HYBRID SUBSTRATE ENGINEERING IN CMOS FINFET INTEGRATION FOR MOBILITY IMPROVEMENT
Номер патента: US20170047331A1
Опубликовано: 16-02-2017
Автор(ы): Chen Chia-Yu, Doris Bruce B., He Hong, Venigalla Rajasekhar
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-02-2017
Автор(ы): Chen Chia-Yu, Doris Bruce B., He Hong, Venigalla Rajasekhar
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Metal gate stress film for mobility enhancement in finfet device
Номер патента: CN101677085A. Автор: 叶致锴,张智胜,万幸仁,许俊豪. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.