25.

High voltage optical transformer integration

Номер патента: EP4222788A1. Автор: Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Maik Andre Scheller,Jonathan Robert Peterson,Yigit MENGUC,Daniele Piazza,Renate Eva Klementine Landig,Tianshu Liu. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-09.

High-voltage reset mems microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: US20170355594A1. Автор: Matthew A. Zeleznik. Владелец: Akustica Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

High-voltage battery division for charging column connection

Номер патента: US10821836B2. Автор: Thomas Schmid,Leo Spiegel,Naser Abu Daqqa,Pascal Heusler. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2020-11-03.

Sensing device comprising electrical components of high voltage domain and low voltage domain to perform quenching of a single photon avalanche diode

Номер патента: US11035725B2. Автор: Alexander Katz,Yael Nemirovsky. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

High voltage circuit board and high voltage device using same

Номер патента: EP3893272A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

High voltage circuit board and high voltage device using same

Номер патента: US20210289618A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

High voltage solar modules

Номер патента: EP4362110A3. Автор: Peter John Cousins,Seung Bum Rim,Gopal Krishan GARG. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Logic high-k/metal gate 1t-1c rram mtp/otp devices

Номер патента: WO2016048681A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Daniel Wayne PERRY JR.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

High-voltage transformer

Номер патента: RU2288517C2. Автор: КАРМЕНА Анхель ДИАС. Владелец: Сосьедад Эспаньола Де Электромедисина И Калидад, С.А.. Дата публикации: 2006-11-27.

High-voltage device box

Номер патента: EP4087072A1. Автор: Tao Li,Xin Peng,Congjian JIANG,Chuanwen Luo,Fang HENG,Xiongbo WANG. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

High-voltage feedthrough insulator

Номер патента: RU2419904C2. Автор: Томас Эрикссон,Давид ЭМИЛЬССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2011-05-27.

High-voltage connector

Номер патента: GB2592384A. Автор: Barroso Inaki. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

High-voltage connector

Номер патента: EP4111550A1. Автор: Inaki Barroso. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

System of high-voltage insulator and system of ion accelerator with such system of high-voltage insulator

Номер патента: RU2481753C2. Автор: Гюнтер КОРНФЕЛЬД,Норберт КОХ,Ханс-Петер ХАРМАНН. Владелец: Тейлз Электрон Дивайсез Гмбх. Дата публикации: 2013-05-10.

Cooling of high-voltage devices

Номер патента: RU2465668C2. Автор: Дэвид ЭМИЛЬССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2012-10-27.

Compact high-voltage connector

Номер патента: RU2663217C2. Автор: Жерар РЕВОЛЬ,Жорж ДИЗНЕФ,Эрик МЮРРИ,Терренс ЛАЛЛУЕТТ,Самир БУТААР. Владелец: Сингл Бой Мурингс Инк.. Дата публикации: 2018-08-02.

High-voltage cable plug

Номер патента: RU2669380C2. Автор: Ян Хенрик Вильгельм КУЛЕФЕЛЬТ. Владелец: Пфистерер Контактзистеме Гмбх. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of filling high-voltage electrotechnical devices with liquid dielectric and device for its implementation

Номер патента: RU2699365C1. Автор: Николай Алексеевич Зарецкий,Роман Викторович Порубов,Олег Олегович Федоркин,Эльвира Алексеевна Деменкова,Артем Валерьевич Бурцев,Константин Александрович Квасников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-09-05.

Passive fault protection arrangement for a measuring voltage transformer or a power voltage transformer for use in high voltage applications

Номер патента: WO2024061735A1. Автор: Alessandro MOTTA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505C. Автор: Achim Langens. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-17.

Device and method for generating a stable high voltage

Номер патента: US20100296320A1. Автор: Jörg Fober. Владелец: Carl Zeiss NTS GmbH. Дата публикации: 2010-11-25.

System To Optimize Voltage Distribution Along High Voltage Doubler String

Номер патента: US20220238269A1. Автор: Vasu MOGAVEERA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505A1. Автор: Achim Langens. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Driving device for driving a high-voltage x ray tube and method thereof driving the same

Номер патента: US20220330412A1. Автор: Tsung-Min Yang,Hung-Chiang HUANG. Владелец: ENERGY RESOURCES INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Contacting device for contacting high-voltage cable screen

Номер патента: RU2600320C2. Автор: Фолькер АУЭ. Владелец: Нексанс. Дата публикации: 2016-10-20.

Laser gyro high voltage start module

Номер патента: WO1994005973A2. Автор: Dale F. Berndt,Joseph E. Killpatrick. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1994-03-17.

High voltage component assembly and power supply system for vehicle

Номер патента: US20180257510A1. Автор: Hiroki SUMIKAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Precision high voltage power supply utilizing feedback through return side output

Номер патента: EP3827321A1. Автор: David Deford. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2021-06-02.

High-voltage automatic changeover switch

Номер патента: US20080078922A1. Автор: Wei Yin,Wei Jia,Feng Gao,Dan Zhang,Qinghui Zhang,Yaohong Liu,Yumei Chen,De Wei,Huaping Tang,Jinsheng Liu,Chong Gu,Jianjun Gao,Xinshui Yan,Xiaotian Liang. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method and device for cooling high voltage transformer for microwave oven

Номер патента: US20030197583A1. Автор: Bu-Sik Choi. Владелец: Puretec Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Method and device for cooling high voltage transformer for microwave oven

Номер патента: EP1357565A3. Автор: Bu-Sik Choi. Владелец: Puretec Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-14.

High voltage bobbin of fly-back transformer

Номер патента: US20050007231A1. Автор: Myung Kim,Chang Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Protective device for a high-voltage cable, high-voltage cable, high-voltage on-board power supply and motor vehicle

Номер патента: US12112910B2. Автор: Thomas Kronenberger,Benedikt Nies. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Method in the manufacturing of an insulated electric high voltage DC termination or joint

Номер патента: US09991687B2. Автор: Carl-Olof Olsson,Markus Saltzer,Anders Lindgren. Владелец: ABB HV Cables Switzerland GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

High-voltage cable plug

Номер патента: US09853389B2. Автор: Jan Henrik Wilhelm Kuhlefelt. Владелец: PFISTERER KONTAKTSYSTEME GMBH. Дата публикации: 2017-12-26.

High voltage tube tank for a portable x-ray

Номер патента: US09480135B2. Автор: Young Bae Kwon. Владелец: Innoden LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Drive of multifunctional high voltage switch unit

Номер патента: RU2749862C1. Автор: Геннадий Алексеевич Соловьев,Виктор Константинович Христич,Виктор Алексеевич Розов. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2021-06-17.

Flexible high-voltage cable

Номер патента: RU2686458C1. Автор: Вячеслав Вячеславович Воронин,Сергей Викторович Булычев,Евгений Анатольевич Байдаков,Артем Николаевич Максимов,Максим Сергеевич Мироненко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-04-26.

Method for monitoring serviceability of high-voltage capacitive ignition systems of gas turbine engines

Номер патента: RU2767662C1. Автор: Андрей Николаевич Мурысев,Александр Владимирович Краснов,Андрей Алексеевич Беляев,Азат Тагирович Кузбеков. Владелец: Акционерное общество "Уфимское научно-производственное предприятие "Молния". Дата публикации: 2022-03-18.

High-voltage transformer

Номер патента: RU2435242C2. Автор: Кристоф ЛУФ,Бернд АКЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-11-27.

Device to reduce risk of dielectric breakthrough in high-voltage devices, high-voltage wall through insulator, comprising such device, and method to manufacture such device

Номер патента: RU2503106C2. Автор: Торстен ШЮТТЕ,Эндрю МАКСВЕЛЛ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2013-12-27.

Test system for varying voltage test of high-voltage electric components

Номер патента: RU2497138C2. Автор: Петер ВЕРЛЕ,Маттиас ШТАЙГЕР,Юрген ВОЛЬФАРТ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2013-10-27.

High-voltage bushing insulator

Номер патента: RU2378726C2. Автор: Йенс РОКС,Роджер ХЕДЛУНД,Винсент ТИЛЛИТТЕ,Герд ЧАЛИКИЯ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2010-01-10.

High-voltage oxide-zinc varistor ceramic

Номер патента: RU2712822C1. Автор: Юрий Алексеевич Савельев,Олег Григорьевич Громов,Елена Львовна Тихомирова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Кольский научный центр Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ РАН). Дата публикации: 2020-01-31.

High-voltage module and mass spectrometer using the same

Номер патента: US20230343572A1. Автор: Isao Furuya,Takuma NISHIMOTO,Hiroshi Touda,Zihao ONG. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

High voltage power management module

Номер патента: EP4384409A1. Автор: Matthew Robert FAULKS. Владелец: Viritech Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

High-voltage module and mass spectroscope using same

Номер патента: EP4287238A1. Автор: Isao Furuya,Takuma NISHIMOTO,Hiroshi Touda,Zihao ONG. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

High voltage transformer

Номер патента: WO2013015568A2. Автор: Sung Il Kim,Bum Ho Choo. Владелец: Listem Corporation. Дата публикации: 2013-01-31.

High-voltage winding and method for preparing high-voltage winding

Номер патента: EP4394818A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Shuchen Zhou,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Winding body, high-voltage winding and dry-type transformer

Номер патента: EP4394820A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

High-voltage winding and method for preparing high-voltage winding

Номер патента: CA3241493A1. Автор: Chao Liu,Bin Ma,XinXin Zhang,Xiaorong Zhang,Shuchen Zhou,Tingting Ma. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Insertable high-voltage bushing and electrical device having an insertable high-voltage bushing

Номер патента: US20200258661A1. Автор: Engelbert Engels,Achim Langens,Tim Schnitzler,Friedemann KLEINFELD. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-08-13.

High voltage transformer

Номер патента: WO2013015568A3. Автор: Sung Il Kim,Bum Ho Choo. Владелец: Listem Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

Use of multi types high voltage bushings for emergency power transformers

Номер патента: US20240170198A1. Автор: Wasseem Ali Alkhardawi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-05-23.

High-voltage cable

Номер патента: RU2602513C1. Автор: Алексей Васильевич Гусенков,Александр Михайлович Соколов,Михаил Александрович Соколов,Юрий Алексеевич Митькин,Тимофей Евгеньевич Шадриков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ). Дата публикации: 2016-11-20.

High voltage transformer

Номер патента: RU2524672C2. Автор: Эйвинд ВЕТТЕЛАНД. Владелец: Саптек Ип Ас. Дата публикации: 2014-08-10.

High-voltage transformer equipped with protective shield, protective shield and method to manufacture such shield

Номер патента: RU2408105C2. Автор: Эрик ФОРСБЕРГ,Тони ПОЛАНДЕР,Ларс-Оке СВЕНССОН,Ларс-Эрик ВЕННЕРБЕРГ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2010-12-27.

Cable fittings for connecting a high-voltage cable with a high-voltage component

Номер патента: RU2681643C1. Автор: Ян ЧИЗЕВСКИЙ,Виктория МАУРЕР,Радим ЛИЧИ,Тобйёрн СЁРКВИСТ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-03-12.

Arrester for overvoltage protection for high voltages

Номер патента: RU2598027C2. Автор: Аксель ПРАЙДЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-09-20.

Mechanism for manual disconnection of the drive of a high-voltage vacuum circuit breaker

Номер патента: RU2756294C1. Автор: Евгений Юрьевич Парамонов,Станислав Евгеньевич Парамонов. Владелец: Акционерное Общество "Электротехнические заводы "Энергомера". Дата публикации: 2021-09-29.

High-voltage cable connection structure

Номер патента: EP4234297A1. Автор: Manabu Sasaki,Akira Yamamoto,Takashi Hayashi,Keisuke Sawazaki,Shota Fuchigami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Vehicle With a High-Voltage Store, and High-Voltage Store

Номер патента: US20210331011A1. Автор: Daniel Hielscher,Norman Geissler,Maximilian Rampf. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2021-10-28.

High-voltage cable connection structure

Номер патента: CA3188165A1. Автор: Manabu Sasaki,Akira Yamamoto,Takashi Hayashi,Keisuke Sawazaki,Shota Fuchigami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-08-25.

New high-voltage ceramic bus support capacitor for automobile inverter

Номер патента: EP4394830A1. Автор: YANG Hua,Chengyin Yuan,Jinliang Shen,Lianghui Yang,Chaohui Liu,Guidong XIU. Владелец: Beijing National New Energy Vehicle Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

High voltage wire harness for use in automobile

Номер патента: EP2776286A1. Автор: Eiichi Toyama,Shinichi INAO. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

High voltage wire harness for use in automobile

Номер патента: WO2013069709A1. Автор: Eiichi Toyama,Shinichi INAO. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2013-05-16.

