Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction .

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1
Опубликовано: 03-05-2005
Автор(ы): Jack Kavalieros, Justin K. Brask, Mark L. Doczy, Matthew V. Metz, Robert S. Chau, Suman Datta, Uday Shah
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem high-k-Gate-Dielektrikum

Номер патента: DE102005016925B4. Автор: Harald Seidl,Martin Ulrich Dr. Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

A method of manufacturing a semiconductor device having a high-K-gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: DE112005001593B4. Автор: Justin Portland Brask,Chris Portland Barns,Mark Beaverton Doczy,Uday Portland Shah,Jack Portland Kavalieros,Matthew Hillsboro Metz,Suman Beaverton Datta,Anne Portland Miller,Robert Beaverton Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Hybrid gate last integration scheme for multi-layer high-k gate stacks

Номер патента: WO2014062377A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09337057B2. Автор: Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Sung-Kee Han,Moon-Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12022643B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance pmos devices

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Hiroaki Niimi,Huang-Chun Wen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

CMOS Circuits with High-K Gate Dielectric

Номер патента: US20080272438A1. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Charlotte DeWan Adams,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric layer and a silicide gate electrode

Номер патента: TWI315093B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Multiple low and high k gate oxides on single gate for lower miller capacitance and improved drive current

Номер патента: EP1927128A4. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN100524660C. Автор: S·达塔,A·米勒,C·巴恩斯,M·梅茨,J·布拉斯克,J·卡瓦利罗斯,R·曹,M·多茨,U·夏. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN101916771B. Автор: 休曼·达塔,贾斯廷·布拉斯克,杰克·卡瓦莱厄斯,马克·多克茨,尤黛·沙赫,克里斯·巴恩斯,马修·梅茨,安娜丽莎·卡佩尔拉尼,罗伯特·赵. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130034953A1. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170330956A1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

Mos p-n junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084136A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US9362350B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865700B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595617B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US8921949B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO,Tse-Chuan SU. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-12-30.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768069B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Chia-Chun Liao,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure including a ferroelectric transistor and method for the formation thereof

Номер патента: US09536992B2. Автор: Ralf van Bentum,Joerg Schmid,Jongsin Yun,Seunghwan SEO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

High k gate insulator removal

Номер патента: US20040203246A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Arvind Kamath,Wai Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming variable-K gate dielectric

Номер патента: US20020100947A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

HIGH k GATE STACK ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120326212A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

N-type MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09934975B2. Автор: HONG Yang,Yanbo ZHANG,Huilong Zhu,Qiuxia Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-03.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI230434B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: CN101099241A. Автор: S·达塔,M·梅茨,J·布拉斯克,S·裴,J·卡瓦利罗斯,M·多齐,R·乔,J·麦滋. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TWI310588B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TW200639947A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sang-Woo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TW200425392A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A3. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Joong S Jeon. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-26.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060003499A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Norman,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

High-K gate dielectric

Номер патента: US11862706B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High-k gate dielectric

Номер патента: US20240154019A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US11784052B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US09397175B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09685441B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09548372B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US20150228748A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Structure and method for 3D FinFET metal gate

Номер патента: US09876114B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Modified self-aligned contact process and semiconductor device

Номер патента: US09711611B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US20170092644A1. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20210050425A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062702B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Low threshold voltage and inversion oxide thickness scaling for a high-k metal gate p-type mosfet

Номер патента: WO2013019696A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Etching process for high-k gate dielectrics

Номер патента: US20050042859A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Vertical p-n junction device and method of forming same

Номер патента: US20080258173A1. Автор: Steven H. Voldman,Benjamin T. Voegeli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9337042B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9680007B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: US11742407B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Charles MATTSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: EP3832735A3. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Mattson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: WO2004012237A3. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology. Дата публикации: 2004-09-10.

Method of making a diffused lightly doped drain device with built in etch stop

Номер патента: US5518945A. Автор: John A. Bracchitta,Stephen A. Mongeon,Gabriel Hartstein,Anthony C. Speranza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Method and system for formation of p-n junctions in gallium nitride based electronics

Номер патента: US20160043182A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Linda Romano,Thomas R. Prunty,Mahdan Raj. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device containing graphene p-n junctions and method for producing same

Номер патента: US09343532B2. Автор: SUNG Kim,Dong Hee Shin,Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-05-17.

P-n junction diffusion barrier employing mixed dopants

Номер патента: US5208184A. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-05-04.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor device including gate structure for threshold voltage modulation in transistors and method for fabricating the same

Номер патента: US09548304B2. Автор: Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110260255A1. Автор: Shijie Chen,Xiaolei Wang,Dapeng Chen,Kai HAN,Wenwu Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-27.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09673040B2. Автор: Yu-Ru Yang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240304449A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12041760B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20230360918A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020941B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US20230389256A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20220384454A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for forming fin structures for non-planar semiconductor device

Номер патента: US09786502B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Wen-An Liang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US8610221B2. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09461144B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Hsin-Yan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US11915979B2. Автор: Chia-Wei Hsu,Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Gate Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240153823A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200051864A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11728219B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11031293B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20190006242A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chiao-Ting TAI,Chung-Feng Nieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

High-k metal gate devices with a dual work function and methods for making the same

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Method for core and in/out-put device reliability improve at high-K last process

Номер патента: US09502403B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021618A1. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20150364573A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Hsin-Yan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150380407A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Methods of using a metal protection layer to form replacement gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09425103B2. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279854A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20050032318A1. Автор: Mark Doczy,Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Robert Chau. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20040180523A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Matthew Metz,Timothy Glassman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379458A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US10403553B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US20180211886A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US11777014B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US20230378329A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09502307B1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240096711A1. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha,Pauline Calka,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

High-k gate insulator for a thin-film transistor

Номер патента: WO2019135832A1. Автор: Soo Young Choi,Dong-Kil Yim,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-07-11.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180331052A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180294238A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8558315B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-10-15.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8735228B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-05-27.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140308799A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-16.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140004681A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-01-02.

P-N junction diodes in silicon carbide

Номер патента: US4947218A. Автор: Robert F. Davis,John A. Edmond. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1990-08-07.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20030109101A1. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US6812094B2. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-02.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Methods for forming integrated circuit systems employing fluorine doping

Номер патента: US20140256097A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat,Torben Balzer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11978740B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240250089A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230261004A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: WO2003023860A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2003-03-20.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-04-28.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A4. Автор: Richard L Woodin,Howard D Bartlow,Martin E Kordesch. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200035793A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200161436A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10615261B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10777645B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20170186652A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Methods of forming a high-k contact liner to improve effective via separation distance and the resulting devices

Номер патента: US09825031B1. Автор: Jagannathan Vasudevan,Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jason E. Stephens,David M. Permana. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for forming a seed and a semiconductor film using said seed

Номер патента: CA2071192C. Автор: Masakazu Morishita,Toshiaki Aiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-09-30.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US20060001044A1. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: EP1542288A4. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7208387B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-24.

Gateless p-n junction metrolog

Номер патента: US20200150165A1. Автор: Albert Felix Rigosi. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2020-05-14.

Programmable Poly Fuse Using a P-N Junction Breakdown

Номер патента: US20130224933A1. Автор: Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Bipolar junction transistors and p-n junction diodes including stacked nano-semiconductor layers

Номер патента: US20230361112A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong,Gunho JO,Hyoeun Park,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

P-n junction diode and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2007046936A2. Автор: Sheng-Huei Dai,Chun-jen Huang,Ya-Chin King,L.C. Kao. Владелец: Vishay General Semiconductor, Llc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Mos p-n junction schottky diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140295628A1. Автор: Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-02.

P-n junction diode and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2007046936A3. Автор: Sheng-Huei Dai,Chun-jen Huang,Ya-Chin King,L C Kao. Владелец: Vishay General Semiconductor I. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12033897B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with reduced defects

Номер патента: US20150028429A1. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756834B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230369123A1. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238381A1. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20130234262A1. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TW200407994A. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TWI240315B. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003231821A1. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060051882A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Markus Kuhn,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Adrian Sherrill,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6689675B1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Christopher G. Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6806146B1. Автор: YING Zhou,Justin K. Brask,Mark L. Doczy,John P. Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: EP1902472B1. Автор: Robert John Stephenson,Robert Mears,Scott A. Kreps,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov,Jean Austin Chan S.F. Yiptong. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Alternative gate dielectric films for silicon germanium and germanium channel materials

Номер патента: US20150311308A1. Автор: Hoon Kim,Bhagawan Sahu,Shariq Siddiqui,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130119484A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor

Номер патента: TWI344193B. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor fabrication process

Номер патента: TW200524084A. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11424366B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods for forming integrated circuits that include a dummy gate structure

Номер патента: US20170345914A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: US20030109069A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: WO2006127215A1. Автор: Robert John Stephenson,Scott A. Kreps,Robert J. Mears,Jean Augustin Chan Sow Fook Yiptong,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov. Владелец: Mears Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150262887A1. Автор: Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-09-17.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US20230282524A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi On Chui,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having a lightly doped semiconductor gate and method for fabricating same

Номер патента: US20110186926A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Methods for forming a high-voltage super junction by trench and epitaxial doping

Номер патента: US09614031B2. Автор: Tai-I Yang,Shao-Chi Yu,Kun-Ming Huang,Hong-Seng Shue,Po-Tao Chu,Shou-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor Device with a Lightly Doped Gate

Номер патента: US20130175613A1. Автор: Akira Ito,Xiangdon Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Mos transistor operated as otp cell with gate dielectric operating as an e-fuse element

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336289A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210391220A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Work function tuning in semiconductor devices

Номер патента: US20230317446A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Sheng-Yung Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for forming an interfacial layer on a semiconductor using hydrogen plasma

Номер патента: US09343291B2. Автор: Toru Ito,Paul C. McIntyre. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US11854906B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chang-Miao Liu,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240071835A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chang-Miao Liu,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with gate dielectric formed using selective deposition

Номер патента: US20230317820A1. Автор: Miin-Jang Chen,Tzu-Chung Wang,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Yu-tung Yin,Meng-Chien YANG. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11855080B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220367451A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US20100317184A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing interconnecting metal layer thereof

Номер патента: US20240145302A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Bor Chiuan Hsieh,Yu-Shien SHIAH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US09627214B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor Device having Doped Gate Dielectric Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230317790A1. Автор: Weng Chang,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Te-Yang Lai,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210313437A1. Автор: Chih-Yang Yeh,Jeng-Ya David Yeh,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Isolation structure of semiconductor device

Номер патента: US09786543B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Gate structure for semiconductor device

Номер патента: US20240379810A1. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12148810B2. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9012965B2. Автор: Chao Zhao,Jun Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-04-21.

Method of making a split gate non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Dipoles in semiconductor devices

Номер патента: US20240178319A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Tzer-Min Shen,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Dawei Heh,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Native pmos device with low threshold voltage and high drive current and method of fabricating the same

Номер патента: US20140197497A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240250144A1. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Tri-gate integration with embedded floating body memory cell using a high-k dual metal gate

Номер патента: US20090017589A1. Автор: Ibrahim Ban,Peter L.D. Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof

Номер патента: US20070210347A1. Автор: Carmelo Sanfilippo,Rossano Carta,Giovanni Richieri,Paolo Mercaldi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4266350A1. Автор: Yuichiro Hayashi,Katsunori Azuma,Kokichi Fujita,Tomohisa Hirayama,Katsuaki Masaki,Tatsuro SAWADA,Hayao KASAI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for suppressing lattice defects in a semiconductor substrate

Номер патента: US09472423B2. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems and methods for increasing packing density in a semiconductor cell array

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sehat Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09460927B2. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device with doped region between gate and drain

Номер патента: US20240250170A1. Автор: FENG HAN,Shuai ZHANG,Lian-Jie LI,Yan-Bin LU. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150287601A1. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20130119432A1. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for making a semiconductor device having a metal gate electrode

Номер патента: US20050101113A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Turkot,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Process for formation of isolation trenches with high-K gate dielectrics

Номер патента: US6008095A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Charles E May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-k dielectric material

Номер патента: US09911732B2. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Contacts to shallow p-n junctions

Номер патента: CA1120607A. Автор: Billy L. Crowder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for forming a wiring layer a semiconductor device

Номер патента: US5843843A. Автор: Gil-heyun Choi,Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010046787A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Automatic P-N junction formation during growth of a heterojunction

Номер патента: US3869322A. Автор: Jerome J Cuomo,Harold J Hovel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Multi-threshold voltage structures with a lanthanum nitride film and methods of formation thereof

Номер патента: US09748354B2. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Steven C. H. Hung,Liqi Wu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for doping semiconducting silicon with phosphorus to create p-n junctions

Номер патента: RU2612043C1. Автор: Аркадий Алексеевич Скворцов,Марина Валерьевна Корячко,Павел Аркадьевич Скворцов,Маргарита Рушановна Рыбакова,Елена Николаевна Скворцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Structure and method for forming power devices with carbon-containing region

Номер патента: WO2009079458A1. Автор: James Pan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for forming p-n junctions

Номер патента: CA1080835A. Автор: Jagdish Narayan,Rosa T. Young. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1980-07-01.

High voltage silicon carbide semiconductor device with bended edge

Номер патента: US5914499A. Автор: Willy Hermansson,Lennart Ramberg,Dag Sigurd. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1999-06-22.

Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing

Номер патента: US4147563A. Автор: Jagdish Narayan,Rosa T. Young. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1979-04-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030047780A1. Автор: Takashi Nikami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Power Switching Semiconductor Devices Including Rectifying Junction-Shunts

Номер патента: US20120068263A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Allen Hefner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of Patterning a Metal Gate of Semiconductor Device

Номер патента: US20130130488A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of patterning a metal gate of semiconductor device

Номер патента: US20150206755A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Systems and methods for forming diamond heterojunction junction devices

Номер патента: US20180053827A1. Автор: Anirudha V. Sumant,Kiran Kumar KOVI. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-02-22.

Ferroelectric tunnel junction devices with discontinuous seed structure and methods for forming the same

Номер патента: US11756987B2. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Ferroelectric tunnel junction devices with a sparse seed layer and methods for forming the same

Номер патента: US12057471B2. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Ferroelectric Tunnel Junction Devices with a Sparse Seed Layer and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240347581A1. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with p-n junction

Номер патента: WO2011082633A1. Автор: Zhenqiang ZHOU,Tanghua Jiang. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2011-07-14.

P-n junction structure

Номер патента: US20030178704A1. Автор: Anthony Kurtz. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

P-n junction diode

Номер патента: EP4404276A1. Автор: Akio Takatsuka,Kohei Sasaki. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: WO2023048778A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: US12035520B2. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12009220B2. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20240355634A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US09437423B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: EP4393038A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: EP2208220A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2009058450A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Methods for producing passive components on a semiconductor substrate

Номер патента: US20040080919A1. Автор: Dag Behammer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: US20240249936A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: WO2024158449A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim. Владелец: Ling, Mang-Mang. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US20230352543A1. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US12002859B2. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction

Номер патента: US3939047A. Автор: Hideo Tsunemitsu,Hiroshi Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-02-17.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20230005752A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for cleaning the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US6303482B1. Автор: Chan-Lon Yang,Chih-Ning Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for forming metal silicide on a semiconductor surface with minimal effect on pre-existing implants

Номер патента: US5679585A. Автор: Fred N. Hause,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for fabricating a contact on a semiconductor substrate by depositing an aluminum oxide diffusion barrier layer

Номер патента: US4307132A. Автор: James F. White,James K. Howard,Wei-Kan Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US20040035708A1. Автор: LinLin Chen,Thomas Taylor. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: US11948803B2. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Oyj. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: WO2023025981A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for manufacturing rutile titanium dioxide layer and semiconductor device including the same

Номер патента: US11466382B2. Автор: Junwoo SON,Yunkyu PARK,Jinheon PARK. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-10-11.

Method for manufacturing rutile titanium dioxide layer and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210317596A1. Автор: Junwoo SON,Yunkyu PARK,Jinheon PARK. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: US11996322B2. Автор: Meng Yan,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Fabrication of integrated microcircuits utilizing dielectric p-n-junction isolation

Номер патента: US3725146A. Автор: M Roder. Владелец: MOLEKULARELEKTRONIK. Дата публикации: 1973-04-03.

Amorphous boron carbide films for p-n junctions and method for fabricating same

Номер патента: US20120037904A1. Автор: Anthony N. Caruso,Joseph A. Sandstrom,David A. Bunzow. Владелец: NORTH DAKOTA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-02-16.

Lateral p-n junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180175303A1. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-06-21.

Lateral P-N junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10468604B2. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device formed with disposable spacer and liner using high-K material and method of fabrication

Номер патента: US20030071290A1. Автор: Qi Xiang,Bin Yu,HaiHong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1165012A. Автор: Pieter J.W. Jochems. Владелец: Pieter J.W. Jochems. Дата публикации: 1984-04-03.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for texturing a surface of a semiconductor substrate and device for carrying out the method

Номер патента: SG176140A1. Автор: Giso Hahn,Helge Haverkamp,Jose Nestor Ximello-Quiebras. Владелец: Univ Konstanz. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US09708182B2. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09321269B1. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-26.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09724921B2. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming a capacitor in a semiconductor and a capacitor using the same

Номер патента: US20060292811A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US8252686B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park,Choon Kun Ryu,Seung Jin Yeom,Sung Jun Kim,Noh Jung Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-28.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Methods for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020197817A1. Автор: Ki Shin,Cheol Bok. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for forming tungsten structures in a semiconductor

Номер патента: US4925524A. Автор: Christopher C. Beatty. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1990-05-15.

Sawing device and method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: US11935764B2. Автор: Mark Hermans. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for quantitating impurity concentration in a semiconductor device

Номер патента: US6130542A. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for forming an interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5522520A. Автор: Hideaki Kawamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Method for forming complementary patterns in a semiconductor material while using a single masking step

Номер патента: US4956306A. Автор: William R. Richards, Jr.,Robert T. Fuller,Joseph C. Tsang. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1990-09-11.

Method for fabricating via holes in a semiconductor wafer

Номер патента: US4348253A. Автор: Saligrama N. Subbarao,Ho-Chung Huang. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234543A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20200365707A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4398308A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12080775B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen,Wen-Kai Lin,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09449926B2. Автор: Sho NAKANISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Gate Dielectric for Gate Leakage Reduction

Номер патента: US20240266415A1. Автор: Huang-Lin Chao,Pinyen Lin,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110198709A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical semiconductor device with steep subthreshold slope

Номер патента: US20210028172A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih-Chieh Yeh,Hung-Li Chiang,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Semiconductor device with a clamping diode

Номер патента: US20230115609A1. Автор: Yan Lai,Phil Rutter. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230420552A1. Автор: Sungkeun Lim,Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Younggwon Kim,Yuyeong Jo. Владелец: Samsung Ro Yeongtong Gu. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for Forming Nanotube Semiconductor Devices

Номер патента: US20100317158A1. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device including zener diode and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180175215A1. Автор: Manoj Kumar,Shang-Hui Tu,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Priyono Tri SULISTYANTO. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Nanosheet device with tri-layer bottom dielectric isolation

Номер патента: GB2625968A. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4447120A1. Автор: Jinseok Lee,Yeonho Park,Sujin Lee,Hyungjin PARK,Deokhwan Kim,Junmo Park,Junsu KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347596A1. Автор: Jinseok Lee,Yeonho Park,Sujin Lee,Hyungjin PARK,Deokhwan Kim,Junmo Park,Junsu KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing semiconductor structure with isolation strips

Номер патента: US12051693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230317818A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor-on-insulator device with asymmetric structure

Номер патента: GB2505775A. Автор: Mitra Souvick,Junjun Li,Michael J Abou-Khalil,Jr Robert J Gauthier,Tom C Lee,Christopher S Putnam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-12.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20230352520A1. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Device with a P-N junction and a means of reducing the risk of breakdown of the junction

Номер патента: US6064103A. Автор: Frank Pfirsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-05-16.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US09957604B2. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Method for fabricating a flash memory cell utilizing a high-K metal gate process and related structure

Номер патента: US20110108903A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Display device including a semiconductor layer having a region with a widened width

Номер патента: US11765936B2. Автор: Dong Ha Lee,Hui-Won Yang,Sang Hyung LIM,Kyu Min Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for making II-VI group compound semiconductor device

Номер патента: US6033929A. Автор: Masanori Murakami,Yasuo Koide,Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including snake open configured fill cells

Номер патента: US09768083B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems and methods for monitoring junction temperature of a semiconductor switch

Номер патента: US20190376850A1. Автор: Peter Almern Losee,Ruxi Wang,Juan Antonio Sabate,Tomas Sadilek,Krishna Mainali. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-12.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US12057824B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including snake open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells

Номер патента: US9865583B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US11870429B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for producing the P-N junction of a thin-film photovoltaic cell and corresponding method for producing a photovoltaic cell

Номер патента: US09640687B2. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for making a light emitting diode having a P-N junction doped with one or more luminescent activator ions

Номер патента: US7863068B2. Автор: Kailash C. Mishra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Uv detector comprising a rectifying p-n junction

Номер патента: EP3519606A1. Автор: Damien Lenoble,Renaud Leturcq,Naoufal Bahlawane,Jonathan CREPELLIERE. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2019-08-07.

Method and apparatus for non-contact measurement of forward voltage, saturation current density, ideality factor and I-V curves in P-N junctions

Номер патента: US09880200B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

DIODE WITH P-N-JUNCTION HAVING CONTROLLED HETEROSTRUCTURE, SELF-POSITIONING ON HgCdTe, FOR IMAGER IN INFRARED SPECTRUM AREA

Номер патента: RU2618483C2. Автор: Лоран МОЛЛАР,Николя БАЙЕР,Йохан РОТМАН. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2017-05-03.

Iii-nitride p-n junction device using porous layer

Номер патента: WO2021150688A1. Автор: Shuji Nakamura,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-29.

Protection Device with P-N Junction Devices Monolithically Integrated in a Semiconductor Body

Номер патента: US20240038756A1. Автор: Josef-Paul Schaffer,Hubert Werthmann,Juliane Laurer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Photon precision sensor on semiconductor thyristor with one photosensitive n-p-junction and two light-emitting p-n-junctions

Номер патента: RU2673987C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-12-03.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: EP1071132A3. Автор: Min Zhu,Kai Chartered Semiconductor Manuf. Pte Ltd. Shao,Shao-fu Chart. Semicond. Manuf. Ltd Sandford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

P-N junction optoelectronic device for ionizing dopants by field effect

Номер патента: US09601542B2. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus and method for accurate measurement and mapping of forward and reverse-bias current-voltage characteristics of large area lateral p-n junctions

Номер патента: US09746514B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan,Ralph Nyffenegger,Biren Salunke,James A. Real. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of reducing oxygen vacancies in a high k capacitor dielectric region, and DRAM processing methods

Номер патента: US20020106853A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device for amplification of photon flux with photosensitive and light-emitting p-n-junctions

Номер патента: RU2693834C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-07-05.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Single P-N Junction Tandem Photovoltaic Device

Номер патента: US20120031491A1. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Kin Man Yu,Joel W. Ager, III. Владелец: RoseStreet Labs Energy LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Single p-n junction tandem photovoltaic device

Номер патента: EP2158610A1. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Kin Man Yu,Joel W. Ager, III. Владелец: Rosestreet Labs Energy Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

Organic p-n junction based ultraviolet detection device and ultraviolet image detector using same

Номер патента: US09614009B2. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: WO2023250146A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Apparatus and method for accurate measurement and mapping of forward and reverse-bias current-voltage characteristics of large area lateral p-n junctions

Номер патента: WO2015034936A1. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan,Ralph Nyffenegger,Biren Salunke,James A. Real. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

Solid state photomultiplier using buried P-N junction

Номер патента: US09728667B1. Автор: Chad Whitney,Erik Bjorn Johnson,Xiao Jie Chen,Christopher Stapels,James F. Christian. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: US20230420599A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Compact arrays of color-tunable pixels having two p-n junctions

Номер патента: US20230420627A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Compact arrays of color-tunable pixels having two p-n junctions

Номер патента: WO2023250145A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Field thyristor with non-isolated photosensitive optical gate and light-emitting p-n-junction

Номер патента: RU2693839C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-07-05.

P-n junction semiconductor devices

Номер патента: US3735212A. Автор: Z Kun. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1973-05-22.

E-fuse with reverse bias p-n junction

Номер патента: WO2006039669A3. Автор: Richard Rouse,Freidoon Mehrad,Robert B Churchill. Владелец: Robert B Churchill. Дата публикации: 2008-06-26.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

MOS devices with ultra-high dielectric constants and methods of forming the same

Номер патента: US09614079B2. Автор: Minghwei Hong,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US09484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: EP1570525A1. Автор: TSAI Wilman,Matty Caymax,Jerry Chen,Jan-Willem Maes. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: US20090079016A1. Автор: TSAI Wilman,Jan Willem Maes,Mathieu Caymax,Peijun Jerry Chen. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-03-26.

UV-assisted dielectric formation for devices with strained germanium-containing layers

Номер патента: US20080078987A1. Автор: Gert Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Metal gate with PVD amorphous silicon layer and barrier layer for CMOS devices and method of making with a replacement gate process

Номер патента: US6642590B1. Автор: Qi Xiang,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8324109B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Tae-Han Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A3. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A2. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09576958B1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10062604B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917207B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for creating metal gate resistor in FDSOL and resulting device

Номер патента: US09431424B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230420534A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Ying-Liang Chuang,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024011609A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11915981B2. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Transistor, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063870B2. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Transistor, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220328756A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Transistor, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013712A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for etching high-K dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US09570313B2. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1176761A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: Jose Solo De Zaldivar. Дата публикации: 1984-10-23.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

SOS p--n Junction device with a thick oxide wiring insulation layer

Номер патента: US4447823A. Автор: Kenji Maeguchi,Hiroyuki Tango. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-08.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US20240296272A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for producing the growth of a semiconductor material

Номер патента: US09719187B2. Автор: Sylvain Paltrier. Владелец: Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Device, system and method for providing MEMS structures of a semiconductor package

Номер патента: US09505610B2. Автор: Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Daniel N Sobieski,Tarek A Ibrahim,Sarah K Haney,Parshuram B Zantye,Chad E Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing an underfill in a semiconductor chip package

Номер патента: GB201213365D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for selecting photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, cured film, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240361697A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA,Takuya KOMINE,Yu Aoki,Yuki IMAZU. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for redistribution layer (RDL) repair by mitigating at least one defect with a custom RDL

Номер патента: US11887862B2. Автор: Craig Bishop,Timothy L. Olson,David Ryan Bartling. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for redistribution layer (rdl) repair by mitigating at least one defect with a custom rdl

Номер патента: US20240170300A1. Автор: Craig Bishop,Timothy L. Olson,David Ryan Bartling. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for the local polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US09533394B2. Автор: Juergen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing an interconnect structure for stacked semiconductor device

Номер патента: US20020074670A1. Автор: Tadatomo Suga. Владелец: Tadatomo Suga. Дата публикации: 2002-06-20.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US6277263B1. Автор: LinLin Chen. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

Method for forming multilevel interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5219792A. Автор: Han-su Kim,Jang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-15.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US11942460B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Lead frame with radiator plate, method for manufacturing lead frame with radiator plate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150270204A1. Автор: Tomohiro Kuroda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for forming chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer

Номер патента: US09935148B2. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing a package for a semiconductor device

Номер патента: US4710250A. Автор: Hidehiko Akasaki,Haruo Kojima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US11983475B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for forming electrical contacts in a semiconductor device

Номер патента: US5502006A. Автор: Yasuo Kasagi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-03-26.

Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device

Номер патента: US5147822A. Автор: Shunpei Yamazaki,Shigenori Hayashi,Kazuo Urata,Itaru Koyama,Noriya Ishida,Mari Sasaki,Naoki Hirose,Mitsunori Tsuchiya,Shinji Imatou,Kouhei Wada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for forming an interconnection in a semiconductor element

Номер патента: US6103618A. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Method for forming solder balls on a semiconductor substrate

Номер патента: CA2135508C. Автор: Robert J. Lyn,Anthony M. Aulicino. Владелец: IBM Canada Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging element, and semiconductor device

Номер патента: US09484368B2. Автор: Hiroyuki Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction

Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020192906A1. Автор: Sang-Ho Woo,Eui-Sik Kim,Kwang-seok Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: US09903905B2. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and devices for a high-k stacked capacitor

Номер патента: US20090200637A1. Автор: Binghua Hu,Byron Lovell Williams,Betty Mercer,Scott Montgomery,Maxwell Walthour Lippitt, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Methods and devices for a high-k stacked capacitor

Номер патента: US7902033B2. Автор: Binghua Hu,Byron Lovell Williams,Betty Mercer,Scott Montgomery,Maxwell Walthour Lippitt, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Method for forming conductive bumps on a semiconductor device

Номер патента: US5492863A. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-02-20.

Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method

Номер патента: US20200044100A1. Автор: John BURSCHIK,Holger Kuehnlein,Benedikt Straub,Wolfgang Duempelfeld. Владелец: RENA Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of making a resistive random access memory device with metal-doped resistive switching layer

Номер патента: US09385164B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes,Michael Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for making or treating a semiconductor

Номер патента: GB2272995B. Автор: Byung Chul Ahn. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-02.

Method for manufacturing a bump on a semiconductor chip

Номер патента: US5418186A. Автор: Jong-han Park,Chun-Geun Park,Seon-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-23.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09508631B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Image sensor with trenched filler grid within a dielectric grid including a reflective portion, a buffer and a high-K dielectric

Номер патента: US09490288B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Wang Chun-Ying,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Zhe-Ju Liu,Feng-Chien Hsieh,Shih-Ciang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for producing a structured wavelength conversion layer and optoelectronic device with a structured wavelength conversion layer

Номер патента: WO2023041582A1. Автор: David O'Brien,Erik Johansson. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09978695B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-Enabled fill cells, with the first DOE including tip-to-side short configured fill cells, and the second DOE including chamfer short configured fill cells

Номер патента: US09929136B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including side-to-side short configured fill cells, and the second DOE including chamfer short configured fill cells

Номер патента: US09922968B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including tip-to-tip short configured fill cells, and the second DOE including chamfer short configured fill cells

Номер патента: US09871028B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including snake open configured fill cells, and the second DOE including metal island open configured fill cells

Номер патента: US09786650B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells

Номер патента: US09786649B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including chamfer short configured fill cells, and the second DOE including corner short configured fill cells

Номер патента: US09773774B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09631481B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US20230129179A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Bonding structure, photonic integrated circuit, and method for active alignment of optical axis of semiconductor optical device with optical axis of optical circuit on substrate

Номер патента: WO2024003442A1. Автор: Timo Aalto,Giovanni Delrosso,Mikko Harjanne,Jae-Wung Lee,Tomi HASSINEN. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2024-01-04.

Imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing the imaging device having a reduced p-n junction capacity at one or more of a floating diffusion section, source region, or drain region

Номер патента: US09472592B2. Автор: Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Reverse profiling method for profiling modulated impurity density distribution of semiconductor device

Номер патента: US6242272B1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Shigetaka Kumashiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Method for forming electrical connections between a semiconductor die and a semiconductor package

Номер патента: US5911112A. Автор: Scott Kirkman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057350A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Al-ga-n template, method for preparing al-ga-n template, and semiconductor device comprising al-ga-n template

Номер патента: US20180323337A1. Автор: Peng Li,Jiangbo Wang,Wubin Zhang,Binzhong DONG,Haiping AI. Владелец: HC Semitek Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for analying an impurity on a semiconductor substrate

Номер патента: US5633172A. Автор: Ayako Shimazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second does of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including side-to-side short configured fill cells, and the second DOE including tip-to-side short configure

Номер патента: US9748153B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US5728597A. Автор: Suk Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Method for patterning a surface with a metal by controlling the generation of cracks or gaps in a deposited metal layer

Номер патента: SE1850194A1. Автор: Johan Mathiasson,Sara Lotfi. Владелец: Solibro Res Ab. Дата публикации: 2019-08-23.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in semiconductors

Номер патента: GB849549A. Автор: John Reeves,Emrys Gwynne James,James Samuel Miller. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1960-09-28.

System and method for analyzing error information from a semiconductor fabrication process

Номер патента: US20030055592A1. Автор: Weidong Wang,Jonathan Buckheit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Structure and method for test-point access in a semiconductor

Номер патента: US20240047281A1. Автор: SWAMINATHAN Subramanian,Hubert Martin Bode,Kristofor Jason Dickson,Kent Bradley Erington,Kurt Ulrich Neugebauer,William Franklin Johnstone. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for suppressing RF resonance in a semiconductor package

Номер патента: US20020113300A1. Автор: John Geary,Joseph Freund,Mindaugas Dautartas. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device including resin with a filler for encapsulating bridge member connected to a substrate

Номер патента: US11990393B2. Автор: Tarou IGOSHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods for forming a fuse in a semiconductor device

Номер патента: US20040005776A1. Автор: Robert Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Method for determining lead span and planarity of semiconductor devices

Номер патента: US6489173B1. Автор: Alvin P. Cyril. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices

Номер патента: US4745354A. Автор: Douglas S. Fraser. Владелец: FTS Systems Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices.

Номер патента: MY100200A. Автор: S Fraser Douglas. Владелец: Fts System Inc. Дата публикации: 1990-04-10.

Method for production of tunnelling multi-gate field nanotransistor with schottky contacts

Номер патента: RU2717157C2. Автор: Владимир Владимирович Вьюрков,Анатолий Дмитриевич Кривоспицкий,Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Дмитрий Александрович Свинцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor arrangement having first semiconductor device over first shallow well having first conductivity type and second semiconductor device over second shallow well having second conductivity type and formation thereof

Номер патента: US09401361B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Reusable substrate bases, semiconductor devices using such reusable substrate bases, and methods for making the reusable substrate bases

Номер патента: US09419081B2. Автор: John Stokely,Basavaraja Sangappa Devaramani,Raju Addepalle Raghurama. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of making a trench isolated device

Номер патента: US4519128A. Автор: Donald G. Chesebro,Francis J. Soychak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-05-28.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US7390709B2. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Ramune Nagisetty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-24.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI239563B. Автор: Shah Uday,Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and apparatus for a semiconductor device with a high-k gate

Номер патента: SG118387A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Method for making a p-n junction in a semiconductor body

Номер патента: FR1404345A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1965-06-25.

A P-N Organic Battery, a Method of Fabricating the Battery Thereof

Номер патента: US20230343960A1. Автор: Ahmed A. AL-GHAMDI,Fahrettin Yakuphanoglu,Abdullah G. Al-Sehemi,Mehboobali PANNIPARA,Aysegul Dere. Владелец: King Khalid University Rcams. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2660296C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11901361B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220359513A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device including multi-layer gate insulating layer and electronic device including the same

Номер патента: US20240178307A1. Автор: Sungil Park,Jaehyun Park,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20030155658A1. Автор: Valery Ioffe,Askhad Maksutov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20020130358A1. Автор: Rob Van Dalen,Christelle Rochefort,Godefridus Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile memory semiconductor devices and method for making thereof

Номер патента: US20140346582A1. Автор: Jan Van Houdt,Laurent Breuil,Pieter Blomme,Judit (Gloria) Lisoni REYES. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US3678346A. Автор: Jack M Hirshon,Philip D Warner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1972-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20170098649A1. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09905563B2. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20180254233A1. Автор: Lise Donzel,Juergen Schuderer,Jan Vobecky,Jagoda Dobrzynska. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09673340B1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device including a bias voltage generator

Номер патента: US20080309397A1. Автор: Douglas Kerns. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor devices having field shaping regions

Номер патента: EP1368837A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx,Christelle Rochefort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-10.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Method for evaluating a semiconductor wafer

Номер патента: US09935021B2. Автор: Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Fabricating a semiconductor device with a base region having¹a deep portion

Номер патента: IE831223L. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09524966B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Winfried Kaindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Bulk charge coupled device with high doping at buried pn-junction

Номер патента: CA1046638A. Автор: Leonard J.M. Esser,Matthias J.J. Theunissen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-01-16.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

System and method for making a photovoltaic unit

Номер патента: EP2457264A2. Автор: James B. Sears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-30.

System and method for making a photovoltaic unit

Номер патента: WO2011011184A2. Автор: James B. Sears. Владелец: Sears James B. Дата публикации: 2011-01-27.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US09972506B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20220367646A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US12087826B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210020752A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11476337B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US8035200B2. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US20100237475A1. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for making semiconductor material

Номер патента: US4284467A. Автор: Egon E. Loebner,Paul E. Greene. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1981-08-18.

Method of fabricating semiconductor devices on a group iv substrate with controlled interface properties and diffusion tails

Номер патента: US20080035939A1. Автор: Simon Fafard,Norbert Puetz,Bruno J. RIEL. Владелец: Cyrium Technologies Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device

Номер патента: US5298767A. Автор: Anthony D. Kurtz,Joseph S. Shor. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Method of manufacturing a glass passivation type semiconductor device

Номер патента: CA1226074A. Автор: Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050148177A1. Автор: Seiichi Omoto,Kazuhiro Murakami,Tomio Katata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US20150253121A1. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US10438816B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for performing enrichment of an electrode of an electrochemical device with ionic species

Номер патента: US09876219B2. Автор: Steve Martin,Sylvain Poulet,Helene Porthault. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same

Номер патента: US4932033A. Автор: Seiichi Miyazawa,Mitsuru Ohtsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1990-06-05.

Systems and methods for pre-aligning samples for more efficient processing of multiple samples with a Broad Ion Beam (BIB) system

Номер патента: US12106931B2. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Tomás Vystavel,Krishna Kanth Neelisetty,Jan Neuzil,Ondrej KLVAC. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for tuning the laser frequency implemented in a rotating device with an optical waveguide

Номер патента: WO2024033666A1. Автор: Hrvoje BULJAN,Dario JUKIĆ. Владелец: University Of Zagreb, Faculty Of Science. Дата публикации: 2024-02-15.

Systems and methods for pre-aligning samples for more efficient processing of multiple samples with a broad ion beam (bib) system

Номер патента: EP4279899A1. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Tomás Vystavel,Krishna Kanth Neelisetty,Jan Neuzil,Ondrej KLVAC. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-11-22.

Method for electroplating a body-centered cubic nickel-iron alloy thin film with a high saturation flux density

Номер патента: US20030136683A1. Автор: Neil Robertson,Mike Chen,Thomas Dinan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: WO2017041116A1. Автор: Gang He,Brendan M. Kayes,Thomas J. Gmitter,Melissa J. ARCHER. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for producing injection type light emitting semiconductor devices having an epitaxial layer of nitrogen-doped gallium phosphide

Номер патента: US3687744A. Автор: Masahiko Ogirima,Hazime Kusumoto,Toshimitu Shinoda. Владелец: Dynamit Nobel AG. Дата публикации: 1972-08-29.

Method for making solar cell and solar cell system

Номер патента: US20130171758A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US9627579B2. Автор: Douglas A. Collins,Yitao Liao,Robert C. Walker,Faisal Sudradjat. Владелец: RayVio Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20160079495A1. Автор: Douglas A. Collins,Yitao Liao,Robert C. Walker,Faisal Sudradjat. Владелец: RayVio Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US09559230B2. Автор: Chang Ki Baek,Soo Young Park,Seong Wook Choi,Yoon Ha JEONG,Tai Uk Rim,Myung Dong Ko. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a thin-film stack that can be disbonded from its substrate

Номер патента: US20170170359A1. Автор: Brendan Dunne,Stephanie Angle. Владелец: Nexcis SAS. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor infrared emitting device with oblique side surface with respect to the cleavage

Номер патента: US5349211A. Автор: Tetsuro Kato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-09-20.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

One-time programming device and a semiconductor device

Номер патента: US09761595B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CA1108739A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Makoto Morioka,Masaaki Aoki,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-09-08.

Push-pull configurations for semiconductor device having a PN-Junction with a photosensitive region

Номер патента: US6800915B2. Автор: Larry M. Tichauer. Владелец: Ophir RF Inc. Дата публикации: 2004-10-05.

Light-receiving device and method for producing the same

Номер патента: US09698297B2. Автор: Yasuhiro Iguchi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thermoelectric element and method for the production thereof

Номер патента: US09627601B2. Автор: Nikolay Iosad. Владелец: OFlexx Technologies GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

High efficiency tandem solar cells and a method for fabricating same

Номер патента: US20110005570A1. Автор: Faquir Chand Jain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor device with current confinement structure

Номер патента: US20020093013A1. Автор: Paul Charles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP3905317A1. Автор: Hiroshi Sato,Yoshinori Murakami,Shinji Sato,Yui Takahashi,Kazuhiro Mitamura,Hidekazu TANISAWA,Fumiki Kato. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Sensor element and method for manufacturing sensor element

Номер патента: US20230296442A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20220044980A1. Автор: Hiroshi Sato,Yoshinori Murakami,Shinji Sato,Yui Takahashi,Kazuhiro Mitamura,Hidekazu TANISAWA,Fumiki Kato. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Light emitting element and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20020158264A1. Автор: Masayuki Shinohara,Akio Nakamura,Masahisa Endo. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for controlling semiconductor device

Номер патента: US11837654B2. Автор: Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20230123438A1. Автор: Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Light emitting diodes and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120175630A1. Автор: Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers

Номер патента: US20140299892A1. Автор: Jani Oksanen,Jaakko Tulkki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Light emitting diode for use as an efficient emitter or detector of light at a common wavelength and method for forming the same

Номер патента: US5448082A. Автор: James C. Kim. Владелец: Opto Diode Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Photodetectors with a lateral composition gradient

Номер патента: US11569405B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Semiconductor device with nanostructures

Номер патента: US11777040B2. Автор: Chih-Fei Lee,Fu-Cheng Chang,Chia-Pin Cheng,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Photodetectors with a lateral composition gradient

Номер патента: US20210151621A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

A unipolar semiconductor photodetector with suppressed dark current and method for producting the same

Номер патента: IL174844A0. Автор: . Владелец: Klipstein Philip Charles. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Self-illuminating display having light emitting nanowires and method for making same

Номер патента: US8378363B2. Автор: Chia-Ling Hsu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-19.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Optocoupler having a semiconductor diode for each voltage source and a tunnel diode formed between each two successive voltage sources

Номер патента: US09972735B2. Автор: Wolfgang Guter,Daniel Fuhrmann,Victor Khorenko. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of making compact light-emitting device with sealing member

Номер патента: US5882949A. Автор: Jun Okazaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a metallization with a thick connection electrode is provided on a semiconductor body

Номер патента: CA1271270A. Автор: Johannes S. Peters. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-07-03.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: CA1138561A. Автор: Michiharu Nakamura,Shigeo Yamashita,Tadashi Fukuzawa,Motohisa Hirao,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-28.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode

Номер патента: USRE27385E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1972-06-13.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Organic p-n junction with antenna

Номер патента: CA1229221A. Автор: James E. Guillet,James R. Bolton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

P-n junction of organic materials

Номер патента: CA1169055A. Автор: James R. Bolton,Alan R. Mcintosh,Te-Fu Ho. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 1984-06-12.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

A method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: WO2021144562A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Licensing Limited. Дата публикации: 2021-07-22.

A method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: EP4090513A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Semiconductor device and method for controlling amplitude of signal in the semiconductor device

Номер патента: US20210058080A1. Автор: Seung Jin Kim,Seung Hyun Oh,Wan Kim,Byung Ki HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing BAW resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US09647625B2. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for control of in-parallel reserve current sources and device with in-parallel reserve current sources

Номер патента: RU2452072C2. Автор: Франк ХЕРБЕНЕР,Орлефф ПЕШЕЛЬ. Владелец: Пиллер Груп Гмбх. Дата публикации: 2012-05-27.

Method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: US20230043945A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US11782102B2. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: US20240292342A1. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: EP4422289A2. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for performing adaptive input current control in an electronic device with aid of adaptor management, and associated apparatus

Номер патента: US09973075B2. Автор: Chia-Hsiang Lin,Nien-Hui Kung,Kuo-Chang Lo. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatus and method for controlling signal distribution in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120081147A1. Автор: Neil Price. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US20150087288A1. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for the operation of a hearing device and hearing device with variable frequency shift

Номер патента: US20130108094A1. Автор: Stefan Petrausch,Ulrich Kornagel,Tobias Wurzbacher,Sebastian Pape. Владелец: Siemens Medical Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for the operation of a hearing device and hearing device with variable frequency shift

Номер патента: EP2550811A1. Автор: Stefan Petrausch,Ulrich Kornagel,Tobias Wurzbacher,Sebastian Pape. Владелец: Siemens Medical Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US09690560B2. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for detecting hysteresis characteristic of comparator and semiconductor device

Номер патента: US09425776B2. Автор: Yanfei Chen. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US09369823B2. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

System and method for managing rechargeable power sources in a portable computing device with two or more usage modes

Номер патента: US09292067B2. Автор: Hee-Jun Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for creating a driving torque in the wheel of a vehicle with a load-carrying capacity of 170 tons and device for implementation thereof

Номер патента: RU2667208C2. Автор: Владимир Алексеевич Гусев,Станислав Владимирович Пастин. Владелец: Станислав Владимирович Пастин. Дата публикации: 2018-09-17.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Structures and methods for deriving stable physical unclonable functions from semiconductor devices

Номер патента: US11962709B1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Darren Anand,Dale Pontius. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Lcp extruded film and method for manufacturing the same, lcp extruded film for stretch treatment, lcp stretched film, heat-shrinkable lcp stretched film, insulating material for circuit substrate, and metal foil-clad laminate

Номер патента: US20240025102A1. Автор: Naoki Ogawa,Yusuke Masuda. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Lcp extruded film and method for manufacturing the same, lcp extruded film for stretch treatment, lcp stretched film, heat-shrinkable lcp stretched film, insulating material for circuit substrate, and metal foil-clad laminate

Номер патента: US20240032191A1. Автор: Naoki Ogawa,Yusuke Masuda. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Lcp extruded film and method for manufacturing the same, lcp extruded film for stretch treatment, lcp stretched film, heat-shrinkable lcp stretched film, insulating material for circuit substrate, and metal foil-clad laminate

Номер патента: US20240043635A1. Автор: Naoki Ogawa,Yusuke Masuda. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for processing substrates, in particular wafers, masks or flat panel displays, with a semi-conductor industry machine

Номер патента: US12063745B2. Автор: Andreas Birkner. Владелец: INTEGRATED DYNAMICS ENGINEERING GMBH. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for identifying and correlating an advertised object from a media asset with a demanded object from a group of interconnected computing devices embedded in a living environment of a user

Номер патента: US12041311B2. Автор: Timothy Jacob Fennelly. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods for identifying and correlating an advertised object from a media asset with a demanded object from a group of interconnected computing devices embedded in a living environment of a user

Номер патента: US20240323492A1. Автор: Timothy Jacob Fennelly. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Gunn oscillator with p-n junction contact for fast low power on-off control

Номер патента: US3566306A. Автор: Peter S Hauge,Conrad Lanza,Ralph M Esposito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-02-23.

Method for monitoring a radio frequency receiver and semiconductor device

Номер патента: US20240039686A1. Автор: Stefan Schmalzl,Andreas Schwarz,Thomas Josef BAUERNFEIND,Thomas Obermueller,Martin Louda,Furqan Farooq FAZILI. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for near-real-time communicating negative user experience of users interacting with a website

Номер патента: US11799746B2. Автор: Ryad ZENINE,Vincent COLOMBET. Владелец: ContentSquare SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

System and method for performing rate adaptation of constant bit rate (CBR) client data with a fixed number of idle blocks for transmission over a metro transport network (MTN)

Номер патента: US11916662B2. Автор: Winston Mok,Steven Scott Gorshe. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for defining an aggregated stability map of a rotational source associated with a biological rhythm disorder

Номер патента: EP3451915A1. Автор: Carey Robert Briggs,William Robert Macneil,Christopher Todd Schuster,Heather A. Drury. Владелец: Topera Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Method for defining an aggregated stability map of a rotational source associated with a biological rhythm disorder

Номер патента: WO2017192487A1. Автор: Carey Robert Briggs,William Robert Macneil,Christopher Todd Schuster,Heather A. Drury. Владелец: TOPERA, INC.. Дата публикации: 2017-11-09.

System and method for performing rate adaptation of constant bit rate (CBR) client data with a variable number of idle blocks for transmission over a metro transport network (MTN)

Номер патента: US11838111B2. Автор: Winston Mok,Steven Scott Gorshe. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Systems and methods for generating a recommendation of a media asset for simultaneous consumption with a current media asset

Номер патента: US11962856B2. Автор: Abhishek Banerjee,Anitha Rajagopal,Vijayasekhar Mekala,Mitsu Deshpande. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

System and method for performing rate adaptation of constant bit rate (cbr) client data with a variable number of idle blocks for transmission over a metro transport network (mtn)

Номер патента: WO2023278023A1. Автор: Winston Mok,Steven Scott Gorshe. Владелец: Microchip Technology Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

System and method for monitoring and copying multimedia messages to storage locations in compliance with a policy

Номер патента: US20190068530A1. Автор: Sandeep Naidu Pamidiparthi. Владелец: Commvault Systems Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and methods for generating a recommendation of a media asset for simultaneous consumption with a current media asset

Номер патента: EP4354886A2. Автор: Abhishek Banerjee,Anitha Rajagopal,Vijayasekhar Mekala,Mitsu Deshpande. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for learning qos performance inter-dependence of different links which interface with a common application applying a joint figure of merit

Номер патента: EP4068847A1. Автор: Nicolas Gresset,Akl Charaf,Qianrui LI,Hervé Bonneville. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2022-10-05.

Systems and methods for generating a recommendation of a media asset for simultaneous consumption with a current media asset

Номер патента: EP4354886A3. Автор: Abhishek Banerjee,Anitha Rajagopal,Vijayasekhar Mekala,Mitsu Deshpande. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Systems and methods for generating a recommendation of a media asset for simultaneous consumption with a current media asset

Номер патента: US20240223858A1. Автор: Abhishek Banerjee,Anitha Rajagopal,Vijayasekhar Mekala,Mitsu Deshpande. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for providing location based E-911 of network access devices registered with a network gateway

Номер патента: US8964945B2. Автор: Amar N. Ray. Владелец: CENTURYLINK INTELLECTUAL PROPERTY LLC. Дата публикации: 2015-02-24.

Systems and methods for optimizing message notification timing based on electronic content consumption associated with a geographic location

Номер патента: US20150249632A1. Автор: Patrick Mcdevitt,Bryce BARRAND. Владелец: AOL Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Device and method for scanning the physical signature data of a physical unclonable function with a smartphone

Номер патента: US11093724B2. Автор: Thomas Eugene Pangburn,Scott Richard Castle,Robert Henry Muyskens,Brant Dennis Nystrom,Samuel Leo Rhodus,Neilson Gutay Navarrete,Tristan Santos Dalay. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

A device and method for scanning the physical signature data of a physical unclonable function with a smartphone

Номер патента: AU2020239957A1. Автор: Thomas Eugene Pangburn,Robert Henry Muyskens,Brant Dennis Nystrom,Samuel Leo Rhodus,Neilson Gutay Navarrete,Richard Scott Castle,Tristan Santos Dalay. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

A device and method for scanning the physical signature data of a physical unclonable function with a smartphone

Номер патента: EP3942737A1. Автор: Thomas Eugene Pangburn,Scott Richard Castle,Robert Henry Muyskens,Brant Dennis Nystrom,Samuel Leo Rhodus,Neilson Gutay Navarrete,Tristan Santos Dalay. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Device and method for scanning the physical signature data of a physical unclonable function with a smartphone

Номер патента: US20200304321A1. Автор: Thomas Eugene Pangburn,Scott Richard Castle,Robert Henry Muyskens,Brant Dennis Nystrom,Samuel Leo Rhodus,Neilson Gutay Navarrete,Tristan Santos Dalay. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of p-n junctions

Номер патента: US09921261B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Multi-Layer P-N Junction Based Phase Shifter and Methods of Manufacturing and Using the Same

Номер патента: US20210373363A1. Автор: Qiugui ZHOU,Mark Heimbuch. Владелец: Source Photonics Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

High-k gate dielectrics prepared by liquid phase anodic oxidation

Номер патента: US6887310B2. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Szu-Wei Huang,Yen-Po Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2005-05-03.

