SYSTEMS AND METHODS FOR INTEGRATING DIFFERENT CHANNEL MATERIALS INTO A CMOS CIRCUIT BY USING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING MULTIPLE TRANSISTOR LAYERS
Номер патента: US20160071885A1
Опубликовано: 10-03-2016
Автор(ы): Lin Yi-Tang, Wann Clement Hsingjen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-03-2016
Автор(ы): Lin Yi-Tang, Wann Clement Hsingjen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US20180269212A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.