Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US8841731B2
Опубликовано: 23-09-2014
Автор(ы): Chien-Hao Chen, Jr Jung Lin, Kuo-Tai Huang, Ryan Chia-Jen Chen, Yi-Hsing Chen, Yi-Shien Mor, Yih-Ann Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated high-K/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US09601388B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor,Ray Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US9257426B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated High-K/Metal Gate in CMOS Process Flow

Номер патента: US20160293490A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Lin Jr-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method of integrating high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: TW201013849A. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20170025315A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20190318966A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Method and device for high k metal gate transistors

Номер патента: US09570611B2. Автор: YONG Li,Xiao Na Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Niedrige Schwellenspannung und Skalierung der Inversionsoxiddicke für einen Mosfet vom P-Typ mit High-K-Metall-Gate

Номер патента: DE112012002543T5. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Low threshold voltage and inversion oxide thickness scaling for a high-k metal gate p-type mosfet

Номер патента: WO2013019696A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide Thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130032886A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345722A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345723A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Boundary region for high-k-metal-gate (HKMG) integration technology

Номер патента: US10991693B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Self-Aligned Insulated Film For High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20180019133A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Pei-Ren Jeng ,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Method of Forming a Single Metal that Performs N Work Function and P Work Function in a High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20180247937A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,CHAO Donald Y.,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Self-Aligned Insulated Film for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20190341263A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9779947B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9252224B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method of forming a single metal that performs n work function and p work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US20220216205A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of forming a single metal that peforms N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: TW201013759A. Автор: Kuo-Tai Huang,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Donald Y Chao,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Reduced threshold voltage-width dependency in transistors comprising high-K metal gate electrode structures

Номер патента: US9425052B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Lin Jr Jung,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Chen Ray Chia-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20220148924A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-05-12.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: TW201513311A. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US9911746B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for manufacturing multi-voltage devices using high-k-metal-gate (hkmg) technology

Номер патента: US20190139837A1. Автор: Chii-Ming Wu,Cheng-Yuan Tsai,Yi-huan Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Plasma nitrided gate oxide, high-k metal gate based cmos device

Номер патента: WO2008121939A1. Автор: Manuel Quevedo-Lopez,Husam Niman Alshareef. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Method and structure for forming high-k/metal gate extremely thin semiconductor on insulator device

Номер патента: US20120043623A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20210013111A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-01-14.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170162575A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Low Threshold Voltage and Inversion Oxide Thickness Scaling for a High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20150243662A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20160336422A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: KR101618511B1. Автор: 해리-학-레이 추앙,바오-루 영,후안-주스트 린,치-탕 펭,진-아운 엔쥐,맥시 창,젠-셍 양,타-웨이 린,쉬-하오 로,치-양 예,휘-웬 린,정-휘 카오,유안 티엔 투,페이-렌 젱. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2016-05-04.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20120187522A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Partial sacrificial dummy gate with CMOS device with high-k metal gate

Номер патента: US09853116B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J Jaeger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning

Номер патента: WO2011008401A1. Автор: Robert Binder,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch,Berthold Reimer,Falk Graetsch,Boris Bayah. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: TW200847293A. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-12-01.

High-k metal gate devices with a dual work function and methods for making the same

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH A DUAL WORK FUNCTION AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Yu Chen-Hua,YAO Liang-Gi,LIN CHENG-TUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: US20080290416A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Non-volatile split-gate memory cell with integrated high-K metal gate and method of making the same

Номер патента: JP6407488B1. Автор: シャン リウ,チエン−シェン スー,ジェン−ウェイ ヤン,ニャン ドー,フェン ジョウ. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-17.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for doping high-k metal gates for tuning threshold voltages

Номер патента: US20240379365A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Method to form a polysilicon nanocrystal thin film storage bitcell within a high k metal gate platform technology using a gate last process to form transistor gates

Номер патента: US9275864B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H Perera,Jane A Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-01.

Silicon Nitride Layer Deposited at Low Temperature to Prevent Gate Dielectric Regrowth High-K Metal Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20150084132A1. Автор: Ortolland Claude,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,Zhao Kai,Chou Anthony I-Chih. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140183653A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A MEMORY DEVICE AND A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR

Номер патента: US20170125432A1. Автор: Beyer Sven,Richter Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20220285161A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-VOLTAGE DEVICES USING HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20190139837A1. Автор: WU Chii-Ming,TSAI Cheng-Yuan,TSAO Chun-Han,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

METHOD AND DEVICE FOR HIGH K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160225903A1. Автор: Li Yong,WANG XIAO NA. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20150318284A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150380408A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

High voltage extended drain mosfet (edmos) devices in a high-k metal gate (hkmg)

Номер патента: US20220020746A1. Автор: Peter Baars,Thorsten E. Kammler. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by preserving a resist material above end caps of gate electrode structures

Номер патента: US8481381B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods for high-k metal gate CMOS with SiC and SiGe source/drain regions

Номер патента: US09595585B2. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Reduced threshold voltage-width dependence in transistors having high-k metal gate electrode structures

Номер патента: DE102010040064A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US10522684B2. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20190035924A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20200105921A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Gate structure in high-k metal gate technology

Номер патента: US20240290859A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

PMOS high-k metal gates

Номер патента: US12051734B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20230097400A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High-k metal gate process and device

Номер патента: US10971602B2. Автор: Chun Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20220077298A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

High-k metal gate electrode structure formed by removing a work function on sidewalls in replacement gate technology

Номер патента: US8735236B2. Автор: Christopher Prindle,Klaus Hempel,Rolf Stephan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Method and structure for threshold voltage control and drive current improvement for high-k metal gate transistors

Номер патента: TW201110239A. Автор: Wei He,Naim Moumen,Young-Hee Kim,Wesley Natzle,Renee T Mo,Rashmi Jha,Michael P Chudzik,Siddarth A Krishnan,Hui-Ming Bu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-03-16.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG10201405133YA. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-K metal gate transistors

Номер патента: US09564521B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: US20130234254A1. Автор: Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATES FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20150021705A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

PMOS HIGH-K METAL GATES

Номер патента: US20220077298A1. Автор: YANG Yong,SRIRAM Mandyam,Gandikota Srinivas,Yang Yixiong,Wrench Jacqueline S.,HUNG Steven C. H.. Владелец: APPLIED MATERIAL, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Wang Chun-Chieh,YANG Huai-Tei,WU Chun-I,PAI Yueh-Ching,Liao Chien-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20140367802A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao,CHUANG HARRY-HAK-LA Y. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Method Of Forming A Singe Metal That Performs N and P Work Functions In High-K/Metal Gate Devices

Номер патента: US20150303062A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

A semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-k metal gate transistors

Номер патента: KR101486504B1. Автор: 틸 쉬로에쎄르,피터 바르스. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2015-01-23.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: KR101403097B1. Автор: 진언 능,포니엔 챈,솅챈 정,바오루 영,학-래이 정. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-06-03.

high-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375B. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Enhanced confinement of sensitive materials of a high-K metal gate electrode structure

Номер патента: US8748281B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Method to control flatband/threshold voltage in high-k metal gated stacks and structures thereof

Номер патента: CN1885560A. Автор: 陈自强,雷贾拉奥·詹米,斯蒂芬·L·布朗,维杰伊·纳拉亚南,瓦姆西·K·帕鲁丘里. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: CN103311185A. Автор: 庄学理,黄仁安,陈柏年,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for tuning a work function of high-k metal gate devices

Номер патента: TW201025509A. Автор: Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh,Harry Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: WO2021091995A1. Автор: Srinivas Gandikota,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Steven C.H. Hung,Chi-Chou Lin,Haoyan Sha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-14.

High-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375A. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20090152636A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of fabricating high-k/metal gate device

Номер патента: US20110143529A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Da-Yuan Lee,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for forming a transistor comprising high-k metal gate electrode structures including a polycrystalline semiconductor material and embedded strain-inducing semiconductor alloys

Номер патента: US8343826B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Stephan Kronholz,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

High-K metal gate

Номер патента: US09431509B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9006837B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High-k metal gate

Номер патента: US20140183653A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

EMBEDDED SONOS AND HIGH VOLTAGE SELECT GATE WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20200350213A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US9490255B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US09997518B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120181616A1. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Structure and method for nfet with high k metal gate

Номер патента: US20130270647A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

BOUNDARY REGION FOR HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) INTEGRATION TECHNOLOGY

Номер патента: US20200144263A1. Автор: Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9087784B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US9960161B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A4. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: US20160056250A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chuang Harry Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150069524A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Gate Logic Device And Metal-Free Erase Gate, And Method Of Making Same

Номер патента: US20170025427A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE LOGIC DEVICE AND METAL-FREE ERASE GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170373077A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Nonvolatile, isolated gate memory cells having integrated high-K metal gate logic devices and metal-free erase gates, and methods of making same

Номер патента: KR20180030189A. Автор: 펭 조우,젱-웨이 양,치엔-쉥 수. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2018-03-21.

Non-volatile split game memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US10381359B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170098654A1. Автор: Zhou Feng,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Control Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20190172942A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433B1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A4. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20180166452A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-14.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20170278853A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-28.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Self-Aligned Contacts for High k/Metal Gate Process Flow

Номер патента: US20120175711A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR HIGH k/METAL GATE PROCESS FLOW

Номер патента: US20130189834A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: US8536656B2. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: CN103299428A. Автор: 李影,R·拉玛钱德兰,R·迪瓦卡鲁尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by a Replacement Gate Approach Based on Superior Planarity of Placeholder Materials

Номер патента: US20120196425A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Andy Wei,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

GATE STRUCTURE IN HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20200251566A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Wu Wei Cheng,Ko Hung-Pin,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

High-k/metal gate transistor with L-shaped gate encapsulation layer

Номер патента: US9263276B2. Автор: Jeffrey W. Sleight,Vijay Narayanan,Wesley C. Natzle,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

High-k metal gate structure fabrication method including hard mask

Номер патента: TW201011815A. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Shun-Jang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-16.

Structure and method for reduction of Vt-W effect in high-k metal gate devices

Номер патента: TW201238001A. Автор: Vijay Narayanan,Richard A Conti,Michael V Aquilino,Daniel J Jaeger,Christopher V Baiocco. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-09-16.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Sealing structure for high-k metal gate and method of making

Номер патента: US20120225529A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Harry Chuang,Kang-Cheng Lin,Chii-Horng Li,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Hao-Ming Lien,Jin-Aun Ng,Jun-Lin Yeh,Chieh-Hao Chen,Ssu-Yu Li,Chung-Hau Fei,Chi Hsin Chang,Chun Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20130273729A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

NOVEL E-FUSE DESIGN FOR HIGH-K METAL-GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20150179753A1. Автор: Flachowsky Stefan,Boschke Roman,Wiatr Maciej,Schippel Christian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160181107A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160196979A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

METHOD OF FORMING A SINGLE METAL THAT PERFORMS N AND P WORK FUNCTIONS IN HIGH-K/METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20140319619A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160336180A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Method for cmp of high-k metal gate structures

Номер патента: US20150340451A1. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358587A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358588A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958B. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-29.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958A. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Transistors comprising high-k metal gate electrode structures and adapted channel semiconductor materials

Номер патента: US8198152B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20110101470A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: CN105390465A. Автор: 庄学理,吴伟成,刘世昌,高雅真. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: WO2012099928A3. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

High-k Metal Gate (HKMG) method for forming a memory cell with a large operating window

Номер патента: DE102018108894A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for CMOS devices

Номер патента: US8835260B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

High-k/metal gate transistor

Номер патента: WO2011060972A1. Автор: Vijay Narayanan,Wesley Natzle,Renee Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-26.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11569251B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING A LOW GATE RESISTANCE HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140110790A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,HUANG Jingyan. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

Preventing fully silicided formation in high-k metal gate processing

Номер патента: US20130330899A1. Автор: Ming Cai,Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Kevin K. Chan,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150069518A1. Автор: HAN QIUHUA. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: TW200924196A. Автор: Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-06-01.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: EP2160757B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

Method for manufacturing dummy gate in gate-last process and dummy gate in gate-last process

Номер патента: US09419095B2. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-16.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS technology

Номер патента: CN105845686A. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS

Номер патента: CN105845686B. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-03.

Enhanced gate replacement process for high-K metal gate technology

Номер патента: US09691876B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09978850B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09711605B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US20160293721A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Scaling EOT by eliminating interfacial layers from high-K/metal gates of MOS devices

Номер патента: US09478637B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20160111522A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: KIRKPATRICK BRIAN K.,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Enhanced gate replacement process for high-k metal gate technology

Номер патента: KR101366484B1. Автор: 밍 주,해리 학 레이 청. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-02-21.

Semiconductor device and integrated circuit with high-k/metal gate without high-k direct contact with sti

Номер патента: US20130146975A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20190035924A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190067457A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD TO IMPROVE RELIABILITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS

Номер патента: US20160181397A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Composite High-K Metal Gate Stack for Enhancement Mode GaN Semiconductor Devices

Номер патента: US20160204207A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20150255463A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20170317180A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190371806A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Structure and method for Vt tuning and short channel control with high K / metal gate MOSFETs.

Номер патента: JP5669954B2. Автор: ワン、シンリン,チェン、シャンドン,カイ、チン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-18.

The structure controlled for the Vt adjustment and short channel with high-k/metal gate mosfet and method

Номер патента: CN103262246B. Автор: 陈向东,蔡劲,王新琳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US9299802B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Multi time programmable memories using local implantation in high-K/ metal gate technologies

Номер патента: US10361093B2. Автор: Takashi Ando,Chandrasekharan Kothandaraman,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Cap removal in a high-k metal gate electrode structure by using a sacrificial fill material

Номер патента: US8329526B2. Автор: Ralf Richter,Jens Heinrich,Markus Lenski,Frank Seliger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Contact for high-K metal gate device

Номер патента: US8546227B2. Автор: Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin,Sheng-Chen Chung,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: WO2012078225A1. Автор: Xiangdong Chen,Xinlin Wang,Jin Cai. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

The contact of high-K metal gate device

Номер патента: CN103000572B. Автор: 庄学理,李再春,林焕哲,吴伟成,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR102198938B1. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-01-05.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR20160061969A. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-01.

Method for reducing high K metal gate device threshold voltage fluctuation

Номер патента: CN105304568A. Автор: 景旭斌,何志斌. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-03.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200105921A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

High-K Metal Gate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20190341317A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Chuang Ying-Liang,Huang Kuo Bin,Huang Ju-Li,Chiang Chih-Long. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Resistive device for high-k metal gate technology

Номер патента: US8334572B2. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

High-K/metal gate CMOS finFET with improved pFET threshold voltage

Номер патента: US7993999B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Method for fabricating a flash memory cell utilizing a high-K metal gate process and related structure

Номер патента: US20110108903A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

E-fuse design for high-K metal-gate technology

Номер патента: US09515155B2. Автор: Roman Boschke,Maciej Wiatr,Stefan Flachowsky,Christian Schippel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20150021672A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160204219A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

REDUCED THRESHOLD VOLTAGE-WIDTH DEPENDENCY IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20150228490A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Langdon Steven. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177B4. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

METAL-INSULATOR-POLY CAPACITOR IN A HIGH-K METAL GATE PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20200020761A1. Автор: Tan Shyue Seng,TAN Juan Boon,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09514943B1. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09431255B2. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method to Form a Polysilicon Nanocrystal Thin Film Storage Bitcell within a High K Metal Gate Platform Technology Using a Gate Last Process to Form Transistor Gates

Номер патента: US20150054044A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Yater Jane A.,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-02-26.

