INTEGRATION OF HYBRID GERMANIUM AND GROUP III-V CONTACT EPILAYER IN CMOS.

INTEGRATION OF HYBRID GERMANIUM AND GROUP III-V CONTACT EPILAYER IN CMOS

Номер патента: US20160358826A1
Опубликовано: 08-12-2016
Автор(ы): NIIMI Hiroaki, Xie Ruilong
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

(110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US09406518B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Chao-Ching Cheng,Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Integration of hybrid germanium and group III-V contact epilayer in CMOS

Номер патента: US09543216B2. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Integration of hybrid germanium and group iii-v contact epilayer in cmos

Номер патента: US20160358826A1. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09418846B1. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Dielectric interface for group iii-v semiconductor device

Номер патента: EP1955366A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,James M. Blackwell,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-13.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09679775B2. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20200075756A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20160343846A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

METHOD FOR FABRICATING FINFET ON GERMANIUM OR GROUP III-V SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20150140758A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Xu Xiaoyan,Li Jia. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Electrode structure for vertical group iii-v device

Номер патента: US20220352325A1. Автор: Wei Wang,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Yao-Chung Chang,Wei-Chen YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Dielectric interface for group III-V semiconductor device

Номер патента: TW200735216A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,James M Blackwell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ASYMMETRIC SOURCE AND DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20200203169A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,HUANG CHENG-YING,Ma Sean T.,MINUTILLO Nicholas G.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Electrode structure for vertical group III-V device

Номер патента: US11908905B2. Автор: Wei Wang,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Yao-Chung Chang,Wei-Chen YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Electrode structure for vertical group iii-v device

Номер патента: US20210376090A1. Автор: Wei Wang,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Yao-Chung Chang,Wei-Chen YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Electrode structure for vertical group iii-v device

Номер патента: US20240145554A1. Автор: Wei Wang,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Yao-Chung Chang,Wei-Chen YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer

Номер патента: US09666706B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Group III-V device structure having a selectively reduced impurity concentration

Номер патента: US09831312B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Group III-V device with a selectively modified impurity concentration

Номер патента: US09564492B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Group III-V device with a selectively reduced impurity concentration

Номер патента: US09437685B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Group III-V semiconductor structures having crystalline regrowth layers and methods for forming such structures

Номер патента: US11784248B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-10-10.

Growing groups III-V lateral nanowire channels

Номер патента: US09859397B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Renee Mo,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Growing groups iii-v lateral nanowire channels

Номер патента: US20190013393A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Renee Mo,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Growing groups iii-v lateral nanowire channels

Номер патента: US20170047399A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Renee Mo,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Growing groups iii-v lateral nanowire channels

Номер патента: US20170236902A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Renee Mo,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Growing groups iii-v lateral nanowire channels

Номер патента: US20170047424A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Renee Mo,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Growing groups III-V lateral nanowire channels

Номер патента: US9698239B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Renee Mo,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Epitaxially Growing III-V Contact Plugs for MOSFETs

Номер патента: US20150171206A1. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

CMOS implementation of germanium and III-V nanowires and nanoribbons in gate-all-around architecture

Номер патента: US09666492B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Van Le,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

TECHNIQUES FOR FORMING TRANSISTORS INCLUDING GROUP III-V MATERIAL NANOWIRES USING SACRIFICIAL GROUP IV MATERIAL LAYERS

Номер патента: US20190043993A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.,JAMBUNATHAN KARTHIK. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

Group iii-v semiconductor transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150179787A1. Автор: Young-Jin Cho,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Seong-Ho Cho,Tae-Joo Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2015-06-25.

Methods for depositing group III-V layers on substrates

Номер патента: US9299560B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Yi-Chiau Huang,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

TECHNIQUES FOR TRAINING TRANSISTORS THAT HAVE GROUP III V MATERIAL NANODRICKS USING GROUP IV MATERIAL PHOTO STENCILS

Номер патента: DE112016006574T5. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of forming a gate insulator in group III-V nitride semiconductor devices

Номер патента: US7977254B2. Автор: Jing-Yi Lin,Han-Ming Wu,Lung-Han Peng. Владелец: Tekcore Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Method for depositing a group III-V layer on a substrate

Номер патента: JP6109852B2. Автор: エロールアントニオシー．サンチェス，,エロールアントニオシー．サンチェス，,イー−チャウフアン，,シンユバオ，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-05.

Composite group III-V and group IV transistor having a switched substrate

Номер патента: US09461034B2. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Composite Group III-V and Group IV Transistor Having a Switched Substrate

Номер патента: US20150371982A1. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Group III-V HEMT having a selectably floating substrate

Номер патента: US09397089B2. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Group III-V HEMT Having a Selectably Floating Substrate

Номер патента: US20150371986A1. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-24.

Base substrate for group iii-v compound crystals and production method for same

Номер патента: US20230250552A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Base substrate for group iii-v compound crystals and production method for same

Номер патента: EP4151783A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: US20030006455A1. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: EP1267417A3. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2005-01-12.

Group iii-v schottky barrier diodes

Номер патента: US3675316A. Автор: Norman Nathan Axelrod. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1972-07-11.

Method of fabricating group III-V compound

Номер патента: US5374328A. Автор: Bruce C. Schmukler,Ronald D. Remba,Paul E. Brunemeier,Walter A. Strifler,Daniel H. Rosenblatt. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1994-12-20.

Semiconductor devices with an ohmic contact to n-type group iii-v semiconductors

Номер патента: CA1124410A. Автор: Shohei Nakahara,Felix Ermanis,Robert J. McCoy,Chuan C. Chang,Tan T. Sheng. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9640671B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Group iii-v compound semiconductor device

Номер патента: US20190267453A1. Автор: Hyunsu Ju,Jin-Dong Song,Joonyeon Chang,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-08-29.

Gate dielectric materials for group iii-v enhancement mode transistors

Номер патента: WO2008005378A2. Автор: Suman Datta,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20160233344A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Jessica S. Kachian. Дата публикации: 2016-08-11.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20150349077A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Jessica S. Kachian. Дата публикации: 2015-12-03.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20140203327A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9337291B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: WO2014116433A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-07-31.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: US20180301563A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Ohmic contacts for group III-V n-type semiconductors using epitaxial germanium films

Номер патента: US4188710A. Автор: John E. Davey,Aristos Christou. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1980-02-19.

Dual-gated group III-V merged transistor

Номер патента: US09343562B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon

Номер патента: WO2023165808A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-09-07.

A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon

Номер патента: EP4239658A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-09-06.

Ohmic contact for group iii-v p-type semiconductors

Номер патента: USRE27879E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1974-01-08.

Fabrication of group iii-v compound semiconductor devices having high and low resistivity regions

Номер патента: WO1985002495A1. Автор: Philip John Anthony,Bertram Schwartz,Louis Alex Koszi,Robert Louis Hartman. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1985-06-06.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

Techniques for integration of ge-rich p-mos source/drain contacts

Номер патента: EP3120388A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Techniques for integration of Ge-rich p-MOS source/drain contacts

Номер патента: US09859424B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Self-terminating thermal oxidation of al-containing group iii-v compound layers

Номер патента: WO1980000521A1. Автор: W Tsang. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-03-20.

Method of forming an oxide layer on a group iii-v compound

Номер патента: DE2965439D1. Автор: Won-Tien Tsang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-07-07.

Monolithic Vertically Integrated Composite Group III-V and Group IV Semiconductor Device and Method for Fabricating same

Номер патента: US20100301396A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2010-12-02.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Group III-V semiconductor device with strain-relieving layers

Номер патента: US09741841B2. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Group iii-v compound semiconductor device and passivation structure adapted therein

Номер патента: US20230290837A1. Автор: Cheng Liu,Jie Zhao,Nien-Tze Yeh,Lige Wang,Xiaoyuan Wang,Zhidong Lin,Dexiao GUO,Junlei HE. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Rough buffer layer for group III-V devices on silicon

Номер патента: US11862720B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Rough buffer layer for group iii-v devices on silicon

Номер патента: US20240088285A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Group iii-v semiconductor structures having crystalline regrowth layers and methods for forming such structures

Номер патента: EP4238137A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-06.

GROWING GROUPS III-V LATERAL NANOWIRE CHANNELS

Номер патента: US20190013393A1. Автор: Wacaser Brent A.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Mo Renee. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

GROWING GROUPS III-V LATERAL NANOWIRE CHANNELS

Номер патента: US20170047399A1. Автор: Wacaser Brent A.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Mo Renee. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

GROWING GROUPS III-V LATERAL NANOWIRE CHANNELS

Номер патента: US20170047424A1. Автор: Wacaser Brent A.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Mo Renee. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

GROUP III-V MATERIAL TRANSISTORS EMPLOYING NITRIDE-BASED DOPANT DIFFUSION BARRIER LAYER

Номер патента: US20190198658A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-27.

GROWING GROUPS III-V LATERAL NANOWIRE CHANNELS

Номер патента: US20170236902A1. Автор: Wacaser Brent A.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Mo Renee. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

SELECTIVE DOPANT JUNCTION FOR A GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160329211A1. Автор: Leobandung Effendi,Neumayer Deborah A.,Kim Young-Hee,Park Dae-Gyu,Chan Kevin K.,Rana Uzma,Kobayashi Masaharu,Hopstaken Marinus J.P.,Tai Tsong-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Method for forming gate structures for group III-V field effect transistors

Номер патента: US10566428B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-02-18.

Devices based on selectively grown epitaxial materials of groups iii-v

Номер патента: RU2643931C2. Автор: Бенджамин ЧУ-КУН,Мэтью В. МЕЦ,Джек Т. КАВАЛЬЕРОС,Роберт С. ЧАУ,Нити ДЖОЭЛ,Гилберт ДЬЮИ,Нилой МУКХЕРДЖИ,Марко РАДОСАВЛЕВИЧ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming gate structures for group iii-v field effect transistors

Номер патента: WO2019147402A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9343564B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Group III-V device structure having a selectively reduced impurity concentration

Номер патента: EP2573818A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-03-27.

Method for fabricating a semiconductor device including exposing a group III-V semiconductor to an ammonia plasma

Номер патента: US7122451B2. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-17.

Group iii-v nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus

Номер патента: CA2313155C. Автор: Masami Tatsumi,Ryu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-09-30.

Manufacturing method of a group III-V compound semiconductor device

Номер патента: US11417524B2. Автор: Eiji Nakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Isolation region in a group III-V semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US5399900A. Автор: Samuel Chen,Shuit-Tong Lee,Kei-Yu Ko. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1995-03-21.

Integrated circuit with heterogeneous CMOS integration of strained silicon germanium and group III-V semiconductor materials and method to fabricate same

Номер патента: US09735175B2. Автор: Effendi Leobandung,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Monolithic integration of silicon and group III-V devices

Номер патента: US20110210337A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-09-01.

Group iii-v compound semiconductor substrate and group iii-v compound semiconductor substrate with epitaxial layer

Номер патента: US20210057527A1. Автор: Shinya Fujiwara,Tomoaki Miyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Group iii-v compound semiconductor substrate and group iii-v compound semiconductor substrate with epitaxial layer

Номер патента: US20200052075A1. Автор: Shinya Fujiwara,Tomoaki Miyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

GaAs semiconductor substrate for group III-V compound semiconductor device

Номер патента: US8044493B2. Автор: Takayuki Nishiura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Group III-V nitride based semiconductor substrate and method of making same

Номер патента: US20100200955A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Semi-insulating group iii-v based compositions doped using bis arene titanium sources

Номер патента: CA1291926C. Автор: Andrew Gomperz Dentai,Timothy William Weidman,John Leon Zilko,Charles Howard Joyner, Jr.. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-11-12.

Group III-V transistor with semiconductor field plate

Номер патента: US09673286B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Group III-V interdiffusion prevented hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US5521404A. Автор: Toshihide Kikkawa,Hirosato Ochimizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-05-28.

Doped group iii-v nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same

Номер патента: EP1488460A1. Автор: Jeffrey S. Flynn,George R. Brandes. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-12-22.

Composite Group III-V and Group IV Transistor Having a Switched Substrate

Номер патента: US20150371982A1. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-24.

Group III-V semiconductor diode

Номер патента: CN108630744A. Автор: V·杜德克. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-10-09.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

Номер патента: KR20150087361A. Автор: 라비 필라리세티,윌리 라츠마디,벤자민 추-쿵,마르코 라도사블제빅,승 훈 성,잭 티. 카발리에로스,닐로이 무커지,길버트 듀이,반 에이치. 르,한 우이 텐,제시카 에스. 카치안. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2015-07-29.

METHOD OF FABRICATING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES USING SELECTIVE ETCHING

Номер патента: KR950701582A. Автор: 로날드 디. 렘바,폴 이. 브루네미터,부르스 씨. 슈무클러,월터 에이. 스트리플러,다니엘 에이치. 로젠블래트. Владелец: 외트킨스-존슨 캠패니. Дата публикации: 1995-04-28.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US11894465B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Structure having group III-V, Ge and SiGe Fins on insulator

Номер патента: US09761609B2. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US09484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming group iii/v conformal layers on silicon substrates

Номер патента: US20140159112A1. Автор: David K. Carlson,Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

DEEP GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM OR GROUP III-V ACTIVE LAYER

Номер патента: US20140203327A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,KACHIAN Jessica S.. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

Deep Gate-All-Around Semiconductor Device having Germanium or Group III-V Active Layer

Номер патента: US20210167216A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150200285A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION AND GRADED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20170194469A1. Автор: Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Metz Matthew V.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

DEEP GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM OR GROUP III-V ACTIVE LAYER

Номер патента: US20170194506A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,KACHIAN Jessica S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Non-planar semiconductor device having group iii-v material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US20170221990A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

DEEP GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM OR GROUP III-V ACTIVE LAYER

Номер патента: US20160233344A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,KACHIAN Jessica S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DUAL WORKFUNCTION GATE ELECTRODES

Номер патента: US20200227533A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,HUANG CHENG-YING,Ma Sean T.,Basu Dipanjan. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

DEEP GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM OR GROUP III-V ACTIVE LAYER

Номер патента: US20180301563A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,KACHIAN Jessica S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

STRUCTURE HAVING GROUP III-V, Ge AND SiGe FINS ON INSULATOR

Номер патента: US20160322392A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Group III-V HEMT Having a Diode Controlled Substrate

Номер патента: US20150371987A1. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

COMPOSITE GATE DIELECTRIC LAYER APPLIED TO GROUP III-V SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170365672A1. Автор: Sun Bing,Liu Honggang,Chang Hudong,WANG Shengkai. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION AND GRADED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20180374940A1. Автор: Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Metz Matthew V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method for etching heterostructure of group III-V material

Номер патента: JP3386207B2. Автор: シルバン、ドゥラージュ,エルベ、ブランク,シモーヌ、カセット. Владелец: タレス. Дата публикации: 2003-03-17.

Method to form group III-V and Si/Ge FINFET on insulator

Номер патента: US9123585B1. Автор: Effendi Leobandung,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Field managed group III-V field effect device with epitaxial back-side field plate

Номер патента: US11355598B2. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Process for etching a heterostructure of group III-V materials.

Номер патента: FR2697945B1. Автор: Sylvain Delage,Herve Blanck,Simone Cassette. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-01-06.

Group iii-v semiconductor devices having dual workfunction gate electrodes

Номер патента: WO2019066785A1. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Dipanjan Basu,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Non-planar semiconductor device having group iii-v material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: EP3998637A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee,Benjamim CHU-KUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-18.

Methods for making group III-V compound semi-conductor devices

Номер патента: IL108762A0. Автор: . Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1994-05-30.

Ohmic contact to group iii-v semiconductors

Номер патента: GB2021858A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1979-12-05.

Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same

Номер патента: US6693352B1. Автор: Youming Li,Wingo Huang. Владелец: Emitronix Inc. Дата публикации: 2004-02-17.

Vertical enhancement-mode group iii-v compound misfets

Номер патента: EP0257875A3. Автор: Chu-Liang Cheng. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-11-23.

Non-planar semiconductor device having group iii-v material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: KR101951131B1. Автор: 라비 필라리세티,벤자민 추-쿵,닐로이 무커지,마르코 라도사블리예비치,길버트 듀이. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-02-21.

Ion implantation into In-based group III-V compound semiconductors

Номер патента: EP0301762A1. Автор: Kou-Wei Wang. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1989-02-01.

Process for etching a heterostructure of Group III-V materials

Номер патента: FR2697945A1. Автор: Blanck Hervé,DELAGE Sylvain,Cassette Simone. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-05-13.

Semiconductor device employing group III-V nitride semiconductors and method for manufacturing the same

Номер патента: US8044434B2. Автор: Hiroaki Ohta,Hidemi Takasu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: EP1267417B1. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-03-23.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: GB201511424D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Gate dielectric materials for group III-V enhancement mode transistors

Номер патента: TW200818335A. Автор: Suman Datta,Matthew Metz,Mark L Doczy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Base substrate for group iii-v compound crystals and production method for same

Номер патента: EP4151783A4. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of high growth rate deposition for group III/V materials

Номер патента: US09834860B2. Автор: Gang He,David P. Bour,Gregg Higashi,Lori D. Washington. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical group iii-v nanowires on si, heterostructures, flexible arrays and fabrication

Номер патента: WO2010062644A3. Автор: WEI Wei,Yi Jing,Cesare Soci,Xinyu Bao,Ke Sun,Deli Wang. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2010-07-22.

High growth rate deposition for group iii/v materials

Номер патента: EP3563405A1. Автор: Gang He,David P. Bour,Gregg Higashi,Lori D. Washington. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2019-11-06.

Method of growing group III-V compound semiconductor, and method of manufacturing light-emitting device and electronic device

Номер патента: EP2086003A3. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Toshio Ueda,Eiryo Takasuka,Yasuhiko Senda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities

Номер патента: US6064078A. Автор: John E. Northrup,Linda T. Romano,Ross D. Bringans. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Group iii-v compound having layered structure and ferroelectric-like properties

Номер патента: EP3995445A1. Автор: Min-Jung Kim,Tae-Young Kim,Hong Choi,Sang-jin Choi,Woo-young SHIM,Jong-Bum Won,Ji-Hong Bae,Bo-Kyeong Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-11.

A method of manufacturing group iii-v based semiconductor materials comprising strain relaxed buffers providing possibility for lattice constant adjustment when growing on (111)si substrates

Номер патента: WO2023180389A1. Автор: Renato Bugge. Владелец: Integrated Solar. Дата публикации: 2023-09-28.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for growing group iii-v nitride film and structure thereof

Номер патента: US20110316001A1. Автор: Wei I LEE,Hsin Hsiung Huang,Kuei Ming Chen,Yen Hsien Yeh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-12-29.

Semi-insulating group III-V based compositions doped using bis arene titanium sources

Номер патента: US4782034A. Автор: Timothy W. Weidman,Andrew G. Dentai,Charles H. Joyner, Jr.,John L. Zilko. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-11-01.

Group III-V nitride series semiconductor substrate and assessment method therefor

Номер патента: US20060108590A1. Автор: Yusuke Kawaguchi. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for growth of group iii-v semiconductor material on a dielectric

Номер патента: WO2005109477A1. Автор: Vincent Gambin,Donald J. Sawdai. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-17.

Group iii-v semiconductor device and method of fabrication of same including in-situ surface passivation

Номер патента: US20240105450A1. Автор: Yoganand Saripalli,Qhalid Fareed,Brian Goodlin,Russell Fields. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

A method of epitaxial growth of a material interface between group iii-v materials and silicon wafers providing counterbalancing of residual strains

Номер патента: CA2971128C. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well

Номер патента: US6046464A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2000-04-04.

Group III-V ferromagnetic/non-magnetic semiconductor heterojunctions and magnetodiodes and related methods of monitoring magnetoresistance

Номер патента: US9612299B2. Автор: Steven J. May,Bruce W. Wessels. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-04-04.

Group III-V ferromagnetic/non-magnetic semiconductor heterojunctions and magnetodiodes

Номер патента: US9024370B1. Автор: Steven J. May,Bruce W. Wessels. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2015-05-05.

Group III-V Ferromagnetic/Non-magnetic Semiconductor Heterojunctions and Magnetodiodes

Номер патента: US20160018486A1. Автор: Steven J. May,Bruce W. Wessels. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2016-01-21.

Group III-V ferromagnetic/non-magnetic semiconductor heterojunctions and magnetodiodes and related methods of monitoring magnetoresistance

Номер патента: US09612299B2. Автор: Steven J. May,Bruce W. Wessels. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same

Номер патента: US5679965A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-10-21.

Integrated heterostructures of group iii-v nitride semicondu ctor materials and methods for fabricating the same

Номер патента: AU5374296A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1996-10-16.

Semiconductor device with group iii-v channel and group iv source-drain and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI419324B. Автор: Chun Yen Chang. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor device with group iii-v channel and group iv source-drain and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110183480A1. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: Chun-Yen Chang. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device with group III-V channel and group IV source-drain and method for manufacturing the same

Номер патента: US8148218B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-04-03.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Nelson Scott,Hughes Brett,Birkhahn Ronald H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150255592A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

ROUGH BUFFER LAYER FOR GROUP III-V DEVICES ON SILICON

Номер патента: US20220367699A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chen Kuei-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Manufacturing method of group iii-v semiconductor package

Номер патента: US20220336295A1. Автор: Kun-Lung Chen,Chan-Hong Chern,Chih-Hua Wang,Yi-An Lai,Chu-Fu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Hybrid integration of group iii-v semiconductor devices on silicon

Номер патента: EP2795675A1. Автор: John Heck,Avi Feshali,Hanan Bar,Ran FELDESH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-29.

PROCESS FOR MAKING INTERCONNECT OF GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INTERCONNECT MADE THEREBY

Номер патента: US20210074582A1. Автор: Lin Yueh-Chin,Chang Edward-Yi,Tsai Ming-Yen,CHANG Po-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Hybrid integration of group iii-v semiconductor devices on silicon

Номер патента: US20140307997A1. Автор: John Heck,Avi Feshali,Hanan Bar,Ran FELDESH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Ohmic contacts to n-type group iii-v semiconductors

Номер патента: GB2024506B. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-04-27.

Fabrication of group iii-v compound semiconductor devices having high and low resistivity regions

Номер патента: DE3475992D1. Автор: Philip Anthony,Bertram Schwartz,Robert Hartman,Louis Koszi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-02-09.

Process of depositing silicon dioxide on a group III-V semiconductor substrate by ammoniation treatment

Номер патента: TW337592B. Автор: Yeong-Her Wang,Maw-Feng Horng,Jiann-Rong Hwang. Владелец: Nat Science Council. Дата публикации: 1998-08-01.

METHOD FOR FORMING GATE STRUCTURES FOR GROUP III-V FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190237552A1. Автор: LaRoche Jeffrey R.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2019-08-01.

Group iii-v quantum dot and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2018188604A1. Автор: Yang Li,Xiaogang Peng. Владелец: Najing Technology Corporation Limited. Дата публикации: 2018-10-18.

Group III-V Device on Group IV Substrate Using Contacts with Precursor Stacks

Номер патента: US20210217922A1. Автор: Zhirong Tang,Edward Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Group iii-v quantum dot and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3607025A1. Автор: Yang Li,Xiaogang Peng. Владелец: Najing Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2020-02-12.

Method for manufacturing a semiconductor structure having group III-V device on group IV substrate and contacts with liner stacks

Номер патента: US12009437B2. Автор: Zhirong Tang,Edward Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Structure and method for process control monitoring for group III-V devices integrated with group IV substrate

Номер патента: US11929442B2. Автор: Edward Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Fabrication of flexible thin film gaas-based group iii-v solar cell on si substrate

Номер патента: WO2022139729A1. Автор: Mustafa KULAKCI,Ugur SERINCAN. Владелец: Eskisehir Teknik Universitesi. Дата публикации: 2022-06-30.

Group III-V type nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5917196A. Автор: Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Method of characterizing group III-V epitaxial semiconductor wafers incorporating an etch stop layer

Номер патента: US5639343A. Автор: Daniel Mark Dobkin. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1997-06-17.

Resonant cavity strained group iii-v photodetector and led on silicon substrate and method to fabricate same

Номер патента: US20180062353A1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180226769A1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20180219355A1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Structures for bonding a group iii-v device to a substrate by stacked conductive bumps

Номер патента: US20200227369A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Eugene Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Structures for bonding a group iii-v device to a substrate

Номер патента: US20200006271A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Eugene Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Group iii-v light emitting diode

Номер патента: US20210119082A1. Автор: Chung Hoon Lee,Toshiya Yokogawa,Chae Hon KIM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

High efficiency group III-V compound semiconductor solar cell with oxidized window layer

Номер патента: US9356162B2. Автор: Christopher Youtsey,Victor C. Elarde,John M. Dallesasse,Noren Pan,David S. McCallum. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Group III-V compound semiconductor and light-emitting device

Номер патента: US6023077A. Автор: Yoshinobu Ono,Yasushi Iyechika,Tomoyuki Takada,Katsumi Inui. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-08.

Group III-V light emitting diode

Номер патента: US11804573B2. Автор: Chung Hoon Lee,Toshiya Yokogawa,Chae Hon KIM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Monolithic Integrated Composite Group III-V and Group IV Semiconductor Device and IC

Номер патента: US20140367744A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Doped buffer layer for group iii-v devices on silicon

Номер патента: TW202025486A. Автор: 喻中一,陳祈銘,陳奎銘. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-07-01.

Monolithic vertically integrated composite group III-V and group IV semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: TW201110315A. Автор: Michael A Briere. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for preventing delamination and cracks in group III-V wafers

Номер патента: US09490172B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Episubstrates for Selective Area Growth of Group III-V Material and a Method for Fabricating a Group III-V Material on a Silicon Substrate

Номер патента: US20150115277A1. Автор: Rosmeulen Maarten,Dutta Barundeb,Motsnyi Vasyl. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-04-30.

Group iii-v compound semiconductor based heterojunction bipolar transistors with various collector profiles on a common wafer

Номер патента: US20100047986A1. Автор: Marko Sokolich,Mary Chen. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2010-02-25.

Passivation layer for group iii-v semiconductor devices

Номер патента: WO2004095517A2. Автор: Andrew N. Macinnes,Martha R. Krueger. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2004-11-04.

GROUP III-V SUBSTRATE MATERIAL WITH PARTICULAR CRYSTALLOGRAPHIC FEATURES

Номер патента: US20130082279A1. Автор: Faurie Jean-Pierre,Beaumont Bernard. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

Group III-V Transistor Utilizing a Substrate Having a Dielectrically-Filled Region

Номер патента: US20160005845A1. Автор: Kim Hyeongnam,Imam Mohamed,Veereddy Deepak. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

DOPED BUFFER LAYER FOR GROUP III-V DEVICES ON SILICON

Номер патента: US20200075314A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chen Kuei-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Group III-V Device Structure with Variable Impurity Concentration

Номер патента: US20180097072A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

METHOD FOR FORMING A TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE - GROUP III-V HETEROSTRUCTURE AND A TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200119174A1. Автор: Merckling Clement,El Kazzi Salim. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Group III-V Device Structure Having a Selectively Reduced Impurity Concentration

Номер патента: US20170141192A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Method for manufacturing group iii-v nitride semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20180166271A1. Автор: Atsushi ERA,Susumu HATAKENAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor Device having Group III-V Material Active Region and Graded Gate Dielectric

Номер патента: US20160197173A1. Автор: Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Metz Matthew V.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-07.

Group iii-v device structure

Номер патента: US20180212047A1. Автор: Shen-Ping Wang,Chien-Li Kuo,Chung-Cheng Chen,Chih-Yuan Chan,Po-Tao Chu,Ming-Hong CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD OF POLISHING GROUP III-V MATERIALS

Номер патента: US20170236718A1. Автор: Whitener Glenn,WARD William,Petro Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION WITH MULTI-DIELECTRIC GATE STACK

Номер патента: US20140332852A1. Автор: Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

SELECTIVE DOPANT JUNCTION FOR A GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254150A1. Автор: Leobandung Effendi,Neumayer Deborah A.,Kim Young-Hee,Park Dae-Gyu,Chan Kevin K.,Rana Uzma,Kobayashi Masaharu,Hopstaken Marinus J.P.,Tai Tsong-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Group III-V Device with a Selectively Reduced Impurity Concentration

Номер патента: US20140339605A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

SUBSTRATE-GATED GROUP III-V TRANSISTORS AND ASSOCIATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20200251522A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-08-06.

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20160284536A1. Автор: FUKUI Takashi,Tomioka Katsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190267453A1. Автор: CHANG Joonyeon,Ju Hyunsu,SONG JIN-DONG,LEE Gyosub. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

DEEP GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM OR GROUP III-V ACTIVE LAYER

Номер патента: US20150349077A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,KACHIAN Jessica S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

METHOD FOR FORMING GROUP III-V DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20180337093A1. Автор: Kuo Chien-Li,Lin Hsin-Chih,CHEN CHUNG-CHENG,CHU Po-Tao,WANG Shen-Ping,Chang Ming-Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-11-22.

Group III-V Device with a Selectively Modified Impurity Concentration

Номер патента: US20150380497A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

GROUP III-V SEMICONDUCTOR FUSES AND THEIR METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20200357742A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,TRONIC Tristan A.,PAUL Rajat K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Group iii-v ic with different sheet resistance 2-deg resistors

Номер патента: US20230065509A1. Автор: Hiroyuki Tomomatsu,Dong Seup Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Preventing delamination and cracks in fabrication of group III-V devices

Номер патента: US9502296B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Interconnect of group iii- v semiconductor device and fabrication method for making the same

Номер патента: US20070040274A1. Автор: Edward Yi Chang,Huang-Choung Chang,Cheng-Shih Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for manufacturing group iii-v nitride semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20180166271A1. Автор: Atsushi ERA,Susumu HATAKENAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Passivation layer for group iii-v semiconductor devices

Номер патента: WO2004095517A3. Автор: Andrew N Macinnes,Martha R Krueger. Владелец: Martha R Krueger. Дата публикации: 2005-04-28.

GROUP III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING CRYSTALLINE REGROWTH LAYERS AND METHODS FOR FORMING SUCH STRUCTURES

Номер патента: US20220140126A1. Автор: Kazior Thomas E.,LaRoche Jeffrey R.,Ip Kelly P.,Chumbes Eduardo M.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-05-05.

Group III-V Device Including a Buffer Termination Body

Номер патента: US20150115327A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160322488A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-11-03.

Group iii-v devices with delta-doped layer under channel region

Номер патента: KR101252937B1. Автор: 라비 필라리세티,로버트 에스 차우,만투 케이 휴다잇,피터 지 톨친스키,마르코 라도사블리예비치,아론 에이 버드레비츠. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2013-04-09.

Group III-V devices with delta-doped layer under channel region

Номер патента: US20100148153A1. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Aaron A. Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

REMOVAL LIQUID AND METHOD FOR REMOVING OXIDE OF GROUP III-V ELEMENT, TREATMENT LIQUID FOR TREATING COMPOUND OF GROUP III-V ELEMENT, OXIDATION PREVENTION LIQUID FOR PREVENTING OXIDATION OF GROUP III-V ELEMENT, TREATMENT LIQUID FOR TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

Номер патента: US20170309492A1. Автор: MIZUTANI Atsushi,Inaba Tadashi,TAKAHASHI Satomi,BAK Seongmu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2017-10-26.

A kind of Group III-V semiconductor single crystalline substrate hole eliminate after surface texture and preparation method thereof

Номер патента: CN104900779B. Автор: 王建峰,徐科,张育民. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-19.

A kind of method for annealing of Group III-V semiconductor wafer

Номер патента: CN110197790A. Автор: 郭海侠,薛金鹏,周翔翔,陈艳法. Владелец: Suzhou Changrui Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Planarization slurry of group III-V semiconductor material, and method of manufacturing group III-V semiconductor channel

Номер патента: KR102500369B1. Автор: 김태곤,박진구,이찬희,이성수,프라사드 나젠드라. Владелец: 한양대학교 에리카산학협력단. Дата публикации: 2023-02-14.

Method of growing a group III-V compound epitaxial second layer from the liquid phase on an Al-containing group III-V compound layer

Номер патента: EP0031808A2. Автор: Ralph Andre Logan,Won-Tien Tsang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-07-08.

METHOD OF MANUFACTURING SI-BASED HIGH-MOBILITY GROUP III-V/GE CHANNEL CMOS

Номер патента: US20150024601A1. Автор: Wang Wei,YU Hongyan,PAN Jiaoqing,LI Shiyan,Zhou Xuliang. Владелец: Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences. Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD FOR PROCESSING GATE DIELECTRIC LAYER DEPOSITED ON GERMANIUM-BASED OR GROUP III-V COMPOUND-BASED SUBSTRATE

Номер патента: US20150179439A1. Автор: Li Ming,Li Min,Huang Ru,Yun Quanxin,An Xia,Zhang Xing,Li Zhiqiang,Lin Meng,Liu Pengqiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR ETCHING GROUP III-V SEMICONDUCTOR AND APPARATUS FOR ETCHING THE SAME

Номер патента: US20160211145A1. Автор: SAMUKAWA Seiji,GU XUN,Kikuchi Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Group III-V nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus

Номер патента: EP1065299A2. Автор: Ryu c/o Osaka Works of Sumitomo Hirota,Masami c/o Osaka Works Of Sumitomo Tatsumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2001-01-03.

Surface processing method of substrate and manufacturing method of groups iii-v compound semiconductor

Номер патента: JP2007005472A. Автор: Takayuki Nishiura,隆幸西浦,Tomoyoshi Kamimura,智喜上村. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for etching multi-layer of group III-V semiconductor materials and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: KR100759808B1. Автор: 송현우,한원석,박미란,권오균. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-09-20.

Isolation region in a group iii-v semiconductor device and method of making the same

Номер патента: EP0541066A3. Автор: Samuel Chen,Shuit-Tong Lee,Kei-Yu Ko. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1995-02-15.

Method of etching for multi-layered structure of semiconductors in group III-V and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US7776752B2. Автор: Won Seok Han,Hyun Woo Song,O Kyun Kwon,Mi Ran Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-08-17.

Dislocation removal from a group iii-v film grown on a semiconductor substrate

Номер патента: US20090206324A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Dislocation removal from a group III-V film grown on a semiconductor substrate

Номер патента: US7863710B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Method of polishing group iii-v materials

Номер патента: WO2017142885A1. Автор: William Ward,Glenn Whitener,Benjamin Petro. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for producing group iii-v compound semiconductor device

Номер патента: WO2019224966A1. Автор: 栄治中井. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for manufacturing group III-V compound semiconductor

Номер патента: TW385493B. Автор: Seiya Shimizu,Yoshinobu Ono,Tomoyuki Takada,Yasushi Iechika. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2000-03-21.

Method and apparatus for diffusing zinc into groups iii-v compound semiconductor crystals

Номер патента: CA2278963A1. Автор: Yasuhiro Iguchi,Sosuke Sowa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2000-01-29.

Group iii-v compound semiconductor single crystal substrate and production method therefor

Номер патента: WO2023139759A1. Автор: 文毅中西,康二上松,和希野田. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2023-07-27.

A group iii-v substrate material with particular crystallographic features and methods of making

Номер патента: EP2893552A1. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2015-07-15.

Integration of ALD barrier layer and CVD Ru liner for void-free Cu filling

Номер патента: US09607888B2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Maekawa,Toshio Hasegawa,Fumitaka Amano,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Manabu OIE,Steven CONSIGLIO,Gert J. Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit with heterogeneous CMOS integration of strained silicon germanium and group III-V semiconductor materials and method to fabricate same

Номер патента: US9773812B2. Автор: Effendi Leobandung,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER

Номер патента: US20210057527A1. Автор: Fujiwara Shinya,MIYOSHI Tomoaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2021-02-25.

Group III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor device using the same

Номер патента: US20030146444A1. Автор: Toshikazu Onishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Group III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor device using the same

Номер патента: US20050106771A1. Автор: Toshikazu Onishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-19.

Monolithic Group III-V and Group IV Device

Номер патента: US20130337626A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-12-19.

Monolithic integrated composite group III-V and group IV semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US8530938B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-09-10.

Monolithic integrated composite group III-V and group IV device

Номер патента: US9105566B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-08-11.

Monolithic integrated composite group III-V and group IV semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: EP2333827A3. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-08-13.

Monolithic integrated composite group III-V and group IV semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110140176A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-06-16.

Group III-V semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: CN102822944B. Автор: 尚塔尔·艾尔纳,埃德·林多,苏巴实·马哈詹,兰詹·达塔,R·贝尔特拉姆. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-01-06.

Structure semi-conductrice a couche de semi-conducteur du groupe iii-v comprenant une structure cristalline a mailles hexagonales

Номер патента: EP3221881A1. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-27.

Method to form dual channel group III-V and Si/Ge FINFET CMOS and integrated circuit fabricated using the method

Номер патента: US09515090B2. Автор: Effendi Leobandung,Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Group III-V Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20140054607A1. Автор: Nelson Scott,Birkhahn Ronald,Hughes Brett. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

METHODS OF FORMING GROUP III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS ON GROUP IV SUBSTRATES AND THE RESULTING SUBSTRATE STRUCTURES

Номер патента: US20150001587A1. Автор: YANG Bin,Yang Li,Wang Kejia,Liang Shurong,Baraskar Ashish. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A GROUP III-V SEMICONDUCTOR LAYER COMPRISING A HEXAGONAL MESH CRYSTALLINE STRUCTURE

Номер патента: US20180012757A1. Автор: Charles Matthew. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2018-01-11.

METHOD TO DEFINE THE ACTIVE REGION OF A TRANSISTOR EMPLOYING A GROUP III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20160111501A1. Автор: Wong King-Yuen,YU Jiun-Lei Jerry,CHEN Po-Chih,LIN Yu-Syuan,CHANG YAO-CHUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160197161A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

HETEROGENEOUS INTERGRATION OF GROUP III-V OR II-VI MATERIALS WITH SILICON OR GERMANIUM

Номер патента: US20140299872A1. Автор: Wilshaw Peter,Mallik Kanad,Jordan Doug,De Groot Cornelis. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2014-10-09.

METHOD TO FORM GROUP III-V AND Si/Ge FINFET ON INSULATOR

Номер патента: US20150228669A1. Автор: Leobandung Effendi,Czornomaz Lukas,Fompeyrine Jean. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-13.

METHOD TO FORM DUAL CHANNEL GROUP III-V AND Si/Ge FINFET CMOS

Номер патента: US20150228670A1. Автор: Leobandung Effendi,Czornomaz Lukas,Caimi Daniele,Fompeyrine Jean. Владелец: lNTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-13.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION WITH MULTI-DIELECTRIC GATE STACK

Номер патента: US20160240612A1. Автор: Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Group III-V Device with a Selectively Modified Impurity Concentration

Номер патента: US20140339686A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

METHOD FOR FORMING GROUP III/V CONFORMAL LAYERS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20160343811A1. Автор: CARLSON DAVID K.,Ye Zhiyuan,SANCHEZ ERROL ANTONIO C.,BAO XINYU. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

THROUGH VIA EXTENDING THROUGH A GROUP III-V LAYER

Номер патента: US20170345812A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Liu Shih-Chang,Chang Yung-Chang,CHOU Chung-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Group III-V nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP4380294B2. Автор: 真佐知柴田. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-12-09.

ELECTRODE STRUCTURE FOR VERTICAL GROUP III-V DEVICE

Номер патента: US20220352325A1. Автор: Wang Wei,SU Ru-Yi,TSAI Chun Lin,CHANG YAO-CHUNG,Yang Wei-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Method to form dual channel group III-V and Si/Ge FINFET CMOS

Номер патента: US9129863B2. Автор: Effendi Leobandung,Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Group iii-v nitride semiconductor multilayer structure and its production process

Номер патента: WO2003073514A1. Автор: Seikoh Yoshida. Владелец: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2003-09-04.

Method for forming group III/V conformal layers on silicon substrates

Номер патента: US9799737B2. Автор: David K. Carlson,Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Amorphous group iii-v semiconductor material and preparation thereof

Номер патента: WO2009066286A3. Автор: Moshe Einav. Владелец: Mosaic Crystals Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group iii-v material system

Номер патента: CA2111788A1. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Peter Asbeck. Дата публикации: 1994-06-23.

Devices with group IV element-doped group III-V compound semiconductors

Номер патента: SG42926A1. Автор: Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert. Владелец: At & T Corp. Дата публикации: 1997-10-17.

P-N Junction Devices with Group IV Element-Doped Group III-V Compound Semiconductors

Номер патента: CA2100492A1. Автор: Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-02-25.

SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE OF GROUP III-V OR II-VI COMPRISING CRYSTALLINE STRUCTURE WITH CUBIC OR HEXAGONAL MESH

Номер патента: FR3028670B1. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-22.

Controlling the emission wavelength in group III-V semiconductor laser diodes

Номер патента: US09755403B2. Автор: Boon Siew Ooi,Abdul Majid Mohammed,Rami Afandy,Ahmad Aljabr. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20090034567A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor laser, optical pickup, and optical disk device with nitride type group III-V compound semiconductor layer

Номер патента: US8202750B2. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-19.

Doped group iii-v nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same

Номер патента: EP1488460A4. Автор: George R Brandes,Jeffrey S Flynn. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-02-20.

Doped group III-V nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same

Номер патента: TW200306016A. Автор: Jeffrey S Flynn,George R Brandis. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2003-11-01.

Semi-conducteur tres rapide a compose du groupe iii/v et son procede de fabrication

Номер патента: FR2611313A1. Автор: Katsuhiro Akimoto,Junko Ogawa,Koushi Tamamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-08-26.

Group III-V Transistor with Voltage Controlled Substrate

Номер патента: US20160005816A1. Автор: Kim Hyeongnam,Imam Mohamed,Veereddy Deepak. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Group III-V Lateral Transistor with Backside Contact

Номер патента: US20160005821A1. Автор: Kim Hyeongnam,Imam Mohamed,Veereddy Deepak. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

FIELD MANAGED GROUP III-V FIELD EFFECT DEVICE WITH EPITAXIAL BACK-SIDE FIELD PLATE

Номер патента: US20200013862A1. Автор: Srivastava Puneet,Piedra Daniel,Fiorenza James G.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Group III-V Transistor with Semiconductor Field Plate

Номер патента: US20150155358A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Group III-V Device Including a Shield Plate

Номер патента: US20150340483A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-11-26.

Doped group iii-v nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same

Номер патента: WO2003083950A1. Автор: Jeffrey S. Flynn,George R. Brandes. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Integration of boron arsenide into power devices and semiconductors for thermal management

Номер патента: EP4315407A1. Автор: Yongjie HU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-07.

INTEGRATED CIRCUIT WITH HETEROGENEOUS CMOS INTEGRATION OF STRAINED SILICON GERMANIUM AND GROUP III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20170104012A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Reznicek Alexander,Leobandung Effendi,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

Method for manufacturing group III-V processed substrate and group III-V processed substrate

Номер патента: JP5663210B2. Автор: マティ・カイマックス,ジェフリー・プルトワ,クレマン・メルクラン,ギィ・ブラメール. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-02-04.

Process for producing silicon semiconductor wafers with III-V layer structures for the integration of silicon devices with Group III-V layer structures based High Electron Mobility Transistors (HEMT) and corresponding semiconductor layer arrangement

Номер патента: DE102009051521A1. Автор: Ralf Lerner,Gabriel Kittler. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2011-05-19.

Nitride-based group III-V semiconductor substrate and fabrication method therefor, and nitride-based group III-V light-emitting device

Номер патента: CN101009350A. Автор: 柴田真佐知. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Nitride-based group III-V semiconductor substrate and fabrication method therefor, and nitride-based group III-V light-emitting device

Номер патента: CN101009350B. Автор: 柴田真佐知. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

Group III-V compound crystal article using selective epitaxial growth

Номер патента: US5281283A. Автор: Takao Yonehara,Hiroyuki Tokunaga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-01-25.

A process for making an interconnect of a group iii-v semiconductor device

Номер патента: TWI717829B. Автор: 張翼,林岳欽,蔡明諺,張博盛. Владелец: 國立交通大學. Дата публикации: 2021-02-01.

Method for producing group III-V nitride semiconductor crystal and method for producing group III-V nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP4735949B2. Автор: 祐一大島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Group iii-v compound semiconductor light receiving element, method for manufacturing group iii-v compound semiconductor light receiving element, light receiving element, and epitaxial wafer

Номер патента: WO2011027624A1. Автор: 貴司石塚,永井　陽一,秋田　勝史,慧藤井. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2011-03-10.

Group iii-v compound semiconductor light receiving element, method for manufacturing group iii-v compound semiconductor light receiving element, light receiving element, and epitaxial wafer

Номер патента: TW201133908A. Автор: Takashi Ishizuka,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2011-10-01.

Method for manufacturing group III-V nitride semiconductor substrate and method for manufacturing group III-V nitride device

Номер патента: JP4862442B2. Автор: 真佐知柴田. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Production of tear-free planar Group III-N, Group III-V-N and metal-nitrogen component structures on silicon substrates comprises partially structuring the silicon substrate or buffer layer deposited on it by masking and/or etching

Номер патента: DE10056645A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Armin Dadgar. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of manufacturing a group III-V compound semiconductor wafer

Номер патента: TW504746B. Автор: Yoshiki Miura,Toshiyuki Morimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2002-10-01.

METHODS FOR DEPOSITING GROUP III-V LAYERS ON SUBSTRATES

Номер патента: US20130183815A1. Автор: SANCHEZ ERROL ANTONIO C.,HUANG YI-CHIAU,BAO XINYU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

Group III-V Substrate Material With Particular Crystallographic Features And Methods Of Making

Номер патента: US20140065801A1. Автор: Faurie Jean-Pierre,Beaumont Bernard. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

HIGH GROWTH RATE DEPOSITION FOR GROUP III/V MATERIALS

Номер патента: US20180019117A1. Автор: Bour David P.,He Gang,Higashi Gregg,Washington Lori D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Passivation for Group III-V Semiconductor Devices Having a Plated Metal Layer over an Interlayer Dielectric Layer

Номер патента: US20150048484A1. Автор: Abrokwah Jonathan,Perkins Nathan,Snyder Ricky,Rumery Scott A.,Long Robert G.. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-02-19.

Device Including PCM RF Switch Integrated with Group III-V Semiconductors

Номер патента: US20200058638A1. Автор: Howard David J.,Slovin Gregory P.,Rose Jefferson E.,El-Hinnawy Nabil. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Method for Preventing Delamination and Cracks in Group III-V Wafers

Номер патента: US20160071768A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Preventing Delamination and Cracks in Fabrication of Group III-V Devices

Номер патента: US20160079122A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Dual-Gated Group III-V Merged Transistor

Номер патента: US20150162424A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

HIGH GROWTH RATE DEPOSITION FOR GROUP III/V MATERIALS

Номер патента: US20190272994A1. Автор: Kayes Brendan M.,Zhang Ling,Jain Nikhil,WU Ji,WANG Chaowei,Perl Emmett Edward,JEWELL Jason M.,CAÑIZARES Claudio Andrés. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

A METHOD OF EPITAXIAL GROWTH OF A MATERIAL INTERFACE BETWEEN GROUP III-V MATERIALS AND SILICON WAFERS PROVIDING COUNTERBALANCING OF RESIDUAL STRAINS

Номер патента: US20170352536A1. Автор: Bugge Renato,MYRVÅGNES Geir. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

MANUFACTURING METHOD OF A GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200411316A1. Автор: Nakai Eiji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for forming group III-V compound semiconductor layer

Номер патента: JP2848404B2. Автор: 隆恵下,利一井上. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-01-20.

Group iii-v substrate material with particular crystallographic features and methods of making

Номер патента: EP2761645A4. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2015-06-10.

Method and apparatus for the epitaxial deposition of monocrystalline group iii-v semiconductor material using gallium trichloride

Номер патента: EP2084304B1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-06-26.

Group III-V substrate material with particular crystallographic features

Номер патента: US8916456B2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2014-12-23.

Light-emitting device using polycrystalline semiconductor material of group III-V compound and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3207918B2. Автор: 博之徳永,秀司川崎. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-09-10.

A method of epitaxial growth of a material interface between group iii-v materials and silicon wafers providing counterbalancing of residual strains

Номер патента: EP3238229A1. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Group iii-v nitride layer and method for producing the same

Номер патента: EP2009148A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Hiroshi Fujioka,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Hidetaka Amanai. Владелец: Kanagawa Academy of Science and Technology. Дата публикации: 2008-12-31.

A method of controlled n-doping of group iii-v materials grown on (111) si

Номер патента: US20220259758A1. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Lpe growth on group iii-v compound semiconductor substrates containing phosphorus

Номер патента: SG27188G. Автор: . Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1988-09-30.

Group iii-v substrate material with particular crystallographic features and methods of making

Номер патента: EP2761645A2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2014-08-06.

A method of controlled n-doping of group III-V materials grown on (111) Si

Номер патента: AU2020312168A1. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Group III-V nitride series semiconductor substrate and assessment method therefor

Номер патента: US7323719B2. Автор: Yusuke Kawaguchi. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

A method of controlled n-doping of group iii-v materials grown on (111) si

Номер патента: CA3144807A1. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for growing group iii-v nitride film and structure thereof

Номер патента: US20100252834A1. Автор: Wei I LEE,Hsin Hsiung Huang,Kuei Ming Chen,Yen Hsien Yeh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-10-07.

Process for producing group III-V semiconductor devices on a silicon substrate

Номер патента: FR2647957A1. Автор: Jerome Beaucour. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1990-12-07.

High growth rate deposition for group iii/v materials

Номер патента: EP3969642A4. Автор: Nikhil Jain,Ling Zhang,Brendan M. Kayes,Ji Wu,Chaowei Wang,Emmett Edward Perl,Jason M. Jewell,Claudio Andres CANIZARES. Владелец: Utica Leaseco LLC. Дата публикации: 2023-09-27.

A method of manufacturing group III-V based semiconductor materials comprising strain relaxed buffers providing possibility for lattice constant adjustment when growing on (111)Si substrates

Номер патента: NO20230297A1. Автор: Renato Bugge. Владелец: Integrated Solar As. Дата публикации: 2023-09-25.

Integrated Circuit With Heterogeneous CMOS Integration Of Strained Silicon Germanium And Group III-V Semiconductor Materials And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20170125445A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Reznicek Alexander,Leobandung Effendi,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER

Номер патента: US20200052075A1. Автор: Fujiwara Shinya,MIYOSHI Tomoaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

Group III-V and Group IV Composite Diode

Номер патента: US20130175542A1. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-07-11.

Group III-V and Group IV Composite Switch

Номер патента: US20130240898A1. Автор: Briere Michael A.,MCDONALD Tim. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Monolithic Integrated Composite Group III-V and Group IV Device

Номер патента: US20130334574A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-19.

Integrated Composite Group III-V and Group IV Semiconductor Device

Номер патента: US20140008663A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-09.

Monolithic Integrated Group III-V and Group IV Device

Номер патента: US20140035005A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

Group III-V and Group IV Composite Switch

Номер патента: EP2639829A2. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-09-18.

Group III-V semiconductor devices including semiconductor materials made by spatially-selective intermixing of atoms on the group V sublattice

Номер патента: US20040099856A1. Автор: YING-LAN Chang,Tetsuya Takeuchi,David Bour,Danny Mars. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-05-27.

Semi-insulating single crystal of the group iii-v compounds

Номер патента: JPS52117300A. Автор: Yasuhiro Nishida,Keiichiro Fujita,Shinichi Akai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1977-10-01.

Group III-V Voltage Converter with Monolithically Integrated Level Shifter, High Side Driver, and High Side Power Switch

Номер патента: US20150162832A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-06-11.

Method To Form Group III-V And Si/Ge FINFET On Insulator And Integrated Circuit Fabricated Using The Method

Номер патента: US20150249100A1. Автор: Leobandung Effendi,Czornomaz Lukas,Fompeyrine Jean. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Method To Form Dual Channel Group III-V And Si/Ge FINFET CMOS And Integrated Circuit Fabricated Using The Method

Номер патента: US20150270289A1. Автор: Leobandung Effendi,Czornomaz Lukas,Caimi Daniele,Fompeyrine Jean. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Group III-V Ferromagnetic/Non-magnetic Semiconductor Heterojunctions and Magnetodiodes

Номер патента: US20170269172A1. Автор: Wessels Bruce W.,May Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Group III-V HEMT Having a Selectably Floating Substrate

Номер патента: US20150371986A1. Автор: Pan Yang,Imam Mohamed. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Integrated heterostructures of group iii-v nitride semiconductor materials and methods for fabricating the same

Номер патента: WO1996030945A3. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: Jan Frederick Schetzina. Дата публикации: 1996-12-12.

Nitride group III-V compound semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR970054585A. Автор: 다이스께 하나오까,가쯔끼 후루까와. Владелец: 샤프 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-07-31.

Integration of an auxiliary device with a clamping device in a transient voltage suppressor

Номер патента: US09853119B2. Автор: Tao Wei,Andrew J. Morrish. Владелец: Bourns Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Group III-V nitride-based semiconductor substrate and group III-V nitride-based light emitting device

Номер патента: TW200818548A. Автор: Masatomo Shibata. Владелец: Hitachi Cable. Дата публикации: 2008-04-16.

The manufacturing method of compound semiconductor wafer, photo-electric conversion element and Group III-V compound semiconductor monocrystalline

Номер патента: CN108977888A. Автор: 野田朗,平野立一,太田优,平野立. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6130147A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,Jo S. Major. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Group iii-v nitride semiconductor substrate and its manufacturing method, group iii-v nitride semiconductor device, and lot of group iii-v nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP2009132613A. Автор: 真佐知柴田,Masatomo Shibata. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Solution and method for removal of group iii-v element oxide, solution for treatment of group iii-v element compound, solution for preventing oxidation of group iii-v element, and method for production of semiconductor substrate product

Номер патента: TW201634668A. Автор: Tadashi Inaba,Atsushi Mizutani,Satomi Takahashi,Seong-Mu Bak. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-10-01.

Group III-V and group IV composite diode

Номер патента: EP2639832A2. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-09-18.

Solution and method for removal of group iii-v element oxide, solution for treatment of group iii-v element compound, solution for preventing oxidation of group iii-v element, solution for treatment of semiconductor substrate, and method for production of semiconductor substrate product

Номер патента: WO2016129509A1. Автор: 篤史水谷,稲葉　正,智美高橋,星戊朴. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2016-08-18.

GaN group III-V family nitride light-emitting diode and its production method

Номер патента: CN1367540A. Автор: 郭准燮,赵济熙,李教烈,蔡秀熙. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-04.

Dilute group iii-v nitride intermediate band solar cells with contract blocking layers

Номер патента: CN102576775A. Автор: W·瓦鲁奇威兹,K·M·禹. Владелец: Rosestreet Labs Energy Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR, METHOD OF FABRICATING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR, PHOTO DETECTOR, AND EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20140061588A1. Автор: Ishizuka Takashi,Akita Katsushi,Fujii Kei,Nagai Youichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR, METHOD OF FABRICATING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR, PHOTO DETECTOR, AND EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20150001466A1. Автор: Ishizuka Takashi,Akita Katsushi,Fujii Kei,Nagai Youichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD FOR PRODUCING GROUP III-V SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE, METHOD FOR PRODUCING GROUP III-V SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT, AND FLOW REACTION SYSTEM

Номер патента: US20200017358A1. Автор: Matsumoto Hideki,WADA Kenji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2020-01-16.

Group iii-v compound semiconductor solar cell, method of manufacturing group iii-v compound semiconductor solar cell, and artificial satellite

Номер патента: US20190035965A1. Автор: Takaaki Agui. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Group iii-v nitride-based light emitting devices having multilayered p-type contacts

Номер патента: US20180277715A1. Автор: Dong Liu,Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-09-27.

Growth of group III nitride or group III-V nitride layers

Номер патента: GB2332563A8. Автор: Jonathan Heffernan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Group iii-v semiconductor device with flip-chip and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2008140873A. Автор: Masanobu Ando,雅信安藤,Takayoshi Yajima,孝義矢嶋. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Solar cell structure of Group III-V semiconductor and method of manufacturing the same

Номер патента: TW201145533A. Автор: yi-xi Zhang,Ji-Yi Liu. Владелец: An Ching New Energy Machinery & Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Group III-V/zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots

Номер патента: US09478700B2. Автор: James Harris,Steven Daniels,Paul Glarvey,Arun Narayanaswamy,Katherine Orchard. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Stacked Composite Device Including a Group III-V Transistor and a Group IV Diode

Номер патента: US20120256190A1. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-10-11.

Monolithic Group III-V Power Converter

Номер патента: US20120293147A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-11-22.

GAN BASED GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130087764A1. Автор: Cho Jae-Hee,CHAE Su-hee,KWAK Joon-seop,LEE Kyo-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

STRUCTURES FOR BONDING A GROUP III-V DEVICE TO A SUBSTRATE

Номер патента: US20200006271A1. Автор: Chen Eugene,Tsai Chia-Shiung,Liu Ming Chyi,Chen Jhih-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Group III-V/Zinc Chalcogenide Alloyed Semiconductor Quantum Dots

Номер патента: US20170009134A1. Автор: Harris James,Narayanaswamy Arun,DANIELS Steven,Glarvey Paul,Orchard Katherine. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Group III-V Ferromagnetic/Non-magnetic Semiconductor Heterojunctions and Magnetodiodes

Номер патента: US20160018486A1. Автор: Wessels Bruce W.,May Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

RESONANT CAVITY STRAINED GROUP III-V PHOTODETECTOR AND LED ON SILICON SUBSTRATE AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20180062353A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20180069376A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

GROUP III-V SUBSTRATE MATERIAL WITH THIN BUFFER LAYER AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20140185639A1. Автор: Faurie Jean-Pierre,Beaumont Bernard. Владелец: SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS. Дата публикации: 2014-07-03.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20190140424A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS WITH DILUTE GROUP III-V NITRIDES

Номер патента: US20140261690A1. Автор: Walukiewicz Wladyslaw,Yu Kin Man. Владелец: Ernest Orlando Lawrence Berkeley National Laboratory. Дата публикации: 2014-09-18.

Group III-V/Zinc Chalcogenide Alloyed Semiconductor Quantum Dots

Номер патента: US20140264172A1. Автор: Harris James,Narayanaswamy Arun,DANIELS Steven,Glarvey Paul,Orchard Katherine. Владелец: NANOCO TECHNOLOGIES, LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor Structure Having Group III-V Device on Group IV Substrate and Contacts with Liner Stacks

Номер патента: US20210217903A1. Автор: Tang Zhirong,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Fabrication of Semiconductor Structure Having Group III-V Device on Group IV Substrate with Separately Formed Contacts Using Different Metal Liners

Номер патента: US20210217904A1. Автор: Tang Zhirong,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Structure and Method for Process Control Monitoring for Group III-V Devices Integrated with Group IV Substrate

Номер патента: US20210217908A1. Автор: Edward Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor Structure Having Group III-V Device on Group IV Substrate and Contacts with Precursor Stacks

Номер патента: US20210217921A1. Автор: Zhirong Tang,Edward Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Group III-V Device on Group IV Substrate Using Contacts with Precursor Stacks

Номер патента: US20210217922A1. Автор: Tang Zhirong,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20180219355A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180226769A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

STRUCTURES FOR BONDING A GROUP III-V DEVICE TO A SUBSTRATE BY STACKED CONDUCTIVE BUMPS

Номер патента: US20200227369A1. Автор: Chen Eugene,Tsai Chia-Shiung,Liu Ming Chyi,Chen Jhih-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

METHOD OF EPITAXIAL GROWTH OF A MATERIAL INTERFACE BETWEEN GROUP III-V MATERIALS AND SILICON WAFERS PROVIDING COUNTERBALANCING OF RESIDUAL STRAINS

Номер патента: US20190252571A1. Автор: Bugge Renato,MYRVÅGNES Geir. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

FORMATION OF GROUP III-V MATERIAL LAYERS ON PATTERNED SUBSTRATES

Номер патента: US20140367696A1. Автор: SU Jie,KRYLIOUK OLGA,CUI Jie,KANG Sang Won,NG Tuoh-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

GROUP III-V NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICES HAVING MULTILAYERED P-TYPE CONTACTS

Номер патента: US20180277715A1. Автор: Liu Dong,Ma Zhenqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Depletion Mode Group III-V Transistor with High Voltage Group IV Enable Switch

Номер патента: US20140375242A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Group iii-v quantum dot and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301592A1. Автор: Yang Li,Xiaogang Peng. Владелец: Najing Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Group III-V Quantum Dots, Method for Preparing the Same

Номер патента: US20200318002A1. Автор: LI YANG,Peng Xiaogang. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Method of Substrate Lift-off for High-Efficiency Group III-V Solar Cell for Reuse

Номер патента: US20200335656A1. Автор: Shi Jin-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

SUBSTRATE USED FOR GROUP III-V NITRIDE GROWTH AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20160359083A1. Автор: Ma Yue,Xi Ming,QI SHENGLI,XING Zhigang,LIU Wendi,HAO Maosheng,ZHU Guangmin,YUAN Genru,LI Zhenyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Formation of group III-V material layers on patterned substrates

Номер патента: US9196795B2. Автор: Jie Su,Tuoh-Bin Ng,Olga Kryliouk,Sang Won Kang,Jie Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Formation of group III-V material layers on patterned substrates

Номер патента: US8765501B2. Автор: Jie Su,Tuoh-Bin Ng,Olga Kryliouk,Sang Won Kang,Jie Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Group iii-v substrate material with thin buffer layer and methods of making

Номер патента: TWI529964B. Автор: 傑恩皮耶法雷,柏納德鮑蒙特. Владелец: 聖戈班晶體探測器公司. Дата публикации: 2016-04-11.

Group III-V compound semiconductor and method of producing the same

Номер патента: KR100761673B1. Автор: 이에치카야스시,히라마쓰가즈마사,미야케히데토,마에다다카요시. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor structure having group III-V device on group IV substrate and contacts with liner stacks

Номер патента: US11545587B2. Автор: Zhirong Tang,Edward Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-01-03.

Stacked composite device including a group III-V transistor and a group IV lateral transistor

Номер патента: EP2511953B1. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2019-06-12.

Stacked composite device including a group III-V transistor and a group IV vertical transistor

Номер патента: US9343440B2. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Dilute group iii-v nitride intermediate band solar cells with contract blocking layers

Номер патента: WO2011031683A2. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Kin Man Yu. Владелец: ROSESTREET LABS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2011-03-17.

Integrated power stage with group III-V transistors

Номер патента: EP2706651A2. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-03-12.

Method of manufacturing group iii-v compound semiconductor solar battery

Номер патента: EP0272636B1. Автор: Susumu Mitsubishi Denki K. K. Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-04-24.

Group III-V/Zinc Chalcogenide Alloyed Semiconductor Quantum Dots

Номер патента: KR102098788B1. Автор: 스티븐 다니엘스,제임스 해리스,폴 앤써니 글라베이,캐서린 오차드,아룬 나라야나스와미. Владелец: 나노코 테크놀로지스 리미티드. Дата публикации: 2020-04-08.

Group III-V semiconductor light emitting devices with reduced piezoelectric fields and increased efficiency

Номер патента: US6229151B1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Norihide Yamada. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-05-08.

High efficiency group iii-v compound semiconductor solar cell with oxidized window layer

Номер патента: US20100186822A1. Автор: Christopher Youtsey,Victor C. Elarde,John M. Dallesasse,Noren Pan,David S. McCallum. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Group iii-v/zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots

Номер патента: TWI547540B. Автор: 史蒂芬丹尼爾斯,詹姆仕哈瑞斯,保羅葛拉芙瑞,卡薩琳奧查德,亞瑞娜拉雅那斯娃咪. Владелец: 納諾柯技術有限公司. Дата публикации: 2016-09-01.

Group iii-v compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: JPS617674A. Автор: Yoshitake Katou,芳健加藤. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-14.

Group III-V/zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots

Номер патента: TW201502238A. Автор: James Harris,Steven Daniels,Paul Glarvey,Arun Narayanaswamy,Katherine Orchard. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-01-16.

Method for manufacturing group iii-v nanorod solar cells to enable substrate recycling

Номер патента: WO2023287120A1. Автор: 김효진. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of producing group iii-v compound semiconductor, schottky barrier diode, light emitting diode, laser diode, and methods of fabricating the diodes

Номер патента: US20080251801A1. Автор: Masaki Ueno,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Depletion mode group III-V transistor with high voltage group IV enable switch

Номер патента: EP2816729A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-12-24.

Infrared detector composed of group III-V nitrides

Номер патента: US7180066B2. Автор: Chang-Hua Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-20.

QUATERNARY ALLOY PHOTODIODE OF ELEMENTS OF GROUPS III-V.

Номер патента: IT7927044D0. Автор: Kressel Henry,Olsen Gregorj Hammond. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-11-05.

Formation of group iii-v material layers on patterned substrates

Номер патента: US20110210425A1. Автор: Jie Su,Tuoh-Bin Ng,Olga Kryliouk,Sang Won Kang,Jie Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

Compound semiconductor wafer, photoelectric conversion element, and method for producing group iii-v compound semiconductor single crystals

Номер патента: EP4119703A1. Автор: Akira Noda,Masaru Ota,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-01-18.

Group iii-v/zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots

Номер патента: CN105051153A. Автор: 史蒂文·丹尼尔斯,詹姆斯·哈里斯,保罗·安东尼·格拉维,凯瑟琳·奥查德,阿伦·纳拉亚纳斯瓦米. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Method of producing group III-V compound semiconductor, Schottky barrier diode, light emitting diode, laser diode, and method of fabricating the diodes

Номер патента: EP1981069A2. Автор: Masaki Ueno,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-10-15.