High-voltage tab contact means with touch protection means and high-voltage connector

Номер патента: US20240243517A1. Автор: Xavier Rouillard,Jingwen Yang,Gregor Panitz,Jochen Brandt,Dirk Duenkel,Imad Smirani,Alexis Mettavant,Joachim Uhrle,Pierre LEPRIVEY. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

High-voltage cable connection structure

Номер патента: US20230271572A1. Автор: Manabu Sasaki,Akira Yamamoto,Takashi Hayashi,Keisuke Sawazaki,Shota Fuchigami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High voltage connector and method for providing a high voltage connection

Номер патента: EP4387008A1. Автор: Marine Venard,Vijendran PERUMALSAMY,Andre-Michael LUIS,Suresh NANDA-KUMAR. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-06-19.

A high voltage divider

Номер патента: US20160238634A1. Автор: Lorenzo Giovanelli. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-08-18.

Response to High Voltage Electrolysis of Coolant in a Battery Pack

Номер патента: US20130071701A1. Автор: Michael Bell,Weston Arthur Hermann,Francisco LePort. Владелец: Tesla Motor Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

High voltage module, controller with a high voltage module, and a method of manufacturing a high voltage module

Номер патента: US20240261798A1. Автор: Per Holm Hansen,Anders Høxbro Larsen,Brian Rene Nielsen. Владелец: Exodraft As. Дата публикации: 2024-08-08.

High-voltage transformers, devices for generating high voltages and medical devices

Номер патента: WO2024169969A1. Автор: Haibo Li,Guoping Zhu,Biao Luo. Владелец: SHANGHAI UNITED IMAGING HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-22.

High voltage module, controller with a high voltage module, and a method of manufacturing a high voltage module

Номер патента: EP4415008A1. Автор: Per Holm Hansen,Anders Høxbro Larsen,Brian Rene Nielsen. Владелец: Exodraft As. Дата публикации: 2024-08-14.

Response to high voltage electrolysis of coolant in a battery pack

Номер патента: US09966590B2. Автор: Michael Bell,Weston Arthur Hermann,Francisco LePort. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

High-voltage bushing and high-voltage installation with the bushing

Номер патента: US09947442B2. Автор: Christian Paul,Engelbert Engels,Achim Langens. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-04-17.

High voltage supply for compact radiation generator

Номер патента: US09947426B2. Автор: Christian Stoller,Peter Wraight,Luke T. Perkins. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

High voltage electron beam system and method

Номер патента: US09911571B2. Автор: Yosef Basson. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

High-voltage intelligent switch alternating current capacitor

Номер патента: US09876359B2. Автор: Hai Wang. Владелец: Gyrk International Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

High-voltage direct-current thermal fuse

Номер патента: US09837236B2. Автор: Zhonghou Xu,Yaoxiang HONG,Yousheng Xu. Владелец: Xiamen Set Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Connection structure between main transformer and high-voltage device box and railcar including same

Номер патента: US09831644B2. Автор: Hiroyuki Kawasaki,Hiroyuki Sakurai,Ryoji Negi. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage divider

Номер патента: US09714957B2. Автор: Lorenzo Giovanelli. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-07-25.

High voltage transformer arrangement for high voltage tank assembly

Номер патента: US09691543B2. Автор: Niranjan Kumar,Dennis Perrillat-Amede,Venugopal VADIVEL. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-06-27.

High-voltage pulse discharge capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09672988B2. Автор: Hai Wang. Владелец: Gyrk International Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

High voltage transformer

Номер патента: US09490065B2. Автор: Øyvind WETTELAND. Владелец: Zaptec Ip As. Дата публикации: 2016-11-08.

Inspection window and earthing terminal for high-voltage system

Номер патента: RU2510542C2. Автор: Андреас КЛЯЙНШМИДТ,Марио ЙЕККЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for manufacture of composite high-voltage insulator, high-voltage insulator, as well as plastic for use in such insulator and method for manufacture of non-cylindrical structural member

Номер патента: RU2256252C2. Автор: Антон ВЕРМЕЛИНГЕР. Владелец: Вермелингер Аг. Дата публикации: 2005-07-10.

High-voltage bushing with reinforced conductor

Номер патента: RU2563039C2. Автор: Йонас БИРГЕРССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-09-20.

High-voltage device

Номер патента: RU2531259C2. Автор: Томми ЛАРССОН,Дэвид ЭМИЛЬССОН,Ральф ХАРТИНГС. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2014-10-20.

Improved interrupter for high-current or high-voltage applications at direct current, for example, for industrial and / or railway applications

Номер патента: RU2721374C1. Автор: Клаудио МОНДЕЛЛИНИ,Марко КОРНА,Лоренцо СТЕНДАРДИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2020-05-19.

Shield fittings for high-voltage insulation structures (embodiments)

Номер патента: RU2766554C1. Автор: Николай Алексеевич Карасев,Евгений Алексеевич Юданов,Ен Дар Ким,Максим Викторович Шеленберг. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Форэнерго-Инжиниринг" (Ооо"Форэнерго-Инжиниринг"). Дата публикации: 2022-03-15.

High voltage amplifier circuit and analyzer apparatus

Номер патента: EP4178109A1. Автор: Masahiro Arimitsu. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

A high voltage connector assembly having improved female and male housings with a female terminal position assurance (tpa) device, and an improved method for improving clearance and creepage in the high voltage connector assembly

Номер патента: EP4385101A1. Автор: David Demaratos. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Sensor with insulating element for high voltage separable connectors

Номер патента: EP3824299A1. Автор: Carl J. Wentzel,Jaylon D. Loyd,Christopher R. Wilson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-05-26.

Intelligent method for diagnosing mechanical fault of high-voltage isolating switch based on transfer learning

Номер патента: NL2032669B1. Автор: Zhang Rui,WANG Bing,Zhang Yu,Yang Tao,Li Cheng,Zhang Yan,Yang Jin,Wang Jianwei,Wang Yongzhi,LI Huiming,Yang Yizheng,Wang Zhongwen,Li Shiwei,Hu Jianming,LIU YUNTAO,Jiang Shaohua,ZHU Qilong,Zhang Yungui,Qian Deyin,Xu Jiyong,Li Chunsong,Bao Youzhi,Yao Hongtao,He Yongjian,Liu Jiali,Liu Guirong,Zhang Yuanlong,Liu Mingjiang,Zhou Wenwu,Cai Yannan,Shi Jiarong,Deng Yakui. Владелец: Honghe Power Supply Bureau of Yunnan Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

High-voltage transformer and generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098245A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

High voltage generation circuit

Номер патента: US20170257036A1. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

High voltage generation circuit

Номер патента: US10097104B2. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Hybrid vehicle and high-voltage battery control method and apparatus therefor

Номер патента: US20240278689A1. Автор: Zhiming Li. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-08-22.

Mechanical inter-lock fail-safe for high voltage connection

Номер патента: US20240339889A1. Автор: Paul Lindemann,Zachary Gnabah,Jonathan Getz. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-10-10.

Redundant verifiable high voltage measurement port for traction inverter and high voltage distribution

Номер патента: US20240361363A1. Автор: Robert J. VOVOS,Arthur P. Lyons. Владелец: BAE Systems Controls Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Electronic device for controlling high-voltage with multiple low-voltage switches

Номер патента: US09953774B2. Автор: Tao Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Switching circuit for medium- and high-voltage devices

Номер патента: RU2530541C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-10-10.

Resistance to start for power high-voltage breaker

Номер патента: RU2464662C2. Автор: Вальтер ХОЛАУС,Маркус КЕЛЛЕР,Урс КРУЕСИ,Рене ФРЕЙДИНГЕР. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2012-10-20.

Method for sealing high voltage vacuum reeders

Номер патента: RU2766570C1. Автор: Владимир Васильевич Прадед,Олег Николаевич Крютченко,Аркадий Валентинович Орлов,Сергей Петрович Овчинников,Татьяна Евгеньевна Хаустова. Владелец: Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП"). Дата публикации: 2022-03-15.

Method for reduction of air supply from atmosphere to expansion vessel of high-voltage installations filled with insulating liquid and device for implementation of this method

Номер патента: RU2490744C2. Автор: Экхард БРЕЗЕЛЬ. Владелец: Гатрон Гмбх. Дата публикации: 2013-08-20.

High-voltage suspension insulator

Номер патента: RU2297056C1. Автор: Вадим Валерьевич Старцев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Арматурно-Изоляторный Завод". Дата публикации: 2007-04-10.

Cleaning and cooling system for high-voltage electrical machine commutator

Номер патента: RU2316861C2. Автор: Роберт Генри РЕДЕР,Йангксин ЛИ. Владелец: Дженерал Электрик Кэнада Инк.. Дата публикации: 2008-02-10.

High-voltage x-ray generator, apparatus and method for investigating oil well formation using said generator

Номер патента: RU2437126C2. Автор: Кристиан Столлер,Джоэл Л. ГРОУВЗ,Питер РЕЙТ,Артур Дж. БЕККЕР. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2011-12-20.

High-voltage transformer with diode-type divider

Номер патента: RU2216064C2. Автор: Вальтер ГОЗЕБЕРГ,Рольф ХАЙДРИХ,Ханс РЕННЕР. Владелец: Дойче Томсон-Брандт ГмбХ. Дата публикации: 2003-11-10.

Device for electrically connecting a fuel cell stack and a high-voltage battery

Номер патента: US20240234876A1. Автор: Oliver Harr,Philipp Hausmann,Benjamin Pieck,Florian Biesinger. Владелец: Cellcentric GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-11.

High-voltage generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098244A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

High voltage standoff, current regulating, hollow electron beam switch tube

Номер патента: WO2000028569A1. Автор: Richard Brownell True. Владелец: Litton Systems, Inc.. Дата публикации: 2000-05-18.

High-voltage generator for providing a high-voltage pulse

Номер патента: US20200194210A1. Автор: Sven Mueller,Oliver Heuermann,Martin Koschmieder,Stefan Willing,Marvin Moeller. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for improving clearance and creepage in a high voltage connector assembly using a female terminal position assurance (tpa) device

Номер патента: US20200274281A1. Автор: David Demaratos. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method and apparatus for high voltage treatment of cathode ray tube

Номер патента: US5252098A. Автор: Kinjiro Sano,Wataru Imanishi,Yoshihisa Nakajima,Maasaki Kinoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

Multi-directional high-voltage battery input/output in high-voltage electronic box

Номер патента: US12051893B2. Автор: Mitul Patel. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

High-voltage connector

Номер патента: US5876229A. Автор: Hans Negle. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Coupled magnetic element having high voltage resistance and high power density

Номер патента: US12094634B2. Автор: Martin Kuo,Nanhai Zhu. Владелец: Itg Electronics Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

High-voltage insulator

Номер патента: US09837184B2. Автор: Achim Langens,Paul Juntermanns. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Direct-connect high voltage connector and connection structure thereof

Номер патента: US09666994B2. Автор: Jun Ha HWANG. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High-voltage system

Номер патента: RU2540266C2. Автор: Себастьян ГЕШЕЛЬ,Дирк ШУЛЬЦЕ-ВИШЕЛЕР,Андреас КЛЯЙН-ШМИДТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-02-10.

High-voltage circuit breaker with live case and method of its manufacturing

Номер патента: RU2543976C2. Автор: Йохан ЛИДХОЛЬМ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-03-10.

Indicator of high-voltage insulation condition

Номер патента: RU2392679C1. Автор: Вадим Валерьевич Старцев,Вячеслав Александрович Любимов,Эдуард Павлович Соловьев,Юрий Анатольевич Солодков. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Арматурно-Изоляторный Завод". Дата публикации: 2010-06-20.

High-voltage vacuum relay

Номер патента: RU2765681C2. Автор: Александр Александрович Акимов,Алексей Николаевич Бердужов,Александр Николаевич Лукьянов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов". Дата публикации: 2022-02-01.

High-voltage contact unit of vacuum breaker and disconnect switch

Номер патента: RU2642838C2. Автор: Валерий Иванович Сафонов. Владелец: Валерий Иванович Сафонов. Дата публикации: 2018-01-29.

Device for switching low, medium or high voltage containing element with chemical charge

Номер патента: RU2550344C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-05-10.

Insulating element with low electric conductivity, serving for electrical insulation in high-voltage range

Номер патента: RU2705360C2. Автор: Вольфганг ЭКСНЕР,Тобиас ВОЛЬФИНГЕР,Стефан ЯУФЕР. Владелец: Викор Холдинг Аг. Дата публикации: 2019-11-07.