High-k metal gate electrode structures formed by reducing a gate fill aspect ratio in replacement gate technology

Номер патента: US8716120B2. Автор: Klaus Hempel,Andy Wei,Martin Mazur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Forming STI Regions After Gate Metals

Номер патента: US20130075820A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated Circuits Having a Plurality of High-K Metal Gate FETs with Various Combinations of Channel Foundation Structure and Gate Stack Structure and Methods of Making Same

Номер патента: US20150287645A1. Автор: McWilliams Bruce,Ranade Pushkar,Zhao Dalong. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING HIGH-K/METAL GATE EXTREMELY THIN SEMICONDUCTOR ON INSULATOR DEVICE

Номер патента: US20130153929A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130187239A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

STRUCTURE AND METHOD TO MODULATE THRESHOLD VOLTAGE FOR HIGH-K METAL GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETs)

Номер патента: US20130316503A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Method Of Forming A Single Metal That Performs N Work Function And P Work Function In A High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20140001566A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai,CHAO Yuan-Shun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

STRUCTURE AND METHOD FOR NFET WITH HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150004779A1. Автор: ZHU Ming,LIU Chi-Wen,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013197A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

RECESSED SALICIDE STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013198A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20220084869A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

N/P METAL CRYSTAL ORIENTATION FOR HIGH-K METAL GATE Vt MODULATION

Номер патента: US20140154848A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lin Chin-Hsiang,CHERN Chyi Shyuan,Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20140170844A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20210202743A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Chiang Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

WET PROCESS ASSISTED APPROACH FOR SELECTIVE BARRIER METAL PATTERNING ON HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190273149A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Liang Chun-Sheng,Huang Ming-Chi,Chuang Ying-Liang,CHIANG Hsin-Che,Huang Ju-Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-05.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160293721A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

FinFET Device with High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20150303305A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-22.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Methods of forming high-k/metal gates for nfets and pfets

Номер патента: US20090250760A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Hongwen Yan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

A kind of method for forming high-k/metal gate

Номер патента: CN103811319B. Автор: 陈勇,何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-08.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed on the basis of a simplified spacer regime

Номер патента: US20110129972A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

High-k metal gate electrode structures formed by cap layer removal without sacrificial spacer

Номер патента: TW201227812A. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-07-01.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140217481A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES AND EMBEDDED STRAIN-INDUCING SEMICONDUCTOR ALLOYS FORMED IN A LATE STAGE

Номер патента: US20130240988A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20130270619A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-17.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20130328115A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-12.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130328136A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Kothandaraman Chandrasekara. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

METHODS FOR HIGH-K METAL GATE CMOS WITH SiC AND SiGe SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160087040A1. Автор: MAO Gang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Integrated method for forming high-k metal gate FinFET devices

Номер патента: US8034677B2. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Integrated method for forming high-k metal gate finfet devices

Номер патента: US20110207279A1. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

One Time Programmable Structure Using a Gate Last High-K Metal Gate Process

Номер патента: US20130082347A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Preventing over-polishing of poly gate in metal-gate CMP

Номер патента: US09543212B2. Автор: LI Jiang,Pulei Zhu,Xiantao Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: US20110241119A1. Автор: George Liu,Kuei Shun Chen,Chia-Ching Lin,Jiann Yuan Huang,Meng-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190103414A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-04.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: CN102332448A. Автор: 黄建元,林家庆,陈孟伟,陈桂顺,刘家助. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09911613B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09496144B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and Apparatus for Quantum Point Contacts in CMOS Processes

Номер патента: US20150348969A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,BALDWIN Greg Charles. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

METHOD OF FABRICATING A CHARGE-TRAPPING GATE STACK USING A CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20160005610A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Shih Hui-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US8993457B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei (Mei) Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: KR101947363B1. Автор: 크리쉬나스와미 람쿠마,후이 메이 시흐. Владелец: 사이프레스 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 2019-02-12.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY PRESERVING A RESIST MATERIAL ABOVE END CAPS OF GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20130267044A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

Vertical NPNP Structure In a Triple Well CMOS Process

Номер патента: US20120126285A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Rahul Mishra,Shunhua T. Chang,Kiran V. Chatty,Junjun Li,John B. Campi, JR.,Mujahid Muhammad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

LOGIC HIGH-K/METAL GATE 1T-1C RRAM MTP/OTP DEVICES

Номер патента: US20160093672A1. Автор: Li Xia,Perry,Kang Seung Hyuk,JR. Daniel Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

INTEGRATION TECHNIQUES FOR MIM OR MIP CAPACITORS WITH FLASH MEMORY AND/OR HIGH-k METAL GATE CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20160225846A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,LIU Chen-Chin,Wang Yu-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20150236260A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20140319449A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Post silicide testing for replacement high-k metal gate technologies

Номер патента: US8610451B2. Автор: David M. Fried,Ishtiaq Ahsan,Lidor Goren,Jiun-Hsin Liao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US11538923B2. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US20220102531A1. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for integrating sonos non-volatile memory into a standard cmos foundry process flow

Номер патента: US20120115292A1. Автор: Joseph Terence Smith,Patrick Bruckner Shea,A. Dennis Adams. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: US5872035A. Автор: Myung Seon Kim,Sun Haeng Back. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20140273426A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-18.

N-channel clamp for esd protection in self-aligned silicided cmos process

Номер патента: CA2039777A1. Автор: Kaizad Rumy Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-10-28.

Method of making the selection gate in a split-gate flash EEPROM cell its and structure

Номер патента: US20050026368A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chrong-Jung Lin,Jack Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

High performance PNP bipolar device fully compatible with CMOS process

Номер патента: US20020084495A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Youngmin Kim,Amitava Chatterjee,Shaoping Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Process flow for manufacturing semiconductor on insulator structures in parallel

Номер патента: US09831115B2. Автор: Srikanth Kommu,Igor Peidous,Jeffrey L. Libbert,Andrew M. Jones. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Cmos process

Номер патента: WO2000063964A3. Автор: Anders Soederbaerg. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2001-01-18.

Cmos process

Номер патента: WO2000063964B1. Автор: Anders Soederbaerg. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2001-03-22.

CMOS process

Номер патента: US20010014497A1. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

CMOS process

Номер патента: US6492671B2. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-12-10.

Cmos process

Номер патента: EP1186018A2. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-03-13.

Cmos process

Номер патента: US20020098636A1. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Cmos process

Номер патента: WO2000063964A2. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2000-10-26.

Adjustable bipolar transistors formed using a CMOS process

Номер патента: US7927955B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Bernhard H. Grote. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-04-19.

Radiation-hard isoplanar cryo-CMOS process suitable for sub-micron devices

Номер патента: US5879954A. Автор: James S. Cable,Chen-Chi P. Chang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-03-09.

Integriertes Schutzbauelement gegen elektrostatische Entladungen für Hochvolt-MOS-Transistoren in CMOS-Schaltkreisen

Номер патента: DE102013009305A1. Автор: Lutz Steinbeck. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2014-12-04.

N-channel clamp for ESD protection in self-aligned silicided CMOS process

Номер патента: US5262344A. Автор: Kaizad R. Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

High sheet resistor in CMOS flow

Номер патента: US09698211B2. Автор: Jau-Yuann Yang,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

INCLUDING LOW AND HIGH-VOLTAGE CMOS DEVICES IN CMOS PROCESS

Номер патента: US20160379979A1. Автор: ITO Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Cutting fins and gates in CMOS devices

Номер патента: US09721848B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,John R. Sporre,Dechao Guo,Huiming Bu,Sivananda K. Kanakasabapathy,Gen Tsutsui,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Balasubramanian S. Pranatharthiharan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for making high gain bipolar transistors in CMOS process

Номер патента: US20020084494A1. Автор: Chi-Cheong Shen,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443738B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Split-polysilicon CMOS process incorporating self-aligned silicidation of conductive regions

Номер патента: US5021353A. Автор: Trung T. Doan,Mark E. Tuttle,Tyler A. Lowrey,Gordon A. Haller,Dermot M. Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US20160233091A1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Selective local interconnect to gate in a self aligned local interconnect process

Номер патента: US20100304564A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

CMOS Process for fabricating integrated circuits, particularly dynamic memory cells

Номер патента: US4505026A. Автор: Mark T. Bohr,Ken K. Yu,Leo D. Yau,Shyam G. Garg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1985-03-19.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of manufacturing a high speed bipolar transistor in a CMOS process

Номер патента: US5766990A. Автор: Monir El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

CMOS process for double vertical channel thin film transistor

Номер патента: US20040092068A1. Автор: In-Cha Hsieh. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

CMOS process for double vertical channel thin film transistor

Номер патента: US6800874B2. Автор: In-Cha Hsieh. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Method for forming complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structures with improved threshold voltage and flat band voltage stability (barrier layer to achieve threshold voltage control in CMOS device formation with high-k dielectrics) Selective implementation)

Номер патента: JP4711444B2. Автор: ボヤールチュク、ネスター、エイ・ジュニア,カブラル、シリル、ジュニア,カルティエ、エデュアルト、エイ,コペル、マシュー、ダブリュ,フランク、マーティン、エム,グーセフ、エフゲニ、ピー,グーハ、スプラティク,ジャミー、ラジャラオ,ナラヤナン、ビジェイ,パルチューリ、ヴァムシ、ケイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

COMMON CONTACT OF N++ AND P++ TRANSISTOR DRAIN REGIONS IN CMOS

Номер патента: US20180061949A1. Автор: Aderhold Wolfgang R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180083114A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

COMMON CONTACT OF N++ AND P++ TRANSISTOR DRAIN REGIONS IN CMOS

Номер патента: US20160104771A1. Автор: Aderhold Wolfgang R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Selective implementation of barrier layers to achieve threshold voltage control in CMOS device fabrication with high k dielectrics

Номер патента: US7105889B2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Supratik Guha,Evgeni P. Gousev,Rajarao Jammy,Eduard A. Cartier,Matthew W. Copel,Vamsi K. Paruchuri,Nestor A. Bojarczuk, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

ESD protection device structure compatible with CMOS process

Номер патента: US10692855B2. Автор: Po-Chuan Lin,Shr-Hau SHIUE. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Method for forming self-aligned dual fully silicided gates in cmos devices

Номер патента: WO2006060574A2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Low mask count CMOS process with inverse-T gate LDD structure

Номер патента: US5854101A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Mixed voltage CMOS process for high reliability and high performance core and I/O transistors with reduced mask steps

Номер патента: US6258644B1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Mark S. Rodder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Including low and high-voltage cmos devices in cmos process

Номер патента: US20160379979A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Including low and high-voltage CMOS devices in CMOS process

Номер патента: US09520398B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

HYBRID SUBSTRATE ENGINEERING IN CMOS FINFET INTEGRATION FOR MOBILITY IMPROVEMENT

Номер патента: US20170047331A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

HYBRID SUBSTRATE ENGINEERING IN CMOS FINFET INTEGRATION FOR MOBILITY IMPROVEMENT

Номер патента: US20170047445A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

HIGH SHEET RESISTOR IN CMOS FLOW

Номер патента: US20150187759A1. Автор: Aggarwal Rajni J.,YANG Jau-Yuann. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Independently accessed double-gate and tri-gate transistors in same process flow

Номер патента: US20060068550A1. Автор: Brian Doyle,Peter Chang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Independently accessed double-gate and tri-gate transistors in same process flow

Номер патента: US20060071299A1. Автор: Brian Doyle,Peter Chang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Manufacturing ccds in a conventional cmos process

Номер патента: EP1869698A2. Автор: Michael P. Anthony,Gerhard Sollner,Lawrence J. Kushner,Edward Kohler,Wesley Grant. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2007-12-26.

Manufacturing ccds in a conventional cmos process

Номер патента: WO2006104578A3. Автор: Michael P Anthony,Gerhard Sollner,Edward Kohler,Lawrence J Kushner,Wesley Grant. Владелец: Wesley Grant. Дата публикации: 2007-05-24.

Manufacturing ccds in a conventional cmos process

Номер патента: CA2603678A1. Автор: Michael P. Anthony,Gerhard Sollner,Lawrence J. Kushner,Edward Kohler,Wesley Grant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

Manufacturing ccds in a conventional cmos process

Номер патента: WO2006104578A2. Автор: Michael P. Anthony,Gerhard Sollner,Lawrence J. Kushner,Edward Kohler,Wesley Grant. Владелец: Kenet, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Power gating in a memory device

Номер патента: US11849591B2. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for producing nMOS and pMOS devices in CMOS processing

Номер патента: US8207030B2. Автор: Brice De Jaeger,Simone Severi,David Paul Brunco. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-06-26.

Physically defined varactor in a CMOS process

Номер патента: US20040211985A1. Автор: Michael Altmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

High voltage protection circuit on standard cmos process

Номер патента: AU4591099A. Автор: David Kerry Money,Louis Sze Yen Wong. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2001-01-22.

Physically defined varactor in a CMOS process

Номер патента: US20040214383A1. Автор: Michael Altman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Physically defined varactor in a CMOS process

Номер патента: US6849488B2. Автор: Michael W. Altmann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Sidewall metal spacers for forming metal gates in quantum devices

Номер патента: US20190044048A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: EP2005479A2. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: EP2005479A4. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2011-02-16.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: WO2007120721A8. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Elimination of scr action in cmos device structures

Номер патента: CA1030664A. Автор: Siegfried K. Wiedmann,Harsaran S. Bhatia,Gerald D. O'Rourke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-05-02.

Selectively doping isolation trenches utilized in cmos devices

Номер патента: CA1243420A. Автор: Thomas E. Seidel,Joseph Lebowitz. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-10-18.

Selectively doping isolation trenches utilized in cmos devices

Номер патента: WO1987000687A1. Автор: Joseph Lebowitz,Thomas Edward Seidel. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1987-01-29.

Integrated process flows for hybrid bonding

Номер патента: WO2024107374A1. Автор: YING Wang,Guan Huei See,Ruiping Wang,Raymond Hung. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated process flows for hybrid bonding

Номер патента: US20240170443A1. Автор: YING Wang,Guan Huei See,Ruiping Wang,Raymond Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for hybrid wafer bonding integrated with CMOS processing

Номер патента: US09728453B2. Автор: Ping-Yin Liu,Chia-Shiung Tsai,Pin-Nan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Wafer chuck apparatus, method for measuring wafer bow value and semiconductor process flow

Номер патента: US20200294828A1. Автор: Cheng-Yen Tsai,Wei-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

HYBRID SUBSTRATE ENGINEERING IN CMOS FINFET INTEGRATION FOR MOBILITY IMPROVEMENT

Номер патента: US20170098665A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

POLYSILICON GATE FORMATION IN CMOS TRANSISTORS

Номер патента: US20190206689A1. Автор: Mahalingam Pushpa,Aghoram Umamaheswari. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

HIGH SHEET RESISTOR IN CMOS FLOW

Номер патента: US20160247875A1. Автор: Aggarwal Rajni J.,YANG Jau-Yuann. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Method for forming structure for reducing noise in CMOS image sensors

Номер патента: US8283196B2. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20110165722A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20130023083A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20140252525A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for forming structure for reducing noise in CMOS image sensors

Номер патента: US9263486B2. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Si photodiode with symmetry layout and deep well bias in CMOS technology

Номер патента: US8598639B2. Автор: Guan-Yu Chen,Ching-Wen Wang,Yue-Ming Hsin,Fang-Ping Chou. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-12-03.

Si photodiode with symmetry layout and deep well bias in cmos technology

Номер патента: US20120175690A1. Автор: Guan-Yu Chen,Ching-Wen Wang,Yue-Ming Hsin,Fang-Ping Chou. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2012-07-12.

An infrared detector with multi-layer structure based on cmos process

Номер патента: US20240243160A1. Автор: Hui Pan,Pei Wu,Guangjie ZHAI,Guangqiang ZHAI. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Infrared detector with multi-layer structure based on CMOS process

Номер патента: US12107111B2. Автор: Hui Pan,Pei Wu,Guangjie ZHAI,Guangqiang ZHAI. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Stacked gate process flow for cross-point EPROM with internal access transistor

Номер патента: US5240870A. Автор: Albert M. Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of making high voltage PNP bipolar transistor in CMOS

Номер патента: US5328859A. Автор: Mohamad M. Mojaradi,Tuan A. Vo. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Buried Power Grid Designs and the Methods for Forming Buried Power Grids in CMOS Technologies for Improved Radiation Hardness

Номер патента: US20130161758A1. Автор: Leonard Richard Rockett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for increasing the Beta of PNP BJT device in CMOS process

Номер патента: US20040166625A1. Автор: Tong-Hsin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Method for growing strain-inducing materials in cmos circuits in a gate first flow

Номер патента: US20130161759A1. Автор: Abhishek Dube,Judson R. Holt,Bo Bai,Kathryn T. Schonenberg,Linda Black,Viorel C. Ontalus,Matthew W. Stoker,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Spacer as hard mask scheme for in-situ doping in cmos finfets

Номер патента: US20120280250A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier,Hemant Adhikari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Ion recoil implantation and enhanced carrier mobility in CMOS device

Номер патента: US6982229B2. Автор: Agajan Suvkhanov,Mohammad R. Mirabedini. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Cmos process with an integrated, high performance, silicide agglomeration fuse

Номер патента: EP1451860A1. Автор: Philip A. Fisher,Ciby Thuruthiyil. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-01.

Cmos process with an integrated, high performance, silicide agglomeration fuse

Номер патента: WO2003050858A1. Автор: Philip A. Fisher,Ciby Thuruthiyil. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-19.

METHODS OF FORMING TRANSISTORS WITH RETROGRADE WELLS IN CMOS APPLICATIONS AND THE RESULTING DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20160035630A1. Автор: Kang Laegu,Qi Yi,SAMAVEDAM Srikanth Balaji,Khanna Puneet,Vemula Sri Charan,Vakada Vara G. Reddy,Ganz Michael,Eller Manfred. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

TRANSISTOR DEVICE STRUCTURES WITH RETROGRADE WELLS IN CMOS APPLICATIONS

Номер патента: US20180047641A1. Автор: Kang Laegu,Qi Yi,SAMAVEDAM Srikanth Balaji,Khanna Puneet,Vemula Sri Charan,Vakada Vara G. Reddy,Ganz Michael,Eller Manfred. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

METHODS OF FORMING TRANSISTORS WITH RETROGRADE WELLS IN CMOS APPLICATIONS AND THE RESULTING DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20140367787A1. Автор: Kang Laegu,Qi Yi,SAMAVEDAM Srikanth Balaji,Khanna Puneet,Vemula Sri Charan,Vakada Vara G. Reddy,Ganz Michael,Eller Manfred. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Methods of forming transistors with retrograde wells in CMOS applications and the resulting device structures

Номер патента: US9852954B2. Автор: YI Qi,Manfred Eller,Vara G. Reddy Vakada,Laegu Kang,Michael Ganz,Puneet Khanna,Srikanth Balaji Samavedam,Sri Charan Vemula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Transistor device structures with retrograde wells in CMOS applications

Номер патента: US10483172B2. Автор: YI Qi,Manfred Eller,Vara G. Reddy Vakada,Laegu Kang,Michael Ganz,Puneet Khanna,Srikanth Balaji Samavedam,Sri Charan Vemula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Verwendung von Diamant-Nanokristallen mit NV-Farbzentren zusammen mit MESA Leuchtstrukturen in CMOS-Schaltkreisen

Номер патента: DE102019009136B4. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Device isolation process flow for ARS system

Номер патента: US6664193B2. Автор: Heon Lee,Peter Hartwell,Chung-Ching Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-12-16.

