Method for manufacturing BAW resonators on a semiconductor wafer
Номер патента: US09647625B2
Опубликовано: 09-05-2017
Автор(ы): David Petit, Jean-François Carpentier, Pierre Bar, Pierre Dautriche, Sylvain Joblot
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS, STMICROELECTRONICS SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-05-2017
Автор(ы): David Petit, Jean-François Carpentier, Pierre Bar, Pierre Dautriche, Sylvain Joblot
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS, STMICROELECTRONICS SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Systems and methods for improving measurement of light transmittance through ink deposited on a substrate
Номер патента: TW200941088A. Автор: John White,Quanyuan Shang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-01.