Flash memory with read tracking clock and method thereof.

Flash memory with read tracking clock and method thereof

Номер патента: US20130208544A1
Опубликовано: 15-08-2013
Автор(ы): Chun-Hsiung Hung, Chung-Kuang Chen, Han-Sung Chen
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for reading data stored in a flash memory according to a voltage characteristic and memory controller thereof

Номер патента: US11881269B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for Reading Data Stored in a Flash Memory According to a Voltage Characteristic and Memory Controller Thereof

Номер патента: US20240127894A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Determining threshold voltage distribution in flash memory

Номер патента: US8625369B1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Flash memory system capable of operating in a random access mode and data reading method thereof

Номер патента: US7889555B2. Автор: Ki-Hong Kim,Byeong-Hoon Lee,Seung-Won Lee,Sun-Kwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Flash memory device capable of preventing soft-programming during a read operation and reading method thereof

Номер патента: US7773415B2. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-10.

Split Gate NAND Flash Memory Structure And Array, Method Of Programming, Erasing And Reading Thereof, And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20170032846A1. Автор: Gao Feng,Widjaja Yuniarto,Lee Dana,Chen Changyuan,LIN Ya-Fen,Cooksey John W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Flash memory device capable of verifying reliability using bypass path， and system and method of verifying reliability using that device

Номер патента: KR101300443B1. Автор: 민상렬,남이현,윤진혁. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2013-08-27.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20230036141A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240290399A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: EP4421810A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Flash memory for adjusting trip voltage using voltage regulator and sampling switch circuit and sensing method thereof

Номер патента: US20240265977A1. Автор: Jongryul Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11238943B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2022-02-01.

Apparatus and method for controlling flash memory

Номер патента: EP1843357A3. Автор: Song-ho Yoon,Jae-hyuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-06.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11978517B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2024-05-07.

Flash memory with high integration

Номер патента: US20240274196A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Flash memory storage apparatus

Номер патента: US20100252931A1. Автор: Yu-Tong Lin,Yun-Chieh Chen,Hung-Yi Chung,Yu-Fong Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Group based read reference voltage management in flash memory

Номер патента: US8971122B1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Differential signal path for high speed data transmission in flash memory

Номер патента: US20020085425A1. Автор: Balaji Srinivasan,Robert Baltar,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Flash memory device for adjusting trip voltage using voltage regulator and sensing method thereof

Номер патента: US20240029798A1. Автор: Kiwhan Song,Tae-Hong Kwon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Flash memory device having a function for reducing data input error and method of inputting the data in the same

Номер патента: US20070223295A1. Автор: Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Cam cell, cam memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230090194A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

CAM cell, CAM memory device and operation method thereof

Номер патента: US11823749B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Multi-block non-volatile memories with single unified interface

Номер патента: US20180336948A1. Автор: Shu Wang,Xiaoming Jin,Zhijiong Luo. Владелец: Aspiring Sky Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A4. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A2. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Methods for erasing, reading and programming flash memories

Номер патента: US20150103603A1. Автор: Yoh Tz Chang,Kai Tao. Владелец: Siltech Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Nand-type flash memory and nand-type flash memory controlling method

Номер патента: US20100067302A1. Автор: Yoshihisa Watanabe,Yuka Furuta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: EP2823486A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Three-dimensional flash memory including middle metallization layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955177B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Bias for data retention in fuse ROM and flash memory

Номер патента: US11830555B2. Автор: Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Pre-read technique for multi-pass programming of flash memory

Номер патента: US10650896B1. Автор: XIN YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Flash memory

Номер патента: US20130235670A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Flash memory

Номер патента: US8755231B2. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Flash memory with two-stage sensing scheme

Номер патента: US20100182846A1. Автор: Juhan Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Novel High Speed High Density NAND-Based 2T-NOR Flash Memory Design

Номер патента: US20120261741A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Bias for Data Retention in Fuse ROM and Flash Memory

Номер патента: US20220415402A1. Автор: Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

A device and method to read a 2-transistor flash memory cell

Номер патента: WO2003050813A3. Автор: Roger Cuppens,Franciscus P Widdershoven,Anthonie M H Ditewig. Владелец: Anthonie M H Ditewig. Дата публикации: 2003-11-27.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Flash memory

Номер патента: US09947409B2. Автор: Ken Matsubara,Satoru Nakanishi,Takashi Iwase. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Analog interface for a flash memory die

Номер патента: US7911834B2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Storage device and method for managing storage device

Номер патента: US20180075911A1. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Storage device and method for managing storage device

Номер патента: US10109354B2. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Method and system for determining storing state of flash memory

Номер патента: US20140136924A1. Автор: Chien-Fu Tseng,Hsie-Chia Chang,Yen-Yu Chou,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US11847023B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20240061745A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and system for determining storing state of flash memory

Номер патента: US9460801B2. Автор: Chien-Fu Tseng,Hsie-Chia Chang,Yen-Yu Chou,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Memory with DQS pulse control circuitry, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US11848070B2. Автор: Mijo Kim,Scott E. Smith,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Flash memory device with stable auto read function regardless of external voltage and method for controlling auto read of the flash memory device

Номер патента: KR100635204B1. Автор: 장승호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-16.

Novolatile flash memory device usable as a boot-up memory in a system and method of operating the same

Номер патента: KR100395770B1. Автор: 권석천. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-08-21.

Flash Memory Cells, NAND Cell Units, Methods of Forming NAND Cell Units, and Methods of Programming NAND Cell Unit Strings

Номер патента: US20140254265A1. Автор: ARITOME Seiichi,Li Di. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory with output control

Номер патента: US09972381B1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20200381566A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348544A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Flash memory with multiple status reading capability

Номер патента: US20030117860A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US7215578B2. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-08.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US20060176741A1. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Priority-based flash memory control apparatus for XIP in serial flash memory, memory management method using the same, and flash memory chip thereof

Номер патента: EP1522928A3. Автор: Chan-Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-03.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: EP4428862A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Data storage device and voltage protection method thereof

Номер патента: US09990999B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Data storage device and voltage protection method thereof

Номер патента: US09847134B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Pipelined programming for a NAND type flash memory

Номер патента: EP1326257A3. Автор: Masaru Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Semiconductor device with a memory capable of batch erasing a plurality of sectors and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087364B2. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030031052A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A2. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20050018522A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030123288A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Vidmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: EP1423857A1. Автор: Frankie Fariborz Roohparvar,Kevin C. Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-02.

Flash memory, flash memory erase/write counting method, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: EP4345824A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Rolling Wireless SARL. Дата публикации: 2024-04-03.

System and method of accessing memory of a data storage device

Номер патента: WO2014159396A2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US7235839B2. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Flash memory with novel bitline decoder and sourceline latch

Номер патента: US5920503A. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: EP4181132A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Flash Memory Device and Method for Handling Power Failure Thereof

Номер патента: US20150003154A1. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Flash memory device and method for handling power failure thereof

Номер патента: US9013929B2. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20150146486A1. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US20230145117A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Flash memory storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180336954A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory with output control

Номер патента: WO2007036050B1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Hakjune Oh. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory control device, control method of flash memory, and method for generating security feature of flash memory

Номер патента: US10705743B2. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Jing-Long XIAO,Yi-Lin Hsieh. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Neuromorphic circuit including spike regulator based on flash memory

Номер патента: US20220156565A1. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Kyeong Seok Lee,Joon Young Kwak,Gyuweon Hwang,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-19.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Flash memory counter

Номер патента: US20160293262A1. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2016-10-06.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Flash memory device

Номер патента: US20020091906A1. Автор: Weon-Hwa Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Flash memory cell and method for operating the same

Номер патента: US20110044100A1. Автор: Shing Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: EP4107728A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Nonvolatile memory with reduced write time/write verify time and semiconductor device thereof

Номер патента: US6011720A. Автор: Nobuhiko Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for inspecting the electrical performance of a flash memory cell

Номер патента: US7940584B2. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US8040749B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

A method, system and computer-readable code for testing of flash memory

Номер патента: WO2007052259A2. Автор: Meir Avraham,Mark Murin,Menahem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-10.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US20100268873A1. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Flash Memory Controller Utilizing Multiple Voltages and a Method of Use

Номер патента: US20080049510A1. Автор: David Chen,Ben Wei Chen,David Sun. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US7760574B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: WO2021167648A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

System and method for reading a multi level data storage device

Номер патента: WO2014159396A3. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

Flash memory programming check circuit

Номер патента: US20220068411A1. Автор: Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Power driven optimization for flash memory

Номер патента: EP3365893A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20210019241A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: WO2019046548A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Preston Thomson,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Devin Batutis. Владелец: Luo, Ting. Дата публикации: 2019-03-07.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20190324876A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory configuration and method for calibrating read/write data based on performance characteristics of the memory configuration

Номер патента: CA2660087C. Автор: Kenneth J. Eldredge,Stephen P. Van Aken. Владелец: Benhov GmbH LLC. Дата публикации: 2014-09-23.

On-chip repair of defective address of core flash memory cells

Номер патента: US6631086B1. Автор: Colin Bill,Darlene G. Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Azrul Halim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Method of erasing flash memory and electronic system

Номер патента: US11978520B2. Автор: Jong Bae Jeong. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US20160099064A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US11804269B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for extracting substrate coupling coefficient of a flash memory

Номер патента: US6292393B1. Автор: Chih-Mu Huang,Chuan-Jane Chao,Chi-Hung Kao,Jung-Yu Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20220246218A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20230095392A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: WO2007035277A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: EP1927113A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-04.

Flash memory

Номер патента: US20170358358A1. Автор: Koichi Ando. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic flash memory

Номер патента: US20020145914A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Flash memory devices with flash fuse cell arrays

Номер патента: US7561486B2. Автор: Tae-Seong Kim,Gyu-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

User device including flash memory storing index and index accessing method thereof

Номер патента: US20100223421A1. Автор: Jeong-Eun Kim,Namyoon Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Flash memories with adaptive reference voltages

Номер патента: US7463516B2. Автор: Amir Ban. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-12-09.

Systems and methods for discrete channel decoding of LDPC codes for flash memory

Номер патента: US20090154236A1. Автор: Alexander Kozlov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20090161432A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Flash memory integrated circuit with multi-selected modes

Номер патента: US20060126384A1. Автор: Ming-Che Chang,Gordon Yu,Chien-Wei Teng,Hung-Tse Ho. Владелец: C One Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

New compensated method to implement a high voltage discharge phase after erase pulse in a flash memory device

Номер патента: WO2006033832A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Davide Manfre. Владелец: Davide Manfre. Дата публикации: 2007-02-15.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-bit data

Номер патента: US20080316819A1. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: US7054992B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Block select circuit in a flash memory device

Номер патента: US20040156237A1. Автор: Jong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Memory controller and flash memory system having the same

Номер патента: US10956067B2. Автор: Kazuo Shida. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Improved flash memory cell associated decoders

Номер патента: EP4243081A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Flash memory device having efficient refresh operation

Номер патента: US20150131385A1. Автор: Seung Keun Lee,Jong Bae Jeong,Hi Hyun Han. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Dividing a flash memory operation into phases

Номер патента: US20070156950A1. Автор: Jerry Kreifels,Richard Durante. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Flash memory array and decoding architecture

Номер патента: US5856942A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Semiconductor memory system for flash memory

Номер патента: US20080126678A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Methods and systems for high write performance in multi-bit flash memory devices

Номер патента: WO2005106891A1. Автор: Mark Randolph,Darlene Hamilton,Roni Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-11-10.

Flash memory cell string

Номер патента: US20090184362A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for programming flash memory

Номер патента: US20220084599A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Trapping storage flash memory cell structure with inversion source and drain regions

Номер патента: US20080205166A1. Автор: Mu-Yi Liu,Chia-Lun Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Flash memory for reducing reliability degradation of os data due to smt process

Номер патента: US20240153567A1. Автор: Dongwoo Shin,Hoon Jo,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE,SeongKuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory with partial array density security, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240038290A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Split Gate NAND Flash Memory Structure And Array, Method Of Programming, Erasing And Reading Thereof, And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20140340967A1. Автор: Gao Feng,Widjaja Yuniarto,Lee Dana,Chen Changyuan,LIN Ya-Fen,Cooksey John W.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: KR101255527B1. Автор: 펭 가오,다나 리,유니아르토 위드자자,존 더블유. 쿡시,창규안 첸,야-펜 린. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2013-04-23.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US20060261399A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin,John Cooksey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: WO2009027216A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: Axalto S.A.. Дата публикации: 2009-03-05.

Data storage device and flash memory control method thereof

Номер патента: US20140078825A1. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2010-06-16.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810B1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-03-23.

Flash memory device performing adaptive loop, memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09941016B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US12056007B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage

Номер патента: WO2010000205A1. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

Flash memory and method for controlling the memory

Номер патента: US7487286B2. Автор: Osamu Nagano,Isamu Nakajima. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-03.

Flash memory device and method thereof

Номер патента: US12051756B2. Автор: Yen Chuang,Chia-Yu Liu,Nai-Wen Hsu,Yu-Jui Wu,Jiun-Yun Li,Wei-Chih Hou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-07-30.

Periodically updating a log likelihood ratio (LLR) table in a flash memory controller

Номер патента: US09916906B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Flash memory access apparatus and method

Номер патента: US20040193781A1. Автор: Bum-soo Kim,Tae-Sun Chung,Yong-seok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Flash memory with assistant gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20200365700A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Hann-Jye Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Integrated circuit with flash memory

Номер патента: EP1203379A1. Автор: Stefan Koch,Axel Hertwig,Hans-Joachim Gelke. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory controller and method for adaptively programming flash memory

Номер патента: US20240233840A1. Автор: Chung-Meng Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: WO2001075890A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: US20240304263A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20130051156A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US9318213B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US9514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US20150310921A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

System and method for detecting copyback programming problems

Номер патента: EP2721492A1. Автор: Graeme Moffat Weston-Lewis,Douglas Alan Prins,Aaron Keith Olbrich. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2014-04-23.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2012012691A3. Автор: Ramesh Sivarajan,Henning Richter,Viktor Vejins,Edwin C. Kan,Qianying Xu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2012012691A2. Автор: Ramesh Sivarajan,Henning Richter,Viktor Vejins,Edwin C. Kan,Qianying Xu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-26.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Single chip micro-controller with an internal flash memory

Номер патента: GB2338321A. Автор: Mao-Song Chen,Shih-Chang Wu,Shih-Fu Hsieh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-12-15.

Three-dimensional flash memory for improving integration and operation method thereof

Номер патента: US20230410919A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-12-21.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20140071760A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Multi-tiered detection and decoding in flash memories

Номер патента: US20180181459A1. Автор: Erich F. Haratsch,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Safe execution in place (xip) from flash memory

Номер патента: WO2018187771A2. Автор: Aishwarya Dubey,Rajat Sagar,Peter Aberl,Eldad Falik. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-11.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: EP3788622A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-10.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: WO2019212789A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Multi-ROM writer and control method thereof

Номер патента: US20010007534A1. Автор: Ichiro Fukuda,Shinichi Machida,Toshikazu Hisai. Владелец: Nippon Conlux Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-12.

Flash memory with RDRAM interface

Номер патента: US20030043625A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

System and method for programming a memory device with multiple writes without an intervening erase

Номер патента: US09972396B1. Автор: Himanshu Naik,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Data storage device and data maintenance method thereof

Номер патента: US09940058B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Circuitry and method for programming and erasing a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5448712A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Microcomputer provided with flash memory and method of storing program into flash memory

Номер патента: US6883060B1. Автор: Masahiro Hayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Memory device comprising flash memory and method for controlling a write speed of a bus transmitting data for storage on the flash memory

Номер патента: US20190115082A1. Автор: Francois Gervais,Danny Breton. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US9437600B2. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US20160071854A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Method and system for validating flash memory

Номер патента: US20010048611A1. Автор: Robert Pitts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Voltage reference generator for flash memory

Номер патента: US20090323413A1. Автор: Gerald J. Barkley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US09910772B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Adusting flash memory operating parameters based on historical analysis of multiple indicators of degradation

Номер патента: US9262319B2. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Three dimensional flash memory element with middle source-drain line and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355743A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-11-21.

Synchronous flash memory

Номер патента: WO2001075897A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method, memory controller and method device that organizes data during refresh cycles

Номер патента: US20240272817A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Rowen Alphonso Pereira,Chandrashekhar Mallikarjuna Joshi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of programming and erasing multi-level flash memory

Номер патента: US20070159893A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Flash memory card with a ready/busy mask register

Номер патента: US5375222A. Автор: David M. Brown,Kurt B. Robinson,Brian L. Dipert,Russell D. Eslick,Markus A. Levy,Lily C. Pao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Managing refresh for flash memory

Номер патента: CA3026804C. Автор: Hung Vuong,Robert Hardacker,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Flash memory device and erase method thereof

Номер патента: US20080080258A1. Автор: Jong Hyun Wang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Flash memory erase method

Номер патента: US20020154544A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho,Smile Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Programming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: WO2010027983A9. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Progamming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: EP2347417A1. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-07-27.

Method And System For Obtaining A Reference Block For A MLC Flash Memory

Номер патента: US20100321997A1. Автор: Han-Lung Huang,Ming-Hung Chou,Chien-Fu Huang,Shih-Keng Cho. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible

Номер патента: WO2002005285A2. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media, Inc.. Дата публикации: 2002-01-17.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: GB2330228A. Автор: Phillip E Mattison. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-04-14.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device based on timing of dummy read operations

Номер патента: US11074174B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: US11818886B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20150016191A1. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US20100118613A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Adaptive programming for flash memories

Номер патента: US20120294086A1. Автор: Eddie Hearl Breashears,John Howard Macpeak,Douglas Edward Shelton,Bruce Lynn Pickelsimer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for erasing flash memory

Номер патента: US20090296492A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Adaptively programming or erasing flash memory blocks

Номер патента: WO2013151919A8. Автор: Shivananda Shetty,Tio Wei NEO,James Pak. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-16.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001232A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001228A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20010055224A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-27.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020031010A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for verifying a programmed flash memory

Номер патента: US20050149664A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Flash drive/reader with serial-port controller and flash-memory controller mastering a second RAM-buffer bus parallel to a CPU bus

Номер патента: US6874044B1. Автор: Tzu-Yih Chu,Sun-Teck See,Horng-Yee Chou. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks

Номер патента: US5920501A. Автор: Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Method for erasing split-gate flash memory

Номер патента: US5978274A. Автор: Lin-Song Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory

Номер патента: WO2009095902A2. Автор: Hanan Weingarten,Shmuel Levy. Владелец: DENSBITS TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2009-08-06.

System and method for operating dual bank read-while-write flash

Номер патента: CA2545451C. Автор: Clifton E. Scott,John Gatti,Laxmi Narayana Rayapudi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-11-09.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20060245260A1. Автор: Moo-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Differential flash memory programming technique

Номер патента: EP2148334A1. Автор: Kenneth A. Tuchmann,Martin A. Lohse. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-01-27.

Method for Erasing a Flash Memory Cell or an Array of Such Cells Having Improved Erase Coupling Ratio

Номер патента: US20100157687A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Prateep Tuntasood,Jonathan Pabustan,Ben Sheen,Geeng-Chuan Michael Chern,Yaw Wen Hu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Electric potential switching circuit, flash memory with electric potential switching circuit, and method of switching electric potential

Номер патента: US20060012400A1. Автор: Hiroshi Sugawara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory

Номер патента: US8365040B2. Автор: Hanan Weingarten,Shmuel Levy. Владелец: Densbits Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-29.

Data storage device and block selection method for a flash memory

Номер патента: US20120268991A1. Автор: Mong-Ling Chiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: EP1269473A2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

AND type flash memory

Номер патента: US10790028B1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Swappable Sets of Partial-Mapping Tables in a Flash-Memory System With A Command Queue for Combining Flash Writes

Номер патента: US20090113121A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Novel flash memory array and decoding architecture

Номер патента: WO1998056002A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Tsao Hsing Ya. Дата публикации: 1998-12-10.

Semiconductor storage apparatus and method for controlling semiconductor storage apparatus

Номер патента: EP2659489A1. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-06.

Method and apparatus for execution of operations in a flash memory array

Номер патента: US5509134A. Автор: Rodney R. Rozman,Richard J. Durante,Mickey L. Fandrich,Keith F. Underwood. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Storage device employing a flash memory

Номер патента: US6130837A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takashi Tsunehiro,Hajime Yamagami,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Takeshi Furuno,Kouichi Terada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-10.

Flash memory device with photon assisted programming

Номер патента: US20230410898A1. Автор: Mark D. Kellam. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-21.

Flash memory chip that modulates its program step voltage as a function of chip temperature

Номер патента: US11923010B2. Автор: Arash Hazeghi,Pranav Kalavade,Rohit S. Shenoy,Hsiao-Yu Chang. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and flash-memory control method

Номер патента: US20180373651A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory device and method of programming the same

Номер патента: US10636491B2. Автор: Hoyoung Shin,Myeonghee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-28.

Low-voltage low-power memory device with read, write, hold, and standby assist voltages and operation method thereof

Номер патента: US11404112B2. Автор: Jinn-Shyan Wang,Chien-Tung Liu,Hao-Ping Wang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-02.

Ldpc erasure decoding for flash memories

Номер патента: EP2545554A2. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Radoslav Danilak,Earl T Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

LDPC Erasure Decoding for Flash Memories

Номер патента: US20170155409A1. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Earl T. Cohen,Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Nonvolatile memory and its operation method thereof

Номер патента: US20180294406A1. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2018-10-11.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Storage device and method for operating the same

Номер патента: EP4379719A1. Автор: Jun-Ho SEO,Seongyong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Maintaining slew rate while loading flash memory dies

Номер патента: US10243560B2. Автор: Vinod Arjun HUDDAR,Abhishek LAGUVARAM. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-03-26.

Integrated circuit and method for cleaning valid bits in cache memory of the integrated circuit

Номер патента: US20240070085A1. Автор: Yung-Chi LAN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Magnetic disk apparatus and method

Номер патента: US20230305758A1. Автор: Keigo SOGABE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Flash memory controller

Номер патента: US20240152288A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Flash memory controller

Номер патента: US20160351255A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Multi-host power controller (MHPC) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: US09881680B2. Автор: Assaf Shacham,David Teb,Lee Susman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

System and method for enabling non-volatile memory to execute code while operating as a data storage/processing device

Номер патента: EP1305713A1. Автор: Amir Ban,Moshe Gefen,Shuka Zernovizky. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2003-05-02.

Rank-modulation rewriting codes for flash memories

Номер патента: US09916197B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD,Eitan Yaakobi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-03-13.

Dram device with embedded flash memory for redundancy and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286481A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Dram device with embedded flash memory for redundancy and fabrication method thereof

Номер патента: US20190295645A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US11972146B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device

Номер патента: US20240194282A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chiu-Han CHANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20010000306A1. Автор: Sukyoon Yoon,Pavel Klinger,Joo Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US20080162078A1. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US8108179B2. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Systems and Methods for Efficient Flash Memory Access

Номер патента: US20170123906A1. Автор: Zhijun Zhao,Razmik Karabed,Shaohua Yang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20200226021A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20190050287A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Systems and Methods for Compaction Based Flash Memory Data Recovery

Номер патента: US20170123900A1. Автор: Zhijun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20180329649A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230280939A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Control method for referring to expired block table to perform expired block recycling operation and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220004339A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1962332A3. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Apparatus and method of measuring reliability for flash memory material through a current measurement

Номер патента: US20240159818A1. Автор: Tae Un Youn,Hea Jong Yang,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Serial flash memory and address control method thereof

Номер патента: US20210407580A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: US20240201877A1. Автор: Yang Gao. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory apparatus and memory testing method thereof for correcting ROM code having error by ECC processing unit after determined to transition to safe mode

Номер патента: US12067283B2. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

System-level test method for flash memory

Номер патента: US20200273533A1. Автор: Yuegui He. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Multi-level cell flash memory

Номер патента: US20090262577A1. Автор: Yasuyuki Tanaka. Владелец: Kyoto Software Res Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Adaptive threshold for bad flash memory blocks

Номер патента: US12087382B2. Автор: John Roper,John Boyle,Matthew D. Fleming,Eric Mueller,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,Eric Michael Verwillow. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Fast decoding of data stored in a flash memory

Номер патента: US09954558B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory module having volatile and non-volatile memory subsystems and method of operation

Номер патента: US20230385192A1. Автор: Hyun Lee,Jayesh R. Bhakta,Mario Jesus Martinez,Chi She Chen,Jeffery C. Solomon,Hao Le,Soon J. Choi. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20200218664A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20180329827A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Flash memory devices and prefetch methods thereof

Номер патента: US10635601B2. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-28.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US20240004550A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US20210303198A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US11914901B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US11995339B2. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Hangzhou Zhicun Witmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Flash memory system and method of generating quantized signal thereof

Номер патента: US20200026666A1. Автор: Hyunsu Ju,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and calculating method thereof

Номер патента: US20240347106A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Flash memory testing apparatus

Номер патента: US5539699A. Автор: Shinya Sato,Hiromi Ohshima. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Flash memory device, controller, and method capable of performing access operation upon data unit(s) of multiple planes of flash memory device in response one simplified command sequence

Номер патента: US11935595B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Three dimensional flash memory for integrating and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301110A1. Автор: Bongseok KIM,Yun Heub Song,Inho Nam. Владелец: Iucf Hyu Industry Unversity Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2023-09-21.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230280929A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Flash memory controller

Номер патента: US20170308318A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Flash memory controller

Номер патента: US20210011643A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Flash memory controller

Номер патента: US20210271402A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Flash memory device, controller, and method capable of performing access operation upon data unit(s) of multiple planes of flash memory device in response one simplified command sequence

Номер патента: US11861212B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Flash memory with redundancy

Номер патента: GB2308693A. Автор: Joo Weon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-02.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230268002A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory controller

Номер патента: US11914873B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Address Fault Detection In A Flash Memory System

Номер патента: US20190378548A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Power Sequencing For Embedded Flash Memory Devices

Номер патента: US20160218716A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Improved power sequencing for embedded flash memory devices

Номер патента: EP3149731A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-05.

Power Sequencing For Embedded Flash Memory Devices

Номер патента: US20170269662A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Flash memory controller and encoding circuit and decoding circuit within flash memory controller

Номер патента: US20200153456A1. Автор: Shiuan-Hao Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Improved power sequencing for embedded flash memory devices

Номер патента: WO2015183473A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-12-03.

Handheld record and playback device with flash memory

Номер патента: WO1995028702A1. Автор: Elwood G. Norris,Norbert P. Daberko,Steven T. Brightbill. Владелец: Comp General Corporation. Дата публикации: 1995-10-26.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices

Номер патента: US9442670B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Wear management for flash memory devices

Номер патента: CA2941172C. Автор: Michael Stephen Rothberg. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2019-03-12.

Inlayed flash memory module

Номер патента: US20080126658A1. Автор: Chih-ling Wang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system

Номер патента: US20020112101A1. Автор: Petro Estakhri,Mahmud Assar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US11874744B2. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US20220066881A1. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory device

Номер патента: US20240045815A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-02-08.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: WO2019169078A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Data arrangement method of flash memory, flash memory storage device and flash memory control circuit unit

Номер патента: US20210294737A1. Автор: Yan Zheng,ZHI Wang,Xiaoyang Zhang,Kai-Di Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: US20190272110A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Ferroelectric material-based three-dimensional flash memory, and manufacture thereof

Номер патента: US20220130863A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Wan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-04-28.

Serial interface memory testing apparatus and method

Номер патента: WO2008124095A1. Автор: Massimiliano Frulio,Stefano Surico,Marco Passerini,Alex Pojer. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-16.

Method and apparatus for erasing data in flash memory

Номер патента: US09823878B2. Автор: Yan Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Apparatus and method for managing memory

Номер патента: US20100199023A1. Автор: Jae Don Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-05.

Method and apparatus for accessing flash memory device

Номер патента: CA3012236C. Автор: QIAO LI,Jun Xu,Liang Shi,Chun XUE,Dongfang SHAN,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Reference voltage generator using flash memory cells

Номер патента: US5953256A. Автор: Michael S. Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Systems and methods for inter-cell interference mitigation in a flash memory

Номер патента: US20190179703A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Systems and methods for inter-cell interference mitigation in a flash memory

Номер патента: US20160124808A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Flash memory controller

Номер патента: US20180267730A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20160124806A1. Автор: Wei-Lun Yen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US20230352101A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Log data storage for flash memory

Номер патента: US20190066791A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Eric Kwok Fung Yuen,Gerard J. Perdaems. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230266921A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US11977776B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

NAND flash memory with reduced planar size

Номер патента: US11778819B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Log data storage for flash memory

Номер патента: WO2019046128A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Eric Kwok Fung Yuen,Gerard J. Perdaems. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Flash Memory Storage System and Method

Номер патента: US20100274955A1. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2010-10-28.

Flash memory storage system and method

Номер патента: US8069302B2. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser,Arik Eyal. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Direct file data programming and deletion in flash memories

Номер патента: EP1849079A2. Автор: Peter John Smith,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240221826A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Electronic storage device and control method thereof

Номер патента: US8375275B2. Автор: Ming-Dar Chen,Chuan-Sheng Lin. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-12.

Electronic storage device and control method thereof

Номер патента: US20100313102A1. Автор: Ming-Dar Chen,Chuan-Sheng Lin. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

NOR flash memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10916558B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Method & Apparatus for real-time processing of moving picture signals using flash memories

Номер патента: US5646906A. Автор: Seung-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-08.

Continuous adaptive calibration for flash memory devices

Номер патента: US20180188991A1. Автор: Dillip K. Dash,Aniryudh Reddy Durgam,Haritha Uppalapati. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Page writes for triple level cell flash memory

Номер патента: US20190108877A1. Автор: Hari Kannan,Peter E. Kirkpatrick. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Page write requirements for differing types of flash memory

Номер патента: US11869583B2. Автор: Hari Kannan,Peter E. Kirkpatrick. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Flash Memory Devices and Controlling Methods Therefor

Номер патента: US20140068147A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

System and method for storing data

Номер патента: WO2006036413A2. Автор: Richard Sanders. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2006-04-06.

Data storage device and data protection method thereof

Номер патента: US20240170036A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Page writes for triple level cell flash memory

Номер патента: US20210050055A1. Автор: Hari Kannan,Peter E. Kirkpatrick. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

A multi-host power controller (mhpc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: EP3152763A1. Автор: Assaf Shacham,David Teb,Lee Susman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210249098A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Multi-Level Striping and Truncation Channel-Equalization for Flash-Memory System

Номер патента: US20090240873A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu,Myeongjin Shin. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor memory with embedded dram

Номер патента: EP1422719A2. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-05-26.

System and method for setting access and modification for synchronous serial interface nand

Номер патента: US20090103362A1. Автор: Theodore T. Pekny,Victor Y. Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Optical disc drive and disc determination method thereof

Номер патента: US20140143795A1. Автор: Ju-Hung Tsou. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Read head with read track width defining layer that planarizes the write gap layer of a write head

Номер патента: GB2361801A. Автор: Cherngye Hwang,Robert Otto Schwenker,Henry Chinlin Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-10-31.

Anti-hacking mechanisms for flash memory device

Номер патента: EP4443517A2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Optical disc drive and disc determination method thereof

Номер патента: US8850461B2. Автор: Ju-Hung Tsou. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

MEMORY WITH MEMORY-INITIATED COMMAND INSERTION, AND ASSOCIATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS

Номер патента: US20220374168A1. Автор: Ayyapureddi Sujeet. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Electronic control unit, vehicle with electronic control unit, and method for updating electronic control unit

Номер патента: US20240296042A1. Автор: Adrian Nistor. Владелец: Cariad SE. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of emulating eeprom-memory in flash-memory

Номер патента: RU2716899C1. Автор: Константин Анатольевич Черников,Антон Олегович Таршиков,Игорь Олегович Коваленко,Сергей Александрович Поскряков. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-03-17.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Data-processsing device and data-protection method thereof

Номер патента: US20200089894A1. Автор: Chun-Chi Chen,Kun-Yi Wu,Ming-Ying Liu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Computing device and method for inferring a predicted number of physical blocks erased from a flash memory

Номер патента: US20190155520A1. Автор: Francois Gervais. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Computer program product and method and apparatus for controlling access to flash memory card

Номер патента: US20210303432A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Hsing-Lang Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: CA2576056A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: WO2006017553A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Pocrass Alan L. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-02.

Flash storage device and operating method thereof

Номер патента: US20100268868A1. Автор: Shuihua Hu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

System and method to secure embedded controller flashing process

Номер патента: US20210034355A1. Автор: Adolfo S. Montero,Richard M. Tonry. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-02-04.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

System and method for distributed computing in non-volatile memory

Номер патента: US20160124654A1. Автор: William kwei-cheung Lam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

System and method for distributed computing in non-volatile memory

Номер патента: EP3149568A1. Автор: William kwei-cheung Lam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-05.

Storage service device with dual controller and backup method thereof

Номер патента: US20100250832A1. Автор: Xu Ming Zhang,Tom Chen. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM

Номер патента: US11775173B2. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Olli Luukkainen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory control apparatus and method for digital signal processing

Номер патента: US20060230194A1. Автор: Yong-Hyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM

Номер патента: US09983800B2. Автор: Kimmo Mylly,Jani Hyvonen,Olli Luukkainen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method of protecting metadata from nand flash failures

Номер патента: WO2012177515A3. Автор: Douglas Alan Prins,Paul Roger Stonelake,Anand Krishnamurthi Kulkarni. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2013-06-27.

Flash Memory, and Method for Operating a Flash Memory

Номер патента: US20090049233A1. Автор: Chia-Hsin Chen,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US8250290B2. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US20100153627A1. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Systems and methods for fast memory access

Номер патента: EP4427138A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and system for parallel flash memory programming

Номер патента: US20220100421A1. Автор: Te-Hsien Lai,Po-Wei Huang,Yi-Hung Shen,Chih-Chia HUANG. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Nor Flash Memory Controller

Номер патента: US20120151259A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Systems and methods for providing load isolation in a solid-state device

Номер патента: US8578085B2. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

System and method involving multiple software targets packaged into one file

Номер патента: AU2021202465A1. Автор: Jeffrey Rule,Travis Breitkreutz,Satyavani Karra,Marty Urbanc,Christina Ebenezer. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Systems and methods for providing load isolation in a solid-state device

Номер патента: US20130159611A1. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

System and method involving multiple software targets packaged into one file

Номер патента: EP3907603A2. Автор: Jeffrey Rule,Travis Breitkreutz,Satyavani Karra,Marty Urbanc,Christina Ebenezer. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: WO2011008507A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: ORACLE AMERICA, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

System and method involving multiple software targets packaged into one file

Номер патента: EP3907603A3. Автор: Jeffrey Rule,Travis Breitkreutz,Satyavani Karra,Marty Urbanc,Christina Ebenezer. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Reducing write amplification in a cache with flash memory used as a write cache

Номер патента: US20130132655A1. Автор: Binny S. Gill,Wendy A. Belluomini,Michael A. Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Distributed flash memory storage manager systems

Номер патента: US20100254173A1. Автор: Wei Zhou,Po-Chien Chang,Chee Hoe Chu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Trees and graphs in flash memory

Номер патента: US20190213177A1. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210223970A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210365197A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: EP4014121A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: EP2449471A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Modular flash memory card expansion system

Номер патента: WO2009067721A1. Автор: Kam Cheong Chin,Choon Tak TANG. Владелец: Kingston Technology Corporation. Дата публикации: 2009-05-28.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Output driving and input on-die termination mechanism capable of supporting different requirements of different flash memory specification standards

Номер патента: US20240311007A1. Автор: Zih-Yang Wong. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Microcontroller with integrated interface enabling reading data randomly from serial flash memory

Номер патента: US09921778B2. Автор: Frédéric Schumacher,Guillaume Pean,Renaud Tiennot. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Recording system and method of controlling said recording system

Номер патента: RU2363977C2. Автор: Акитоси ЯМАДА,Такао АИТИ,Казуя САКАМОТО,Кентаро ЯНО,Фумихиро ГОТО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-08-10.

Memory access system and memory access method thereof

Номер патента: US7991990B2. Автор: Chien-Ping Chung,Lin-Hung Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Memory access system and memory access method thereof

Номер патента: US20080222409A1. Автор: Chien-Ping Chung,Lin-Hung Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Flash-based storage device and copy-back operation method thereof

Номер патента: US20230350797A1. Автор: Jiho Kim,Myoungsoo Jung,JohnDongjun KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Emulation test system for flash translation layer and method thereof

Номер патента: US20230014058A1. Автор: Ke Wei,Wentao Shen. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Data recovery method for flash memory

Номер патента: US20240220355A1. Автор: Liu Yang,Qi Wang,Jing He,Zongliang Huo,Tianchun Ye,Xiaolei Yu,Yiyang Jiang,Qianhui LI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of handling host write commands requesting to write dummy pattern on flash memory and related memory controller and storage system

Номер патента: US12061792B1. Автор: Chia-Chi Liang,Meng-Hua Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12135889B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Recording system and method for controlling thereof

Номер патента: RU2248032C1. Автор: Акитоси ЯМАДА,Такао АИТИ,Казуя САКАМОТО,Кентаро ЯНО,Фумихиро ГОТО,Кентаро ЯНО (JP),Казу САКАМОТО (JP),Такао АИТИ (JP),Фумихиро ГОТО (JP),Акитоси ЯМАДА (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2005-03-10.

System and method for high performance and low cost flash translation layer

Номер патента: EP2997459A1. Автор: Anand Srinivasan,Dexter Chun,Hyunsuk Shin,Steven Haehnichen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-23.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method, system, and apparatus for flash memory endurance management

Номер патента: WO2022139622A1. Автор: Petr Sergeevich KRINOV,Vitaliy KHARIN,Aleksandr TARASOV,Sergey ILISAVSKII. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12039171B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Data compression method and flash memory device

Номер патента: US20240311005A1. Автор: Ying Yang,Xueming CAO,Yuanpeng MA,Juming LIAO. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems and methods for providing error code detection using non-power-of-two flash cell mapping

Номер патента: US09921909B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Richard Alan STEWART. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

ExpressCard with On-Card Flash Memory with Shared Flash-Control Bus but Separate Ready Lines

Номер патента: US20050114587A1. Автор: Tzu-Yih Chu,Sun-Teck See,Horng-Yee Chou. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2005-05-26.

Data storage device and mode-detection method thereof

Номер патента: US10162532B2. Автор: Chun-Yi Lo,Chin-Pang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: EP2342639A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184484A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

System and method for processing encrypted source code updates

Номер патента: WO2006060463A1. Автор: David Anthony Norman,Mark J. Lambert. Владелец: Lambert Mark J. Дата публикации: 2006-06-08.

Data writing method for a flash memory, and flash memory controller and flash memory storage system using the same

Номер патента: US20110107015A1. Автор: Chien-Hua Chu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Printer configured to control printing operation using information stored in flash memories

Номер патента: US11537302B2. Автор: Fumiharu Iwasaki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Non-volatile memory storage device and operation method thereof

Номер патента: US20100030933A1. Автор: Fuja Shone,Shih Chieh Tai,Chih Wei Tsai,Yung Li Ji,Chuang Cheng,Chih Cheng Tu. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20230297276A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Flash memory device that simulates operations of EEPROM and data programming and reading method thereof

Номер патента: US11403040B2. Автор: Hao Zhou,Hong Chang,Xiao-Lin Luo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Data storage device and data maintenance method thereof

Номер патента: US09996304B2. Автор: Kuan-Lin Chen,Wu-Chi Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Data storage device and data maintenance method thereof

Номер патента: US09933958B2. Автор: Kuo-Tung Huang,Chang-Hao Chiang,Yueh-Hsien Li,De-Wei Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20150154110A1. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

System and method for flash read cache with adaptive pre-fetch

Номер патента: EP3368986A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Yanru Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-05.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12079483B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A4. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-03.

Memory mapping device and method

Номер патента: US11922012B2. Автор: Xinghui DUAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Micro Controller Unit System Including Flash Memory and Method of Accessing the Flash Memory By the Micro Controller Unit

Номер патента: US20080195805A1. Автор: Kyoung Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Novel data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US20240176539A1. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: WO2015187810A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: EP1967977A3. Автор: Mark Chamberlain,Igor A. Spivak. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2009-02-04.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: EP3152667A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Method for data classification by lifespan according to data transfer frequency for improving performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: EP4386563A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Data writing method and apparatus for flash memory-based system

Номер патента: US12130735B2. Автор: Wei Fang,Xie Miao,Tao HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Programmable intelligent search memory enabled secure flash memory

Номер патента: US09952983B2. Автор: Ashish A. Pandya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Flash memory system including a duplicate booting program and apparatus and method for protecting the same flash memory

Номер патента: US20040153846A1. Автор: Ki-Ju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

System and method for securely booting from a network

Номер патента: US7558958B2. Автор: Jeffrey A. Davis,Bruce L. Lieberman,Alan R. Steiner. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Memory mapping device and method

Номер патента: WO2021046725A1. Автор: Xinghui DUAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-18.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US20120151122A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US9152583B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and device for adaptively identifying type of flash memory

Номер патента: US20210124489A1. Автор: Cheng Zheng,Shuangxi Chen. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Controller for a user interface of a motor vehicle, and method for operating a controller for a user interface

Номер патента: US20230305879A1. Автор: Hans Georg Gruber,Jürgen LERZER,Jan Meletzky. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Increasing the Available Flash Memory of a Microcontroller

Номер патента: US20160357484A1. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Storage devices that support cached physical address verification and methods of operating same

Номер патента: SG10201900022YA. Автор: Dong-Woo Kim,Song Ho Yoon,Kyoung Back Lee,Wook Han Jeong,Jae Sun No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-27.

System and method for dynamic configuration setting update of a bios firmware image

Номер патента: US20220197624A1. Автор: Chih-Wei Chiu,Nelson Fu,Smith Cheng. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-06-23.

Storage-integrated memory expander, computing system based compute express link, and operating method thereof

Номер патента: US20240264957A1. Автор: Myoungsoo Jung,Miryeong Kwon,Donghyun Gouk. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method capable of uploading data into blockchain

Номер патента: US20220255751A1. Автор: Chin-Chung Kuo,Ming-Sheng Chen. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Apparatus, systems and methods for securely storing media content events on a flash memory device

Номер патента: US9218300B2. Автор: Matthew Stephens,Greg Blythe,David Burton. Владелец: EchoStar UK Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Flash memory module, storage apparatus using flash memory module as recording medium, and address translation table verification method for flash memory module

Номер патента: US7917688B2. Автор: Shuji Nakamura,Katsuya Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-29.

Flash memory controller, memory device and method for accessing flash memory module

Номер патента: US20200379674A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US20110289265A1. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-11-24.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line mode of flash memory

Номер патента: US8019930B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US8200893B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Data management appartus and method used for flash memory

Номер патента: EP1574940A3. Автор: Hyo-jun Kim,Ji-Hyun In,Kwang-Yoon Lee,Tae-Sun Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-26.

Method and apparatus for flash memory reclaim

Номер патента: US20090006918A1. Автор: Crane Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Usb device with connector having integrated flash memory card slot

Номер патента: WO2016142934A1. Автор: Ronen Sharon,Mike Varmaz. Владелец: Safenet Data Security (Israel) Ltd.. Дата публикации: 2016-09-15.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230266922A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory controller that can quickly enter power saving mode after entering idle state, associated flash memory device, and associated control method

Номер патента: US20240176517A1. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

A mobile communication terminal including NAND flash memory and method for booting the same

Номер патента: EP1607834A3. Автор: Hyung-Hoon Samsung Electronics Co. Ltd. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

Nor flash memory controller

Номер патента: WO2012079216A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

Flash memory system startup operation

Номер патента: EP1700207A1. Автор: Andrew Tomlin,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for accessing flash memory module, associated flash memory controller and electronic device for accelerating reading speed of flash

Номер патента: US20210294524A1. Автор: Yu-Chih Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US20140032993A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for rapid boot of secondary operating system

Номер патента: WO2007002035A2. Автор: Eugene Kim Choo. Владелец: SONY ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method and apparatus for recovering deleted data on low flash memory formatted with ubifs

Номер патента: US20240281333A1. Автор: WOO Sung Yun,Sang Jin Lee,Youngki Jung,Junho Kim,Jungheum PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of handling trim command in flash memory and related memory controller and storage system thereof

Номер патента: US20240256465A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of recording data to digital information drive on basis of nand type flash-memory

Номер патента: RU2636107C1. Автор: Сергей Александрович Образцов,Илья Игоревич Чукляев,Ксения Петровна Коршунова,Алексей Владимирович Воропаев,Евгений Игоревич Чукляев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория информационно-измерительной и преобразовательной техники". Дата публикации: 2017-11-20.

Method and system for migrating data between flash memory devices

Номер патента: US9519577B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Electronic data flash card with various flash memory cells

Номер патента: US20080071977A1. Автор: Abraham C. Ma,David Q. Chow,Charles C. Lee,Ming-Shiang Shen,Frank I. Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-20.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US11977767B2. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory

Номер патента: US20140310573A1. Автор: Yinian Mao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Systems and methods for message queue storage

Номер патента: US20230082394A1. Автор: Rekha Pitchumani,Yang Seok KI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Flash memory controller and method capable of efficiently reporting debug information to host device

Номер патента: US20210072924A1. Автор: Kuan-Hui Li,Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Systems and methods for message queue storage

Номер патента: US20210405926A1. Автор: Rekha Pitchumani,Yang Seok KI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory interface for a Secure NOR Flash Memory

Номер патента: US20190129638A1. Автор: Partha Sarathy Murali,Subba Reddy Kallam,Venkata Siva Prasad Pulagam,Sailaja Dharani Naga Sankabathula,Venkat Rao Gunturu. Владелец: Redpine Signals Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: US20220137874A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

System and method for distributed computing in non-volatile memory

Номер патента: US20150347058A1. Автор: William kwei-cheung Lam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-03.

Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory

Номер патента: EP2984569A2. Автор: Yinian Mao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-02-17.

Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory

Номер патента: WO2014169028A3. Автор: Yinian Mao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-19.

Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory

Номер патента: WO2014169028A2. Автор: Yinian Mao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-16.

Card having flash memory and display, reader of reading the card, paying method using the reader and card, art card and dispaly using the art card

Номер патента: WO2009072849A3. Автор: Young Sun Cho,Sue Hee Park,Jin Man Chung. Владелец: Slimdisc Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Write management on flash memory

Номер патента: US20200310648A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Write management on flash memory

Номер патента: US20220066641A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory data protection

Номер патента: WO2023055515A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-06.

Configuration of host lba interface with flash memory

Номер патента: WO2008082999A3. Автор: Barry Wright,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Alan Welsh Sinclair. Дата публикации: 2008-10-02.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20180196747A1. Автор: Tao-En TANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Flash memory data protection

Номер патента: EP4409414A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of classifying data by lifespan according to the number of times of moving data to improve performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: US20240231634A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical three-dimensional stack NOR flash memory

Номер патента: US12114495B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Live firmware update of flash memory

Номер патента: US12135874B2. Автор: Sira Parasurama Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method to control the access in a flash memory and system for the implementation of such a method

Номер патента: EP1692592A1. Автор: Alain Boudou,Laurent Castillo,Van Tai Ngo. Владелец: Axalto SA. Дата публикации: 2006-08-23.

Data transmission method for flash memory and flash memory storage system and controller using the same

Номер патента: US20100057979A1. Автор: Chien-Hua Chu,Chih-Kang Yeh,Ruei-Cian Chen,Kian-Fui Seng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Flash memory card-based storage devices with changeable capacity

Номер патента: US8635403B2. Автор: Yingju Sun,Joe Zheng. Владелец: O C K Investment B V LLC. Дата публикации: 2014-01-21.

Direct data file storage implementation techniques in flash memories

Номер патента: WO2006088719A2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-08-24.

System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure

Номер патента: US7107480B1. Автор: Mark Moshayedi,Brian H. Robinson. Владелец: Simpletech Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Systems and methods for operating ambulatory medical devices such as drug delivery devices

Номер патента: US5658250A. Автор: Thomas L. Peterson,Michael L. Blomquist. Владелец: Sims Deltec Inc. Дата публикации: 1997-08-19.

Flash memory garbage collection

Номер патента: US11907123B2. Автор: Daniel Frank Moertl,Robert Edward Galbraith,Rick A. Weckwerth,Matthew Szekely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20230342055A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Dual-Mode Switch for Multi-Media Card/Secure Digital (MMC/SD) Controller Reading Power-On Boot Code from Integrated Flash Memory for User Storage

Номер патента: US20090240865A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,I-Kang Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller

Номер патента: US20180373433A1. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20210049278A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20220004638A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Flash memory emulation

Номер патента: US11874768B1. Автор: Daniel Steger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20210294747A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20220027282A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US11809328B2. Автор: Ching-Hui Lin,Ken-Fu Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Data storage and transfer device and method

Номер патента: EP1851669A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-07.

Dual-interface flash memory controller with execute-in-place cache control

Номер патента: US11061670B2. Автор: Ying Yang,Tung-Hao Huang,Ken Yeung,Nelson Xu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Circuit and method for managing access to memory

Номер патента: US10901919B2. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Michele Febbrarino,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-26.

Flash memory management method and flash memory controller and storage system using the same

Номер патента: US20110145481A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: US20240126431A1. Автор: Sang Tran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory controller with bi-directional buffer for achieving high speed capability and related method thereof

Номер патента: US20080235412A1. Автор: Chung-hung Tsai,Ming-Shiang Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US11543982B2. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: WO2016010625A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc.. Дата публикации: 2016-01-21.

Circuit and method for managing access to memory

Номер патента: US20180285284A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Michele Febbrarino,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-04.

Circuit and method for managing access to memory

Номер патента: US10387334B2. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Michele Febbrarino,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-08-20.

Circuit and Method For Managing Access to Memory

Номер патента: US20190317902A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Michele Febbrarino,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-17.

Avoidance of self eviction caused by dynamic memory allocation in a flash memory storage device

Номер патента: EP2307964A1. Автор: Derrill Sturgeon,Vadzim Struk. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Avoidance of self eviction caused by dynamic memory allocation in a flash memory storage device

Номер патента: WO2010011780A1. Автор: Derrill Sturgeon,Vadzim Struk. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-01-28.

System And Method For Accessing And Utilizing Ancillary Data With An Electronic Camera Device

Номер патента: US20130113946A1. Автор: Steven Goldstein,Clay Fisher,Neal Manowitz,David Longendyke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-09.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Systems and methods for virtual network function platform security solutions

Номер патента: WO2022266490A1. Автор: Irfaan Ahamed SALAHUDDEEN,Shanthakumar RAMAKRISHNAN,Ehsan Daeipour,James J NI. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Full-control remote controller based on waveform downloading and address selecting and an implementing method thereof

Номер патента: US09965404B2. Автор: Zhengwen Xiao. Владелец: Foshan Bolang De Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Managing lifespan of a flash memory

Номер патента: US10936204B2. Автор: Shuang Liang,Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-03-02.

Managing lifespan of a flash memory

Номер патента: US20190212921A1. Автор: Shuang Liang,Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Apparatus and method to share host system ram with mass storage memory ram

Номер патента: US20240020008A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Olli Luukkainen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US20240094912A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Dual-interface flash memory controller with execute-in-place cache control

Номер патента: US20200285465A1. Автор: Ying Yang,Tung-Hao Huang,Ken Yeung,Nelson Xu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit chip with flash memory and identification function

Номер патента: US20060118640A1. Автор: Gordon Yu,Yi-Hua Ho,Hung-Tse Ho,Ching-Lung Wu. Владелец: C One Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Systems and methods for providing a system-on-a-substrate

Номер патента: US20130141861A1. Автор: Gloria Lin,Barry Corlett,Joseph Fisher,Amir Salehi,Dave Goh,Dennis Pyper,Bryson GARDNER. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Tray-style flash memory drive

Номер патента: US20040047134A1. Автор: Wen-Tsung Liu,Chin-Pin Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: WO2024081093A1. Автор: Sang Tran. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-18.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: US12026369B2. Автор: Sang Tran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic control unit, vehicle with an electronic control unit and method for updating an electronic control unit

Номер патента: EP4298505A1. Автор: Adrian Nistor. Владелец: Cariad SE. Дата публикации: 2024-01-03.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210248034A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Material server and method of storing material

Номер патента: US20100332733A1. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Encoding method for flash memories

Номер патента: US20090138651A1. Автор: Yunghsu CHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Method and system for communication between dual-mode flash memory controller and dual-mode memory

Номер патента: US20220206939A1. Автор: Di XU,Kwokwah YEUNG,Kawing CHEUNG. Владелец: Suzhou Kuhan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

System and method for processing large datasets

Номер патента: US20220137960A1. Автор: FENG ZHU,Fei Xue,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus and method of data sequencing

Номер патента: US09990146B2. Автор: Ramesh Chander,Manavalan KRISHNAN,Brian Walter O'Krafka,Tomy Ammuthan Cheru,Niranjan Patre Neelakanta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for identifying data characteristics for flash memory

Номер патента: US7461233B2. Автор: Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Hsiang-Chi Hsieh,Li-Pin Chang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Method and apparatus for auto-detection of a configuration of a flash memory

Номер патента: US6907496B2. Автор: John Steven Langford,Michael Youhour Lim,Hemlata Nellimarla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Techniques for supporting erasure coding with flash memory controller

Номер патента: US11023315B1. Автор: Robert Lercari,Mike Jadon,Craig Robertson. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Apparatus and method for data validation in flash memory

Номер патента: CA2587724A1. Автор: Min-Young Kim,Song-ho Yoon,Jin-Kyu Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-26.

Systems and methods for fast memory access

Номер патента: US11782837B2. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Flash memory polling

Номер патента: US20200401339A1. Автор: Chao Sun,Dejan Vucinic,Xinde Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method and system of manipulation and redundancy removal for flash memories

Номер патента: US20220121568A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20130326118A1. Автор: Jen-Hung Liao,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Flash memory usage management

Номер патента: US11966588B2. Автор: Keun Young Park,Matthew William Crowley,Dongkyun Jeong,Lakshman Naresh Coimbatore ANNADORAI,Edward Dcruz,Fábio Marconato Sasso. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: EP3323048A1. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2018-05-23.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: US20170017415A1. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: WO2017008992A1. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Technologies International, Ltd.. Дата публикации: 2017-01-19.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US20240111417A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

On-the fly error checking and correction codec system and method for supporting non-volatile memory

Номер патента: US20060282757A1. Автор: Dae-Woong Kim,Hyun-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-14.

Flash memory access method and apparatus

Номер патента: EP4307131A1. Автор: Fengxi Liu,Jinxiu LIU,Angang DENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: WO2010049793A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2010-05-06.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184485A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Structure and method of manufacturing flash memory for erasing flash block formed on soi substrate using back-bias, erasing method thereof and flash memory thereof

Номер патента: KR100725112B1. Автор: 이현진,최양규. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2007-06-04.

A semiconductor device having embedded flash memory cells on an SOI substrate, methods of manufacturing the same, and methods of operating a flash memory cell array

Номер патента: DE102006040281B4. Автор: Danny N.Y. Pak-Chum Shum,Armin N.Y. Tilke,Jiang N.Y. Yan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-08-25.

NAND-type flash memory device including selection transistors with an anti-punchthrough impurity region and methods of fabricating the same

Номер патента: KR100854498B1. Автор: 이덕형,이선길,연국현,부경호,유종렬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-08-26.

Flash memory having a treatment layer disposed between an interpoly dielectric structure and method of forming

Номер патента: US6306777B1. Автор: Arvind Halliyal,Robert B. Ogle, Jr.. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-23.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6870216B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Device and method for accessing target cell

Номер патента: RU2758933C2. Автор: Цинхай ЦЗЭН,Жуй ВАН,Минцзэн ДАЙ,Чун ЛОУ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-03.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240155843A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Shen-De Wang,Yung-Lin Tseng,Chia Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Process for a flash memory with high breakdown resistance between gate and contact

Номер патента: US6908814B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293616A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Flash memory with reduced source resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US20040161706A1. Автор: Chang Han,Sung Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Flash memory devices and methods for fabricating flash memory devices

Номер патента: US20080093651A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Ok-Cheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20240250149A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Yung-Han Chiu,Shu-Ming Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Process for fabricating a flash memory with dual function control lines

Номер патента: US6001689A. Автор: Michael A. Van Buskirk,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Flash memories and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190181148A1. Автор: ANKIT Kumar,Manoj Kumar,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Three-dimensional flash memory having improved degree of integration, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12120872B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20220384481A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of fabricating flash memory with shallow and deep junctions

Номер патента: US20020137283A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Wen-Jer Tsai,Tso Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20210288070A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-16.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Double-implant nor flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100171161A1. Автор: Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Yung-Chung Lee. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170263778A1. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for fabricating AND-type flash memory cell

Номер патента: US20040157403A1. Автор: Chang Han,Bong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09923100B2. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Flash memory devices

Номер патента: US09799664B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Terminal device, base station and method of communication of terminal device and base station

Номер патента: RU2673397C2. Автор: Бо ЛИНЬ,Юнцян ГАО,Чженчжен ЦАО,Мазин Али АЛ-ШАЛАШ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-11-26.