Process flow preparation system and method

Номер патента: US6415192B1. Автор: Yuuichi Satoguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Device isolation process flow for ARS system

Номер патента: US20030207575A1. Автор: Heon Lee,Peter Hartwell,Chung-Ching Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-06.

Inducing stress in cmos device

Номер патента: US20110006371A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Front-End

Номер патента: US20190131407A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,HAN JIN PING,SUN XIAO. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Front-End

Номер патента: US20190252499A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,HAN JIN PING,SUN XIAO. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Front-End

Номер патента: US20190252500A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,HAN JIN PING,SUN XIAO. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

NPN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR IN CMOS FLOW

Номер патента: US20160284691A1. Автор: Mehrotra Manoj,BORDELON Terry J.,RILEY Deborah J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

CIRCUIT FOR PROTECTING AN INTEGRATED CIRCUIT AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGES IN CMOS TECHNOLOGY.

Номер патента: FR2934710B1. Автор: Philippe Galy,Alexandre Dray,Christophe Entringer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2010-09-10.

CIRCUIT FOR PROTECTING AN INTEGRATED CIRCUIT AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGES IN CMOS TECHNOLOGY.

Номер патента: FR2934710A1. Автор: Philippe Galy,Alexandre Dray,Christophe Entringer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2010-02-05.

Method for enabling multiple vt devices using high-k metal gate stacks

Номер патента: WO2009056417A1. Автор: Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Vamsi Paruchuri,Jeffrey Sleight,Martin Michael Frank. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-07.

Logic high-k/metal gate 1t-1c rram mtp/otp devices

Номер патента: WO2016048681A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Daniel Wayne PERRY JR.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

PROGRAMMABLE/RE-PROGRAMMABLE DEVICE IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20130229882A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

Memory cell using BTI effects in high-k metal gate MOS

Номер патента: US8432751B2. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory cell using bti effects in high-k metal gate mos

Номер патента: TWI470633B. Автор: Anisur Rahman,Chia-Hong Jan,Walid M Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Using oxynitride spacer to reduce parasitic capacitance in CMOS devices

Номер патента: US20060054934A1. Автор: Kaiping Liu,Haowen Bu,Yuanning Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method of forming spacers in CMOS devices

Номер патента: US20020020884A1. Автор: Marc Roy,Manon Daigle,Bruno Lessard,Ginette Couture. Владелец: Zarlink Semoconductor Inc. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming spacers in cmos devices

Номер патента: EP1312114B1. Автор: Marc Roy,Manon Daigle,Bruno Lessard,Ginette Couture. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

METHOD OF FABRICATING A CHARGE-TRAPPING GATE STACK USING A CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Shih Hui-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

DIELECTRIC ISOLATION AND SiGe CHANNEL FORMATION FOR INTEGRATION IN CMOS NANOSHEET CHANNEL DEVICES

Номер патента: US20190393304A1. Автор: Loubet Nicolas,Guillorn Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

How to Form Dual Salicide in CMOS Technology

Номер патента: KR101055708B1. Автор: 시릴 쥬니어 캐브럴,체스터 티 드지오브코우스키,존 제이 엘리스-모나간,순페이 팡,크리스티앙 라부아,치지옹 루오,제임스 에스 나코스,안 엘 스티겐,클레멘트 에이치 완. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for forming self-aligned dual salicide in CMOS technologies

Номер патента: US7064025B1. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Polysilicon gate formation in cmos transistors

Номер патента: WO2019133968A1. Автор: Umamaheswari Aghoram,Pushpa Mahalingam. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-04.

Herstellungsverfahren für seitenwand- abstandsstücke (spacers) in cmos bauelementen

Номер патента: ATE515062T1. Автор: Marc Roy,Manon Daigle,Bruno Lessard,Ginette Couture. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-15.

Extraction of resistance associated with laterally diffused dopant profiles in CMOS devices

Номер патента: US09852956B2. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Jonathan K. Winslow,Lyndon Ronald Logan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Integration of hybrid germanium and group III-V contact epilayer in CMOS

Номер патента: US09543216B2. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

NPN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR IN CMOS FLOW

Номер патента: US20150187755A1. Автор: Mehrotra Manoj,Bordelon,Jr. Terry J.,RILEY Deborah J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

CONFINED SOURCE DRAIN EPITAXY TO REDUCE SHORTS IN CMOS INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200295200A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

INTEGRATION OF HYBRID GERMANIUM AND GROUP III-V CONTACT EPILAYER IN CMOS

Номер патента: US20160358826A1. Автор: Xie Ruilong,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Using Oxynitride Spacer to Reduce Parasitic Capacitance in CMOS Devices

Номер патента: US20060216882A1. Автор: Kaiping Liu,Haowen Bu,Yuanning Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: WO2006060575A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technilogies

Номер патента: TWI371084B. Автор: Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,Cyril Cabral Jr,Chester T Dziobkowski,John J Ellis-Monaghan,James S Nakos,An L Steegen,Clement H Wann. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-08-21.

Stabilization of Ni monosilicide thin films in CMOS devices using implantation of ions before silicidation

Номер патента: US20050250319A1. Автор: Kenneth Rodbell,Christian Lavoie,Roy Carruthers,Christophe Detavernier,Cedrik Coia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

STABILIZATION OF Ni MONOSILICIDE THIN FILMS IN CMOS DEVICES USING IMPLANTATION OF IONS BEFORE SILICIDATION

Номер патента: US20080299720A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Christian Lavoie,Christophe Detavernier,Roy A. Carruthers,Cedrik Y. Coia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

High-voltage transistor structure for handling high-voltages in CMOS integrated circuits

Номер патента: EP1001466A1. Автор: Carlo Riva,Paolo Ghezzi,Alfonso Maurelli. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-05-17.

Novel method to enhance channel stress in cmos processes

Номер патента: US20110312144A1. Автор: XIN Wang,Zhiqiang Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Novel Method to Enhance Channel Stress in CMOS Processes

Номер патента: US20110300677A1. Автор: XIN Wang,Zhiqiang Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Hybrid substrate engineering in CMOS finFET integration for mobility improvement

Номер патента: US09728640B2. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Dual work function gate in cmos device

Номер патента: WO2006063239A1. Автор: Mohammed A. Fathimulla. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-06-15.

Method and device to increase latch-up immunity in cmos devices

Номер патента: KR100288669B1. Автор: 제퍼리 에스 브라운,로버트 제이 이세 고시어,시아오웨이 티안. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-06-01.

Buried Power Grid Designs and the Methods for Forming Buried Power Grids in CMOS Technologies for Improved Radiation Hardness

Номер патента: US20130161758A1. Автор: Rockett Leonard Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

LOW TEMPERATURE COEFFICIENT RESISTOR IN CMOS FLOW

Номер патента: US20150171158A1. Автор: Zhao Song,BALDWIN Greg Charles,BENAISSA Kamel,LIU Sarah. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Reduction of source and drain parasitic capacitance in CMOS devices

Номер патента: US20060043531A1. Автор: Steven Walther,Yuri Erokhin,Ukyo Jeong,Jay Scheuer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Process of ion implant masking in CMOS manufacture and resultant structure

Номер патента: EP0089265A2. Автор: Nan-Hsiung Tsai,Peter Anthony Crossley. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1983-09-21.

Encapsulated spacer with low dielectric constant material to reduce the parasitic capacitance between gate and drain in CMOS technology

Номер патента: US20050263834A1. Автор: Yuanning Chen,Antonio Rotondaro,Karen Kirmse. Владелец: Kirmse Karen H. Дата публикации: 2005-12-01.

Method and apparatus for increasing latch-up immunity in CMOS devices

Номер патента: JP2938422B2. Автор: ジェフリー・エス・ブラウン,ロバート・ジェイ・ゴーシア・ジュニア,ティエン・シャオウェイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-08-23.

Leakage power reduction in CMOS circuits

Номер патента: US20060267108A1. Автор: Chandrashekhar Patil. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods and apparatus for quantum point contacts in CMOS processes

Номер патента: US09659934B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Greg Charles Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods and apparatus for artificial exciton in CMOS processes

Номер патента: US10068903B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Greg Charles Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Method for forming gate in cmos image sensor device

Номер патента: KR100419875B1. Автор: 김의식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-25.

Method for fabricating silicide region in cmos image sensor

Номер патента: KR100461972B1. Автор: 이원호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-12-17.

A variable conductance device that can be fabricated in CMOS

Номер патента: TW478112B. Автор: Robert Patti. Владелец: Robert Patti. Дата публикации: 2002-03-01.

Bipolar transistor that can be fabricated in cmos

Номер патента: WO2001050537A1. Автор: Robert Patti. Владелец: Robert Patti. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of making blue photo diode in cmos image sensor

Номер патента: KR100595327B1. Автор: 황준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for fabricating partial silicide in cmos image sensor

Номер патента: KR100461974B1. Автор: 박근주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-12-17.

Alternate method for photodiode formation in CMOS image sensors

Номер патента: US20030062561A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Guidash Robert M.. Дата публикации: 2003-04-03.

Programmable read only memory in CMOS process flow

Номер патента: US6338992B1. Автор: Hemanshu D. Bhatt,Charles E. May,Shafqat Ahmed,Robindranath Banerjee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Method for forming co-axial interconnect lines in CMOS process

Номер патента: CN1252811C. Автор: S·波斯拉,C·T·加布里尔,M·米舍洛夫,M·维林. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Method and apparatus of reducing latch-up susceptibility in CMOS integrated circuits

Номер патента: US4571505A. Автор: Sargent S. Eaton, Jr.. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1986-02-18.

Reducing gate cd bias in cmos processing

Номер патента: US20090166629A1. Автор: Freidoon Mehrad,Jinhan Choi,Frank Scott Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Methods and Apparatus for Artificial Exciton in CMOS Processes

Номер патента: US20150348968A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,BALDWIN Greg Charles. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Split polysilicon process in CMOS image integrated circuit

Номер патента: US6107211A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Back-End

Номер патента: US20190131383A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Xiao Sun,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Back-End

Номер патента: US20190326387A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Xiao Sun,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Selective Bias Compensation for Patterning Steps in CMOS Processes

Номер патента: US20130164938A1. Автор: Ching-Yu Chang,Ming-Feng Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for forming high-drain-voltage tolerance MOSFET transistor in a CMOS process flow with double well dose approach

Номер патента: US20080248623A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Yung Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

The manufacturing method of polysilicon resistance in CMOS technology

Номер патента: CN105023831B. Автор: 王乐平. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Composition for oxide cmp in cmos device fabrication

Номер патента: WO2006104547A2. Автор: Yue Liu,Eric S. Oswald. Владелец: FERRO CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-05.

Composition for oxide cmp in cmos device fabrication

Номер патента: WO2006104547A3. Автор: Yue Liu,Eric S Oswald. Владелец: Eric S Oswald. Дата публикации: 2009-04-30.

Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication

Номер патента: TW200643129A. Автор: Yue Liu,Eric S Oswald. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2006-12-16.

Methods of forming MIS contact structures on transistor devices in CMOS applications

Номер патента: US09613855B1. Автор: Suraj K. Patil,Zhiguo Sun,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for growing strain-inducing materials in cmos circuits in a gate first flow

Номер патента: US20120104507A1. Автор: Abhishek Dube,Judson R. Holt,Bo Bai,Kathryn T. Schonenberg,Linda Black,Viorel C. Ontalus,Matthew W. Stoker,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Low-Diffusion Drain and Source Regions in CMOS Transistors for Low Power/High Performance Applications

Номер патента: US20120153399A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Minimizing leakage current and junction capacitance in cmos transistors by utilizing dielectric spacers

Номер патента: US20120261672A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dureseti Chidambarrao,Viorel Ontalus,Philip J. Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

METHOD FOR GROWING STRAIN-INDUCING MATERIALS IN CMOS CIRCUITS IN A GATE FIRST FLOW

Номер патента: US20130161759A1. Автор: DUBE ABHISHEK,Ontalus Viorel C.,Holt Judson R.,Stoker Matthew W.,Tabakman Keith H.,Bai Bo,SCHONENBERG Kathryn T.,Black Linda. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

MINIMIZING LEAKAGE CURRENT AND JUNCTION CAPACITANCE IN CMOS TRANSISTORS BY UTILIZING DIELECTRIC SPACERS

Номер патента: US20130288440A1. Автор: Ontalus Viorel,Chidambarrao Dureseti,Oldiges Philip J.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

NON-RELAXED EMBEDDED STRESSORS WITH SOLID SOURCE EXTENSION REGIONS IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20130337621A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita,JR. Douglas C.,La Tulipe. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-19.

HIGH SHEET RESISTOR IN CMOS FLOW

Номер патента: US20140035061A1. Автор: Aggarwal Rajni J.,YANG Jau-Yuann. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-06.

Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Back-End

Номер патента: US20190131383A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,HAN JIN PING,SUN XIAO. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

EXTRACTION OF RESISTANCE ASSOCIATED WITH LATERALLY DIFFUSED DOPANT PROFILES IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20160225680A1. Автор: Nowak Edward J.,Robison Robert R.,Winslow Jonathan K.,Logan Lyndon Ronald. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Back-End

Номер патента: US20190326387A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Xiao Sun,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication

Номер патента: US20060216935A1. Автор: Eric Oswald,Yue Liu. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Metal-containing layers produced especially for diffusion barriers, contact layers and/or anti-reflection layers in CMOS circuits, DRAM memory chips or embedded DRAM chips

Номер патента: DE19822749A1. Автор: Sven Schmidbauer,Oliver Gehring,Alexander Ruf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-12-02.

Aluminum disposable spacer to reduce mask count in CMOS transistor formation

Номер патента: US6265253B1. Автор: Todd Lukanc,Matthew S. Buynoski,Zicheng Gary Ling. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-24.

Dielectric isolation and SiGe channel formation for integration in CMOS nanosheet channel devices

Номер патента: US10741641B2. Автор: Michael A. Guillorn,Nicolas Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Low-diffusion drain and source regions in CMOS transistors for low power/high performance applications

Номер патента: US8664068B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-04.

Directional coupler integrated by cmos process

Номер патента: US20130141183A1. Автор: Ru Huang,Le Ye,Jiayi Wang,Huailin Liao. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for Planar Implementation of PI/8 Gate in Chiral Topological Superconductors

Номер патента: US20110287941A1. Автор: Kevin Walker,Michael Freedman,Parsa Bonderson,Chetan Nayak,Lukasz Fidkowski. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

METHOD FOR PLANAR IMPLEMENTATION OF π/8 GATE IN CHIRAL TOPOLOGICAL SUPERCONDUCTORS

Номер патента: WO2012021198A3. Автор: Kevin Walker,Michael Freedman,Parsa Bonderson,Chetan Nayak,Lukasz Fidkowski. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for planar implementation of /8 gate in chiral topological superconductors

Номер патента: EP2572322A2. Автор: Kevin Walker,Michael Freedman,Parsa Bonderson,Chetan Nayak,Lukasz Fidkowski. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

METHOD FOR PLANAR IMPLEMENTATION OF π/8 GATE IN CHIRAL TOPOLOGICAL SUPERCONDUCTORS

Номер патента: WO2012021198A2. Автор: Kevin Walker,Michael Freedman,Parsa Bonderson,Chetan Nayak,Lukasz Fidkowski. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for planar implementation of /8 gate in chiral topological superconductors

Номер патента: EP2572322A4. Автор: Kevin Walker,Michael Freedman,Parsa Bonderson,Chetan Nayak,Lukasz Fidkowski. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-11-20.

Integration of germanium photo detector in cmos processing

Номер патента: US20140203325A1. Автор: Guowei Zhang,PURAKH Raj Verma,Kah Wee Ang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Integration of germanium photo detector in CMOS processing

Номер патента: US8802484B1. Автор: Guowei Zhang,PURAKH Raj Verma,Kah Wee Ang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-08-12.

Method of forming metal fuses in CMOS processes with copper interconnect

Номер патента: US6828653B1. Автор: Ramnath Venkatraman,Ruggero Castagnetti,Prabhakar Pati Tripathi. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-12-07.

Method of forming ccds in cmos process

Номер патента: TWI379383B. Автор: Michael P Anthony,Gerhard Sollner,Edward Kohler,Lawrence J Kushner,Wesley Grant. Владелец: Kenet Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Reversible resistive memory using diodes formed in cmos processes as program selectors

Номер патента: US20120044747A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Chung Shine C. Дата публикации: 2012-02-23.

ESD bus lines in CMOS IC's for whole-chip ESD protection

Номер патента: US6144542A. Автор: Ming-Dou Ker,Hun-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Low temperature coefficient resistor in CMOS flow

Номер патента: US09543374B2. Автор: SONG Zhao,Kamel Benaissa,Greg Charles Baldwin,Sarah LIU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and apparatus for reducing crosstalk in cmos image sensor

Номер патента: US20150318319A1. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Method and apparatus for reducing crosstalk in CMOS image sensor

Номер патента: US9530814B2. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for reducing crosstalk in CMOS image sensor

Номер патента: US09773834B2. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method And System For Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes

Номер патента: US20190238228A1. Автор: John Guckenberger,Thierry Pinguet,Attila Mekis,Steffen Gloeckner,Daniel Kucharski,Sherif Abdalla,Gianlorenzo Masini,Peter DeDobbelaere,Kosei Yokoyama. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for reducing crosstalk in cmos image sensor

Номер патента: US20170047373A1. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

method for manufacturing of photo diode in CMOS image sensor

Номер патента: KR100649008B1. Автор: 현우석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-27.

MOS-cascade transistor for use in CMOS-circuit

Номер патента: DE19803937C1. Автор: Ulrich Theus,Juergen Kessel. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 1999-10-21.

Novel method to trap air for improving the quality factor (q) of rf inductors in cmos technology

Номер патента: SG81344A1. Автор: Chee Tee Chua,Shao-Fu Chu,Kok Wai Johnny Chew,Cha Cher Liang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-06-19.

ISOLATION STRUCTURE FOR SUPPRESSING FLOATING DIFFUSION JUNCTION LEAKAGE IN CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20220013551A1. Автор: MUN Seong Yeol,Liu Yuanliang. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

Method of forming trench in CMOS image sensor

Номер патента: KR100606913B1. Автор: 주상민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

INPUT PROTECTION DEVICE FOR CIRCUITS INTEGRATED IN CMOS TECHNOLOGY.

Номер патента: FR2598852A1. Автор: Jean-Marie Gaultier. Владелец: EUROTECHNIQUE. Дата публикации: 1987-11-20.

Static electricity protection circuit for use in CMOS applications

Номер патента: FR2747246A1. Автор: Kyu Hyung Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-10-10.

INPUT PROTECTION DEVICE FOR CIRCUITS INTEGRATED IN CMOS TECHNOLOGY.

Номер патента: FR2598852B1. Автор: Jean-Marie Gaultier. Владелец: EUROTECHNIQUE. Дата публикации: 1988-10-21.

Low voltage silicon controlled rectifier structure for esd input pad protection in cmos ic's

Номер патента: CA2197291C. Автор: Colin Harris,Kris Iniewski,David Leblanc,Brian D. Gerson. Владелец: PMC Sierra Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Low Voltage Silicon Controlled Rectifier Structure for ESD Input Pad Protection in CMOS IC'S

Номер патента: CA2197291A1. Автор: Colin Harris,Kris Iniewski,David Leblanc,Brian D. Gerson. Владелец: PMC Sierra Inc. Дата публикации: 1997-11-21.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Lossless microstrip line in CMOS process

Номер патента: US20030071360A1. Автор: Chaochieh Tsai,Shyhchyi Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: US20240107771A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor processing flow field control apparatus and method

Номер патента: US20210225673A1. Автор: Che-Fu Chen,Kai-Chin WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Structure and manufacturing process of contacts in CMOS circuits

Номер патента: DE69224236D1. Автор: Girish Dixit,Fusen Chen,Frank Randolph Bryant. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1998-03-05.

METHOD FOR PREVENTING STRESS-BASED TRANSFER IN CMOS COMPONENTS

Номер патента: DE60140508D1. Автор: Faran Nouri,Martin Manley. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for suppressing narrow width effects in cmos technology

Номер патента: KR100742025B1. Автор: 노우리파랜. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2007-07-23.

METHODS OF REMOVING GATE CAP LAYERS IN CMOS APPLICATIONS

Номер патента: US20140256135A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Javorka Peter,Richter Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

Production of conducting pathways, especially aluminum pathways used in CMOS circuits or DRAM cells comprises applying an aluminum conducting layer, a titanium nitride layer and a lacquer mask onto a substrate, and structuring

Номер патента: DE10062639A1. Автор: Albrecht Kieslich,Jens Bachmann,Falko Hoehnsdorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for suppressing narrow width effects in CMOS technology

Номер патента: US6313011B1. Автор: Faran Nouri. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-06.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in cmos image sensors

Номер патента: US20240363658A1. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in CMOS image sensors

Номер патента: US12094901B2. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in cmos image sensors

Номер патента: US20220384506A1. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in CMOS image sensors

Номер патента: US11791354B2. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods and apparatus for glass removal in CMOS image sensors

Номер патента: US09859322B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Pao-Tung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Pixels with an active reset circuit in CMOS image sensors

Номер патента: US09456159B1. Автор: Jaroslav Hynecek. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING CROSSTALK IN CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20150318319A1. Автор: Peng Wenjie,Xi Minwei. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method and apparatus for controlling charge transfer in cmos sensors with an implant by the transfer gate

Номер патента: WO2006073799A3. Автор: Richard Mann,Zeynep Toros,Selim Bencuya. Владелец: Selim Bencuya. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for manufacturing of Blue photo diode in CMOS image sensor

Номер патента: KR100672675B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-24.

Active pixel with weakened dark current in CMOS image sensor

Номер патента: CN1417866A. Автор: T·赵,X·何,C·-H·吴. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-14.

Grounded gate and isolation techniques for reducing dark current in CMOS image sensors

Номер патента: TW200415785A. Автор: Howard Rhodes,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-16.

Methods and Apparatus for Glass Removal in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20130277785A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Chen Pao-Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-24.

METHODS AND APPARATUS FOR SUPPRESSING CROSS TALK IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20140239361A1. Автор: Ma Rice. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20140252525A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Fluorine Passivation in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20140264507A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lee Mankoo,Barabash Sergey. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods and Apparatus for Glass Removal in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20160197115A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Chen Pao-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Variable-Width Source-Follower Transistor for Reduced Noise in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20200357835A1. Автор: Jiaju MA. Владелец: Gigajot Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Unit pixel circuit in CMOS image sensor

Номер патента: KR100640949B1. Автор: 김범식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-02.

Test pattern for evaluation of pixel in cmos image sensor and module of the same

Номер патента: KR100991954B1. Автор: 이원호. Владелец: 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨. Дата публикации: 2010-11-04.

Method for fabrication in CMOS Image Sensor

Номер патента: KR100410670B1. Автор: 박재영,임연섭. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-12.

Unit pixel with negative substrate voltage in CMOS image sensor

Номер патента: KR100321769B1. Автор: 김성동,정인술. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-17.

ACTIVE CELL WITH ANALOG MEMORY FOR A PHOTOSENSITIVE SENSOR CARRIED OUT IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2807570A1. Автор: Stefan Lauxtermann,Georg Paul Israel. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2001-10-12.

LINEAR IMAGE SENSOR IN CMOS TECHNOLOGY WITH THREAD EFFECT COMPENSATION

Номер патента: FR2961020A1. Автор: Benoit Giffard,Yvon Gazaux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-12-09.

ACTIVE CELL WITH ANALOG MEMORY FOR A PHOTOSENSITIVE SENSOR CARRIED OUT IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2807570B1. Автор: Stefan Lauxtermann,Georg Paul Israel. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2003-08-15.

LINEAR IMAGE SENSOR IN CMOS TECHNOLOGY WITH THREAD EFFECT COMPENSATION

Номер патента: FR2961021A1. Автор: Yvon Cazaux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-12-09.

Linear image sensor in cmos technology

Номер патента: CN102271227A. Автор: 贝诺伊特.吉法德,伊万.卡佐克斯. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-12-07.

LINEAR IMAGE SENSOR IN CMOS TECHNOLOGY WITH THREAD EFFECT COMPENSATION

Номер патента: FR2961021B1. Автор: Yvon Cazaux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-09-27.

Protection layer in CMOS image sensor array region

Номер патента: US9473719B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Chia-Yu WEI,Yi-Sheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Linear image sensor in CMOS technology

Номер патента: US8817150B2. Автор: Yvon Cazaux,Benoit Giffard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-08-26.

On-die verification of resistor fabricated in CMOS process

Номер патента: US09977073B2. Автор: Pak-Kim Lau. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Vorrichtung mit Diamant-Nanokristallen mit zwei gekoppelten NV-Farbzentren in CMOS-Schaltkreisen und Verfahren zum Betrieb

Номер патента: DE102019009126B4. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Trägermaterial zur Montage von Diamant-Nanokristallen mit NV-Farbzentren in CMOS-Schaltkreisen mittels Gelatine

Номер патента: DE102019121029B4. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard,Marius Grundmann. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

MICROBOLOMETER DEVICES IN CMOS AND BiCMOS TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160146672A1. Автор: Anthony K. Stamper,Qizhi Liu,Ronald F. WALLER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Microbolometer devices in CMOS and BiCMOS technologies

Номер патента: US09726547B2. Автор: Anthony K. Stamper,Qizhi Liu,Ronald F. WALLER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

ON-DIE VERIFICATION OF RESISTOR FABRICATED IN CMOS PROCESS

Номер патента: US20170356952A1. Автор: Lau Pak-Kim. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Vorrichtung und verfahren zur verwendung von diamant-nanokristallen mit nv-farbzentren in cmos-schaltkreisen

Номер патента: EP3977147A1. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-04-06.

Single particle effect modulates lower trap circuit for measuring potential in CMOS technology

Номер патента: CN106531655B. Автор: 王海滨,曾翔,戴茜茜,孙洪文,褚嘉敏,盛奥. Владелец: CHANGZHOU CAMPUS OF HOHAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-19.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Raising programming currents of magnetic tunnel junctions using word line overdrive and high-k metal gate

Номер патента: US8879308B2. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

HIGH-K METAL GATE DEVICE STRUCTURE FOR HUMAN BLOOD GAS SENSING

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Zafar Sufi,Wang Yanfeng,SHI CHEN,Steen Steven E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

Gate-coupled structure for enhanced esd input/output pad protection in cmos ics

Номер патента: CA2223199A1. Автор: Kris Iniewski,Marek Syrzycki. Владелец: PMC Sierra Ltd. Дата публикации: 1998-11-30.

Transmissive liquid-crystal display in cmos technology with auxiliary storage capacitor

Номер патента: US20120086683A1. Автор: Josep Segura Puchades. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-04-12.

MICROBOLOMETER DEVICES IN CMOS AND BiCMOS TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160146672A1. Автор: Liu Qizhi,Stamper Anthony K.,WALLER Ronald F.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Digital Forward Body Biasing in CMOS Circuits

Номер патента: US20180219549A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH,Pranay Prabhat. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-08-02.

ELECTRICALLY MODULATED IR SENSITIVE PHOTODIODE AND ITS INTEGRATION IN CMOS

Номер патента: US20190288151A1. Автор: GABLER Daniel,WICHT Sebastian. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY OF TRANSMISSIVE TYPE IN CMOS TECHNOLOGY WITH AUXILIARY STORAGE CAPACITY

Номер патента: FR2965942A1. Автор: Puchades Josep Segura. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-04-13.

Method and system for using a microstrip to switch circuits in cmos applications cmos

Номер патента: HK1130952A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Maryam Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-08.

GERMANIUM-ON-SILICON LASER IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20180048123A1. Автор: Boeuf Frédéric,PROST Mathias,EL KURDI Moustafa,BOUCAUD Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

GERMANIUM-ON-SILICON LASER IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20200266609A1. Автор: Boeuf Frédéric,PROST Mathias,EL KURDI Moustafa,BOUCAUD Philippe. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2020-08-20.

Germanium-on-silicon laser in cmos technology

Номер патента: WO2016142588A1. Автор: Philippe Boucaud,Frederic Boeuf,Mathias PROST,Moustafa EL KURDI. Владелец: UNIVERSITE PARIS SUD. Дата публикации: 2016-09-15.

Method and system for using a microstrip to switch circuits in CMOS applications

Номер патента: TW200935722A. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Maryam Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-08-16.

Method and system for using a microstrip to switch circuits in CMOS applications

Номер патента: EP2045912B1. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Maryam Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-10-10.

Germanium-on-silicon laser in cmos technology

Номер патента: EP3266079A1. Автор: Philippe Boucaud,Frederic Boeuf,Mathias PROST,Moustafa EL KURDI. Владелец: Universite Paris Sud Paris 11. Дата публикации: 2018-01-10.

Systems and methods for current density optimization in CMOS-integrated MEMS capacitive devices

Номер патента: US9019687B2. Автор: Dana DeReus,Arthur S. Morris, III,Saravana Natarajan. Владелец: Wispry Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Systems and methods for current density optimization in cmos-integrated mems capacitive devices

Номер патента: EP2718225A2. Автор: Dana DeReus,Arthur S. Morris, III,Saravana Natarajan. Владелец: Wispry Inc. Дата публикации: 2014-04-16.

Method And System For Electro-Absorption Modulator Drivers In CMOS

Номер патента: US20180196287A1. Автор: Jurgen Hissen. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method And System For Electro-Absorption Modulator Drivers In CMOS

Номер патента: US20200064661A1. Автор: Jurgen Hissen. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Building collaborative data processing flows

Номер патента: US12066983B2. Автор: Joshua Goodman,Kongposh Sapru,Alexander John Trzeciak. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Platform for visually configuring a process flow across multiple discrete processes

Номер патента: US09990411B2. Автор: Eric Yip,Ankur Bhatt,Abhijit Salvi,Abbas Raza,Dan Diodati,Sergei Ponomarev. Владелец: SuccessFactors Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Process flow definition creating system, process flow definition creating device, and a method of creating process flow definition

Номер патента: US09779369B2. Автор: Seijiro Hori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Component-based risk evaluation techniques using processing flow signatures

Номер патента: US12015532B2. Автор: Ashish Garg,Jonathan Steele Barth. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Image processing apparatus, processing flow control method, image forming system, and storage medium

Номер патента: US20090172811A1. Автор: Takayuki Homma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Component-based risk evaluation techniques using processing flow signatures

Номер патента: WO2023091858A1. Автор: Ashish Garg,Jonathan Steele Barth. Владелец: PayPal, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

An apparatus and method for bundling associated network process flows in service aware networks

Номер патента: WO2002041572A2. Автор: Ofer Weill,Michael Ben Nun,Rony Gotesdyner,Sagi Ravid,Oren Ravoy. Владелец: P-Cube Ltd.. Дата публикации: 2002-05-23.

An apparatus and method for bundling associated network process flows in service aware networks

Номер патента: WO2002041572A3. Автор: Ofer Weill,Rony Gotesdyner,Sagi Ravid,Oren Ravoy,Nun Michael Ben. Владелец: Cube Ltd P. Дата публикации: 2003-02-06.

Process flow builder for extensible web component sequences

Номер патента: US12106077B2. Автор: JUN Gao,David Stone,Armando I. Ruiz Garcia. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Ecl-compatible input-output circuits in cmos technology

Номер патента: CA1276691C. Автор: Stefan Meier,Erik De Man. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-11-20.

Verbindung mit mindestens einer Speichereinheit aus organischem Speichermaterial, insbesondere zur Verwendung in CMOS-Strukturen, Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

Номер патента: DE10340610A1. Автор: Günter Dr. Schmid,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk,Ute Dipl.-Ing. Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-07.

Verbindung mit mindestens einer speichereinheit aus organischem speichermaterial, insbesondere zur verwendung in cmos-strukturen, halbleiterbauelement und ein verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes

Номер патента: EP1658646A2. Автор: Günter Schmid,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-24.

Automated process flow testing system

Номер патента: US11706120B1. Автор: Jonathan Waite,Adrian Rodriguez,Jessica K. Snead,Lucas Blanck. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Rule-based logic for process flow data

Номер патента: US20240275678A1. Автор: Harold Hambrose,Scott Dombkowski,Max Stropkay. Владелец: Zenda LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Techniques for cross-platform communication process flow object posting

Номер патента: US20240251026A1. Автор: II William Robert Jennings,Pranavkumar Janakbhai Parekh,Andrew Short,Aaron Popelka. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Techniques for cross platform communication process flow event posting

Номер патента: US11757824B2. Автор: II William Robert Jennings,Andrew Short,Aaron Popelka,Pranavkumar Janakbhair Parekh. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Sonic filter for measuring and capturing particles having a particular particle size in a fluid, mixture or process flow

Номер патента: US09810665B2. Автор: Mark R. Fernald,Timothy J. Bailey. Владелец: Cidra Corporated Services LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Building collaborative data processing flows

Номер патента: US20230161738A1. Автор: Joshua Goodman,Kongposh Sapru,Alexander John Trzeciak. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Image processing apparatus, processing flow control method, image forming system, and storage medium

Номер патента: US8146152B2. Автор: Takayuki Homma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-27.

Image processing apparatus generating an image processing flow for each segmented block of image data and corresponding, image processing method, and storage medium storing program instructing a computer to execute the method

Номер патента: US8384956B2. Автор: Toshimitsu Nakano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Document processing using multiple processing flows

Номер патента: RU2579899C1. Автор: Виталий Георгиевич Балл. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Аби Девелопмент". Дата публикации: 2016-04-10.

Automated process flow testing system

Номер патента: US20230379235A1. Автор: Jonathan Waite,Adrian Rodriguez,Jessica K. Snead,Lucas Blanck. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Systems and methods for identifying process flows from log files and visualizing the flow

Номер патента: EP3529757A1. Автор: Jae Young Yoon,Dhileeban Kumaresan,Sreeji Das,Venktesh Alvenkar,Harish Akali,Hari Krishna Galla. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Method and system for pre-emptive deviation detection for telecom process flow using digital twin

Номер патента: US11348048B2. Автор: Sankaranarayanan Viswanathan,Kaustav Bhattacharya,Senthilvelan NATARAJAN,Arunkumar SEKAR. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Systems and methods for identifying process flows from log files and visualizing the flow

Номер патента: US11983639B2. Автор: Jae Young Yoon,Dhileeban Kumaresan,Sreeji Das,Venktesh Alvenkar,Harish Akali,Hari Krishna Galla. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Systems and methods for identifying process flows from log files and visualizing the flow

Номер патента: WO2018080840A1. Автор: Jae Young Yoon,Dhileeban Kumaresan,Sreeji Das,Venktesh Alvenkar,Harish Akali,Hari Krishna Galla. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-03.

Method and system for pre-emptive deviation detection for telecom process flow using digital twin

Номер патента: WO2019162894A1. Автор: Sankaranarayanan Viswanathan,Kaustav Bhattacharya,Senthilvelan NATARAJAN,Arunkumar SEKAR. Владелец: TATA CONSULTANCY SERVICES LIMITED. Дата публикации: 2019-08-29.

Method and system for pre-emptive deviation detection for telecom process flow using digital twin

Номер патента: US20200380434A1. Автор: Sankaranarayanan Viswanathan,Kaustav Bhattacharya,Senthilvelan NATARAJAN,Arunkumar SEKAR. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and devices related to features or feature agent and method of controlling process flow between features

Номер патента: WO1999038339A1. Автор: Hakan Karlsson. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 1999-07-29.

Method and system for pre-emptive deviation detection for telecom process flow using digital twin

Номер патента: EP3756151A1. Автор: Sankaranarayanan Viswanathan,Kaustav Bhattacharya,Senthilvelan NATARAJAN,Arunkumar SEKAR. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Systems and methods for identifying process flows from log files and visualizing the flow

Номер патента: US12014283B2. Автор: Jae Young Yoon,Dhileeban Kumaresan,Sreeji Das,Venktesh Alvenkar,Harish Akali,Hari Krishna Galla. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Techniques for cross platform communication process flow management

Номер патента: US12014211B2. Автор: Aaron M. Popelka,II William Robert Jennings,Pranavkumar Janakbhai Parekh,Andrew Short. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method and system for pre-emptive deviation detection for telecom process flow using digital twin

Номер патента: AU2019224842A1. Автор: Sankaranarayanan Viswanathan,Kaustav Bhattacharya,Senthilvelan NATARAJAN,Arunkumar SEKAR. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Cross-platform data refresh for communication process flows

Номер патента: US20240195888A1. Автор: Alejandro Lopez,II William Robert Jennings,Penny Nicoletta Tselikis,Justin Louis Condren. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

A CMOS Process Compatible Interface Chip power-failure Protection Circuit and The Method Thereof

Номер патента: NL2034089A. Автор: WANG Xiangqian,Gao Xiaoping,Han Genliang,Xie Mingling,Yuan Chaoxin. Владелец: Institute Of Sensor Tech Gansu Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-03-17.

Sonic filter for measuring and capturing particles having a particular particle size in a fluid, mixture or process flow

Номер патента: CA2826655C. Автор: Mark R. Fernald,Timothy J. Bailey. Владелец: Cidra Corporated Services LLC. Дата публикации: 2018-09-18.

Techniques for cross-platform communication process flow object posting

Номер патента: US11943321B2. Автор: II William Robert Jennings,Pranavkumar Janakbhai Parekh,Andrew Short,Aaron Popelka. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Techniques for cross platform communication process flow event posting

Номер патента: US20230379288A1. Автор: II William Robert Jennings,Pranav Parekh,Andrew Short,Aaron Popelka. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Processing flows and related systems and methods are disclosed

Номер патента: WO2021087272A1. Автор: Kurt W. Derr,Samuel Ramirez,Sneha K. Kasera,Christopher D. Becker,Aniqua Z. Baset. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Techniques for communication process flow approval management

Номер патента: US11792146B2. Автор: Aaron M. Popelka,II William Robert Jennings. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Techniques for communication process flow approval management

Номер патента: US20240007426A1. Автор: Aaron M. Popelka,II William Robert Jennings. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Processing flows and related systems and methods are disclosed

Номер патента: US20220377845A1. Автор: Kurt W. Derr,Samuel Ramirez,Sneha K. Kasera,Christopher D. Becker,Aniqua Z. Baset. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2022-11-24.

Techniques for configuring communication process flow actions

Номер патента: US20230275860A1. Автор: II William Robert Jennings,Aaron Popelka. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Techniques for configuring communication process flow actions

Номер патента: US12028303B2. Автор: II William Robert Jennings,Aaron Popelka. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

User interface process flow for posting content on a display device

Номер патента: WO2022146629A1. Автор: Corey Joseph Loman,Bryan Kim Mamaril,Cassandra Lynn HOEF,Travis Jay POPKAVE,Jessica BOURGADE,Mark Derek Raymond, Jr.,Regina Hajin Son. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

Methods and nodes for policing and gating in a communication network

Номер патента: WO2015090389A1. Автор: Mattias LIDSTRÖM,Mona Matti. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-06-25.

A CMOS Process Compatible Interface Chip power-failure Protection Circuit and The Method Thereof

Номер патента: NL2034089B1. Автор: WANG Xiangqian,Gao Xiaoping,Han Genliang,Xie Mingling,Yuan Chaoxin. Владелец: Institute Of Sensor Tech Gansu Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-01-18.

Fine-grained power gating in FPGA interconnects

Номер патента: US09923555B2. Автор: Dejan Markovic,Chengcheng Wang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-20.

Systems and methods for gated in-game access based on collections of unique digital articles

Номер патента: US12083437B2. Автор: Rudy Koch. Владелец: Mythical Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Current-controlled CMOS circuit using higher voltage supply in low voltage CMOS process

Номер патента: EP1394947A3. Автор: Ichiro Fujimori,Armond Hairapetian,Guangmin Yin. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Self-aligned structure with unique erasing gate in split gate flash

Номер патента: US20040241942A1. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Differential voltage sense circuit to detect the state of a CMOS process compatible fuses at low supply voltages

Номер патента: EP1195771A3. Автор: Baher Haroun,Heng-Chih Lin,James R. Hellums. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Differential voltage sense circuit to detect the state of CMOS process compatible fuses at low supply voltages

Номер патента: EP1195771B1. Автор: Baher Haroun,Heng-Chih Lin,James R. Hellums. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-12.

Verfahren zur vermessung der zweidimensionalen potentialverteilung in cmos-halbleiterbauelementen

Номер патента: WO2000010020A1. Автор: Wolf-Dieter Rau. Владелец: IHP GMBH Innovations for High Performance Microelectronics Institut für innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2000-02-24.

Verfahren zur vermessung der zweidimensionalen potentialverteilung in cmos-halbleiterbauelementen

Номер патента: EP1105742A1. Автор: Wolf-Dieter Rau. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2001-06-13.

Method for control over process flow of steam conversion

Номер патента: RU2491532C2. Автор: Дейвид ЛАЙТОУЛЕРС,Алаздэр Айан Томсон. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of monitoring of microbial activity related to surface in process flows

Номер патента: RU2486510C2. Автор: Лаура И. РАЙС. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2013-06-27.

Method and system for short-circuit current modeling in CMOS integrated circuits

Номер патента: US20040117169A1. Автор: Emrah Acar,Sani Nassif,Ravishankar Arunachalam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Synchronizing process flows within hierarchical process flows

Номер патента: WO2007050790A3. Автор: John K Gibbons. Владелец: Planview Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Methods of synchronizing process flows within hierarchical process flows and systems for use with the methods

Номер патента: EP1949474A2. Автор: John K. Gibbons. Владелец: Planview Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Enabling the use of process flow applications within an information management system (ims)

Номер патента: US20110161919A1. Автор: William Alexander,Shyh-Mei F. Ho,Jenny C. Hung,Cynthia F. Krauss. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method and apparatus for taking slurry samples from a continuous gravity process flow, and use of apparatus

Номер патента: US09823171B2. Автор: Christian Von Alfthan,Tapio Korpela. Владелец: Outotec Finland Oy. Дата публикации: 2017-11-21.

Process flow builder customization

Номер патента: US12093727B2. Автор: Tanveer Singh RANDHAWA,Samuel William Bailey,Paul Anthony Mason,Samantha Reynard,Alex Edelstein,William Charles Eidson,Barkha KENI. Владелец: Salessforce Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Process flow diagramming based on natural language processing

Номер патента: US09875235B1. Автор: Dinesh Chanra Das,Unmesh Tambwekar,Meng Khan Seah,Terence H. Lee,Srinivasu Geddam,Vedant Dharnidharka,Archit Shukla,Vivekanand Pandey. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Method and system for input driven process flow management

Номер патента: US09740997B2. Автор: Jacob Katz,Kevin ELLISON. Владелец: Schedule 1 Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods and device for chemicals feed in process flow

Номер патента: RU2428534C2. Автор: Томми ЯКОБСОН,Мика САЛОНЕН,Мартти ЛАТВА,Томми ЯКОБСОН (FI),Мика САЛОНЕН (FI),Мартти ЛАТВА (FI). Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2011-09-10.

Infrastructure auto discovery from business process models via batch processing flows

Номер патента: WO2005008389A3. Автор: Wai Wong,Alan Young. Владелец: Computer Associates Think, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Automatic goto routing in process flow generation

Номер патента: US20230153294A1. Автор: Brady Sammons. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

System and method for creating a process flow diagram which incorporates knowledge of business rules

Номер патента: WO2021158905A1. Автор: Loan Mihai OARA. Владелец: Hatha Systems, LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Automatically generating a business process flow GUI using a symbolic annotation language

Номер патента: US09372844B2. Автор: John David HOLDER,Michael Patrick Rodgers. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of processing flow of hydrocarbons and device to this end

Номер патента: RU2446370C2. Автор: Эдуард Кунрад БРАС,МОСТАФА Хуссейн Мохаммед ИСМАИЛ,Парамасивам Сентил КУМАР. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2012-03-27.

Modular installation for processing flow of composition of reverse inflow and methods for processing it

Номер патента: RU2689452C2. Автор: Стивен Дуэйн СЭНБОРН,Имдад ИМАМ,Эндрю Филип ШАПИРО,Джон Брайан МАКДЕРМОТТ,Хариш Радхакришна АКАРИЯ,Джалаль Хунаин ЗИА,Джоанна УЭЛЛИНГТОН,Тереза Грочела РОКА. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of producing branched aromatic hydrocarbons using process flow from isomerisation unit

Номер патента: RU2349571C2. Автор: Хендрик ДИРКЗВАГЕР,Пол Мари ЭЮБ,Стивен Клоис САМРОУ,Брендан Дермот МЮРРЕЙ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2009-03-20.

Process flow granular control and execution

Номер патента: US11907385B2. Автор: Yucheng Wang. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Process flow checking system, recording medium, and process flow checking method

Номер патента: US20160062352A1. Автор: Yasuhiro Hosokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Process flow checking system, recording medium, and process flow checking method

Номер патента: US9964945B2. Автор: Yasuhiro Hosokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Automatic layout of elements in a process flow on a 2-d canvas based on representations of flow logic

Номер патента: US20210303773A1. Автор: Michael Patrick Rodgers. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Building blocks for describing process flows

Номер патента: EP1497767A2. Автор: Juergen Scholl,Dirk Rohdemann,Thomas Vomhof. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2005-01-19.

Building blocks for describing process flows

Номер патента: WO2003088074A2. Автор: Juergen Scholl,Dirk Rohdemann,Thomas Vomhof. Владелец: SAP AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2003-10-23.

Process-mining software for generating a process flow for forming a wellbore

Номер патента: US12098631B2. Автор: Paulo Alves BRAZ,Marcelo Gomes DE SOUZA,Henrique de Azevedo ARAUJO. Владелец: Landmark Graphics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Automatic determination of alternative paths for a process flow using machine learning

Номер патента: US12105725B2. Автор: Christian Posse,Michael Weil,Jason Teller,Alex Edelstein,Till Christian Bergmann,Zineb LARAKI,Penny Tselikis,Sarah Joann Aerni,Mehmet Ezbiderli. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Process flow checking system, recording medium, and process flow checking method

Номер патента: US09964945B2. Автор: Yasuhiro Hosokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Process flow designing based on connection compatibility between process components

Номер патента: US09383889B2. Автор: Rakesh Kelappan,Sambit Panda,Anil Babu Ankisettipalli,John Macregor,Sujit Ramesh A. Владелец: BUSINESS OBJECTS SOFTWARE LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Method to forecast stability of process flow of hydrocarbons with usage of near infrared spectra

Номер патента: RU2502984C2. Автор: Рон ШАРП. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2013-12-27.

Methods and device for processing flow of hydrocarbon-containing initial raw material

Номер патента: RU2569300C2. Автор: Генри РАСТЕЛЛИ,Дейвид Джеймс ШЕКТЕРЛ,Джаянт К. ГОРАВАРА. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2015-11-20.

Vacuum sampler of liquid products, pulps and suspensions from process flows

Номер патента: RU2687931C2. Автор: Юрий Владимирович Горшков,Леонид Израилевич Виленчик,Александр Васильевич Спесивцев,Андрей Геннадьевич Кузин. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТЕХНОЛИНК". Дата публикации: 2019-05-16.

Method and device for processing flow of hydrocarbons

Номер патента: RU2460022C2. Автор: Джиль Хуи Чиун ЧИНГ,Акаш Дамодар ВАНИ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2012-08-27.

Image processing apparatus for executing a process flow, method of controlling the same and storage medium

Номер патента: US8286097B2. Автор: Masamichi Tanji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Method and apparatus for taking slurry samples from a continuous gravity process flow, and use of apparatus

Номер патента: CA2883516C. Автор: Christian Von Alfthan,Tapio Korpela. Владелец: Outotec Finland Oy. Дата публикации: 2017-05-09.

Process flow diagram prediction utilizing a process flow diagram embedding

Номер патента: US20210304139A1. Автор: Sampath Dechu,Giriprasad Sridhara,Neelamadhav Gantayat. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Automatic rearrangement of process flows in a database system

Номер патента: US20200134059A1. Автор: Priya Mittal,Ankush Bansal. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

System and process for equalization of pressure of a process flow stream across a valve

Номер патента: US09746135B2. Автор: Christopher Francis Bathurst. Владелец: SOLRAY HOLDINGS Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

System and method for removal of acid component from process flow

Номер патента: RU2483785C2. Автор: Нарешкумар Б. ХАНДАГАМА,Расеш Р. КОТДАВАЛА,Барат БАБУРАО,Майкл В. ПОНТБРИАНД. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2013-06-10.

Device and method for launching one or more scrapers into process flow

Номер патента: RU2713934C2. Автор: Грей Дж. ДЖЕВЕЦКИЙ,Дуглас А. САМ,Рокси Р. РИГГЗ,Тодд К. СЭЙЛ,Дэвид Д. УИНТ,Расс К. СЭНДЕР. Владелец: Велдфит Корпорейшн. Дата публикации: 2020-02-11.

Fixed or moving bed reactors containing internal devices and radial flow processed process flow

Номер патента: RU2767954C2. Автор: Фабиан ЛАМБЕР. Владелец: Аксенс. Дата публикации: 2022-03-22.

Process flow for fabricating integrated photonics optical gyroscopes

Номер патента: US11435184B2. Автор: Avi Feshali,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Apparatus having an array of clamp on piezoelectric film sensors for measuring parameters of a process flow within a pipe

Номер патента: US7400985B2. Автор: Mark R. Fernald,Alan D. Kersey,Michael A. Davis,Timothy J. Bailey. Владелец: Cidra Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Method and system for input driven process flow management

Номер патента: CA2852597C. Автор: Jacob Katz,Kevin ELLISON. Владелец: Schedule1 Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Methods and apparatus to modify a recipe process flow associated with a process control system during recipe execution

Номер патента: EP2109022A2. Автор: James Henry Moore Jr.,Nathan William Pettus,William George Irwin,Tusar Nanda. Владелец: Fisher Rosemount Systems Inc. Дата публикации: 2009-10-14.

Process flow diagramming based on natural language processing

Номер патента: US20180107653A1. Автор: Dinesh Chanra Das,Unmesh Tambwekar,Meng Khan Seah,Terence H. Lee,Srinivasu Geddam,Vedant Dharnidharka,Archit Shukla,Vivekanand Pandey. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Techniques for communication process flow and data platform integration

Номер патента: US20240005245A1. Автор: II William Robert Jennings,Aaron Popelka,Tongyun Shang. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and system for analyzing process flows for a process performed by users

Номер патента: US11847598B2. Автор: GUHA Ramasubramanian,Sandeep Kumar,Amrutha Bailuri,Deepinder Dhuria,Sphurti Rajesh Pendke. Владелец: Edgeverve Systems Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Process flow for fabricating integrated photonics optical gyroscopes

Номер патента: US11788841B2. Автор: Avi Feshali,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

System and method for capturing and managing a process flow

Номер патента: US20040194091A1. Автор: Mason Weems,John Watters,L. Walker,Keith Smethers,Julie Holden,Kathrin Brewer. Владелец: THYME TECHNOLOGY Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method and device for taking slurry samples from a process flow

Номер патента: CA2426368C. Автор: Christian Von Alfthan. Владелец: OUTOTEC OYJ. Дата публикации: 2011-08-16.

Method and system for recording and debugging process flows

Номер патента: US20190095317A1. Автор: Rajan MODI,Muthukumar Palanisamy,Adinarayana Bellala. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

System and method for creating a process flow diagram which incorporates knowledge of the technical implementations of flow nodes

Номер патента: US20210240454A1. Автор: Ioan Mihai Oara. Владелец: Hatha Systems LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

System and method for creating a process flow diagram which incorporates knowledge of the technical implementations of flow nodes

Номер патента: EP4100832A1. Автор: Ioan Mihai Oara. Владелец: Hatha Systems LLC. Дата публикации: 2022-12-14.

System and method for creating a process flow diagram which incorporates knowledge of the technical implementations of flow nodes

Номер патента: WO2021158902A1. Автор: Ioan Mihai Oara. Владелец: Hatha Systems, LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Infrastructure auto discovery from business process models via batch processing flows

Номер патента: EP1652031A2. Автор: Wai Wong,Alan Young. Владелец: Computer Associates Think Inc. Дата публикации: 2006-05-03.

Machine learning based process flow engine

Номер патента: US20200151615A1. Автор: Kumar Nitesh,Kavitha Krishnan,Naga Sai Narasimha Guru Charan Koduri. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2020-05-14.

System and method for creating a process flow diagram which incorporates knowledge of business terms

Номер патента: US20210241191A1. Автор: Ioan Mihai Oara. Владелец: Hatha Systems LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Method and system for recording and debugging process flows

Номер патента: US20190303276A1. Автор: Rajan MODI,Muthukumar Palanisamy,Adinarayana Bellala. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Change management of process flow descriptions

Номер патента: US20120215333A1. Автор: Juergen Scholl,Dirk Rohdemann,Thomas Vomhof. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2012-08-23.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods and process flows for diffusion bonding and forming metallic sheets

Номер патента: US20170216958A1. Автор: Ravi Verma. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-08-03.

Process for optimizing process flows

Номер патента: US20060030962A1. Автор: Dietmar Steinschorn,Franz HÖFFERL. Владелец: OMV Refining and Marketing GmbH. Дата публикации: 2006-02-09.

Process for optimizing process flows

Номер патента: US7700370B2. Автор: Dietmar Steinschorn,Franz HÖFFERL. Владелец: OMV Refining and Marketing GmbH. Дата публикации: 2010-04-20.

Automated process flow in product development

Номер патента: US20050138060A1. Автор: Juergen Scholl,Stephan Toebben,Helga Walter,Ralf Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-23.

Process flow data parameters

Номер патента: US20240256609A1. Автор: Harold Hambrose,Scott Dombkowski,Max Stropkay. Владелец: Zenda LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Rule based process flow prediction

Номер патента: US20240346363A1. Автор: Abhishek Kumar,Anit Nair. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods, apparatuses, and computer program products for process flow diagram creation and embedding inside cloud-hosted process simulation system live web application

Номер патента: US20240369990A1. Автор: Alexander Petrov,Abhishek Pednekar,John Goodman,Vijayamahantesh KARPURMATH,Palavesh Kalyanasundaram. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Advanced process flow for high quality FCVD films

Номер патента: US09777378B2. Автор: Jun Xue,Srinivas D. Nemani,Erica Chen,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Process-mining software for generating a process flow for forming a wellbore

Номер патента: GB2618971A. Автор: De Azevedo Araujo Henrique,Alves Braz Paulo,Gomes De Souza Marcelo. Владелец: Landmark Graphics Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Process-mining software for generating a process flow for forming a wellbore

Номер патента: GB2618971A8. Автор: De Azevedo Araujo Henrique,Alves Braz Paulo,Gomes De Souza Marcelo. Владелец: Landmark Graphics Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Automatic determination of alternative paths for a process flow using machine learning

Номер патента: US20230244686A1. Автор: Christian Posse,Michael Weil,Jason Teller,Alex Edelstein,Till Christian Bergmann,Zineb LARAKI,Penny Tselikis,Sarah Joann Aerni,Mehmet Ezbiderli. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Multi-level graph programming interfaces for controlling image processing flow on ai processing unit

Номер патента: US20230342118A1. Автор: Chia-Yu Chang,Yu-Chieh Lin,Li-Ming Chen,Hungchun Liu,Po-Yuan Jeng,Yungchih Chiu,Cheng-Hsun HSIEH. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Process flow management

Номер патента: WO2020079488A2. Автор: Edward George JOHNSON,Brett Antony John CHERRINGTON. Владелец: AEVI International GmbH. Дата публикации: 2020-04-23.

Multi-level graph programming interfaces for controlling image processing flow on ai processing unit

Номер патента: EP4270177A1. Автор: Chia-Yu Chang,Yu-Chieh Lin,Li-Ming Chen,Po-Yuan Jeng,Cheng-Hsun HSIEH,Hung-Chun Liu,Yung-Chih CHIU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Quality management in process flows

Номер патента: WO2003088112A2. Автор: Juergen Scholl,Dirk Rohdemann,Thomas Vomhof. Владелец: SAP AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2003-10-23.

Process flow management

Номер патента: CA3116976A1. Автор: Edward George JOHNSON,Brett Antony John CHERRINGTON. Владелец: AEVI International GmbH. Дата публикации: 2020-04-23.

Process flow management

Номер патента: EP3867853A2. Автор: Edward George JOHNSON,Brett Antony John CHERRINGTON. Владелец: AEVI International GmbH. Дата публикации: 2021-08-25.

Process flow management

Номер патента: WO2020079488A3. Автор: Edward George JOHNSON,Brett Antony John CHERRINGTON. Владелец: AEVI International GmbH. Дата публикации: 2020-06-25.

Process flow management

Номер патента: WO2020079488A8. Автор: Edward George JOHNSON,Brett Antony John CHERRINGTON. Владелец: AEVI International GmbH. Дата публикации: 2020-08-13.

System, method, and program for utilizing a software state machine carrying out the process flow of a software program

Номер патента: US6598225B1. Автор: Bryce Allen Curtis,Jimmy Ming-Der Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Method and device for representing a process flow

Номер патента: US20050197868A1. Автор: Paul Girbig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Production of branched aliphatic alcohols using process flow of dehydrogenation-isomerisation installation

Номер патента: RU2349574C2. Автор: Хендрик ДИРКЗВАГЕР,Пол Мари ЭЮБ,Стивен Клоис САМРОУ,Брендан Дермот МЮРРЕЙ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2009-03-20.

Method of producing gates in full fallow

Номер патента: RU2674621C1. Автор: Михаил Ильич Мальцев. Владелец: Михаил Ильич Мальцев. Дата публикации: 2018-12-11.

Refractory block for slide gate in tank drain hole for metal melt

Номер патента: RU2561619C2. Автор: Вернер КЕЛЛЕР,Бенно ШТАЙНЕР. Владелец: Штопинк Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2015-08-27.

Hierarchical inter-panel process flow control

Номер патента: CA2037750C. Автор: Floyd Wayne Shackelford,Richard Eugene Moore. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Systems and methods for processing documents using an XML-based process flow description language

Номер патента: US20040268238A1. Автор: LIANG HSU,Peiya Liu. Владелец: Siemens Corporate Research Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Bit rate adaptation in a data processing flow

Номер патента: US7392332B2. Автор: Gilles Ries,Jean-François Agaesse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Process flow infrastructure and configuration interface

Номер патента: EP3017404A1. Автор: Michael Mccormack,Gautam Dharamshi,Derik Stenerson,Aniket NARAVANEKAR,Sandhya Vankamamidi,Wayne Higgins,Rashmi PRAKASH,Sharad Bajaj,Omar AYOUB,Brandon SIMONS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-05-11.

Automated process flow layout generation

Номер патента: US11836123B2. Автор: Brady Sammons. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US11782211B2. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Infrared detector having multi-layer structure based on cmos process

Номер патента: EP4345429A1. Автор: Hui Pan,Pei Wu,Guangjie ZHAI,Guangqiang ZHAI. Владелец: Beijing North Gaoye TechnologyCo Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Process flow optimized directed graph traversal

Номер патента: US20130291113A1. Автор: David Bryan Dewey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Process flow for model-based applications

Номер патента: US11947989B2. Автор: SRIDHAR Sudarsan,Sreenivasa Gorti,Eugene Von Niederhausern,Kevin W. Divincenzo. Владелец: SparkCognition Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Immersive learning experiences in application process flows

Номер патента: US20230274654A1. Автор: Ashok Mishra,Abhijit Avinash Yadkikar,Romesh VISWANATH,Ajit Thite,Amit Tahilramani,Ram Mohen Venkatakrishnan. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

User interface and process flow for providing an intent suggestion to a user in a text-based conversational experience with user feedback

Номер патента: US11983746B2. Автор: Amit Choudhary,Yashkumar Gandhi,Christian Leipski,Swaroop Chitlur HARIDAS,Shyam Hirachand SHINDE. Владелец: Helpshift Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Dynamic Online Process Flow Diagraming

Номер патента: US20210389756A1. Автор: Hassan Mohammadali Al Matouq. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-12-16.

Dynamic online process flow diagraming

Номер патента: WO2021257719A1. Автор: Hassan Mohammadali Al Matouq. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2021-12-23.

Metal shadow-mask in IC process flow

Номер патента: US20030068892A1. Автор: Chief Lin. Владелец: Marketech International Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: WO2024129761A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Device for detecting gates in an automatic pouring machine for casting

Номер патента: US4279290A. Автор: Hiroaki Miyano,Masahide Kosugi,Teigo Mikami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1981-07-21.

Method to assemble knife gates in chambers of sewage and water ducts of gravity flow networks

Номер патента: RU2418912C1. Автор: Аркадий Васильевич Лысенко,Евгений Николаевич Сутырин,Владимир Васильевич Доценко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "МОРСКАЯ ТЕХНИКА". Дата публикации: 2011-05-20.

Method for gating in tomographic imaging system

Номер патента: EP4406483A2. Автор: Sih-Yu Chen,Jhih-Shian Lee,Ya-Chen Chen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for gating in tomographic imaging system

Номер патента: EP4406483A3. Автор: Sih-Yu Chen,Jhih-Shian Lee,Ya-Chen Chen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Identification and implementation of clock gating in the design of integrated circuits

Номер патента: US20050028118A1. Автор: Joy Banerjee,Bhanu Kapoor,Sanjay Churiwala. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2005-02-03.

Method for Determining Fidelity of Qubit Gate in Quantum Chip, and Storage Medium

Номер патента: US20240177043A1. Автор: Feng Wu,Xingyu Chen,Xiaotong NI,Huihai ZHAO,Mingpu QIN. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for Determining Fidelity of Qubit Gate in Quantum Processor, and Storage Medium

Номер патента: US20240177040A1. Автор: Feng Wu,Xiaotong NI,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and apparatus for performing single gating in positron emission tomograpy sytems

Номер патента: US20240225585A1. Автор: LI YANG,Maria Iatrou,Wenyuan Qi,Tiantian LI,Jinyi Qi,Jeffrey Kolthammer,Evren ASMA,Yu-Jung TSAI. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adaptive tracking of targets with formation of a gate in a coordinate system associated with the target

Номер патента: RU2707581C1. Автор: Константин Константинович Васильев,Алексей Валерьевич Маттис,Олег Владимирович Саверкин,Дионисий Игоревич Шлыков. Владелец: Федеральный научно-производственный центр акционерное общество "Научно-производственное объединение "Марс". Дата публикации: 2019-11-28.

Walk-through gate, in particular, for use in airports

Номер патента: RU2589358C2. Автор: Ларс РОЗЕНБЕРГЕР,Роланд ЭБЕРТ. Владелец: Каба Галленшютц Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method for gating in tomographic imaging system

Номер патента: US11954768B2. Автор: Sih-Yu Chen,Jhih-Shian Lee,Ya-Chen Chen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for gating in tomographic imaging system

Номер патента: US20230290021A1. Автор: Sih-Yu Chen,Jhih-Shian Lee,Ya-Chen Chen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for gating in tomographic imaging system

Номер патента: US11806184B2. Автор: Sih-Yu Chen,Jhih-Shian Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Display with discrete gate-in-panel circuitry

Номер патента: US11842674B2. Автор: Sun-Il Chang,Sangmoo Choi. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Injection mold capable of planning and cutting gates in inside thereof and planning and cutting method

Номер патента: US11911942B2. Автор: Zhaohui Li. Владелец: Zhuji Bihan Jinggong Mould Plastic Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Electronic device and method for performing clock gating in electronic device

Номер патента: US20240110976A1. Автор: Ching-Feng Huang,Yu-Cheng Lo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and Apparatus for Evaluating Quantum Gate in Superconducting Circuit, Device and Storage Medium

Номер патента: US20210232964A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Array of gates in automated bee habitat

Номер патента: US20240000048A1. Автор: Zvi Yaniv,Eliyah RADZYNER,Yavin CAFRI,Shlomo FRANKIN. Владелец: Beewise Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and apparatus for evaluating quantum gate in superconducting circuit, device and storage medium

Номер патента: AU2023201780A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

System and method for reducing metastability in CMOS flip-flops

Номер патента: US09729129B2. Автор: Bhaskar Gopalan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-08.

Output control circuit for reducing through current in CMOS output buffer

Номер патента: US5034629A. Автор: Masanori Kinugasa,Satoshi Nonaka,Fuminari Tanaka,Munenobu Kida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-07-23.

CIRCUIT FOR CONVERTING A DIFFERENTIAL INPUT IN CMOS LOGIC LEVELS

Номер патента: FR2587567A1. Автор: Gerard Le Roux,Francoise Vialettes. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-03-20.

NEGATIVE FEEDBACK TO REDUCE VOLTAGE OSCILLATION IN CMOS OUTPUT BUFFERS to Reduce Voltage Oscillation in CMOS Output Buffers

Номер патента: KR987000733A. Автор: 카지 매무드. Владелец: 이시마루 미키오. Дата публикации: 1998-03-30.

Circuit for removing noise in CMOS image sensor

Номер патента: KR100725836B1. Автор: 김항규. Владелец: (주) 픽셀플러스. Дата публикации: 2007-06-08.

RF SWITCH IMPLEMENTATION IN CMOS PROCESS

Номер патента: US20130244595A1. Автор: Mostov Alex,Hasson Yaron. Владелец: DSP GROUP LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Method And System For Monolithic Integration of Photonics And Electronics In CMOS Processes

Номер патента: US20150270898A1. Автор: Pinguet Thierry,Gloeckner Steffen,De Dobbelaere Peter,Abdalla Sherif,Masini Gianlorenzo,Yokoyama Kosei,Mekis Attila,Guckenberger John. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Convolution operation circuit in CMOS image sensor

Номер патента: CN111669527B. Автор: 沈海斌,黄科杰,宋瑞冰. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-06-08.

UNIQUE PROGRAMMED MEMORY CELL IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2787922A1. Автор: Philippe Candelier,Jean Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-06-30.

Analogue digital converter and method for converting analogue to digital in cmos image sensor

Номер патента: KR20070079793A. Автор: 이광현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-08.

Accurate gain implementation in cmos sensor

Номер патента: EP2158756A1. Автор: Giuseppe Rossi. Владелец: Altasens Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

Negative feedback to reduce voltage oscillation in CMOS output buffers

Номер патента: US5473263A. Автор: Qazi Mahmood. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1995-12-05.

BIASING IN CMOS INVERTER

Номер патента: US20140103992A1. Автор: Haanstra Jan Hendrik,Jansen Richard Jan Engel. Владелец: GREENPEAK TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2014-04-17.

STATIC BISTABLE ROCKET IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2578125A1. Автор: Louis Zangara. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1986-08-29.

MEMORY ELEMENT OF THE MASTER-SLAVE TIPPER TYPE, MADE IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2732152B1. Автор: Christian Piguet,Jean Marc Masgonty. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 1997-04-30.