High voltage submarine cable systems

Номер патента: US12030597B2. Автор: Masoud Hajiaghajani,Gerald Keith SPERLING. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Temperature sensing device for a high voltage disconnecting switch and high voltage disconnecting switch including a temperature sensing device

Номер патента: US20230420196A1. Автор: Wei Lu,Juntao Deng. Владелец: Weinert Industries Ag. Дата публикации: 2023-12-28.

High voltage submarine cable systems

Номер патента: CA3230137A1. Автор: Masoud Hajiaghajani,Gerald Keith SPERLING. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

A system and a method for adjusting a length of an insulating rod for a high voltage circuit breaker and a high voltage circuit breaker

Номер патента: EP4381532A1. Автор: Nils FURRER,Guenter Steding. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

High-voltage device

Номер патента: US20220053657A1. Автор: Thomas Maibrink. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-02-17.

Shield for a terminal of a high-voltage electrical device and method for operating the same

Номер патента: EP3618086A1. Автор: Karl Frei,Francesca Meyer,Daniele Villano,Teresa GARGANO. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-03-04.

Shield for a terminal of a high-voltage electrical device and method for operating the same

Номер патента: WO2020043784A1. Автор: Karl Frei,Francesca Meyer,Daniele Villano,Teresa GARGANO. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-03-05.

System and method for extinguishing fire in high voltage battery for vehicle

Номер патента: US20240173581A1. Автор: Young-Bin Jeong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Vehicle with high voltage power source controller and method of starting such vehicle

Номер патента: EP1153787A3. Автор: Mitsuhiro Nada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2003-07-16.

High voltage submarine cable systems

Номер патента: AU2022315278A1. Автор: Masoud Hajiaghajani,Gerald Keith SPERLING. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

High voltage submarine cable systems

Номер патента: WO2023004271A1. Автор: Masoud Hajiaghajani,Gerald Keith SPERLING. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2023-01-26.

Compact high-voltage power supply systems and methods

Номер патента: US20210189838A1. Автор: Matthieu Simon,Anthony Durkowski,Jani Reijonen,Marc-Andre de Looz,AUSTIN JONES,Justin Mlcak,Giovana Stefan. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Set of high-voltage cables and method for producing a set of high-voltage cables

Номер патента: US10476251B2. Автор: Aniela Leistner,Andre Leistner,Ronald Plath,Wolfgang Habel,Gerd Heidmann,Daniel Siebler,Philipp Rohwetter. Владелец: Iph Institut Prueffeld fur Elektrische Hochleistungstechnik GmbH. Дата публикации: 2019-11-12.

High-voltage conductive path and wiring harness

Номер патента: EP2666169A1. Автор: Eiji Shimochi,Shigemi Hashizawa,Eiichi Toyama,Tatsuya Oga. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2013-11-27.

CRT display device having discharge current limiting resistors in high-voltage supply lines

Номер патента: US6310448B1. Автор: Hiroaki Kikuchi,Satoshi Oosuga,Yuusuke Kawamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-30.

High-voltage conductive path and wiring harness

Номер патента: WO2012098906A1. Автор: Eiji Shimochi,Shigemi Hashizawa,Eiichi Toyama,Tatsuya Oga. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2012-07-26.

High-Voltage Battery Module Including Outer Bridge Bus Bar

Номер патента: US20220393309A1. Автор: Jong Woon Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Shield for a terminal of a high-voltage electrical device and method for operating the same

Номер патента: US20210319932A1. Автор: Karl Frei,Francesca Meyer,Daniele Villano,Teresa GARGANO. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

A method for manufacturing a perforated, sheet-like high-voltage insulating spacer for a high-voltage component and a high-voltage component comprising a spacer manufactured according to the method

Номер патента: WO2015158532A3. Автор: Ansgar Dais,Urs Kruesi,Jan Czyzewski. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2015-12-10.

A method for manufacturing a high-voltage insulating spacer for a high-voltage component and a high-voltage component comprising a spacer manufactured according to the method

Номер патента: EP3132454A2. Автор: Ansgar Dais,Urs Kruesi,Jan Czyzewski. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-02-22.

Automobile high voltage wire harness and method of manufacturing the automobile high voltage wire harness

Номер патента: US20140165392A1. Автор: Takashi Kato,Eiichi Toyama. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

High-voltage device and safety system for high-voltage device

Номер патента: US20230391196A1. Автор: Yoshihiro Nishimura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

PROGRAMMABLE/RE-PROGRAMMABLE DEVICE IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20130229882A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

Memory cell using BTI effects in high-k metal gate MOS

Номер патента: US8432751B2. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory cell using bti effects in high-k metal gate mos

Номер патента: TWI470633B. Автор: Anisur Rahman,Chia-Hong Jan,Walid M Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Method for enabling multiple vt devices using high-k metal gate stacks

Номер патента: WO2009056417A1. Автор: Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Vamsi Paruchuri,Jeffrey Sleight,Martin Michael Frank. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-07.

High k metal-insulator-metal (mim) capacitor network for lag mitigation

Номер патента: US20240244350A1. Автор: Duli Mao,Woon Il Choi,Bill Phan,Yuanliang Liu,Yifei Du,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of high-voltage pulse system operation

Номер патента: RU2710432C1. Автор: Юрген КАЛЬКЕ,Райнхарт МЮЛЛЕР-ЗИБЕРТ. Владелец: Зельфраг Аг. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2600335C1. Автор: Даниил Дмитриевич Дайнека. Владелец: Даниил Дмитриевич Дайнека. Дата публикации: 2016-10-20.

Pulsed current generator for high-voltage electrohydraulic technologies

Номер патента: RU2666225C1. Автор: Виктор Сергеевич Ратушняк,Анатолий Васильевич Юрьев,Евгений Сергеевич Ильин,Александр Евгеньевич Гаранин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "научно-производственное предприятие "СибТрансНаука". Дата публикации: 2018-09-06.

Electrophysical device for gas cleaning from environmentally hazardous impurities, air disinfection and sterilization by means of combination of frequency-pulse and high-voltage direct voltage

Номер патента: RU2733755C1. Автор: Алексей Семенович Смирнов,Александр Васильевич Плохов,Александр Залманович Понизовский,Олег Станиславович Кужель. Владелец: Олег Станиславович Кужель. Дата публикации: 2020-10-06.

High-voltage pulses generator with optical control

Номер патента: RU2665277C1. Автор: Александр Николаевич Зыков,Игорь Георгиевич Петик,Владислав Витальевич Хвостов,Константин Васильевич Юртов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-08-28.

Method of producing high-voltage pulse voltage in inductive load

Номер патента: RU2701553C1. Автор: Юрий Игоревич Романов,Станислав Владимирович Малецкий. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Драйв". Дата публикации: 2019-09-30.

Failure correction method in high-voltage direct current line, installation for current transmission through high-voltage direct current line and alternating current converter

Номер патента: RU2550138C2. Автор: Марк Дэвис,Херберт ГАМБАХ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-10.

High voltage pulses generator with the parameters remote control

Номер патента: RU2675091C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Матвеев,Сергей Владимирович Захаров,Олег Николаевич Точилин,Александр Николаевич Чечеткин,Руслан Юрьевич Голиков,Максим Николаевич Горюнов. Владелец: Федеральное государственное казенное учреждение "12 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-12-14.

High-voltage switchgear and control gear

Номер патента: RU2550810C2. Автор: Борис Юрьевич Шолохович. Владелец: Борис Юрьевич Шолохович. Дата публикации: 2015-05-20.

Device for control of high-voltage frequency converter

Номер патента: RU2699374C1. Автор: Рифхат Рамазанович Храмшин,Геннадий Петрович Корнилов,Тимур Рифхатович Храмшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И. Носова". Дата публикации: 2019-09-05.

Device for producing high-voltage pulse voltage

Номер патента: RU2703966C1. Автор: Юрий Игоревич Романов,Станислав Владимирович Малецкий. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Драйв". Дата публикации: 2019-10-22.

High-voltage power supply apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20180196386A1. Автор: Yohei Shiraki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

High-voltage medical power supply device and controlling method thereof

Номер патента: US09642587B2. Автор: Jun Liu,Hongyuan Jin,Dezhi Jiao. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2585626C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-05-27.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2585625C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-05-27.

High-voltage voltage level converter

Номер патента: RU2702979C1. Автор: Владимир Владимирович Шубин. Владелец: Владимир Владимирович Шубин. Дата публикации: 2019-10-14.

Ac high-voltage electric arc plasma torch cooling system and the ac high-voltage electric arc plasma torch with cooling system (embodiments)

Номер патента: RU2680318C1. Автор: Сергей Дмитриевич Попов,Валентин Анатольевич СПОДОБИН,Александр Филиппович РУТБЕРГ. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Трипл-Сп". Дата публикации: 2019-02-19.

Electronic regulator for high-voltage discharge lamp

Номер патента: RU2339190C2. Автор: Луодинг Янг. Владелец: Лоу Фанглу. Дата публикации: 2008-11-20.

High-Voltage Control Circuit

Номер патента: US20230387806A1. Автор: Satoshi Konishi,Kazuki Sato,Hiroshi Toda,Naoya Ishigaki. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High-voltage power source device and notification method

Номер патента: US20200064393A1. Автор: Yasushi Nobutaka,Kunihiko Endoh. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Reduction of voltage stress across a gate oxide and across a junction within a high voltage transistor of an erasable memory device

Номер патента: US6275424B1. Автор: Binh Quang Le,Pauling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Low-Power Consumption High-Voltage Cmos Driving Circuit

Номер патента: US20070205820A1. Автор: Haisong Li,Yangbo Yi,Longxing Shi,Weifeng Sun. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-09-06.

Method for providing a gas-insulated high voltage device with increased dielectric strength and gas-insulated high voltage device provided by said method

Номер патента: EP4412010A1. Автор: Michael GATZSCHE,Ulrich Straumann. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

High voltage detection circuit, bell signal detection circuit and non-ringing reception detection circuit

Номер патента: US5875245A. Автор: Tokio Miyasita,Tokuo Nakamura,Toshihiko Kotaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

High voltage battery control system and high side voltage boost control circuit thereof

Номер патента: US20240348161A1. Автор: Pao-Cheng Chiu,Tai-You Lu,Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Power gating in an electronic device

Номер патента: US09720434B2. Автор: James Edward Myers,David Walter Flynn,David William Howard. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage fan motor powered by low voltage

Номер патента: US09707580B1. Автор: Dennis J. Mancl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Safety device for a high-voltage system and method for safeguarding a high-voltage system

Номер патента: US09590416B2. Автор: Ulrich Gottwick,Juergen Binder,Hans-Georg Horst,Rodrigo Biurrun Sotelo. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Precision, high voltage, low power differential input stage with static and dynamic gate protection

Номер патента: US09419571B2. Автор: Gregory L Schaffer,Maarten Jeroen Fonderie. Владелец: Xcelsem LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

High-voltage transistor switch

Номер патента: RU2764278C1. Автор: Михаил Сергеевич Петушков,Игорь Михайлович Голубятников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русконтроль" (ООО "Русконтроль"). Дата публикации: 2022-01-17.

Outdoor high-voltage switchgear

Номер патента: RU2748848C1. Автор: Алексей Владимирович Селиванов,Игорь Степанович Горбатко,Александр Сергеевич Букарин. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Назаровское Горно-Монтажное Наладочное Управление" (ООО "Назаровское ГМНУ"). Дата публикации: 2021-06-01.

System incorporating warning device and wire as well as method for detecting manually installed temporary ground connectors on high-voltage conductors

Номер патента: RU2236737C2. Автор: Рогер ХАНСЕН. Владелец: Рогер ХАНСЕН. Дата публикации: 2004-09-20.

Technique of determining degradation of high-voltage battery for vehicle

Номер патента: US20130151183A1. Автор: Woo Sung Kim,Sang Mok Park,Ji Won Nam. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

High efficiency high voltage pulse generator

Номер патента: US20220190810A1. Автор: Gary Hanington. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-16.

Multi-output high-voltage power supply and distributed ray source with multi-output high-voltage power supply

Номер патента: US20200253033A1. Автор: Wei Jia,Yuanjing Li,Yaohong Liu,Huaping Tang,Jinsheng Liu,Jinsong PAN,Zhanfeng Qin,Xiying Liu. Владелец: NURAY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Pulsed high voltage igniter circuit

Номер патента: WO2008121885A1. Автор: Hamid Pishdadian. Владелец: Kaz, Incorporated. Дата публикации: 2008-10-09.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: WO2017172116A1. Автор: Chiew-Guan Tan,Wilson Chen,Sumit Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Dc-to-dc converter for a high voltage system that operates within a wide voltage range

Номер патента: WO2024160465A1. Автор: Patrick Herranz,Raja SAHA,Alain FANOUILLERE,Ousama OSMAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2024-08-08.

High speed and high voltage driver

Номер патента: US09793892B2. Автор: Gary Chunshien Wu. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

High voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: US09735763B1. Автор: Chiew-Guan Tan,Wilson Chen,Sumit Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for operating high voltage switches

Номер патента: US09575124B2. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Voltage generating circuit and regulator circuit for precisely control predetermined high voltage

Номер патента: US09537398B2. Автор: Hideki Arakawa,Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Technique of determining degradation of high-voltage battery for vehicle

Номер патента: US09446677B2. Автор: Woo Sung Kim,Sang Mok Park,Ji Won Nam. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Precharging a motor vehicle high-voltage network

Номер патента: US09440551B2. Автор: Marco THÖMMES. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2016-09-13.

High-voltage direct ac converter

Номер патента: RU2379817C1. Автор: Юго ТАДАНО. Владелец: Мейденша Корпорейшн. Дата публикации: 2010-01-20.

Electrostatic generator of high voltage

Номер патента: RU2584147C1. Автор: Евгений Анатольевич Обжиров. Владелец: Евгений Анатольевич Обжиров. Дата публикации: 2016-05-20.

Integrator of currents and voltages high-voltage ITN-V

Номер патента: RU184462U9. Автор: Александр Михайлович Андреев,Василий Александрович Долгов,Раис Ризаевич Сафин. Владелец: Раис Ризаевич Сафин. Дата публикации: 2018-12-05.

High voltage generator

Номер патента: RU2488016C2. Автор: Клеман НУВЕЛЬ,Паоло БАРРОСО. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2013-07-20.

High-voltage three-phase overhead line

Номер патента: RU2698310C1. Автор: Дмитрий Олегович Иванов,Станислав Олегович Хомутов,Игорь Владимирович Белицын,Мария Тарасовна Пронь. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2019-08-26.

Device for controlling high-voltage transistor, specifically mos transistor of high-voltage generator for controlling internal combustion engine ignition

Номер патента: RU2377720C2. Автор: Андре АНЬЕРАЙ,Клеман НУВЕЛЬ. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2009-12-27.

Device and method of generation and transmission of high-voltage multifrequence oscillations

Номер патента: RU2674308C2. Автор: Михаил Викторович Моисеев,Андрей Сергеевич Руцкой. Владелец: Андрей Сергеевич Руцкой. Дата публикации: 2018-12-06.

High voltage analog switch

Номер патента: US20160134199A1. Автор: Jimes Lei,Kee Chee Tiew. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Capacitive self-sensing for electrostatic transducers with high voltage isolation

Номер патента: WO2022050997A3. Автор: Christoph Matthias KEPLINGER,Nikolaus Correll,Nicholas Alexander KELLARIS,Khoi D. LY. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2022-06-02.

High-voltage generator

Номер патента: US20080037292A1. Автор: Geu-Cheng Hu,Hsiang-Yuan Yu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Device and method for detecting high voltage

Номер патента: US20060043905A1. Автор: Tai-Shan Liao. Владелец: Precision Instrument Development Center. Дата публикации: 2006-03-02.

Capacitive self-sensing for electrostatic transducers with high voltage isolation

Номер патента: WO2022050997A9. Автор: Christoph Matthias KEPLINGER,Nikolaus Correll,Nicholas Alexander KELLARIS,Khoi D. LY. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2022-04-28.

Defect detection in high voltage power supply apparatus

Номер патента: WO2020055997A1. Автор: Jin-yun PARK,Jonghwa CHO,Kwang-Hoon CHEON. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-03-19.

Defect detection in high voltage power supply apparatus

Номер патента: US20210356498A1. Автор: Jinyun Park,Kwanghoon CHEON,Jonghwa CHO. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-11-18.

High voltage protection system for adjusting duty cycle by using pulse width modulation signal

Номер патента: US10338652B2. Автор: Jia-jun LIU,Chih-Shih Yang,Wan-Yang Chen. Владелец: Prolific Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-02.

High voltage power supply for a helmet mounted display device

Номер патента: US5473527A. Автор: Andrew L. Gold. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-12-05.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: US20150303906A1. Автор: Reza Jalilizeinali,Wilson Jianbo Chen,Chiew-Guan Tan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: EP3132539A2. Автор: Reza Jalilizeinali,Wilson Jianbo Chen,Chiew-Guan Tan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

High-voltage input receiver using low-voltage devices

Номер патента: WO2015160452A2. Автор: Reza Jalilizeinali,Wilson Jianbo Chen,Chiew-Guan Tan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-22.

High voltage converter for use as electric power supply

Номер патента: GB2618932A. Автор: ABDELLI Youcef,GANZARSKI Roei. Владелец: Magnix USA Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Plasma electrode configuration for a high-voltage non-thermal plasma system and a non-thermal plasma-based gas-treatment system comprising such plasma electrode configuration

Номер патента: WO2023146407A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Kleveland Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2023-08-03.

High-Voltage Pulse Generator and High-Pressure Discharge Lamp having a High-Voltage Pulse Generator

Номер патента: US20110148300A1. Автор: Steffen Walter,Andreas Kloss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

High-Voltage Direct Current Power Distribution and Fault Protection

Номер патента: US20150325998A1. Автор: Jeffrey A Jouper. Владелец: Astronics Advanced Electronic Systems Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Sensors with impedance elements on substrate for high voltage separable connectors

Номер патента: EP3811470A1. Автор: Carl J. Wentzel,Richard D. Twigg,Mark Gravermann,Jens Weichold,Jaylon D. Loyd,Christopher R. Wilson,Gunther A.J. STOLLWERCK,Harald Westkamp. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-04-28.

Universal cascade of heavy current and high voltage, type-2001

Номер патента: WO2002063931A1. Автор: Mitar Boroja. Владелец: Mitar Boroja. Дата публикации: 2002-08-15.

High-voltage supply for an X-ray device

Номер патента: US7110499B2. Автор: Walter Beyerlein,Werner Kuhnel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-09-19.

High voltage ripple reduction and substrate protection

Номер патента: WO2004062074A2. Автор: Feng Pan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2004-07-22.

Systems and methods for high voltage generation

Номер патента: US11330696B2. Автор: XU Chu,Guoping Zhu,Jinglin Wu,Tieshan ZHANG,Bobin TONG. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043A1. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043B2. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Apparatus and method for applying high voltage with high frequency

Номер патента: US20090072798A1. Автор: Jaechan PARK,Kyungil Cho,Jeongje Park,WANTAEK Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

High-voltage power supply

Номер патента: GB2628298A. Автор: Li Wen,Ishigaki Naoya,Kadoi Ryo. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

High voltage noise cancellation

Номер патента: US20240313725A1. Автор: Shem Yehoyda Prazot Ofenburg,Noam Dori. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Capacitor charging method of a high voltage network from a low voltage power source

Номер патента: WO2024149625A1. Автор: Claude BOURGEAT. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2024-07-18.

Class d-h preamplifier and cascoded high-voltage amplifier

Номер патента: US20240364281A1. Автор: Donnie Herman. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Circuit topology for driving high-voltage LED series connected strings

Номер патента: US09860946B2. Автор: James Locascio. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage generation using low voltage devices

Номер патента: US09647536B2. Автор: Gooty Sukumar Reddy,Sridhar Yadala,Potnuru Venkata Pradeep Kumar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods, implantable medical devices, and systems that abort a high voltage charge when a transformer is impaired

Номер патента: US09641012B2. Автор: Yanina GRINBERG,Troy Jenison,Lonny Cabelka. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Star-like multi-phase frequency-controlled drive system with conversion of high voltage into low voltage

Номер патента: RU2687479C1. Автор: Цзяньцяо ВАН,Сюаньдун У,Чэньлун ЛЯНЬ,Вэйцань ЯНЬ. Владелец: Волун Электрик Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-14.

High-voltage organic luminescent device

Номер патента: RU2631015C1. Автор: Артём Юрьевич Олисовец,Василий Иванович Туев,Кирилл Нильевич Афонин,Анна Викторовна Куненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2017-09-15.

High-voltage dc-to-dc converter

Номер патента: RU2642839C2. Автор: Фабьен ДЮБУА,Доминик БЕРГОНЬ. Владелец: Лабиналь Пауэр Системз. Дата публикации: 2018-01-29.

Gas-discharge high pressure lamp with improved capability of ignition, as well as high-voltage pulse generator

Номер патента: RU2419259C2. Автор: Андреас КЛОСС,Штеффен ВАЛЬТЕР. Владелец: Осрам Гезелльшафт Мит Бешренктер Хафтунг. Дата публикации: 2011-05-20.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: EP4385435A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Device and method for detecting high voltage

Номер патента: US7112930B2. Автор: Tai-Shan Liao. Владелец: Precision Instrument Development Center. Дата публикации: 2006-09-26.

High-voltage level shift circuit and drive apparatus

Номер патента: US20180316352A1. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

High voltage power supply

Номер патента: US20050259449A1. Автор: Young-min Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

High Voltage Protection System for Adjusting Duty Cycle by Using Pulse Width Modulation Signal

Номер патента: US20160315466A1. Автор: Jia-jun LIU,Chih-Shih Yang,Wan-Yang Chen. Владелец: Prolific Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

High voltage current source and voltage expander in low voltage process

Номер патента: US20110050331A1. Автор: Edward K. F. Lee. Владелец: ALFRED E MANN FOUNDATION FOR SCIENTIFIC RESEARCH. Дата публикации: 2011-03-03.

High-voltage detecting circuit for saving power in standby mode

Номер патента: US7482799B2. Автор: Shih-Hsien Chang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

High voltage current source and voltage expander in low voltage process

Номер патента: EP2293445A3. Автор: Edward K. F. Lee. Владелец: Alfred E Mann Institute for Biomedical Engineering of USC. Дата публикации: 2012-03-14.

Remote monitoring system for oil and gas in high-voltage bushing

Номер патента: LU506792B1. Автор: Hao Wen,Li Xiao,HUI Wang,Lifeng Cheng,Jing Zhang,Yi Jiang,Mengna Liu,Ziqiu Luo,Zhengqin Zhou,Qinqing Huang. Владелец: Wuhan Nari Ltd Liability Co Of State Grid Electric Power Res Inst. Дата публикации: 2024-08-05.

Formation of high voltage transistor with high breakdown voltage

Номер патента: US7897448B1. Автор: Sunil Mehta. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Linear high voltage driver with programmable differential and common mode gain

Номер патента: US20180131341A1. Автор: Pavan Nallamothu. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-10.

Modem having a digital high voltage isolation barrier

Номер патента: EP1131948B1. Автор: Raphael Rahamim,Thomas Grey Beutler. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-05.

Process for the fabrication of an integrated circuit comprising MOS transistors for low voltage, EPROM cells and MOS transistors for high voltage

Номер патента: US20010018250A1. Автор: Nicola Zatelli,Barbara Crivelli,Elisabetta Palumbo,Daniela Peschiaroli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-30.

Ultra-Low Power Readout Circuit With High-Voltage Bias Generation For MEMS Accelerometer

Номер патента: US20230146711A1. Автор: Dennis Sylvester,David Blaauw,Yimai PENG,David Kyojin CHOO. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-05-11.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: US20240277398A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Battery monitoring apparatus with monitoring integrated circuit selectively powered by a high voltage battery or low voltage power supply powered by a low voltage battery

Номер патента: US20180328994A1. Автор: Shunichi Mizobe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Charge-pump circuitry and a method for high voltage generation with improved psrr

Номер патента: US20210159786A1. Автор: Lasse Aaltonen. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985452B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Circuit arrangement for reducing the maximum electrical field strength, high voltage generation unit with such a circuit arrangement and x-ray generator with such a high voltage generation unit

Номер патента: US09967970B2. Автор: Walter Beyerlein,Richard Eichhorn,Christian Hoffmann,Norbert Hoffmann,Rashid Karimi. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Network distributed high voltage direct current power supply management method

Номер патента: US09819225B2. Автор: ZHI Li,Ning Li,Zhiqiang Wang,Stone Tseng. Владелец: GCCALLIANCE Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

System for regulating the output of a high-voltage, high-power, DC supply

Номер патента: US09780688B2. Автор: Marcel Pierre Joseph Gaudreau,Ian Saul Roth,Michael Alan Kempkes,Neal R Butler. Владелец: Diversified Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Battery-powered high-voltage converter circuit with electrical isolation and mechanism for charging the battery

Номер патента: US09739479B2. Автор: Christopher A. Wiklof,Igor A. Krichtafovitch,Joseph Colannino. Владелец: Clearsign Combustion Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Composite direct connector for high voltage line

Номер патента: US09647440B2. Автор: Jeunghun YU. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor apparatus having transfer circuit transferring high voltage

Номер патента: US09467050B2. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO,Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Assembly for compensating reactive power and active power in a high-voltage network

Номер патента: RU2649888C2. Автор: Мартин ПИШЕЛЬ,Ханс-Йоахим КНАК,Маркос ПЕРЕЙРА. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-04-05.