Rámová konstrukce, skládající se ze sloupků a příčníků ve formě dutých profilů

Номер патента: CZ293019B6. Автор: Jürgen Klein,Harald Schulz,Joachim Bauch. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2004-01-14.

Způsob výroby mřížových roštů vytvořených z nosných tyčí a příčných tyčí

Номер патента: CZ294177B6. Автор: Stapelmannájanádipl@Ákfm. Владелец: Stapelmannágmbh. Дата публикации: 2004-10-13.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: US20240231132A9. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-11.

Electro-refraction modulator with a regrown p-n junction

Номер патента: US09470914B1. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy,John E. Cunningham,Stevan S. Djordjevic. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: US20240134215A1. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: EP4357844A1. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for enabling multiple vt devices using high-k metal gate stacks

Номер патента: WO2009056417A1. Автор: Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Vamsi Paruchuri,Jeffrey Sleight,Martin Michael Frank. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315011A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315012A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for determining displacement of power hs-pdsch in asynchronous cdma movile communications system and appropriate method for transferring required information

Номер патента: RU2253947C2. Автор: Дзу-Хо ЛИ,Йонг-Дзун КВАК,Сунг-Хо ЧОЙ. Владелец: Самсунг Электроникс Ко.,Лтд. Дата публикации: 2005-06-10.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US7598009B2. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: NL2034529B1. Автор: Hermans Mark. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-10-14.

Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1363323A3. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: EP4235364A3. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for short-term operation of well using immersed pump device with electric drive

Номер патента: RU2293176C1. Автор: Николай Петрович Кузьмичев. Владелец: Николай Петрович Кузьмичев. Дата публикации: 2007-02-10.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20050203654A1. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for constructing computational process of testing electronic i/o devices with exchange diagnostics

Номер патента: RU2750109C1. Автор: Виктор Викторович Прудков. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2021-06-22.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A2. Автор: Dong Zhou,Marion C. Lineberry,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green. Владелец: NTT DOCOMO Inc.. Дата публикации: 2006-11-23.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A3. Автор: Dong Zhou,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green,Marion C Lineberry. Владелец: Marion C Lineberry. Дата публикации: 2007-08-23.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09953578B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09761176B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09626911B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Breast pump, a method for determining the amount of expressed milk and an information carrier with a program recorded thereon for realizing the method

Номер патента: RU2729444C2. Автор: Арнольд АЛДЕРС,Арьян Теодор ВАН ВИРИНГЕН,Хассан ЭЛЬ БАРАКАТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-08-06.

Sensors employing a P-N semiconducting oxide heterostructure and methods of using thereof

Номер патента: GB2545038A. Автор: Sun Chenhu,K Dutta Prabir. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2017-06-07.

Method for determining a matched routing arrangement for semiconductor devices

Номер патента: US20040044977A1. Автор: Michael Lee,Brooklin Gore,Matthew Priest. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

A method for providing a perimetry processing tool and a perimetry device with such a tool

Номер патента: WO2022078568A1. Автор: Samuel WEINBACH,Jonas ANDRULIS. Владелец: Haag-Streit AG. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for separating payloads from the orbital stage of the launch vehicle with a liquid propellant engine

Номер патента: RU2748079C1. Автор: Валерий Иванович Трушляков,Вадим Вячеславович Юдинцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ). Дата публикации: 2021-05-19.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US20090035693A1. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for mounting a longitudinal component on a vehicle chassis, a vehicle with a longitudinal component and a longitudinal component system

Номер патента: RU2648559C1. Автор: Деннис ТЕГЕЛЬКАМП,Серхат ДИРИК. Владелец: ДР. ИНГ. Х.Ц.Ф. ПОРШЕ АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-03-26.

Method for limiting the moment of load of a working rolling stock with a crane boom

Номер патента: RU2762456C2. Автор: Дитер ЮНГ,Ханс БРАУН,Петра КРАМЕР,Ёхан Регин. Владелец: ВИКА Мобайл Контрол ГмбХ унд Ко. КГ. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for frying and regeneration of cooking oil an automatic fryer provided with a regeneration system for cooking oil

Номер патента: WO2010076839A3. Автор: Giuseppe Testa. Владелец: Giuseppe Testa. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for frying and regeneration of cooking oil and automatic fryer provided with a regeneration system for cooking oil

Номер патента: EP2375947A2. Автор: Giuseppe Testa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-19.

Computer-implemented method for behavior planning of an at least partially automated ego vehicle with a specified navigation destination

Номер патента: US20240255297A1. Автор: Martin Stoll,Marcel Hallgarten. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for determining a spatially resolved extent of error for position finding with a GNSS

Номер патента: US09778370B2. Автор: Sebastian Engel,Jan Buchholz. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for continuously preparing water-soluble azo dye by coupling a nebulizer with a pipeline

Номер патента: US20150073132A1. Автор: Dong Liang,Bingtao Tang,Shufen Zhang,Rongwen Lv. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2015-03-12.

Apparatus and methods for dispensing at least one segment of a printed media sheet with a plurality of segments

Номер патента: US09589214B2. Автор: Xin Hua JIN,Sea Mang Ying,Tzy Woei Chu. Владелец: VENTURE CORP Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

System and method for providing analysis of visual function using a mobile device with display

Номер патента: US09572484B2. Автор: Daniel Palanker,Mark Blumenkranz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for continuously preparing water-soluble azo dye by coupling a nebulizer with a pipeline

Номер патента: US09394445B2. Автор: Dong Liang,Bingtao Tang,Shufen Zhang,Rongwen Lv. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2016-07-19.

System and method for providing analysis of visual function using a mobile device with display

Номер патента: US09314154B2. Автор: Daniel Palanker,Mark Blumenkranz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-04-19.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: CA3030314C. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2024-02-20.

Systems and methods for implementing machine learning in a local apl edge device with power constraints

Номер патента: US20240118681A1. Автор: Harshad MAHAJAN,Harikrishnan Baskaran. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: EP4235364A2. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2023-08-30.

Assembly of conducting tracks, device, and method for the fault detection of a semiconductor circuit

Номер патента: US20180143243A1. Автор: Franz Dietz,Lichao Teng,Markus OST. Владелец: Autolus Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for burning a fuel in a wood stove, a wood stove with a controller; and an air regulator for a wood stove

Номер патента: EP4012261A2. Автор: Vagn Hvam Pedersen. Владелец: Hwam AS. Дата публикации: 2022-06-15.

System and method for performing auto-location of a tire pressure monitoring sensor arranged with a vehicle wheel using confidence interval analysis and change of wheel direction

Номер патента: WO2015025227A2. Автор: Peter Walker,John Greer,Gary Graham,Steven Baird,Alan MILLEN,James COALTER,Edward FRIEL. Владелец: Schrader Electronics Limited. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for detecting a liquid composition applied onto a cellulose blank structure with a detection system and a detection system

Номер патента: US20240255422A1. Автор: Olle HÖGBLOM. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for burning a fuel in a wood stove, a wood stove with a controller; and an air regulator for a wood stove

Номер патента: WO2013068015A1. Автор: Vagn Hvam Pedersen. Владелец: Hwam A/S. Дата публикации: 2013-05-16.

Devices, systems, and methods for detecting the rotation of one or more components for use with a wellbore

Номер патента: CA3240148A1. Автор: Terry Wright,Eric Larson,Terry Treiberg. Владелец: Theta Oilfield Services Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

A distress signaling system, a body area network for enabling a distress signaling, a method for signaling a condition of a distress and a vehicle arranged with a distress signaling system

Номер патента: EP1625559A1. Автор: Jens c/o Philips Int. Prop.Stand.GmbH MUEHLSTEFF,Harald c/o Philips Int. Prop. Stand. GmbH REITER,Andras c/o Philips Int.Prop.Stand. GmbH MONTVAY,Josef c/o Philips Int. Prop. Stand. GmbH LAUTER,Olaf c/o Philips Int. Prop. Stand. GmbH SUCH,Ralf c/o Philips Int. Prop. Stand. GmbH SCHMIDT,Michael c/o Philips Int.Prop.Stand. GmbH PERKUHN,Fabian c/o Philips Int. Prop. Stand. GmbH KOHLER. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-02-15.

System and Method for Producing a Heat-sealable Composite Liquid Impervious, Moisture-Eliminating Membrane with a Metallic Antimicrobial Surface Treatment

Номер патента: US20210268787A1. Автор: Joel Martz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for filling a gap in the coating of a pipeline coated with a coating, preferably a thermo-insulating coating

Номер патента: US09976685B2. Автор: Petronella Francisca Maria Beris,Kirill Gennadjevich KAVELIN. Владелец: Bluemarine Offshore Yard Service BV. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for the continuous processing of two-level data on a system with a plurality of nodes

Номер патента: US09959290B2. Автор: Francesco Alesiani,Nitin MASLEKAR. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Brake controller, elevator system and a method for performing an emergency stop with an elevator hoisting machine driven with a frequency converter

Номер патента: US09873591B2. Автор: Ari Kattainen,Lauri Stolt,Antti Kallioniemi,Pasi Raassina,Arto Nakari,Tapio Saarikoski. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for burning a fuel in a wood stove, a wood stove with a controller; and an air regulator for a wood stove

Номер патента: US09803870B2. Автор: Vagn Hvam Pedersen. Владелец: IHS Innovation APS. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for detecting turbulence conditions, using the interaction of a laser beam with a thin photochromic film, and device for implementing said method

Номер патента: US09684011B2. Автор: Régis Barille. Владелец: Universite dAngers. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for obtaining information about a radiation source or a material interacting with a radiation source and a measurement setup for performing the method

Номер патента: US09651505B2. Автор: Alexander Howard,Rico Chandrasekharan,Giovanna Davatz. Владелец: Arktis Radiation Detectors Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for the treating of products such as eggs to be hatched with a conditioned gas stream, and climate chamber for carrying out the method

Номер патента: US09615549B2. Автор: Tjitze Meter. Владелец: HatchTech Group BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing an aircraft structure component having an outer skin provided with a smooth outer surface

Номер патента: US09452445B2. Автор: Eckart Frankenberger. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2016-09-27.

Reset signal generator and a method for generating reset signal of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7795932B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Seamless electronic system and method for application, acceptance of, authorizing access to, and tracking purchases made with a new credit account

Номер патента: US11847636B2. Автор: Mike Schmidt. Владелец: Bread Financial Payments Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Systems and methods for implementing machine learning in a local apl edge device with power constraints

Номер патента: EP4354231A1. Автор: Harshad MAHAJAN,Harikrishnan Baskaran. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Apparatus and method for shaping plastic preforms into plastic containers, having a clean room with a removable cover apparatus

Номер патента: US20240066784A1. Автор: Florian Geltinger,Andreas Roth,Christian Wittmann,Mathias Burgmeier,Christian HUETTNER. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for generating a resultant tomogram from a number of tomograms registered with a computer tomography (CT) apparatus

Номер патента: US20010050969A1. Автор: Otto Sembritzki,Heinrich Wallschlaeger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-12-13.

Method for reducing the risk of rollover of an automotive vehicle provided with a controllable suspension system

Номер патента: US09849747B2. Автор: DIEUMET Denis,Roland Lenain,Nicolas Bouton,Mathieu Richier,Benoit Thuilot. Владелец: Universite Blaise Pascal Clermont Ferrand II. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for treating a panel of wood-based material and building panel with a core of wood-based material

Номер патента: US09802222B2. Автор: Frank Oldorff. Владелец: Flooring Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Packing method for producing a hinged-lid, slide-open package of tobacco articles with a sealing flap

Номер патента: US09701429B2. Автор: Michele Squarzoni. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for producing a ring-pull top from a steel sheet provided with a protective layer and a ring-pull top produced thereby

Номер патента: US09623473B2. Автор: Karl Ernst Friedrich,Dirk Matusch,Reiner Sauer,Burkhard KAUP. Владелец: THYSSENKRUPP RASSELSTEIN GMBH. Дата публикации: 2017-04-18.

Systems and methods for activating and using a trackpad at an electronic device with a touch-sensitive display and no force sensors

Номер патента: US11119653B2. Автор: Marcos Alonso Ruiz,Morgan H. Winer,Randal J. Marsden,Colin D. Munro. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299B1. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299A1. Автор: LEE HENG LEE. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

Apparatus and method for improving dynamic refresh in a semiconductor memory device by temperature measurement

Номер патента: EP1784836A1. Автор: Perry Willmann Remaklus, Jr.,Robert Michael Walker. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Method for use in making a blister package lid

Номер патента: US11793717B1. Автор: David Neuman. Владелец: Automated Assembly Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170352315A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20160321998A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170069272A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and...

Номер патента: US20160189637A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Systems and methods for stimulating or blocking a nerve using an electrode device with a sutureless closure

Номер патента: US20230355965A1. Автор: Steven M. Goetz,Rebecca K. Gottlieb,David John Miller,Leonid M. Litvak,Kanthaiah Koka,Maneesh Shrivastav,ShaileshKumar V. Musley,Suryakiran Vadrevu. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for predicting the survival of a patient with chronic heart failure with a low left ventricular ejection fraction for 1 year

Номер патента: RU2646750C1. Автор: Лариса Васильевна Прокопова,Мария Юрьевна Ситникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Северо-Западный федеральный медицинский исследовательский центр имени В.А. Алмазова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of making a wall-coated open tubular capillary column with a poly benzyl stationary phase

Номер патента: US12037318B1. Автор: Ahmed Yacine Badjah Hadj Ahmed,Zeid Abdullah Alothman,Mohamed Ali Ouladsmane,Mohammed Mousa Alshehri. Владелец: KING SAUD UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for regeneration of a fast filter with fine-grained quartz loading with a solution of natural surfactant

Номер патента: RU2674911C1. Автор: Елена Борисовна Алексеенко,Александра Андреевна Иванова. Владелец: Александра Андреевна Иванова. Дата публикации: 2018-12-14.

Method for predicting the development of infectious complications and sepsis in patients with a severe traumatic brain injury

Номер патента: RU2743806C1. Автор: Константин Иванович Себелев,Ирина Александровна Саввина,Юлия Михайловна Забродская,Наталья Валерьевна Бодарева,Николай Владимирович Лавриненко,Ирина Варламовна Ткебучава. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр имени В.А. Алмазова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-26.

Method for separable attachment of an epithesis to a bone, and epithesis with a fixing device by means of which this method can be applied

Номер патента: US5597306A. Автор: Sieglinde Horlitz,Andy Ovist. Владелец: Sieglinde Horlitz. Дата публикации: 1997-01-28.

Method for the preparation of catalyst components for the polymerization of ethylene with a relatively narrow molecular weight distribution and protocatalyst composition

Номер патента: US5322830A. Автор: Jukka Koskinen,Pekka Sormunen,Paivi Waldvogel. Владелец: Neste Oyj. Дата публикации: 1994-06-21.

Method for identifying changes in signal frequencies emitted by a stylus interacting with a digitizer sensor

Номер патента: GB201006936D0. Автор: . Владелец: N Trig Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

Method for representing a patient's treatment site as data for use with a CAD or CAM device

Номер патента: US5452407A. Автор: David F. Crook. Владелец: Amei Technologies Inc. Дата публикации: 1995-09-19.

Method for the treating of products, such as eggs to be hatched, with a conditioned gas stream, and climate chamber for carrying out the method

Номер патента: EP2299807A1. Автор: Tjitze Meter. Владелец: HatchTech Group BV. Дата публикации: 2011-03-30.

Apparatus and method for preparing a lateral pipe and the junction of the lateral with a main sewer line

Номер патента: CA2337852C. Автор: Larry W. Kiest, Jr.. Владелец: LMK Enterprises Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Brake controller, elevator system and a method for performing an emergency stop with an elevator hoisting machine driven with a frequency converter

Номер патента: WO2013178872A1. Автор: Ari Kattainen,Lauri Stolt,Antti Kallioniemi,Pasi Raassina,Arto Nakari,Tapio Saarikoski. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

An apparatus and methods for dispensing at least one segment of a printed media sheet with a plurality of segments

Номер патента: WO2013105901A1. Автор: Xin Hua JIN,Sea Mang Ying,Tzy Woei Chu. Владелец: VENTURE CORPORATION LIMITED. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for the treating of products, such as eggs to be hatched, with a conditioned gas stream, and climate chamber for carrying out the method

Номер патента: CA2728424C. Автор: Tjitze Meter. Владелец: HatchTech Group BV. Дата публикации: 2017-05-16.

Brake controller, elevator system and a method for performing an emergency stop with an elevator hoisting machine driven with a frequency converter

Номер патента: CA2871401C. Автор: Ari Kattainen,Lauri Stolt,Antti Kallioniemi,Pasi Raassina,Arto Nakari,Tapio Saarikoski. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Systems and methods for correcting a voice query based on a subsequent voice query with a lower pronunciation rate

Номер патента: US20180286390A1. Автор: Arun Sreedhara. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Method For Calibrating A Wheel Sensor, Corresponding Wheel Sensor, And Railway Installation With A Wheel Sensor Of This Kind

Номер патента: US20190329801A1. Автор: Klaus Heinrich,Lutz-Helge Radwan,Carsten Heise,Eric Nannen. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2019-10-31.

Compositions, systems, and methods for identifying a compound that modulates one or more characteristics associated with a RBM20 condensate and/or a RBM20 polypeptide

Номер патента: AU2020349522A1. Автор: Mark Andrew Murcko,Ann D. Kwong,Bruce Aaron BEUTEL,Stephen Paul HALE,Peter Jeffrey DANDLIKER,Božena KESIĆ,John C. MANTEIGA,Avinash Patel,Juwina WIJAYA. Владелец: Dewpoint Therapeutics Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for evaluating whether an individual with cancer is suitable for treatment with a CDK inhibitor

Номер патента: US11761044B2. Автор: Hsin-Pai LI,Cheng-Lung Hsu. Владелец: Chanelun Iversity. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for rewriting data in nonvolatile memory and semiconductor device

Номер патента: US20190115080A1. Автор: Tomomi Watanabe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for laying a pipeline offshore using an s-lay system provided with a stinger having a plurality of roller boxes

Номер патента: WO2011154526A1. Автор: Andre Luur Jan Steenhuis,Tjomme Van Norden. Владелец: ALLSEAS GROUP S.A.. Дата публикации: 2011-12-15.

Systems and methods for correcting a voice query based on a subsequent voice query with a lower pronunciation rate

Номер патента: US11853338B2. Автор: Arun Sreedhara. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for controlling the boost pressure on a piston internal combustion engine with a turbocharger

Номер патента: US20020134080A1. Автор: Friedrich Ostertag. Владелец: FEV Motorentechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-09-26.

A method for treating products and articles contaminated with contagious pathogens by treatment with a urea analogue

Номер патента: NZ507037A. Автор: Hans Klieber. Владелец: NOKUTA Pty Ltd. Дата публикации: 2002-03-01.

Recombinant virus products and methods for inhibiting expression of dystrophia myotonica protein kinase and/or interfering with a trinucleotide repeat expansion in the 3' untranslated region of the dmpk gene

Номер патента: WO2020041634A1. Автор: Kelly Reed Clark,Scott Quenton HARPER,Nicolas Sebastien WEIN. Владелец: Research Institute At Nationwide Children's Hospital. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for determining the pathogenicity/benignity of a genomic variant in connection with a given disease

Номер патента: US20240029827A1. Автор: Ivan LIMONGELLI,Giovanna Nicora. Владелец: Engenome Srl. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for generating a two-dimensional distance field within a cell associated with a corner of a two-dimensional object

Номер патента: WO2004086306A1. Автор: Ronald N. Perry,Sarah F. Frisken. Владелец: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2004-10-07.

A method for determining the pathogenicity/benignity of a genomic variant in connection with a given disease

Номер патента: EP4193364A1. Автор: Ivan LIMONGELLI,Giovanna Nicora. Владелец: Engenome Srl. Дата публикации: 2023-06-14.

A method for controlling a fan of a vapour compression system in accordance with a variable temperature setpoint

Номер патента: US20190323752A1. Автор: Jan Prins,Frede Schmidt,Kristian Fredslund. Владелец: Danfoss AS. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for updating a computing device, a computing device and a vehicle with a computing device

Номер патента: EP4356240A1. Автор: Matthias Harries,Tobias LEYENDECKER. Владелец: Cariad SE. Дата публикации: 2024-04-24.

Systems and methods for correcting a voice query based on a subsequent voice query with a lower pronunciation rate

Номер патента: US20240134896A1. Автор: Arun Sreedhara. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for updating a computing device, a computing device and a vehicle with a computing device

Номер патента: WO2023036433A1. Автор: Matthias Harries,Tobias LEYENDECKER. Владелец: Cariad SE. Дата публикации: 2023-03-16.