Shaper design in cmos for high dynamic range

Номер патента: WO2012138781A3. Автор: Gianluigi De Geronimo,Shaorui Li. Владелец: Brookhaven Sciences Associates, Llc. Дата публикации: 2012-12-06.

Reducing striped noise in cmos image sensors

Номер патента: WO1999066709A3. Автор: Richard B Merrill,Carver A Mead,Richard F Lyon,Richard M Turner. Владелец: Foveon Inc. Дата публикации: 2000-02-03.

High bit rate cell switching element in CMOS technology

Номер патента: EP0561359B1. Автор: Marco Gandini,Maura Turolla,Vinicio Vercellone,Luigi Licciardi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1999-07-07.

High bit rate cell switching element in cmos technology

Номер патента: EP0561359A3. Автор: Marco Gandini,Maura Turolla,Vinicio Vercellone,Luigi Licciardi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1995-05-17.

Electronic delay circuit in CMOS technology

Номер патента: DE102013114046A1. Автор: Eric Schafer,Benjamin Saft,André Jäger. Владелец: IMMS INST fur MIKROELEKTRONIK und MECHAKTRONIK SYSTEME GEMEINNUETZIGE GmbH. Дата публикации: 2015-06-18.

Implementation method for adaptive equalizer in cmos

Номер патента: CA2260606C. Автор: Graeme B. Boyd,Robert Sobot,David Heath Culley. Владелец: PMC Sierra Ltd. Дата публикации: 2003-07-22.

Temperature dependent bias for minimal stand-by power in CMOS circuits

Номер патента: TW200937163A. Автор: Jin Cai,Harold Pilo,Randy William Mann. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-09-01.

Circuit and method for cancellation of column pattern noise in CMOS imagers

Номер патента: US6903670B1. Автор: Hae-Seung Lee,Keith Glen Fife. Владелец: Smal Camera Technologies Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Durch ein einziges taktsignal betaetigter baustein fuer sequenzielle logik in cmos-technologie.

Номер патента: DE209829T1. Автор: Mario Torino Fassino,Guido Ivrea Torino Ghisio. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1989-06-01.

Biasing in cmos inverter

Номер патента: US20140103992A1. Автор: Jan Hendrik Haanstra,Richard Jan Engel JANSEN. Владелец: Greenpeak Tecnologies BV. Дата публикации: 2014-04-17.

Wide-band single-ended to differential converter in cmos technology

Номер патента: SG98457A1. Автор: Dasgupta Uday,Tian Hwee Teo. Владелец: Oki Techno Ct Singapore Pte. Дата публикации: 2003-09-19.

Twisted input pair of first gain stage for high signal integrity in cmos image sensor

Номер патента: WO2009038914A3. Автор: Espen Olsen,Taehee Cho,Kwang-Bo Cho,Jeffrey Gleason,Suat Utku Ay. Владелец: Suat Utku Ay. Дата публикации: 2009-07-02.

Twisted input pair of first gain stage for high signal integrity in cmos image sensor

Номер патента: WO2009038914A2. Автор: Espen Olsen,Taehee Cho,Kwang-Bo Cho,Jeffrey Gleason,Suat Utku Ay. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2009-03-26.

Oszillator in cmos-technik.

Номер патента: ATE108047T1. Автор: Juergen Schnabel. Владелец: Sel Alcatel Ag. Дата публикации: 1994-07-15.

Novel technique to generate negative conductance in cmos tuned cascode rf amplifiers

Номер патента: SG103815A1. Автор: Kok Lim Chan,Jian Guo Ma,Kiat-Seng Yeo,Manh-Anh Do,Chew Kok Wai Johnny. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-05-26.

Dynamische verstaerkerschaltung in cmos-technologie

Номер патента: DE3207771A1. Автор: Eric A. Elec.-Ing. EPUL Dr. 2053 Cernier Vittoz. Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1982-11-11.

Method for reducing coherent row-wise and column-wise fixed pattern noise in CMOS image sensors

Номер патента: TW563349B. Автор: Yuen-Shung Chieh. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-11-21.

Amplifier sharing technique for low power charge mode readout in CMOS image sensors

Номер патента: US09521342B2. Автор: Ali Mesgarani. Владелец: FORZA SILICON Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Adaptive Body Biasing In CMOS Circuits To Extend The Input Common Mode Operating Range

Номер патента: US20190052261A1. Автор: JAYARAJ Vinit,OJALA Pekka,TABLER John. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Method And System For Electro-Absorption Modulator Drivers In CMOS

Номер патента: US20200064661A1. Автор: Hissen Jurgen. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Amplifier Sharing Technique for Low Power Charge Mode Readout in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20160100116A1. Автор: Mesgarini Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

SHAPER DESIGN IN CMOS FOR HIGH DYNAMIC RANGE

Номер патента: US20140184319A1. Автор: De Geronimo Gianluigi,Li Shaorui. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

PERFECT DETECTION OF CONCURRENT FAULTS IN CMOS CIRCUITS BY EXPLOITING REVERSIBLE AND PRESERVATIVE GATES

Номер патента: US20210141015A1. Автор: ALTUN Mustafa,PARVIN Sajjad. Владелец: ISTANBUL TEKNIK UNIVERSITESI. Дата публикации: 2021-05-13.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING METASTABILITY IN CMOS FLIP-FLOPS

Номер патента: US20160164502A1. Автор: GOPALAN BHASKAR. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Protection Layer In CMOS Image Sensor Array Region

Номер патента: US20150189207A1. Автор: CHIEN Volume,JENG Chi-Cherng,CHENG Yun-Wei,WEI Chia-Yu,LIU YI-SHENG. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

PROCESS FLOW DEFINITION CREATING SYSTEM, PROCESS FLOW DEFINITION CREATING DEVICE, AND A METHOD OF CREATING PROCESS FLOW DEFINITION

Номер патента: US20140280445A1. Автор: HORI Seijiro. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method And System For Electro-Absorption Modulator Drivers In CMOS

Номер патента: US20180196287A1. Автор: Hissen Jurgen. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

ADAPTIVE BODY BIASING IN CMOS CIRCUITS TO EXTEND THE INPUT COMMON MODE OPERATING RANGE

Номер патента: US20180287604A1. Автор: JAYARAJ Vinit,OJALA Pekka,TABLER John. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Analog-to-digital converter with noise compensation in cmos image sensor

Номер патента: CN1909378B. Автор: 李明洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-03.

Apparatus and method for removing noise in CMOS image sensor

Номер патента: KR100735725B1. Автор: 김항규. Владелец: (주) 픽셀플러스. Дата публикации: 2007-07-06.

Analog-to-digital converter with noise compensation in cmos image sensor

Номер патента: CN1909378A. Автор: 李明洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-07.

Analogue Digital Converter and Method for converting Analogue to Digital in CMOS image Sensor

Номер патента: KR100782324B1. Автор: 이광현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-06.

DIFFERENTIAL TEMPERATURE SENSOR AND ITS CAPACITIES IN CMOS / BICMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2973164B1. Автор: Guillaume Savelli,Denis Cottin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-04-26.

INTEGRATED AMPLIFIER WITH OUTPUT STAGE REALIZED IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2559972B1. Автор: Louis Tallaron. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1986-05-30.

High bit rate cell switching element in cmos technology

Номер патента: CA2092664C. Автор: Marco Gandini,Maura Turolla,Vinicio Vercellone,Luigi Licciardi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1999-10-12.

DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH BIPOLAR TRANSISTORS REALIZED IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2542946B1. Автор: Eric A Vittoz. Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1987-01-30.

DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH BIPOLAR TRANSISTORS PRODUCED IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2542946A1. Автор: Eric A Vittoz. Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1984-09-21.

STATIC BISTABLE SWITCH IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2578125B1. Автор: Louis Zangara. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1987-04-10.

Frequency and phase comparator in cmos pll

Номер патента: KR100214512B1. Автор: 김영수. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

IMAGE SENSOR WITH RANDOM ACCESS IN CMOS TECHNOLOGY WITH INTEGRATED LOW PASS FILTERING

Номер патента: FR2751824B1. Автор: . Владелец: Zhu Yi Ming. Дата публикации: 2000-07-28.

LOW CONSUMPTION AMPLIFIER STAGE FOR CIRCUIT INTEGRATED IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2740279B1. Автор: Eero Heikkinen,Remi Gerber,Janick Silloray. Владелец: Matra MHS SA. Дата публикации: 1997-12-26.

UNIQUE PROGRAMMED MEMORY CELL IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2787922B1. Автор: Philippe Candelier,Jean Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-06-28.

DIFFERENTIAL TEMPERATURE SENSOR AND ITS CAPACITIES IN CMOS / BICMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2973164A1. Автор: Guillaume Savelli,Denis Cottin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-09-28.

INTEGRATED AMPLIFIER WITH OUTPUT STAGE REALIZED IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2559972A1. Автор: Louis Tallaron. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1985-08-23.

Method and system to enhance differential dynamic range and signal/noise in CMOS range finding systems using differential sensors

Номер патента: US20060157643A1. Автор: Cyrus Bamji,Khaled Salama. Владелец: Canesta Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Double speed in CMOS sensor with column parallel ADC

Номер патента: JP4532899B2. Автор: ハンソン エリック,クリムスキー アレキサンダー,ポスティニコフ コンスタンチン. Владелец: マイクロン テクノロジー， インク．. Дата публикации: 2010-08-25.

One-time programmable memory cell in cmos technology

Номер патента: US20020027822A1. Автор: Philippe Candelier,Jean-Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-03-07.

PROGRAMMABLE LOGIC NETWORK IN CMOS TECHNOLOGY.

Номер патента: FR2654881B1. Автор: Philippe Chaisemartin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1994-10-14.

Fast propagation technique in CMOS integrated circuits

Номер патента: EP1069685A1. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2001-01-17.

INTEGRATED AMPLIFIER IN CLASS AB IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2493069A1. Автор: Christian Perrin,Louis Tallaron,Jean-Claude Bertails. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1982-04-30.

Doubling of speed in CMOS sensor with column-parallel adcs

Номер патента: CN1252987C. Автор: E·汉森,A·卡里姆斯基,K·波斯蒂尼科夫. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-04-19.

Method and apparatus for canceling fixed pattern noise in CMOS image sensor

Номер патента: US7978237B2. Автор: Seog-Heon Ham,Myoung-su Lee,Su-Hun Lim,Tae-Chan Kim,Jin-Kyeong Heo,Yong-in Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Programmable logic array in CMOS technology

Номер патента: FR2654881A1. Автор: Chaisemartin Philippe. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-05-24.

Balanced microphone preamplifier in CMOS technology

Номер патента: EP0444466B1. Автор: Germano Nicollini. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-08-21.

Analog-to-digital converter with reduced power consumption in cmos image sensor

Номер патента: CN1909379B. Автор: 李明洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-01.

Analog-to-digital converter with reduced power consumption in cmos image sensor

Номер патента: CN1909379A. Автор: 李明洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-07.

Offset correction during correlated double sampling in cmos image sensor

Номер патента: CN101014081A. Автор: 李侊铉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-08.

SINGLE TRANSISTOR LEVEL TRANSLATOR, WITH LOW DYNAMIC IMPEDANCE, IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: IT1243691B. Автор: Claudio Diazzi,Fabrizio Martignoni,Albino Pidutti,Fabio Vio. Владелец: Sgs Thomson Microelectronics. Дата публикации: 1994-06-21.

Offset correction during correlated double sampling in CMOS image sensor

Номер патента: US7671908B2. Автор: Kwang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-02.

Increasing readout speed in CMOS APS sensors through block readout

Номер патента: US8054362B2. Автор: Lin-Ping Ang. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-11-08.

Current mirror using resistor ratios in cmos process

Номер патента: GB9025649D0. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1991-01-09.

Current mirror using resistor ratios in cmos process

Номер патента: HK22195A. Автор: David K Su. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1995-02-24.

Current mirror using resistor ratios in CMOS process

Номер патента: GB2239754B. Автор: David K Su. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-10-26.

System for managing logical process flow in an online environment

Номер патента: WO2002027510A8. Автор: Sathyanarayana Giridhar,Neil Smithline. Владелец: BEA Systems Inc. Дата публикации: 2002-05-16.

System for managing logical process flow in an online environment

Номер патента: EP1330717A4. Автор: Sathyanarayana Giridhar,Neil Smithline. Владелец: BEA Systems Inc. Дата публикации: 2007-01-17.

System for managing logical process flow in an online environment

Номер патента: EP1330717A1. Автор: Sathyanarayana Giridhar,Neil Smithline. Владелец: BEA Systems Inc. Дата публикации: 2003-07-30.

Current mirror using resistor ratios in CMOS process

Номер патента: US5025204A. Автор: David K. Su. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1991-06-18.

A kind of lifetime estimation method in CMOS type integrated circuit life extension test

Номер патента: CN110208684A. Автор: 朱贺,毕志伟,曹卿. Владелец: Xi'an Taiyi Electronics Co ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Power reduction in cmos imagers by trimming of master current reference

Номер патента: US20040037105A1. Автор: Giuseppe Rossi,Sandor Barna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Minimally intrusive monitoring of a multiphase process flow using a tracer

Номер патента: WO2011159816A1. Автор: Daniel L. Gysling. Владелец: Expro Meters, Inc.. Дата публикации: 2011-12-22.

Apparatus and method for creating inferential process flow measurements using other process measurements

Номер патента: US20180274961A1. Автор: Randy M. Miller. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Apparatus and method for creating inferential process flow measurements using flow restrictor and upstream and downstream pressure measurements

Номер патента: EP3601960A1. Автор: Paul A. Sweeney,Randy M. Miller,Nestor J. Perozo PINA. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Process flow control circuit

Номер патента: EP1441272A9. Автор: James Woodrow Vinson. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2005-09-07.

Process flow plate with temperature measurement feature

Номер патента: EP1212594A1. Автор: Lowell Kleven. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Process flow control circuit

Номер патента: EP1441272A8. Автор: James Woodrow Vinson. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2005-07-06.

Method for post-processing flow-sensitive phase contrast magnetic resonance images

Номер патента: WO2015089222A3. Автор: Arash Kheradvar,Ahmad Falahatpisheh. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2015-11-05.

System for process flow templating and duplication of tasks within material flow automation

Номер патента: WO2024123657A1. Автор: Jesse LEGG,Atticus Huberts,Andrew DiFurio,Stephen Ramusivich,Jenna Sivak,Tina Janulis. Владелец: SEEGRID CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-13.

Flow guide for monocrystal furnace, monocrystal furnace, and method for processing flow guide

Номер патента: EP4190950A1. Автор: Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Xuzhou Xinjing Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Flow guide for monocrystal furnace, monocrystal furnace, and method for processing flow guide

Номер патента: EP4190950A4. Автор: Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Sagnac effect based radio frequency electronic gyroscope incorporated in cmos integrated circuit

Номер патента: US20150362318A1. Автор: Nir Tal,Dan Wolberg,Daryl Wade Barry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-17.

Measuring individual device degradation in cmos circuits

Номер патента: US20180364296A1. Автор: Keith A. Jenkins,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Measurement of entrained and dissolved gases in process flow lines

Номер патента: CA2514696C. Автор: Daniel L. Gysling,Douglas H. Loose. Владелец: Cidra Corporated Services LLC. Дата публикации: 2012-12-11.

Addierzelle fuer carry-ripple-addierer in cmos-technik.

Номер патента: DE3687778D1. Автор: Karl Knauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-03-25.

DIFFERENTIAL STRUCTURE OF MEMORY CELLS WITH UNIQUE PROGRAMMING IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2787911B1. Автор: Philippe Candelier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-11-02.

Method and apparatus for optimizing body bias connections in CMOS circuits using a deep n-well grid structure

Номер патента: US7747974B1. Автор: James B. Burr,William N. Schnaitter. Владелец: Intellectual Ventures Funding LLC. Дата публикации: 2010-06-29.

Data preparation user interface for aggregate comparison of datasets at different nodes in a process flow

Номер патента: US10891041B1. Автор: Brice Johnson. Владелец: Tableau Software LLC. Дата публикации: 2021-01-12.

Data Preparation User Interface with Conglomerate Heterogeneous Process Flow Elements

Номер патента: US20200319762A1. Автор: Anushka ANAND,Brice Johnson,Arthur Gyldenege. Владелец: Tableau Software LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Data preparation user interface with conglomerate heterogeneous process flow elements

Номер патента: US20210271354A1. Автор: Anushka ANAND,Brice Johnson,Arthur Gyldenege. Владелец: Tableau Software LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Power Management for Buses in Cmos Circuits

Номер патента: US20080256377A1. Автор: Tim Pontius,Neal Wingen,Swati Saxena,Niranjan Ap. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-16.

Power management for buses in cmos circuits

Номер патента: WO2007031937A3. Автор: Tim Pontius,Neal Wingen,Swati Saxena,Niranjan Ap. Владелец: Niranjan Ap. Дата публикации: 2007-10-11.

Power management for buses in cmos circuits

Номер патента: WO2007031937A2. Автор: Tim Pontius,Neal Wingen,Swati Saxena,Niranjan Ap. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-03-22.

Controlled voltage circuit for reducing variations in cmos delay and related metehod

Номер патента: TWI372956B. Автор: Phat Truong,Jon Nguyen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-09-21.

MEASURING INDIVIDUAL DEVICE DEGRADATION IN CMOS CIRCUITS

Номер патента: US20170059644A1. Автор: JENKINS Keith A.,Linder Barry P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Device and method for using diamond nanocrystals having nv colour centres in cmos circuits

Номер патента: EP3980797A1. Автор: Jan Meijer,Robert STAACKE,Bernd Burchard. Владелец: Quantum Technologies UG. Дата публикации: 2022-04-13.

System and method to screen defect related reliability failures in CMOS SRAMS

Номер патента: EP1284498A2. Автор: Henry Chen,MING Chen,Surya Bhattacharya,Guang-Jye Shiau,Liming Tsau. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

REFERENCE CURRENT GENERATOR IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2732129B1. Автор: Henri Oguey. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 1997-06-20.

GENERATING CIRCUIT FOR A FLOATING REFERENCE VOLTAGE, IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2881850B1. Автор: Marius Reffay. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-06-01.

REFERENCE CURRENT GENERATOR IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: FR2732129A1. Автор: Henri Oguey. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 1996-09-27.

Bandgap in CMOS DGO process

Номер патента: US8278995B1. Автор: Luan Vu,Elroy Lucero. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-02.

Integrated current-source generator in cmos technology

Номер патента: DE3169594D1. Автор: Christian Perrin,Jean-Claude Bertails. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1985-05-02.

System and method to screen defect related reliability failures in CMOS SRAMS

Номер патента: US6950355B2. Автор: Henry Chen,MING Chen,Guang-Jye Shiau,Liming Tsau,Surya Battacharya. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Looped circuit and associated method for controlling the relationship between current and capacitance in CMOS and BICMOS circuit design

Номер патента: US6118330A. Автор: Peter R. Bossard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-09-12.

Reference voltage generator of a band-gap regulator type used in CMOS transistor circuit

Номер патента: US5568045A. Автор: Shin-ichi Koazechi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Graphical industry process flow simulation method in which a print job data record is input and combined with an available process flow record to form a customized process flow that can be output together with the originating job

Номер патента: DE10335326A1. Автор: Harald Woerner,Oliver Dittmar,Tina Köhler,Johannes Pfeuffer. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2004-02-26.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY REDUCING A GATE FILL ASPECT RATIO IN REPLACEMENT GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120319205A1. Автор: Wei Andy,Hempel Klaus,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD AND STRUCTURE FOR GATE HEIGHT SCALING WITH HIGH-K/METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120126335A1. Автор: Chudzik Michael P.,Liang Yue,DONATON Ricardo A.,HENSON William K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Combined Substrate High-K Metal Gate Device and Oxide-Polysilicon Gate Device, and Process of Fabricating Same

Номер патента: US20120292708A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

HIGH-K/METAL GATE TRANSISTOR WITH L-SHAPED GATE ENCAPSULATION LAYER

Номер патента: US20120299122A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey W.,MO Renee T.,NATZLE Wesley C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Preserving a Resist Material Above End Caps of Gate Electrode Structures

Номер патента: US20130065329A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130154021A1. Автор: ZHU Ming,Chuang Hak-Lay. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-20.

High-K Metal Gate Electrode Structure Formed by Removing a Work Function on Sidewalls in Replacement Gate Technology

Номер патента: US20130168773A1. Автор: Hempel Klaus,Stephan Rolf,PRINDLE Christopher. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks by Using a Multi-Layer Contact Level

Номер патента: US20130214335A1. Автор: Prindle Christopher M.,Groschopf Johannes F.,Ott Andreas R.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

CET AND GATE CURRENT LEAKAGE REDUCTION IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY HEAT TREATMENT AFTER DIFFUSION LAYER REMOVAL

Номер патента: US20130288435A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin,Bayha Boris,Grass Carsten. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

The manufacture method of high-K metal gate electrode and high-K metal gate structure thereof

Номер патента: CN103187255B. Автор: 韩秋华,黄怡,孟晓莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

BARRIER COAT FOR ELIMINATION OF RESIST RESIDUES ON HIGH k/METAL GATE STACKS

Номер патента: US20120018813A1. Автор: Wang Junli,SUNAMURA Hiroshi,Jagannathan Hemanth,Holmes Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys Formed in a Late Stage

Номер патента: US20120025266A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Polysilicon Resistors Formed in a Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049291A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049293A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATE FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20120086085A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

STRUCTURE OF HIGH-K METAL GATE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20120098067A1. Автор: Yuan Jun,Yin Haizhou,Luo Zhijiong,Park Dae-Gyu,Gluschenkov Oleg,Schepis Dominic. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-26.

FABRICATION OF SEMICONDUCTORS WITH HIGH-K/METAL GATE ELECTRODES

Номер патента: US20120112281A1. Автор: Pal Rohit,Waidmann Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

POST SILICIDE TESTING FOR REPLACEMENT HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20120119778A1. Автор: Fried David M.,Ahsan Ishtiaq,Goren Lidor,Liao Jiun-Hsin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

SILICON REMOVAL FROM SURFACES AND METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE STRUCTURES USING SAME

Номер патента: US20120135590A1. Автор: . Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: US20120138953A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120146160A1. Автор: Tan Shyue Seng,Yin Chunshan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-06-14.

PERFORMANCE ENHANCEMENT IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE STACKS AND AN EMBEDDED STRESSOR BY PERFORMING A SECOND EPITAXY STEP

Номер патента: US20120153354A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Sacrificial Spacer Approach for Differential Source/Drain Implantation Spacers in Transistors Comprising a High-K Metal Gate Electrode Structure

Номер патента: US20120156837A1. Автор: Flachowsky Stefan,Scheiper Thilo,Ruttloff Kerstin,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by Cap Layer Removal Without Sacrificial Spacer

Номер патента: US20120161243A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

Transistor Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures Including a Polycrystalline Semiconductor Material and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys

Номер патента: US20120161250A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120163103A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

METHODS OF FABRICATING HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120164822A1. Автор: Lin Jr Jung,CHEN Ryan Chia-Jen,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD FOR FABRICATING A HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120164824A1. Автор: JIANG LI,Li Mingqi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

Techniques for Enabling Multiple Vt Devices Using High-K Metal Gate Stacks

Номер патента: US20120181610A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey,Frank Martin M.,Kumar Arvind,Paruchuri Vamsi K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD AND STRUCTURE FOR PMOS DEVICES WITH HIGH K METAL GATE INTEGRATION AND SiGe CHANNEL ENGINEERING

Номер патента: US20120181631A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120184073A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Kothandaraman Chandrasekharan,BOOTH,JR. ROGER A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCTION OF VT-W EFFECT IN HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120187522A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Complementary Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Epitaxially Formed Semiconductor Materials in the Drain and Source Areas

Номер патента: US20120211838A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Beernink Gunda. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Capping STI Regions

Номер патента: US20120223407A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-06.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY REDUCING STI DIVOTS BY DEPOSITING A FILL MATERIAL AFTER STI FORMATION

Номер патента: US20120235245A1. Автор: Pal Rohit,Kronholz Stephan-Detlef. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

CONTROL OF FLATBAND VOLTAGES AND THRESHOLD VOLTAGES IN HIGH-K METAL GATE STACKS AND STRUCTURES FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20120286338A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120292719A1. Автор: TEH Young Way,AQUILINO Michael V.,SHEIKH Arifuzzaman (Arif),TAN Yun Ling,ZHANG Hao,NAIR Deleep R.,LI Jinghong H. (John). Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

DUMMY PATTERNS FOR IMPROVING WIDTH DEPENDENT DEVICE MISMATCH IN HIGH-K METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20130009250A1. Автор: Hsu Tse-Hsiang,Ko Ching-Chung,LEE Tung-Hsing. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY SELECTIVELY REMOVING A BARRIER LAYER

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Lenski Markus,Hempel Klaus,Schroeder Vivien,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

N-CHANNEL TRANSISTOR COMPRISING A HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURE AND A REDUCED SERIES RESISTANCE BY EPITAXIALLY FORMED SEMICONDUCTOR MATERIAL IN THE DRAIN AND SOURCE AREAS

Номер патента: US20130032877A1. Автор: Flachowsky Stefan,Ostermay Ina,Illgen Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130034940A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY EARLY CAP LAYER ADAPTATION

Номер патента: US20130034942A1. Автор: Wei Andy,Pal Rohit,Beyer Sven,Carter Richard. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130056837A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-07.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130069174A1. Автор: Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-21.

Metal Finger Capacitor for High-K Metal Gate Processes

Номер патента: US20130113077A1. Автор: ITO Akira,WOO Agnes Neves,Tran Pascal,Shiau Guang-Jye,Lu Chao-Yang,Wang Jung. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

HIGH-K METAL GATE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130168751A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,HUANG CHUNG-LIN,Chu Ron Fu. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

CREATING AN EMBEDDED RERAM MEMORY FROM A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130221317A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazosky David. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

MULTIPLE HIGH-K METAL GATE STACKS IN A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130277766A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Structure and Method to Modulate Threshold Voltage For High-K Metal Gate Field Effect Transistors (FETs)

Номер патента: US20130313643A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

SUPERIOR STABILITY OF CHARACTERISTICS OF TRANSISTORS HAVING AN EARLY FORMED HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20130316511A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Zakowsky Nadja. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

PREVENTING FULLY SILICIDED FORMATION IN HIGH-K METAL GATE PROCESSING

Номер патента: US20130328135A1. Автор: Guo Dechao,Bu Huiming,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang,Ramachandran Ravikumar,Chan Kevin K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

Method to Improve Reliability of High-k Metal Gate Stacks

Номер патента: US20140120707A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

High-K metal gate CMOS device and forming method thereof

Номер патента: CN105448831A. Автор: 库尔班·阿吾提. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-30.

Fin-shaped active area is prepared the method for high-K metal gate

Номер патента: CN103295889B. Автор: 严钧华,张明华,丁弋,方精训. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

DEVICE FOR COULOMETRIC MEASUREMENT OF ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF n-MOS TRANSISTOR NANOSTRUCTURES IN CMOS/SOI TECHNOLOGIES

Номер патента: RU2456627C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Татьяна Александровна Палицына. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-07-20.

Regulaere halbleiteranordnung in cmos-silizium-gate-technik

Номер патента: DD262306A1. Автор: Andreas Kuehlmann,Siegfried Ritter,Axel Vogt,Joachim Priesnitz. Владелец: Erfurt Mikroelektronik. Дата публикации: 1988-11-23.

Complex processing of vegetable stock and process flow sheet to this end

Номер патента: RU2539500C1. Автор: Борис Давидович Левин,Марина Вячеславовна Иванова,Павел Владимирович Гуров,Анна Станиславовна Пчелинцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный технологический университет" (СибГТУ). Дата публикации: 2015-01-20.

Single -particle protection circuit is used in CMOS circuit space

Номер патента: CN205283105U. Автор: 张俊杰,程长征,刘建安,刘绍辉. Владелец: Beijing Aerospace Times Optical Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Current mirror using resistor ratios in cmos process

Номер патента: SG163094G. Автор: David K Su. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1995-05-12.

The monitoring structure of p-type source and drain ion implanting Aligning degree and method in CMOS

Номер патента: CN104124234B. Автор: 倪棋梁,陈宏璘,龙吟,范荣伟,顾晓芳. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-15.

Device for compensating process and operating parameter variations in cmos integrated circuits

Номер патента: CA2291540C. Автор: Marco Burzio,Emanuele Balistreri. Владелец: Telecom Italia Lab SpA. Дата публикации: 2004-06-08.

Circuit and System of Aggregated Area Anti-Fuse in CMOS Processes

Номер патента: US20120039107A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD FOR MINIMIZING TRANSISTOR AND ANALOG COMPONENT VARIATION IN CMOS PROCESSES THROUGH DESIGN RULE RESTRICTIONS

Номер патента: US20120078604A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes

Номер патента: US20120132993A1. Автор: Pinguet Thierry,Gloeckner Steffen,De Dobbelaere Peter,Abdalla Sherif,Kucharski Daniel,Masini Gianlorenzo,Yokoyama Kosei,Mekis Attila,Guckenberger John. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes

Номер патента: US20120135566A1. Автор: Pinguet Thierry,Gloeckner Steffen,De Dobbelaere Peter,Abdalla Sherif,Kucharski Daniel,Masini Gianlorenzo,Yokoyama Kosei,John Guckenberger,Mekis Attila. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

Selective Bias Compensation for Patterning Steps in CMOS Processes

Номер патента: US20130164938A1. Автор: Shieh Ming-Feng,Chang Ching-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-27.

Metal capacitance in CMOS/BiCMOS technique

Номер патента: CN101197362A. Автор: 徐向明,田光春. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

INCREASING READOUT SPEED IN CMOS APS SENSORS THROUGH GROUP READOUT

Номер патента: US20120050595A1. Автор: Ang Lin-Ping. Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

QUALITY OF OPTICALLY BLACK REFERENCE PIXELS IN CMOS iSoCs

Номер патента: US20130181112A1. Автор: Richardson John David,Mann Richard A.. Владелец: AltaSens, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

Electromagnetic processing apparatus for fluid to be processed flowing through fluid flow path and electromagnetic processing method for fluid to be processed flowing through fluid flow path

Номер патента: JP3663398B2. Автор: 正人 宮野. Владелец: 株式会社シンコーシステムエンジニアリング. Дата публикации: 2005-06-22.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: CN106062957A. Автор: 克里希纳斯瓦米·库马尔,施慧美. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Novel technique to generate negative conductance in CMOS tuned cascode RF amplifiers

Номер патента: TW463457B. Автор: Kok Lim Chan,Jian Guo Ma,Kiat-Seng Yeo,Manh Anh Do,Kok Wai Johnny Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-11-11.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: CA1057414A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Layout design to enhance the color sensitivity of the color pixel cell in CMOS color image sensing device

Номер патента: TW586198B. Автор: Kuen-Shian Lin,Yu-Jung Chiou,Shou-Yi Shiu,Shang-Shiuan Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-05-01.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: CA1057415A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrated device

Номер патента: CA1057416A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

LEVEL CONVERTER CIRCUIT FOR USE IN CMOS CIRCUIT DEVICE PROVIDED FOR CONVERTING SIGNAL LEVEL OF DIGITAL SIGNAL TO HIGHER LEVEL

Номер патента: US20120013362A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

CIRCUIT AND SYSTEM OF USING A POLYSILICON DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR RESISTIVE DEVICES IN CMOS LOGIC PROCESSES

Номер патента: US20120044743A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

METHOD FOR INTEGRATION OF DUAL METAL GATES AND DUAL HIGH-K DIELECTRICS IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Xu Qiuxia,Xu Gaobo. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-04-19.

High Sheet Resistor in CMOS Flow

Номер патента: US20120098071A1. Автор: Aggarwal Rajni J.,YANG Jau-Yuann. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-04-26.

LOW TEMPERATURE COEFFICIENT RESISTOR IN CMOS FLOW

Номер патента: US20120108020A1. Автор: Zhao Song,BALDWIN Greg Charles,BENAISSA Kamel,LIU Sarah. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-03.

APPARATUS, METHOD, AND MANUFACTURE FOR CORRECTING COLOR SHADING IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120127322A1. Автор: SIMSON Yonatan Shlomo,Baxansky Artemy. Владелец: CSR Technology Inc.. Дата публикации: 2012-05-24.

SI PHOTODIODE WITH SYMMETRY LAYOUT AND DEEP WELL BIAS IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20120175690A1. Автор: . Владелец: National Central University. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for Manufacturing Contact Holes in CMOS Device Using Gate-Last Process

Номер патента: US20120196432A1. Автор: Yan Jiang. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

SUPPLY INDEPENDENT CURRENT REFERENCE GENERATOR IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20120217951A1. Автор: Fonderie M. Jeroen. Владелец: TOUCHSTONE SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2012-08-30.

APPARATAUS AND METHOD OF AUTOMATIC COLOR SHADING REMOVAL IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120249828A1. Автор: . Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

RECESSED WORKFUNCTION METAL IN CMOS TRANSISTOR GATES

Номер патента: US20120264285A1. Автор: Rachmady Willy,JOSHI Subhash M.,HARPER Michael K.,Mclntyre Brian. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-10-18.

METHOD OF SELECTIVE APERTURE SHARPENING AND HALO SUPPRESSION USING CHROMA ZONES IN CMOS IMAGERS

Номер патента: US20120274817A1. Автор: Sun Yajie. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

NON-RELAXED EMBEDDED STRESSORS WITH SOLID SOURCE EXTENSION REGIONS IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20120302019A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,JR. Douglas C.,La Tulipe. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR CURRENT DENSITY OPTIMIZATION IN CMOS-INTEGRATED MEMS CAPACITIVE DEVICES

Номер патента: US20120314335A1. Автор: Morris,III Arthur S.,DeReus Dana,Natarajan Saravana. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

METHOD FOR FORMING STRUCTURE FOR REDUCING NOISE IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20130023083A1. Автор: LIN TSUNG-YI,WU TIEN-CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-01-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.