Direct-current high-voltage source and particle accelerator

Номер патента: RU2551364C2. Автор: Оливер ХАЙД,Тимоти ХЬЮЗ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-20.

Three-phase high-voltage frequency converter

Номер патента: RU2699012C1. Автор: Илья Николаевич Джус. Владелец: Илья Николаевич Джус. Дата публикации: 2019-09-03.

Method for prediction of change in insulation state of high-voltage electric motors

Номер патента: RU2705858C1. Автор: Андрей Владимирович Селиханович,Леонид Михайлович Поспеев,Иван Сергеевич Афонин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТК Бизнес.Оптима". Дата публикации: 2019-11-12.

High voltage switch with mitigated gate stress

Номер патента: US11837283B2. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

High voltage switch with mitigated gate stress

Номер патента: US20220415390A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Microwave oven in which rush current to high voltage transformer is suppressed

Номер патента: US20020023921A1. Автор: Masakazu Sano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

System and method for improved mechanical and electrical connection of high voltage wiring harness

Номер патента: US20230352921A1. Автор: Andrew Frame,Peter Farrell,Billy T. Stojanovski. Владелец: Electrical Components International Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Voltage source converter based high voltage direct current (VSC-HVDC) high-frequency resonance suppression method, system, and device

Номер патента: US12051902B2. Автор: Yan Li,Guiyuan Li,Weihuang HUANG,Shukai XU,Hong Rao. Владелец: CSG Electric Power Research Institute. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and charging device for charging a high-voltage battery of an electric vehicle

Номер патента: US20210101501A1. Автор: Axel Krause,Marc Hanselmann,Marc Neitz,Alexander Matthias,Hannes Hobi,Andreas Kruspan,Rudolf Meusburger. Владелец: PREH GMBH. Дата публикации: 2021-04-08.

Level shifters and high voltage logic circuits

Номер патента: WO2011011639A3. Автор: Marco Cassia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-31.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287563A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9721667B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287562A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High Voltage Step Down Regulator with Breakdown Protection

Номер патента: US20160049206A1. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Trung Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-02-18.

Modem having a digital high voltage isolation barrier

Номер патента: WO2000030333A9. Автор: Raphael Rahamim,Thomas Grey Beutler. Владелец: Conexant Systems Inc. Дата публикации: 2000-11-02.

High-voltage generator

Номер патента: SG78290G. Автор: . Владелец: Telefunken Fernseh & Rundfunk. Дата публикации: 1990-11-23.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

High voltage high frequency power converter

Номер патента: US20190207529A1. Автор: Boris S. Jacobson,Evgeny N. Holmansky,Lev VOLFSON. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-07-04.

High voltage high frequency power converter

Номер патента: EP3498062A1. Автор: Boris S. Jacobson,Evgeny N. Holmansky,Lev VOLFSON. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-06-19.

High voltage high frequency power converter

Номер патента: WO2018031389A1. Автор: Boris S. Jacobson,Evgeny N. Holmansky,Lev VOLFSON. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-02-15.

Stabilizer circuit for high-voltage discharge lamp

Номер патента: US20060138970A1. Автор: Byung-Sun Kim,Kyung-Soo Seok. Владелец: MediaTechnology Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

High voltage high power modular power supply

Номер патента: US20230146140A1. Автор: Leonardo Roque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage switch for ignition systems of internal combustion engines

Номер патента: US5537984A. Автор: Werner Herden,Manfred Vogel,Johann Konrad. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1996-07-23.

Capacitive Functionality Test For Varistors Of A High-Voltage Protective Device For An On-Board Vehicle Electrical System

Номер патента: US20240332956A1. Автор: Martin Götzenberger,Franz Pfeilschifter. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for converting a high voltage level to a low voltage level

Номер патента: US20140266097A1. Автор: Alan Roth,Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Fail-safe protection architecture for high voltage tolerant input/output circuit

Номер патента: US12074597B2. Автор: Prateek Singh,Kailash KUMAR,Akhil Thotli. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985453B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Ultra high voltage regulator

Номер патента: US09876439B2. Автор: Ching-Yueh Hsu. Владелец: Diwin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method and device for discharging a high-voltage system

Номер патента: US09768606B2. Автор: Martin Trunk,Jochen Kuehner,Dragan Mikulec,Arnold Winter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-19.

High-voltage, high-current, solid-state closing switch

Номер патента: US09742394B2. Автор: Ronald Jeffrey Focia. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

High-voltage, alternating current power supply

Номер патента: US09648770B1. Автор: Kenneth Martin MacKillop. Владелец: Static Clean International Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

System and method for high voltage cable detection in hybrid vehicles

Номер патента: US09581635B2. Автор: Viorel N. Moga. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Cascaded high voltage switch architecture

Номер патента: US09571092B2. Автор: Marco Passerini,Nicola Maglione. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

High voltage driver

Номер патента: US09571085B2. Автор: José Luis Gonzalez Jimenez,Guillaume WALTENER. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-14.

Multi-controllable high voltage power supply system

Номер патента: US20190190313A1. Автор: Scott Richard Wilson,Jan Simon Reuning,Erik Steven Haugarth,Lynn Edward Roszel,Craig Sean Dean. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Low-voltage to high-voltage level shifter circuit

Номер патента: US09543931B2. Автор: Jie Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Ultra high voltage regulator

Номер патента: US09379637B2. Автор: Ching-Yueh Hsu. Владелец: Diwin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

High-voltage three-phase overhead line

Номер патента: RU2717357C1. Автор: Татьяна Германовна Красильникова,Сайёд Гулмуродович Джононаев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет". Дата публикации: 2020-03-23.

High-voltage direct current transfer device

Номер патента: RU2468486C2. Автор: Торстен ПРИБЕ,Райнхард ВАГНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-11-27.

Control scheme of high-voltage h-bridge for the lens drive of electronic ophthalmic lenses

Номер патента: RU2669488C2. Автор: Адам ТОНЕР,Дональд УИТНИ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-10-11.

Level shifters and high voltage logic circuits

Номер патента: EP2457323A2. Автор: Marco Cassia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-05-30.

Fail-safe protection architecture for high voltage tolerant input/output circuit

Номер патента: US20240072803A1. Автор: Prateek Singh,Kailash KUMAR,Akhil Thotli. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Transistor circuits for switching high voltages and currents without causing snapback or breakdown

Номер патента: WO2004062105A1. Автор: Trevor Blyth. Владелец: Emosyn America, Inc.. Дата публикации: 2004-07-22.

High voltage generation apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20180067416A1. Автор: Hirohisa Nakajima,Satoshi Ogawara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Device and method for generating a high voltage

Номер патента: EP1193850B1. Автор: Jan Doutreloigne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2010-11-10.

High-voltage input power supply line applicable to light-emitting load

Номер патента: US20240179816A1. Автор: Shaohong Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-30.

High voltage tolerant port driver

Номер патента: US20080164911A1. Автор: Emil Lambrache. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

High voltage bootstrap sampling circuit

Номер патента: WO2018071479A1. Автор: Dan Meacham. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-04-19.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Method for charging a high-voltage battery of an electric drive of a vehicle, and power transmission system for a vehicle

Номер патента: US20220355685A1. Автор: Kai Kuhr,Paul Birgel,Marco Bröcker. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2022-11-10.

Grid-connected converter and high voltage ride through control method for grid-connected converter

Номер патента: EP4383538A1. Автор: Jinhu CAO,Fanyu HU. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Vehicle electrical system with high-voltage zone and a plurality of low-voltage zones that extend therefrom and are connected via a safety device

Номер патента: US20240270186A1. Автор: Franz Pfeilschifter. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

High-voltage shifter with degradation compensation

Номер патента: US11355206B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Apparatus and test method for simulating spark discharge of high-voltage electrostatic precipitator

Номер патента: US20220134356A1. Автор: Rui Zhang,Xiaoxing Zhang,Yinghao GUO,Shuo Jin,Wenhao Han,Qianjun Deng,Tiezhou WU,Lan Xiong. Владелец: Xiangyang Jiuding Haotian Ep Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

HIGH-K METAL GATE DEVICE STRUCTURE FOR HUMAN BLOOD GAS SENSING

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Zafar Sufi,Wang Yanfeng,SHI CHEN,Steen Steven E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

Method and Apparatus for Reducing Charge Trapping in High-K Dielectric Material

Номер патента: US20100054022A1. Автор: Michael Beck,Roland Thewes,Martin Kerber,Peter Lahnor. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-03-04.

Non-linear terahertz spectroscopy for defect density identification in high k dielectric films

Номер патента: US7459687B2. Автор: John Francis Federici,Haim Grebel,Hakan Altan. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-12-02.

Non-Linear Terahertz Spectroscopy for Defect Density Identification in High K Dielectric Films

Номер патента: US20070235650A1. Автор: Haim Grebel,Hakan Altan,John Federici. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-10-11.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

High-k metal oxide thin films, method for forming thereof and devices comprising the same

Номер патента: KR100866305B1. Автор: 강상원,박판귀. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2008-10-31.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Raising programming currents of magnetic tunnel junctions using word line overdrive and high-k metal gate

Номер патента: US8879308B2. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

High voltage measuring device

Номер патента: RU2673430C1. Автор: Сергей Григорьевич Попов,Лилия Владимировна Белова. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Всероссийский научно-исследовательский институт радиоаппаратуры" (АО "ВНИИРА"). Дата публикации: 2018-11-26.

Device for monitoring and diagnostics of high-voltage linear polymer insulators

Номер патента: RU2720638C1. Автор: Алексей Михайлович Романов,Николай Иванович Безбородов,Константин Владимирович Карасюк,Михаил Константинович Романов. Владелец: Буравлев Денис Сергеевич. Дата публикации: 2020-05-12.

Checked high voltage indicator

Номер патента: RU2695519C2. Автор: Владимир Ильич Крючков. Владелец: Владимир Ильич Крючков. Дата публикации: 2019-07-23.

Multimode high-voltage power supply system for multi-section train and train

Номер патента: RU2679314C1. Автор: Мэн СЮЙ,Чжэнвэй ЛЮ,Далэй ХА. Владелец: СиАрАрСи ЧАНЧУНЬ РЭЙЛВЭЙ ВИИКЛЗ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-02-07.

High voltage power supply without output voltage adjustment, method of adjusting output voltage of the high voltage power supply in image forming apparatus, and image forming apparatus using the method

Номер патента: US20140178082A1. Автор: Yun-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-26.

High-voltage distribution box having open circuit trigger, collision initiation system, and electric vehicle

Номер патента: EP4431331A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Customer replaceable unit with high voltage power supply

Номер патента: US20100098455A1. Автор: Jerome E. May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

High-voltage input under-voltage fault detection method and apparatus for electric vehicle, and storage medium

Номер патента: EP4450316A1. Автор: CHEN Yi,Lin Qiu,Hai Jiang,Ronghua Li,Hongda XU. Владелец: Guangzhou Automobile Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

High-voltage equipment cooling system for electric vehicle and high-voltage equipment cooling method for electric vehicle

Номер патента: US09517678B2. Автор: Masanori Matsuda,Shinji Kakizaki,Takeshi Someya. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

System and method for high-voltage disconnection in a vehicle

Номер патента: US09475437B2. Автор: Jochen Fassnacht. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Multiple-channel agile high-voltage sequencer

Номер патента: US20070069765A1. Автор: Eric Cummings. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

System and method for high-voltage disconnection in a vehicle

Номер патента: US20130307326A1. Автор: Jochen Fassnacht. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-11-21.