Vertically-integrated 3-dimensional flash memory for high reliable flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20190393237A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-12-26.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

Flash memory process with high voltage LDMOS embedded

Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Disabling flash memory to protect memory contents

Номер патента: US20030228728A1. Автор: Hung-Chang Yu,Fei-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Zero interface polysilicon to polysilicon gate for flash memory

Номер патента: US20080149986A1. Автор: Eric Paton,Joong Jeon,Robert Bertram Ogle, Jr.,Austin Frenkel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11437387B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11737268B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

Nanoparticles In a Flash Memory Using Chaperonin Proteins

Номер патента: US20080191265A1. Автор: Chuanbin Mao,Shan Tang,Sanjay Banerjee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2008-08-14.

Layout of a flash memory having symmetric select transistors

Номер патента: US20050040457A1. Автор: Ming-Hung Chou,Jen-Ren Huang. Владелец: MARCRONIX INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276717A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and method for adaptive compensation of distortion and restoration of carrier signal for coherent receivers

Номер патента: RU2664019C9. Автор: Ашот Эрнстович Кочарян. Владелец: Ашот Эрнстович Кочарян. Дата публикации: 2019-08-15.

Mobile station, switching mobile communication station and method of mobile communication

Номер патента: RU2450487C2. Автор: Минами ИШИ,Микио ИВАМУРА,Катсутоси НИСИДА. Владелец: Нтт Досомо, Инк.. Дата публикации: 2012-05-10.

Device and method for indicating a detection window

Номер патента: RU2767052C2. Автор: Синхуа СУН,Цзянцинь ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-16.

High density flash memory device , cell string fabricating method thereof

Номер патента: US20100038698A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2010-02-18.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138144A1. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof

Номер патента: WO2008069539A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2008-06-12.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance

Номер патента: EP1639646A2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

Swivel cap for flash memory device

Номер патента: US20070063249A1. Автор: Robert Martin,Boris Kontorovich,Richard Whitehall,Allen Zadeh,G. Rambosek. Владелец: Imation Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Flash memory

Номер патента: US20090040823A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

3D and flash memory device having metal silicide source/drain pillars and method of fabricating the same

Номер патента: US12127405B2. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240357811A1. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

3D AND flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12052869B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US7183160B2. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2007-02-27.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US20050087816A1. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: Universite de Provence Aix Marseille I. Дата публикации: 2005-04-28.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor

Номер патента: KR100878527B1. Автор: 박향숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Flash Memory and Methods of Fabricating Flash Memory

Номер патента: US20090011588A1. Автор: Bong Kil Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

3d flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413552A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen,Cheng-Yu Lee,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20040140500A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Selfaligned process for a flash memory

Номер патента: US20040266105A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Flash memory device

Номер патента: US20090212344A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-08-27.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Flash memory device with telescopic connector port and a casing of the flash memory device

Номер патента: US20100311257A1. Автор: Cheng-Chung Kung,Xiao-Xia Meng. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20110250727A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for improving the reliability of flash memories

Номер патента: US20030160241A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20040041200A1. Автор: Sukyoon Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Flash memory structure using sidewall floating gate having one side thereof surrounded by control gate

Номер патента: US20010014501A1. Автор: Louis L. Hsu,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324199A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Self-aligned flash memory device

Номер патента: US09978761B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Flash memory cell

Номер патента: US09978758B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09935119B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

3D flash memory device with integrated passive device

Номер патента: US11844221B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230371250A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100163954A1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Hk embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US20150340493A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230328972A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Flash memory cell having buried floating gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1849188A1. Автор: Kwang Park,Bok Nam Song,Han Heung Kim,Yoon Soo 909-604 Yongin-suji Jang,Seounk Ouk Ga-103 KyungNam Villa Choi. Владелец: EXCEL SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2007-10-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010048129A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020195650A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Embedded memory and methods of forming the same

Номер патента: US09929168B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Device, system and method for efficient coset decoder by transform

Номер патента: US09887805B2. Автор: Simon Litsyn,Noam Presman. Владелец: Tsofun Algorithm Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

UV-blocking layer for reducing UV-induced charging of sonos dual-bit flash memory devices in beol processing

Номер патента: GB2413438A. Автор: Minh Van Ngo,Ning Cheng,Arvind Halliyal,Jaeyong Park,Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Tyagamohan Gottipati,Jeff P Erhardt,Jeffrey A Shields,Clarence Ferguson,Angela T Hui,Robert A Huertas. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7355243B2. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20220028993A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US11888074B2. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20210328034A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20230343844A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Flash Memory Device with Three Dimensional Half Flash Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230253508A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Image formation apparatus, method of controlling flash memory, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US20150288847A1. Автор: Keishi Sakuma. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-10-08.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Split-gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US6709925B1. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Flash Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20100163967A1. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20170069501A1. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US9831087B2. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming flash memory, method of forming flash memory and sram circuitry, and etching methods

Номер патента: US20020013028A1. Автор: Kirk D. Prall,Graham Wolstenholme,Gregg Rettschlag. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938A1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938B1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-12-19.

Species implantation for minimizing interface defect density in flash memory devices

Номер патента: US6399984B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Tuan Duc Pham,Yider Wu,Chi Chang,Jean Y. Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-04.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPORT DEVICE AND CLOCK AND TIME SYNCHRONIZATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120148248A1. Автор: . Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-06-14.

ALARM CLOCK AND ALARM SHUTDOWN METHOD THEREOF

Номер патента: US20120120770A1. Автор: LI YU-LUN. Владелец: FOXCONN COMMUNICATION TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2012-05-17.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY CALIBRATION CIRCUIT FOR AUTOMATICALLY CALIBRATING FREQUENCY AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002764A1. Автор: Hsiao Fu-Yuan,Pan Ke-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PICKUP APPARATUS FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE AND METHOD FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE THEREOF

Номер патента: US20120002094A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CREATING, MANAGING, SHARING AND DISPLAYING PERSONALIZED FONTS ON A CLIENT-SERVER ARCHITECTURE

Номер патента: US20120001921A1. Автор: Escher Marc,Hoffman Franz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE COMMUNICATION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120002640A1. Автор: BALUJA Shumeet,Chu Michael,Matsuno Mayumi. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

AIRCRAFT HOVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004793A1. Автор: . Владелец: SANDEL AVIONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONDITIONALLY ATTEMPTING AN EMERGENCY CALL SETUP

Номер патента: US20120003954A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH NON-SYNTAX REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002719A1. Автор: Wang Limin,Zhao Xu Gang. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH VIDEO DECODER REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002720A1. Автор: . Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-MODAL NAVIGATION SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004841A1. Автор: . Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A SAFETY MECHANISM FOR A LASER-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120002691A1. Автор: TAO XIAO WEI. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EMERGENCY NOTIFICATION FROM A MOBILE COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20120003952A1. Автор: . Владелец: LifeStream Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for emergency notification from a mobile communication device

Номер патента: US20120003955A1. Автор: . Владелец: LifeStream Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING SHORT-RANGE WIRELESS COMMUNICATIONS BETWEEN A MOBILE WIRELESS DEVICE AND AN AUXILIARY SYSTEM

Номер патента: US20120003936A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Operational pocket personal computer automatic controller device and method of controlling execution of technological process by operator using operational pocket personal computer automatic controller device

Номер патента: RU2500020C2. Автор: Юрий Михайлович Рындин. Владелец: Юрий Михайлович Рындин. Дата публикации: 2013-11-27.

Номер патента: RU2516771C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-05-20.

Onboard device and method for control over vehicle parameters in accidents

Номер патента: RU2480834C1. Автор: Виктор Акиндинович Солдатенков,Юрий Кириллович Грузевич,Владимир Михайлович Ачильдиев,Алексей Юрьевич Попов,Любовь Валентиновна Грызлова,Елена Анатольевна Трубина,Александр Александрович Недодаев. Владелец: Александр Александрович Недодаев. Дата публикации: 2013-04-27.

Flash memory with read tracking clock and method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты