Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1
Опубликовано: 06-02-2014
Автор(ы): Frank Hui, WEI Xia, Xiangdong Chen
Принадлежит: Broadcom Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for fabricating a flash memory cell utilizing a high-K metal gate process and related structure

Номер патента: US20110108903A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

PMOS high-k metal gates

Номер патента: US12051734B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20230097400A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20220077298A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Flash memory process with high voltage LDMOS embedded

Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Metal gate structure with multi-layer composition

Номер патента: US09679984B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsien-Ming Lee,Hung-Chin Chung,Hsiao-Kuan Wei,Shiang-Rung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method to form a polysilicon nanocrystal thin film storage bitcell within a high k metal gate platform technology using a gate last process to form transistor gates

Номер патента: US9275864B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H Perera,Jane A Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-01.

Method of Patterning a Metal Gate of Semiconductor Device

Номер патента: US20130130488A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of patterning a metal gate of semiconductor device

Номер патента: US20150206755A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

PMOS HIGH-K METAL GATES

Номер патента: US20220077298A1. Автор: YANG Yong,SRIRAM Mandyam,Gandikota Srinivas,Yang Yixiong,Wrench Jacqueline S.,HUNG Steven C. H.. Владелец: APPLIED MATERIAL, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160181107A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160336180A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: WO2021091995A1. Автор: Srinivas Gandikota,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Steven C.H. Hung,Chi-Chou Lin,Haoyan Sha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-14.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: TW201513311A. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US9911746B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High-k Metal Gate (HKMG) method for forming a memory cell with a large operating window

Номер патента: DE102018108894A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190371806A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

High-k metal gate devices with a dual work function and methods for making the same

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Non-volatile split-gate memory cell with integrated high-K metal gate and method of making the same

Номер патента: JP6407488B1. Автор: シャン リウ,チエン−シェン スー,ジェン−ウェイ ヤン,ニャン ドー,フェン ジョウ. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-17.

Self-Aligned Contacts for High k/Metal Gate Process Flow

Номер патента: US20120175711A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR HIGH k/METAL GATE PROCESS FLOW

Номер патента: US20130189834A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: US8536656B2. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: CN103299428A. Автор: 李影,R·拉玛钱德兰,R·迪瓦卡鲁尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Low temperature nitridation of amorphous high-k metal-oxide in inter-gates insulator stack

Номер патента: TW200541080A. Автор: Tai-Peng Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-16.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Nanoparticles In a Flash Memory Using Chaperonin Proteins

Номер патента: US20080191265A1. Автор: Chuanbin Mao,Shan Tang,Sanjay Banerjee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2008-08-14.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: EP3243219A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: WO2016111742A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell using a high-k dielectric

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433B1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A4. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A4. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for high temperature etching a high-k material gate structure

Номер патента: TW200908144A. Автор: WEI Liu,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Michael D Willwerch,David Palagashvili,Eiichi Matsusue,Yohei Kawase,Anh-Liet Quang Phan,Jong I Shin,Barrett Finch. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

A semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-k metal gate transistors

Номер патента: KR101486504B1. Автор: 틸 쉬로에쎄르,피터 바르스. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2015-01-23.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Low threshold voltage and inversion oxide thickness scaling for a high-k metal gate p-type mosfet

Номер патента: WO2013019696A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US8841731B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Flash memory device

Номер патента: US09871050B1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Jan Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Embedded flash memory device with floating gate embedded in a substrate

Номер патента: US11903191B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Embedded Flash Memory Device with Floating Gate Embedded in a Substrate

Номер патента: US20240147716A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and device for high k metal gate transistors

Номер патента: US09570611B2. Автор: YONG Li,Xiao Na Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

High-K metal gate

Номер патента: US09431509B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Scaling EOT by eliminating interfacial layers from high-K/metal gates of MOS devices

Номер патента: US09478637B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Plasma nitrided gate oxide, high-k metal gate based cmos device

Номер патента: WO2008121939A1. Автор: Manuel Quevedo-Lopez,Husam Niman Alshareef. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

High-k metal gate

Номер патента: US20140183653A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

E-fuse design for high-K metal-gate technology

Номер патента: US09515155B2. Автор: Roman Boschke,Maciej Wiatr,Stefan Flachowsky,Christian Schippel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High-k metal gate process and device

Номер патента: US10971602B2. Автор: Chun Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Tri-gate integration with embedded floating body memory cell using a high-k dual metal gate

Номер патента: US20090017589A1. Автор: Ibrahim Ban,Peter L.D. Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Reduced threshold voltage-width dependency in transistors comprising high-K metal gate electrode structures

Номер патента: US9425052B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of Forming a Single Metal that Performs N Work Function and P Work Function in a High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20180247937A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,CHAO Donald Y.,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of forming a single metal that performs n work function and p work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US20220216205A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of forming a single metal that peforms N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: TW201013759A. Автор: Kuo-Tai Huang,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Donald Y Chao,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: CN101099241A. Автор: S·达塔,M·梅茨,J·布拉斯克,S·裴,J·卡瓦利罗斯,M·多齐,R·乔,J·麦滋. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

Metal gate structure for midgap semiconductor device and method of making same

Номер патента: US09496143B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Interdigitated capacitor to integrate with flash memory

Номер патента: US09590059B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Partial sacrificial dummy gate with CMOS device with high-k metal gate

Номер патента: US09853116B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TWI310588B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TW200639947A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sang-Woo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Methods for making robust replacement metal gates and multi-threshold devices in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160086860A1. Автор: Balaji Kannan,Rekha Rajaram,Unoh Kwon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning

Номер патента: WO2011008401A1. Автор: Robert Binder,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch,Berthold Reimer,Falk Graetsch,Boris Bayah. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J Jaeger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method and structure for threshold voltage control and drive current improvement for high-k metal gate transistors

Номер патента: TW201110239A. Автор: Wei He,Naim Moumen,Young-Hee Kim,Wesley Natzle,Renee T Mo,Rashmi Jha,Michael P Chudzik,Siddarth A Krishnan,Hui-Ming Bu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-03-16.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: TW200847293A. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-12-01.

Method Of Forming A Singe Metal That Performs N and P Work Functions In High-K/Metal Gate Devices

Номер патента: US20150303062A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric layer and a silicide gate electrode

Номер патента: TWI315093B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060003499A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Norman,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH A DUAL WORK FUNCTION AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Yu Chen-Hua,YAO Liang-Gi,LIN CHENG-TUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

NOVEL E-FUSE DESIGN FOR HIGH-K METAL-GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20150179753A1. Автор: Flachowsky Stefan,Boschke Roman,Wiatr Maciej,Schippel Christian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

high-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375B. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Method to control flatband/threshold voltage in high-k metal gated stacks and structures thereof

Номер патента: CN1885560A. Автор: 陈自强,雷贾拉奥·詹米,斯蒂芬·L·布朗,维杰伊·纳拉亚南,瓦姆西·K·帕鲁丘里. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

High-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375A. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: US20080290416A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of fabricating high-k/metal gate device

Номер патента: US20110143529A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Da-Yuan Lee,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: KR101639464B1. Автор: 로버트 디 클라크. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-07-13.

