Flash memory array, and write method and erasure method therefor.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1
Опубликовано: 03-07-2024
Автор(ы): Jiayong JIANG, Zhendong SHI
Принадлежит: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: WO2019055182A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-03-21.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235512A2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235513A2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP3665722A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-17.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235513A3. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235512A3. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375352A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien-Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A4. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A2. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Flash memory sensing scheme

Номер патента: WO2007059402A2. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of controlling internal address for a serial nor flash memory

Номер патента: US11450387B2. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Serial flash memory and address control method thereof

Номер патента: US20210407580A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods for erasing, reading and programming flash memories

Номер патента: US20150103603A1. Автор: Yoh Tz Chang,Kai Tao. Владелец: Siltech Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

AND type flash memory

Номер патента: US10790028B1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Pipelined programming for a NAND type flash memory

Номер патента: EP1326257A3. Автор: Masaru Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Sequence detection for flash memory with inter-cell interference

Номер патента: US20130107622A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Method and apparatus for writing and erasing flash memory

Номер патента: US5650967A. Автор: Michael J. Seibert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Flash memory with RDRAM interface

Номер патента: US20030043625A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: EP2823486A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Apparatus for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20040218412A1. Автор: Michael Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Dma architecture for nand-type flash memory

Номер патента: US20130201744A1. Автор: Giulio Martinozzi,Mauro Pagliato,Francesco Pessina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Flash memory and method for controlling the memory

Номер патента: US7487286B2. Автор: Osamu Nagano,Isamu Nakajima. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-03.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Periodically updating a log likelihood ratio (LLR) table in a flash memory controller

Номер патента: US09916906B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Group based read reference voltage management in flash memory

Номер патента: US8971122B1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory circuit and write method

Номер патента: US11942134B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Synchronous flash memory

Номер патента: WO2001075897A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20230083548A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Apparatus and method for controlling flash memory

Номер патента: EP1843357A3. Автор: Song-ho Yoon,Jae-hyuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-06.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Programming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: WO2010027983A9. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Progamming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: EP2347417A1. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-07-27.

Handheld record and playback device with flash memory

Номер патента: WO1995028702A1. Автор: Elwood G. Norris,Norbert P. Daberko,Steven T. Brightbill. Владелец: Comp General Corporation. Дата публикации: 1995-10-26.

Inlayed flash memory module

Номер патента: US20080126658A1. Автор: Chih-ling Wang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system

Номер патента: US20020112101A1. Автор: Petro Estakhri,Mahmud Assar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Flash memory

Номер патента: US8755231B2. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: WO2001075890A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020023200A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020016895A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Flash memory

Номер патента: US20130235670A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Flash memory with high integration

Номер патента: US20240274196A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11238943B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2022-02-01.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11978517B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory system for flash memory

Номер патента: US20080126678A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method & Apparatus for real-time processing of moving picture signals using flash memories

Номер патента: US5646906A. Автор: Seung-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-08.

Semiconductor device and flash-memory control method

Номер патента: US20180373651A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: EP2891153A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Flash memory storage system and controller and data writing method thereof

Номер патента: US8904086B2. Автор: Kheng-Chong Tan,Lai-Hock Chua. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Flash memory storage system and controller and data writing method thereof

Номер патента: US9009399B2. Автор: Kheng-Chong Tan,Lai-Hock Chua. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Flash memory storage system and controller and data writing method thereof

Номер патента: TW201122811A. Автор: Kheng-Chong Tan,Lai-Hock Chua. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-01.

Flash memory structure, storage array and preparation method thereof

Номер патента: CN107017259A. Автор: 李冰寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-08-04.

Photoelectric device, clock signal regulation method and circuit therefor, and prodn. method therefor

Номер патента: CN1169107C. Автор: 郎,小泽德郎,藤田伸. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-29.

Read and write power control methods and system for optical recording device

Номер патента: US20110199876A1. Автор: Ming-Jiou Yu,Chih-Chung Wu,Chi-Pei Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Read and write power control methods and system for optical recording device

Номер патента: US8279728B2. Автор: Ming-Jiou Yu,Chih-Chung Wu,Chi-Pei Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-10-02.

LDPC Erasure Decoding for Flash Memories

Номер патента: US20170155409A1. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Earl T. Cohen,Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Ldpc erasure decoding for flash memories

Номер патента: EP2545554A2. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Radoslav Danilak,Earl T Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Flash memory with multiple status reading capability

Номер патента: US20030117860A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

High density vertical structure nitride flash memory

Номер патента: WO2009102458A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Gumbo Logic, Inc.. Дата публикации: 2009-08-20.

High Density Vertical Structure Nitride Flash Memory

Номер патента: US20140219030A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Iwasaki. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Multi-level cell flash memory

Номер патента: US20090262577A1. Автор: Yasuyuki Tanaka. Владелец: Kyoto Software Res Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Differential signal path for high speed data transmission in flash memory

Номер патента: US20020085425A1. Автор: Balaji Srinivasan,Robert Baltar,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Single chip micro-controller with an internal flash memory

Номер патента: GB2338321A. Автор: Mao-Song Chen,Shih-Chang Wu,Shih-Fu Hsieh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-12-15.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Serial interface flash memory apparatus and writing method for status register thereof

Номер патента: US20140032816A1. Автор: Yung-Chen Lin,Ya-Chun Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Pre-read technique for multi-pass programming of flash memory

Номер патента: US10650896B1. Автор: XIN YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US20160064092A1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030031052A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Improved read mode for flash memory

Номер патента: EP1908077A2. Автор: Hounien Chen,Nancy S. Leong. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-09.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US09910772B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods and systems for high write performance in multi-bit flash memory devices

Номер патента: WO2005106891A1. Автор: Mark Randolph,Darlene Hamilton,Roni Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-11-10.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20180329649A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Method and architecture for fast flash memory programming

Номер патента: US7764546B2. Автор: Satoshi Torii. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-07-27.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Data writing method and data storage device

Номер патента: US20140112069A1. Автор: Cheng-Wei Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Compensation method to achieve uniform programming speed of flash memory devices

Номер патента: WO2009002619A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Fan Wan Lai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Fine-grained access host controller for managed flash memory

Номер патента: US20180357184A1. Автор: Divya Arora. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Method and apparatus for execution of operations in a flash memory array

Номер патента: US5509134A. Автор: Rodney R. Rozman,Richard J. Durante,Mickey L. Fandrich,Keith F. Underwood. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20200218664A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Address Fault Detection In A Flash Memory System

Номер патента: US20190378548A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20180329827A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Flash memory devices and prefetch methods thereof

Номер патента: US10635601B2. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-28.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Flash memory vds compensation techniques to reduce programming variability

Номер патента: WO1998044510A1. Автор: Stephen N. Keeney. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1998-10-08.

Padding in flash memory blocks

Номер патента: US12057167B2. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Novel High Speed High Density NAND-Based 2T-NOR Flash Memory Design

Номер патента: US20120261741A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Methods and operations using xnor functions with flash devices and solid state drives

Номер патента: US20190057750A1. Автор: Aaron Lee,Deepak Raghu,Mrinal Kochar,Gautam Ashok Dusija. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic flash memory

Номер патента: US20020145914A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Combination nonvolatile memory using unified technology with byte, page and block write and simultaneous read and write operations

Номер патента: US20040027856A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-12.

Flash memory device having efficient refresh operation

Номер патента: US20150131385A1. Автор: Seung Keun Lee,Jong Bae Jeong,Hi Hyun Han. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Ferroelectric material-based three-dimensional flash memory, and manufacture thereof

Номер патента: US20220130863A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Wan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-04-28.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Flash memory array and decoding architecture

Номер патента: US5856942A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US7215578B2. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-08.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US20060176741A1. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Data Storage Device and Operating Method Therefor

Номер патента: US20190065309A1. Автор: Tsung-Yao Chiang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Novel flash memory array and decoding architecture

Номер патента: WO1998056002A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Tsao Hsing Ya. Дата публикации: 1998-12-10.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001029668A1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-04-26.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Priority-based flash memory control apparatus for XIP in serial flash memory, memory management method using the same, and flash memory chip thereof

Номер патента: EP1522928A3. Автор: Chan-Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-03.

Integrated circuit with flash memory

Номер патента: EP1203379A1. Автор: Stefan Koch,Axel Hertwig,Hans-Joachim Gelke. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-08.

Flash memory having transistor redundancy

Номер патента: US5559742A. Автор: Fernando Gonzalez,Roger R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-09-24.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030123288A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Vidmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Flash Memory Storage System and Method

Номер патента: US20100274955A1. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2010-10-28.

Flash memory storage system and method

Номер патента: US8069302B2. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser,Arik Eyal. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Nor flash memory circuit and data writing method

Номер патента: US20220084602A1. Автор: Hong Nie,Yue Zhao. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Flash memory controller

Номер патента: US20240152288A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method and apparatus for virtually partitioning an integrated multilevel nonvolatile memory circuit

Номер патента: WO2004042582A1. Автор: Jack E. Frayer. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-05-21.

Flash memory controller

Номер патента: US20160351255A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Managed nand flash memory region control against endurance hacking

Номер патента: US20220129394A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20050018522A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Three-dimensional flash memory including floating devices, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240096414A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-21.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: EP1423857A1. Автор: Frankie Fariborz Roohparvar,Kevin C. Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-02.

Managed NAND Flash memory region control against endurance hacking

Номер патента: US11954051B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and structure for reliable data copy operation for non-volatile memories

Номер патента: EP1312095A2. Автор: Kevin M. Conley,Daniel C. Guterman,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Programmable storage unit and programmable memory array and reading and writing method therefor

Номер патента: EP3933840A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Method and apparatus for determining a reference voltage

Номер патента: US20210020251A1. Автор: Ke Wei,Tao Wei,Zhengtian FENG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US9318213B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

Sectored flash memory comprising means for controlling and for refreshing memory cells

Номер патента: US6965526B2. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-11-15.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US11916569B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Stack-gate flash cell structure having a high coupling ratio and its contactless flash memory arrays

Номер патента: US20040150032A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Structure and method for preventing silicide contamination during the manufacture of micro-processors with embedded flash memory

Номер патента: US20230354600A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Flash Memory Devices and Controlling Methods Therefor

Номер патента: US20140068147A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20210081277A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Method and apparatus for initializing semiconductor memory

Номер патента: WO1998026422A1. Автор: Joel James Walukas. Владелец: ERICSSON INC.. Дата публикации: 1998-06-18.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US9514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Small-area high-efficiency read-only memory (rom) array and method for operating the same

Номер патента: US20240260260A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US20150310921A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Decoding method in an NROM flash memory array

Номер патента: US7881121B2. Автор: Cheng-Jye Liu,Jongoh Kim,Yi-Jin Kwon. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Flash memory cell array and method of programming, erasing and reading the same

Номер патента: US5982671A. Автор: Jong Oh Kim,Ho Cheol Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Automatic programming algorithm for page mode flash memory with variable programming pulse height and pulse width

Номер патента: US5751637A. Автор: Chun-Hsiung Hung,Teruhiko Kamei,Ray-Lin Wan,Chia Shing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20240154624A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Flash memory, flash memory erase/write counting method, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: EP4345824A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Rolling Wireless SARL. Дата публикации: 2024-04-03.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods, apparatus, and systems for flash memory bit line charging

Номер патента: US20080158999A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

Erase history-based flash writing method

Номер патента: US20080104310A1. Автор: Amir Mosek,Ori Stern. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Data storage device and flash memory control method thereof

Номер патента: US20140078825A1. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

A flash memory array

Номер патента: GB2320810A. Автор: Jong Oh Kim,Ho Cheol Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-01.

Error detection, documentation, and correction in a flash memory device

Номер патента: US20040243909A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Microcomputer and microprocessor having flash memory operable from single external power supply

Номер патента: US20020149988A1. Автор: Kiyoshi Matsubara,Yasuyuki Saito,Eiichi Ishikawa,Masanao Sato,Naoki Yada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method and architecture for fast flash memory programming

Номер патента: US20090175088A1. Автор: Satoshi Torii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

Method and apparatus for leakage suppression in flash memory

Номер патента: US20120262988A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Yu-Chen Wang,Nai-Ping Kuo,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Ferroelectric material-based three-dimensional flash memory, and manufacture therefor

Номер патента: EP3951873A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Wan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-02-09.

Over erase correction method of flash memory apparatus

Номер патента: US20110188308A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method and apparatus for updating a control device

Номер патента: US10133491B2. Автор: Axel Aue,Matthias Schreiber,Hans-Walter Schmitt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-20.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for page writing to flash memory using channel hot-carrier injection

Номер патента: WO1997001172A1. Автор: Chi Chang,Sameer Haddad,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-01-09.

Flash memory device

Номер патента: US5835407A. Автор: Poong Yeub Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: WO2009027216A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: Axalto S.A.. Дата публикации: 2009-03-05.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2010-06-16.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810B1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-03-23.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Row redundancy for flash memories

Номер патента: GB9202002D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-18.

Rank-modulation rewriting codes for flash memories

Номер патента: US09916197B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD,Eitan Yaakobi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-03-13.

Bit map addressing schemes for flash/memory

Номер патента: US5781472A. Автор: Mark E. Bauer,Sherif Sweha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional flash memory device supporting bulk erase operation and manufacturing method therefor

Номер патента: US11844215B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Padding in flash memory blocks

Номер патента: US20240071503A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Flash memory storage apparatus

Номер патента: US20100252931A1. Автор: Yu-Tong Lin,Yun-Chieh Chen,Hung-Yi Chung,Yu-Fong Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Multi-tiered detection and decoding in flash memories

Номер патента: US20180181459A1. Автор: Erich F. Haratsch,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Safe execution in place (xip) from flash memory

Номер патента: WO2018187771A2. Автор: Aishwarya Dubey,Rajat Sagar,Peter Aberl,Eldad Falik. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-11.

Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device

Номер патента: US20240194282A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chiu-Han CHANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Method and apparatus for updating a control device

Номер патента: US20170102875A1. Автор: Axel Aue,Matthias Schreiber,Hans-Walter Schmitt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-04-13.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: EP3788622A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-10.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: WO2019212789A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage

Номер патента: WO2010000205A1. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20010000306A1. Автор: Sukyoon Yoon,Pavel Klinger,Joo Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US20080162078A1. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US8108179B2. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Maintaining slew rate while loading flash memory dies

Номер патента: US10243560B2. Автор: Vinod Arjun HUDDAR,Abhishek LAGUVARAM. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-03-26.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20200226021A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20190050287A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Three dimensional flash memory for integrating and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301110A1. Автор: Bongseok KIM,Yun Heub Song,Inho Nam. Владелец: Iucf Hyu Industry Unversity Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile computing method in flash memory

Номер патента: US20200301667A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Control method for referring to expired block table to perform expired block recycling operation and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220004339A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and system for managing flash write

Номер патента: US8612670B2. Автор: Yakov LYUBMAN. Владелец: DSP GROUP LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Method and system for validating flash memory

Номер патента: US20010048611A1. Автор: Robert Pitts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Switching architecture for a nand flash memory device and a high voltage switch circuit

Номер патента: US20210287747A1. Автор: Moon Soo Sung,Miriam Sangalli,Yong Tae Kim,Marco Passerini,Dario Melchionni,Giulio Maria Iadicicco. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Reduced voltage nonvolatile flash memory

Номер патента: US20160329102A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Memory device and program/erase method therefor

Номер патента: US20190244670A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Flash memory counter

Номер патента: US20160293262A1. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2016-10-06.

System-level test method for flash memory

Номер патента: US20200273533A1. Автор: Yuegui He. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Flash memory device

Номер патента: US20020091906A1. Автор: Weon-Hwa Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Voltage reference generator for flash memory

Номер патента: US20090323413A1. Автор: Gerald J. Barkley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Adaptive threshold for bad flash memory blocks

Номер патента: US12087382B2. Автор: John Roper,John Boyle,Matthew D. Fleming,Eric Mueller,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,Eric Michael Verwillow. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Multi-state flash memory defect management

Номер патента: US6134143A. Автор: Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5732021A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni,Cristina Lattaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-24.

Three-dimensional flash memory and operation method therefor

Номер патента: US11901008B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: AU2002311936A1. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Han-Rei Ma. Дата публикации: 2004-07-01.

Three-dimensional flash memory and operation method therefor

Номер патента: US20240145004A1. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: EP1409237A2. Автор: John.H Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: US20020176280A1. Автор: John Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: WO2002096632A2. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2002-12-05.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A4. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory controller and method for adaptively programming flash memory

Номер патента: US20240233840A1. Автор: Chung-Meng Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Neuromorphic circuit including spike regulator based on flash memory

Номер патента: US20220156565A1. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Kyeong Seok Lee,Joon Young Kwak,Gyuweon Hwang,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-19.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: US20240201877A1. Автор: Yang Gao. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: US20020010828A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Buskirk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Boosting voltage technique fpr programming nand flash memory devices

Номер патента: WO2007130832A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory devices with flash fuse cell arrays

Номер патента: US7561486B2. Автор: Tae-Seong Kim,Gyu-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US20210303198A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Flash Memory Device and Method for Handling Power Failure Thereof

Номер патента: US20150003154A1. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Flash memory device and method for handling power failure thereof

Номер патента: US9013929B2. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

Adusting flash memory operating parameters based on historical analysis of multiple indicators of degradation

Номер патента: US9262319B2. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

3D NAND flash memory devices and related electronic systems

Номер патента: US11908512B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US8040749B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US11995339B2. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Hangzhou Zhicun Witmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Programmable access protection in a flash memory device

Номер патента: EP1029326A1. Автор: Michael J. Steinmetz,Daryl C. Cromer,James P. Ward,Gregory Pruett,Kerry D. Maletsky. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-23.

Programmable access protection in a flash memory device

Номер патента: EP1029326A4. Автор: Michael J Steinmetz,Daryl C Cromer,Gregory Pruett,James P Ward,Kerry D Maletsky. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-06-05.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: EP1224549B1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-08-27.

A method, system and computer-readable code for testing of flash memory

Номер патента: WO2007052259A2. Автор: Meir Avraham,Mark Murin,Menahem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-10.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US20100268873A1. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Flash Memory Controller Utilizing Multiple Voltages and a Method of Use

Номер патента: US20080049510A1. Автор: David Chen,Ben Wei Chen,David Sun. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US7760574B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Flash memory controller and encoding circuit and decoding circuit within flash memory controller

Номер патента: US20200153456A1. Автор: Shiuan-Hao Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20210019241A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: WO2019046548A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Preston Thomson,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Devin Batutis. Владелец: Luo, Ting. Дата публикации: 2019-03-07.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20190324876A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method And System For Obtaining A Reference Block For A MLC Flash Memory

Номер патента: US20100321997A1. Автор: Han-Lung Huang,Ming-Hung Chou,Chien-Fu Huang,Shih-Keng Cho. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Flash memory testing apparatus

Номер патента: US5539699A. Автор: Shinya Sato,Hiromi Ohshima. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Method of programming and erasing multi-level flash memory

Номер патента: US20070159893A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Flash memory card with a ready/busy mask register

Номер патента: US5375222A. Автор: David M. Brown,Kurt B. Robinson,Brian L. Dipert,Russell D. Eslick,Markus A. Levy,Lily C. Pao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Microcomputer provided with flash memory and method of storing program into flash memory

Номер патента: US6883060B1. Автор: Masahiro Hayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Methods and apparatus for dual port memory devices having hidden refresh and double bandwidth

Номер патента: US20050226079A1. Автор: Yiming Zhu,Qingming Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230280939A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US11874744B2. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US20220066881A1. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory controller

Номер патента: US20170308318A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Flash memory controller

Номер патента: US20210011643A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Flash memory controller

Номер патента: US20210271402A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Flash memory device

Номер патента: US20240045815A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-02-08.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US11972146B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for inspecting the electrical performance of a flash memory cell

Номер патента: US7940584B2. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: WO2019169078A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20150016191A1. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Flash memory controller

Номер патента: US11914873B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Flash memory access apparatus and method

Номер патента: US20040193781A1. Автор: Bum-soo Kim,Tae-Sun Chung,Yong-seok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: US20190272110A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12002525B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Flash memory erase method

Номер патента: US20020154544A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho,Smile Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Flash memory programming check circuit

Номер патента: US20220068411A1. Автор: Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for verifying a programmed flash memory

Номер патента: US20050149664A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375345A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Flash drive/reader with serial-port controller and flash-memory controller mastering a second RAM-buffer bus parallel to a CPU bus

Номер патента: US6874044B1. Автор: Tzu-Yih Chu,Sun-Teck See,Horng-Yee Chou. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices

Номер патента: US9442670B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

On-chip repair of defective address of core flash memory cells

Номер патента: US6631086B1. Автор: Colin Bill,Darlene G. Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Azrul Halim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Wear management for flash memory devices

Номер патента: CA2941172C. Автор: Michael Stephen Rothberg. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2019-03-12.

Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible

Номер патента: WO2002005285A2. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media, Inc.. Дата публикации: 2002-01-17.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: GB2330228A. Автор: Phillip E Mattison. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-04-14.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device based on timing of dummy read operations

Номер патента: US11074174B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Method and apparatus for flexible RAID in SSD

Номер патента: US11941257B2. Автор: Yiren Huang. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method and Apparatus for Flexible RAID in SSD

Номер патента: US20190146691A1. Автор: Yiren Huang. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: US11818886B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory device comprising flash memory and method for controlling a write speed of a bus transmitting data for storage on the flash memory

Номер патента: US20190115082A1. Автор: Francois Gervais,Danny Breton. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20150146486A1. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Log data storage for flash memory

Номер патента: US20190066791A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Eric Kwok Fung Yuen,Gerard J. Perdaems. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of erasing flash memory and electronic system

Номер патента: US11978520B2. Автор: Jong Bae Jeong. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and Apparatus for Flexible RAID in SSD

Номер патента: US20210019060A1. Автор: Yiren Huang. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Log data storage for flash memory

Номер патента: WO2019046128A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Eric Kwok Fung Yuen,Gerard J. Perdaems. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Data arrangement method of flash memory, flash memory storage device and flash memory control circuit unit

Номер патента: US20210294737A1. Автор: Yan Zheng,ZHI Wang,Xiaoyang Zhang,Kai-Di Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and Apparatus for Flexible RAID in SSD

Номер патента: US20160320991A1. Автор: Yiren Huang. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Flash memory storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180336954A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US20100118613A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Adaptive programming for flash memories

Номер патента: US20120294086A1. Автор: Eddie Hearl Breashears,John Howard Macpeak,Douglas Edward Shelton,Bruce Lynn Pickelsimer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Method for erasing flash memory

Номер патента: US20090296492A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US11804269B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Nand-type flash memory and nand-type flash memory controlling method

Номер патента: US20100067302A1. Автор: Yoshihisa Watanabe,Yuka Furuta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Method for extracting substrate coupling coefficient of a flash memory

Номер патента: US6292393B1. Автор: Chih-Mu Huang,Chuan-Jane Chao,Chi-Hung Kao,Jung-Yu Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Adaptively programming or erasing flash memory blocks

Номер патента: WO2013151919A8. Автор: Shivananda Shetty,Tio Wei NEO,James Pak. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-16.

Flash memory with read tracking clock and method thereof

Номер патента: US20130208544A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: EP4421810A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A2. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20220246218A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20230095392A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: WO2007035277A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: EP1927113A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-04.

Flash memory

Номер патента: US20170358358A1. Автор: Koichi Ando. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001232A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001228A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20010055224A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-27.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020031010A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: US20240304263A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Method for erasing split-gate flash memory

Номер патента: US5978274A. Автор: Lin-Song Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Method and apparatus for accessing flash memory device

Номер патента: CA3012236C. Автор: QIAO LI,Jun Xu,Liang Shi,Chun XUE,Dongfang SHAN,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Flash memory with novel bitline decoder and sourceline latch

Номер патента: US5920503A. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture

Номер патента: US5930815A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Reference voltage generator using flash memory cells

Номер патента: US5953256A. Автор: Michael S. Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Flash memory device, controller, and method capable of performing access operation upon data unit(s) of multiple planes of flash memory device in response one simplified command sequence

Номер патента: US11935595B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory control device, control method of flash memory, and method for generating security feature of flash memory

Номер патента: US10705743B2. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Jing-Long XIAO,Yi-Lin Hsieh. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Bias for data retention in fuse ROM and flash memory

Номер патента: US11830555B2. Автор: Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Flash memory controller

Номер патента: US20180267730A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20160124806A1. Автор: Wei-Lun Yen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US20230352101A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Flash memory integrated circuit with multi-selected modes

Номер патента: US20060126384A1. Автор: Ming-Che Chang,Gordon Yu,Chien-Wei Teng,Hung-Tse Ho. Владелец: C One Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Flash memory system and method of generating quantized signal thereof

Номер патента: US20200026666A1. Автор: Hyunsu Ju,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Bias for Data Retention in Fuse ROM and Flash Memory

Номер патента: US20220415402A1. Автор: Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Circuit for accessing a chalcogenide memory array

Номер патента: EP1733398A4. Автор: BIN Li,David C Lawson,Kenneth R Knowles. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

New compensated method to implement a high voltage discharge phase after erase pulse in a flash memory device

Номер патента: WO2006033832A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Davide Manfre. Владелец: Davide Manfre. Дата публикации: 2007-02-15.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20130051156A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20140071760A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240290399A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory for adjusting trip voltage using voltage regulator and sampling switch circuit and sensing method thereof

Номер патента: US20240265977A1. Автор: Jongryul Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: EP4428862A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Flash memory

Номер патента: US09947409B2. Автор: Ken Matsubara,Satoru Nakanishi,Takashi Iwase. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Differential flash memory programming technique

Номер патента: EP2148334A1. Автор: Kenneth A. Tuchmann,Martin A. Lohse. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-01-27.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Analog interface for a flash memory die

Номер патента: US7911834B2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for Erasing a Flash Memory Cell or an Array of Such Cells Having Improved Erase Coupling Ratio

Номер патента: US20100157687A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Prateep Tuntasood,Jonathan Pabustan,Ben Sheen,Geeng-Chuan Michael Chern,Yaw Wen Hu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-bit data

Номер патента: US20080316819A1. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Managing refresh for flash memory

Номер патента: CA3026804C. Автор: Hung Vuong,Robert Hardacker,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Block select circuit in a flash memory device

Номер патента: US20040156237A1. Автор: Jong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Dram device with embedded flash memory for redundancy and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286481A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Dram device with embedded flash memory for redundancy and fabrication method thereof

Номер патента: US20190295645A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Continuous adaptive calibration for flash memory devices

Номер патента: US20180188991A1. Автор: Dillip K. Dash,Aniryudh Reddy Durgam,Haritha Uppalapati. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Page writes for triple level cell flash memory

Номер патента: US20190108877A1. Автор: Hari Kannan,Peter E. Kirkpatrick. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Data storage device and block selection method for a flash memory

Номер патента: US20120268991A1. Автор: Mong-Ling Chiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US20240004550A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and apparatus for testing memory, medium and device

Номер патента: US11869609B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230280929A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory controller and flash memory system having the same

Номер патента: US10956067B2. Автор: Kazuo Shida. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Improved flash memory cell associated decoders

Номер патента: EP4243081A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Flash memory device, controller, and method capable of performing access operation upon data unit(s) of multiple planes of flash memory device in response one simplified command sequence

Номер патента: US11861212B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Page write requirements for differing types of flash memory

Номер патента: US11869583B2. Автор: Hari Kannan,Peter E. Kirkpatrick. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for reading data stored in a flash memory according to a voltage characteristic and memory controller thereof

Номер патента: US11881269B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US11914901B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for Reading Data Stored in a Flash Memory According to a Voltage Characteristic and Memory Controller Thereof

Номер патента: US20240127894A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230268002A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for testing memory, medium and device

Номер патента: US20230326539A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Page writes for triple level cell flash memory

Номер патента: US20210050055A1. Автор: Hari Kannan,Peter E. Kirkpatrick. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

A multi-host power controller (mhpc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: EP3152763A1. Автор: Assaf Shacham,David Teb,Lee Susman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Dividing a flash memory operation into phases

Номер патента: US20070156950A1. Автор: Jerry Kreifels,Richard Durante. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210249098A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Multi-Level Striping and Truncation Channel-Equalization for Flash-Memory System

Номер патента: US20090240873A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu,Myeongjin Shin. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Swappable Sets of Partial-Mapping Tables in a Flash-Memory System With A Command Queue for Combining Flash Writes

Номер патента: US20090113121A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Determining threshold voltage distribution in flash memory

Номер патента: US8625369B1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Flash memory device with photon assisted programming

Номер патента: US20230410898A1. Автор: Mark D. Kellam. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and system for determining storing state of flash memory

Номер патента: US20140136924A1. Автор: Chien-Fu Tseng,Hsie-Chia Chang,Yen-Yu Chou,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: EP4181132A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US11847023B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Flash memory cell string

Номер патента: US20090184362A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-07-23.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for programming flash memory

Номер патента: US20220084599A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Flash memory chip that modulates its program step voltage as a function of chip temperature

Номер патента: US11923010B2. Автор: Arash Hazeghi,Pranav Kalavade,Rohit S. Shenoy,Hsiao-Yu Chang. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US11977776B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20240061745A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Trapping storage flash memory cell structure with inversion source and drain regions

Номер патента: US20080205166A1. Автор: Mu-Yi Liu,Chia-Lun Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Single-port multi-bank memory system having read and write buffers and method of operating same

Номер патента: WO2002059901A1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology, Inc.. Дата публикации: 2002-08-01.

Method and system for determining storing state of flash memory

Номер патента: US9460801B2. Автор: Chien-Fu Tseng,Hsie-Chia Chang,Yen-Yu Chou,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US20230145117A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Flash memory chip that modulates its program step voltage as a function of chip temperature

Номер патента: US20240135995A1. Автор: Arash Hazeghi,Pranav Kalavade,Rohit S. Shenoy,Hsiao-Yu Chang. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Stress detection in a flash memory device

Номер патента: US20180342306A1. Автор: Robert Coleman,Benish Babu,Steven Haehnichen,I-Heng HUANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for operating three-dimensional flash memory

Номер патента: US20240274203A1. Автор: Yun Heub Song,JaeMin SIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-08-15.

Ad hoc flash memory reference cells

Номер патента: US8321623B2. Автор: Mark Murin,Eran Sharon. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20060126399A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-15.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20080181011A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Repetitive erase verify technique for flash memory devices

Номер патента: US20080151636A1. Автор: Wing Leung,Sheung-Hee Park,Ming Kwan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-26.

Nor flash memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100238739A1. Автор: Ji Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Apparatus and method of measuring reliability for flash memory material through a current measurement

Номер патента: US20240159818A1. Автор: Tae Un Youn,Hea Jong Yang,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2012012691A3. Автор: Ramesh Sivarajan,Henning Richter,Viktor Vejins,Edwin C. Kan,Qianying Xu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-14.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2012012691A2. Автор: Ramesh Sivarajan,Henning Richter,Viktor Vejins,Edwin C. Kan,Qianying Xu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-26.

Method and device for error correction coding based on high-rate generalized concatenated codes

Номер патента: US20170331498A1. Автор: Christoph Baumhof,Jens Spinner,Juergen Freudenberger. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Method and Device for Error Correction Coding Based on High-Rate Generalized Concatenated Codes

Номер патента: US20190268023A1. Автор: Christoph Baumhof,Jens Spinner,Juergen Freudenberger. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-08-29.

Eliminating or reducing programming errors when programming flash memory cells

Номер патента: US9477423B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: US8499229B2. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Storage device employing a flash memory

Номер патента: US6130837A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takashi Tsunehiro,Hajime Yamagami,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Takeshi Furuno,Kouichi Terada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-10.

ECC controller for use in flash memory device and memory system including the same

Номер патента: US8140935B2. Автор: Jun-Jin Kong,Yun-Tae Lee,Si-Hoon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-20.

Three-dimensional flash memory for improving integration and operation method thereof

Номер патента: US20230410919A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and system for managing flash write

Номер патента: US20130117496A1. Автор: Yakov LYUBMAN. Владелец: DSP GROUP LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230266921A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Data read/write method and apparatus, and exchange chip and storage medium

Номер патента: US12099749B2. Автор: Jun Xu,Jie Xia,Guobing TENG. Владелец: Suzhou Centec Communications Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory

Номер патента: WO2009095902A2. Автор: Hanan Weingarten,Shmuel Levy. Владелец: DENSBITS TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2009-08-06.

Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks

Номер патента: US5920501A. Автор: Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: WO2009070406A3. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: William Radke. Дата публикации: 2009-08-13.

NOR flash memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10916558B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Unauthorised modification of values stored in flash memory

Номер патента: CA2400222C. Автор: Kia Silverbrook,Simon Robert Walmsley. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Extending flash memory data retension via rewrite refresh

Номер патента: WO2009086177A1. Автор: Mark W. Randolph,Darlene G. Hamilton,Don Carlos Darling,Ron Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

All graphene flash memory device

Номер патента: US8772853B2. Автор: Ji-Young Kim,Kang-Lung Wang,Augustin J. HONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-07-08.

Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory

Номер патента: US8365040B2. Автор: Hanan Weingarten,Shmuel Levy. Владелец: Densbits Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-29.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

LINEAR RECORDING DEVICE FOR EXECUTING OPTIMUM WRITING UPON RECEIPT OF SERIES OF COMMANDS INCLUDING MIXED READ AND WRITE COMMANDS AND METHOD AND PROGRAM FOR EXECUTING THE SAME

Номер патента: US20150098148A1. Автор: Taguchi Kohei,Shiratori Toshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

LINEAR RECORDING DEVICE FOR EXECUTING OPTIMUM WRITING UPON RECEIPT OF SERIES OF COMMANDS INCLUDING MIXED READ AND WRITE COMMANDS AND METHOD AND PROGRAM THEREOF

Номер патента: US20140226236A1. Автор: Taguchi Kohei,Shiratori Toshiyuki. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-14.

A linear recording recording unit for performing optimum writing while receiving a series of instructions including mixed read and write commands, and method and program for executing the same

Номер патента: DE112012002622T5. Автор: Toshiyuki Shiratori,Kohhei Taguchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Read and write power control methods and system for optical recording device

Номер патента: TWI338888B. Автор: Chih Chung Wu,Ming Jiou Yu,Chi Pei Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-03-11.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Recording control apparatus, recording control method and recording apparatus integral with camera

Номер патента: US20070162688A1. Автор: Shunji Okada,Katsumi Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Anti-hacking mechanisms for flash memory device

Номер патента: EP4443517A2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Data reading and writing apparatuses and data reading and writing methods

Номер патента: US12100435B2. Автор: Jun Xu,Hongwei TANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Ion beam delayering system and method, and endpoint monitoring system and method therefor

Номер патента: EP3914897A1. Автор: Christopher Pawlowicz. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Base station and signal transmission configuration method, and signal measurement device and method therefor

Номер патента: US11483831B2. Автор: Hi Chan Moon. Владелец: Infoseize Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Base station and signal transmission configuration method, and signal measurement device and method therefor

Номер патента: US11778602B2. Автор: Hi Chan Moon. Владелец: Infoseize Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Data writing method and apparatus for flash memory-based system

Номер патента: US12130735B2. Автор: Wei Fang,Xie Miao,Tao HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Data writing method and apparatus

Номер патента: US20230153236A1. Автор: Wei Fang,Xie Miao,Tao HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

FLASH MEMORY STORAGE SYSTEM AND CONTROLLER AND DATA WRITING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150039820A1. Автор: Tan Kheng-Chong,Chua Lai-Hock. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Rfid tag and manufacturing method therefor, impedance-adjusting method and resin sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: EP2312504A4. Автор: Kazuhiko Niwano,Ryuta Sonoda,Koji Ikawa,Kouji Koganezawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

Solid-state hard disc and write-in arbitrating method and system thereof

Номер патента: CN106598508A. Автор: 殷军博. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

It is a kind of based on reading and writing data separation method and system across computer room

Номер патента: CN109521971A. Автор: 汤灿. Владелец: Guangdong Genius Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Read and write abruption control method and device, storage medium and electronic device

Номер патента: CN108182119A. Автор: 祝百万. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Apparatus for managing read and write data congestion, method and host bus adapter for avoiding data congestion, host computer, storage area network and computer readable recording medium with instructions for avoiding data congestion

Номер патента: TWI306196B. Автор: Thomas Patrick Jackson,Curtis Edward Nottberg,David Robert Wiley,Marc Timothy Jones. Владелец: Emulex Design & Mfg Corp. Дата публикации: 2009-02-11.

Communication terminal and communication network for partially updating software, software update method, and software creation device and method therefor

Номер патента: EP1519268B1. Автор: Kim Jae-Wook,Sung-Wook Yoo. Владелец: Curitel Communications Inc. Дата публикации: 2012-04-11.

Ion beam delayering system and method, and endpoint monitoring system and method therefor

Номер патента: US20220122805A1. Автор: Christopher Pawlowicz. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Novel LED array and indoor visible light positioning method and system based on same

Номер патента: CN107144816B. Автор: 赵丹,杨川川. Владелец: Shenzhen Pan Ding Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

Data writing method for a flash memory, and flash memory controller and flash memory storage system using the same

Номер патента: US20110107015A1. Автор: Chien-Hua Chu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Distributed flash memory storage manager systems

Номер патента: US20100254173A1. Автор: Wei Zhou,Po-Chien Chang,Chee Hoe Chu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Data compression method and flash memory device

Номер патента: US20240311005A1. Автор: Ying Yang,Xueming CAO,Yuanpeng MA,Juming LIAO. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Solid state drive and write operation method

Номер патента: US12045498B2. Автор: Wei Xu,Hui Jiang,Zhengliang CHEN,ZiHua Xiao. Владелец: Maxio Technology Hangzhou Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: EP1967977A3. Автор: Mark Chamberlain,Igor A. Spivak. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2009-02-04.

Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory

Номер патента: MY188873A. Автор: Haipeng Zhang. Владелец: Beijing Oceanbase Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Data writing method for a flash memory, and controller and storage system using the same

Номер патента: US20110087827A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12039171B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method to control the access in a flash memory and system for the implementation of such a method

Номер патента: EP1692592A1. Автор: Alain Boudou,Laurent Castillo,Van Tai Ngo. Владелец: Axalto SA. Дата публикации: 2006-08-23.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12079483B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for writing data into flash memory apparatus, flash memory apparatus, and storage system

Номер патента: CA2896369C. Автор: Chenyi Zhang,Chungong LIN,Mingchang Wei. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Flash memory management method and flash memory controller and storage system using the same

Номер патента: US20110145481A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Solid state drive and write operation method

Номер патента: US20220342591A1. Автор: Wei Xu,Hui Jiang,Zhengliang CHEN,ZiHua Xiao. Владелец: Maxio Technology Hangzhou Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: GB2582638A. Автор: Dean Tebbutt Colin,David Hunter William. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Live firmware update of flash memory

Номер патента: US12135874B2. Автор: Sira Parasurama Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of emulating eeprom-memory in flash-memory

Номер патента: RU2716899C1. Автор: Константин Анатольевич Черников,Антон Олегович Таршиков,Игорь Олегович Коваленко,Сергей Александрович Поскряков. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-03-17.

Storage system comprising flash memory, and storage control method

Номер патента: EP2652587A1. Автор: Akira Yamamoto,Masayuki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-10-23.

Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11947818B2. Автор: Wei-Chih Hsu,Ching-Ke Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230342052A1. Автор: Wei-Chih Hsu,Ching-Ke Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Storage system, computational storage processor and solid-state drive thereof, and data reading method and data writing method therefor

Номер патента: EP4375842A1. Автор: Jin Dai,Yunsen Zhang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-05-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method and usb flash drive for protecting private content stored in the usb flash drive

Номер патента: WO2006051052A1. Автор: Tsz Shing Lui,Ronald Chiu,Yau Wing Tsang. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2006-05-18.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Data writing method, memory controller, and memory storage apparatus

Номер патента: US20140129763A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Dual-Mode Switch for Multi-Media Card/Secure Digital (MMC/SD) Controller Reading Power-On Boot Code from Integrated Flash Memory for User Storage

Номер патента: US20090240865A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,I-Kang Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US20240094912A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Nor Flash Memory Controller

Номер патента: US20120151259A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Computing device and method for inferring a predicted number of physical blocks erased from a flash memory

Номер патента: US20190155520A1. Автор: Francois Gervais. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: EP4014121A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: EP2449471A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: WO2011008507A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: ORACLE AMERICA, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Modular flash memory card expansion system

Номер патента: WO2009067721A1. Автор: Kam Cheong Chin,Choon Tak TANG. Владелец: Kingston Technology Corporation. Дата публикации: 2009-05-28.

Reducing write amplification in a cache with flash memory used as a write cache

Номер патента: US20130132655A1. Автор: Binny S. Gill,Wendy A. Belluomini,Michael A. Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory controller and associated control method

Номер патента: US20240345950A1. Автор: Cheng-Yu Tsai,Kuo-Han Yuan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US20240094915A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210223970A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210365197A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods and apparatus for providing a virtual flash device

Номер патента: WO2007032830A3. Автор: John Rudelic. Владелец: John Rudelic. Дата публикации: 2007-06-07.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Output driving and input on-die termination mechanism capable of supporting different requirements of different flash memory specification standards

Номер патента: US20240311007A1. Автор: Zih-Yang Wong. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Page retirement in a NAND flash memory system

Номер патента: US09952795B2. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Usage of cache and write transaction information in a storage device

Номер патента: WO2014078562A1. Автор: Rotem Sela,Avraham Shmuel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

Device, method and non-transitory computer readable medium for writing image files into memories

Номер патента: US11829329B2. Автор: Chiang-Wei Lin. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Data recovery method for flash memory

Номер патента: US20240220355A1. Автор: Liu Yang,Qi Wang,Jing He,Zongliang Huo,Tianchun Ye,Xiaolei Yu,Yiyang Jiang,Qianhui LI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Computer program product and method and apparatus for controlling access to flash memory card

Номер патента: US20210303432A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Hsing-Lang Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of handling host write commands requesting to write dummy pattern on flash memory and related memory controller and storage system

Номер патента: US12061792B1. Автор: Chia-Chi Liang,Meng-Hua Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12135889B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Firmware update method and apparatus for a mcu of a vehicle

Номер патента: US20240070282A1. Автор: Jaehyun LIM. Владелец: Hyundai AutoEver Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Live firmware update of flash memory

Номер патента: US20230315284A1. Автор: Sira Parasurama Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: CA2576056A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: WO2006017553A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Pocrass Alan L. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: EP2342639A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184484A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Printer configured to control printing operation using information stored in flash memories

Номер патента: US11537302B2. Автор: Fumiharu Iwasaki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20230297276A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for distinguishing register reads from memory reads in a flash memory

Номер патента: US6085282A. Автор: John Phillip Hansen,Erik Metzger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Information processing apparatus equipped with storage using flash memory, control method therefor, and storage medium

Номер патента: US20200333967A1. Автор: Tatsuya Ogawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Cxl memory module, memory data swap method and computer system

Номер патента: US20240311305A1. Автор: Jin Dai. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-09-19.

Data writing method and device

Номер патента: EP4170505A1. Автор: Wei Fang,Xie Miao,Tao HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: WO2015187810A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-10.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: EP3152667A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

NAND flash memory device

Номер патента: US10452474B2. Автор: Shunsuke KODERA,Wangying Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and device for adaptively identifying type of flash memory

Номер патента: US20210124489A1. Автор: Cheng Zheng,Shuangxi Chen. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Increasing the Available Flash Memory of a Microcontroller

Номер патента: US20160357484A1. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and apparatus for delay-free operation of a control device

Номер патента: US20170101957A1. Автор: Axel Aue,Matthias Schreiber,Hans-Walter Schmitt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-04-13.

Flash Memory, and Method for Operating a Flash Memory

Номер патента: US20090049233A1. Автор: Chia-Hsin Chen,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for data classification by lifespan according to data transfer frequency for improving performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: EP4386563A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Programmable intelligent search memory enabled secure flash memory

Номер патента: US09952983B2. Автор: Ashish A. Pandya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US20120151122A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US9152583B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Method, system, and apparatus for flash memory endurance management

Номер патента: WO2022139622A1. Автор: Petr Sergeevich KRINOV,Vitaliy KHARIN,Aleksandr TARASOV,Sergey ILISAVSKII. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for flash memory reclaim

Номер патента: US20090006918A1. Автор: Crane Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Trees and graphs in flash memory

Номер патента: US20190213177A1. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US20140032993A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method and system for parallel flash memory programming

Номер патента: US20220100421A1. Автор: Te-Hsien Lai,Po-Wei Huang,Yi-Hung Shen,Chih-Chia HUANG. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2022-03-31.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US8250290B2. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

Method and apparatus for recovering deleted data on low flash memory formatted with ubifs

Номер патента: US20240281333A1. Автор: WOO Sung Yun,Sang Jin Lee,Youngki Jung,Junho Kim,Jungheum PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of handling trim command in flash memory and related memory controller and storage system thereof

Номер патента: US20240256465A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus of automatically selecting error correction algorithms

Номер патента: WO2009064791A2. Автор: Santosh Kumar,Arunprasad Ramiyamothilal,Sree Iyer. Владелец: MCM PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2009-05-22.

Method and apparatus of automatically selecting error correction algorithms

Номер патента: EP2227813A2. Автор: Santosh Kumar,Arunprasad Ramiyamothilal,Sree Iyer. Владелец: MCM PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2010-09-15.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and system for migrating data between flash memory devices

Номер патента: US9519577B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Electronic data flash card with various flash memory cells

Номер патента: US20080071977A1. Автор: Abraham C. Ma,David Q. Chow,Charles C. Lee,Ming-Shiang Shen,Frank I. Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-20.

Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory

Номер патента: US11287984B2. Автор: Haipeng Zhang. Владелец: Beijing Oceanbase Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Flash memory module, storage apparatus using flash memory module as recording medium, and address translation table verification method for flash memory module

Номер патента: US7917688B2. Автор: Shuji Nakamura,Katsuya Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-29.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US20110289265A1. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-11-24.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line mode of flash memory

Номер патента: US8019930B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US8200893B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Information processing apparatus, method of writing contiguous blocks for secure erease data and writing distributive blocks for non-secure erase data

Номер патента: US9983834B2. Автор: Jun Hamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Usb device with connector having integrated flash memory card slot

Номер патента: WO2016142934A1. Автор: Ronen Sharon,Mike Varmaz. Владелец: Safenet Data Security (Israel) Ltd.. Дата публикации: 2016-09-15.

Flash memory controller that can quickly enter power saving mode after entering idle state, associated flash memory device, and associated control method

Номер патента: US20240176517A1. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Crash-proof cache data protection method and system

Номер патента: US9747207B2. Автор: Jie Chen,Weiliang Shen. Владелец: Beijing Fortunet Information & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory interface for a Secure NOR Flash Memory

Номер патента: US20190129638A1. Автор: Partha Sarathy Murali,Subba Reddy Kallam,Venkata Siva Prasad Pulagam,Sailaja Dharani Naga Sankabathula,Venkat Rao Gunturu. Владелец: Redpine Signals Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Nor flash memory controller

Номер патента: WO2012079216A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

Flash memory system startup operation

Номер патента: EP1700207A1. Автор: Andrew Tomlin,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for accessing flash memory module, associated flash memory controller and electronic device for accelerating reading speed of flash

Номер патента: US20210294524A1. Автор: Yu-Chih Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Data processing system with peripheral access protection and method therefor

Номер патента: EP1604482A2. Автор: William C. Moyer,Joseph C. Circello,Craig D. Shaw. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US20100153627A1. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of recording data to digital information drive on basis of nand type flash-memory

Номер патента: RU2636107C1. Автор: Сергей Александрович Образцов,Илья Игоревич Чукляев,Ксения Петровна Коршунова,Алексей Владимирович Воропаев,Евгений Игоревич Чукляев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория информационно-измерительной и преобразовательной техники". Дата публикации: 2017-11-20.

Data transmission method for flash memory and flash memory storage system and controller using the same

Номер патента: US20100057979A1. Автор: Chien-Hua Chu,Chih-Kang Yeh,Ruei-Cian Chen,Kian-Fui Seng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-volatile memory array controller capable of controlling memory banks having variable bit widths

Номер патента: US5630099A. Автор: James R. Macdonald,Douglas D. Gephardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller

Номер патента: US20180373433A1. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Methods and apparatus to schedule memory operations

Номер патента: US20230418472A1. Автор: Mihir Mody,Vignesh Raghavendra,Srirama Govindarajan,Prithvi Y.A.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US11977767B2. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Novel data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US20240176539A1. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: US20220137874A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Logical-to-physical table updating method and storage controller

Номер патента: US20190361803A1. Автор: Yu-Hua Hsiao,Shih-Tien Liao. Владелец: Shenzhen Epostar Electronics Ltd Co. Дата публикации: 2019-11-28.

Card having flash memory and display, reader of reading the card, paying method using the reader and card, art card and dispaly using the art card

Номер патента: WO2009072849A3. Автор: Young Sun Cho,Sue Hee Park,Jin Man Chung. Владелец: Slimdisc Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Data processing system with peripheral access protection and method therefor

Номер патента: WO2004081707A2. Автор: William C. Moyer,Joseph C. Circello,Craig D. Shaw. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-09-23.

Write management on flash memory

Номер патента: US20200310648A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Write management on flash memory

Номер патента: US20220066641A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory data protection

Номер патента: WO2023055515A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-06.

Data processing system with peripheral access protection and method therefor

Номер патента: EP1604482A4. Автор: William C Moyer,Joseph C Circello,Craig D Shaw. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-30.

Configuration of host lba interface with flash memory

Номер патента: WO2008082999A3. Автор: Barry Wright,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Alan Welsh Sinclair. Дата публикации: 2008-10-02.

Methods and systems for facilitating multiple communication technologies using a single chip radio

Номер патента: WO2024157178A1. Автор: Ankit Jain,Dongwook Lee,Syam SIDHARDHAN,Siba Prasad Samal,Niranjan B PATIL,Anurag Biradar,Inpyo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-02.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20180196747A1. Автор: Tao-En TANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Flash memory data protection

Номер патента: EP4409414A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Methods and systems for facilitating multiple communication technologies using a single chip radio

Номер патента: US20240256265A1. Автор: Ankit Jain,Dongwook Lee,Syam SIDHARDHAN,Siba Prasad Samal,Niranjan B PATIL,Anurag Biradar,Inpyo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of classifying data by lifespan according to the number of times of moving data to improve performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: US20240231634A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical three-dimensional stack NOR flash memory

Номер патента: US12114495B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and device for upgrading firmware

Номер патента: US09886264B2. Автор: Xin Liu,Enxing Hou,Deguo MENG. Владелец: Xiaomi Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Flash memory card-based storage devices with changeable capacity

Номер патента: US8635403B2. Автор: Yingju Sun,Joe Zheng. Владелец: O C K Investment B V LLC. Дата публикации: 2014-01-21.

Flash memory garbage collection

Номер патента: US11907123B2. Автор: Daniel Frank Moertl,Robert Edward Galbraith,Rick A. Weckwerth,Matthew Szekely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20230342055A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20210049278A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20220004638A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Flash memory emulation

Номер патента: US11874768B1. Автор: Daniel Steger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20210294747A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20220027282A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US11809328B2. Автор: Ching-Hui Lin,Ken-Fu Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Dual-interface flash memory controller with execute-in-place cache control

Номер патента: US11061670B2. Автор: Ying Yang,Tung-Hao Huang,Ken Yeung,Nelson Xu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: US20240126431A1. Автор: Sang Tran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US11543982B2. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: WO2016010625A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc.. Дата публикации: 2016-01-21.

Avoidance of self eviction caused by dynamic memory allocation in a flash memory storage device

Номер патента: EP2307964A1. Автор: Derrill Sturgeon,Vadzim Struk. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Avoidance of self eviction caused by dynamic memory allocation in a flash memory storage device

Номер патента: WO2010011780A1. Автор: Derrill Sturgeon,Vadzim Struk. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-01-28.

Data read method, data write method, device, and system

Номер патента: US12045464B2. Автор: Hailong Liu,Jie LEI,Haolong Zhang,Chengguang ZHENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Flash memory system including a duplicate booting program and apparatus and method for protecting the same flash memory

Номер патента: US20040153846A1. Автор: Ki-Ju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

ExpressCard with On-Card Flash Memory with Shared Flash-Control Bus but Separate Ready Lines

Номер патента: US20050114587A1. Автор: Tzu-Yih Chu,Sun-Teck See,Horng-Yee Chou. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2005-05-26.

Flash memory controller, memory device and method for accessing flash memory module

Номер патента: US20200379674A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20150154110A1. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Information processing apparatus that verifies falsification of activation program, control method therefor, and storage medium

Номер патента: US20230244559A1. Автор: Yasuhiro Kozuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230266922A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Micro Controller Unit System Including Flash Memory and Method of Accessing the Flash Memory By the Micro Controller Unit

Номер патента: US20080195805A1. Автор: Kyoung Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Dual-interface flash memory controller with execute-in-place cache control

Номер патента: US20200285465A1. Автор: Ying Yang,Tung-Hao Huang,Ken Yeung,Nelson Xu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

A mobile communication terminal including NAND flash memory and method for booting the same

Номер патента: EP1607834A3. Автор: Hyung-Hoon Samsung Electronics Co. Ltd. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

Integrated circuit chip with flash memory and identification function

Номер патента: US20060118640A1. Автор: Gordon Yu,Yi-Hua Ho,Hung-Tse Ho,Ching-Lung Wu. Владелец: C One Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: WO2024081093A1. Автор: Sang Tran. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-18.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: US12026369B2. Автор: Sang Tran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210248034A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Encoding method for flash memories

Номер патента: US20090138651A1. Автор: Yunghsu CHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Method and system for communication between dual-mode flash memory controller and dual-mode memory

Номер патента: US20220206939A1. Автор: Di XU,Kwokwah YEUNG,Kawing CHEUNG. Владелец: Suzhou Kuhan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Apparatus, systems and methods for securely storing media content events on a flash memory device

Номер патента: US9218300B2. Автор: Matthew Stephens,Greg Blythe,David Burton. Владелец: EchoStar UK Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Method for identifying data characteristics for flash memory

Номер патента: US7461233B2. Автор: Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Hsiang-Chi Hsieh,Li-Pin Chang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Method and apparatus for auto-detection of a configuration of a flash memory

Номер патента: US6907496B2. Автор: John Steven Langford,Michael Youhour Lim,Hemlata Nellimarla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Techniques for supporting erasure coding with flash memory controller

Номер патента: US11023315B1. Автор: Robert Lercari,Mike Jadon,Craig Robertson. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Flash memory polling

Номер патента: US20200401339A1. Автор: Chao Sun,Dejan Vucinic,Xinde Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Solid state disk, data transmitting method and intermediary controller to support reduced SSD controller pad count

Номер патента: US11809746B2. Автор: Kuan-Chieh Wang,Shih-Chou Juan,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method and system of manipulation and redundancy removal for flash memories

Номер патента: US20220121568A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20130326118A1. Автор: Jen-Hung Liao,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Flash memory usage management

Номер патента: US11966588B2. Автор: Keun Young Park,Matthew William Crowley,Dongkyun Jeong,Lakshman Naresh Coimbatore ANNADORAI,Edward Dcruz,Fábio Marconato Sasso. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Monitoring method and apparatus for electronic device, and electronic device

Номер патента: US20240020017A1. Автор: Dan QIAN. Владелец: Qisda Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Data management appartus and method used for flash memory

Номер патента: EP1574940A3. Автор: Hyo-jun Kim,Ji-Hyun In,Kwang-Yoon Lee,Tae-Sun Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-26.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A4. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-03.

Message notification method and apparatus

Номер патента: EP4250128A1. Автор: Xiaoyan Li,Rongguo LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: EP3323048A1. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2018-05-23.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: US20170017415A1. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: WO2017008992A1. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Technologies International, Ltd.. Дата публикации: 2017-01-19.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US20240111417A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Flash memory access method and apparatus

Номер патента: EP4307131A1. Автор: Fengxi Liu,Jinxiu LIU,Angang DENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: WO2010049793A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2010-05-06.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184485A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Reliable non-volatile memory programming interface and method therefor

Номер патента: US20190095133A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Tray-style flash memory drive

Номер патента: US20040047134A1. Автор: Wen-Tsung Liu,Chin-Pin Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Nvme-based data writing method, device, and system

Номер патента: EP3792743A1. Автор: Victor Gissin,Junying Li,Guanfeng ZHOU,Jiashu Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Method and system for dynamically upgrading a chip and baseboard management controller

Номер патента: US20130132700A1. Автор: Yu Zhang,Lixia XU,Hongguang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method and device for providing and external interface using a programmed configuration bit in flash memory

Номер патента: US20030065831A1. Автор: Lu Yuan,Hugo Cheung,Terence Chiu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for detecting flash memory module and associated system on chip

Номер патента: US11809273B2. Автор: Chia-Liang Hung,Jia-Jhe Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Flash memory controller and method capable of efficiently reporting debug information to host device

Номер патента: US20210072924A1. Автор: Kuan-Hui Li,Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Portable audio adapter with bulit-in flash memory

Номер патента: US20160224309A1. Автор: Peter Leekuo CHOU,Mark Jim Tekunoff. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Flash memory module and storage system

Номер патента: US8156277B2. Автор: Jun Kitahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-04-10.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US20110010489A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US9098395B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Methods and systems to reduce SSD IO latency

Номер патента: US10156994B2. Автор: Vetrivel Ayyavu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Small-capacitance power converter, and grid-side electrical-energy quality control working method and bus voltage suppression control method therefor

Номер патента: GB2610545A. Автор: Xu Lei,Zhang Li,Zhang Chao,Zhu Xiaoyong,Du Yi,Qin Yuanyuan. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-03-08.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Charge trap flash memory device, fabrication method thereof, and write/read operation control method thereof

Номер патента: US7615446B2. Автор: Young-Ho Kim,Jae-ho Kim,Tae-Whan Kim,Jea-hun Jung,Chong-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-10.

Insulating resin composition and production method therefor, insulating tape and production method therefor, insulating layer formation method, and power cable and production method therefor

Номер патента: WO2020204012A1. Автор: 哲也三枝,考洋金谷. Владелец: 古河電気工業株式会社. Дата публикации: 2020-10-08.

Insulating resin composition and production method therefor, insulating tape and production method therefor, insulating layer formation method, and power cable and production method therefor

Номер патента: EP3950821A1. Автор: Tetsuya Mieda,Takahiro KANAYA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Insulating resin composition and production method therefor, insulating tape and production method therefor, insulating layer formation method, and power cable and production method therefor

Номер патента: EP3950821A4. Автор: Tetsuya Mieda,Takahiro KANAYA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Insulating resin composition and production method therefor, insulating tape and production method therefor, insulating layer formation method, and power cable and production method therefor

Номер патента: US20220157488A1. Автор: Tetsuya Mieda,Takahiro KANAYA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Insulating resin composition and production method therefor, insulating tape and production method therefor, insulating layer formation method, and power cable and production method therefor

Номер патента: US11990253B2. Автор: Tetsuya Mieda,Takahiro KANAYA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

RECEIVING APPARATUS, DATA RECEIVING METHOD, AND CHANNEL ESTIMATING APPARATUS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20140050111A1. Автор: Nagata Satoshi,Chen Lan,Taoka Hidekazu,She Xiaoming,Zhu Jianchi. Владелец: NTT DOCOMO, INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

BASE STATION AND SIGNAL TRANSMISSION CONFIGURATION METHOD, AND SIGNAL MEASUREMENT DEVICE AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210282140A1. Автор: MOON Hi Chan. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Receiver, data receiving method, and channel estimation device and method therefor

Номер патента: WO2012144620A1. Автор: 聡永田,秀和田岡,ランチン,シャオミンシェ,ジャンチシュ. Владелец: 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ. Дата публикации: 2012-10-26.

Drug intermediate and synthetic method, and isoquinoline derivative and synthetic method therefor

Номер патента: WO2023179068A1. Автор: 邓超,孙丽梦,韦雨萌. Владелец: 邦恩泰(山东)生物医药科技集团股份有限公司. Дата публикации: 2023-09-28.

Small-capacitance power converter, and grid-side electrical-energy quality control working method and bus voltage suppression control method therefor

Номер патента: GB202219794D0. Автор: . Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-02-08.

Medical device with CMT array and solid-state cooling, related method and system

Номер патента: KR20200055732A. Автор: 아리프 산리 이어군,안드레 크호우리,부트루스 티. 크후리-야쿱,어윈 존 앤., Iii. Владелец: 울트라 홈 엘엘씨. Дата публикации: 2020-05-21.

3D flash memory device with integrated passive device

Номер патента: US11844221B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

3d flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413552A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen,Cheng-Yu Lee,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming flash memory, method of forming flash memory and sram circuitry, and etching methods

Номер патента: US20020013028A1. Автор: Kirk D. Prall,Graham Wolstenholme,Gregg Rettschlag. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Three-dimensional flash memory comprising connection part, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240260272A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional flash memory having improved degree of integration, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12120872B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of controlling oxide thinning in an eprom or flash memory array

Номер патента: WO1995012213A1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-05-04.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor

Номер патента: KR100878527B1. Автор: 박향숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Layout of a flash memory having symmetric select transistors

Номер патента: US20050040457A1. Автор: Ming-Hung Chou,Jen-Ren Huang. Владелец: MARCRONIX INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Access point with limited flash memory

Номер патента: US11956711B2. Автор: Sreekanth Natarajan,Vairamuthu Karuppiah. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Flash memory array having well contact structures

Номер патента: US5973374A. Автор: Steven W. Longcor. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for improving control gate uniformity during manufacture of processors with embedded flash memory

Номер патента: US20200075613A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Flash memory process with high voltage LDMOS embedded

Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Disabling flash memory to protect memory contents

Номер патента: US20030228728A1. Автор: Hung-Chang Yu,Fei-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Nanoparticles In a Flash Memory Using Chaperonin Proteins

Номер патента: US20080191265A1. Автор: Chuanbin Mao,Shan Tang,Sanjay Banerjee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2008-08-14.

Swivel cap for flash memory device

Номер патента: US20070063249A1. Автор: Robert Martin,Boris Kontorovich,Richard Whitehall,Allen Zadeh,G. Rambosek. Владелец: Imation Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Flash memory

Номер патента: US20090040823A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US7183160B2. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2007-02-27.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Encoding method and device

Номер патента: RU2728527C1. Автор: Чэнь СЮЙ,Жун ЛИ,Шэнчэнь ДАЙ,Линчэнь ХУАН,Юньфэй ЦЯО. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-07-30.

In-situ support structure for line collapse robustness in memory arrays

Номер патента: US20150287733A1. Автор: Donovan Lee,Akira MATSUDAIRA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-10-08.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US20050087816A1. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: Universite de Provence Aix Marseille I. Дата публикации: 2005-04-28.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Nanocrystal flash memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US6656792B2. Автор: Lap Chan,Wee Kiong Choi,Wai Kin Chim,Vivian Ng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-12-02.

Segmented non-volatile memory array having multiple sources

Номер патента: US5945717A. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Selfaligned process for a flash memory

Номер патента: US20040266105A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Flash memory device

Номер патента: US20090212344A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-08-27.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory devices and methods for fabricating flash memory devices

Номер патента: US20080093651A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Ok-Cheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Process for a flash memory with high breakdown resistance between gate and contact

Номер патента: US6908814B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293616A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Flash memory device with telescopic connector port and a casing of the flash memory device

Номер патента: US20100311257A1. Автор: Cheng-Chung Kung,Xiao-Xia Meng. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20240250149A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Yung-Han Chiu,Shu-Ming Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Process for fabricating a flash memory with dual function control lines

Номер патента: US6001689A. Автор: Michael A. Van Buskirk,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20110250727A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for improving the reliability of flash memories

Номер патента: US20030160241A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20040041200A1. Автор: Sukyoon Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Flash memory structure using sidewall floating gate having one side thereof surrounded by control gate

Номер патента: US20010014501A1. Автор: Louis L. Hsu,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Flash memory cell

Номер патента: US09978758B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230371250A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A3. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A2. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Triple Patterning NAND Flash Memory with Stepped Mandrel

Номер патента: US20150064907A1. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230328972A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Virtual ground memory array and method therefor

Номер патента: WO2006041633A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore,Laureen H Parker. Владелец: Laureen H Parker. Дата публикации: 2007-03-01.

UV-blocking layer for reducing UV-induced charging of sonos dual-bit flash memory devices in beol processing

Номер патента: GB2413438A. Автор: Minh Van Ngo,Ning Cheng,Arvind Halliyal,Jaeyong Park,Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Tyagamohan Gottipati,Jeff P Erhardt,Jeffrey A Shields,Clarence Ferguson,Angela T Hui,Robert A Huertas. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Image formation apparatus, method of controlling flash memory, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US20150288847A1. Автор: Keishi Sakuma. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-10-08.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Species implantation for minimizing interface defect density in flash memory devices

Номер патента: US6399984B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Tuan Duc Pham,Yider Wu,Chi Chang,Jean Y. Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-04.

Methods and apparatus for wordline protection in flash memory devices

Номер патента: WO2005112120A1. Автор: Mark William Randolph. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-11-24.

Electronic device and control method therefor

Номер патента: US8438317B2. Автор: Satoshi Aoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

Electronic device and control method therefor

Номер патента: US8166210B2. Автор: Satoshi Aoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Charged particle beam writing method, computer-readable recording medium, and charged particle beam writing apparatus

Номер патента: US20140166869A1. Автор: Osamu Iizuka,Hideyuki Tsurumaki,Sumito NAKADA,Hikaru YAMAMURA. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

SONOS Flash Memory

Номер патента: US20090273020A1. Автор: Gangning Wang,Haitao Jiang,Xinsheng Zhong,Jiangpeng Xue. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Double-implant nor flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100171161A1. Автор: Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Yung-Chung Lee. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938A1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938B1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-12-19.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for optical writing in a semiconductor material, corresponding computer program product, storing medium and writing device

Номер патента: EP4366907A1. Автор: David Grojo,Andong Wang,Amlan Das. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2024-05-15.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7355243B2. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Over the air microcontroller flash memory updates

Номер патента: CA2684743A1. Автор: Robert T. Mason, Jr.,Rodney C. Hemminger,Brent R. Brian,Andrew J. Borleske,David Uy,Russell G. Christopher,Raymond Kelley,Keith D. Richeson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Over the air microcontroller flash memory updates

Номер патента: CA2684743C. Автор: Robert T. Mason, Jr.,Rodney C. Hemminger,Brent R. Brian,Andrew J. Borleske,David Uy,Russell G. Christopher,Raymond Kelley,Keith D. Richeson. Владелец: Elster Solutions Llc. Дата публикации: 2013-04-09.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2495482C2. Автор: Алексей Юрьевич Половников,Сергей Михайлович Климов,Анатолий Иванович Черноскутов,Эдуард Федорович Зорин,Андрей Федорович Белый,Яков Петрович Гришко,Александр Александрович Чуйко,Борис Сергеевич Рыжов. Владелец: Открытое акционерное общество "ЭКА". Дата публикации: 2013-10-10.

Resistive flash memory element

Номер патента: RU2516771C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-05-20.

Method of transmitting data over a bus, a communication system for realizing said method and an automatic protection device for preventing an emergency situation at a control object

Номер патента: RU2705421C1. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТЕКОН Микропроцессорные технологии". Дата публикации: 2019-11-07.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты