System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device
Номер патента: US6999334B2
Опубликовано: 14-02-2006
Автор(ы): Anthony Holden, Frederick A. Perner
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-02-2006
Автор(ы): Anthony Holden, Frederick A. Perner
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell
Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.