Sealing spacer to reduce or eliminate lateral oxidation of a high-k gate dielectric

Номер патента: US20070262399A1. Автор: Gilbert Dewey,Suman Datta,Jack Kavalieros,Justin Sandford,Nancy Zelick. Владелец: Kavalieros Jack T. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6806146B1. Автор: YING Zhou,Justin K. Brask,Mark L. Doczy,John P. Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Reducing oxidation under a high K gate dielectric

Номер патента: US20080211033A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Robert B. Turkot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method to improve the quality of a high-k dielectric layer

Номер патента: EP3316289B1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A3. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Joong S Jeon. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177B1. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

METHOD FOR FORMING A HIGH-k GATE STACK WITH REDUCED EFFECTIVE OXIDE THICKNESS

Номер патента: US20100248464A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: WO2010111453A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2010-09-30.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US7575991B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz,Robert L. Norman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

High k metal grid structure and method for manufacturing same

Номер патента: CN103794481A. Автор: 韩秋华,倪景华,李凤莲. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Enhanced gate replacement process for high-K metal gate technology

Номер патента: US09691876B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09514943B1. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09431255B2. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US10522684B2. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20190035924A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20200105921A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20120187522A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by preserving a resist material above end caps of gate electrode structures

Номер патента: US8481381B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Metal Gates and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20200266282A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US09685521B2. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Low resistance replacement metal gate structure

Номер патента: US09508816B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Metal gate cut with hybrid material fill

Номер патента: US20240213100A1. Автор: Matthew J. Prince,Anupama Bowonder,Chiao-Ti HUANG,Swapnadip Ghosh,Yulia Gotlib,Bishwajit Debnath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US20180006133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chia-Lin Liu,Chun-Lung Chen,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US20100317184A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20150255294A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20160111512A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Low resistance replacement metal gate structure

Номер патента: US20160163809A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US20170309722A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide Thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130032886A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Lateral undercut of metal gate in SOI device

Номер патента: US20070040223A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Brian Doyle,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US20120322253A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US8470659B2. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Integrated high-K/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US09601388B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Cmos-vorrichtung einschliesslich pmos- metall-gate mit niedriger schwellenspannung

Номер патента: DE102019107531A1. Автор: Ying Pang,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-02.

Method for manufacturing multi-voltage devices using high-k-metal-gate (hkmg) technology

Номер патента: US20190139837A1. Автор: Chii-Ming Wu,Cheng-Yuan Tsai,Yi-huan Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor,Ray Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US9257426B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Niedrige Schwellenspannung und Skalierung der Inversionsoxiddicke für einen Mosfet vom P-Typ mit High-K-Metall-Gate

Номер патента: DE112012002543T5. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

High-k metal gate structure fabrication method including hard mask

Номер патента: TW201011815A. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Shun-Jang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-16.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20170025315A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20190318966A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Method and structure for forming high-k/metal gate extremely thin semiconductor on insulator device

Номер патента: US20120043623A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Self-Aligned Insulated Film For High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20180019133A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Pei-Ren Jeng ,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-VOLTAGE DEVICES USING HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20190139837A1. Автор: WU Chii-Ming,TSAI Cheng-Yuan,TSAO Chun-Han,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Integrated High-K/Metal Gate in CMOS Process Flow

Номер патента: US20160293490A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Lin Jr-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Self-Aligned Insulated Film for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20190341263A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: KR101618511B1. Автор: 해리-학-레이 추앙,바오-루 영,후안-주스트 린,치-탕 펭,진-아운 엔쥐,맥시 창,젠-셍 양,타-웨이 린,쉬-하오 로,치-양 예,휘-웬 린,정-휘 카오,유안 티엔 투,페이-렌 젱. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2016-05-04.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9779947B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9252224B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20090152636A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of integrating high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: TW201013849A. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: KR101606210B1. Автор: 타카시 안도,창환 최,비제이 나라야난,마틴 엠. 프랭크. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2016-03-24.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: US7989902B2. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Enhanced stress memorization technique for metal gate transistors

Номер патента: US20150093871A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Low Threshold Voltage and Inversion Oxide Thickness Scaling for a High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20150243662A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Gate structure in high-k metal gate technology

Номер патента: US20240290859A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170098654A1. Автор: Zhou Feng,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Preventing fully silicided formation in high-k metal gate processing

Номер патента: US20130330899A1. Автор: Ming Cai,Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Kevin K. Chan,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20150021672A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATES FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20150021705A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Lin Jr Jung,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Chen Ray Chia-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20180166452A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-14.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20140367802A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao,CHUANG HARRY-HAK-LA Y. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20170278853A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-28.

SUPERIOR INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY FORMING A CONTROLLED UNDERCUT ON THE BASIS OF A WET CHEMISTRY

Номер патента: US20150137270A1. Автор: Beyer Sven,Reimer Berthold,Graetsch Falk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Drain-extended FinFET with a High-k Dielectric Field Plate and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102300071B1. Автор: 조현수,백창기,공병돈,김향우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-09-07.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Control Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20190172942A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Stephan Kronholz,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming a transistor comprising high-k metal gate electrode structures including a polycrystalline semiconductor material and embedded strain-inducing semiconductor alloys

Номер патента: US8343826B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-k dielectric material

Номер патента: US09911732B2. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177B4. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of reducing oxygen vacancies in a high k capacitor dielectric region, and DRAM processing methods

Номер патента: US20020106853A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Flash memory devices

Номер патента: US09799664B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Multiple patterning techniques for metal gate

Номер патента: US09960085B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Lung-Kun Chu,Hsiang-Pi Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure and method to suppress work function effect by patterning boundary proximity in replacement metal gate

Номер патента: US09818746B2. Автор: Kai Zhao,Unoh Kwon,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

A method of manufacturing a semiconductor device having a high-K-gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: DE112005001593B4. Автор: Justin Portland Brask,Chris Portland Barns,Mark Beaverton Doczy,Uday Portland Shah,Jack Portland Kavalieros,Matthew Hillsboro Metz,Suman Beaverton Datta,Anne Portland Miller,Robert Beaverton Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09728462B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20160293493A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US9985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20170077098A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Structure and method for 3D FinFET metal gate

Номер патента: US09876114B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09536791B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Effective Work Function Tuning Via Silicide Induced Interface Dipole Modulation For Metal Gates

Номер патента: US20230104442A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US11990522B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US20240313067A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Multiple patterning techniques for metal gate

Номер патента: US20170207133A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Lung-Kun Chu,Hsiang-Pi Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US20230238450A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods for manufacturing metal gates

Номер патента: EP2842159A1. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Wei Tang,Maitreyee Mahajani,Shih Chung CHEN,Xinyu Fu,Xinliang Lu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Metal gate structure for semiconductor devices

Номер патента: US20140246735A1. Автор: Richard Carter,Thilo Scheiper,Martin Trentzsch,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Selective growth of a work-function metal in a replacement metal gate of a semiconductor device

Номер патента: US20150108577A1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of using polysilicon as stop layer in a replacement metal gate process

Номер патента: US09847402B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN100524660C. Автор: S·达塔,A·米勒,C·巴恩斯,M·梅茨,J·布拉斯克,J·卡瓦利罗斯,R·曹,M·多茨,U·夏. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A MEMORY DEVICE AND A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR

Номер патента: US20170125432A1. Автор: Beyer Sven,Richter Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Enhanced confinement of sensitive materials of a high-K metal gate electrode structure

Номер патента: US8748281B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09978850B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09711605B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for doping high-k metal gates for tuning threshold voltages

Номер патента: US20240379365A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN101916771B. Автор: 休曼·达塔,贾斯廷·布拉斯克,杰克·卡瓦莱厄斯,马克·多克茨,尤黛·沙赫,克里斯·巴恩斯,马修·梅茨,安娜丽莎·卡佩尔拉尼,罗伯特·赵. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US20160293721A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US09997518B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

High k dielectric material and method of making a high k dielectric material

Номер патента: US20030224218A1. Автор: Martin Green,Lalita Manchanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

High-k metal gate electrode structure formed by removing a work function on sidewalls in replacement gate technology

Номер патента: US8735236B2. Автор: Christopher Prindle,Klaus Hempel,Rolf Stephan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11569251B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

High-k/metal gate transistor with L-shaped gate encapsulation layer

Номер патента: US9263276B2. Автор: Jeffrey W. Sleight,Vijay Narayanan,Wesley C. Natzle,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG10201405133YA. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-K metal gate transistors

Номер патента: US09564521B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor

Номер патента: TWI344193B. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor fabrication process

Номер патента: TW200524084A. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI230434B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: TW200703459A. Автор: Olubunmi O Adetutu,David C Gilmer,Hsing H Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-16.

Sealing structure for high-k metal gate and method of making

Номер патента: US20120225529A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Harry Chuang,Kang-Cheng Lin,Chii-Horng Li,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Hao-Ming Lien,Jin-Aun Ng,Jun-Lin Yeh,Chieh-Hao Chen,Ssu-Yu Li,Chung-Hau Fei,Chi Hsin Chang,Chun Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: US20130234254A1. Автор: Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Structure and method for nfet with high k metal gate

Номер патента: US20130270647A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20130273729A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20210013111A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150069524A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20220148924A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-05-12.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140183653A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20220285161A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170162575A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD TO IMPROVE RELIABILITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS

Номер патента: US20160181397A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160196979A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Wang Chun-Chieh,YANG Huai-Tei,WU Chun-I,PAI Yueh-Ching,Liao Chien-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20150318284A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20170317180A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20160336422A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Method for cmp of high-k metal gate structures

Номер патента: US20150340451A1. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345722A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345723A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358587A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358588A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958B. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-29.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: KR101403097B1. Автор: 진언 능,포니엔 챈,솅챈 정,바오루 영,학-래이 정. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-06-03.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958A. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US9299802B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Multi time programmable memories using local implantation in high-K/ metal gate technologies

Номер патента: US10361093B2. Автор: Takashi Ando,Chandrasekharan Kothandaraman,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Boundary region for high-k-metal-gate (HKMG) integration technology

Номер патента: US10991693B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Contact for high-K metal gate device

Номер патента: US8546227B2. Автор: Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin,Sheng-Chen Chung,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: CN103311185A. Автор: 庄学理,黄仁安,陈柏年,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for tuning a work function of high-k metal gate devices

Номер патента: TW201025509A. Автор: Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh,Harry Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Transistors comprising high-k metal gate electrode structures and adapted channel semiconductor materials

Номер патента: US8198152B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Reduced threshold voltage-width dependence in transistors having high-k metal gate electrode structures

Номер патента: DE102010040064A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20110101470A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

The contact of high-K metal gate device

Номер патента: CN103000572B. Автор: 庄学理,李再春,林焕哲,吴伟成,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR102198938B1. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-01-05.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR20160061969A. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-01.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US9960161B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for CMOS devices

Номер патента: US8835260B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

High-k/metal gate transistor

Номер патента: WO2011060972A1. Автор: Vijay Narayanan,Wesley Natzle,Renee Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-26.

High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: TW200924196A. Автор: Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-06-01.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: EP2160757B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING PERFORMING A HEAT TREATMENT AFTER FORMING A METAL LAYER AND A HIGH-K LAYER

Номер патента: US20160013107A1. Автор: KIM Weon-Hong,Song Moon-Kyun,WON Seok-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Maintaining integrity of a high-k gate stack by passivations using an oxygen plasma

Номер патента: WO2011025800A3. Автор: Sven Beyer,Rick Carter,Andreas Hellmich,Berthold Reimer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-04-21.

A method of encapsulating a high-k gate stack by forming a coating at two different process temperatures

Номер патента: DE102008016437B3. Автор: Fabian Koehler,Katy Schabernack,Falk Graetsch. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060051882A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Markus Kuhn,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Adrian Sherrill,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20050032318A1. Автор: Mark Doczy,Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Robert Chau. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6689675B1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Christopher G. Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric layer

Номер патента: US8912611B2. Автор: Hajin LIM,Jinho Do,Weonhong Kim,Moonkyun Song,Dae-Kwon Joo,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-16.

A method for modifying a gate dielectric stack containing a high-k layer using plasma processing

Номер патента: KR101163264B1. Автор: 타츠오 마츠도,히로아키 니이미,루이지 콜롬보,코지 시모무라,타쿠야 수가와라. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-07-05.

A method for increasing the integrity of a high-k gate stack by creating a controlled sub-cavity based on wet chemistry and transistor produced by the methods

Номер патента: DE102010042229B4. Автор: Sven Beyer,Berthold Reimer,Falk Graetsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20040180523A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Matthew Metz,Timothy Glassman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

Ultra-shallow junction MOSFET having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: TW200527547A. Автор: Hu Chenming,Chih-Hao Wang,Yen-Ping Wang,Liang-Gi Yao,Hsien-Kuang Chiu,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-16.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TW200407994A. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TWI240315B. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003231821A1. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TW200425392A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Ultra-shallow junction mosfet having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: SG111238A1. Автор: Wang Chih-hao,YAO Liang-Gi,Chen Shang-Chih,Wang Yen-Ping,Hu Chenming,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

Methods of tailoring work function of semiconductor devices with high-k/metal layer gate structures by performing a fluorine implant process

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Jan Hoentschel,Shesh Mani Pandey,Shiang Yang Ong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: US20160056250A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chuang Harry Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: CN105390465A. Автор: 庄学理,吴伟成,刘世昌,高雅真. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

High voltage extended drain mosfet (edmos) devices in a high-k metal gate (hkmg)

Номер патента: US20220020746A1. Автор: Peter Baars,Thorsten E. Kammler. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Gate Logic Device And Metal-Free Erase Gate, And Method Of Making Same

Номер патента: US20170025427A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE LOGIC DEVICE AND METAL-FREE ERASE GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170373077A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Nonvolatile, isolated gate memory cells having integrated high-K metal gate logic devices and metal-free erase gates, and methods of making same

Номер патента: KR20180030189A. Автор: 펭 조우,젱-웨이 양,치엔-쉥 수. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2018-03-21.

Non-volatile split game memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US10381359B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

GATE STRUCTURE IN HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20200251566A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Wu Wei Cheng,Ko Hung-Pin,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013197A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

RECESSED SALICIDE STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013198A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Method of Forming an Electrical Fuse and a Metal Gate Transistor and the Related Electrical Fuse

Номер патента: US20110147853A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120228718A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120225524A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Self-aligned metal gate with poly silicide for vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12034005B2. Автор: Dechao Guo,Brent A. Anderson,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for creating metal gate resistor in FDSOL and resulting device

Номер патента: US09431424B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Lateral bicmos replacement metal gate

Номер патента: US20170005085A1. Автор: Effendi Leobandung,Tak H. Ning,Jin Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Lateral BiCMOS replacement metal gate

Номер патента: US09478534B2. Автор: Effendi Leobandung,Tak H. Ning,Jin Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Formation of full metal gate to suppress interficial layer growth

Номер патента: US20180204839A1. Автор: Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Paul Jamison,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

EMBEDDED SONOS AND HIGH VOLTAGE SELECT GATE WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20200350213A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Method to Form a Polysilicon Nanocrystal Thin Film Storage Bitcell within a High K Metal Gate Platform Technology Using a Gate Last Process to Form Transistor Gates

Номер патента: US20150054044A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Yater Jane A.,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-02-26.

LOW THICKNESS DEPENDENT WORK-FUNCTION nMOS INTEGRATION FOR METAL GATE

Номер патента: WO2019014448A1. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Atashi Basu,Naomi Yoshida,Sang Ho Yu,Paul F. Ma,Shih Chung CHEN,Liqi Wu,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-17.

Low Thickness Dependent Work-Function nMOS Integration For Metal Gate

Номер патента: US20190019874A1. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Atashi Basu,Naomi Yoshida,Sang Ho Yu,Paul F. Ma,Shih Chung CHEN,Liqi Wu,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Cap removal in a high-k metal gate electrode structure by using a sacrificial fill material

Номер патента: US8329526B2. Автор: Ralf Richter,Jens Heinrich,Markus Lenski,Frank Seliger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Methods for high-k metal gate CMOS with SiC and SiGe source/drain regions

Номер патента: US09595585B2. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9006837B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US9490255B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by a Replacement Gate Approach Based on Superior Planarity of Placeholder Materials

Номер патента: US20120196425A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Andy Wei,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Silicon Nitride Layer Deposited at Low Temperature to Prevent Gate Dielectric Regrowth High-K Metal Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20150084132A1. Автор: Ortolland Claude,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,Zhao Kai,Chou Anthony I-Chih. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20160111522A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: KIRKPATRICK BRIAN K.,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Enhanced gate replacement process for high-k metal gate technology

Номер патента: KR101366484B1. Автор: 밍 주,해리 학 레이 청. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-02-21.

Structure and method for reduction of Vt-W effect in high-k metal gate devices

Номер патента: TW201238001A. Автор: Vijay Narayanan,Richard A Conti,Michael V Aquilino,Daniel J Jaeger,Christopher V Baiocco. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-09-16.

WET PROCESS ASSISTED APPROACH FOR SELECTIVE BARRIER METAL PATTERNING ON HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190273149A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Liang Chun-Sheng,Huang Ming-Chi,Chuang Ying-Liang,CHIANG Hsin-Che,Huang Ju-Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11978740B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240250089A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230261004A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

A method and system for forming a feature in a high-k layer

Номер патента: TW200629542A. Автор: Lee Chen,Akiteru Koh,Annie Xia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-08-16.

Methods of forming a high-k contact liner to improve effective via separation distance and the resulting devices

Номер патента: US09825031B1. Автор: Jagannathan Vasudevan,Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jason E. Stephens,David M. Permana. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120181616A1. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and integrated circuit with high-k/metal gate without high-k direct contact with sti

Номер патента: US20130146975A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

STRUCTURE AND METHOD FOR NFET WITH HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150004779A1. Автор: ZHU Ming,LIU Chi-Wen,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20190035924A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20220084869A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190067457A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20140170844A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200105921A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

BOUNDARY REGION FOR HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) INTEGRATION TECHNOLOGY

Номер патента: US20200144263A1. Автор: Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20210202743A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Chiang Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Composite High-K Metal Gate Stack for Enhancement Mode GaN Semiconductor Devices

Номер патента: US20160204207A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD AND DEVICE FOR HIGH K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160225903A1. Автор: Li Yong,WANG XIAO NA. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160293721A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

FinFET Device with High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20150303305A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-22.

High-K Metal Gate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20190341317A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Chuang Ying-Liang,Huang Kuo Bin,Huang Ju-Li,Chiang Chih-Long. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150380408A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Structure and method for Vt tuning and short channel control with high K / metal gate MOSFETs.

Номер патента: JP5669954B2. Автор: ワン、シンリン,チェン、シャンドン,カイ、チン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-18.

The structure controlled for the Vt adjustment and short channel with high-k/metal gate mosfet and method

Номер патента: CN103262246B. Автор: 陈向东,蔡劲,王新琳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

A kind of method for forming high-k/metal gate

Номер патента: CN103811319B. Автор: 陈勇,何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-08.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: WO2012078225A1. Автор: Xiangdong Chen,Xinlin Wang,Jin Cai. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

High-K/metal gate CMOS finFET with improved pFET threshold voltage

Номер патента: US7993999B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9087784B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: WO2012099928A3. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for reducing high K metal gate device threshold voltage fluctuation

Номер патента: CN105304568A. Автор: 景旭斌,何志斌. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-03.

High-k metal gate electrode structures formed by cap layer removal without sacrificial spacer

Номер патента: TW201227812A. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-07-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR POWER DEVICE (DMOS) INCLUDING GATE ELECTRODE FORMED OVER A GATE INSULATION FILM HAVING SiO2 PORTIONS AND A HIGH-K PORTION THEREBETWEEN

Номер патента: US20170092743A1. Автор: Nakano Yuki,Okumura Keiji,KAWAMOTO Noriaki,MIURA Mineo,ABE Hidetoshi. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-30.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252492A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

Thin Film Transistor Including a High-k Insulating Thin Film and Method for Manufacturing The Same

Номер патента: KR102000829B1. Автор: 이지원,정재경. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-07-16.

Methods of forming a high-k contact liner to improve effective via separation distance and the resulting devices

Номер патента: TWI645510B. Автор: 古拉密 波奇,安迪Ｃ 韋,傑森Ｅ 史蒂芬斯,大衛Ｍ 佩爾曼,賈卡納斯 瓦德凡. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2018-12-21.

Low temperature method of forming a gate stack with a high k layer deposited over an interfacial oxide layer

Номер патента: US6806145B2. Автор: Eric Shero,Suvi Haukka,Christophe Pomarede,Marko Tuominen,Jan Willem Hub Maes. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2004-10-19.

Greater integrity of a high-k gate metal electrode structure by employing a sacrificial spacer for overcoat removal

Номер патента: DE102009055438A1. Автор: Uwe 04416 Griebenow,Jan 01309 Hoentschel,Thilo 01099 Scheiper,Andy 01097 Wei. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-07-07.

PROCEDURE FOR A UNIFORMITY OF DIELECTRIC ELEMENTS WITH A HIGH K

Номер патента: DE112018004228B4. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Wing Yeung Chun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: AU2003263872A8. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Methods and applications of novel amorphous high-k metal-oxide dielectrics by super-cycle atomic layer deposition

Номер патента: US20240194479A1. Автор: Lai ZHAO,Kwang Soo Huh,Zhelin SUN,Soo Yong Choi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Embedded Flash Memory Device with Floating Gate Embedded in a Substrate

Номер патента: US20190148391A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

Replacement metal gate

Номер патента: US09515070B2. Автор: Stefan Schmitz,Effendi Leobandung,David V. Horak,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS technology

Номер патента: CN105845686A. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS

Номер патента: CN105845686B. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-03.

METAL-INSULATOR-POLY CAPACITOR IN A HIGH-K METAL GATE PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20200020761A1. Автор: Tan Shyue Seng,TAN Juan Boon,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140217481A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

METHOD OF FORMING A SINGLE METAL THAT PERFORMS N AND P WORK FUNCTIONS IN HIGH-K/METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20140319619A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20150255463A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING HIGH-K/METAL GATE EXTREMELY THIN SEMICONDUCTOR ON INSULATOR DEVICE

Номер патента: US20130153929A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES AND EMBEDDED STRAIN-INDUCING SEMICONDUCTOR ALLOYS FORMED IN A LATE STAGE

Номер патента: US20130240988A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20130270619A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-17.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20130328115A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-12.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130328136A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Kothandaraman Chandrasekara. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

METHODS FOR HIGH-K METAL GATE CMOS WITH SiC AND SiGe SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160087040A1. Автор: MAO Gang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160204219A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Integrated method for forming high-k metal gate FinFET devices

Номер патента: US8034677B2. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Integrated method for forming high-k metal gate finfet devices

Номер патента: US20110207279A1. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140175569A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252493A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile Memory Bitcell With Inlaid High K Metal Select Gate

Номер патента: US20150041875A1. Автор: Perera Asanga H.. Владелец: Freescale Seminconductor, Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

REDUCED THRESHOLD VOLTAGE-WIDTH DEPENDENCY IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20150228490A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Langdon Steven. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Atomic layer deposition of high k metal silicates

Номер патента: WO2004017378A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems, Ltd.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190103414A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-04.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed on the basis of a simplified spacer regime

Номер патента: US20110129972A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US7390709B2. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Ramune Nagisetty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-24.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: US20110241119A1. Автор: George Liu,Kuei Shun Chen,Chia-Ching Lin,Jiann Yuan Huang,Meng-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Forming STI Regions After Gate Metals

Номер патента: US20130075820A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

High-k metal gate electrode structures formed by reducing a gate fill aspect ratio in replacement gate technology

Номер патента: US8716120B2. Автор: Klaus Hempel,Andy Wei,Martin Mazur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

A high-k dielectric material and methods of forming the high-k dielectric material

Номер патента: WO2012021318A2. Автор: Tsai-Yu Huang,Ching-Kai Lin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING A LOW GATE RESISTANCE HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140110790A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,HUANG Jingyan. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

Integrated Circuits Having a Plurality of High-K Metal Gate FETs with Various Combinations of Channel Foundation Structure and Gate Stack Structure and Methods of Making Same

Номер патента: US20150287645A1. Автор: McWilliams Bruce,Ranade Pushkar,Zhao Dalong. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

N/P METAL CRYSTAL ORIENTATION FOR HIGH-K METAL GATE Vt MODULATION

Номер патента: US20140154848A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lin Chin-Hsiang,CHERN Chyi Shyuan,Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods for depositing a high-k dielectric material using chemical vapor deposition process

Номер патента: CN101298663A. Автор: 施里亚斯·凯尔,德加尔·戈亚尼,巴拉志·卡南. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

High-K metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876068B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

METHODS FOR HIGH TEMPERATURE ETCHING A HIGH-K GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130344701A1. Автор: Liu Wei,SHEN MEIHUA,Willwerth Michael D.,Palagashvili David,MATSUSUE Eiichi,DESHMUKH Shashank C.,PHAN Anh-Kiet Quang,SHIN Jong I.,FINCH Barrett,KAWASE Yohei. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Method and apparatus for a semiconductor device with a high-k gate

Номер патента: SG118387A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Method of predicting lifetimes of MISFET having a high-k gate dielectric and integrated circuit

Номер патента: TW200625537A. Автор: Min-Hwa Chi,Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

STRUCTURE AND METHOD TO MODULATE THRESHOLD VOLTAGE FOR HIGH-K METAL GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETs)

Номер патента: US20130316503A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150069518A1. Автор: HAN QIUHUA. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Methods of forming high-k/metal gates for nfets and pfets

Номер патента: US20090250760A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Hongwen Yan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Resistive device for high-k metal gate technology

Номер патента: US8334572B2. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: CN102332448A. Автор: 黄建元,林家庆,陈孟伟,陈桂顺,刘家助. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Structure And Method For A High-K Transformer With Capacitive Coupling

Номер патента: US20150325517A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Ling Lin,Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Vertical Metal Insulator Metal Capacitor Having a High-K Dielectric Material

Номер патента: US20170373056A1. Автор: JOU Chewn-PU,BAO Tien-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

INTEGRATED PATCH ANTENNA HAVING AN INSULATING SUBSTRATE WITH AN ANTENNA CAVITY AND A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20220368012A1. Автор: Chen Ching-Hui,KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: KR101037308B1. Автор: 리 첸,히로미츠 감바라,노부히로 이와마,메이키 코,히로마사 모치키,마사아키 하기하라. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-05-27.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US20050260347A1. Автор: Pravin Narwankar,Gregg Higashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US8119210B2. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: WO2005117087A1. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: US20050164511A1. Автор: Lee Chen,Akiteru Ko,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: WO2004109772A2. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-12-16.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-K dielectric material

Номер патента: US9793264B1. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for self-aligned removal of a high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20090057813A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Structure and method for a high-K transformer with capacitive coupling

Номер патента: US9633940B2. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Ling Lin,Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI239563B. Автор: Shah Uday,Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

HIGH-K METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180122893A1. Автор: Yang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory

Номер патента: US20090040823A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

INTEGRATION TECHNIQUES FOR MIM OR MIP CAPACITORS WITH FLASH MEMORY AND/OR HIGH-k METAL GATE CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20160225846A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,LIU Chen-Chin,Wang Yu-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Method Of Forming A Single Metal That Performs N Work Function And P Work Function In A High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20140001566A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai,CHAO Yuan-Shun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20150236260A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20140319449A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

One Time Programmable Structure Using a Gate Last High-K Metal Gate Process

Номер патента: US20130082347A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY PRESERVING A RESIST MATERIAL ABOVE END CAPS OF GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20130267044A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

Methods and devices for a high-k stacked capacitor

Номер патента: US20090200637A1. Автор: Binghua Hu,Byron Lovell Williams,Betty Mercer,Scott Montgomery,Maxwell Walthour Lippitt, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Methods and devices for a high-k stacked capacitor

Номер патента: US7902033B2. Автор: Binghua Hu,Byron Lovell Williams,Betty Mercer,Scott Montgomery,Maxwell Walthour Lippitt, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Image sensor with trenched filler grid within a dielectric grid including a reflective portion, a buffer and a high-K dielectric

Номер патента: US09490288B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Wang Chun-Ying,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Zhe-Ju Liu,Feng-Chien Hsieh,Shih-Ciang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130187239A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

LOGIC HIGH-K/METAL GATE 1T-1C RRAM MTP/OTP DEVICES

Номер патента: US20160093672A1. Автор: Li Xia,Perry,Kang Seung Hyuk,JR. Daniel Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Post silicide testing for replacement high-k metal gate technologies

Номер патента: US8610451B2. Автор: David M. Fried,Ishtiaq Ahsan,Lidor Goren,Jiun-Hsin Liao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN A HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING LANTHANUM

Номер патента: US20140015058A1. Автор: Beyer Sven,Carter Richard,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US20040228968A1. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US6884475B2. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Method for enabling multiple vt devices using high-k metal gate stacks

Номер патента: WO2009056417A1. Автор: Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Vamsi Paruchuri,Jeffrey Sleight,Martin Michael Frank. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-07.

Integration techniques for MIM or MIP capacitors with flash memory and/or high-κ metal gate CMOS technology

Номер патента: US09570539B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Logic high-k/metal gate 1t-1c rram mtp/otp devices

Номер патента: WO2016048681A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Daniel Wayne PERRY JR.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Neuromorphic circuit including spike regulator based on flash memory

Номер патента: US20220156565A1. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Kyeong Seok Lee,Joon Young Kwak,Gyuweon Hwang,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-19.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming a substrate comprising a titanium layer or foil covered with a titanium oxide layer covered with a high k ceramic, electrode, capacitor, mutilayer capacitor and medical device using it

Номер патента: WO2024120850A3. Автор: Manfred Schweinzger,Federica Benes,Marius Steffens. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-08-02.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

PROGRAMMABLE/RE-PROGRAMMABLE DEVICE IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20130229882A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

Memory cell using BTI effects in high-k metal gate MOS

Номер патента: US8432751B2. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory cell using bti effects in high-k metal gate mos

Номер патента: TWI470633B. Автор: Anisur Rahman,Chia-Hong Jan,Walid M Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

High k metal-insulator-metal (mim) capacitor network for lag mitigation

Номер патента: US20240244350A1. Автор: Duli Mao,Woon Il Choi,Bill Phan,Yuanliang Liu,Yifei Du,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Disabling flash memory to protect memory contents

Номер патента: US20030228728A1. Автор: Hung-Chang Yu,Fei-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Layout of a flash memory having symmetric select transistors

Номер патента: US20050040457A1. Автор: Ming-Hung Chou,Jen-Ren Huang. Владелец: MARCRONIX INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic flash memory

Номер патента: US20020145914A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Ldpc erasure decoding for flash memories

Номер патента: EP2545554A2. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Radoslav Danilak,Earl T Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

LDPC Erasure Decoding for Flash Memories

Номер патента: US20170155409A1. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Earl T. Cohen,Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Modular flash memory card expansion system

Номер патента: WO2009067721A1. Автор: Kam Cheong Chin,Choon Tak TANG. Владелец: Kingston Technology Corporation. Дата публикации: 2009-05-28.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US12112809B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09666294B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09411681B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Data compression method and flash memory device

Номер патента: US20240311005A1. Автор: Ying Yang,Xueming CAO,Yuanpeng MA,Juming LIAO. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Rank-modulation rewriting codes for flash memories

Номер патента: US09916197B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD,Eitan Yaakobi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-03-13.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: CA2576056A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: WO2006017553A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Pocrass Alan L. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20010000306A1. Автор: Sukyoon Yoon,Pavel Klinger,Joo Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

Maintaining slew rate while loading flash memory dies

Номер патента: US10243560B2. Автор: Vinod Arjun HUDDAR,Abhishek LAGUVARAM. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20200226021A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20190050287A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Optimized flash memory without dedicated parity area and with reduced array size

Номер патента: US09424178B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for controlling operation of flash memory

Номер патента: US09324436B2. Автор: Sang-Kyung YOO,Sanghan Lee,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-04-26.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Flash memories using minimum push up, multi-cell and multi-permutation schemes for data storage

Номер патента: US09666280B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-05-30.

Method, memory controller, and memory system for reading data stored in flash memory

Номер патента: US09601219B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Swivel cap for flash memory device

Номер патента: US20070063249A1. Автор: Robert Martin,Boris Kontorovich,Richard Whitehall,Allen Zadeh,G. Rambosek. Владелец: Imation Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Fast decoding of data stored in a flash memory

Номер патента: US09954558B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Programmable intelligent search memory enabled secure flash memory

Номер патента: US09952983B2. Автор: Ashish A. Pandya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09870165B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Raising programming currents of magnetic tunnel junctions using word line overdrive and high-k metal gate

Номер патента: US8879308B2. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: WO2009016606A3. Автор: Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser,Beek Jozef Thomas Martinus Van,Marieke Klee. Владелец: Marieke Klee. Дата публикации: 2009-08-06.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

HIGH-K METAL GATE DEVICE STRUCTURE FOR HUMAN BLOOD GAS SENSING

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Zafar Sufi,Wang Yanfeng,SHI CHEN,Steen Steven E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: US20100202254A1. Автор: Mareike Klee,Jozef Thomas Martinus Van Beek,Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-08-12.

cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: CN101772383A. Автор: M·克莱,J·D·弗雷泽,K·赖曼,A·L·鲁斯特,J·T·M·范贝克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-07-07.

High-k metal oxide thin films, method for forming thereof and devices comprising the same

Номер патента: KR100866305B1. Автор: 강상원,박판귀. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2008-10-31.

Method of emulating eeprom-memory in flash-memory

Номер патента: RU2716899C1. Автор: Константин Анатольевич Черников,Антон Олегович Таршиков,Игорь Олегович Коваленко,Сергей Александрович Поскряков. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-03-17.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US7215578B2. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-08.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US20060176741A1. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Priority-based flash memory control apparatus for XIP in serial flash memory, memory management method using the same, and flash memory chip thereof

Номер патента: EP1522928A3. Автор: Chan-Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-03.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit with flash memory

Номер патента: EP1203379A1. Автор: Stefan Koch,Axel Hertwig,Hans-Joachim Gelke. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-08.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Nor Flash Memory Controller

Номер патента: US20120151259A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Flash memory controller

Номер патента: US20240152288A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Computing device and method for inferring a predicted number of physical blocks erased from a flash memory

Номер патента: US20190155520A1. Автор: Francois Gervais. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Control apparatus and control method with multiple flash memory card channels

Номер патента: US09658958B2. Автор: MIAO Chen,Yuanlong Wang. Владелец: NOREL SYSTEMS Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Flash memory controller

Номер патента: US09588709B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory control chip and data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09465538B2. Автор: Yi-Lin Lai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Block update for flash memory utilizing a cache page and cache block

Номер патента: US8209487B2. Автор: Tsai-Cheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-06-26.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: EP2449471A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: WO2011008507A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: ORACLE AMERICA, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US9318213B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Flash memory controller

Номер патента: US20160351255A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Reducing write amplification in a cache with flash memory used as a write cache

Номер патента: US20130132655A1. Автор: Binny S. Gill,Wendy A. Belluomini,Michael A. Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Distributed flash memory storage manager systems

Номер патента: US20100254173A1. Автор: Wei Zhou,Po-Chien Chang,Chee Hoe Chu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Flash memory controller

Номер патента: US09733857B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Flash memory controller, data processing system with flash memory controller and method of operating a flash memory controller

Номер патента: US09720797B2. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas Ralph Pachl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for increasing speed of writing data into flash memory unit and associated device

Номер патента: US09627047B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Testing apparatus for flash memory chip

Номер патента: US09470714B2. Автор: Hua-An YANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210223970A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210365197A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: EP4014121A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US9514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Output driving and input on-die termination mechanism capable of supporting different requirements of different flash memory specification standards

Номер патента: US20240311007A1. Автор: Zih-Yang Wong. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US20150310921A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Microcontroller with integrated interface enabling reading data randomly from serial flash memory

Номер патента: US09921778B2. Автор: Frédéric Schumacher,Guillaume Pean,Renaud Tiennot. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US12141479B2. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09727271B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Start-up method for USB flash disk with synchronous flash memory and control system

Номер патента: US09645921B2. Автор: Jian Tang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645896B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US09514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of performing write access by distributing control rights to threads, memory controller and flash memory storage device using the same

Номер патента: US09507702B2. Автор: Ching-Wen Chang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Fast data back-up and restore between volatile and flash memory

Номер патента: US09501356B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Magnetic random access memory journal for multi-level cell flash memory

Номер патента: US09400744B2. Автор: Trevor Smith,Ashwin Kamath. Владелец: Mangstor Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Microcontroller with integrated interface enabling reading data randomly from serial flash memory

Номер патента: US09329782B2. Автор: Frédéric Schumacher,Guillaume Pean,Renaud Tiennot. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

System and method for efficient uncorrectable error detection in flash memory

Номер патента: CA2588858A1. Автор: Gary S. Jacobson,Wesley A. Kirschner,John A. Hurd,Robert W. Sisson. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 2007-11-16.

Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system

Номер патента: US20020112101A1. Автор: Petro Estakhri,Mahmud Assar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Data recovery method for flash memory

Номер патента: US20240220355A1. Автор: Liu Yang,Qi Wang,Jing He,Zongliang Huo,Tianchun Ye,Xiaolei Yu,Yiyang Jiang,Qianhui LI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Data storage device and flash memory control method thereof

Номер патента: US20140078825A1. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12135889B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Flash memory management

Номер патента: US09817754B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory management

Номер патента: US09817753B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09632880B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Data storage device and data fetching method for flash memory

Номер патента: US09563551B2. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09489276B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09471451B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Writing data using DMA by specifying a buffer address and a flash memory address

Номер патента: US09395921B2. Автор: Xiangfeng LU. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Flash memory, flash memory erase/write counting method, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: EP4345824A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Rolling Wireless SARL. Дата публикации: 2024-04-03.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Computer program product and method and apparatus for controlling access to flash memory card

Номер патента: US20210303432A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Hsing-Lang Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Flash memory and method for controlling the memory

Номер патента: US7487286B2. Автор: Osamu Nagano,Isamu Nakajima. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-03.

Method of handling host write commands requesting to write dummy pattern on flash memory and related memory controller and storage system

Номер патента: US12061792B1. Автор: Chia-Chi Liang,Meng-Hua Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: WO2009027216A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: Axalto S.A.. Дата публикации: 2009-03-05.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2010-06-16.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810B1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-03-23.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Flash memory device performing adaptive loop, memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09941016B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and system for split flash memory management between host and storage controller

Номер патента: US09921954B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Forensic data acquisition apparatus and method for guaranteeing integrity of flash memory in smart device

Номер патента: US09891862B2. Автор: Jungho Choi,Kibom KIM,Seungjei YANG,Taejoo CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi-host power controller (MHPC) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: US09881680B2. Автор: Assaf Shacham,David Teb,Lee Susman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Flash memory controller, data storage device, and flash memory control method with volatile storage restoration

Номер патента: US09817725B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09569126B2. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory modules with multi-chip packaged integrated circuits having flash memory

Номер патента: US09536609B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus and method for indicating flash memory life

Номер патента: US09513821B2. Автор: Ho Young JUNG,Tae Hwa Lee,Jong Moo Choi,Soo Yong Kang,You Jip Won,Jae Hyuk Cha,Sung Roh Yoon. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09501404B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer,Peter M. Smith. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Mass storage controller volatile memory containing metadata related to flash memory storage

Номер патента: US09448743B2. Автор: Aaron K. Olbrich,Douglas A. Prins. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and apparatus for writing data to a flash memory

Номер патента: US09405485B2. Автор: Wei-Yi Hsiao,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09329992B2. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Flash memory storage apparatus

Номер патента: US20100252931A1. Автор: Yu-Tong Lin,Yun-Chieh Chen,Hung-Yi Chung,Yu-Fong Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Multi-tiered detection and decoding in flash memories

Номер патента: US20180181459A1. Автор: Erich F. Haratsch,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Safe execution in place (xip) from flash memory

Номер патента: WO2018187771A2. Автор: Aishwarya Dubey,Rajat Sagar,Peter Aberl,Eldad Falik. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: EP2342639A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184484A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12039171B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: EP3788622A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-10.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: WO2019212789A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage

Номер патента: WO2010000205A1. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Data writing method for a flash memory, and flash memory controller and flash memory storage system using the same

Номер патента: US20110107015A1. Автор: Chien-Hua Chu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US20080162078A1. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US8108179B2. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Printer configured to control printing operation using information stored in flash memories

Номер патента: US11537302B2. Автор: Fumiharu Iwasaki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20230297276A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Periodically updating a log likelihood ratio (LLR) table in a flash memory controller

Номер патента: US09916906B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Flash memory chip processing

Номер патента: US09851921B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: US09785362B2. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Systems and methods for improved access to flash memory devices

Номер патента: US09772777B2. Автор: Michael A. Koets,Larry T. McDANIEL, III,Miles R. DARNELL. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2017-09-26.

Systems and methods for effectively interacting with a flash memory

Номер патента: US09690713B1. Автор: Lior Khermosh,Gal Zuckerman,Ofer Bar-Or. Владелец: Parallel Machines Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645895B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data read method for flash memory

Номер патента: US09570162B2. Автор: Chien-Ting Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays

Номер патента: US09536612B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory cells wear reduction

Номер патента: US09524790B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Cell-level statistics collection for detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09502117B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods, systems, and computer readable media for address and data integrity checking in flash memory operations

Номер патента: US09477549B2. Автор: Ashutosh Malshe,Karthik Krishnamoorthy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and device for protecting data of flash memory

Номер патента: US09455041B2. Автор: Kwang-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same

Номер патента: US09449704B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09400746B2. Автор: Po-Chia Chu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and architecture for fast flash memory programming

Номер патента: US7764546B2. Автор: Satoshi Torii. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-07-27.

Group based read reference voltage management in flash memory

Номер патента: US8971122B1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device

Номер патента: US20240194282A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chiu-Han CHANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Differential signal path for high speed data transmission in flash memory

Номер патента: US20020085425A1. Автор: Balaji Srinivasan,Robert Baltar,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Method and system for validating flash memory

Номер патента: US20010048611A1. Автор: Robert Pitts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12079483B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Detecting hot spots through flash memory management table snapshots

Номер патента: US09928166B2. Автор: Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09870321B2. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Flash memory control method, controller and electronic apparatus

Номер патента: US09417958B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and device for adaptively identifying type of flash memory

Номер патента: US20210124489A1. Автор: Cheng Zheng,Shuangxi Chen. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Control method for referring to expired block table to perform expired block recycling operation and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220004339A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Flash memory counter

Номер патента: US20160293262A1. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2016-10-06.

System-level test method for flash memory

Номер патента: US20200273533A1. Автор: Yuegui He. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Voltage reference generator for flash memory

Номер патента: US20090323413A1. Автор: Gerald J. Barkley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Adaptive threshold for bad flash memory blocks

Номер патента: US12087382B2. Автор: John Roper,John Boyle,Matthew D. Fleming,Eric Mueller,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,Eric Michael Verwillow. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US09910772B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Multi-tier detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09898361B2. Автор: Abdel Hakim S. Alhussien,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile RAM and flash memory in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09836245B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

DRAM having SDRAM interface and flash memory consolidated memory module

Номер патента: US09658783B2. Автор: Satoru Watanabe,Yutaka Uematsu,Takayuki Ono,Masabumi Shibata,Yuichi Fukuda,Hitoshi Ueno,Hideki Osaka,Takashi Miyagawa,Akio Idei,Michinori Naito,Hiroshi Kakita,Yuusuke FUKUMURA,Satoshi Muraoka,Taishi SUMIKURA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645894B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Flash memory system

Номер патента: US09588883B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

System managing a plurality of flash memory devices

Номер патента: US09495105B2. Автор: Kazuhisa Fujimoto,Shuji Nakamura,Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

System and method to reduce disturbances during programming of flash memory cells

Номер патента: US09418744B2. Автор: Anh Ly,Jinho Kim,Victor Markov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US20210303198A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Flash Memory Device and Method for Handling Power Failure Thereof

Номер патента: US20150003154A1. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Flash memory device and method for handling power failure thereof

Номер патента: US9013929B2. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

Adusting flash memory operating parameters based on historical analysis of multiple indicators of degradation

Номер патента: US9262319B2. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US20120151122A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US9152583B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Method, system, and apparatus for flash memory endurance management

Номер патента: WO2022139622A1. Автор: Petr Sergeevich KRINOV,Vitaliy KHARIN,Aleksandr TARASOV,Sergey ILISAVSKII. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Apparatus and method for controlling flash memory

Номер патента: EP1843357A3. Автор: Song-ho Yoon,Jae-hyuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-06.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for flash memory reclaim

Номер патента: US20090006918A1. Автор: Crane Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US8040749B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US11995339B2. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Hangzhou Zhicun Witmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

A method, system and computer-readable code for testing of flash memory

Номер патента: WO2007052259A2. Автор: Meir Avraham,Mark Murin,Menahem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-10.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US20100268873A1. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Flash Memory Controller Utilizing Multiple Voltages and a Method of Use

Номер патента: US20080049510A1. Автор: David Chen,Ben Wei Chen,David Sun. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US7760574B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Memory controller and method for adaptively programming flash memory

Номер патента: US20240233840A1. Автор: Chung-Meng Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Increasing the Available Flash Memory of a Microcontroller

Номер патента: US20160357484A1. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: WO2015187810A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: US20240201877A1. Автор: Yang Gao. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: EP1967977A3. Автор: Mark Chamberlain,Igor A. Spivak. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2009-02-04.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: EP3152667A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Flash Memory, and Method for Operating a Flash Memory

Номер патента: US20090049233A1. Автор: Chia-Hsin Chen,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Flash memory device

Номер патента: US20020091906A1. Автор: Weon-Hwa Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Multi-level cell flash memory

Номер патента: US20090262577A1. Автор: Yasuyuki Tanaka. Владелец: Kyoto Software Res Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for data classification by lifespan according to data transfer frequency for improving performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: EP4386563A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Data writing method and apparatus for flash memory-based system

Номер патента: US12130735B2. Автор: Wei Fang,Xie Miao,Tao HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method to reduce flash memory IOs with host maintained address mapping table

Номер патента: US09858008B2. Автор: Yang Liu,Fei Sun,Tong Zhang,Hao ZHONG. Владелец: ScaleFlux Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for mapping page address based on flash memory and system therefor

Номер патента: US09830260B2. Автор: Ho Young JUNG,Se Jin Kwon,Tae Sun Chung,Jae Kwang BAN. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-11-28.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Sacrificial Spacer Approach for Differential Source/Drain Implantation Spacers in Transistors Comprising a High-K Metal Gate Electrode Structure

Номер патента: US20120156837A1. Автор: Flachowsky Stefan,Scheiper Thilo,Ruttloff Kerstin,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD FOR FABRICATING A HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120164824A1. Автор: JIANG LI,Li Mingqi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

N-CHANNEL TRANSISTOR COMPRISING A HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURE AND A REDUCED SERIES RESISTANCE BY EPITAXIALLY FORMED SEMICONDUCTOR MATERIAL IN THE DRAIN AND SOURCE AREAS

Номер патента: US20130032877A1. Автор: Flachowsky Stefan,Ostermay Ina,Illgen Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130034940A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

CREATING AN EMBEDDED RERAM MEMORY FROM A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130221317A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazosky David. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Non-volatile Memory Cell Having A High K Dielectric And Metal Gate

Номер патента: US20130032872A1. Автор: KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

Methods for high temperature etching a high-k material gate structure

Номер патента: CN101339903A. Автор: 刘炜,沈美华,松末英一,肖尚可·德谢穆克,川濑羊平,安基特·强·潘,戴维·帕拉加什利,迈克尔·D·威沃思,约翰·I·夏恩,巴尔特·芬奇. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

The manufacture method of high-K metal gate electrode and high-K metal gate structure thereof

Номер патента: CN103187255B. Автор: 韩秋华,黄怡,孟晓莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY REDUCING A GATE FILL ASPECT RATIO IN REPLACEMENT GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120319205A1. Автор: Wei Andy,Hempel Klaus,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD AND STRUCTURE FOR GATE HEIGHT SCALING WITH HIGH-K/METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120126335A1. Автор: Chudzik Michael P.,Liang Yue,DONATON Ricardo A.,HENSON William K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Combined Substrate High-K Metal Gate Device and Oxide-Polysilicon Gate Device, and Process of Fabricating Same

Номер патента: US20120292708A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

HIGH-K/METAL GATE TRANSISTOR WITH L-SHAPED GATE ENCAPSULATION LAYER

Номер патента: US20120299122A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey W.,MO Renee T.,NATZLE Wesley C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Preserving a Resist Material Above End Caps of Gate Electrode Structures

Номер патента: US20130065329A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130154021A1. Автор: ZHU Ming,Chuang Hak-Lay. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-20.