Group iii-v/zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots

Номер патента: WO2014162208A3. Автор: James Harris,Steven Daniels,Paul Glarvey,Arun Narayanaswamy,Katherine Orchard. Владелец: NANOCO TECHNOLOGIES, LTD.. Дата публикации: 2014-12-24.

Process for the production of photovoltaic elements with group III / V semiconductors

Номер патента: DE102012212184B4. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for manufacturing group III-V compound semiconductors

Номер патента: US20020066403A1. Автор: Akira Usui,Haruo Sunakawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of fabricating vertically aligned group III-V nanowires

Номер патента: US8895337B1. Автор: Qiming Li,George T. Wang. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Group iii-v nitride-based semiconductor substrate

Номер патента: TWI355756B. Автор: Masatomo Shibata. Владелец: Hitachi Cable. Дата публикации: 2012-01-01.

Method for making a group III-V nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW200739692A. Автор: Kazumasa Ueda,Naohiro Nishikawa,Kenji Kasahara. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2007-10-16.

Methods and devices for solderless integration of multiple semiconductor dies on flexible substrates

Номер патента: US20200303312A1. Автор: Rameen Hadizadeh. Владелец: Wispry Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods and devices for solderless integration of multiple semiconductor dies on flexible substrates

Номер патента: WO2019199966A1. Автор: Rameen Hadizadeh. Владелец: WISPRY, INC.. Дата публикации: 2019-10-17.

INTEGRATION OF LOW ⊂ THIN FILMS AND Ta INTO Cu DAMASCENE

Номер патента: WO2002069395B1. Автор: Chung J Lee. Владелец: Dielectric Systems Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Integration of optical components in integrated circuits by separating two substrates with an insulation layer

Номер патента: US09435947B2. Автор: Errol T. Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200251469A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200381425A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Integriertes Schutzbauelement gegen elektrostatische Entladungen für Hochvolt-MOS-Transistoren in CMOS-Schaltkreisen

Номер патента: DE102013009305A1. Автор: Lutz Steinbeck. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of integration of components to plate-base

Номер патента: RU2327311C2. Автор: Ристо ТУОМИНЕН. Владелец: Имбера Электроникс Ой. Дата публикации: 2008-06-20.

Mixed Dielectric Materials for Improving Signal Integrity of Integrated Electronics Packages

Номер патента: US20230395444A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Scalable Integration of Hybrid Optoelectronic and Quantum Optical Systems into Photonic Circuits

Номер патента: US20210224678A1. Автор: Dirk Robert Englund,Jacques Johannes CAROLAN,Ian Robert Christen,Noel WAN,Tsung-Ju LU. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-07-22.

Monolithic integration of plenoptic lenses on photosensor substrates

Номер патента: US09647150B2. Автор: Jorge Vicente Blasco Claret. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-09.

Circuit integrity detection system for detecting the integrity of a sensing wire in electrically heated textiles

Номер патента: US09519017B2. Автор: Gabriel Kohn. Владелец: Sunbeam Products Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Integration of electronic chips onto a photonic chip

Номер патента: US09726840B2. Автор: Long Chen. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate

Номер патента: WO2020210563A1. Автор: Gang He,Sheila Hurtt. Владелец: Raxium, Inc.. Дата публикации: 2020-10-15.

Integration of ferroelectric memory devices with transistors

Номер патента: US11758738B2. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Integration of ferroelectric memory devices having stacked electrodes with transistors

Номер патента: US20240099018A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Integration of ferroelectric memory devices having stacked electrodes with transistors

Номер патента: US12137574B2. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Power module with the integration of control circuit

Номер патента: US09887183B2. Автор: Zeng Li,Tao Wang,Kai Lu,Zhenqing ZHAO. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Monolithic integration of multicolor light emitting diodes

Номер патента: US20240213299A1. Автор: Yi Sun,Yuanpeng Wu,Zetian Mi,Xianhe Liu,Yakshita MALHOTRA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-27.

Layouts for the monolithic integration of cmos and deposited photonic active layers

Номер патента: EP1794797A1. Автор: Carlos J.R.P. Augusto. Владелец: Quantum Semiconductor LLC. Дата публикации: 2007-06-13.

Mechanical integration of buttons for piezo-electric actuators

Номер патента: US11502238B2. Автор: Guillaume Chauvette. Владелец: Boreas Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Method for forming structure for reducing noise in CMOS image sensors

Номер патента: US8283196B2. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Method and system for hybrid integration of optical communication systems

Номер патента: US09625665B2. Автор: Mark Peterson,Thierry Pinguet,Sherif Abdalla,Gianlorenzo Masini. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20110165722A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20130023083A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20140252525A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for forming structure for reducing noise in CMOS image sensors

Номер патента: US9263486B2. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Heterogeneous packaging integration of photonic and electronic elements

Номер патента: US20240241329A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Stefan Rusu,Wei-wei Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for hybrid integration of optical communication systems

Номер патента: US09829661B2. Автор: Mark Peterson,Thierry Pinguet,Sherif Abdalla,Gianlorenzo Masini,Peter DeDobbelaere. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Group iii-v semiconductor devices

Номер патента: GB1594947A. Автор: . Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1981-08-05.

Semiconductor Structure Having Group III-V Device on Group IV Substrate

Номер патента: US20210218219A1. Автор: Preisler Edward,Martynov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor Structure Having Group III-V Chiplet on Group IV Substrate and Cavity in Proximity to Heating Element

Номер патента: US20210218225A1. Автор: Preisler Edward,Rezaie Farnood. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

CONTROLLING THE EMISSION WAVELENGTH IN GROUP III-V SEMICONDUCTOR LASER DIODES

Номер патента: US20160380409A1. Автор: OOI Boon Siew,Mohammed Abdul Majid,Afandy Rami,Aljabr Ahmed. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Ridge laser with oxidized strain-compensated superlattice of group III-V semiconductor

Номер патента: US6407407B1. Автор: Frederick G. Johnson,Bikash Koley,Linda M. Wasiczko. Владелец: National Security Agency. Дата публикации: 2002-06-18.

Multilayered group iii-v material having a high quality active layer

Номер патента: GB1344859A. Автор: . Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1974-01-23.

GaN-based group III-V semiconductor device and its production method

Номер патента: DE602004022495D1. Автор: Won-seok Lee,Tan Sakong,Joong-kon Son,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-24.

Power converter including integrated driver for depletion mode group III-V transistor

Номер патента: US09438112B2. Автор: Ahmed Masood,Alberto Guerra. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Integration of molten carbonate fuel cells in fischer-tropsch synthesis

Номер патента: US09735440B2. Автор: Frank Hershkowitz,Kevin Taylor,Paul J. Berlowitz,Timothy Andrew Barckholtz. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Integration of molten carbonate fuel cells in fischer-tropsch synthesis

Номер патента: US09650246B2. Автор: Frank Hershkowitz,Paul J. Berlowitz,Timothy A. Barckholtz. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Integration of molten carbonate fuel cells in Fischer-Tropsch synthesis

Номер патента: US09647284B2. Автор: Paul J. Berlowitz,Timothy Andrew Barckholtz,Frank H. Hershkowitz. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2017-05-09.

Integration of molten carbonate fuel cells in methanol synthesis

Номер патента: US09343764B2. Автор: Frank Hershkowitz,Paul J. Berlowitz,Timothy Andrew Barckholtz,Anita S. Lee. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2016-05-17.

Device and method for adjustment of hybrid electric vehicle storage battery temperature

Номер патента: RU2546354C2. Автор: АКСЕЛЬССОН Тобиас,Муден Ги,ЛАРССОН Юхан,ЛЕННЕВИ Йеркер. Владелец: Вольво Ластвагнар Аб. Дата публикации: 2015-04-10.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Recovery of the components of group iii-v material aqueous wastes

Номер патента: WO1999018041A1. Автор: Jeffrey Allen Sturgill,Joseph Thomas Swartzbaugh. Владелец: The University Of Dayton. Дата публикации: 1999-04-15.

Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same

Номер патента: US09884763B1. Автор: Erik C. Scher,Joel Gamoras,William P. Freeman,Mihai A. Buretea,Balxin Qian,Jeffrey A. Whiteford. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same

Номер патента: US09688534B1. Автор: Erik C. Scher,Joel Gamoras,William P. Freeman,Mihai A. Buretea,Baixin Qian,Jeffrey A. Whiteford. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus for forming a group ii-vi or group iii-v compound

Номер патента: CA1090986A. Автор: William A. Gault. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-12-09.

Colloidal ternary group iii-v nanocrystals synthesized in molten salts

Номер патента: US20190389738A1. Автор: Dmitri V. Talapin,Vishwas SRIVASTAVA. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2019-12-26.

Metal organic vapor phase epitaxial growth of group iii-v semiconductor materials

Номер патента: CA1313343C. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Layered group iii-v compound and nanosheet containing antimony, and electrical device using the same

Номер патента: US20220081802A1. Автор: Woo-young SHIM,Ji-Hong Bae. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-03-17.

Single crystal of compound semiconductor of groups III-V with low dislocation density

Номер патента: US4584174A. Автор: Atsushi Shimizu,Mikio Morioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-04-22.

Power Converter Including Integrated Driver for Depletion Mode Group III-V Transistor

Номер патента: US20140055109A1. Автор: Masood Ahmed,Guerra Alberto. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

Integrated Group III-V Power Stage

Номер патента: US20140070627A1. Автор: Briere Michael A.,MCDONALD Tim. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Group III - V semiconductor devices with improved switching speeds

Номер патента: US4935647A. Автор: William Larkins. Владелец: Vitesse Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Apparatus and method for guaranteeing integrity of real-time vehicle data and vehicle black box system using same

Номер патента: RU2500027C2. Автор: Донг-Хун ЛИ,Юн-Гю КИМ,Бум-Хан КИМ. Владелец: Анастасис Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-11-27.

Verifying integrity of physical documents

Номер патента: US09922278B2. Автор: Scott Wentao Li,Timothy Winthrop Kingsbury,Robert James Kapinos,Russell Speight VanBlon. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Telecommunication hardware and software complex and method for ensuring seamless integration of communication networks via an ip network (variants)

Номер патента: RU2768799C1. Автор: Василий Васильевич Котляревский,Петр Геннадиевич Кусов,Владимир Владимирович Могильный. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Инновационные технологии связи». Дата публикации: 2022-03-24.

Integration of system components in home communication system

Номер патента: RU2633383C2. Автор: Йорг ПЛАТТЕ. Владелец: Абб Аг. Дата публикации: 2017-10-12.

Interaction and integration of various networks of radio access

Номер патента: RU2669780C2. Автор: Магнус СТАТТИН,Никлас ЙОХАНССОН,Яри ВИКБЕРГ,Оумер ТЕЙИБ,Карл НОРРМАН,Филип МЕСТАНОВ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2018-10-16.

Integrity of a data processing system

Номер патента: EP1997265A2. Автор: Wilhelmus P. A. J. Michiels,Paulus M. H. M. A. Gorissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-12-03.

Method and confirmation device for confirming the integrity of a system

Номер патента: US20200380137A1. Автор: Rainer Falk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Procedure for verifying the integrity of documents

Номер патента: EP2243104B1. Автор: Fernando Perez Gonzalez,Alberto MALVIDO GARCÌA. Владелец: Universidade de Vigo. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for protecting the integrity of a group of memory elements using an aggregate authentication code

Номер патента: US09443107B2. Автор: Alexander W. DENT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

A method, apparatus and computer program for verifying the integrity of electronic messages

Номер патента: WO2020193016A1. Автор: Clifford Norman RUSSELL,Julian Robert Mark BARNES. Владелец: IPCO 2012 Limited. Дата публикации: 2020-10-01.

A method, apparatus and computer program for verifying the integrity of electronic messages

Номер патента: AU2020246796A1. Автор: Clifford Norman RUSSELL,Julian Robert Mark BARNES. Владелец: IPCO 2012 Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Techniques for monitoring integrity of os security routine

Номер патента: US20170185771A1. Автор: Ned M. Smith,Vincent J. Zimmer,Mingqiu Sun,Rajesh Poornachandran,Sven Schrecker,Gopinatth Selvaraje. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-29.

Method and system for machine learning based integration of bots

Номер патента: US20240264808A1. Автор: Nimesh Shivabhai Patel,Shreekant Waman Shiralkar,Zubeena Shireen Sheikh,Dhairya Maulesh Dholakia,Drashti Vijaybhai Patel. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Techniques for monitoring integrity of os security routine

Номер патента: WO2017112323A1. Автор: Ned M. Smith,Vincent J. Zimmer,Mingqiu Sun,Rajesh Poornachandran,Sven Schrecker,Gopinatth Selvaraje. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2017-06-29.

Method and system for machine learning based integration of bots

Номер патента: EP4411534A1. Автор: Nimesh Shivabhai Patel,Shreekant Waman Shiralkar,Zubeena Shireen Sheikh,Dhairya Maulesh Dholakia,Drashti Vijaybhai Patel. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method and system for measuring the integrity of a power converter

Номер патента: US09880228B2. Автор: Norbert H. Wank,David H. Friedman. Владелец: INFINIREL CORP. Дата публикации: 2018-01-30.

System and method of verifying integrity of software

Номер патента: US09867051B2. Автор: Jeong Nyeo Kim,Kyung Soo Lim,Jae Deok Lim,Geon Lyang Kim,Su Wan PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-09.

System and method for verifying integrity of software package in mobile terminal

Номер патента: US09832651B2. Автор: Kyung-Hee Lee,Tymur Korkishko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Bus inertia for enhancing dynamic flexibility of hybrid power systems

Номер патента: US20240072570A1. Автор: Sudipta Ghosh,Mohamed Shawky EL MOURSI. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2024-02-29.

Integrity of data records

Номер патента: WO2019063129A1. Автор: Peter HOOKHAM-MILLER. Владелец: Phm Associates Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

An apparatus, a method and a computer program for verifying an integrity of a device connected to a telecommunication network

Номер патента: WO2021180557A1. Автор: Alexandru SERBANATI. Владелец: Sony Europe B.V.. Дата публикации: 2021-09-16.

An apparatus, a method and a computer program for verifying an integrity of a device connected to a telecommunication network

Номер патента: EP4118544A1. Автор: Alexandru SERBANATI. Владелец: Sony Europe BV. Дата публикации: 2023-01-18.

An apparatus for increasing an integrity of signals in a signaling network

Номер патента: EP4340424A1. Автор: Oscar Garcia Morchon. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-03-20.

A method for indicating the integrity of a collection of digital objects

Номер патента: WO2005109141A3. Автор: Yanki Margalit,Dany Margalit,Michael Collins,Edna Cahanovic. Владелец: Aladdin Knowledge Systems Ltd. Дата публикации: 2008-11-13.

A method for indicating the integrity of a collection of digital objects

Номер патента: WO2005109141A2. Автор: Yanki Margalit,Dany Margalit,Michael Collins,Edna Cahanovic. Владелец: Aladdin Knowledge Systems Ltd.. Дата публикации: 2005-11-17.

Autonomic discovery and integration of complementary internet services

Номер патента: US9876861B2. Автор: Anurag Srivastava,Abhijit A. Deshmukh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods and devices for monitoring the integrity of an article during transporting said article

Номер патента: EP2565832A3. Автор: Christian Oertli. Владелец: Q tag AG. Дата публикации: 2015-03-25.

Dual flexible cellulose-based matrix for the integration of electronics and microfluidics

Номер патента: EP3872257A1. Автор: Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Paula Cristina DE OLIVEIRA RODRIGUES PINTO,Ricardo Jorge ALVES RAMOS RODRIGUES,Antonio Paulo MENDES DE SOUSA,Jorge Filipe DA SILVA PEDROSA,Rodrigo FERRÃO PAIVA MARTINS. Владелец: Navigator Company SA. Дата публикации: 2021-09-01.

Method for checking the integrity of a clock tree

Номер патента: US20080231325A1. Автор: Frédéric Bancel,Nicolas Berard. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-09-25.

A method and device for automatic integration of farm climate and biometric variables

Номер патента: WO2019077551A1. Автор: José Miguel DA SILVA SIMÕES DE CARVALHO,Miguel António DAMAS DE MATOS,Samuel Carlos RIBEIRO ALVES DA SILVA. Владелец: RIBEIRO ALVES DA SILVA Samuel Carlos. Дата публикации: 2019-04-25.

Apparatus and method for checking the integrity of sensor-data streams

Номер патента: US12086291B2. Автор: Patrick LAMPLMAIR,Simon PFEIFHOFER,Thomas Plank. Владелец: Tributech Solutions GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

A method and device for automatic integration of farm climate and biometric variables

Номер патента: EP3698534A1. Автор: José Miguel DA SILVA SIMÕES DE CARVALHO,Miguel António DAMAS DE MATOS,Samuel Carlos RIBEIRO ALVES DA SILVA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-26.

Methods, systems, articles of manufacture and apparatus to verify integrity of model execution on computing resources using telemetry information

Номер патента: US20240356820A1. Автор: CHEN Liu,Abhishek Chakraborty,Jason Mou Lap Fung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integration of a centralized network restoration system with a distributed network restoration system

Номер патента: WO1998030034A2. Автор: William D. Croslin. Владелец: Mci Communications Corporation. Дата публикации: 1998-07-09.

Method and system for facilitating the integration of a plurality of dissimilar systems

Номер патента: US09912722B2. Автор: Mitchell T. Christensen,Danny R. Sojka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for verifying the integrity of computing devices

Номер патента: US09906493B1. Автор: Robert Stephen Rodgers,Philippe Gilbert LACROUTE,Michael John Beesley,Srivatsan Rajagopal,Thomas John Giuli,William Norman Eatherton,Stefan Alexander Dyckerhoff,Edward Ronald Swierk,Neil Vincent Geraghty,Keith Eric Holleman,Paul Edward Fraley,Vijay Krishnaji Tapaskar,Daniel Sergeevich Selifonov,Keith Anthony Low. Владелец: Skyport Systems LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and devices for integration of wide-coverage wireless networks with wireless local area networks

Номер патента: RU2693686C2. Автор: Магнус СТАТТИН,Никлас ЙОХАНССОН,Оумер ТЕЙЕБ,Кристофер ЛИНДХЕЙМЕР,Яри ВИКБЕРГ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-07-03.

Technological board with modular integration of programmable controller and with extension

Номер патента: RU2313200C2. Автор: Освальд ДАХС,Дитер РАЙНЕККЕ,Карл-Рудольф ЛЮТТИХ,Райнер НИКЛЬ. Владелец: Демаг Эрготех Гмбх. Дата публикации: 2007-12-20.

Memory introspection engine for protecting integrity of virtual machines

Номер патента: RU2640300C2. Автор: Сандор ЛУКАКС,Андрей-Влад ЛУЦАС,Дан-Хоря ЛУЦАС. Владелец: БИТДЕФЕНДЕР АйПиАр МЕНЕДЖМЕНТ ЛТД. Дата публикации: 2017-12-27.

Method to distribute physical channels of indication of hybrid mode of repeated transfer

Номер патента: RU2468518C2. Автор: Бо ДАЙ,Пэн ХАО,Бинь ЮЙ,Чхунли ЛЯН,Шуцян СЯ. Владелец: Зти Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Systems and methods for the integration of framing oam&p, and forward error correction in pluggable optical transceiver devices

Номер патента: WO2008048372A3. Автор: Siraj Nour El-Ahmadi,Salam El-Ahmadi,Gabriel E Cardona,Adam R Hotchkiss. Владелец: Adam R Hotchkiss. Дата публикации: 2008-06-26.

Systems and methods for the integration of framing oam&p, and forward error correction in pluggable optical transceiver devices

Номер патента: EP2078361A2. Автор: Adam R. Hotchkiss,Siraj Nour El-Ahmadi,Salam El-Ahmadi,Gabriel E. Cardona. Владелец: Menara Networks Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Method of digitization and acquisition of sensitive data on mobile devices that ensures the safety and integrity of the data

Номер патента: EP3458996A1. Автор: Achille Pievani,Gabriele Lavelli,Lorenzo Muratori,Luca Vegini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-27.

Method and system for verifying integrity of a digital asset using a distributed hash table and a peer to-peer distributed ledger

Номер патента: US20240248966A1. Автор: Stephane SAVANAH,Craig Steven WRIGHT. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for integration of calendar applications with task facilitation services

Номер патента: EP4399592A1. Автор: Yoky Matsuoka,Nitin Viswanathan. Владелец: Yohana LLC. Дата публикации: 2024-07-17.

Circuit assembly for monitoring port activity and integrity of a multiport media converter

Номер патента: WO2002013460A2. Автор: Joseph Coffey. Владелец: ADC TELECOMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and apparatus for ensuring the integrity of a downloaded data set

Номер патента: WO2012105995A1. Автор: Michael J. Seilnacht,Thomas J. Holodnik,Christopher C. CHUNG. Владелец: INTUIT INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

Circuit assembly for monitoring port activity and integrity of a multiport media converter

Номер патента: WO2002013460A3. Автор: Joseph Coffey. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Systems and methods for integration of task management applications with task facilitation services

Номер патента: EP4399663A2. Автор: Yoky Matsuoka,Nitin Viswanathan. Владелец: Yohana LLC. Дата публикации: 2024-07-17.

Systems and methods for integration of electric vehicle charging stations with photovoltaic, wind, hydro, thermal and other alternative energy generation equipment

Номер патента: US20210229561A1. Автор: Alan White,Valery Miftakhov,Alexander Gurzhi. Владелец: Enel X North America Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Circuit assembly for monitoring port activity and integrity of a multiport media converter

Номер патента: WO2002013460A8. Автор: Joseph Coffey. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Methods and arrangements for determining an integrity of an air interface

Номер патента: WO2013074003A1. Автор: Andreas Olsson,Sven Sjolinder. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2013-05-23.

Methods and arrangements for determining an integrity of an air interface

Номер патента: EP2781113A1. Автор: Andreas Olsson,Sven Sjolinder. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2014-09-24.

Method of verifying integrity of data from a device under test

Номер патента: US20240370588A1. Автор: Kari Vierimaa,Miika NIIRANEN,Antti HUOPANA. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

System and device for verifying the integrity of a system from its subcomponents

Номер патента: US09715590B2. Автор: Douglas J. Gardner,John J. Walsh,John Ross Wallrabenstein. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Circuit, method and device for in-line input of group of valves of hybrid dc converter

Номер патента: RU2748367C1. Автор: Хайин Ли,Дунбинь ЛУ,Сунлинь ЧЭНЬ,Цян ЦЗОУ. Владелец: ЭнАр ЭНЖИНИРИНГ КО., ЛТД. Дата публикации: 2021-05-24.

Integration of monolayer graphene with a semiconductor device

Номер патента: US20170350835A1. Автор: Seyedeh Maryam Mortazavi Zanjani,Deji Akinwande,Mir Mohammad Sadeghi,Milo Holt. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for protecting the integrity of a fixed-length data structure

Номер патента: WO2014123779A1. Автор: Alexander W. DENT,Billy B. Brumley,Can Erkin ACAR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-14.

Integration of electrophysiological procedure systems

Номер патента: WO2024055046A3. Автор: Robert Joseph Krummen,Christopher J.T. Villongco,Christian David MARTON,Maurice J. PIRIO,Joe BRAIDWOOD. Владелец: Vektor Medical, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Integration of electrophysiological procedure systems

Номер патента: WO2024055046A2. Автор: Robert Joseph Krummen,Christopher J.T. Villongco,Christian David MARTON,Maurice J. PIRIO,Joe BRAIDWOOD. Владелец: Vektor Medical, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Seamless integration of radio broadcast audio with streaming audio

Номер патента: CA3127773A1. Автор: Jeffrey Thramann,Ben Good,Peter Shoebridge. Владелец: Clip Interactive LLC. Дата публикации: 2020-08-01.

Method and system for verifying integrity of GPS position information

Номер патента: US11442180B2. Автор: Byung Woon PARK,Ji Sun SHIN,Shin Cheol LEE,Ye Bin Lee. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-13.

Universal controller for integration of cryogenic equipment, requiring different control mechanisms, onto a single operating platform

Номер патента: US20200348063A1. Автор: Gary S. Ash,Craig Hollabaugh,Frank P. JANKOWSKY. Владелец: Sumitomo SHI Cryogenics of America Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Universal controller for integration of cryogenic equipment, requiring different control mechanisms, onto a single operating platform

Номер патента: EP3701202A1. Автор: Gary S. Ash,Craig Hollabaugh,Frank P. JANKOWSKY. Владелец: Sumitomo SHI Cryogenics of America Inc. Дата публикации: 2020-09-02.

Seamless Integration of Radio Broadcast Audio with Streaming Audio

Номер патента: US20190238244A1. Автор: Jeffrey Thramann,Ben Good,Peter Shoebridge. Владелец: Clip Interactive LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and device for verifying the integrity of platform software of an electronic device

Номер патента: US20180253546A1. Автор: Nadarajah Asokan,Reza Serafat,Janne Mäntylä. Владелец: Conversant Wireless Licensing SARL. Дата публикации: 2018-09-06.

Seamless integration of radio broadcast audio with streaming audio

Номер патента: WO2019148120A1. Автор: Jeffrey Thramann,Ben Good,Peter Shoebridge. Владелец: CLIP INTERACTIVE, LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Computer-implemented methods for evidencing the existence of a digital document, anonymously evidencing the existence of a digital document, and verifying the data integrity of a digital document

Номер патента: WO2023086444A3. Автор: Michael Ming-Jae Lin,Johnson Zone An KONG,Wei Hsiung Nicolas YANG. Владелец: 707 Limited. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and system for verifying integrity of gps position information

Номер патента: US20210149062A1. Автор: Byung Woon PARK,Ji Sun SHIN,Shin Cheol LEE,Ye Bin Lee. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-20.

Universal adapter for low-overhead integration of machine learning models with a web-based service platform

Номер патента: WO2024182248A1. Автор: Masroor Hussain Syed,Sumit Manchanda,Ankit Choudhari,Serena LEKHRAJANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-09-06.

Universal adapter for low-overhead integration of machine learning models with a web-based service platform

Номер патента: US20240296379A1. Автор: Masroor Hussain Syed,Sumit Manchanda,Ankit Choudhari,Serena LEKHRAJANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Seamless Integration of Augmented, Alternate, Virtual, and/or Mixed Realities with Physical Realities for Enhancement of Web, Mobile and/or Other Digital Experiences

Номер патента: US20200294097A1. Автор: Nova Spivack,Yenyun FU,Matthew HOERL,Armando Pena. Владелец: Magical Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Mobile Device Integration of a Portable Metal Detector

Номер патента: US20200213434A1. Автор: Oleksandr Kravchenko,Oleksii Samkov,Semen Protsenko,Kostiantyn Tymonkin,Vilen Blinkov. Владелец: Air Md Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and Apparatus for Checking Integrity of Device Selection Process

Номер патента: US20210374944A1. Автор: Jinghui Li,Honggan Zhu,Yaxing Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Computer-implemented methods for evidencing the existence of a digital document, anonymously evidencing the existence of a digital document, and verifying the data integrity of a digital document

Номер патента: EP4433931A2. Автор: Michael Ming-Jae Lin,Johnson Zone An KONG,Wei Hsiung Nicolas YANG. Владелец: 707 Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and Apparatus for Checking Integrity of Device Selection Process

Номер патента: US20200327656A1. Автор: Jinghui Li,Honggan Zhu,Yaxing Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for Monitoring the Integrity of a Control Device

Номер патента: US20240305091A1. Автор: Andreas Schulze,Andreas Schusser. Владелец: Vitesco Technologies Germany GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

New synthesis of hybrid polymer-metal nanostructures, hybrid polymer-metal compounds nanostructures and hybrid polymer- fullerenes nanostructures for nanodevice applications

Номер патента: WO2009153035A1. Автор: Pasquale Agoretti,Anna Boriello,Antonio Cassinese,G. T. Mohanraj,Luigi Sanguigno. Владелец: Imast S.C.A.R.L.. Дата публикации: 2009-12-23.

Protecting the integrity of measurement data acquired by a sensor device

Номер патента: US12132822B2. Автор: Soeren Finster,Florian Kohnhaeuser. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods, devices, and systems for integration of electric vehicle (EV) charging with virtual reality and augmented reality environments

Номер патента: US12039523B2. Автор: Kimberly Sarubbi. Владелец: Iotecha Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and apparatus for checking integrity of device selection process

Номер патента: US11158037B2. Автор: Jinghui Li,Honggan Zhu,Yaxing Yao. Владелец: Auyora Shenzhen Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

Method and system for integration of portable devices with flight deck displays

Номер патента: US09980298B2. Автор: Peter James BATSAKES,David E. Stulken,Paul Burkhead. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and device for verifying the integrity of platform software of an electronic device

Номер патента: US09881150B2. Автор: Nadarajah Asokan,Reza Serafat,Janne Mäntylä. Владелец: Conversant Wireless Licensing SARL. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and structure for directly connecting coaxial or micro coaxial cables to the interior side of pads of a printed circuit board to improve signal integrity of an electrical circuit

Номер патента: US09674964B2. Автор: James V Russell. Владелец: Abacus Finance Group LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Testing integrity of property data of a device using a testing device

Номер патента: US09674216B2. Автор: Kai Fischer,Jens-Uwe Buβer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-06-06.

System and method for verifying integrity of cloud data using unconnected trusted device

Номер патента: US09641617B2. Автор: Ashutosh Saxena,Sravan Kumar Rondla,Nitin Singh Chauhan. Владелец: Infosys Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for the integration of a fixed station or of a fixed radio sub-system, and devices implementing such a method

Номер патента: US09615403B2. Автор: Pierre Minot,Pierre Ngouat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

System and method for digital analysis of authenticity and integrity of documents using portable devices

Номер патента: US09591173B2. Автор: Gustavo DE ALMEIDA NEVES,Eduardo TELMO FONSECA SANTOS,Eduardo MANUEL DE FREITAS JORGE,Ana Lúcia Lage Pereira,Geovane Dos Santos Anunciação,Nilton Vasquez Carvalho Junior. Владелец: Samsung Electronica da Amazonia Ltda. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and device for verifying the integrity of platform software of an electronic device

Номер патента: US09438608B2. Автор: Nadarajah Asokan,Reza Serafat,Janne Mäntylä. Владелец: Core Wiresless Licensing SARL. Дата публикации: 2016-09-06.

Integration of platforms for multi-platform content access

Номер патента: WO2023129556A1. Автор: Alvin LEUNG,Michael Druker,Christopher Hua. Владелец: Block, Inc.. Дата публикации: 2023-07-06.

Integration of disparate systems through the use of multi-uid rfid encoding device system and method

Номер патента: US20190377912A1. Автор: Robert J. Duggan. Владелец: Consortium P Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods and apparatus of timing handling for integration of terrestrial network and non-terrestrial network communications

Номер патента: EP4079056A1. Автор: Dan Li,I-Kang Fu,Shiang-Jiun Lin,Xuancheng Zhu. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Method and apparatus for providing and determining integrity of video

Номер патента: WO2012005746A1. Автор: David W. Kravitz. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Integrity of low bandwidth communications

Номер патента: WO2008044112A2. Автор: Guillaume Fumaroli,David Vigilant,Stéphanie Salgado. Владелец: GEMALTO S.A.. Дата публикации: 2008-04-17.

Integration of speech processing functionality with organization systems

Номер патента: US12051415B1. Автор: Fred Torok,Gonzalo Alvarez BARRIO,Bharath Bhimanaik Kumar,Shantanu Vikas Kurhekar,Frederic J Deramat. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrity of low bandwidth communications

Номер патента: EP2074729A2. Автор: Guillaume Fumaroli,David Vigilant,Stéphanie Salgado. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2009-07-01.

Apparatuses, systems and methods for generating and tracking molecular digital signatures to ensure authenticity and integrity of synthetic dna molecules

Номер патента: US20210104301A1. Автор: Jean Peccoud,Diptendu Mohan KAR,Jenna GALLEGOS,Indrajit Ray. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-04-08.

Integration of speech processing functionality with organization systems

Номер патента: US11756550B1. Автор: Fred Torok,Gonzalo Alvarez BARRIO,Bharath Bhimanaik Kumar,Shantanu Vikas Kurhekar,Frederic J Deramat. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Systems and methods for maintaining data integrity of removable media of an electronic device

Номер патента: US20080176600A1. Автор: Michael Andrew Goldsmith,Robert Henderson Wood,Jacek Pawel Nawrot. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Systems and methods for maintaining data integrity of removable media of an electronic device

Номер патента: US20100185786A1. Автор: Michael Andrew Goldsmith,Robert Henderson Wood,Jacek Pawel Nawrot. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Systems and methods for maintaining data integrity of removable media of an electronic device

Номер патента: US20110258390A1. Автор: Michael Andrew Goldsmith,Robert Henderson Wood,Jacek Pawel Nawrot. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for offloading decision and resource allocation based on integration of communication, sensing and computing

Номер патента: US20240284497A1. Автор: Shuo Sun,Qi Zhu. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-08-22.

Managing mac address randomization to provide integrity of network policies and services across networks

Номер патента: US20240283869A1. Автор: Saurabh Verma. Владелец: Rakuten Mobile Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus, Device, Method, and Computer Program for Determining an Integrity of a Generated Cryptographic Signature

Номер патента: US20240031168A1. Автор: Qian Wang,Manoj Sastry,Santosh Ghosh,Lucian COJOCAR,Yingchen Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

System and method for an application distribution and metrics system enabling the integration of distrubuted applications into host applications and the monetizing of distributed applications

Номер патента: US20140067559A1. Автор: Eric E. Tirk,Dean P. Fragnito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

System and method for an application distribution and metrics system enabling the integration of distrubuted applications into host applications and the monetizing of distributed applications

Номер патента: US9325780B2. Автор: Eric E. Tirk,Dean P. Fragnito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-26.

Method for offloading decision and resource allocation based on integration of communication, sensing and computing

Номер патента: US12052735B1. Автор: Shuo Sun,Qi Zhu. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-07-30.

System and approach for integration of parameters from wearable cloud connected access control devices

Номер патента: US09727697B1. Автор: Naga Sundar,Jenifram Ponraman,Muthukumar Azhagesan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and system making it possible to test a cryptographic integrity of an error tolerant data item

Номер патента: US09705675B2. Автор: Sandra Marcello,Eric Garrido,Philippe Painchault. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Techniques for visual integration of meeting space in calendar systems

Номер патента: US09436934B2. Автор: Jitender Bisht. Владелец: Novell Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of ensuring the integrity of data

Номер патента: RU2680033C2. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-02-14.

System and method for information transfer/reception about possibility of buffer of hybrid self-acting inquiry of recurring transmission in communication system of broadband wireless access

Номер патента: RU2349037C2. Автор: Канг-Гиу ЛИ,Юн-Санг ПАРК,Дзае-Хван ЧАНГ,Са-Дзин КИМ,Йун-Сунг КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-03-10.

Multi-node mimo-communication system with the formation of hybrid directional diagram in the l1-partitioning architecture

Номер патента: RU2756893C2. Автор: Цзюн Ах ЛИ. Владелец: Алтиостар Нетворкс, Инк.. Дата публикации: 2021-10-06.

Method And System For Electro-Absorption Modulator Drivers In CMOS

Номер патента: US20180196287A1. Автор: Jurgen Hissen. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method And System For Electro-Absorption Modulator Drivers In CMOS

Номер патента: US20200064661A1. Автор: Jurgen Hissen. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Restoring integrity of a social media thread from a social network export

Номер патента: US20240256596A1. Автор: Kyle Shay. Владелец: Dropbox Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method, apparatus, device and storage medium for request scheduling of hybrid edge computing

Номер патента: US10866836B1. Автор: Deke Guo,Siyuan Gu,Jiangfan Li,Chendie Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-15.

Total synergetic integration of all eternal energies solar, atmosferic, wind, geo thermal, and universal fuel capability with maximum efficiency systems

Номер патента: US20140373547A1. Автор: Marius Angelo Paul. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Systems and methods for integration of carrier-based sms and voice functionality within api platform

Номер патента: US20160335056A1. Автор: Scott Daniel,Ian Neale,Charles Drexler,Richard Rygg. Владелец: Inteliquent Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Systems and methods for integration of carrier-based SMS and voice functionality within API platform

Номер патента: US09891891B2. Автор: Scott Daniel,Ian Neale,Charles Drexler,Richard Rygg. Владелец: Inteliquent Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Providing integration of multi-bit-rate media streams

Номер патента: US09680892B2. Автор: Matthew Kaufman. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Dynamic provision of hybrid-ARQ repetition factor based on subscription service class

Номер патента: US09578640B1. Автор: Maulik K. Shah,Siddharth S. Oroskar,Jasinder P. Singh,Anoop K. Goyal. Владелец: Sprint Spectrum LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

For the method for depositing group III/V compounds

Номер патента: CN102560633B. Автор: 苏杰,桑迪普·尼杰霍安,奥尔加·克里莱克,尤里·梅尔尼克,雅各布·W·格雷森,洛里·D·华盛顿,圣·W·权. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Method for depositing group III/V compounds

Номер патента: CN101409233B. Автор: 苏杰,桑迪普·尼杰霍安,奥尔加·克里莱克,尤里·梅尔尼克,雅各布·W·格雷森,洛里·D·华盛顿,圣·W·权. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

Recovery of the components of group iii-v material aqueous wastes

Номер патента: AU9580998A. Автор: Jeffrey Allen Sturgill,Joseph Thomas Swartzbaugh. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 1999-04-27.

Monolithic Group III-V Power Converter

Номер патента: US20130342184A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

METHOD OF PRODUCING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140083350A1. Автор: Kimura Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

LAYERED GROUP III-V COMPOUND AND NANOSHEET CONTAINING PHOSPHORUS, AND ELECTRICAL DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20220073351A1. Автор: KIM Min-Jung,Choi Hong,SHIM Woo-young. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

LAYERED GROUP III-V COMPOUND AND NANOSHEET CONTAINING ARSENIC, AND ELECTRICAL DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20220073365A1. Автор: KIM Tae-Young,CHOI Sang-Jin,SHIM Woo-young. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

LAYERED GROUP III-V COMPOUND AND NANOSHEET CONTAINING ANTIMONY, AND ELECTRICAL DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20220081802A1. Автор: SHIM Woo-young,Bae Ji-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

GROUP III-V COMPOUND HAVING LAYERED STRUCTURE AND FERROELECTRIC-LIKE PROPERTIES

Номер патента: US20220144661A1. Автор: KIM Tae-Young,CHOI Sang-Jin,KIM Min-Jung,Choi Hong,SHIM Woo-young,Bae Ji-Hong,WON Jong-bum,KIM Bo-kyeong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

COLLOIDAL TERNARY GROUP III-V NANOCRYSTALS SYNTHESIZED IN MOLTEN SALTS

Номер патента: US20190389738A1. Автор: Talapin Dmitri V.,SRIVASTAVA Vishwas. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Equipment for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials

Номер патента: US20090223453A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials

Номер патента: US8382898B2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-02-26.

Equipment for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials

Номер патента: US9580836B2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for depositing group iii/v compounds

Номер патента: US20090149008A1. Автор: Jie Su,Olga Kryliouk,Sandeep Nijhawan,Yuriy Melnik,Lori D. Washington,Jacob W. Grayson,Sung W. Jun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Equipment for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials

Номер патента: EP2066496B1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-04-10.

Production of single crystal of semiconductor of group iii-v compound

Номер патента: JPS61111991A. Автор: Tomoki Inada,Masashi Fukumoto,Harunori Sakaguchi,春典坂口,稲田　知己,福本　昌志. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1986-05-30.

Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal

Номер патента: EP1288342B1. Автор: Tomohiro Itami Works of Sumitomo Kawase,Masami Itami Works of Sumitomo Tatsumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

ANTI-POLLUTION DEVICE FOR THE ELIMINATION OF TOXIC GASES USED IN THE DEVELOPMENT OF GROUP III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS.

Номер патента: FR2591509B1. Автор: Michel Berth,Gilbert Laporte. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1989-10-27.

Apparatus and method for balanced pressure growth of group iii-v monocrystalline semiconductor compounds

Номер патента: WO2004079787A3. Автор: Xiao Gordon Liu,Morris Young. Владелец: Morris Young. Дата публикации: 2005-12-29.

ANTI-POLLUTION DEVICE FOR THE REMOVAL OF TOXIC GASES IN THE PRODUCTION OF GROUP III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS.

Номер патента: FR2591509A1. Автор: Michel Berth,Gilbert Laporte. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1987-06-19.

Method for growing crystal of mixed crystal of groups iii[v

Номер патента: JPS60155599A. Автор: Hisao Watanabe,渡邊　久夫. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-15.

Method of determining admixtures of organic substances in volatile chlorides of elements of groups iii-v

Номер патента: SU753249A1. Автор: В.Е. Макаров,В.Г. Цветков,В.А. Крылов,Ю.М. Салганский,С.К. Барушков. Владелец: Институт химии АН СССР. Дата публикации: 1991-09-07.

ZINC SILICATE-BASED LUMINESCENT PHOSPHORES DROUGHT WITH MANGANESE AND WITH SUBSTITUTIONS OF ELEMENTS OF GROUPS III-V

Номер патента: IT1148759B. Автор: Ifay Fay Chang. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1986-12-03.

Process for producing monocrystalline group II-VI or group III-V compounds and products thereof

Номер патента: EP0417843A2. Автор: Russell Eugene Kremer,David Michael Francomano. Владелец: Akzo Nobel NV. Дата публикации: 1991-03-20.

Methods and apparatus for depositing a group iii-v film using a hydride vapor phase epitaxy process

Номер патента: US20080289575A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Jacob Grayson,Ronald Stevens,Brian H. Burrows,Nyi O. Myo,Lori D. Washington. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for epitaxial deposition of a monocrystalline Group III-V semiconductor material

Номер патента: EP2083935B1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-02-22.

Layered group III-V compound and nanosheet containing phosphorus, and electrical device using the same

Номер патента: US11597651B2. Автор: Min-Jung Kim,Hong Choi,Woo-young SHIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-03-07.

Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same

Номер патента: US8884273B1. Автор: Erik C. Scher,Joel Gamoras,William P. Freeman,Jeffery A. Whiteford,Mihai A. Buretea,Baixin Qian. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Preparation of group iii-v compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPS59184798A. Автор: Tsuguo Fukuda,Kazutaka Terajima,Hiroaki Nakajima,承生福田,Toru Katsumata,徹勝亦,一高寺嶋,中島　宏明. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1984-10-20.

Semiconductor single crystal of group iii-v compound having low dislocation density

Номер патента: JPS60200900A. Автор: Atsushi Shimizu,敦清水,Mikio Morioka,盛岡　幹雄. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-11.

Methods for the heat treatment of semiconductor material from compounds of groups III-V

Номер патента: DE69504621D1. Автор: Shin-Ichi Sawada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-10-15.

Method of group iii-v semiconductor crystal growth using getter dried boric oxide encapsulant

Номер патента: CA952413A. Автор: Martin E. Weiner. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1974-08-06.

System and method of hybrid surface radiotherapy with ultrasound control

Номер патента: RU2633322C2. Автор: Калман ФИШМЕН. Владелец: Сенсус Хелскеа, Ллк. Дата публикации: 2017-10-11.

Vertical integration of hybrid waveguide with controlled interlayer thickness

Номер патента: US09885831B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Vertical integration of hybrid waveguide with controlled interlayer thickness

Номер патента: US09671557B1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of hybrid electrochemical protection of metal reservoirs

Номер патента: RU2739387C1. Автор: Игорь Владимирович Поздняков,Альбина Альбертовна Фатхуллина. Владелец: Альбина Альбертовна Фатхуллина. Дата публикации: 2020-12-23.

Method for control and recovery of integrity of multidimensional data arrays

Номер патента: RU2771208C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Арсений Вячеславович Брянцев,Олег Петрович Шеметов,Дмитрий Иосифович Тали,Павел Евгеньевич Алиманов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-04-28.

Method and device for monitoring integrity of rail threads

Номер патента: RU2727427C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой. Владелец: Юрий Иосифович Полевой. Дата публикации: 2020-07-21.

Two-component integration of messages into image

Номер патента: RU2331085C2. Автор: Михаил В чеславович Харинов,Михаил Вячеславович Харинов. Владелец: Санкт-петербургский институт информатики и автоматизации Российской академии наук. Дата публикации: 2008-08-10.

Device and method for real-time monitoring of integrity of satellite navigation system

Номер патента: RU2501039C2. Автор: Жан-Кристоф ЛЕВИ. Владелец: Таль. Дата публикации: 2013-12-10.

Control system of control valve and method of detecting change in mechanical integrity of valve shaft

Номер патента: RU2736903C2. Автор: Шон У. АНДЕРСОН,Кеннет Х. КАРДЕР. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2020-11-23.

Device and method of checking integrity of system for rapid reactivation of gas turbine engine of helicopter

Номер патента: RU2686531C2. Автор: Патрик МАРКОНИ,Камель СЕРГИН,Стефен ЛАНГФОРД,Ромэн ТИРЬЕ,Жан-Мишель БАЗЕ,Жером ИРИГУАЙЕН. Владелец: Сафран Хеликоптер Энджинз. Дата публикации: 2019-04-29.

Systems and methods for using a management controller to securely monitor and enforce integrity of bios modules during boot process of information handling system

Номер патента: US20240265107A1. Автор: Adolfo S. Montero,Balasingh P. Samuel,Michael W. Arms. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for control of integrity of rail lines from rolling staff

Номер патента: RU2754374C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Александр Владимирович Горелик,Леонид Викторович Мухин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет транспорта" (ФГАОУ ВО РУТ (МИИТ), РУТ (МИИТ). Дата публикации: 2021-09-01.

System and on-board device for integration of automotive device functions

Номер патента: RU2523181C2. Автор: Гуннар ШМИДТ,Ральф БОШ,Дирк ГАНДРАС. Владелец: Континенталь Аутомотиве Гмбх. Дата публикации: 2014-07-20.

Method and mobile device for monitoring integrity of rail threads

Номер патента: RU2710840C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой. Владелец: Юрий Иосифович Полевой. Дата публикации: 2020-01-14.

Method of monitoring integrity of object

Номер патента: RU2591692C1. Автор: Виктор Владимирович Крылов,Константин Борисович Круковский,Михаил Евгеньевич Муханов,Александр Николаевич Блаженов. Владелец: Акционерное общество "Инженерный Промышленный Концерн "СТРАЖ". Дата публикации: 2016-07-20.

Analogue integrator of pulse signals' sequence

Номер патента: RU2602377C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Игорь Алексеевич Филиппский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учрежедение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for creating model for comprehensive study of integration of osteotropic materials in experiment

Номер патента: RU2754630C1. Автор: Сергей Михайлович Кутепов,Кирилл Андреевич Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2021-09-06.

Method of testing integrity of valve seat

Номер патента: RU2592146C2. Автор: Брюс Ф. ГРУМСТРУП. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2016-07-20.

Method and system of checking integrity of measurements in navigation system

Номер патента: RU2464531C2. Автор: Шарли ВАШЕ,Гийом ИБАНЭ,Жан-Клод ГУДОН. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2012-10-20.

Automated integration of a source modification engine

Номер патента: EP3956766A1. Автор: Erik Raymond Lotspeich. Владелец: RunSafe Security Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Automated integration of a source modification engine

Номер патента: WO2020215065A1. Автор: Erik Raymond Lotspeich. Владелец: RunSafe Security, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method and system for monitoring the integrity of freight containers

Номер патента: US09828174B2. Автор: Wolfgang Busch,Klaus Hornbostel. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of determining location of prosthetic upper plane in patients with damaged integrity of dentitions

Номер патента: RU2470587C1. Автор: Евгений Михайлович Рощин,Валентин Дмитриевич Пантелеев,Александра Владимировна Рощина. Владелец: Евгений Михайлович Рощин. Дата публикации: 2012-12-27.

Increased production of fuels by integration of vacuum distillation with solvent deasphalting

Номер патента: RU2661875C2. Автор: Дэниэл Б. ГИЛЛИС,Джозеф ВУДСОН. Владелец: ФОСТЕР ВИЛЕР ЮЭсЭй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-07-20.

Method for assessing tightness and integrity of system of valves of microfluid system

Номер патента: RU2585804C1. Автор: Дмитрий Андреевич Сахаров,Евгений Владиславович Трушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-технический центр "БиоКлиникум". Дата публикации: 2016-06-10.

Method of control of the integrity of the dielectric coating of a metal substrate

Номер патента: RU2656292C1. Автор: Сергей Борисович Сунцов,Валерий Александрович Лавринович,Андрей Александрович Кладько. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2018-06-04.

Method of determining integrity of casing of irradiated fuel elements

Номер патента: RU2410772C1. Автор: Сергей Сергеевич Сагалов,Алексей Васильевич Сухих,Сергей Владленович Павлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2011-01-27.

Biocompatible nanomaterial for the laser restoration of the integrity of the dissected biological tissues

Номер патента: RU2657611C1. Автор: Сергей Васильевич Селищев,Леван Павлович Ичкитидзе,Александр Юрьевич Герасименко,Виталий Маркович Подгаецкий,Наталья Николаевна Журбина,Ирина Борисовна Римшан. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-06-14.

Device for the integration of fire-fighting systems in smart buildings

Номер патента: WO2022248990A1. Автор: Diego DE FECONDO. Владелец: Nir Srl. Дата публикации: 2022-12-01.

Device for the integration of fire-fighting systems in smart buildings

Номер патента: EP4348618A1. Автор: Diego DE FECONDO. Владелец: Nir Srl. Дата публикации: 2024-04-10.

A method and a device for evaluating the integrity of a control substance in a nuclear plant

Номер патента: EP1419508A1. Автор: Bjorn Bjurman,Lembit Sihver,Kurt-Åke MAGNUSSON. Владелец: Westinghouse Atom AB. Дата публикации: 2004-05-19.

Platform and method for intelligent management of integration of construction and maintenance of rail transportation work

Номер патента: US12012136B2. Автор: Gang Li,Yongli Hu,Zhiguo Li,Yongjun WANG,Linhai LU,Lianyong SUN,Bingbing HU,Jiahai LIU,Xuezeng LIU,Zhihai SUN. Владелец: Jinan Rail Transit Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for verifying the integrity of a master device of a master-slave robotic system for medical or surgical teleoperation and related robotic system

Номер патента: US20240227191A9. Автор: Massimiliano Simi,Emanuele Ruffaldi. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and system for verifying the integrity of data in a data warehouse and applying warehoused data to a plurality of predefined analysis models

Номер патента: EP1405238A2. Автор: Peter J. Zangari,Sourabh Banerji,Jhon Anthony Matero. Владелец: Goldman Sachs and Co LLC. Дата публикации: 2004-04-07.

Method and system for verifying the integrity of data in a data warehouse and applying warehoused data to a plurality of predefined analysis models

Номер патента: EP1405238A4. Автор: Sourabh Banerji,Jhon Anthony Matero,Peter J Zangari. Владелец: Goldman Sachs and Co LLC. Дата публикации: 2007-08-01.

Integrity of a civil structure

Номер патента: WO2013173860A2. Автор: Maximilian Ott,Thierry Rakotoarivelo,Peter Runcie,Athanassios BOULIS,Rodney BERRIMAN,Yuriy TSELISCHCHEV. Владелец: NATIONAL ICT AUSTRALIA LIMITED. Дата публикации: 2013-11-28.

Method to verify the execution integrity of an application in a target device

Номер патента: EP3378005A1. Автор: BRECHT Wyseur. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2018-09-26.

Integrity of a civil structure

Номер патента: EP2852819A2. Автор: Maximilian Ott,Thierry Rakotoarivelo,Peter Runcie,Athanassios BOULIS,Rodney BERRIMAN,Yuriy TSELISCHCHEV. Владелец: Nat ict australia Pty Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Evaluating method for integrity of vibration of steam dryer and test device steam dryer

Номер патента: US20100256963A1. Автор: Takashi Ito,Koji Nishida,Shiro Takahashi,Kazuhiro Yoshikawa,Akinori Tamura,Masaya Ohtsuka,Masaaki Tsubaki,Yasuhiro Mabuchi,Keita Okuyama. Владелец: Hitachi GE Nuclear Energy Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: US20240006036A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2024-01-04.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: AU2021380964A9. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: EP4248448A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2023-09-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: CA3199135A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2022-05-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: AU2021380964A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: WO2022106658A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2022-05-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: EP4002375A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2022-05-25.

Casing system for integration of modular internal intervention equipment in tubular lines

Номер патента: US12066140B2. Автор: Hugo Francisco LISBOA SANTOS,Ney Robinson Salvi Dos Reis,Igor MENDES URSINE KRETTLI,André VIEGAS WENTZ,Eduardo GERHARDT,Cristiane MIOTO BECKER,Antonio DROESCHER SANDRI. Владелец: Servico Nacional De Aprendizagem Industrial Departamento Regional De Santa Catarina Sena/sc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for ensuring the operation and integrity of a three-dimensional integrated logistical system

Номер патента: US09824592B2. Автор: Yuan Qu,Gokul R. Anandayuvaraj,Eshan Halekote. Владелец: Vinveli Unmanned Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Demonstrating integrity of a compartment of a compartmented operating system

Номер патента: US09633206B2. Автор: Christopher I. Dalton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-04-25.

Energy efficient apparatus employing energy efficient process schemes providing enhanced integration of gasification-based multi-generation and hydrocarbon refining facilities and related methods

Номер патента: US09562201B2. Автор: Mahmoud Bahy Noureldin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of monitoring integrity of safety barriers during decommissioning of uranium-graphite nuclear reactor

Номер патента: RU2694817C1. Автор: Евгений Владимирович Беспала,Алексей Вячеславович Леонов,Даниил Валентинович Жирников,Дмитрий Олегович Чубреев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Горно - Химический Комбинат" (Фгуп "Гхк"). Дата публикации: 2019-07-17.

Thermal integration of system for supplying air into power plant with oxygen-fired boiler

Номер патента: RU2674302C2. Автор: Тьерри ПУРШО,Франсуа ГРАНЬЕ,Фредерик ЖЕЙЖЕ. Владелец: Дженерал Электрик Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2018-12-06.

Integration of corporate search engines with access control application programming special interfaces

Номер патента: RU2446456C2. Автор: Аршиш Сайрус КАПАДИА,Джоуна Сарбин БЕРК. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-03-27.

A method and a device for evaluating the integrity of the nuclear fuel in a nuclear plant

Номер патента: EP1031159A1. Автор: Bjorn Bjurman,Lembit Sihver,Inger Arleback. Владелец: ABB Atom AB. Дата публикации: 2000-08-30.

Informatics radiomics integration system (iris): a novel combined informatics and radiomics method for integration of many types of data for classification into different groups for improved visualization

Номер патента: US20170112459A1. Автор: Michael A. Jacobs,Vishwa S. Parekh. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-27.

Integrity of on demand code decryption

Номер патента: WO2018060459A1. Автор: Wyseur Brecht,Laurent Dore,Eric PIRET. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2018-04-05.

MAC method for monitoring, with common bias compensation, the integrity of a point positioning process using virtual beacons

Номер патента: GB2622473A. Автор: REVOL Marc. Владелец: Gts France Sas. Дата публикации: 2024-03-20.

Combined transposon-mediated integration and targeted integration of nucleic acids into host cells

Номер патента: US20240240156A1. Автор: Amy Shen,Shuet Ming YIP,Gavin Christian BARNARD. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for enabling assortment tool and integration of applications for hyper localization

Номер патента: AU2022256083A1. Автор: Jeisobers Thirunavukkarasu,Shilpa Yadukumar Rao,Arun Rasika Karunakaran. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methiods for protection of data integrity of updatable data against unauthorized modification

Номер патента: WO2008059480B1. Автор: Rami Koren,Boris Dulganov. Владелец: Boris Dulganov. Дата публикации: 2008-07-03.

Method and device for monitoring integrity of wooden posts

Номер патента: WO2013121170A1. Автор: Frank Gerwin Kaufhold. Владелец: United Technologists Europe Limited. Дата публикации: 2013-08-22.

Monitoring product integrity of a pharmaceutical product in a syringe using a miniaturized electronic sensor tag

Номер патента: EP3017402A1. Автор: Corneliu Tobescu. Владелец: Q tag AG. Дата публикации: 2016-05-11.

Method and apparatus for verifying the integrity of system data

Номер патента: EP1459314A2. Автор: Antonius A. M. Staring,Johan C. Talstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Integrity of on demand code decryption

Номер патента: US11244075B2. Автор: Wyseur Brecht,Laurent Dore,Eric PIRET. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2022-02-08.

Method and apparatus for digitally measuring the frequency of a signal by integration of its signal phase

Номер патента: US20020061085A1. Автор: Gerhard Weidler. Владелец: EADS DEUTSCHLAND GmbH. Дата публикации: 2002-05-23.

Method to assure integrity of integrated certified and non-certified sensors

Номер патента: EP3757518A1. Автор: Mark A. Ahlbrecht,Zdenek Kana,Milos SOTAK. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Process for the hybrid integration of at least one opto-electronic component and a waveguide, and an integrated electro-optical device

Номер патента: WO1997037261A1. Автор: Peter Martin Cyriel De Dobbelaere,Peter Paul Van Daele,Johan Eduard Van Der Linden. Владелец: AKZO NOBEL N.V.. Дата публикации: 1997-10-09.

Vacuum-assisted integration of implants

Номер патента: WO2024206121A2. Автор: David J. Neivandt,Ian D. Dickey,James A. Weber,Anne B. LICHTENWALNER. Владелец: UNIVERSITY OF MAINE SYSTEM BOARD OF TRUSTEES. Дата публикации: 2024-10-03.

Monitoring product integrity of a pharmaceutical product in a syringe using a miniaturized electronic sensor tag

Номер патента: US09750868B2. Автор: Corneliu Tobescu. Владелец: Q-TAG AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrity monitoring system and a method of monitoring integrity of a stationary structure

Номер патента: US09612189B2. Автор: Dirk Maiwald,Henrik Roland Hansen,Lars Hojsgaard. Владелец: ENERGINET. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for controlling integrity of gnss coordinate information for air traffic control

Номер патента: RU2601617C2. Автор: Сергей Вадимович Кузнецов,Иван Владимирович Алипов,Валентин Владимирович Дупиков,Андрей Александрович Тараканов,Владимир Борисович Спрысков,Карен Левонович Исаакян. Владелец: Сергей Вадимович Кузнецов. Дата публикации: 2016-11-10.

Apparatus and method for monitoring the structural integrity of a pipeline by means of a superconducting magnet

Номер патента: WO2013098729A1. Автор: Alberto Giulio Di Lullo,Giordano PINARELLO,Alessandro BAILINI. Владелец: ENI S.P.A.. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for Processing and Assessing the Integrity of GNSS Position Information

Номер патента: US20240159913A1. Автор: Tomasz Bien. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Systems and methods for verifying integrity of associate training

Номер патента: US20200302399A1. Автор: Andrew B. MILLHOUSE,Timothy J. Burleson,John S. Meredith,Jason S. Hayes,Jennifer L. Hedges. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

A method and a system for checking ownership and integrity of an ai model using distributed ledger technology (dlt)

Номер патента: EP4374269A1. Автор: Manojkumar Somabhai Parmar,Mayurbhai Thesia YASH,Shrey Arvind DABHI,Sunder Naik ANJALI. Владелец: Robert Bosch Engineering and Business Solutions Pvt Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for determining the integrity of navigation data of a control unit of an automotive vehicle

Номер патента: US20200364206A1. Автор: Stephane Eloy,Nora-Marie Gouzenes,Francois De La Bourdonnaye. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2020-11-19.

System for automated integration of events

Номер патента: US20110035348A1. Автор: Pin-Chuan Chen,Shu-Fen Lin,Yu-Huan Wang,Chen-Kun Hsu. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-10.

Monitoring integrity of low speed bearings using acoustic emission

Номер патента: WO2023247272A1. Автор: Lotfollah Pahlavan,Bart SCHEEREN. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming urea by integration of an ammonia production process in a urea production process and a system therefor

Номер патента: US20150368191A1. Автор: Ulrich Koss,Frank Ennenbach. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and device for monitoring the integrity of a connection system

Номер патента: EP2519281A1. Автор: Kristian Solem,Bo Olde. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2012-11-07.

Method and system for enabling assortment tool and integration of applications for hyper localization

Номер патента: EP4220524A1. Автор: Jeisobers Thirunavukkarasu,Shilpa Yadukumar Rao,Arun Rasika Karunakaran. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Method and apparatus for verifying the integrity of an output circuit before and during application of a defibrillation pulse

Номер патента: WO1998039059A1. Автор: Richard C. Nova,Joseph L. Sullivan,Lawrence A. Borschowa. Владелец: Physio-Control Manufacturing Corporation. Дата публикации: 1998-09-11.

Determining integrity of braking control system

Номер патента: EP4242079A2. Автор: George Howell,Matthieu DELLA NAVE. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

A method and a system for checking ownership and integrity of an ai model using distributed ledger technology (dlt)

Номер патента: WO2023001708A1. Автор: Manojkumar Somabhai Parmar,Mayurbhai Thesia YASH,Shrey Arvind DABHI,Sunder Naik ANJALI. Владелец: Robert Bosch Engineering And Business Solutions Private Limited. Дата публикации: 2023-01-26.

Breathable and skin-conformal electronics with hybrid integration of microfabricated multifunctional sensors and kirigami-structured nanofibrous substrates

Номер патента: US20230389875A1. Автор: Lizhi Xu,Hegeng LI. Владелец: University of Hong Kong HKU. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for Determining the Integrity of a Data Processing Operation, Device, and Data Processing Installations

Номер патента: US20240152627A1. Автор: Rainer Falk,Hans Aschauer,Christian Peter Feist,Hermann Seuschek,Thomas Zeschg,Omar Belhachemi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Integration of large nucleic acids into genomes

Номер патента: WO2023177424A1. Автор: Patrick Hsu,Alison FANTON,Matthew DURRANT,Chad MOON. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-09-21.

Verification Of The Integrity Of A Train Of Vehicles

Номер патента: US20190232986A1. Автор: FRANK Simon,Niklas Schaffrath,Guido Fritzsch,Moritz Reichensperger,Ireneus Suwalski. Владелец: Simens Mobility GmbH. Дата публикации: 2019-08-01.

Apparatus and method for monitoring confidentiality and integrity of target system

Номер патента: US20180046804A1. Автор: Sangrok Lee,Junghee Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-15.

Method and apparatus for monitoring physical integrity of a wall in a vessel

Номер патента: WO1998028611A1. Автор: Patrick J. Doyle,David L. Van Olinda. Владелец: Molten Metal Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-07-02.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: US20010013033A1. Автор: Scott Marshall,Tom Burton,Lorin Jeter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Flicker-induced interocular transfer-of-oxygenation for non-invasively assessing neural integrity of a patient's central nervous system

Номер патента: US20010056247A1. Автор: Jocelyn Faubert,Vasile Diaconu. Владелец: UNIVERSITE DE MONTREAL. Дата публикации: 2001-12-27.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: US20020073107A1. Автор: Scott Marshall,Tom Burton,Lorin Jeter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Use of evaporatively activated color change for verifying the integrity of an object, such as a data storage medium or a gaming token

Номер патента: US20020021217A1. Автор: Nabil Lawandy. Владелец: Spectra Systems Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and Apparatus for Presenting Data Integrity of Transformer

Номер патента: US20240265594A1. Автор: HAO LIU,Jing Li,Dan Wang,Wen Tao HUA,Peng Fei Zhang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and device for determining dividing position and integration of automotive part

Номер патента: US20240320389A1. Автор: Takanobu Saito. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integration of processor and input/output hub

Номер патента: EP2577477A2. Автор: Anant S. Deval,Srikanth T. Srinivasan,Stephan J. Jourdan,Sin S. Tan,Lily Pao Looi,Selim Bilgin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-10.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: EP1221102A1. Автор: Scott A. Marshall,Tom C. Burton,Lorin E. Jeter. Владелец: Inroads Tech Inc. Дата публикации: 2002-07-10.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: EP1221102A4. Автор: Tom C Burton,Lorin E Jeter,Scott A Marshall. Владелец: Inroads Tech Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for checking the integrity of a compute node

Номер патента: US20240303346A1. Автор: Peter Schneider,Sascha Guebner,Sebastian Schildt, SR.. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and installation for testing the integrity of a capillary dialyzer

Номер патента: US12128362B2. Автор: Stefan Pitsch,Manuel Wilhelm. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2024-10-29.

Apparatus for verifying the integrity of the confinement boundary of a spent nuclear fuel dry storage canister in operation

Номер патента: US09976929B2. Автор: Yu-Tang Yang,Kuei-Jen Cheng,Ching-Wei Yang. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2018-05-22.

Determining integrity of braking control system

Номер патента: US09969378B2. Автор: George Howell,Matthieu DELLA NAVE. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of verifying integrity of program using hash

Номер патента: US09842018B2. Автор: Jung Soo Kim,Jun Seok Oh,Jae Min NAM,Jung Geun PARK,Jun Ho HONG. Владелец: Inka Entworks Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Verifying the integrity of a computing platform

Номер патента: US09836611B1. Автор: Christopher Luis Hamlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and system for assessing structural integrity of street lighting luminaires

Номер патента: WO2024208649A1. Автор: JIN Yu,Peter Deixler,Yingnan Liu,Katie MONROE. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for monitoring the structural integrity of a pipeline

Номер патента: US09733216B2. Автор: Alberto Giulio Di Lullo,Giordano PINARELLO,Aldo Canova. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and device for monitoring the integrity of a connection system

Номер патента: US09632018B2. Автор: Kristian Solem,Bo Olde. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2017-04-25.

Determining integrity of braking control system

Номер патента: US09580058B2. Автор: George Howell,Matthieu DELLA NAVE. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Apparatus and method for monitoring the structural integrity of a pipeline by means of a superconducting magnet

Номер патента: US09535037B2. Автор: Alberto Giulio Di Lullo,Giordano PINARELLO,Alessandro BAILINI. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2017-01-03.

Verifying the integrity of a computing platform

Номер патента: US09530002B1. Автор: Christopher Luis Hamlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-27.

Integration of active devices with passive components and MEMS devices

Номер патента: US09481568B2. Автор: David J. Howard,Jeff Rose,Michael J. Debar. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming urea by integration of an ammonia production process in a urea production process and a system therefor

Номер патента: US09428449B2. Автор: Ulrich Koss,Frank Ennenbach. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of transplanting biocomposite spheroids to ensure the possibility of restoring the integrity of the bone in case of defects that exceed the critical size

Номер патента: RU2744756C1. Автор: Алексей Вячеславович Ковалев,Михаил Михайлович Сморчков,Сергей Владимирович Бушнев,Ольга Сергеевна Зайцева,Мария Владимировна Коренкова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Международный Центр Медицинских Исследований И Разработок" (Ооо "Мц Миир"). Дата публикации: 2021-03-15.

Method of integration of railway wheel by automatic means of radio frequency identification

Номер патента: RU2606410C2. Автор: Сергей Григорьевич Иванов,Владимир Викторович Тимкин,Александр Олегович Ладыченко. Владелец: Александр Олегович Ладыченко. Дата публикации: 2017-01-10.

Recombinant plasmid dna of pf882, which codes hybrid polypeptide containing b30-desthreonine-insulin, and strain of bacteria escherichia coli - producer of hybrid polypeptide containing 30-desthreonine-insulin

Номер патента: RU2729737C1. Автор: Петр Петрович Родионов,Виталий Феликсович Латыпов,Игорь Александрович Корнаков,Светлана Эдуардовна Робустова,Оксана Сергеевна Хомутова. Владелец: Закрытое акционерное общество "ФАРМ-ХОЛДИНГ". Дата публикации: 2020-08-11.

Method of granulating urea with acidic scrubbing system and subsequent integration of ammonia salt into urea granules

Номер патента: RU2485077C2. Автор: Маттиас ПОТТХОФФ,Харальд ФРАНЦРАЕ,Пауль НИХЮС,Роланд МОНСТРЕЙ. Владелец: Уде Фертилайзер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2013-06-20.

Recombinant plasmid dna pf267 coding hybrid polypeptide containing proinsulin lisprum, and a strain of bacteria escherichia coli - producer of hybrid polypeptide containing proinsulin lispro

Номер патента: RU2729357C1. Автор: Петр Петрович Родионов,Виталий Феликсович Латыпов,Игорь Александрович Корнаков,Светлана Эдуардовна Робустова,Оксана Сергеевна Хомутова. Владелец: Закрытое акционерное общество "ФАРМ-ХОЛДИНГ". Дата публикации: 2020-08-06.

Method checking integrity of filtration element and filtration unit

Номер патента: RU2113706C1. Автор: Рандхан Хорст,Фогельманн Хартмут. Владелец: Полл Корпорейшн. Дата публикации: 1998-06-20.

Integration of ultrasound and x-ray modalities

Номер патента: RU2676521C2. Автор: Рауль ФЛОРАН,Оливье Пьер НЕМПОН,Паскаль Ив Франсуа КАТЬЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-12-29.

Method for detecting different quality of hybrid seeds and sugar beet lines

Номер патента: RU2723086C1. Автор: Анатолий Васильевич Корниенко,Владислав Николаевич Калаев,Татьяна Валентиновна Баранова,Сергей Иванович Скачков,Лидия Валентиновна Семенихина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2020-06-08.

Control unit to check integrity of the tear-away occluding devices installed on corresponding apertures in the band-type packing material to form antiseptic sealed packings for fluid foodstuffs

Номер патента: RU2230666C2. Автор: Эудженио СИГИНОЛЬФИ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2004-06-20.

Method of hybrid unit control and hybrid unit itself for its implementation

Номер патента: RU2516091C2. Автор: КАМПФОРТ Крис ВАН,Кристоф Паскаль ЮБЕН. Владелец: АТЛАС КОПКО ЭРПАУЭР, НАМЛОЗЕ ВЕННОТСХАП. Дата публикации: 2014-05-20.

Device for determining sealing integrity of container and method of its application

Номер патента: RU2544263C2. Автор: Энтони Эдвард ДЗИКОВИЧ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-03-20.

Integration of specimens storage and control in biomedical sciences

Номер патента: RU2418633C2. Автор: Рольф МЮЛЛЕР,Джуди МЮЛЛЕР-КОН,Корина ХЕРРНШТАДТ. Владелец: Байоматрика, Инк.. Дата публикации: 2011-05-20.

Systems and methods for verifying integrity of associate training

Номер патента: US12026676B2. Автор: Andrew B. MILLHOUSE,Timothy J. Burleson,John S. Meredith,Jason S. Hayes,Jennifer L Hedges. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Command read-back to verify integrity of command data written to disk drive

Номер патента: WO2002023547A3. Автор: James A Mcdonald,Richard J Biskup. Владелец: 3ware Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Methods and systems to maintain accessibility and integrity of equipment contained in underground housings

Номер патента: US20070063067A1. Автор: George Keeney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Electronic circuit to verify the state of integrity of a diode

Номер патента: WO2023209620A1. Автор: Pasquale Forte,Paolo Lisanti,Francesco BERTINO. Владелец: Eldor Corporation S.P.A.. Дата публикации: 2023-11-02.

Experimental study method of integration of physical simulation and deposition numerical simulation based on source-sink system

Номер патента: NL2034192A. Автор: Jiang Zaixing,Xue Xinyu,Wei Siyuan,Hu Guangming,Liu Zhongbao. Владелец: Univ China Geosciences Beijing. Дата публикации: 2024-07-12.

System Containing An Integration Of Cost Savings Tracker And Spend Analyzer For Calculating Actual Effective Savings

Номер патента: US20150187023A1. Автор: Prasad Nair,Bikash Mohanty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-02.

System Containing An Integration Of Cost Savings Tracker And Spend Analyzer For Calculating Actual Effective Savings

Номер патента: US20140358642A1. Автор: Prasad Nair,Bikash Mohanty. Владелец: Zycus Infotech Pvt Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

System and method for diagnosing integrity of a cryogenic fuel tank

Номер патента: AU2022200532A1. Автор: Matthew J. ENGFEHR,Joshua T. Perko. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integration of an integrated gasification combined cycle power plant and coal to liquid facility

Номер патента: EP2197984A1. Автор: Richard O. Sheppard,Joseph A. Regnery. Владелец: Rentech Inc. Дата публикации: 2010-06-23.

Methods and Systems to Maintain Accessibility and Integrity of Equipment Contained in Underground Housings

Номер патента: US20110070026A1. Автор: George W. Keeney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Methods and systems to maintain accessibility and integrity of equipment contained in underground housings

Номер патента: CA2622412A1. Автор: George W. Keeney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Systems and methods for integration of machine learning components within a pipelined search query to generate a graphic visualization

Номер патента: US11748634B1. Автор: Lin Ma,John C. Reed,Mohan Rajagopalan,Ram Sriharsha,Chinmay Madhav Kulkarni,Amir Malekpour. Владелец: Splunk Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Portable memory device and method of securing the integrity of stored data therein

Номер патента: WO1994015320A1. Автор: Alan J. Eisenberg. Владелец: Base 10 Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

Integration of disparate system architectures using configurable isolated memory regions and trust domain conversion bridge

Номер патента: US20190042482A1. Автор: Peter Munguia,Gregg Lahti,Aditya Katragada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of verifying integrity of control module arithmetic logic unit (ALU)

Номер патента: US20060036911A1. Автор: Ananth Krishnan,William Mayhew,Steven Sullivan,Mark Costin,Jinchun Peng,Timothy Hartrey,Tyrus Valascho. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2006-02-16.

Integration of a dehydrogenation unit and an alkylation unit

Номер патента: US20190002370A1. Автор: Charles P. Luebke,Raul Zavala,Christopher D. DiGiulio. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for enhancing integrity of epithelium using retinoic acid

Номер патента: US20040225110A1. Автор: Joseph Salamone,Richard Smerbeck,Andrea Lever,O. Lever. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Method for marker-less integration of a sequence of interest into the genome of a cell

Номер патента: US20060026706A1. Автор: Erik Vijgenboom,Gilles Wezel. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for enhancing integrity of epithelium using retinoic acid

Номер патента: US20020115720A1. Автор: Joseph Salamone,Richard Smerbeck,Andrea Lever,O. Lever. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

System for integration of a hexagonal image processing framework within a technical environment

Номер патента: US20210390345A1. Автор: Madhusudhanan Krishnamoorthy. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Device and methods for managing the data integrity of read and write operations

Номер патента: US20240248794A1. Автор: Yang Liu,Peng Xu,HAO WANG,Fei Liu,Sheng Qiu,Wei Tang,Ming Lin,Kyoungryun Bae. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-07-25.

Integration of a dehydrogenation unit and an alkylation unit

Номер патента: US20190241487A1. Автор: Charles P. Luebke,Raul Zavala,Christopher D. DiGiulio. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2019-08-08.

Systems and methods for verifying the integrity of a software installation image

Номер патента: US12111958B2. Автор: Vladimir S. BURENKOV,Dmitry A. KLUAGIN. Владелец: Kaspersky Lab AO. Дата публикации: 2024-10-08.

Satellite subset selection for use in monitoring the integrity of computed navigation solutions

Номер патента: US09885788B2. Автор: Jussi Raasakka,Jakub Skalicky,Martin Orejas. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Simultaneous site-specific integrations of multiple gene-copies

Номер патента: US09850501B2. Автор: Hiroaki Udagawa. Владелец: Novozymes AS. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of governing the elevation, attitude and structural integrity of a pressure-containing vessel in a body of liquid

Номер патента: US09797525B2. Автор: Michael W. N. Wilson. Владелец: ECOSSE SUBSEA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Dynamic context-sensitive integration of content into a web portal application

Номер патента: US09754039B2. Автор: Stefan Liesche,Andreas Nauerz,Jurgen Schaeck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Simultaneous site-specific integrations of multiple gene-copies in filamentous fungi

Номер патента: US09574199B2. Автор: Hiroaki Udagawa. Владелец: Novozymes AS. Дата публикации: 2017-02-21.

STRAIN OF BACTERIA Escherichia coli JM109/pHINS21 - PRODUCER OF HYBRID PROTEIN WITH HUMAN PROINSULIN AND METHOD FOR PRODUCTION OF HUMAN PROINSULIN

Номер патента: RU2376368C2. Автор: Петр Петрович Родионов,Петр Иванович Родионов,Алексей Вячеславович Степанов,Вадим Васильевич Шматченко,Наталья Анатольевна Шматченко,Александр Николаевич Байдусь,Тарас Алексеевич Горкун. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Герофарм". Дата публикации: 2009-12-20.

Method for regulating operation of vehicle traction-wheel drive (versions) and system for regulating operation of hybrid drive of vehicle with hybrid drive

Номер патента: RU2640087C2. Автор: Алекс О'Коннор ГИБСОН,Дэвид ОШИНСКИ,Грегори Майкл ПИТРОН,Сеунг-Хоон ЛИ,Джеймс Уилльям Лох МАККАЛЛУМ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-12-26.

Ventilation device of hybrid type for windows

Номер патента: RU2540874C2. Автор: Дзок Хиун ХВАНГ,Дзеонг Деук ЙООН,Миоунг Сеок ОХ,Тае Хвоан ЧОЙ. Владелец: ЭлДжи ХАУСИС, ЛТД.. Дата публикации: 2015-02-10.

Hybrid vehicle, and operation method of hybrid vehicle

Номер патента: RU2415038C1. Автор: Кацухико ЯМАГУТИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-03-27.

Integration of techniques for high-frequency reconstruction with reduced post-processing delay

Номер патента: RU2758199C1. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Пер ЭКСТРАНД,Кристофер ЧОЭРЛИНГ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2021-10-26.

Integration of medical record software and advanced image processing

Номер патента: EP2852907A1. Автор: Robert James Taylor,Tiecheng Zhao,Tim Frandsen. Владелец: TeraRecon Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Method for Checking the Integrity of Reloadable Functional Units

Номер патента: US20230385500A1. Автор: Bernhard Fischer,Christian CECH,Martin Matschnig,Thomas Hinterstoisser,Joubin Djavan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for testing closure integrity of a sealed container at cryogenic temperatures

Номер патента: EP3877737A1. Автор: Louis J. BRASTEN,James MCCAW. Владелец: West Pharmaceutical Services Inc. Дата публикации: 2021-09-15.

Integration of printing device to a smart space

Номер патента: US12025960B2. Автор: Dilinur Wushour. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device for supplementing structural integrity of spent nuclear fuel assembly during handling

Номер патента: US12009113B2. Автор: Jae Jun Lee,Seong Ki Lee,Dong Geun Ha,Jong Sung Yoo,Hyeong Koo Kim,Gyu Cheol Shin,Jang Hwan Lim. Владелец: Kepco Nuclear Fuel Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Production method and production system that detect the integrity of the hermetic seal of a container containing a product

Номер патента: US20200264069A1. Автор: Eugene SCHREIBER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for evaluating contact pin integrity of electronic components having multiple contact pins

Номер патента: US20030067296A1. Автор: Alan Renfrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Edta and egta for use in preserving the integrity of therapeutic compounds

Номер патента: US20240238231A1. Автор: Glen Travers,Roger R.C. New. Владелец: Axcess Uk Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Information about structural integrity of vehicles

Номер патента: WO2005017695A3. Автор: Kerri Jean Seim,Randy L Gard. Владелец: Randy L Gard. Дата публикации: 2007-04-19.

Electronic device for verifying integrity of image using plurality of execution environments, and control method therefor

Номер патента: EP4407501A2. Автор: Wooyong Lee,Jinha Hwang,Moongyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Systems and methods for testing the integrity of a virus removal filter

Номер патента: CA3213052A1. Автор: Michael D. Brandt. Владелец: Asahi Kasei Bioprocess Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Facilitating integrity of telemetry connectivity between an implantable device and a remote device

Номер патента: US20180085592A1. Автор: Bo Zhang,Gary P. Kivi,Matthew R. Yoder,Richard A. Sanden. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for monitoring the integrity of a sieve device and apparatus for practice of the method

Номер патента: US9242276B2. Автор: Jan Kristian Vasshus,Arne Malmin. Владелец: Cubility AS. Дата публикации: 2016-01-26.

Compositions and methods for improved restoration and preservation of the integrity of tissue barriers

Номер патента: WO2017184766A1. Автор: Howard M. SIMON. Владелец: Rejuvenation Science, Inc.. Дата публикации: 2017-10-26.

Fluorescence immunoassay device based on integration of photonic crystal and magnetic beads

Номер патента: US20220260490A1. Автор: Yang Chen,Wen-Syang Hsu,Ying-Bin Wang,Cheng-Sheng Huang,Lin-Yun Su. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-08-18.

Testing the integrity of products in containers

Номер патента: CA2586740A1. Автор: Bernhard Heuft. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Method and device for monitoring integrity of wooden posts

Номер патента: US8915155B1. Автор: Frank Gerwin Kaufhold. Владелец: United Technologists Europe Ltd. Дата публикации: 2014-12-23.

Methods and systems for testing the integrity of components of a hydrocarbon well system

Номер патента: EP2867443A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Production of hybrid seeds lot using natural pollination

Номер патента: US10271489B2. Автор: Gil Shalev,Oron GAR. Владелец: Equi Nom Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

System for monitoring the integrity of a roof

Номер патента: US12072263B2. Автор: Joseph C. COBB,Jeffrey CACIOPPO. Владелец: Ram Companies LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

System, apparatus, and method for integration of facial nonverbal communication in extravehicular activity or space operations

Номер патента: US20240264441A1. Автор: Avner Bendheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Controller, storage device and computing system for ensuring integrity of data

Номер патента: US20240289030A1. Автор: Myung Hwan Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of testing an integrity of a structure separating a chamber from an adjacent environment, and related apparatus

Номер патента: EP3785002A1. Автор: Morten Kvernvold. Владелец: Scanwell Technology AS. Дата публикации: 2021-03-03.

Systems and methods for testing the integrity of a virus removal filter

Номер патента: US12076721B2. Автор: Michael D. Brandt. Владелец: Asahi Kasei Bioprocess Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method for determining the integrity of containers by optical measurement

Номер патента: EP3698116A1. Автор: Mikael Sebesta,Märta LEWANDER XU,Patrik LUNDIN,Lee Michael Vine,Axel Fredrik Bohman. Владелец: Ishida Europe Ltd. Дата публикации: 2020-08-26.

Integration of the virtual library system

Номер патента: US20110035415A1. Автор: Slavomir RYBAR. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Evaluating the integrity of a forward osmosis membrane using transmembrane pressure

Номер патента: US20240246037A1. Автор: Christian Vartia. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems, methods, apparatuses, and computer program products for facilitating integration of third party technology with a database

Номер патента: WO2013003175A1. Автор: Steven Scott GUILFORD. Владелец: Guilford Steven Scott. Дата публикации: 2013-01-03.

Device and method for testing the mechanical integrity of cartridges for liquid medicaments

Номер патента: EP3177903A1. Автор: Michael Fischer,Jasmin Groeschke,Hanno Juhnke,Jan-Peter Spengler,Matthias Scharf,Michael Schrack,Olaf Zeckai. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland GmbH. Дата публикации: 2017-06-14.

Method and system for testing the integrity of filters

Номер патента: US20240319064A1. Автор: Kirit CHATTERJEE. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods and apparatus to verify the integrity of a model

Номер патента: US20240330466A1. Автор: Mona Vij,Cory CORNELIUS,Marcin Spoczynski,Anjo Lucas Vahldiek-Oberwagner,Marcin Andrzej Chrapek,Scott Douglas Constable. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Impact Hydroforming Mold and Impact Hydroforming Method with Integration of Blank Holder and Feeding

Номер патента: US20240351087A1. Автор: HAO LI,Yong Xu,Hongliang Zhu,Wenlong Xie,Liangliang Xia,Shihong ZHANG,Xingyu Duan. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Diagnostic system and method for testing integrity of stack during ultrasonic welding

Номер патента: US09981337B2. Автор: John Massa,William P. Simon,James A. Markus. Владелец: Sonics and Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems, methods, and devices for diagnosing integrity of electrical conductor-carrying systems

Номер патента: US09977066B2. Автор: Joseph Michael Manahan,Jesse Wade Taylor. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Bile acids and biguanides as protease inhibitors for preserving the integrity of peptides in the gut

Номер патента: US09913850B2. Автор: Roger R. C. New,Glen Travers. Владелец: Axcess Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integration of news into direct social communications and interactions

Номер патента: US09886506B2. Автор: Sally Anderson,Mark R. Anderson,Scott Schramke. Владелец: SNS CONFERENCE Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Facilitating integrity of telemetry connectivity between an implantable device and a remote device

Номер патента: US09833628B2. Автор: Bo Zhang,Gary P. Kivi,Matthew R. Yoder,Richard A. Sanden. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and device for verifying the integrity of gas valve operators in a gas appliance

Номер патента: US09777924B2. Автор: Pierluigi Bertelli. Владелец: Bertelli and Partners Srl. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and apparatus for monitoring operational integrity of a sensor and processing chain

Номер патента: US12130314B2. Автор: Michael Homann,Matthias Krings. Владелец: IAV GMBH INGENIEURGESELLSCHAFT AUTO UND VERKEHR. Дата публикации: 2024-10-29.

Seamless integration of non-native windows with dynamically scalable resolution into host operating system

Номер патента: US09588657B1. Автор: Alexander G. Tormasov,Serguei M. Beloussov,Alexander V. Grechishkin,Alexey B. Koryakin,Nikolay N. Dobrovolskiy,Andrey A. Omelyanchuk,Sergei Malykhin. Владелец: PARALLELS IP HOLDINGS GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for monitoring the integrity of a flexible line extending through a fluid exploitation facility, and associated flexible line, kit and production process

Номер патента: US09588074B2. Автор: Frédéric Demanze. Владелец: Technip France SAS. Дата публикации: 2017-03-07.

Process and machinery for integration of discrete parts into composite containers

Номер патента: US09574307B2. Автор: Dennis E. Schramm,Romeo Graham,Julie Corbett,Robert Watters,Michael Sirois,Luc Boucher,Ken KLIPPENSTEIN. Владелец: Eco Logic Brands Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for integration of a positron emission tomography (PET) detector with a computed-tomography (CT) gantry

Номер патента: US09560970B2. Автор: Chad Allan Smith,Timothy Patrick Rose,Michael D. Maki. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of verifying integrity of electronic device, storage medium, and electronic device

Номер патента: US09507941B2. Автор: Peng Ning,Min-Jung Kim,Moo-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods and systems for testing the integrity of components of a hydrocarbon well system

Номер патента: US09429010B2. Автор: Stephen Edwards,Jim Mckay,Warren Winters,Ronald Livesay. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Monoclonal antibody produced by the strain of hybrid cultured murine cells mus musculus l

Номер патента: RU2073722C1. Автор: Трицио Доменико,Барбанти Элена,Гислиери Марта,Маркуччи Фабрицио. Владелец: Фармиталиа Карло Эрба С.Р.Л.. Дата публикации: 1997-02-20.

RECOMBINANT PLASMID pPA-OPRF-ATOX-OPRI DNA, WHICH ENCODES SYNTHESIS OF HYBRID RECOMBINANT PROTEIN, INCLUDING AMINO ACID SEQUENCES OF PROTEIN F AND I OF EXTERNAL MEMBRANE AND ATOXIC VARIANT OF A PSEUDOMONAS AERUGINOSA EXOTOXIN, ESCHERICHIA COLI PA-OPRF-ATOX-OPRI STRAIN - PRODUCER OF HYBRID RECOMBINANT PROTEIN AND METHOD OF OBTAINING SPECIFIED PROTEIN

Номер патента: RU2677790C1. Автор: Наталья Александровна Михайлова,Алексей Алексеевич Калошин,Екатерина Максимовна Зимина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт вакцин и сывороток им. И.И. Мечникова" (ФГБНУ НИИВС им. И.И. Мечникова). Дата публикации: 2019-01-21.

Strain of hybrid cultured cells mus musculus 365e11 producing monoclonal antibodies to shiga-like toxin type ii

Номер патента: RU2768838C1. Автор: Галина Викторовна Куклина,Денис Валериевич Печенкин,Андрей Валентинович Еремкин,Алексей Александрович Кытманов,Сергей Сергеевич Ипатов,Антон Сергеевич Горшков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "48 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-03-24.

Strain of hybrid cultured animal cells of mus musculus 1f11pal - producer of murine monoclonal antibodies specific to peptidoglycan-associated lipoprotein (pal) legionella pneumophila

Номер патента: RU2699983C1. Автор: Игорь Георгиевич Шемякин,Алена Константиновна Рябко,Максим Александрович Марьин,Наталья Алексеевна Зенинская,Виктория Валерьевна Фирстова,Алена Сергеевна Карцева,Марина Владимировна Силкина,Яна Олеговна Мунтян. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Государственный научный центр прикладной микробиологии и биотехнологии" (ФБУН ГНЦ ПМБ) Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of determining structure of hybrid computer system

Номер патента: RU2436151C1. Автор: Сергей Александрович Степаненко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2011-12-10.

Method (variants) of management of hybrid vehicle system and hybrid vehicle system

Номер патента: RU2684140C2. Автор: Гопичандра СУРНИЛЛА,Даниэль Джозеф СТАЙЛС,Джим Альфред ХИЛДИТЧ,Стэнли Ларю БОУЭР,Роберт Ральф ЙОРИО. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-04-04.

Method and device for monitoring and control of hybrid vehicle internal combustion engine start

Номер патента: RU2636190C2. Автор: Ахмед КЕТФИ-ШЕРИФ,Хоанг-Зянг НГУЭН,Кристоф ДАН,Жан ВАН-ФРАНК,Эммануэль ЛОРЭН. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of controlling power unit of hybrid vehicle (versions) and power unit of hybrid vehicle

Номер патента: RU2679755C2. Автор: Гопичандра СУРНИЛЛА,Даниэль Джозеф СТАЙЛС,Джим Альфред ХИЛДИТЧ,Стэнли Ларю БОУЭР. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for obtaining a healthy planting material of hybrid gladiolus (gladiolus hybridus hort.)

Номер патента: RU2764188C1. Автор: Анна Валерьевна Федяева,Марина Александровна Кондакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки СИБИРСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИОЛОГИИ И БИОХИМИИ РАСТЕНИЙ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. Дата публикации: 2022-01-14.

System for maintaining integrity of a dry pipe system with heated cabinet and flow restrictor valve

Номер патента: EP3925674A3. Автор: Bentley F. Gleeson,James P. Mchugh,Michael B. Ferrucci,George J. McHUGH IV. Владелец: AGF Manufacturing Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

Deletion workflow that preserves data integrity of a records management system

Номер патента: US20150370820A1. Автор: Li Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and system for determining the integrity of auditory nerve fibers and synapses

Номер патента: EP4099907A1. Автор: Sarah Verhulst,Viacheslav Vasilkov. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2022-12-14.

Method and system for determining the integrity of auditory nerve fibers and synapses

Номер патента: CA3164535A1. Автор: Sarah Verhulst,Viacheslav Vasilkov. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2021-08-12.

Method and system for determining the integrity of auditory nerve fibers and synapses

Номер патента: AU2021216121A1. Автор: Sarah Verhulst,Viacheslav Vasilkov. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2022-08-04.

Fabrication integration of micro-components

Номер патента: WO2002097767A2. Автор: Arthur S. Morris, III,Shawn J. Cunningham,Dana R. Dereus. Владелец: Conventor, Incorporated. Дата публикации: 2002-12-05.

Method and apparatus for automated bi-directional integration of peripheral data sources for a production tool

Номер патента: WO2005008413A3. Автор: Tim Robinson,Ron Hadar,Gerhard Rupp,John Alexander Smith,Lior Landesmann,Brent Elliot,Uzi Lev-Ami,Mark Attwood,Bernhard Schimunek. Владелец: Bernhard Schimunek. Дата публикации: 2005-05-12.

Sgrna guiding pd1 gene for cleavage to achieve efficient integration of exogenous sequences

Номер патента: EP3995579A1. Автор: Bing Du,Mingyao Liu,Yue Tian,Zaixi XI,Dali Li,Jiqin ZHANG,Jiaxuan Yang. Владелец: Brl Medicine Inc. Дата публикации: 2022-05-11.

Deletion workflow that preserves data integrity of a records management system

Номер патента: US20150370846A1. Автор: Li Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

System for maintaining integrity of a dry pipe system with heated cabinet and flow restrictor valve

Номер патента: US20210370114A1. Автор: Bentley F. Gleeson,James P. Mchugh,George J. Mchugh, Iv,Michael B. Ferrucci. Владелец: AGF Manufacturing Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

A system for maintaining integrity of a dry pipe system with heated cabinet and flow restrictor valve

Номер патента: CA3119894A1. Автор: Bentley F. Gleeson,James P. Mchugh,George J. Mchugh, Iv,Michael B. Ferrucci. Владелец: AGF Manufacturing Inc. Дата публикации: 2021-11-27.

End-to-end integration of disparate data systems in claims processing

Номер патента: US20240257260A1. Автор: Ashish Patel,Nicole Blohm,Merlyn Evans. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Ensuring integrity of a displayed web page

Номер патента: US9811509B2. Автор: Thomas H. Gnech,Steffen Koenig,Oliver Petrik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Integration of plasma and hydrogen process with combined cycle power plant and steam reformers

Номер патента: EP3099397A1. Автор: Peter L. Johnson,Robert J. Hanson,Roscoe W. Taylor. Владелец: Monolith Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Pharmaceutical Composition and Method for Improving Biomechanical Integrity of the Pelvic Floor

Номер патента: US20240238233A1. Автор: Peter Takacs. Владелец: Fempharma LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Searchable integration of geospatial based information with captured images during worksite operations

Номер патента: US20240344299A1. Автор: Travis J. Davis. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-10-17.

Searchable integration of geospatial based information with captured images during worksite operations

Номер патента: EP4445709A1. Автор: Travis J. Davis. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-10-16.

End-to-end integration of dialog history for spoken language understanding

Номер патента: US12119008B2. Автор: Samuel Thomas,Hong-Kwang Kuo,Brian E. D. Kingsbury,Vishal Sunder,Jatin Ganhotra,Eric Fosler-Lussier. Владелец: Ohio State University. Дата публикации: 2024-10-15.

Safety device for monitoring the integrity of a train assembly

Номер патента: WO2024219970A2. Автор: Maarten Matthijs BURGHOUT,Jeroen LEBOUILLE. Владелец: Ricardo Nederland Bv. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus and methods for testing the integrity of containment sumps

Номер патента: US20180372578A1. Автор: Daniel W. Brevard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-27.

Integration of web information architecture taxonomy and web metrics taxonomy

Номер патента: US09971841B2. Автор: Tracy H. Wallman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus and method for checking the integrity of visual display information

Номер патента: US09958318B2. Автор: Michael Staudenmaier,Vincent Aubineau,Wilhard Von Wendorff. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09883907B2. Автор: Csaba Truckai,Robin Bek,Dominique Filloux,Akos Toth,Tejas N. Mazmudar. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Integration of non-woody biorefining at pulp and paper plants

Номер патента: US09856605B2. Автор: Theodora Retsina. Владелец: API Intellectual Property Holdings LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for preserving structural integrity of 3-dimensional models when printing at varying scales

Номер патента: US09817388B2. Автор: Abhishek Kumar,Mayur Hemani,Naveen Prakash Goel. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09788890B2. Автор: Csaba Truckai,Robin Bek,Dominique Filloux,Akos Toth,Tejas N. Mazmudar. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09775542B2. Автор: Akos Toth. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Control system for hybrid vehicles with high degree of hybridization

Номер патента: US09751521B2. Автор: Simon Barber,Sean Garner,Bhaskar Saha,David E. Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Unit and method for monitoring an integrity of a signal path, signal processing system and sensor system

Номер патента: US09678138B2. Автор: Friedrich Rasbornig,Kirk Herfurth,Bernhard Forster,Christoph Schroers,Mihai Alexandru Ionescu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods and systems for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09655557B2. Автор: Robin Bek,Dominique Filloux,Akos Toth. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods, apparatus, and computer programs for verifying the integrity of a probe

Номер патента: US09464317B2. Автор: William McMillan,Stanley H. Sakai. Владелец: Cepheid. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus for checking integrity of cores of cable-harness products

Номер патента: RU2733333C1. Автор: Михаил Валерьевич Назаров,Владимир Алексеевич Непомнящий. Владелец: Акционерное общество "Военно-промышленная корпорация "Научно-производственное объединение машиностроения". Дата публикации: 2020-10-01.

Method for reducing energy consumption during regeneration of hybrid solvents

Номер патента: RU2729808C1. Автор: Кристоф Р. Ларош,Джон Р. Даудл,Диего ОРТИЗ ВЕГА,Линда Л. ПИРТЛ. Владелец: Дау Глоубл Текнолоджиз Ллк. Дата публикации: 2020-08-12.

Method of hybrid laser-arc welding of thick-walled pipes of large diameter from high-strength steel grades

Номер патента: RU2678110C1. Автор: Кирилл Николаевич Никитин,Александр Игоревич Романцов,Михаил Александрович Федоров,Антон Александрович Черняев,Александр Олегович Котлов,Алексей Александрович Булыгин,Антон Бильгуварович Гизатуллин. Владелец: Публичное акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод" (ПАО "ЧТПЗ"). Дата публикации: 2019-01-23.

Method and device of hybrid transport facility control

Номер патента: RU2527653C1. Автор: Хироаки КАВАМУРА,Каори ТАНАСИМА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-09-10.

Fragment of hybrid toxin of bacillus thuringiensis eliciting insecticide activity, recombinant dna encoding its, method for insects control

Номер патента: RU2210593C2. Автор: Хендрик Ян Бош,Виллем Йоханнес Стикема. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2003-08-20.

Method and device for determination of position by means of hybrid data on sps orbit

Номер патента: RU2457507C1. Автор: Леонид ШЕЙНБЛАТ,Зольтан Ф. БИАЧ,Арнольд Джейсон ГАМ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-27.

Control over wing flaps and rudder of hybrid helicopter

Номер патента: RU2551703C2. Автор: Поль ЭГЛЕН. Владелец: Эйрбас Хеликоптерс. Дата публикации: 2015-05-27.

Method and device of hybrid vehicle start-up control

Номер патента: RU2637076C2. Автор: Дайсуке ОУТИ,Коити НАКАДЗАТО,Сюити ОРИТА,Кендзи ХАТТОРИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-11-29.

Method of obtaining of hybrid human stem cell

Номер патента: RU2352637C1. Автор: Александр Сергеевич Тепляшин,Наталия Игоревна Чупикова,Галина Николаевна Сингина,Светлана Загировна Шарифуллина. Владелец: Александр Сергеевич Тепляшин. Дата публикации: 2009-04-20.

High-throughput testing and module integration of rotationally variant optical lens systems

Номер патента: US20230073048A1. Автор: Fei Liu,Chadwick Brian Martin,Di XU. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and system for short-circuit current modeling in CMOS integrated circuits

Номер патента: US20040117169A1. Автор: Emrah Acar,Sani Nassif,Ravishankar Arunachalam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Device for testing the integrity of a signalling line

Номер патента: WO2012125030A1. Автор: Willemjan Johannes JONKMAN. Владелец: Astrea Intellectueel Eigendomsrecht B.V.. Дата публикации: 2012-09-20.

Verfahren zur vermessung der zweidimensionalen potentialverteilung in cmos-halbleiterbauelementen

Номер патента: WO2000010020A1. Автор: Wolf-Dieter Rau. Владелец: IHP GMBH Innovations for High Performance Microelectronics Institut für innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2000-02-24.

Device for testing the integrity of a signalling line

Номер патента: EP2686838A1. Автор: Willemjan Johannes JONKMAN. Владелец: ASTREA INTELLECTUEEL EIGENDOMSRECHT BV. Дата публикации: 2014-01-22.

Systems and methods for providing backup storage and verifying the integrity of backup files

Номер патента: WO2022146607A3. Автор: Stuart Christopher Marshall. Владелец: Verified Backups LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Systems and methods for providing backup storage and verifying the integrity of backup files

Номер патента: WO2022146607A2. Автор: Stuart Christopher Marshall. Владелец: Verified Backups LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

Systems and methods for providing backup storage and verifying the integrity of backup files

Номер патента: EP4256445A2. Автор: Stuart Christopher Marshall. Владелец: Verified Backups LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Verfahren zur vermessung der zweidimensionalen potentialverteilung in cmos-halbleiterbauelementen

Номер патента: EP1105742A1. Автор: Wolf-Dieter Rau. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2001-06-13.

Coating for inspecting the internal integrity of a structure and vehicle including same

Номер патента: US20170173629A1. Автор: Mikhail Zheludkevich,Sophie Senani,Mario Ferreira,Joao Tedim,Sylvere BARUT,Frederico MAIA. Владелец: UNIVERSIDADE DE AVEIRO. Дата публикации: 2017-06-22.

Methods for automated processing of hybrid electronic invoice data and devices thereof

Номер патента: US10915934B2. Автор: Michael Bishop,James Freeman,Alma Martinez,David Torrence,Roger Kartchner,Rebecca Morgan. Владелец: Mitchell International Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Control method for clutch of hybrid electric vehicle

Номер патента: US09840249B2. Автор: Kum Lim CHOI. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and system for ensuring integrity of critical data

Номер патента: US09710313B2. Автор: Christian Reynolds Decker,Troy Stephen Brown. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Transformation method of hybrid transportation vehicle for ground and air, and hybrid transportation vehicle itself

Номер патента: US09555681B2. Автор: {hacek over (S)}tefan Klein. Владелец: Aeromobil sro. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of integration of systems and/or means of providing navigation and monitoring information and hardware and software complex - center for competencies

Номер патента: RU2654237C1. Автор: Алексей Владимирович Гришин,Владимир Федорович Кошманов,Геннадий Алексеевич Ревяков,Лариса Викторовна Логутова. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-05-17.

Signalling method and device for controlling integrity of structures

Номер патента: RU2559704C2. Автор: Максим Владимирович Сомов. Владелец: Максим Владимирович Сомов. Дата публикации: 2015-08-10.

A kind of Group III-V semiconductor nanowire crystal tube device and preparation method thereof

Номер патента: CN103022135B. Автор: 刘洪刚,王虹,常虎东,薛百清. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-08-26.

(110) SURFACE ORIENTATION FOR REDUCING FERMI-LEVEL-PINNING BETWEEN HIGH-K DIELECTRIC AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130126985A1. Автор: KO Chih-Hsin,Wann Hsingjen,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device and group III-V compound semiconductor device

Номер патента: JP3487555B2. Автор: 加藤尚範,下山謙司,後藤秀樹. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2004-01-19.

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR, METHOD OF FABRICATING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR, PHOTO DETECTOR, AND EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20120168720A1. Автор: Ishizuka Takashi,Akita Katsushi,Fujii Kei,Nagai Youichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-07-05.

METHOD OF FORMING GROUP III-V MATERIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GROUP III-V MATERIAL LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130105869A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of manufacturing nitride group iii-v semiconductor crystal and method of manufacturing nitride group iii-v semiconductor laser device

Номер патента: JP2009267341A. Автор: Koji Takahashi,幸司高橋,Akira Ariyoshi,章有吉. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

MULTI-JUNCTION GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120048339A1. Автор: . Владелец: MILLENNIUM COMMUNICATION CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Stress modulated group III-V semiconductor device and related method

Номер патента: US20120153351A1. Автор: Brown Robert,Nelson Scott,Hughes Brett,Chandolu Anilkumar,Birkhahn Ronald H.,Larsen Troy,Hoff Steve,Sass Leanne. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL PICKUP, OPTICAL DISK DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF GROWING NITRIDE TYPE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Nakayama Eiji,Kuramoto Masaru,Ohizumi Yoshitsugu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

OHMIC CONTACT SCHEMES FOR GROUP III-V DEVICES HAVING A TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS LAYER

Номер патента: US20120223317A1. Автор: . Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-09-06.

HIGH EFFICIENCY GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL WITH OXIDIZED WINDOW LAYER

Номер патента: US20120227798A1. Автор: . Владелец: MICROLINK DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-09-13.

Stacked Composite Device Including a Group III-V Transistor and a Group IV Lateral Transistor

Номер патента: US20120256188A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

Stacked Composite Device Including a Group III-V Transistor and a Group IV Vertical Transistor

Номер патента: US20120256189A1. Автор: Briere Michael A.,MCDONALD Tim. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

Single crystal growth method for vertical high temperature and high pressure group III-V compound

Номер патента: US20120260848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

DILUTE GROUP III-V NITRIDE INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS WITH CONTACT BLOCKING LAYERS

Номер патента: US20120273037A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

GALLIUM NITRIDE OR OTHER GROUP III/V-BASED SCHOTTKY DIODES WITH IMPROVED OPERATING CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120280281A1. Автор: Bahl Sandeep R.. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-11-08.

Enhancement Mode Group III-V High Electron Mobility Transistor (HEMT) and Method for Fabrication

Номер патента: US20120313106A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

GROUP III-V ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR WITH THYRISTOR GATE

Номер патента: US20130062614A1. Автор: Pendharkar Sameer,Tipirneni Naveen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-14.

Group III-V Device Structure Having a Selectively Reduced Impurity Concentration

Номер патента: US20130069208A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

COMPOSITIONALLY GRADED DILUTE GROUP III-V NITRIDE CELL WITH BLOCKING LAYERS FOR MULTIJUNCTION SOLAR CELL

Номер патента: US20130074901A1. Автор: Walukiewicz Wladyslaw,Yu Kin Man. Владелец: ROSESTREET LABS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130105946A1. Автор: CHO Young-Jin,Shin Jai-kwang,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GROUP III-V BARRIER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130119347A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING GROUP III-V MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130119507A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-16.

METHOD FOR FORMING GROUP III/V CONFORMAL LAYERS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20130256760A1. Автор: CARLSON DAVID K.,Ye Zhiyuan,SANCHEZ ERROL ANTONIO C.,BAO XINYU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-03.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION WITH MULTI-DIELECTRIC GATE STACK

Номер патента: US20140084343A1. Автор: Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Group III-V compound semiconductor polishing agent

Номер патента: JPH085007B2. Автор: 正典太田,正文青木,一夫長島. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 1996-01-24.

Expressing method for etch pit of semiconductor crystal of compound of group iii-v

Номер патента: JPS548977A. Автор: Toshihiro Kusuki,Kenzo Akita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-01-23.

Method for manufacturing group III-V compound semiconductor device

Номер патента: JP3416051B2. Автор: 弘伊藤,小林　　隆,孝知榎木,春喜横山. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2003-06-16.

Group III-V compound single crystal

Номер патента: JP2751359B2. Автор: 築片野,紳一郎川端,文和矢島,文夫折戸,祐作樋口. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1998-05-18.

Method of synthesizing compound semiconductor of group iii-v

Номер патента: JPS6136109A. Автор: Hiroshi Saito,Junkichi Nakagawa,博斉藤,Masashi Fukumoto,Harunori Sakaguchi,一実大圃,春典坂口,Kazumi Ohata,中川　順吉,福本　昌志. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1986-02-20.

Vapor phase epitaxial growth process of semiconductor of groups iii-v

Номер патента: JPS52113156A. Автор: Hidejiro Miki,Michihiro Ito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-09-22.

Method for forming pattern of group III-V compound semiconductor

Номер патента: JP2522043B2. Автор: 直規古畑,広信宮本. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-07.

Gas etching method for group III-V compound semiconductor

Номер патента: JP3247424B2. Автор: 晴夫砂川,彰碓井. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Manufacturing method of semiconductor laser device and manufacturing method of group III-V compound semiconductor element

Номер патента: JP3782230B2. Автор: 邊実渡. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of verification of integrity of earthed thermoelectric couples during heat resistance tests of structures and measurement information system for its implementation (versions)

Номер патента: RU2538046C1. Автор: Вячеслав Васильевич Шевчук,Евгений Георгиевич Зубов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2015-01-10.

Method for continuous monitoring of integrity of aircraft at all flight phases thereof

Номер патента: RU2542746C2. Автор: Вячеслав Владимирович Воронин,Владимир Андреевич Морковкин,Александр Геннадьевич Нечаенко,Владислав Витольдович Бейнарович,Виктор Александрович Обуховец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2015-02-27.

Method of determining integrity of high-precision navigation determinations of consumer and system therefor

Номер патента: RU2577846C1. Автор: Владимир Викторович Куршин,Андрей Владимирович Молоканов. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2016-03-20.

Device for damaging integrity of bone

Номер патента: RU2321896C1. Автор: Наталь Виловна Петровска,Наталья Виловна Петровская,Эдуард Валентович Бурлаков,Дмитрий Владимирович Алатов,Сергей Александрович Ерофеев,Евгений Анатольевич Наумов. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Российский научный центр "Восстановительная травматология и ортопедия" имени академика Г.А. Илизарова Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2008-04-10.

Device for controlling field integrity of navigation space vehicles

Номер патента: RU2636386C1. Автор: Виктор Вениаминович Бельтюков,Анатолий Иванович Гладышев,Станислав Викторович Бельтюков. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for real-time monitoring of integrity of navigation field of global navigation satellite system

Номер патента: RU2584091C1. Автор: Сергей Васильевич Стрельников,Галина Геннадьевна Родионова. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-05-20.

COORDINATED INTEGRATION OF SECONDARY WIRELESS COMMUNICATION TERMINALS INTO A PRIMARY WIRELESS COMMUNICATION NETWORK

Номер патента: US20120002644A1. Автор: Rost Peter,Fettweis Gerhard,Nitzold Walter. Владелец: Vodafone Holding GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.