Integrated circuits including high-voltage high-power and high-voltage low-power supply nodes

Номер патента: US20240286402A1. Автор: James Michael Gardner,Rogelio Cicili,Eric Thomas Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Regulator circuit and operational amplifier for generating high voltage side reference potential

Номер патента: US20240345608A1. Автор: Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and apparatus for high voltage isolation monitor for a vehicle

Номер патента: US09341665B2. Автор: Richard J. Hampo,George Kaminski. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Insulation method of high-voltage input

Номер патента: RU2730391C1. Автор: Ильяр Бикмухаметович Уразалиев,Виталий Федотович Буткевич. Владелец: Акционерное общество "РОССЕТИ ТЮМЕНЬ" (АО "РОССЕТИ ТЮМЕНЬ"). Дата публикации: 2020-08-21.

Low noise bipolar high voltage regulator

Номер патента: WO2021059169A1. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2021-04-01.

High-powered high-voltage test device

Номер патента: US20160069944A1. Автор: Stefan Baldauf,Rudolf Blank. Владелец: B2 ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2016-03-10.

High-powered high-voltage test device with integrated active air cooling

Номер патента: US10191100B2. Автор: Stefan Baldauf,Rudolf Blank. Владелец: B2 ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2019-01-29.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

A housing for a high voltage component, an electric system and a vehicle

Номер патента: EP4397546A1. Автор: John Melaugh,Tommie Eriksson. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

High-voltage generator with voltage control on the basis of the discharge current

Номер патента: WO1998019962A1. Автор: Gerardus Nicolaas Anna Hoogendijk. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-05-14.

Low noise bipolar high voltage regulator

Номер патента: US12072725B2. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Integration of low-voltage sensing devices into a high-voltage environment

Номер патента: US20240319134A1. Автор: Jason Trachewsky,Michael STÜBER. Владелец: Pleno Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for providing a foundation for a high-voltage electricity tower, network of high-voltage electricity towers provided with a foundation, and high-voltage electricity tower provided with a foundation

Номер патента: EP2799623A3. Автор: Arthur Lucas Adrianus van Noort,Arend Jan Tibbe. Владелец: Koninklijke BAM Groep NV. Дата публикации: 2014-11-19.

High-voltage battery quick release system for vehicle

Номер патента: US20240317062A1. Автор: Arturo Guzman-Magana,Sreekanth Surapaneni,Gregory Fadler. Владелец: FCA US LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for measuring the presence of a high-voltage and establishing the absence of voltage

Номер патента: US09714970B2. Автор: Martin Weber. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2017-07-25.

Mounting structure of high voltage unit for electric vehicle

Номер патента: US09566851B2. Автор: Hirofumi Shimizu,Izuho Hirano,Nobuaki Yokoyama,Tomoki Kawamura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for determining the absence of voltage in an electrical high-voltage system, and electrical high-voltage system

Номер патента: US09500680B2. Автор: Uwe Lachmund,Ronny Hänsch. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of crushing and / or preliminary weakening of material by high voltage discharges

Номер патента: RU2621589C1. Автор: Райнхард МЮЛЛЕР-ЗИБЕРТ,ДЕР ВЕЙД Фредерик ФОН. Владелец: Зельфраг Аг. Дата публикации: 2017-06-06.

High-voltage presence sensor

Номер патента: RU2729176C1. Автор: Владимир Ильич Крючков. Владелец: Владимир Ильич Крючков. Дата публикации: 2020-08-04.

High voltage arm assembly with integrated resistor, automatic high voltage deflection electrode locator, and special insulation

Номер патента: WO2005123393A1. Автор: Michael J. Rybicki,Dilip Shrivastava. Владелец: VIDEOJET TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2005-12-29.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

High voltage arm assembly with integrated resistor, automatic high voltage deflection electrode locator, and special insulation

Номер патента: WO2005123393A8. Автор: Dilip Shrivastava,Michael J Rybicki. Владелец: Michael J Rybicki. Дата публикации: 2006-05-18.

Charge balanced cardiac pacing from high voltage circuitry of an extra-cardiovascular implantable cardioverter defibrillator system

Номер патента: US20180221677A1. Автор: Michael W. Heinks,Joel R. Lauer,Joseph IPPOLITO,Yanina GRINBERG,Brian W. Schousek,Lonny V. Cabelka,Paul D. Baker,Craig W. DORMA,Timothy A. EBELING,James VANDER HEYDEN,Robert W. SAWCHUK. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-08-09.

High voltage arm assembly with integrated resistor, automatic high voltage deflection electrode locator, and special insulation

Номер патента: EP1761388A1. Автор: Michael J. Rybicki,Dilip Shrivastava. Владелец: Videojet Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-14.

Method for cold sterilization of dried fruits through non-thermal plsma generated by high-voltage electric field

Номер патента: AU2021101813A4. Автор: Qiaoyun WEI,Wenjing YAN,Jianhao ZAHNG. Владелец: Suzhou Yirun Food Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Anomaly detection in high-voltage bus systems

Номер патента: US20230302908A1. Автор: Martin T. Books,Weiwen Wang. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Activation of wordline decoders to transfer a high voltage supply

Номер патента: US6359824B1. Автор: Feng Pan,Colin S. Bill,Jonathan Shi-Chang Su. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-03-19.

System and method for high voltage battery pack measurement

Номер патента: US20240359589A1. Автор: Seyed R. Zarabadi,Mark R. Keyse,Mark W. Gose. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Defect detection method for high-voltage cable, detection system, electronic device, and storage medium

Номер патента: AU2023331396A1. Автор: Wei Guo,Xu Yang,LIN Cheng,Ping Chen,Lifeng Cheng,HUI XU,Jing Zhang,Wen Zhou,Junjie Wu,Zhigang Ren,Hao ZHAN,Nian Chen,Jinghua Liu,Mengna Liu,Ziqiu Luo,Zhengqin Zhou,Qinqing Huang,Chuanxian Luo,Chengde Wan,Yuru CAI,Qingmiao CHEN. Владелец: Wuhan Nari Of State Grid Electric Power Res Institute LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

System and method for high voltage battery pack measurement

Номер патента: US12054073B2. Автор: Seyed R. Zarabadi,Mark R. Keyse,Mark W. Gose. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

High voltage cable detection using rotating machine in hybrid vehicles

Номер патента: US09669714B2. Автор: Eric D. Schneider. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Detachable high voltage isolation structure of medium-size electric vehicle

Номер патента: US09630502B2. Автор: Gordon Ching Chen,Anthony An-Tao Yang. Владелец: Aleees Eco Ark Cayman Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

High-voltage sensor with electrodes overlapping electrodes along axis

Номер патента: RU2567404C2. Автор: Клаус БОНЕРТ,Норберт КОХ,Ян ЧИЗЕВСКИЙ,Штефан ВИЛЬДЕРМУТ,Сержио Винченцо МАРЧЕЗЕ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2015-11-10.

High voltage input low dropout regulator circuit

Номер патента: WO2023183035A1. Автор: Alexandru CRAESCU. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Automated run test system having built-in high voltage switching matrix for interconnection to a safety compliance testing instrument

Номер патента: US20020145435A1. Автор: Roger Bald,Pin-Yi Chen. Владелец: Associated Research Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

High voltage input low dropout regulator circuit

Номер патента: US20230305585A1. Автор: Alexandru CRAESCU. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

High-voltage system control device for vehicle

Номер патента: US20140297152A1. Автор: Taichi Kishida. Владелец: Fuji Jukogyo KK. Дата публикации: 2014-10-02.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US12087359B2. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

High-voltage cable protection structure

Номер патента: US20240343211A1. Автор: Takenori Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Current peak value measurement apparatus, high voltage generator, and therapeutic device for vascular calcification

Номер патента: EP4397254A1. Автор: Chuang Li,Zhihuang TANG. Владелец: Jiangsu Polylive Medtech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

System and method for treating water systems with high voltage discharge and ozone

Номер патента: US09932252B2. Автор: Adrian J. Denvir,David F. Vela,Jose E. Evaro,Matthew C. Holloway,William P. Boesch. Владелец: NCH Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

High voltage isolation measurement system

Номер патента: US09921252B2. Автор: Cathal Oscolai,PETER PARIS,Larry Deal. Владелец: Seeo Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

High-voltage apparatus and external reproduction apparatus and system

Номер патента: US09892640B2. Автор: Peter Krams,Andreas BOEHLAND. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Detachable high voltage isolation structure of large electric vehicle

Номер патента: US09889742B2. Автор: Gordon Ching Chen,Anthony An-Tao Yang. Владелец: Aleees Eco Ark Cayman Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

High voltage shut down system and method for electric vehicle

Номер патента: US09783059B2. Автор: Do Hoon Kim,Zeung Il Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-10-10.

High voltage sensor located within line insulator

Номер патента: US09442138B2. Автор: Joseph R. Rostron. Владелец: Southern States Llc. Дата публикации: 2016-09-13.

Longitudinal supply high-voltage wire system compatible with electromagnetic field of railway ac contact system

Номер патента: RU2286891C2. Автор: Теодорос Пранцишкович Добровольскис,Михаил Петрович Бадер,Елена Юрьевна Семенова,Юрий Вячеславович Иодко,Дмитрий Владимирович Ермоленко,Юрий Николаевич Гетта,Юрий В чеславович Иодко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научно-исследовательский институт железнодорожного транспорта МПС России. Дата публикации: 2006-11-10.

High-voltage output apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20130343776A1. Автор: Shiro Sakata,Yusuke Saito,Mitsunari Ito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Erase cycle healing using a high voltage pulse

Номер патента: US20210035642A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu,Harish R. Singidi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Micro encapsulation using high-voltage, low-current, high frequency alternating-current spray atomization

Номер патента: WO2020096908A1. Автор: Robert M. Sobel,Chin-Ping Su. Владелец: FONA Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-05-14.

Integration of low-voltage sensing devices into a high-voltage environment

Номер патента: EP4419899A1. Автор: Jason Trachewsky,Michael STÜBER. Владелец: Pleno Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

System and method for alternating-direct high voltage leak detection

Номер патента: EP4411364A2. Автор: Undrakh BEKHTUR,Charles STAUFFER,Heinz Wolf,Oliver Stauffer. Владелец: Packaging Technologies and Inspection LLC. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

High-voltage shifter with reduced transistor degradation

Номер патента: US11380401B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-05.

High-voltage shifter with reduced transistor degradation

Номер патента: US10998050B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

High-voltage shifter with reduced transistor degradation

Номер патента: WO2020159870A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

High-voltage electric pulse device for crushing pretreatment of ores

Номер патента: US20210094043A1. Автор: PENG Gao,Yanjun Li,Shuai Yuan,Yuexin Han,Liren HAN. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2021-04-01.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Combined Substrate High-K Metal Gate Device and Oxide-Polysilicon Gate Device, and Process of Fabricating Same

Номер патента: US20120292708A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCTION OF VT-W EFFECT IN HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120187522A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120163103A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

CONTROL OF FLATBAND VOLTAGES AND THRESHOLD VOLTAGES IN HIGH-K METAL GATE STACKS AND STRUCTURES FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20120286338A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

DUMMY PATTERNS FOR IMPROVING WIDTH DEPENDENT DEVICE MISMATCH IN HIGH-K METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20130009250A1. Автор: Hsu Tse-Hsiang,Ko Ching-Chung,LEE Tung-Hsing. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY SELECTIVELY REMOVING A BARRIER LAYER

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Lenski Markus,Hempel Klaus,Schroeder Vivien,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

CET AND GATE CURRENT LEAKAGE REDUCTION IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY HEAT TREATMENT AFTER DIFFUSION LAYER REMOVAL

Номер патента: US20130288435A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin,Bayha Boris,Grass Carsten. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

PREVENTING FULLY SILICIDED FORMATION IN HIGH-K METAL GATE PROCESSING

Номер патента: US20130328135A1. Автор: Guo Dechao,Bu Huiming,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang,Ramachandran Ravikumar,Chan Kevin K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120146160A1. Автор: Tan Shyue Seng,Yin Chunshan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-06-14.

METHODS OF FABRICATING HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120164822A1. Автор: Lin Jr Jung,CHEN Ryan Chia-Jen,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-06-28.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120292719A1. Автор: TEH Young Way,AQUILINO Michael V.,SHEIKH Arifuzzaman (Arif),TAN Yun Ling,ZHANG Hao,NAIR Deleep R.,LI Jinghong H. (John). Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130056837A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-07.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130069174A1. Автор: Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-21.

Metal Finger Capacitor for High-K Metal Gate Processes

Номер патента: US20130113077A1. Автор: ITO Akira,WOO Agnes Neves,Tran Pascal,Shiau Guang-Jye,Lu Chao-Yang,Wang Jung. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

The manufacture method of high-K metal gate electrode and high-K metal gate structure thereof

Номер патента: CN103187255B. Автор: 韩秋华,黄怡,孟晓莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120280288A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120326245A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

FORTIFICATION OF CHARGE STORING MATERIAL IN HIGH K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20130001673A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

PASSIVATING POINT DEFECTS IN HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYERS DURING GATE STACK FORMATION

Номер патента: US20130267086A1. Автор: Trentzsch Martin,Carter Richard J.,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

A kind of built-in high-k flexible resin composite and its preparation method and application

Номер патента: CN107573645A. Автор: 李峰,杨文虎,陶玉红,卢星华. Владелец: Shenzhen Peak Swimming Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-12.

BARRIER COAT FOR ELIMINATION OF RESIST RESIDUES ON HIGH k/METAL GATE STACKS

Номер патента: US20120018813A1. Автор: Wang Junli,SUNAMURA Hiroshi,Jagannathan Hemanth,Holmes Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys Formed in a Late Stage

Номер патента: US20120025266A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Polysilicon Resistors Formed in a Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049291A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049293A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATE FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20120086085A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

STRUCTURE OF HIGH-K METAL GATE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20120098067A1. Автор: Yuan Jun,Yin Haizhou,Luo Zhijiong,Park Dae-Gyu,Gluschenkov Oleg,Schepis Dominic. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-26.

FABRICATION OF SEMICONDUCTORS WITH HIGH-K/METAL GATE ELECTRODES

Номер патента: US20120112281A1. Автор: Pal Rohit,Waidmann Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

POST SILICIDE TESTING FOR REPLACEMENT HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20120119778A1. Автор: Fried David M.,Ahsan Ishtiaq,Goren Lidor,Liao Jiun-Hsin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

METHOD AND STRUCTURE FOR GATE HEIGHT SCALING WITH HIGH-K/METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120126335A1. Автор: Chudzik Michael P.,Liang Yue,DONATON Ricardo A.,HENSON William K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

SILICON REMOVAL FROM SURFACES AND METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE STRUCTURES USING SAME

Номер патента: US20120135590A1. Автор: . Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: US20120138953A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

PERFORMANCE ENHANCEMENT IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE STACKS AND AN EMBEDDED STRESSOR BY PERFORMING A SECOND EPITAXY STEP

Номер патента: US20120153354A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Sacrificial Spacer Approach for Differential Source/Drain Implantation Spacers in Transistors Comprising a High-K Metal Gate Electrode Structure

Номер патента: US20120156837A1. Автор: Flachowsky Stefan,Scheiper Thilo,Ruttloff Kerstin,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by Cap Layer Removal Without Sacrificial Spacer

Номер патента: US20120161243A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

Transistor Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures Including a Polycrystalline Semiconductor Material and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys

Номер патента: US20120161250A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD FOR FABRICATING A HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120164824A1. Автор: JIANG LI,Li Mingqi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

Techniques for Enabling Multiple Vt Devices Using High-K Metal Gate Stacks

Номер патента: US20120181610A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey,Frank Martin M.,Kumar Arvind,Paruchuri Vamsi K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD AND STRUCTURE FOR PMOS DEVICES WITH HIGH K METAL GATE INTEGRATION AND SiGe CHANNEL ENGINEERING

Номер патента: US20120181631A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120184073A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Kothandaraman Chandrasekharan,BOOTH,JR. ROGER A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

Complementary Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Epitaxially Formed Semiconductor Materials in the Drain and Source Areas

Номер патента: US20120211838A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Beernink Gunda. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Capping STI Regions

Номер патента: US20120223407A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-06.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY REDUCING STI DIVOTS BY DEPOSITING A FILL MATERIAL AFTER STI FORMATION

Номер патента: US20120235245A1. Автор: Pal Rohit,Kronholz Stephan-Detlef. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

HIGH-K/METAL GATE TRANSISTOR WITH L-SHAPED GATE ENCAPSULATION LAYER

Номер патента: US20120299122A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey W.,MO Renee T.,NATZLE Wesley C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY REDUCING A GATE FILL ASPECT RATIO IN REPLACEMENT GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120319205A1. Автор: Wei Andy,Hempel Klaus,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

N-CHANNEL TRANSISTOR COMPRISING A HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURE AND A REDUCED SERIES RESISTANCE BY EPITAXIALLY FORMED SEMICONDUCTOR MATERIAL IN THE DRAIN AND SOURCE AREAS

Номер патента: US20130032877A1. Автор: Flachowsky Stefan,Ostermay Ina,Illgen Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130034940A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY EARLY CAP LAYER ADAPTATION

Номер патента: US20130034942A1. Автор: Wei Andy,Pal Rohit,Beyer Sven,Carter Richard. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Preserving a Resist Material Above End Caps of Gate Electrode Structures

Номер патента: US20130065329A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130154021A1. Автор: ZHU Ming,Chuang Hak-Lay. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-20.

HIGH-K METAL GATE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130168751A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,HUANG CHUNG-LIN,Chu Ron Fu. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

High-K Metal Gate Electrode Structure Formed by Removing a Work Function on Sidewalls in Replacement Gate Technology

Номер патента: US20130168773A1. Автор: Hempel Klaus,Stephan Rolf,PRINDLE Christopher. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks by Using a Multi-Layer Contact Level

Номер патента: US20130214335A1. Автор: Prindle Christopher M.,Groschopf Johannes F.,Ott Andreas R.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

CREATING AN EMBEDDED RERAM MEMORY FROM A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130221317A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazosky David. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

MULTIPLE HIGH-K METAL GATE STACKS IN A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130277766A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Structure and Method to Modulate Threshold Voltage For High-K Metal Gate Field Effect Transistors (FETs)

Номер патента: US20130313643A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

SUPERIOR STABILITY OF CHARACTERISTICS OF TRANSISTORS HAVING AN EARLY FORMED HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20130316511A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Zakowsky Nadja. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

METHODS OF TAILORING WORK FUNCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HIGH-K/METAL LAYER GATE STRUCTURES BY PERFORMING A FLUORINE IMPLANT PROCESS

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Hoentschel Jan,Pandey Shesh Mani,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Method to Improve Reliability of High-k Metal Gate Stacks

Номер патента: US20140120707A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

High-K metal gate CMOS device and forming method thereof

Номер патента: CN105448831A. Автор: 库尔班·阿吾提. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-30.

Fin-shaped active area is prepared the method for high-K metal gate

Номер патента: CN103295889B. Автор: 严钧华,张明华,丁弋,方精训. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

POSITIVE ELECTRODE FOR RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY WITH HIGH VOLTAGE AND RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY INCLUDING SAME

Номер патента: US20120003534A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Grading Devices For A High Voltage Apparatus

Номер патента: US20120002339A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594197C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

Method for evacuation and filling with petroleum electroinsulating oils of high-voltage units

Номер патента: RU2542743C2. Автор: Сергей Юрьевич Муралов,Виктор Павлович Середин,Евгений Викторович Тетелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2015-02-27.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594198C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594208C1. Автор: Анастасия Владимировна Федосова. Владелец: Анастасия Владимировна Федосова. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594191C1. Автор: Вадим Романович Сысоев. Владелец: Вадим Романович Сысоев. Дата публикации: 2016-08-10.

Voltage divided for measurements conducting at commutation tests of high-voltage equipment and method of compensation of influence on division ratio of grounded voltage divider capacitance

Номер патента: RU2250471C1. Автор: С.В. Егоров,И.Б. Болотин,И.А. Пузырева. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт высоковольтного аппаратостроения" (ОАО "НИИВА"). Дата публикации: 2005-04-20.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594204C1. Автор: Мария Сергеевна Селиванова. Владелец: Мария Сергеевна Селиванова. Дата публикации: 2016-08-10.

Generator of high voltage linearly fading impulses of microsecond duration

Номер патента: RU2303338C1. Автор: Игорь Игоревич Винтизенко. Владелец: Федеральное государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт ядерной физики". Дата публикации: 2007-07-20.

Method of automatic overvoltage protection for high-voltage equipment

Номер патента: RU2556033C1. Автор: Владимир Сергеевич Петров,Владимир Александрович Наумов,Владислав Иванович Антонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "ЭКРА". Дата публикации: 2015-07-10.

Key cascode dc voltage multiplier high-voltage kcdcvmhv

Номер патента: RU2340082C1. Автор: Сергей Константинович Воробьев. Владелец: Сергей Константинович Воробьев. Дата публикации: 2008-11-27.

High-voltage voltage divider

Номер патента: RU2529597C1. Автор: Валерий Григорьевич Недорезов,Галина Анатольевна Солодимова,Александр Павлович Воронов,Альбина Александровна Большакова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов". Дата публикации: 2014-09-27.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

Programming control method of high voltage of spark discharges of capacitor discharge ignition

Номер патента: RU2551419C2. Автор: Виктор Федорович Бойченко. Владелец: Виктор Федорович Бойченко. Дата публикации: 2015-05-27.

Device for remote measurement of static high voltage and power supply for self-contained object monitoring system

Номер патента: RU2534759C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Иванович Гавлицкий,Иван Юрьевич Бринк,Ирина Викторовна Черунова,Юрий Евгеньевич Чертов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-12-10.

High-voltage insulator

Номер патента: RU2536860C1. Автор: Андрей Юрьевич Парфёнов,Евгений Юрьевич Тишенин. Владелец: Евгений Юрьевич Тишенин. Дата публикации: 2014-12-27.

High-voltage power supply system (alternatives) and relevant electronic switch

Номер патента: RU2315387C1. Автор: Сергей Викторович Монин,Виктор Иванович Казанцев,Виктор Анатольевич Алексеев,Вадим Геннадьевич Сергеев,Петр Михайлович Хижняков,Алексей Юрьевич Млинник. Владелец: Алексей Юрьевич Млинник. Дата публикации: 2008-01-20.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2488956C1. Автор: Юрий Петрович Пичугин,Всеволод Владимирович Андреев,Геннадий Гаврилович Телегин,Василий Геннадьевич Телегин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова". Дата публикации: 2013-07-27.

Well source of seismic energy, unit of high voltage electrode and unit of low voltage electrode

Номер патента: RU2385472C2. Автор: Анатолий Александрович Молчанов,Петр Георгиевич Агеев,Евгений Павлович Большаков,Борис Петрович Яценко,Владимир Викторович Сидора,Андрей Анатольевич Алейников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НОВАС". Дата публикации: 2010-03-27.

High-voltage transistor switch

Номер патента: RU2579433C1. Автор: Сергей Васильевич Крайнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ ЦЕНТР "ЭНЕРКОМ-СЕРВИС". Дата публикации: 2016-04-10.

Method for pre-burning contact gap in vacuum switches by means of high voltage

Номер патента: RU2305344C2. Автор: Владимир Семенович Бочкарев. Владелец: Пензенская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2007-08-27.

High-voltage stabiliser of dc voltage

Номер патента: RU2372641C1. Автор: Константин Олегович Хохлов,Андрей Андреевич Чудиновских. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мегавольт". Дата публикации: 2009-11-10.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594194C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

Method to diagnose technical condition of high-voltage potential transformer in network of power plant generator voltage

Номер патента: RU2525165C1. Автор: Владимир Мушегович Геворкян,Юрий Алексеевич Казанцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВПО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2014-08-10.

Device for calibrating direct high-voltage dividers

Номер патента: RU2282207C1. Автор: Дмитрий Иванович Нефедьев. Владелец: Пензенский государственный университет (ПГУ). Дата публикации: 2006-08-20.

Device for monitoring condition of high-voltage leads

Номер патента: RU2401434C1. Автор: Григорий Матвеевич Цфасман. Владелец: Григорий Матвеевич Цфасман. Дата публикации: 2010-10-10.

Device for resistive grounding of high-voltage line neutral (alternatives)

Номер патента: RU2260891C2. Автор: А.А. Герасенков,Н.В. Даки,А.А. Челазнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий-ВНИИГАЗ". Дата публикации: 2005-09-20.

Method of making self-aligned high-voltage integrated transistor

Номер патента: RU2492546C1. Автор: Николай Михайлович Манжа,Виктор Юрьевич Пустовит,Борис Николаевич Рыгалин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ". Дата публикации: 2013-09-10.

Method for noncontact remote diagnostics of high-voltage insulators

Номер патента: RU2597962C1. Автор: Вадим Алексеевич Голенищев-Кутузов,Александр Вадимович Голенищев-Кутузов,Георгий Дамирович Марданов,Раиль Алексеевич Хуснутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2016-09-20.

Generator of high-voltage pulses

Номер патента: RU2486671C1. Автор: Рево Мухлисович Хаиров,Зиннур Марселевич Гизатуллин,Рифнур Марселевич Гизатуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ". Дата публикации: 2013-06-27.

Method for training of contact gap for vacuum circuit breakers by high voltage

Номер патента: RU2504857C1. Автор: Владимир Семенович Бочкарев,Александр Анатольевич Воронцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенская государственная технологическая академия". Дата публикации: 2014-01-20.

High-voltage inductance coil and method of making same

Номер патента: RU2324248C1. Автор: Павел Иванович Бойко,Юрий Александрович Кондрашенков,Тамара Николаевна Ершова,Анатолий Алексеевич Ларкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2008-05-10.

Low-induction high-voltage vacuum transition

Номер патента: RU2453979C1. Автор: Андрей Иванович Краев,Алексей Михайлович Глыбин,Владимир Иванович Дудин,Иван Вениаминович Морозов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2012-06-20.

High-voltage power supply for electron-beam equipment

Номер патента: RU2349020C1. Автор: Николай Сергеевич Комаров,Юрий Владимирович Руденко. Владелец: Институт Электродинамики Национальной Академии Наук Украины. Дата публикации: 2009-03-10.

High-voltage switch with dynamic limitation of energy

Номер патента: RU2510774C1. Автор: Евгений Эдуардович Горохов-Мирошников. Владелец: Евгений Эдуардович Горохов-Мирошников. Дата публикации: 2014-04-10.

Device for testing high-voltage equipment to short-circuit current resistivity

Номер патента: RU2566395C1. Автор: Иван Яковлевич Довганюк,Павел Вячеславович Сокур,Вячеслав Иванович Довганюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-технический центр Федеральной сетевой компании Единой энергетической системы". Дата публикации: 2015-10-27.

High-voltage digital device for current measurement

Номер патента: RU2368906C2. Автор: Вадим Валерьевич Старцев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Арматурно-Изоляторный Завод". Дата публикации: 2009-09-27.

Device for compensation of one-phased capacity closing currents and for limiting internal overvoltages in high-voltage networks

Номер патента: RU2284083C2. Автор: Тать на Ивановна Ефименко,Татьяна Ивановна Ефименко. Владелец: Татьяна Ивановна Ефименко. Дата публикации: 2006-09-20.

Method of making through vacuum high-voltage insulator

Номер патента: RU2593827C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов,Дмитрий Геннадьевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2016-08-10.

Electric noise diagnostic method for high-voltage equipment

Номер патента: RU2511607C1. Автор: Вадим Анатольевич Шахнин,Олег Юрьевич Моногаров,Юлия Сергеевна Чебрякова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2014-04-10.

Calibration method as to voltage of high-voltage measuring devices

Номер патента: RU2560143C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2015-08-20.

High-voltage semiconducting switching device

Номер патента: RU2421840C1. Автор: Валентин Александрович Мартыненко,Евгений Альбертович Копелович,Владимир Александрович Осин,Игорь Владимирович Галахов,Юрий Яковлевич Бродский,Василий Матвеевич Муругов,Феликс Александрович Флат,Геннадий Дмитриевич Чумаков,Виктор Иванович Шуляпов. Владелец: Виктор Иванович Шуляпов. Дата публикации: 2011-06-20.

Method for high-voltage insulation diagnostics

Номер патента: RU2375718C2. Автор: Сергей Михайлович Лебедев,Ольга Семеновна Гефле,Владислав Александрович Волохин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2009-12-10.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2125340C1. Автор: В.С. Гордеев,Г.А. Мысков. Владелец: Российский Федеральный Ядерный Центр-Всероссийский Научно-исследовательский Институт Экспериментальной Физики. Дата публикации: 1999-01-20.

Device for neutralization of the water by means of the high-voltage discharge

Номер патента: RU2312818C2. Автор: Владимир Алексеевич Халюткин,Андрей Петрович Филатов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ставропольский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-12-20.

Complete high-voltage switchgear

Номер патента: RU2496199C2. Автор: Борис Юрьевич Шолохович,Дмитрий Николаевич Куцаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВостокЭнергоКомплект". Дата публикации: 2013-10-20.

High-voltage vacuum circuit breaker

Номер патента: RU2362230C1. Автор: Роман Иванович Мельник,Ярослав Владимирович Мельник,Дмитрий Леопольдович Пшоновский,Владимир Дмитриевич Колесник,Сергей Борисович Полищук,Борис Евстафьевич Хоменчук. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Высоковольтный Союз-Украина". Дата публикации: 2009-07-20.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2121216C1. Автор: В.С. Гордеев,В.С. Босамыкин. Владелец: Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ). Дата публикации: 1998-10-27.

Device for controlling high voltage electric discharge in devices which use electro-hydraulic effect

Номер патента: RU2313901C1. Автор: Владимир Алексеевич Халюткин,Андрей Петрович Филатов,Владимир Алексеевич Халюткин (RU),Андрей Петрович Филатов (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ставропольский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-12-27.

Device to prevent collisions of helicopter with high-voltage power transmission lines

Номер патента: RU2441254C1. Автор: Владимир Иванович Винокуров,Владимир Николаевич Зыков,Анжелика Владимировна Григорьева. Владелец: Анжелика Владимировна Григорьева. Дата публикации: 2012-01-27.

High-voltage coaxial-to-stripline adapter

Номер патента: RU2292099C1. Автор: Александр Александрович Чумаков,Михаил Георгиевич Никифоров,Владислав Павлович Лисицын,Людмила Андреевна Бусыгина. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Эра". Дата публикации: 2007-01-20.

Method of measurement of high voltage of direct current

Номер патента: RU2080606C1. Автор: Владимир Александрович Воробьев,Василий Андреевич Сычик,Александр Викторович Бреднев,Николай Николаевич Уласюк,Людмила Николаевна Сычик. Владелец: Белорусская государственная политехническая академия. Дата публикации: 1997-05-27.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2128877C1. Автор: В.С. Гордеев,Г.А. Мысков. Владелец: Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики. Дата публикации: 1999-04-10.

Electrical circuit for producing controlled high voltage ac output

Номер патента: CA1147023A. Автор: William R. Archer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-05-24.

High-voltage pulse modulator with pulse amplitude stabilisation and electronic switch for it (versions)

Номер патента: RU2339158C2. Автор: Виктор Иванович Казанцев,Виктор Анатольевич Алексеев,Вадим Геннадьевич Сергеев,Петр Михайлович Хижняков,Алексей Михайлович Швагерев,ков Петр Михайлович Хижн. Владелец: Алексей Михайлович Швагерев. Дата публикации: 2008-11-20.

Hierarchical three-tier control system for high-voltage battery of electric energy accumulators

Номер патента: RU2539871C2. Автор: Олег Иванович Сидоренко,Владимир Александрович Подлипалин,Светлана Владимировна Бузаджи,Наталия Андреевна Полулях,Константин Сергеевич Дистранов,Эдуард Евгеньевич Данилов,Алексей Александрович Евсейкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Системы управления хранением энергии" (ООО "СУХЭ"). Дата публикации: 2015-01-27.

Control method of technical state for high voltage transformer equipment

Номер патента: RU2511038C2. Автор: Николай Владимирович Киншт,Наталья Николаевна Петрунько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2014-04-10.

High-voltage high-temperature quick-acting thyristor with field control

Номер патента: RU2472248C2. Автор: Анатолий Николаевич Думаневич,Виктор Евгеньевич Войтович,Александр Иванович Гордеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб"). Дата публикации: 2013-01-10.

Thyristor driver for high-voltage converters

Номер патента: RU2641661C2. Автор: Геннадий Михайлович Минаев,Николай Александрович Артаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Электровыпрямитель". Дата публикации: 2018-01-19.

Method for generating signal for controlling differentially phase protection of protected part of high voltage electric transmission line

Номер патента: RU2290762C1. Автор: Геннадий Васильевич Чирков,Юрий Геннадьевич Чирков,Алексей Геннадьевич Чирков. Владелец: Алексей Геннадьевич Чирков. Дата публикации: 2006-12-27.

Manufacturing method of polymer high-voltage insulator

Номер патента: RU2395128C1. Автор: Виталий Васильевич Власов,Александр Васильевич Сухар,Геннадий Александрович Данилов,Василий Михайлович Сухар. Владелец: Закрытое Акционерное Общество - ЗАО "ФЕНИКС-88". Дата публикации: 2010-07-20.

High-voltage network and procedure for melting glased frost on wires of overhead transmission line

Номер патента: RU2393605C1. Автор: Петр Афанасьевич Киреев,Александр Петрович Киреев. Владелец: Петр Афанасьевич Киреев. Дата публикации: 2010-06-27.

High-voltage switch-disconnector

Номер патента: RU2423749C1. Автор: Александр Ремович Ротблют,Игорь Зельманович Аронов,Виктор Абрамович Конвисер,Антон Александрович Артеменков,Владимир Павлович Желонкин. Владелец: Закрытое акционерное общество ЗАО "Энергомаш (Екатеринбург)-Уралэлектротяжмаш". Дата публикации: 2011-07-10.

Outdoor high-voltage current transformer

Номер патента: RU2266584C2. Автор: О.А. Константинова,Н.Ю. Евдокимова. Владелец: Евдокимова Наталья Юрьевна. Дата публикации: 2005-12-20.

Outdoor high-voltage potential transformer

Номер патента: RU2124246C1. Автор: А.Г. Арсон,А.М. Чурсинов. Владелец: Чурсинов Александр Михайлович. Дата публикации: 1998-12-27.

Method for control of high-voltage equipment elements technical condition

Номер патента: RU2368914C1. Автор: Николай Витальевич Силин,Николай Владимирович Киншт,Наталья Николаевна Петрунько. Владелец: Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской Академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2009-09-27.

Method of prevention of collision of helicopter with high-voltage power lines and device for realization of this method

Номер патента: RU2308738C1. Автор: Василий Васильевич Ефанов,Сергей Михайлович Мужичек,к Лариса Васильевна Зарудн,Лариса Васильевна Зарудняк. Владелец: Лариса Васильевна Зарудняк. Дата публикации: 2007-10-20.

High-voltage pulse generator

Номер патента: RU2581016C1. Автор: Андрей Леонидович Юрьев,Дмитрий Павлович Николаев,Сергей Павлович Пухов,Сергей Михайлович Лашманов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-04-10.

Arc-control device of gas-filled and gas-blast high-voltage circuit breaker

Номер патента: RU2255391C1. Автор: Ю.И. Вишневский,И.В. Бабкин,А.С. Пельц,С.В. Третьяков,В.Н. Лопаев,ков С.В. Треть. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт высоковольтного аппаратостроения" (ОАО "НИИВА"). Дата публикации: 2005-06-27.

Method of protecting high-voltage equipment from short-circuit current

Номер патента: RU2366055C1. Автор: Дмитрий Романович Любарский,Виктор Николаевич Подъячев,Владимир Александрович Воронин,Владимир Александрович Воронин (RU),Дмитрий Романович Любарский (RU),Виктор Николаевич Подъячев (RU). Владелец: Владимир Александрович Воронин. Дата публикации: 2009-08-27.

Control method of technical state of high-voltage oil-filled electric power equipment

Номер патента: RU2461812C1. Автор: Владимир Константинович Козлов,Марсель Шарифьянович Гарифуллин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (КГЭУ). Дата публикации: 2012-09-20.

Device for controlling amplitude of high-voltage pulses

Номер патента: RU2524864C1. Автор: Анатолий Васильевич Семенов,Александр Анатольевич Титов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2014-08-10.

High-voltage arc-extinguishing chamber

Номер патента: RU2551360C1. Автор: Владимир Александрович Смирнов,Григорий Яковлевич Коновалов,Светлана Григорьевна Боброва,Владимир Григорьевич Коробко. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2015-05-20.

High-voltage load circuit breaker

Номер патента: RU2287200C1. Автор: Спартак Карапетович Хачатурян,н Спартак Карапетович Хачатур. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Радиочастотные Идентификационные Технологии". Дата публикации: 2006-11-10.

Device for controlling tripping time of high-voltage circuit breaker operating mechanism

Номер патента: RU2285309C1. Автор: Владимир Сергеевич Колонтай,Николай Никифорович Усцов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2006-10-10.

High-voltage high-frequency transformer

Номер патента: RU2155404C1. Автор: С.И. Гусев,С.С. Подоскин. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина". Дата публикации: 2000-08-27.

High voltage electrode for high voltage cable joint

Номер патента: MY178039A. Автор: Edgardo Contalbrigo,Michel Pierre Laurent,Ha Ming Wong. Владелец: Swiss Polymeric Corporation Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.