High-K Metal Gate Electrode Structure Formed by Removing a Work Function on Sidewalls in Replacement Gate Technology

Номер патента: US20130168773A1. Автор: Hempel Klaus,Stephan Rolf,PRINDLE Christopher. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks by Using a Multi-Layer Contact Level

Номер патента: US20130214335A1. Автор: Prindle Christopher M.,Groschopf Johannes F.,Ott Andreas R.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

CET AND GATE CURRENT LEAKAGE REDUCTION IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY HEAT TREATMENT AFTER DIFFUSION LAYER REMOVAL

Номер патента: US20130288435A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin,Bayha Boris,Grass Carsten. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Metal Finger Capacitor for High-K Metal Gate Processes

Номер патента: US20130113077A1. Автор: ITO Akira,WOO Agnes Neves,Tran Pascal,Shiau Guang-Jye,Lu Chao-Yang,Wang Jung. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

REDUCING THE INVERSION OXIDE THICKNESS OF A HIGH-K STACK FABRICATED ON HIGH MOBILITY SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140001516A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

REDUCING THE INVERSION OXIDE THICKNESS OF A HIGH-K STACK FABRICATED ON HIGH MOBILITY SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140004674A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Integration fabrication method of a CMOS device with a high-k layer

Номер патента: TW200625541A. Автор: Chih-Wei Yang,Cheng-Tzung Tsai,Wen-Tai Chiang,Wei-Min Lin,Yi-Sheng Hsieh,Wei Tsun Shiau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-16.

BARRIER COAT FOR ELIMINATION OF RESIST RESIDUES ON HIGH k/METAL GATE STACKS

Номер патента: US20120018813A1. Автор: Wang Junli,SUNAMURA Hiroshi,Jagannathan Hemanth,Holmes Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys Formed in a Late Stage

Номер патента: US20120025266A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Polysilicon Resistors Formed in a Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049291A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049293A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATE FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20120086085A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

STRUCTURE OF HIGH-K METAL GATE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20120098067A1. Автор: Yuan Jun,Yin Haizhou,Luo Zhijiong,Park Dae-Gyu,Gluschenkov Oleg,Schepis Dominic. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-26.

FABRICATION OF SEMICONDUCTORS WITH HIGH-K/METAL GATE ELECTRODES

Номер патента: US20120112281A1. Автор: Pal Rohit,Waidmann Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

POST SILICIDE TESTING FOR REPLACEMENT HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20120119778A1. Автор: Fried David M.,Ahsan Ishtiaq,Goren Lidor,Liao Jiun-Hsin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

SILICON REMOVAL FROM SURFACES AND METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE STRUCTURES USING SAME

Номер патента: US20120135590A1. Автор: . Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: US20120138953A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120146160A1. Автор: Tan Shyue Seng,Yin Chunshan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-06-14.

PERFORMANCE ENHANCEMENT IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE STACKS AND AN EMBEDDED STRESSOR BY PERFORMING A SECOND EPITAXY STEP

Номер патента: US20120153354A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by Cap Layer Removal Without Sacrificial Spacer

Номер патента: US20120161243A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

Transistor Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures Including a Polycrystalline Semiconductor Material and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys

Номер патента: US20120161250A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120163103A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

METHODS OF FABRICATING HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120164822A1. Автор: Lin Jr Jung,CHEN Ryan Chia-Jen,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-06-28.

Techniques for Enabling Multiple Vt Devices Using High-K Metal Gate Stacks

Номер патента: US20120181610A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey,Frank Martin M.,Kumar Arvind,Paruchuri Vamsi K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD AND STRUCTURE FOR PMOS DEVICES WITH HIGH K METAL GATE INTEGRATION AND SiGe CHANNEL ENGINEERING

Номер патента: US20120181631A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120184073A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Kothandaraman Chandrasekharan,BOOTH,JR. ROGER A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCTION OF VT-W EFFECT IN HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120187522A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Complementary Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Epitaxially Formed Semiconductor Materials in the Drain and Source Areas

Номер патента: US20120211838A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Beernink Gunda. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Capping STI Regions

Номер патента: US20120223407A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-06.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY REDUCING STI DIVOTS BY DEPOSITING A FILL MATERIAL AFTER STI FORMATION

Номер патента: US20120235245A1. Автор: Pal Rohit,Kronholz Stephan-Detlef. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

CONTROL OF FLATBAND VOLTAGES AND THRESHOLD VOLTAGES IN HIGH-K METAL GATE STACKS AND STRUCTURES FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20120286338A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120292719A1. Автор: TEH Young Way,AQUILINO Michael V.,SHEIKH Arifuzzaman (Arif),TAN Yun Ling,ZHANG Hao,NAIR Deleep R.,LI Jinghong H. (John). Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

DUMMY PATTERNS FOR IMPROVING WIDTH DEPENDENT DEVICE MISMATCH IN HIGH-K METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20130009250A1. Автор: Hsu Tse-Hsiang,Ko Ching-Chung,LEE Tung-Hsing. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY SELECTIVELY REMOVING A BARRIER LAYER

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Lenski Markus,Hempel Klaus,Schroeder Vivien,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY EARLY CAP LAYER ADAPTATION

Номер патента: US20130034942A1. Автор: Wei Andy,Pal Rohit,Beyer Sven,Carter Richard. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130056837A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-07.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130069174A1. Автор: Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-21.

HIGH-K METAL GATE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130168751A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,HUANG CHUNG-LIN,Chu Ron Fu. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

MULTIPLE HIGH-K METAL GATE STACKS IN A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130277766A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Structure and Method to Modulate Threshold Voltage For High-K Metal Gate Field Effect Transistors (FETs)

Номер патента: US20130313643A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

SUPERIOR STABILITY OF CHARACTERISTICS OF TRANSISTORS HAVING AN EARLY FORMED HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20130316511A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Zakowsky Nadja. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

PREVENTING FULLY SILICIDED FORMATION IN HIGH-K METAL GATE PROCESSING

Номер патента: US20130328135A1. Автор: Guo Dechao,Bu Huiming,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang,Ramachandran Ravikumar,Chan Kevin K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

Method to Improve Reliability of High-k Metal Gate Stacks

Номер патента: US20140120707A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

High-K metal gate CMOS device and forming method thereof

Номер патента: CN105448831A. Автор: 库尔班·阿吾提. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-30.

Fin-shaped active area is prepared the method for high-K metal gate

Номер патента: CN103295889B. Автор: 严钧华,张明华,丁弋,方精训. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Ultra-Shallow Junction MOSFET Having a High-k Gate Dielectric and In-Situ Doped Selective Epitaxy Source/Drain Extensions and a Method of Making Same

Номер патента: US20120083076A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-05.

Superior Integrity of a High-K Gate Stack by Forming a Controlled Undercut on the Basis of a Wet Chemistry

Номер патента: US20120086056A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20120129310A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

STRUCTURE AND METHOD TO IMPROVE THRESHOLD VOLTAGE OF MOSFETS INCLUDING A HIGH K DIELECTRIC

Номер патента: US20120168874A1. Автор: Liang Qingqing,Greene Brian J.,Maciejewski Edward P.,Leobandung Effendi,Wang Yanfeng,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

ENHANCING INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY PROTECTING A LINER AT THE GATE BOTTOM DURING GATE HEAD EXPOSURE

Номер патента: US20130157432A1. Автор: Beyer Sven,Seliger Frank,GRASSHOFF Gunter. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

REPLACEMENT GATE STRUCTURE FOR TRANSISTOR WITH A HIGH-K GATE STACK

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

INTEGRATING FORMATION OF A REPLACEMENT GATE TRANSISTOR AND A NON-VOLATILE MEMORY CELL USING A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Shroff Mehul D.,HALL MARK D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140001573A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140004695A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: TW200426941A. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

STRUCTURE AND METHOD FOR A HIGH-K TRANSFORMER WITH CAPACITIVE COUPLING

Номер патента: US20130099352A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Lin Yu-Ling,Kuo Chin-Wei,Chen Ho-Hsiang,Jeng Min-Chie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-25.

METHODS OF TAILORING WORK FUNCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HIGH-K/METAL LAYER GATE STRUCTURES BY PERFORMING A FLUORINE IMPLANT PROCESS

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Hoentschel Jan,Pandey Shesh Mani,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

SYSTEM, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR UTILIZING A WIND PARK AS A VARIABLE POWER SYSTEM STABILIZER

Номер патента: US20120004781A1. Автор: HOFFMAN Jason,Santos Juan Santiago,Rollow Brett D.. Владелец: VESTAS WIND SYSTEMS A/S. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

Flash memory element of electrically alterable read-only memory

Номер патента: RU2368037C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2402083C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-10-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.