Compositions, systems, and methods for identifying a compound that modulates one or more characteristics associated with a rbm20 condensate and/or a rbm20 polypeptide

Номер патента: CA3154026A1. Автор: Mark Andrew Murcko,Ann D. Kwong,Bruce Aaron BEUTEL,Stephen Paul HALE,Peter Jeffrey DANDLIKER,Božena KESIĆ,John C. MANTEIGA,Avinash Patel,Juwina WIJAYA. Владелец: Dewpoint Therapeutics Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Compositions, systems, and methods for identifying a compound that modulates one or more characteristics associated with a rbm20 condensate and/or a rbm20 polypeptide

Номер патента: EP4031864A2. Автор: Mark Andrew Murcko,Ann D. Kwong,Bruce Aaron BEUTEL,Stephen Paul HALE,Peter Jeffrey DANDLIKER,Božena KESIĆ,John C. MANTEIGA,Avinash Patel,Juwina WIJAYA. Владелец: Dewpoint Therapeutics Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Compositions, systems, and methods for identifying a compound that modulates one or more characteristics associated with a rbm20 condensate and/or a rbm20 polypeptide

Номер патента: WO2021055642A2. Автор: Mark Andrew Murcko,Bruce Aaron BEUTEL,Stephen Paul HALE,Avinash Patel. Владелец: Dewpoint Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for monitoring the production of containers filled with an aqueous system with a production facility, use of a monitoring method and production facility

Номер патента: CA3206299A1. Автор: Roland Concin,Bernhard Lang,Arno BREUSS,Christian PILLEI,Patrick VONBRUEL,Ralf ÖCHSNER. Владелец: RED BULL GMBH. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for monitoring the production of containers filled with an aqueous system with a production facility, use of a monitoring method and production facility

Номер патента: US20240051810A1. Автор: Roland Concin,Bernhard Lang,Arno BREUSS,Christian PILLEI,Patrick VONBRUEL,Ralf ÖCHSNER. Владелец: RED BULL GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for burning a fuel in a wood stove, a wood stove with a controller; and an air regulator for a wood stove

Номер патента: EP2776761A1. Автор: Vagn Hvam Pedersen. Владелец: IHS Innovation APS. Дата публикации: 2014-09-17.

Methods for supporting grain intensive and/or energy intensive diets in ruminants with a synthetic bioensemble of microbes

Номер патента: AU2024201880A1. Автор: Norman Pitt,Mallory EMBREE,Corey DODGE,Cameron MARTINO,Jordan EMBREE. Владелец: Native Microbials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

A method for determining the pathogenicity/benignity of a genomic variant in connection with a given disease

Номер патента: WO2022029567A1. Автор: Ivan LIMONGELLI,Giovanna Nicora. Владелец: Engenome S.R.L.. Дата публикации: 2022-02-10.

A method for controlling a fan of a vapour compression system in accordance with a variable temperature setpoint

Номер патента: EP3411642A1. Автор: Jan Prins,Frede Schmidt,Kristian Fredslund. Владелец: Danfoss AS. Дата публикации: 2018-12-12.

Recombinant virus products and methods for inhibiting expression of dystrophia myotonica protein kinase and/or interfering with a trinucleotide repeat expansion in the 3' untranslated region of the dmpk gene

Номер патента: EP3841209A1. Автор: Kelly Reed Clark,Scott Quenton HARPER,Nicolas Sebastien WEIN. Владелец: Research Institute at Nationwide Childrens Hospital. Дата публикации: 2021-06-30.

Method for generating a two-dimensional distance field within a cell associated with a corner of a two-dimensional object

Номер патента: EP1606772A1. Автор: Ronald N. Perry,Sarah F. Frisken. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

System and method for data storage and diagnostics in a portable communication device interfaced with a telematics unit

Номер патента: US20060155437A1. Автор: Mingheng Wang,Steven Ross,Edward Chrumka. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2006-07-13.

Apparatus and method for injection moulding a thin-walled container having a base wall with a planar interior surface

Номер патента: US4966744A. Автор: Jens O. Sorensen. Владелец: PRIMTEC A CORP OF. Дата публикации: 1990-10-30.

Method for manufacturing articles in the form of a slab or block with a hardening binder, and articles thus obtained

Номер патента: AU2018253406B2. Автор: Luca Toncelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing articles in the form of a slab or block with a hardening binder, and articles thus obtained

Номер патента: US11753336B2. Автор: Luca Toncelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-12.

System and method for entity resolution using a sorting algorithm and a scoring algorithm with a dynamic thresholding

Номер патента: US20240028620A1. Автор: Ismail Birkan Can,Samuel Kwonil Sone,Namrata Kripalani Felger,Vishwanath Karthik Pendyala. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for humidity conditioning sample gas of a patient breathing circuit affiliated with a ventilator and/or nitric oxide delivery system

Номер патента: NZ747121A. Автор: John Stanton,John Berndt. Владелец: Mallinckrodt Hospital Products Ip Ltd. Дата публикации: 2023-09-29.

System and method for removing or installing a main shaft of a wind turbine with a push/pull system configured at an end of the main shaft

Номер патента: WO2018200925A1. Автор: Gregory Clarence Thomas,Darrick Adam Vanderwalker,Jawan QADIR. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for forming a layer of single-phase oxide (Fe, Cr)2O3 with a rhombohedral structure on a steel or super alloy substrate

Номер патента: US11965253B2. Автор: Olivier Raccurt,Olivier Sicardy,Francis Bourguignon,Jean-Marie Gentzbittel,Pierre-Jean Marchais. Владелец: Mannesmann Precision Tubes France SAS. Дата публикации: 2024-04-23.

System and method for removing or installing a main shaft of a wind turbine with a push/pull system configured at an end of the main shaft

Номер патента: US20180313331A1. Автор: Gregory Clarence Thomas,Darrick Adam Vanderwalker,Jawan QADIR. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for controlling the evolution of an alcoholic beverage in a container with a closing stopper

Номер патента: US8734880B2. Автор: Jose Luis Godoy Varo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-27.

Apparatus and method for humidity conditioning sample gas of a patient breathing circuit affiliated with a ventilator and/or nitric oxide delivery system

Номер патента: US20200061328A1. Автор: John P. Stanton,John V. Berndt. Владелец: Mallinckrodt Hospital Products IP Unlimited Co. Дата публикации: 2020-02-27.

Apparatus and method for humidity conditioning sample gas of a patient breathing circuit affiliated with a ventilator and/or nitric oxide delivery system

Номер патента: EP3452158A1. Автор: John P. Stanton,John V. Berndt. Владелец: Mallinckrodt Hospital Products IP Unlimited Co. Дата публикации: 2019-03-13.

Apparatus and method for humidity conditioning sample gas of a patient breathing circuit affiliated with a ventilator and/or nitric oxide delivery system

Номер патента: US11452835B2. Автор: John P. Stanton,John V. Berndt. Владелец: Mallinckrodt Pharmaceuticals Ireland Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Apparatus and method for humidity conditioning sample gas of a patient breathing circuit affiliated with a ventilator and/or nitric oxide delivery system

Номер патента: NZ747121B2. Автор: John V Berndt,John P Stanton. Владелец: Mallinckrodt Hospital Products IP Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatus and method for humidity conditioning sample gas of a patient breathing circuit affiliated with a ventilator and/or nitric oxide delivery system

Номер патента: AU2022205152B2. Автор: John P. Stanton,John V. Berndt. Владелец: Mallinckrodt Pharmaceuticals Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Composition and method for improving retention and drainage in papermaking processes by activating microparticles with a promoter-flocculant system

Номер патента: US20120216970A9. Автор: Jane B. Wong Shing,Javier S. Cardoso. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2012-08-30.

Composition and method for improving retention and drainage in papermaking processes by activating microparticles with a promoter-flocculant system

Номер патента: EP2171155A2. Автор: Jane B. Wong Shing,Javier S. Cardoso. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2010-04-07.

Method for manufacturing articles in the form of a slab or block with a hardening binder, and articles thus obtained

Номер патента: AU2018253407B2. Автор: Luca Toncelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

System and method for performing auto-location of a tire pressure monitoring sensor arranged with a vehicle wheel

Номер патента: WO2013032507A1. Автор: John Greer,Samuel Strahan. Владелец: Schrader Electronics Ltd.. Дата публикации: 2013-03-07.

System and method for removing or installing a main shaft of a wind turbine with a push/pull system configured at an end of the main shaft

Номер патента: EP3615793A1. Автор: Gregory Clarence Thomas,Darrick Adam Vanderwalker,Jawan QADIR. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-03-04.

System and method for improving the anti-seismic and energetic performances of existing buildings with a frame structure of reinforced concrete

Номер патента: EP4301949A1. Автор: Andrea Borneto,Alessandro Borneto,Alberto Borneto,Stefano Foglietta. Владелец: Antisismicam Srl. Дата публикации: 2024-01-10.

System and method for improving the anti-seismic and energetic performances of existing buildings with a frame structure of reinforced concrete

Номер патента: WO2022185154A1. Автор: Andrea Borneto,Alessandro Borneto,Alberto Borneto,Stefano Foglietta. Владелец: Antisismicam Società A Responsabilità Limitata. Дата публикации: 2022-09-09.

Method for supporting a variety of instruction fetch units in a pipeline with a single microprocessor core

Номер патента: WO1998020414A1. Автор: Jay Heeb,Dennis O'Connor,Stephen Strazdus,Thomas Adelmeyer,Paul G. Meyer,Avery Topps. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1998-05-14.

Method for manufacturing articles in the form of a slab or block with a hardening binder, and articles thus obtained

Номер патента: EP3609853A1. Автор: Luca Toncelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210229978A1. Автор: Thomas Kieran Nunan,Ijaz Jafri,Diego Emilio Serrano,Amir Rahafrooz. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

METHOD OF MAKING HETEROGENEOUS p-n JUNCTION BASED ON ZINC OXIDE NANORODS

Номер патента: RU2396634C2. Автор: Андрей Николаевич Баранов,Олег Викторович Кононенко,Геннадий Николаевич Панин,Аркадий Николаевич Редькин,Тае-Вон Канг. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2010-08-10.

SELF-ALIGNED CONTACT COMBINED WITH A REPLACEMENT METAL GATE/HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20120139062A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

Apparatus and a method for use in making a railway rail-fastening clip

Номер патента: CA1097896A. Автор: Peter E. Checkley. Владелец: Pandrol Ltd. Дата публикации: 1981-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20120129310A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты