Method for reading data stored in a flash memory according to a voltage characteristic and memory controller thereof
Номер патента: US11881269B2
Опубликовано: 23-01-2024
Автор(ы): Tsung-Chieh Yang
Принадлежит: Silicon Motion Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-01-2024
Автор(ы): Tsung-Chieh Yang
Принадлежит: Silicon Motion Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells
Номер патента: EP4107728A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.