Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US8921949B2
Опубликовано: 30-12-2014
Автор(ы): Hung-Hsin Kuo, Kou-Liang CHAO, Mei-Ling Chen, Tse-Chuan SU
Принадлежит: PFC DEVICE CORP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Mos p-n junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084136A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US9362350B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865700B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595617B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133480A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

The manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: CN103779414B. Автор: 新村康,立道秀平,西村武义,井上正范. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-26.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09460927B2. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150287601A1. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20130119432A1. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Mos p-n junction schottky diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140295628A1. Автор: Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-02.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180331052A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180294238A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and system for formation of p-n junctions in gallium nitride based electronics

Номер патента: US20160043182A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Linda Romano,Thomas R. Prunty,Mahdan Raj. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

P-n junction diffusion barrier employing mixed dopants

Номер патента: US5208184A. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8558315B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-10-15.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140004681A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-01-02.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8735228B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-05-27.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140308799A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-16.

TERAHERTZ DETECTOR COMPRISED OF P-N JUNCTION DIODE

Номер патента: US20180294238A1. Автор: Shahidi Ghavam G.,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Bipolar junction transistors and p-n junction diodes including stacked nano-semiconductor layers

Номер патента: US20230361112A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong,Gunho JO,Hyoeun Park,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Vertical p-n junction device and method of forming same

Номер патента: US20080258173A1. Автор: Steven H. Voldman,Benjamin T. Voegeli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Cold source MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113745314A. Автор: 李俊杰,许高博,吴振华,殷华湘,郭鸿,甘维卓. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-03.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Enhanced gan hemt radio-frequency device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178313A1. Автор: Guoqiang Li,Fanyi Zeng,Ling LUO,Shanjie LI,Zhiheng XING,Nengtao WU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Passivated P-N junction in mesa semiconductor structure

Номер патента: EP0820094A3. Автор: Willem G. Einthoven,Linda J. Down. Владелец: Arris Technology Inc. Дата публикации: 1998-03-11.

Passivated P-N junction in mesa semiconductor structure

Номер патента: EP0820094A2. Автор: Willem G. Einthoven,Linda J. Down. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-01-21.

Semiconductor device containing graphene p-n junctions and method for producing same

Номер патента: US09343532B2. Автор: SUNG Kim,Dong Hee Shin,Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-05-17.

P-N junction diodes in silicon carbide

Номер патента: US4947218A. Автор: Robert F. Davis,John A. Edmond. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1990-08-07.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

DEFECTIVE P-N JUNCTION FOR BACKGATED FULLY DEPLETED SILICON ON INSULATOR MOSFET

Номер патента: US20150179453A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Le Tiec Yannick,Khakifirooz Ali,Liu Qing,Grenouillet Laurent,Vinet Maud. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

P-n junction diode and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2007046936A3. Автор: Sheng-Huei Dai,Chun-jen Huang,Ya-Chin King,L C Kao. Владелец: Vishay General Semiconductor I. Дата публикации: 2007-07-12.

P-n junction diode and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2007046936A2. Автор: Sheng-Huei Dai,Chun-jen Huang,Ya-Chin King,L.C. Kao. Владелец: Vishay General Semiconductor, Llc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Gateless p-n junction metrolog

Номер патента: US20200150165A1. Автор: Albert Felix Rigosi. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2020-05-14.

Programmable Poly Fuse Using a P-N Junction Breakdown

Номер патента: US20130224933A1. Автор: Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Dual polysilicon material gate MOS device and its manufacture method

Номер патента: CN105390550B. Автор: 徐建彬. Владелец: Shanghai Feixun Data Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130168779A1. Автор: Chao Kou-Liang,Kuo Hung-Hsin,Su Tse-Chuan,Chen Mei-Ling. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2013-07-04.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Contacts to shallow p-n junctions

Номер патента: CA1120607A. Автор: Billy L. Crowder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180331052A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

METHOD OF MANUFACTURING A P-N JUNCTION SILICON WAFER AND P-N JUNCTION SILICON WAFER

Номер патента: FR3060842A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-22.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Method for fabricating semiconductor device with p-n junction isolation structure

Номер патента: US20220199769A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device with p=n junction, e.g n=channel transistor - has impurity diffusion region between first impurity region and impurity concentration peak

Номер патента: DE4325348A1. Автор: Kaoru Motonami,Kazumasa Mitsunaga,Hisaaki Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-02-10.

Trench MOS P-N diode structure and manufacturing method of same

Номер патента: TW201212242A. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2012-03-16.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Back-channel-etched tft substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157431A1. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming p-n junctions

Номер патента: CA1080835A. Автор: Jagdish Narayan,Rosa T. Young. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1980-07-01.

Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing

Номер патента: US4147563A. Автор: Jagdish Narayan,Rosa T. Young. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1979-04-03.

Semi-floating-gate device and its manufacturing method

Номер патента: US09748406B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Semi-floating-gate device and its manufacturing method

Номер патента: US09508811B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Tvs with enhanced repetitive surge performance

Номер патента: US20240096869A1. Автор: Lei Shi,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of making high power tvs with enhanced repetitive surge performance

Номер патента: US20240096872A1. Автор: CHAO Gao,Jifeng Zhou,Glenda Zhang. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

P-N JUNCTION BASED DEVICES WITH SINGLE SPECIES IMPURITY FOR P-TYPE AND N-TYPE DOPING

Номер патента: US20200035793A1. Автор: Lavoie Christian,Cohen Guy M.,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200161436A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200161436A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH P-N JUNCTION LOCATED IN SUBSTRATE

Номер патента: US20150263089A1. Автор: Wei Andy,SINGH Jagar. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Improvements in semiconductors, in particular with p-n junction, and their manufacture

Номер патента: FR84515E. Автор: Cyril Francis Drake. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1965-02-26.

Semiconductor device with a p-n junction and method for driving the same

Номер патента: EP0951075A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-20.

Improvements in semiconductors, in particular with p-n junction, and their manufacture

Номер патента: FR1365101A. Автор: Cyril Francis Drake,Kenneth Leopold Ellington. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1964-06-26.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200035793A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10615261B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10777645B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130130459A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Su Tse-Chuan,Chao Kuo-Liang. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for doping semiconducting silicon with phosphorus to create p-n junctions

Номер патента: RU2612043C1. Автор: Аркадий Алексеевич Скворцов,Марина Валерьевна Корячко,Павел Аркадьевич Скворцов,Маргарита Рушановна Рыбакова,Елена Николаевна Скворцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-03-02.

Automatic P-N junction formation during growth of a heterojunction

Номер патента: US3869322A. Автор: Jerome J Cuomo,Harold J Hovel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Thin film transistor (tft) array substrates and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20180331132A1. Автор: Mian Zeng,Xiaodi LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Bidirectional conduction trench gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170411A1. Автор: Dong Fang,Bo Zhang,Yong Chen,Ming Qiao,Wenliang LIU,Fabei ZHANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-01.

P-n junction diode

Номер патента: EP4404276A1. Автор: Akio Takatsuka,Kohei Sasaki. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

P-n junction structure

Номер патента: US20030178704A1. Автор: Anthony Kurtz. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: WO2023048778A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: US12035520B2. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with p-n junction

Номер патента: WO2011082633A1. Автор: Zhenqiang ZHOU,Tanghua Jiang. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2011-07-14.

TRENCH ISOLATION MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140308799A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling,Chao Kuo-Liang. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11942471B2. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method ofsemiconductor device

Номер патента: EP4002460A1. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240194665A1. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing process of p-n junctions

Номер патента: FR1252421A. Автор: . Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1961-01-27.

Production of controlled p-n junctions

Номер патента: US2975080A. Автор: Lorne D Armstrong. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1961-03-14.

P-n junction transistor

Номер патента: US2705767A. Автор: Robert N Hall. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1955-04-05.

Process for the production of two p-n junctions in semiconductor bodies, e.g. B. area transistors

Номер патента: DE1036393B. Автор: Dr Heinz Henker,Dr Phys Franz Kerkhoff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1958-08-14.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

TFT and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, X-ray detector and display device

Номер патента: US09647019B2. Автор: Peng Li,Zongmin Tian,Huichao Gao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478562B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Zuqiang Wang,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634043B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7737465B2. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100240202A1. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Dual-gate TFT array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966450B2. Автор: Shimin Ge. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068416B2. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Co-planar oxide semiconductor TFT substrate structure and manufacture method thereof

Номер патента: US09614104B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display panel

Номер патента: US20160300858A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Liang Sun,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Polycide gate stucture and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050148120A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553198B1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150084136A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160240695A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

MOS P-N JUNCTION SCHOTTKY DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140295628A1. Автор: Kuo Hung-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

Amorphous boron carbide films for p-n junctions and method for fabricating same

Номер патента: US20120037904A1. Автор: Anthony N. Caruso,Joseph A. Sandstrom,David A. Bunzow. Владелец: NORTH DAKOTA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-02-16.

Lateral p-n junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180175303A1. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-06-21.

Lateral P-N junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10468604B2. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2019-11-05.

Fabrication of integrated microcircuits utilizing dielectric p-n-junction isolation

Номер патента: US3725146A. Автор: M Roder. Владелец: MOLEKULARELEKTRONIK. Дата публикации: 1973-04-03.

Method for manufacturing trench type metal oxide semiconductor P-N junction diode

Номер патента: CN110648912A. Автор: 陈美玲. Владелец: PFC DEVICE HOLDING Ltd. Дата публикации: 2020-01-03.

METHOD OF FABRICATING A MERGED P-N JUNCTION AND SCHOTTKY DIODE WITH REGROWN GALLIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160005835A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Prunty Thomas R.,Bour Dave P.,Diduck Quentin,Aktas Ozgur. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD OF FABRICATING A MERGED P-N JUNCTION AND SCHOTTKY DIODE WITH REGROWN GALLIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20140312355A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Prunty Thomas R.,Bour Dave P.,Diduck Quentin,Aktas Ozgur. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2014-10-23.

Process for forming fast recovery diode with a single large area P/N junction

Номер патента: US6927141B2. Автор: Silvestro Fimiani,Davide Chiola,Kohji Andoh,Fabrizio Ruo Redda. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-09.

Programmable Poly Fuse Using a P-N Junction Breakdown

Номер патента: US20130224933A1. Автор: Vasiliu Laurentiu. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-29.

Gateless p-n junction metrolog

Номер патента: US20200150165A1. Автор: Albert Felix Rigosi. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2020-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A P-N JUNCTION FOR REDUCED CHARGE LEAKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160315161A1. Автор: Ku Shaw-Hung,Lee Chih-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

P-n junction formation - by doping with a metal droplet

Номер патента: DE2023110A1. Автор: Keiji Metsumoto,Toki Sato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1971-12-02.

Process for the production of p-n junctions of specific barrier layer size

Номер патента: DE1026876B. Автор: Friedrich Wilhelm Dehmelt. Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1958-03-27.

DIODE WITH P-N-JUNCTION HAVING CONTROLLED HETEROSTRUCTURE, SELF-POSITIONING ON HgCdTe, FOR IMAGER IN INFRARED SPECTRUM AREA

Номер патента: RU2618483C2. Автор: Лоран МОЛЛАР,Николя БАЙЕР,Йохан РОТМАН. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2017-05-03.

Solid state photomultiplier using buried P-N junction

Номер патента: US09728667B1. Автор: Chad Whitney,Erik Bjorn Johnson,Xiao Jie Chen,Christopher Stapels,James F. Christian. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Method and apparatus for non-contact measurement of forward voltage, saturation current density, ideality factor and I-V curves in P-N junctions

Номер патента: US09880200B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Single P-N Junction Tandem Photovoltaic Device

Номер патента: US20120031491A1. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Kin Man Yu,Joel W. Ager, III. Владелец: RoseStreet Labs Energy LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Single p-n junction tandem photovoltaic device

Номер патента: EP2158610A1. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Kin Man Yu,Joel W. Ager, III. Владелец: Rosestreet Labs Energy Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: EP1071132A3. Автор: Min Zhu,Kai Chartered Semiconductor Manuf. Pte Ltd. Shao,Shao-fu Chart. Semicond. Manuf. Ltd Sandford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Organic p-n junction based ultraviolet detection device and ultraviolet image detector using same

Номер патента: US09614009B2. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Photon precision sensor on semiconductor thyristor with one photosensitive n-p-junction and two light-emitting p-n-junctions

Номер патента: RU2673987C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-12-03.

Semiconductor device for amplification of photon flux with photosensitive and light-emitting p-n-junctions

Номер патента: RU2693834C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-07-05.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: US20230420599A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: WO2023250146A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Uv detector comprising a rectifying p-n junction

Номер патента: EP3519606A1. Автор: Damien Lenoble,Renaud Leturcq,Naoufal Bahlawane,Jonathan CREPELLIERE. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2019-08-07.

Method for producing the P-N junction of a thin-film photovoltaic cell and corresponding method for producing a photovoltaic cell

Номер патента: US09640687B2. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Field thyristor with non-isolated photosensitive optical gate and light-emitting p-n-junction

Номер патента: RU2693839C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-07-05.

Iii-nitride p-n junction device using porous layer

Номер патента: WO2021150688A1. Автор: Shuji Nakamura,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-29.

Compact arrays of color-tunable pixels having two p-n junctions

Номер патента: US20230420627A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Compact arrays of color-tunable pixels having two p-n junctions

Номер патента: WO2023250145A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Protection Device with P-N Junction Devices Monolithically Integrated in a Semiconductor Body

Номер патента: US20240038756A1. Автор: Josef-Paul Schaffer,Hubert Werthmann,Juliane Laurer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Apparatus and method for accurate measurement and mapping of forward and reverse-bias current-voltage characteristics of large area lateral p-n junctions

Номер патента: US09746514B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan,Ralph Nyffenegger,Biren Salunke,James A. Real. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

P-N junction optoelectronic device for ionizing dopants by field effect

Номер патента: US09601542B2. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for making a light emitting diode having a P-N junction doped with one or more luminescent activator ions

Номер патента: US7863068B2. Автор: Kailash C. Mishra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

P-n junction semiconductor devices

Номер патента: US3735212A. Автор: Z Kun. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1973-05-22.

Apparatus and method for accurate measurement and mapping of forward and reverse-bias current-voltage characteristics of large area lateral p-n junctions

Номер патента: WO2015034936A1. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan,Ralph Nyffenegger,Biren Salunke,James A. Real. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

E-fuse with reverse bias p-n junction

Номер патента: WO2006039669A3. Автор: Richard Rouse,Freidoon Mehrad,Robert B Churchill. Владелец: Robert B Churchill. Дата публикации: 2008-06-26.

Mask, manufacturing method thereof and manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US09741828B2. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094958B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Ultrasound t/r isolation diode with fast recovery time on soi

Номер патента: WO2017106040A1. Автор: Hua Yang. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-06-22.

LOW-LEAKAGE REGROWN GAN P-N JUNCTIONS FOR GAN POWER DEVICES

Номер патента: US20210104603A1. Автор: Fu Kai,Fu Houqiang,Zhao Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Method for the size of p-n junctions

Номер патента: FR1526789A. Автор: Pierre Giraud. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1968-05-31.

Method for the size of p-n junctions

Номер патента: FR92553E. Автор: . Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1968-11-29.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMATION OF P-N JUNCTIONS IN GALLIUM NITRIDE BASED ELECTRONICS

Номер патента: US20160043182A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Raj Mahdan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Shallow P-N Junction with Sealed Trench Termination

Номер патента: US20150123240A1. Автор: Bowman Ronald R.,Crockett Addison R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

DEFECTIVE P-N JUNCTION FOR BACKGATED FULLY DEPLETED SILICON ON INSULATOR MOSFET

Номер патента: US20140312461A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Le Tiec Yannick,Khakifirooz Ali,Liu Qing,Grenouillet Laurent,Vinet Maud. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor element with a planar p-n junction

Номер патента: EP0310836A2. Автор: Reinhard Stengl,Ulrich Dr. habil. Gösele. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-04-12.

Low-leakage regrown GaN p-n junctions for GaN power devices

Номер патента: US11626483B2. Автор: Kai Fu,Houqiang Fu,Yuji Zhao. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2023-04-11.

Coaxial 4-layer semiconducting organic nanocable including conductive charge trasfer p-n junction, the photo-electric device using the same and method for preparing the same

Номер патента: KR101039574B1. Автор: 김종현,박수영,정종원. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-06-09.

High reliability field effect power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780176B2. Автор: Hyun Wook Jung,Ho Kyun Ahn,Chull Won JU,Jong Min Lee,Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min,Kyu Jun CHO,Jae Won DO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-03.

Gallium-nitride-base heterostructure field effect transistor with transverse p-n junction composite buffering layer structure

Номер патента: CN102832241A. Автор: 于奇,罗谦,杜江锋,赵子奇,马坤华,尹江龙,张新川. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-12-19.

Junction barrier schottky diode with enhanced surge current capability

Номер патента: US20180212071A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Liutauras Storasta,Lars Knoll,Renato Minamisawa. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-07-26.

Junction barrier schottky diode with enhanced surge current capability

Номер патента: EP3146569A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Liutauras Storasta,Lars Knoll,Renato Minamisawa. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-29.

Device with a P-N junction and a means of reducing the risk of breakdown of the junction

Номер патента: US6064103A. Автор: Frank Pfirsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Method for making a p-n junction in a semiconductor body

Номер патента: FR1404345A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1965-06-25.

Field-Effect P-N Junction

Номер патента: US20130221415A1. Автор: Regan William,Zettl Alexander. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor controlled rectifiers with a p-n junction having a shallow impurity concentration gradient

Номер патента: US3249831A. Автор: Thorndike C New,Robert W Dolan. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1966-05-03.

Power semiconductor component has 2 opposing emitter zones separated by base zone providing P/N junction with one emitter zone which incorporates island zones of opposing conductivity

Номер патента: DE10339691B3. Автор: Hans-Joachim Dr. Schulze,Franz-Josef Dr. Niedernostheide,Reiner Dr. Barthelmess. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2005-04-07.

Improvements in planar p-n junctions

Номер патента: AU454328B2. Автор: WALTER DAVIES and VLADIMIR SVOBODA LEWIS. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1974-10-31.

Improvements in planar p-n junctions

Номер патента: AU3281071A. Автор: WALTER DAVIES and VLADIMIR SVOBODA LEWIS. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1973-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Thin film transistor driving backplane and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US09543415B2. Автор: Chien Hung Liu,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Buried gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230140073A1. Автор: GuangSu SHAO,Yong Gun KIM,Cheong Soo Kim,Xianrui HU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having buried gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508723B2. Автор: Sang Gon Lee,Sun Joo PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Organic light-emitting diode with scattering layer of aluminum-cobalt-copper nano-quasicrystal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11588136B2. Автор: Jwo-huei Jou,Sinn-Wen Chen,Anbalagan RAMAKRISHNAN,Sudam CHAVHAN,Kiran Kishore KESAVAN,Mangey Ram NAGAR. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-02-21.

Formation of compound semiconductor p-n junction

Номер патента: JPS5846630A. Автор: Akira Mita,三田　陽. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-03-18.

P-n junction forming method

Номер патента: JPS6118126A. Автор: Takeshi Sakurai,Toshikimi Takagi,Yasuhito Nakagawa,武 桜井,中川　泰仁,高木　俊公. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-01-27.

Method for forming p-n junction

Номер патента: JPS6065528A. Автор: Haruo Ito,晴夫 伊藤,Tadashi Saito,忠 斉藤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-04-15.

Formation of semiconductor p-n junction

Номер патента: JPS5992525A. Автор: Yoshiharu Tashiro,Toshitaka Torikai,俊敬 鳥飼,田代　義春. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-28.

Electrical junction device with lightly doped buffer region to precisely locate a P-N junction

Номер патента: EP0607936A1. Автор: Madjid Hafizi,Robert A. Metzger,William E. Stanchina,David B. Rensch. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-07-27.

Piezojunction device with an encapsulating p-n junction

Номер патента: US3443165A. Автор: Wilhelm Rindner,Roger F Nelson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1969-05-06.

P-N Junction Devices with Group IV Element-Doped Group III-V Compound Semiconductors

Номер патента: CA2100492A1. Автор: Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-02-25.

Modulating device having a curved p-n junction

Номер патента: US3454843A. Автор: Walter Fulop,Paul Charles Maria De Belatini. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1969-07-08.

Integrated circuit with p-n junctions with reduced defects

Номер патента: WO2000002249A2. Автор: Reinhard Stengl,Volker Lehmann,Martin Franosch,Herbert Schafer,Hans Reisinger,Hermann Wendt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-01-13.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

PROCESS FOR MANUFACTURING P-N JUNCTION SILICON WAFER AND P-N JUNCTION SILICON WAFER

Номер патента: FR3067856A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-12-21.

METHOD OF MANUFACTURING A P-N JUNCTION SILICON WAFER AND P-N JUNCTION SILICON WAFER

Номер патента: FR3060843A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-22.

Method of producing improved alloyed silicon-aluminum p-n junctions

Номер патента: US3122460A. Автор: Sato Akihiko,Moriguchi Yoshiro. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1964-02-25.

Method for forming p-n junctions on semiconductors

Номер патента: US3194701A. Автор: Robert P Lothrop. Владелец: Individual. Дата публикации: 1965-07-13.

Formation of p-n junctions

Номер патента: US3014819A. Автор: Lloyd P Hunter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1961-12-26.

METHOD OF MANUFACTURING P-N JUNCTIONS BY ELECTROMIGRATION

Номер патента: FR2497402B1. Автор: Richard Anthony Thomas. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-09-26.

Method for producing an electrical semiconductor arrangement with at least one p-n junction

Номер патента: DE1116824B. Автор: Dipl-Phys Karl-Heinz Ginsbach. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1961-11-09.

Process for the production of p-n junctions in semiconductor bodies by alloying

Номер патента: DE1083937B. Автор: John Levinson,David E Humez,Geoffrey Knight Jun. Владелец: ELEKTRONIK MBH. Дата публикации: 1960-06-23.

Process for obtaining semiconductors with alloyed p-n junctions

Номер патента: FR1265841A. Автор: Wolfgang Schäfer. Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1961-07-07.

Process for direct integration of a thin-film silicon p-n junction diode with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20050083729A1. Автор: Daniel Toet,Thomas Sigmon. Владелец: Sigmon Thomas W.. Дата публикации: 2005-04-21.

P-n junction diode

Номер патента: WO2023042568A1. Автор: 公平 佐々木,章夫 高塚. Владелец: 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー. Дата публикации: 2023-03-23.

Heterojunction avalanche diode with a ternary alloy of gallium, indium and arsenic, and a binary alloy of indium and phosphorus

Номер патента: US4186407A. Автор: Daniel Delagebeaudeuf,Thomas Pearsall. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1980-01-29.

JUNCTION BARRIER SCHOTTKY RECTIFIERS HAVING EPITAXIALLY GROWN P+-N JUNCTIONS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20130140585A1. Автор: Cheng Lin,Mazzola Michael S.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor diode having a p-n junction and little or no diffusion voltage

Номер патента: DE3631641A1. Автор: Friedrich Wilhelm Prof Dehmelt. Владелец: Dehmelt friedrich Wilhelm profdr-Ing. Дата публикации: 1987-03-26.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (tft) and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160027807A1. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, compound, composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09932441B2. Автор: Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653484B2. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09804459B2. Автор: Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: EP3796385A1. Автор: Zhen Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Pixel array structure having doped active layer with uneven thickness and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09985140B2. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09651839B2. Автор: Xiaojing QI,Like HU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Array substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and display device

Номер патента: US09543325B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US10050200B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US9728723B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic Thin Film Transistor and Manufacturing Method Thereof, Array Substrate

Номер патента: US20170294584A1. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US09728723B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Pin diode and manufacturing method thereof, and x-ray detector using pin diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484486B2. Автор: Sung Jin Choi. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Through substrate via structure and manufacturing method thereof, redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087665B2. Автор: Hsiang-Hung Chang,Wei-Lan Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

TRENCH ISOLATION MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140004681A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling,Chao Kuo-Liang. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2014-01-02.

Electroluminescent p-n junction diodes with nonuniform distribution of isoelectronic traps

Номер патента: CA922022A. Автор: Wiegmann William,A. Logan Ralph,G. White Harry. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1973-02-27.

SOS p--n Junction device with a thick oxide wiring insulation layer

Номер патента: US4447823A. Автор: Kenji Maeguchi,Hiroyuki Tango. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-08.

Silicon carbide integrated circuit including P-N junction photodiode

Номер патента: US10763284B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Brendan Michael Cusack,Mitchell Adrian Gross. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2020-09-01.

Method of forming p-n junctions in silicon

Номер патента: US3154444A. Автор: Wieland Dieter. Владелец: Clevite Corp. Дата публикации: 1964-10-27.

Process for preparing p-n junctions in semiconductors

Номер патента: US3054701A. Автор: Harold F John. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1962-09-18.

Lateral p-n junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3336058B1. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2021-08-11.

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor devices with p-n-junction -produced by forming - unsatd oxide or fluoridelayer

Номер патента: FR2099690A1. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1972-03-17.

Semiconductor substrate including doped zones forming P-N junctions

Номер патента: US8823147B2. Автор: Gerard Dubois,Olivier Philippe Kellener,Mehdi Mohamed Kanoun,Stephen McArdle. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2014-09-02.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of making p-n junction semiconductor units

Номер патента: US2765245A. Автор: Albert C English,John B Seabrook. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-10-02.

Method of forming p.n. junctions

Номер патента: MY6900202A. Автор: . Владелец: Texas Instruments Incorp.. Дата публикации: 1969-12-31.

Formation of p-n junction

Номер патента: JPS61141121A. Автор: Koji Yamashita,Atsushi Matsuzaki,Shigetaka Murasato,松崎　温,村里　茂隆,山下　広史. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1986-06-28.

Manufacturing processes of a p-n junction semiconductor element and new products thus obtained

Номер патента: FR1546251A. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1968-11-15.

Method of manufacturing semiconductor devices comprising one or more p-n junctions

Номер патента: FR1086596A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1955-02-14.

Formation of p-n junction

Номер патента: JPS6126212A. Автор: Hiroshi Tetsuda,鉄田　博. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-05.

Process of preparing a p-n junction in semiconductor alloys of mercury telluride and cadmium telluride

Номер патента: US3514347A. Автор: Huguette Rodot,Christian Verie. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1970-05-26.

Process for producing p-n junctions

Номер патента: IL47059A. Автор: . Владелец: Milstein S. Дата публикации: 1977-04-29.

Lateral p-n junction black phosphorus film, and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101941923B1. Автор: 김정원,김안순,권혁상,홍성웅. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2019-01-25.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE COMPRISING DOPED AREAS FORMING A P-N JUNCTION

Номер патента: FR2978614A1. Автор: Gerard Dubois,Olivier Philippe Kellener,Mehdi Mohamed Kanoun,Stephen McArdle. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2013-02-01.

Semiconductor characteristics and geometry - of p-n junctions improvement

Номер патента: DE2009475A1. Автор: Joachim Dipl.-Phys. Dresden Ittner. Владелец: Arbeitsstelle für Molekularelektronik, Dresden. Дата публикации: 1970-10-01.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE COMPRISING DOPED AREAS FORMING A P-N JUNCTION

Номер патента: FR2978614B1. Автор: Gerard Dubois,Olivier Philippe Kellener,Mehdi Mohamed Kanoun,Stephen McArdle. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2014-09-05.

Ionizing radiations planar converter and its manufacturing method

Номер патента: RU2599274C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Андрей Андреевич Краснов,Ксения Андреевна Кузьмина,Юлия Константиновна Омельченко,Валерий Петрович Яромский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2016-10-10.

Silicon carbide junction diode

Номер патента: US3767980A. Автор: G Kamath. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1973-10-23.

Design of monolithic silicon photoelectric converter and its manufacturing method

Номер патента: RU2608302C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Андрей Андреевич Краснов,Сергей Иванович Диденко,Ксения Андреевна Кузьмина,Юлия Константиновна Омельченко,Виталий Васильевич Старков,Дмитрий Сергеевич Ельников,Марина Николаевна Орлова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-01-17.

Single-photon avalanche diode with isolated junctions

Номер патента: US20240088173A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Solar cell module, electronic device having the same, and manufacturing method for solar cell

Номер патента: US20130284230A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Kuo-Sen Kung,Chun-Hao Tu,Ren-Hong Jhan,Ya-Zhi Hsiao,Ting-Chun Lin,Jen-Pei Tseng,Jiun-Jye Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-10-31.

Heterojunction structure-based solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US11769848B2. Автор: Jaehyeong LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-26.

Heterojunction structure-based solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210167238A1. Автор: Jaehyeong LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-06-03.

Solar cell system manufacturing method

Номер патента: US20130171761A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

High-performance heterojunction and preparation method thereof

Номер патента: NL2034051A. Автор: Li Jingbo,Sun Yiming,Wang Xiaozhou. Владелец: Zhejiang Xinke Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High-performance heterojunction and preparation method thereof

Номер патента: NL2034051B1. Автор: Li Jingbo,Sun Yiming,Wang Xiaozhou. Владелец: Zhejiang Xinke Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-02.

ORGANIC P-N JUNCTION BASED INFRARED DETECTION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND INFRARED IMAGE DETECTOR USING SAME

Номер патента: US20160118444A1. Автор: Liu Yawei. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Light sensitized and P-N junction silicon complexed solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100624765B1. Автор: 김현주,이원재,이동윤,구보근,송재성. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2006-09-20.

High-efficiency 1,000nm infrared light emitting diode, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355871A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2019-11-21.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Electrically conductive structure and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US10204931B2. Автор: Na Zhao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Light emitting diode with doped quantum wells and associated manufacturing method

Номер патента: US09515220B2. Автор: Ivan-Christophe Robin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-06.

Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency

Номер патента: US5416342A. Автор: John A. Edmond,Hua-Shuang Kong. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Light-emitting diode comprising stacked-type scattering layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130248875A1. Автор: Wen-Yu Lin,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Solar cell system manufacturing method

Номер патента: US20130171762A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Light-emitting diode with hyperbolic metamaterial

Номер патента: US11777054B1. Автор: Tanya Malhotra,Erik Shipton. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Light-emitting diode with hyperbolic metamaterial

Номер патента: US11469347B1. Автор: Tanya Malhotra,Erik Shipton. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2022-10-11.

Light-emitting diode with current-blocking

Номер патента: US5189496A. Автор: Masayuki Kuwabara. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-02-23.

Mesa structure diode with approximately plane contact surface

Номер патента: US09608037B2. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-28.

Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in semiconductors

Номер патента: GB849549A. Автор: John Reeves,Emrys Gwynne James,James Samuel Miller. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1960-09-28.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US09368522B2. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime

Номер патента: US5523589A. Автор: Vladimir Dmitriev,John A. Edmond,Gary E. Bulman,Hua-Shuang Kong. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1996-06-04.

Semicondoctor p-n junction device and manufacture thereof

Номер патента: JPS575325A. Автор: Junichi Nishizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-01-12.

Suspended p-n junction quantum-well device and optical waveguide monolithic integrated system and fabrication method thereof

Номер патента: CN105742383A. Автор: 蔡伟,王永进,袁威,袁炜,许银,高绪敏,朱桂遐. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2016-07-06.

M-surface BeZnOS-based non-P-N junction type transparent thin-film solar cell and preparation method thereof

Номер патента: CN109560150B. Автор: 陈剑,张武忠,何云斌,黎明锴,卢寅梅,常钢,张清风,李派,陈俊年. Владелец: Wuhan Ruilian Zhichuang Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Light-emitting diode with an electrically conductive window

Номер патента: US5008718A. Автор: Virginia M. Robbins,Robert M. Fletcher,Chihping Kuo,Timothy D. Osentowski. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1991-04-16.

In particular, radiation-responsive semiconductor crystal arrangement with p-n junction and the p-n junction against moisture-protecting cover

Номер патента: DE1047949B. Автор: Max Hugo Kellerbauer,Dipl-Phys Dr Richard Wiesner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1958-12-31.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: US20160049544A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-02-18.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: KR102156594B1. Автор: 이반-크리스토프 로빈,휴버트 보노. Владелец: 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스. Дата публикации: 2020-09-16.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: EP2979307B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-07-24.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

A silicon solar cells by using an hollow cathode plasma system for a p-n junction isolation and it's manufacturing method

Номер патента: KR100537757B1. Автор: 준 신 이. Владелец: 준 신 이. Дата публикации: 2005-12-20.

Semiconductor p-n junctions

Номер патента: GB1124942A. Автор: Kenneth Fraser Hulme,John Rowland Morgan. Владелец: Minister of Technology. Дата публикации: 1968-08-21.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse p/n junctions

Номер патента: SG80666A1. Автор: Chu Shao-Fu Sanford,Min Zhu,Kai Shao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-22.

Semiconductor p-n junction light emitting devices

Номер патента: CA1004340A. Автор: Cyril Hilsum. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1977-01-25.

Method of forming p-n junction in solar cell substrate

Номер патента: TW201244146A. Автор: Jason Dominguez,David Tanner,Prabhat Kumar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Photovoltaic device including a P-N junction and method of manufacturing

Номер патента: US09698285B2. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing the imaging device having a reduced p-n junction capacity at one or more of a floating diffusion section, source region, or drain region

Номер патента: US09472592B2. Автор: Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Silicon Wafers with p-n Junctions by Epitaxial Deposition and Devices Fabricated Therefrom

Номер патента: US20150040979A1. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ruiying Hao. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

LATERAL P-N JUNCTION BLACK PHOSPHORUS THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180175303A1. Автор: Kim Ansoon,KIM Jeong Won,KWON Hyuksang,HONG Songwoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING A P-N JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20190221685A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2019-07-18.

PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING A P-N JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20170271533A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2017-09-21.

METHOD OF MAKING THE P-N JUNCTION OF A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF OBTAINING THE PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: FR3006109A1. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-11-28.

Improvements to p-n junction devices and their manufacture

Номер патента: FR70514E. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1959-05-29.

P-n junction device and method of making the same by local fusion

Номер патента: US2822309A. Автор: Robert N Hall. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1958-02-04.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

High-sensitivity light intensity fluctuation detector based on p-n junction

Номер патента: CN111755556A. Автор: 吕惠宾,何萌,金奎娟,杨国桢,郭尔佳. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2020-10-09.

Optoelectronic component e.g. LED, has current path for draining charge carriers, which is formed parallel to p-n junction and is electrically connected to p-type and n-type semiconductor layers

Номер патента: DE102012223793A1. Автор: Martin Behringer,Robert Walter,Franz Eberhard. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-27.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Semiconductor device with at least one planar p-n junction

Номер патента: CH340558A. Автор: Nagorsen Hans. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1959-08-31.

Method for designing P-N junction structure of copper-based thin film solar cell with effectively separated current carriers and solar cell prepared by method

Номер патента: CN113471332A. Автор: 张毅,敖建平,刘越,刘芳芳,刘玮,郭洪玲,孟汝涛. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2021-10-01.

P-N junction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers

Номер патента: US20020047135A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Konstantin Vassilevski,Audrey Nikolaev. Владелец: Technology and Devices International Inc. Дата публикации: 2002-04-25.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing

Номер патента: US11769844B2. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing

Номер патента: US20190221685A1. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing

Номер патента: US20240030367A1. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

METHOD FOR FORMING A BURIED P-N JUNCTION AND ARTICLES FORMED THEREBY

Номер патента: US20130207217A1. Автор: Itzler Mark Allen. Владелец: PRINCETON LIGHTWAVE, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

P-N JUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PHOTOVOLTAIC PROPERTIES

Номер патента: US20130284247A1. Автор: BRICEÑO José,Matsumaru Koji. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Field-Effect P-N Junction

Номер патента: US20130334501A1. Автор: Wang Feng,Zettl Alexander K.,Regan William,Byrnes Steven. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-12-19.

PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING A P-N JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20220045226A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2022-02-10.

CRYSTALLIZATION OF ADDITIVES AT P/N JUNCTIONS OF BULK-HETEROJUNCTION PHOTOACTIVE LAYERS

Номер патента: US20170054077A1. Автор: Bender Timothy P.,LESSARD Benoît H.,Dang Jeremy. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

METHOD FOR PRODUCING THE P-N JUNCTION OF A THIN-FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND CORRESPONDING METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20160104808A1. Автор: Perraud Simon,GRENET Louis,Roux Frédéric,Altamura Giovanni. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-04-14.

Photovoltaic Device Including a P-N Junction and Method of Manufacturing

Номер патента: US20140216550A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

RADIAL P-N JUNCTION NANOWIRE SOLAR CELLS

Номер патента: US20160197206A1. Автор: WEMAN Helge,LIM Cheng Guan. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

OPTICAL ISOLATION SYSTEMS AND CIRCUITS AND PHOTON DETECTORS WITH EXTENDED LATERAL P-N JUNCTIONS

Номер патента: US20180190855A1. Автор: Male Barry Jon. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2018-07-05.

Solar cell having three-dimensional p-n junction structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20160240709A1. Автор: Dae-Hwan Kim,Jin-Kyu Kang,Shi-Joon Sung,Si-Nae Park,Dae-Kue HWANG. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-08-18.

Solution-processed ultraviolet light detector based on p-n junctions of metal oxides

Номер патента: US20150287871A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Jiho Ryu,Jae Woong LEE,Jesse Robert Manders. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Organic P-N Junction Based Ultraviolet Detection Device And Ultraviolet Image Detector Using Same

Номер патента: US20150303240A1. Автор: Liu Yawei. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-22.

P-N JUNCTION OPTOELECTRONIC DEVICE FOR IONIZING DOPANTS BY FIELD EFFECT

Номер патента: US20150380461A1. Автор: Bono Hubert,ROBIN Ivan-Christophe. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2015-12-31.

Thermal flux laser annealing for ion implantation of semiconductor P-N junctions

Номер патента: US7135392B1. Автор: Dean Jennings,Joseph M. Ranish,Bruce E. Adams,Abhilash J. Mayur,Vijay Parihar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Thermal flux laser annealing for ion implantation of semiconductor p-n junctions

Номер патента: WO2007018567A1. Автор: Dean Jennings,Joseph M. Ranish,Bruce E. Adams,Abhilash J. Mayur,Vijay Parhihar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for forming P-N junction solar cell electrode

Номер патента: JPH088367B2. Автор: ロス ウエンマン スチユアート,アンドリユー グリーン マーテイン. Владелец: ユニサーチ リミテッド. Дата публикации: 1996-01-29.

Silicon solar cell or semiconductor device production - involves electrical separation of p-n junction using glass-based material

Номер патента: DE19758712B4. Автор: Satoshi Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

P-n junction isolating device for solar battery

Номер патента: JPS5660069A. Автор: Masao Mochizuki,Tamotsu Hatayama,Yasuo Igawa,Masazou Abe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-05-23.

P-N JUNCTION OPTOELECTRONIC DEVICE FOR IONIZATION OF FIELD EFFECT DOPANTS

Номер патента: FR3023065B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-15.

SEMI-TRANSPARENT PHOTODETECTOR WITH STRUCTURED P-N JUNCTION

Номер патента: FR3008546B1. Автор: Salim BOUTAMI,Pierre Gidon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-08-07.

P-N JUNCTION OPTOELECTRONIC DEVICE FOR IONIZATION OF FIELD EFFECT DOPANTS

Номер патента: FR3023065A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-01-01.

METHOD OF MAKING THE P-N JUNCTION OF A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF OBTAINING THE PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: FR3006109B1. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-16.

MULTI-QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND ASYMMETRIC P-N JUNCTION

Номер патента: FR3004005B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-25.

Integrated circuit with a photodiode type semiconductor device incorporating a capacative drain connected in parallel with a P/N junction

Номер патента: FR2819637A1. Автор: Yvon Gris,Olivier Menut. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-07-19.

MULTI-QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND ASYMMETRIC P-N JUNCTION

Номер патента: FR3004005A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-10-03.

A p-n junction optoelectronic device for ionizing dopants by field effect

Номер патента: KR20160001717A. Автор: 로빈 이반-크리스토퍼,보노 허버트. Владелец: 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스. Дата публикации: 2016-01-06.

P-n junction-type compound semiconductor light-emitting diode

Номер патента: KR100855908B1. Автор: 미치야 오다와라,타카시 우다가와. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-09-02.

Process for forming p-n junctions, between semiconductors, using vacuum vaporization

Номер патента: FR1105858A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1955-12-08.

Radial p-n junction nanowire solar cells

Номер патента: MY175405A. Автор: Helge Weman,Cheng Guan Lim. Владелец: Norwegian Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2020-06-24.

P-n junction type light emitting element

Номер патента: JPS63233576A. Автор: Hideshi Kubota,英志 久保田,Akinori Katsui,勝井　明憲. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-09-29.

P-n junction type photodiode

Номер патента: JPS60246684A. Автор: Masahiro Shoda,Juichi Yoneyama,米山　寿一,正田　昌宏. Владелец: Nippon Kogaku KK. Дата публикации: 1985-12-06.

Beam steering evice including p-n junction layer

Номер патента: KR20180010583A. Автор: 김선일,박재철,이두현,최병룡. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-01-31.

Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions

Номер патента: US10411150B2. Автор: Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of determination of silicon p-n junction depth

Номер патента: WO2002003448A1. Автор: Gagik Ayvazyan,Aram Vardanyan,Gagik Makaryan. Владелец: Gagik Makaryan. Дата публикации: 2002-01-10.

MWIR photodetector with compound barrier with P-N junction

Номер патента: US9748427B1. Автор: Hasan Sharifi,Terence J De Lyon,Rajesh D Rajavel,Pierre-Yves Delaunay,Brett Z Nosho. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Apparatus for and method of forming p-n junction devices

Номер патента: US2794899A. Автор: Alexander R F Plummer. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1957-06-04.

Method for making a p-n junction in a single crystal semiconductor device

Номер патента: FR1321379A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1963-03-15.

Process for producing an electroluminescent p-n junction made of a semiconductor material by molecular bonding

Номер патента: WO2007074152A1. Автор: Pierre Noe. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique. Дата публикации: 2007-07-05.

Light emitting diode having a p-n junction doped with one or more luminescent activator ions

Номер патента: CA2514561A1. Автор: Kailash C. Mishra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-02-13.

Method for forming a buried p-n junction and articles formed thereby

Номер патента: US8969117B2. Автор: Mark Allen Itzler. Владелец: Princeton Lightwave LLC. Дата публикации: 2015-03-03.

P-n junction near-infrared photoelectric detector

Номер патента: CN110047953B. Автор: 李丽,戴叶婧. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-28.

Point-contacted heterojunction silicon solar cell having passivation layer between the interface of p-n junction and method for fabricating the same

Номер патента: KR100847741B1. Автор: 김상균,송진수,김동환,이정철,윤경훈,옥영우. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-07-23.

Method and apparatus for non-contact measurement of forward voltage, saturation current density, ideality factor and i-v curves in p-n junctions

Номер патента: CN105637624A. Автор: V·N·法伊费尔,I·S·G·凯利-摩根. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-06-01.

E-fuse with reverse bias p-n junction

Номер патента: WO2006039669A2. Автор: Richard Rouse,Freidoon Mehrad,Robert B. Churchill. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-04-13.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US20230129179A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device having p-n junction defined by the boundary between two intersecting semiconductor layers

Номер патента: US3337374A. Автор: Dobson Christopher David. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1967-08-22.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Circuit-board component and manufacturing method thereof, and light-emitting component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230073554A1. Автор: Feng Zhai,Chun-Lung Hsiao. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Manufacturing Method of Via Hole, Display Substrate, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190311943A1. Автор: Wenlong Wang,Ke Cao,Chengshao Yang,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US20160247829A1. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Pattern of a flim layer including aluminum, and manufacturing method and aftertreatment method thereof

Номер патента: US20190062925A1. Автор: Jihoon Lee,Soondong LEE,Xiaodi Huo,Guote Wu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US9646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240275024A1. Автор: Ying-Jen Chen,Yan-Zheng WU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Invisible light flat plate detector and manufacturing method thereof, imaging apparatus

Номер патента: US09705024B2. Автор: FENG Jiang,Xingdong LIU,Chungchun LEE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US09646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Photoresist structure, patterned deposition layer, semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040188B2. Автор: Shengyu ZHANG,Wenlong Zhang,Yarui ZHENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic component package and manufacturing method thereof

Номер патента: US8779580B2. Автор: Jae-Cheon Doh,Joon-Seok Kang,Sung Yi,Sun-Kyong Kim,Jong-Hwan Baek,Do-Jae Yoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Sensor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180366381A1. Автор: Yangyuan LI,Shaobo DING. Владелец: Microarray Microelectronics Corp ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Composite layer circuit element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11764077B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chuan-Ming Yeh,Kuo-Jung Fan,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094720B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Group-III-nitride structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12095002B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Evaporating concave-convex platform structure of vapor chamber and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240155810A1. Автор: Chih-Wei Chen,Pang-Hung Liao. Владелец: Jws Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210257391A1. Автор: Zhihai ZHANG,Kui Gong,Xianxue Duan,Biliang Dong. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US8445919B2. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Two-dimensional comb-drive actuator and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110309717A1. Автор: Ta-Wei Lin,Chang-Li Hung. Владелец: OPU Microsystems Application Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

AlGaN UNIPOLAR CARRIER SOLAR-BLIND ULTRAVIOLET DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210328092A1. Автор: Yang Chen,Xiaojuan Sun,Ke Jiang,Hang Zang,Dabing Li,Yuping Jia. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2021-10-21.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Detection substrate and manufacturing method thereof, flat panel detector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378100A1. Автор: Ye Zhang,Bin Zhao,Jinyu Li,Chuncheng CHE,Shuai Xu,Binbin Xu,Xuecheng Hou. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217837A1. Автор: Qi Yao,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Renquan Gu,Wusheng Li,Muxin DI,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Encapsulant film and manufacturing method thereof, solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4235812A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Conductive flexible substrate and manufacture thereof, and OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09634269B2. Автор: Yifan Wang,Qinghua Zou,Taipi Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Mid-infrared light emitting diode and manufacturing method thereof, silicon photonic circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140187A1. Автор: Chang-Hua Liu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-05-05.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240280855A1. Автор: Chien-Tzu Chu,Chao-Chin Sung,Chueh-Yuan NIEN,Chao-Sen Yang. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Light-emitting diode comprising dielectric material layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130248901A1. Автор: Wen-Yu Lin,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Array substrate comprising separating region and manfacturing method thereof,display apparatus

Номер патента: US09905591B2. Автор: Tao Wu,Chun Li,Hongwei Sun,Yanming Wang,Ruitao Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09817264B2. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Electroluminescent device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520453B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Organic light emitting display device, driving method thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09501978B2. Автор: Dong-Wook Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170254933A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Solar cell string, string group, module, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257506A1. Автор: Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20200401005A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09958748B2. Автор: Bo Feng,Yu Ma. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09917279B2. Автор: Seung-Yong Song,Cheol Jang,Jin-Kwang Kim,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

OLED display device comprising an insulative layer of varying thickness and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773851B2. Автор: Hejing ZHANG,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Light emitting device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09748513B2. Автор: Changyan WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530989B2. Автор: Il-Nam Kim,Min-Woo Kim,Won-Sang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09502444B2. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425345B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Highly reliable nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379322B2. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-28.

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216383A1. Автор: Ming-Chang Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186469A1. Автор: Hongzhao Deng. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Light conversion substrate and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20200203584A1. Автор: Dong Wei,Xiaolong Yang,Jiantai WANG,Rubo Xing,Huashan CHEN. Владелец: Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240135846A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190229133A1. Автор: Chin-Tang LI. Владелец: Gio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077422A1. Автор: Changming XIANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Heating vessel of detecting and preventing leakage of high temperature metal material and manufacture method thereof

Номер патента: US20150333298A1. Автор: Xindi Zhang,Youyuan Kuang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358946A1. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Display panel with grooves and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068214B2. Автор: Peng Hu,Yanqiang DUAN,Congcong JIANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12107187B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Wireless communication module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150044976A1. Автор: Hyung Goo BAEK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200052230A1. Автор: Jiangjiang JIN,Hsianglun HSU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09958747B2. Автор: Huibin Guo,Yao Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09911766B2. Автор: Yong Chen,Tianlei Shi,Zailong Mo,Seungyik Park. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09893132B2. Автор: Yifan Wang,Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Flexible OLED and manufacture method thereof

Номер патента: US09859521B2. Автор: Tao Sun,Wen Shi,Shimin Ge,Wenhui Li,Yanhong Meng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831228B2. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin heat pipe structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09802240B2. Автор: Hsiu-Wei Yang. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Display device, thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09754979B2. Автор: JING Yang,Xuehui Zhang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Frameless display device with concealed drive circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US09741964B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Display panel motherboard and manufacturing method thereof

Номер патента: US09730331B2. Автор: PENG Shen,Guang Yang,Yanming Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate with high qualified rate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09716114B2. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Mask plate, organic light-emitting diode (OLED) transparent display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09627645B2. Автор: Hao Wu,Jing Xue,Ziwei Cui,Yanyan Yin,Hongyan Xing. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Light emitting diode module structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559277B2. Автор: Wei-Chen Liang,Pin Chang. Владелец: Wisetop Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09502691B2. Автор: Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

OLED display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461095B2. Автор: Hejing ZHANG,Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09449995B2. Автор: Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240233590A9. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Flexible display panels and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20180294439A1. Автор: Hsiang Lun Hsu,Jiangjiang JIN,Simin PENG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Pixel defining layer, display substrate, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20200043999A1. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Tungsten-including diamond-like carbon film and manufacturing method thereof, and dental device manufactured by the method

Номер патента: US20060280947A1. Автор: Kwang-Ryeol Lee,Ai-Ying Wang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2006-12-14.

Stackable 3d artificial neural network device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210175262A1. Автор: Sanghyeon Kim,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-06-10.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008004791A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-01-10.

Array substrate and manufacturing method therefor and display device

Номер патента: EP3696600A1. Автор: Lu Yang,Fang Yan,Lei Yan,Lei Yao,Wentao Wang,Haifeng Xu,Jinfeng Wang,Dawei Shi,Zifeng Wang,Lin Hou,Jinjin XUE,Xiaowen SI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-19.

Solar cell and manufacturing method thereof, and photovoltaic system

Номер патента: EP4404279A2. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Wanli Li,Yang Zou,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang,Kunzhou WANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Thin-film type solar cell including by-pass diode and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008030019A1. Автор: Seh-Won Ahn,Hwa-Nyeon Kim,Kwang-Sun Ji,Young-Joo Eo,Bum-Sung Kim,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun,Hae-Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-03-13.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Frequency modulation of radiation emitting p-n junctions

Номер патента: US3312910A. Автор: Franklin F Offner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1967-04-04.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Reverse biased p-n junction cathode

Номер патента: GB2054959A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-02-18.

Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same

Номер патента: US4932033A. Автор: Seiichi Miyazawa,Mitsuru Ohtsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1990-06-05.

Single ELOG growth transverse p-n junction nitride semiconductor laser

Номер патента: TW200707870A. Автор: Scott W Corzine,David P Bour. Владелец: Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-16.

Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode

Номер патента: USRE27385E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1972-06-13.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Organic p-n junction with antenna

Номер патента: CA1229221A. Автор: James E. Guillet,James R. Bolton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-11-17.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

P-n junction of organic materials

Номер патента: CA1169055A. Автор: James R. Bolton,Alan R. Mcintosh,Te-Fu Ho. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 1984-06-12.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Buffer-driving circuit capable of increasing responding speed and prolonging lifespan, buffer, and method thereof

Номер патента: US20110032007A1. Автор: Chun Shiah,Yu-Hui Sung,Tzu-Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Buffer-driving circuit capable of increasing responding speed and prolonging lifespan, buffer, and method thereof

Номер патента: US20110037503A1. Автор: Chun Shiah,Yu-Hui Sung,Tzu-Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-17.

Buffer-driving circuit capable of increasing responding speed and prolonging lifespan, buffer, and method thereof

Номер патента: US7915922B2. Автор: Chun Shiah,Yu-Hui Sung,Tzu-Jen Ting. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-29.

Buffer-driving circuit capable of increasing responding speed and prolonging lifespan, buffer, and method thereof

Номер патента: US7928767B2. Автор: Chun Shiah,Yu-Hui Sung,Tzu-Jen Ting. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-19.

Directly-modulated laser diode with gsg coplanar electrodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220166189A1. Автор: Yu-Lun Wu. Владелец: LuxNet Corp USA. Дата публикации: 2022-05-26.

Nano-porous electrode for super capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847183B2. Автор: Myung Gi Jeong,Chanhwa Chung,Serhiy Cherevko. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-12-19.

Tag for marking defective part of electrode for secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3206420A1. Автор: Eun Mi CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-25.

Metal foil with conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2572840C2. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский,Андрей Геннадьевич Косолапов,Олег Филиппович Бобренок. Владелец: МСД Текнолоджис частная компания с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2016-01-20.

Array type laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020003826A1. Автор: Isao Yoneda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

High-efficiency oxidized vcsel including current diffusion layer having high-doping emission region, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200203928A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-06-25.

High-efficiency oxide vcsel with improved light extraction, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200059072A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-02-20.

Conductive paste, manufacturing method thereof, capacitor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266119A1. Автор: Ching Feng Lin,Chieh Lin,Shang-Che Lan,Shuo Yan MA. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electric device, battery, and battery unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297419A1. Автор: Qian Liu,Yonghuang YE,Quanguo LI,Chunpeng YU,Dejun XIAO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Pad for wireless charging and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184497A1. Автор: I-Kuang Lai. Владелец: E-Century Technical & Industrial Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Chip electronic component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09945042B2. Автор: Hye Yeon Cha,Tae Young Kim,Chan Yoon,Dong Hwan Lee,Jung Hyuk JUNG,Hye Min BANG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Tensile conducting monofilament and conducting wire and manufacturing method thereof

Номер патента: US09887021B2. Автор: Zhao-Yuan LI,Ben-Yi YAO. Владелец: Dongguan City Huayang Lighting Co ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Film for cell pouch and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442452A1. Автор: Ji Min Lee,Hee Sik Han,Sung Chul Shin,Nok Jung Song,Han Chul Park,Doohee LEE,Geon Ryong Kim,Moonkyu Song,Huihun KIM. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Huge stack for flat-tubular solid oxide fuel cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379400B2. Автор: Jong Shik Chung. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-06-28.

Flexible charging pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990787B2. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006748A1. Автор: Chih-Chieh Fu,Yu-Jia Men. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Optical combiner and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180299621A1. Автор: Sung Chang Kim,Hyun Seo Kang,Young Soon HEO,Chan Il Yeo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-10-18.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Flexible transparent conductive composite film and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051521B2. Автор: Ying-Hung Chen,Ping-Yen HSIEH,Chu-Liang Ho,Jia-Lin Syu. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Double-layer pcb of low power wireless sensing system and manufacturing method

Номер патента: US20130148311A1. Автор: Chia-Chi Chang,Jang Ping SHEU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Magnetic element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240029940A1. Автор: Haijun Yang,Jiamin Shi,Debao Quan. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Lattice current collector with both functions of strain sensing and high-temperature circuit breaking and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240359233A1. Автор: Bin Su,Chunze YAN,Hongzhi Wu,Yusheng Shi. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-31.

High-performance NdFeB rare earth permanent magnet with composite main phase and manufacturing method thereof

Номер патента: US09863021B2. Автор: Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853294B2. Автор: Junyong Lee,Seungyeol YOO,Huijun Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Surge absorber and manufacturing method thereof

Номер патента: US09735551B2. Автор: Kyung Mi LEE,Doo Won Kang,Jong Il Jung,Gyu Jin Ahn,Dong Ho Jeon,Sang Joon Jin,Hyun Chang Kim,Dong Jin Kang. Владелец: Smart Electronics Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Variable resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728309B2. Автор: Hong Wang,Tianyue ZHAO,Yanling Han. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Microwave detector and manufacturing method thereof and stray electromagnetic radiation suppression method

Номер патента: US11659633B2. Автор: Xin Zou,Gaodi Zou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-23.

Microwave Detector and Manufacturing Method Thereof and Stray Electromagnetic Radiation Suppression Method

Номер патента: US20210243856A1. Автор: Xin Zou,Gaodi Zou. Владелец: Shenzhen Merrytek Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Flexible Charging Pad and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: AU2021100802A4. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of p-n junctions

Номер патента: US09921261B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: US20240231132A9. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-11.

Electro-refraction modulator with a regrown p-n junction

Номер патента: US09470914B1. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy,John E. Cunningham,Stevan S. Djordjevic. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: US20240134215A1. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: EP4357844A1. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-04-24.

Multi-Layer P-N Junction Based Phase Shifter and Methods of Manufacturing and Using the Same

Номер патента: US20210373363A1. Автор: Qiugui ZHOU,Mark Heimbuch. Владелец: Source Photonics Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230225139A1. Автор: Xiaohong Jiang,Ching Hwa Tey,Zhaoyao Zhan,Qianwei Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Infrared detecting device based on organic p-n junctions, manufacturing method thereof and infrared image detector using device

Номер патента: CN103390630A. Автор: 刘亚伟. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-13.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for producing protein semiconductor, protein semiconductor, method for producing p-n junction, p-n junction, method for producing semiconductor device, semiconductor device, electronic apparatus, and method for controlling conductivity type of protein semiconductor

Номер патента: JP2012248684A. Автор: 義夫 後藤,Seiji Yamada,Yoshio Goto,Wei Luo,イ ラ,Yuichi Tokita,裕一 戸木田,斉爾 山田,Akira Nakamaru,啓 中丸. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Buffer driving circuit capable of increasing responding speed and prolonging lifespan, buffer, and method thereof

Номер патента: TW201106626A. Автор: Chun Shiah,Yu-Hui Sung,Tzu-Jen Ting. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-16.

Gunn oscillator with p-n junction contact for fast low power on-off control

Номер патента: US3566306A. Автор: Peter S Hauge,Conrad Lanza,Ralph M Esposito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-02-23.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Shared bit line cross-point memory array incorporating P/N junctions

Номер патента: US6927430B2. Автор: Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-09.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Alkaline fluoride dope molecular films and applications for p-n junction and field-effect transistor

Номер патента: US20090058262A1. Автор: Zheng-Hong Lu,Yanyan Yuan. Владелец: Yanyan Yuan. Дата публикации: 2009-03-05.

Average electrode P-N junction tetrode type thermoelectric converting device

Номер патента: CN104993043A. Автор: 冯建明. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-21.

Organic light emitting diode using p-n junction

Номер патента: WO1996004687A1. Автор: Akihiko Tokida,Wen-Bing Kang,Nu Yu. Владелец: Hoechst Aktiengesellschaft. Дата публикации: 1996-02-15.

A kind of organometallic complex p-n junction nanometer crystal preparation method

Номер патента: CN106058046B. Автор: 毕海. Владелец: SUZHOU HUALAIDE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Multichannel converter of differential voltage into paraphrase output currents on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736085C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Дмитрий Владимирович Кузнецов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-11.

Low-temperature input stage of operational amplifier with high attenuation of input common-mode signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721943C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US11782102B2. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

It is a kind of based on light emitting diode with quantum dots for mixing yttrium zinc oxide electron transfer layer and preparation method thereof

Номер патента: CN108183173A. Автор: 徐刚,徐雪青,李景灵. Владелец: Guangzhou Institute of Energy Conversion of CAS. Дата публикации: 2018-06-19.

Bidirectional non-isolation multi-phases dc-dc converter with improved speed and response characteristic and driving method thereof

Номер патента: KR101538017B1. Автор: 김진환,이상혁. Владелец: 대성전기공업 주식회사. Дата публикации: 2015-07-22.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Wavelength conversion device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044868B2. Автор: Chi-Tang Hsieh,I-Hua Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Brushless direct currency (bldc) motor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200195088A1. Автор: Hyun Tae LEE,Gyu Sang Yu,Dong Heon Mo,Jung Kil Lee. Владелец: COAVIS. Дата публикации: 2020-06-18.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US12101957B2. Автор: Changming XIANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Counterweighted vibration device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030796A1. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Alpha voltaic batteries and methods thereof

Номер патента: US20080311465A1. Автор: Stephanie Castro,Phillip Jenkins,Ryne P. Raffaelle,David Scheiman,David Wilt,Donald Chubb. Владелец: OHIO AEROSPACE INSTITUTE. Дата публикации: 2008-12-18.

Organic p-n junction based infrared detection device and manufacturing method thereof and infrared image detector using same

Номер патента: US20160154315A1. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Light sensitized and P-N junction complexed solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100581840B1. Автор: 김현주,이원재,이동윤,구보근,송재성. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2006-05-22.

Light sensitized and p-n junction complexed solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20050102298A. Автор: 김현주,이원재,이동윤,구보근,송재성. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2005-10-26.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

Transgenic plant with enhanced tolerance to cold stress by introducing grxC gene and preparation method thereof

Номер патента: KR101431125B1. Автор: 이동희,김새롬. Владелец: 이화여자대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-09-22.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Method for locating p-n junctions in semiconductor bodies

Номер патента: US2956230A. Автор: Gerald R Broussard. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1960-10-11.

Method for manufacturing a semiconductor device with relief p-n junction

Номер патента: MD20110044A2. Автор: Simion Baranov,Boris Cinic,Leonid Gorceac,Boris Chinik. Владелец: Leonid Gorceac. Дата публикации: 2012-12-31.

Photon emission by hot electron injection across a lateral p n junction

Номер патента: GB202304452D0. Автор: . Владелец: NPL Management Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

BEAM STEERING DEVICE INCLUDING P-N JUNCTION LAYER

Номер патента: US20180024412A1. Автор: KIM Sunil,CHOI Byounglyong,PARK Jaechul,LEE Duhyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

P-n junction sensor

Номер патента: US6627959B1. Автор: Richard Mlcak,Harry L. Tuller. Владелец: Boston Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-30.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダー テーラー アルフレッド,ディ パルマ ルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エー オーストラリア ピィー・ティー・ワイ リミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Non contact method and apparatus for measurement of sheet resistance of p-n junctions

Номер патента: WO2006062510A1. Автор: Phuc Van,Vladimir Faifer. Владелец: Ahbee 2, Lp. Дата публикации: 2006-06-15.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of P-N junctions

Номер патента: TW201538996A. Автор: Vladimir N Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2015-10-16.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Non-contact method and apparatus for measurement of leakage current of p-n junctions in IC product wafers

Номер патента: US7414409B1. Автор: Michael Current,Vladimir Faifer,Timothy Wong. Владелец: Ahbee 2 LP. Дата публикации: 2008-08-19.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティム ジェイ フェントン,ポール ヴィー シクルーナ,ディック エイチ ポーウェル. Владелец: テューミ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

A kind of Ag2O quantum dot hydridization ZnIn2S4The preparation method of nanometer sheet p-n junction composite photo-catalyst

Номер патента: CN109395744A. Автор: 肖艳,彭志远,张文莉,蒋银花,张申,周翔宇,景旋,杨心砚. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2019-03-01.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus and Method for Accurate Measurement and Mapping of Forward and Reverse-Bias Current-Voltage Characteristics of Large Area Lateral P-N Junctions

Номер патента: US20150061714A1. Автор: Salunke Biren,Faifer Vladimir N.,Kelly-Morgan Ian Sierra Gabriel,NYFFENEGGER Ralph,Real James A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Method and Apparatus for Non-Contact Measurement of Forward Voltage, Saturation Current Density, Ideality Factor and I-V Curves in P-N Junctions

Номер патента: US20150061715A1. Автор: Faifer Vladimir N.,Kelly-Morgan Ian Sierra Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Method and Apparatus for Non-Contact Measurement of Sheet Resistance and Shunt Resistance of P-N Junctions

Номер патента: US20150241512A1. Автор: Faifer Vladimir N.,Kelly-Morgan Ian Sierra Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Photocatalytic hydrogen production from water over catalysts having p-n junctions and plasmonic materials

Номер патента: US20170274364A1. Автор: Hicham Idriss,Maher Al-Oufi. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-09-28.

Production of p-n junction crystal substrate

Номер патента: JPS5815096A. Автор: Masanaru Abe,阿部　昌匠. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-28.

Manufacturing process of p-n junction type solid element

Номер патента: JPS524167A. Автор: Kiyoshi Morimoto,Yukihiko Utamura,Toshinobu Takagi. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 1977-01-13.

Indium phosphide-indium oxide p-n junction porous microsphere composite material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111632612B. Автор: 张兵,王蕾,赵博航,刘大李,黄义. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-02.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of p-n junctions

Номер патента: CN105849577A. Автор: V·N·法伊费尔,I·S·G·凯利-摩根. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-10.

Making method of dipping multi-crystal silicon solar battery p-n junction

Номер патента: CN101055904A. Автор: 高文秀. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-17.

P-n junctions on mosaic diamond substrates

Номер патента: US20090127565A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Chien-Min Sung. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of manufacturing single crystals of semiconductors comprising one or more p-n junctions

Номер патента: FR1086903A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1955-02-17.

P-n junction based thermal detector

Номер патента: US20100265989A1. Автор: Brian E. Dewes,Pedro E. Castillo-Borelly. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of P-N junction

Номер патента: CN105849577B. Автор: V·N·法伊费尔,I·S·G·凯利-摩根. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-01-03.

P-n junction type trimanganese tetroxide-cadmium sulfide nano composite photocatalyst and preparation method and application thereof

Номер патента: CN115254146A. Автор: 孙佩佩,姚李,吴义平,邓崇海,朱三娥,彭璐璐,凌晓慧. Владелец: Hefei University. Дата публикации: 2022-11-01.

P-N junction based thermal detector

Номер патента: US7785002B2. Автор: Brian E. Dewes,Pedro E. Castillo-Borelly. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Electro-optic modulator with periodic p-n junction in slow-light waveguide gratings

Номер патента: WO2020234098A1. Автор: Marco Passoni,Dario GERACE,Lucio Andreani,John William WHELAN-CURTIN. Владелец: Universita' Degli Studi Di Pavia. Дата публикации: 2020-11-26.

USB INTERFACE SYSTEM CAPABLE OF AUTOMATICALLY ADJUSTING CONNECTION SPEED AND POWER CONSUMPTION CAPABILITIES AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20200064900A1. Автор: Hsu Chih-Yu,Chien Yi-Ting,HSIAO Cheng-Yuan,Liu Sung-Kao,CHUANG Wei-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Extruder ram speed and positioning control apparatus and method thereof

Номер патента: KR20220119950A. Автор: 박종천. Владелец: (주)씨엔에이시스템. Дата публикации: 2022-08-30.

Electrical devices with enhanced electrochemical activity and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP2344869A1. Автор: Yuan Wang,Steven C. Charlton,Serban Peteu,Steve Sun. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2011-07-20.

Pattern of a capacitive touch device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2766800A1. Автор: Chingshan Lin,Chifeng WANG,Chientai CHIU. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Pattern of a capacitive touch device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09619085B2. Автор: Ching-Shan Lin,Chi-Feng Wang,Chien-Tai Chiu. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Film and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600431C2. Автор: Людвиг БРЕМ,Дитер ГАЙМ,Ханс Петер БЕЦОЛЬД. Владелец: Леонхард Курц Штифтунг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-10-20.

Humidity sensitive nano-photonics and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240125974A1. Автор: Jae Kyoung Kim,Jun Suk RHO,Trevon Badloe,Young Hwan YANG,Byoung Su KO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-04-18.

Spunbond nonwoven fabric with improved opening quality and no hazardous residue, manufacturing method thereof and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: US20230279594A1. Автор: Min-Ho Lee,Dongheon KANG,Woo-Seok Choi,Young-Shin Park,Hee-jung CHO,Jung-soon JANG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-07.

Nutrition gum and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006126786A1. Автор: Seung Hee Shin. Владелец: Seung Hee Shin. Дата публикации: 2006-11-30.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Display panel and manufacturing method thereof, mask and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09880426B2. Автор: Huifang Yuan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

High-strength sheet steel with coating obtained with hot dipping, which has high impact strength at low temperatures, for being used in forming, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2430185C2. Автор: Масаюки АБЕ,Синити ЯМАГУТИ,Ясуто ГОТО,Хиронори САТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-09-27.

High-strength steel pipes with low ratio of yield strength to ultimate strength, welded with electric contact welding, steel strip for pipes, welded with electric contact welding, and manufacturing methods thereof

Номер патента: RU2605396C2. Автор: Ясухиро МАЦУКИ,Томохиро ИНОУЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-12-20.

Porous tricalcium phosphate material, method for bone healing using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2022201939A1. Автор: Yu-Hao Chan,Yi-Jen Sheng,Yu-Quan Peng. Владелец: Popeye Marine Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Micro total analysis system, operating method and manufacturing method thereof

Номер патента: US11703478B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Hydrophilic acrylic-modified polyurethane and method for preparing same, and water-based paint composition prepared therefrom and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230235112A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im,Seong Ye SEO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11718567B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12024469B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Color liquid crystal display panel comprising dichroic dyes mixed in a liquid crystal material and manufacturing method thereof

Номер патента: US09459487B2. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Element for neutralising or decreasing toxic level of waste gases and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2352794C2. Автор: Рольф БРЮКК,Петер ХИРТ,Томас ХЭРИГ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2009-04-20.

Spherical silicon oxycarbide particle material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160368776A1. Автор: KEIZO Iwatani,TETSURO Kizaki. Владелец: JNC Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Composite nanofiber catalyst having improved lifespan performance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200261890A1. Автор: Ji Min Lee,Dong Hoon Nam,Joo Hyun Park,Hoon Mo Park,Yong Ho Choa,Kyung Moon Lee,Seung Hyeon CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-08-20.

Granule aggregate for substituting bone and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019031772A3. Автор: Ki Soo Kim,Seok Beom Song. Владелец: BIOALPHA CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin cycloidal speed reducer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12013012B2. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: Bonsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2819930A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2015-01-07.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing methed thereof

Номер патента: US20140332437A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-11-13.

Plated steel sheets for hot press forming having excellent hydrogen brittleness resistance and impact resistance, hot press formed parts, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP4242341A1. Автор: Sang-Heon Kim,Seong-Woo Kim,Jin-keun Oh,Sang-Bin Han. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Led illumination apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120294018A1. Автор: Sung-Chul Park,Cheol-Hyun Kim. Владелец: V L SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Protective film for substrate, manufacturing method thereof, substrate and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210341650A1. Автор: HAO Yan,Yu Zhang,Zhiliang Jiang,Zhenghong Wang,Haitao YI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Gel nail sticker containing graphene and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230074733A1. Автор: Shin Woong KOH. Владелец: Transurfing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Nanotube dispersion, nanotube film using the nanotube dispersion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230340281A1. Автор: Sang Seok Lee,Dong Su Lee,Jungwon Kim,Jangyup Son,Seokhoon AHN,Se Gyu Jang,Yongho Joo,Dae-Young Jeon,Sukang Bae. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-26.

Ultra-high strength cold-rolled steel sheet having excellent elongation and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442851A1. Автор: Eun-Young Kim,Min-Seo KOO. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Moisture permeable waterproof fabric and manufacturing method thereof

Номер патента: WO1995011332A1. Автор: In Hee Kim,Youn Heum Park. Владелец: Sung Won Ind. Co., Ltd.. Дата публикации: 1995-04-27.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and driving method thereof

Номер патента: US09984637B2. Автор: Yue Shi,Kaidi Fang,Hao CHU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Display panel and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09953596B2. Автор: Ang Xiao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09664956B2. Автор: Seon Uk LEE,Jung Suk Bang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09632351B2. Автор: Sang-Uk Lim,Byoung Sun NA,Wan-Soon Im,Seong Young Lee,Hee June KWAK,Seok Kyu Yoon,Seung Soo Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Display device including touch sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09552092B2. Автор: Joon Hak Oh,Jong Seo Lee,Seung Mi Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Radioactive element absorbent containing magnesium silicate and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4454749A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jin Kyu Kang,Dong Gyun Kang,Seung Yun HAN,Seo Yoon Kim,Dong Min SEONG,Dae Uk Kim,Bong Seok Choi,Ho Jae Kim,Su Jin Jo,Bo Gyeong Choi. Владелец: Giant Chemical Co ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Conductive roller and manufacturing method thereof

Номер патента: US09535354B2. Автор: Junichi Takano,Hirotaka Tagawa,Izumi Yoshimura,Daijirou Sirakura. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09494828B2. Автор: Sang-Myoung LEE,Do Yeong PARK,Seung Jun YU,Young goo Song,Sang Woo WHANGBO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Foamed fabric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200362483A1. Автор: Yih-Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Ink jet printer head actuator and manufacturing method thereof

Номер патента: US6503407B1. Автор: Il Kim,Jae Woo Joung,Young Seuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-07.

Functional soy whey beverage having refreshing flavor and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2018325047A1. Автор: Li Li,Ke Huang,Yongtao FEI,Suijun LI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2020-03-19.

Composition and manufacturing method of self-diagnosis and reduction catalyst processing for permanent & straighter

Номер патента: WO2004069214A1. Автор: Jong-Ho Park,Sang-Uk Chung,Chang-Koo Shim. Владелец: Beebong Fine Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-08-19.

High strength cold rolled steel sheet having excellent surface quality and low mechanical property deviation and manufacturing method of same

Номер патента: EP4407058A1. Автор: Sung-il Kim,Chang-Hyo Seo,Joo-Hyun Ryu. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Entirely recoverable artificial turf and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2017414195B2. Автор: Hao Qian,Chungui Zhao. Владелец: Cocreation Grass Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Key, X-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070033792A1. Автор: Chien Hsu,Pin Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Electrowetting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10001637B2. Автор: Suk-Won Jung,Kyung Tea PARK. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Electrowetting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140022622A1. Автор: Suk-Won Jung,Kyung Tea PARK. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Graded-index polymer waveguide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230084877A1. Автор: Rui Wang,Yongkai Li,Xiaofeng Liu,Guodong Wang,Hua Miao,Tengfei YAO. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Fire retardant strength member for optical fiber cables and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230204887A1. Автор: Pramod Marru. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1965721A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-10.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007075003A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Woowon Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Environmental protection and safety sign pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080220238A1. Автор: Su-Tuan Hsu Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Human body cleaner and manufacturing method thereof

Номер патента: MY197072A. Автор: shu-chun Wu. Владелец: Wu Shu Chun. Дата публикации: 2023-05-24.

Filter material and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3685901A1. Автор: Chun-Hung Chen,Cheng-Sheng Liang,Po-Ju Lin,Yu-Ping Chen,Pei-Chieh Chuang. Владелец: Sangtech Lab Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Electromagnetically absorbing composition and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130062815A1. Автор: Tzu-Hao Ting. Владелец: R O C MILITARY ACADEMY. Дата публикации: 2013-03-14.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100091230A1. Автор: Hsiang-Lin Lin,Chih-Jen Hu,Ching-Huan Lin,Sung-Kao Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-04-15.

High strength cold rolled steel sheet having excellent surface quality and low mechanical property deviation and manufacturing method of same

Номер патента: US20240247349A1. Автор: Sung-il Kim,Chang-Hyo Seo,Joo-Hyun Ryu. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Photoluminescent gold nanoparticles and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170087640A1. Автор: Yeu-Kuang Hwu,Sheng-Feng Lai,Edwin Bin-Leong ONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

Key, x-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110056061A1. Автор: Chien Shih Hsu,Pin Chien Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Biochemical labeling materials and manufacturing method thereof

Номер патента: US7338812B2. Автор: Yuh-Jiuan Lin,Kang-Ping Lin,Chin-I Lin,Chao-Kang Chang,Sheng-Ming Shih,K Abraham Joseph. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-04.

Wooden patch and manufacturing method thereof using laser

Номер патента: US20090094871A1. Автор: Byoung-Woo Cho. Владелец: Yupoong Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Hot stamping component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220162722A1. Автор: Chang-Wook Lee,Yeon-Jung Hwang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Catalyst for removing nitrogen oxides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240149218A1. Автор: Kwan-Young Lee,Do Heui KIM,Se Won JEON,Inhak SONG. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-09.

Pressure sensor and manufacture method thereof

Номер патента: US20150375988A1. Автор: Li-Tien Tseng,Yu-Hao Chien. Владелец: MIRAMEMS SENSING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Contact lenses and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240293984A1. Автор: Han-Yi Chang,Ting-yu LI. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Polyurethane fiber and spinneret therefor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4435156A1. Автор: Shi-Yang Chen,Chih-Yen Chiang,Min-Yung Huang. Владелец: Bright Cheers International Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Degradable synthetic fiber composition and manufacturing method and product thereof

Номер патента: US20180072866A1. Автор: Hao Wu,Chi Chung LAM. Владелец: Hong Kong Research Institute of Textiles and Apparel Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Ultrasonic endoscope and manufacturing method of ultrasonic endoscope

Номер патента: US12076187B2. Автор: Yasuhiko Morimoto,Tsuneo Fukuzawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Hydrogen sulfide sustained releasing dressing and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200237811A1. Автор: Chih-Yuan CHAO,Lie-Sian YAP,Yu-Pu Wang. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Plastic-metal composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: US09987780B2. Автор: Shaohua Zhang,Yuhua Lai. Владелец: Guangdong Janus Intelligent Group Corp Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09952367B2. Автор: Yanbing WU,Chunyan JI,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Quantum dot polarizer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09921343B2. Автор: TAO Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrally cast excavator bucket and manufacturing method thereof

Номер патента: US09903093B2. Автор: Jiwen WAN. Владелец: Hubei Wanxin Precision Casting & Forging Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Electrode strip and sensor strip and manufacture method thereof and system thereof

Номер патента: US09880128B2. Автор: Ying-Che Huang,Ching-Yuan Chu,Lan-Hsiang Huang. Владелец: Apex Biotechnology Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09874780B2. Автор: Yanan Wang,Hongquan Wei. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Scanner for two-dimensional optical scanning, manufacturing method thereof, and medical imaging apparatus using the same

Номер патента: US09835852B2. Автор: Hyeon Cheol PARK,Ki-Hun Jeong,Yeong-Hyeon SEO,Kyung Min HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-12-05.

Cutting/polishing tool and manufacturing method thereof

Номер патента: US09764442B2. Автор: Jeong-Hun Suh. Владелец: Shinhan Diamond Ind Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Heat exchanger equipped with cold reserving part and manufacturing method thereof

Номер патента: US09746245B2. Автор: Hong-Young Lim,Kwang Hun Oh,Young-Ha Jeon,Jun Young Song,Jung Sam GU,Yong Sung Kwon. Владелец: Hanon Systems Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Capsule cosmetics and manufacturing method thereof

Номер патента: US09717317B2. Автор: Jin Woo Kim,In Yong Chung. Владелец: CTK Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

In-cell self capacitive touch control display panel and manufacture method thereof

Номер патента: US09715303B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Color liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09638968B2. Автор: Xinhui Zhong,Kuancheng Lee. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Fermented food improving bowel functions with stercoral removal efficiency and manufacturing method thereof

Номер патента: US09623064B2. Автор: Goo Whan KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-18.

Optical waveguide structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09563015B1. Автор: Wei Lin,Chung-Yi Lin,Yi-Jen Chiu,Yi-Jhe CHEN. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-02-07.

Heat exchanger and manufacturing method thereof

Номер патента: US09551539B2. Автор: Gaku Hayase,Young Min Kim,Yong Hwa Choi,Doo Hee Lee,Young Gil Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Surface-enhanced raman scattering substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09518927B2. Автор: Yu-Ting Yen,Hsuen-Li Chen,Chen-Chieh YU,Sin-Yi Chou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-13.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09482893B2. Автор: Hua Zheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Moulded body and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2678031C2. Автор: Томонори КАТО,Кадзуя САТО,Маюми КИКУТИ,Масаюки КОБАЯСИ. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2019-01-22.

Chewing gum composition based on powder of dried fruit and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2584438C2. Автор: Сяоху СЯ,Сяоцюнь МО,Филип ШЕПАРД. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2016-05-20.

Mixing device and method and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2736040C2. Автор: Йохен ЮНГ,Бернд КАСТНЕР,Сэмми АЙХЕ,Флориан КИКИЛЛУС,Николь РОН. Владелец: Экато Рюр- Унд Миштехник Гмбх. Дата публикации: 2020-11-11.

Composite high-temperature dynamic sealing, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2403475C2. Автор: Брайан А. ДЖЕЙМС,Джон Э. ШРЁДЕР,Ром РИЧАРДСОН,Лэнни Л. ДИТЛ,Брайан А. ДЖЕЙМС (US),Джон Э. ШРЁДЕР (US),Ром РИЧАРДСОН (US),Лэнни Л. ДИТЛ (US). Владелец: КОЛСИ ЭНДЖИНИРИНГ, ИНК.. Дата публикации: 2010-11-10.

Thermoplastic elastomer yarn with improved unwinding, weaving and yarn shrinking property, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200214383A1. Автор: Chan Won Lee,Gu Hwan KIM,Yong In Cho. Владелец: Jeongsan International Co ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Flexible glass and manufacturing method thereof

Номер патента: US12024457B2. Автор: Ching-Fang Wong,Yu-Wei Liu,Wei-Lun Zeng,Kuan-Hua Liao. Владелец: CHENFENG OPTRONICS Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Inner container structure and manufacturing method for inner container structure by using blow molding

Номер патента: EP4063099A8. Автор: Tong Liu,Lei Fan,Xiaogong CHEN,Mingche ZHOU. Владелец: Canature Health Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Surface-treated steel sheet for battery container, manufacturing production method thereof, battery container and battery

Номер патента: MY117915A. Автор: Tatsuo Tomomori,Yukio Numamoto,Hideo Ohmura,Hitoshi Ohmura. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-30.

Sustained/controlled release coating, sustained/controlled release mulching film, and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2020217326A1. Автор: YUAN Li,YANG Zhao,Ke Wang,Xiaoyan Sun,Dong Xie,Junjia CHEN. Владелец: Guangdong Institute of Bioengineering Guangzhou Cane Sugar Industry Research Institute. Дата публикации: 2021-12-23.

Digital denture manufacturing method and manufacturing system, and denture hole guider applied thereto and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3649984A1. Автор: Jin Cheol Kim,Jin Baek Kim,Byung Ho Choi,Seung Mi Jung. Владелец: Dio Corp. Дата публикации: 2020-05-13.

Conductive particle and manufacturing method thereof, adhesive and application thereof

Номер патента: US12024660B2. Автор: Chongwei TANG,Yuming XIA. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Ferroelectric film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150232979A1. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

New glass-linked reactor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170007979A1. Автор: Wenhua Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-12.

Photosensitive resin composition, cured product and manufacturing method thereof, light conversion layer and light emitting device

Номер патента: US20240018379A1. Автор: Yu-Chun Chen,Ya-Qian Chen,Chun-Kuan Tai. Владелец: Advanced Echem Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Fire retardant laminated sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030236041A1. Автор: Kyun-Kil Lee. Владелец: SEO HAN MELAMINE Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Hot-rolled steel sheet and cold-rolled steel sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100263767A1. Автор: Mitsuru Yoshida,Tamotsu Toki,Norio Imai,Kaori Kawano,Masayuki Wakita,Masanori Yasuyama,Hitomi Nishibata,Toshirou Tomida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-21.

Hot-rolled steel sheet and cold-rolled steel sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100209283A1. Автор: Mitsuru Yoshida,Tamotsu Toki,Norio Imai,Kaori Kawano,Masayuki Wakita,Masanori Yasuyama,Hitomi Nishibata,Toshirou Tomida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

METHOD OF MAKING HETEROGENEOUS p-n JUNCTION BASED ON ZINC OXIDE NANORODS

Номер патента: RU2396634C2. Автор: Андрей Николаевич Баранов,Олег Викторович Кононенко,Геннадий Николаевич Панин,Аркадий Николаевич Редькин,Тае-Вон Канг. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2010-08-10.

VANADIUM-BASED METHOD OF PROTECTING SURFACE OF p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2534438C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PROTECTING BERYLLIUM OXIDE-BASED p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2524142C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

High-voltage planar p-n junction

Номер патента: RU2019894C1. Автор: А.И. Гордеев,В.О. Насейкин,А.Ф. Королев,Н.М. Сандина,В.А. Куц,Е.Е. Андреева. Владелец: Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра". Дата публикации: 1994-09-15.

ALUMINIUM-BASED METHOD OF PROTECTING CRYSTAL SURFACE OF p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2534390C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Channel MOS P-N junction Schottky diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101699616A. Автор: 陈美玲,赵国梁,郭鸿鑫,苏子川. Владелец: BVI BRITISH VIRGIN ISLANDS ENERGY SAVING PARTS Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-28.

TRENCH ISOLATION MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120049287A1. Автор: . Владелец: PFC DEVICE CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

Low-grid electric charge groove power MOS device and manufacture method

Номер патента: CN103426925B. Автор: 罗清威,房宝青,左燕丽. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-06-08.

MOS (Metal-oxide Semiconductor) transistor and making method thereof

Номер патента: CN101937848B. Автор: 肖德元,吴汉明,季明华. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-06-06.

P-N junction surface diode structure of metal oxide semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102157568A. Автор: 陈美玲,赵国梁,郭鸿鑫. Владелец: BVI BRITISH VIRGIN ISLANDS ENERGY SAVING PARTS Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

P-n junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof

Номер патента: TW200305295A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2003-10-16.

P-N junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof

Номер патента: TWI257713B. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-07-01.

Mixed Schottky/P-N Junction Diode and Method of Making

Номер патента: US20120292733A1. Автор: . Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-22.

P-N junction diode structure of metal oxide semiconductor and method for producing the same

Номер патента: CN101510528B. Автор: 赵国梁,郭鸿鑫,苏子川. Владелец: BVI BRITISH VIRGIN ISLANDS ENERGY SAVING PARTS Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-28.

LOW GATE CHARGING RECTIFIER HAVING MOS STRUCTURE AND P-N JUNCTION, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120007152A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

Guard junctions for p-n junction semiconductor devices

Номер патента: CA816933A. Автор: C. Kao Yu,D. Wolley Elden. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-07-01.

FOOTWEAR ASSEMBLIES WITH ENHANCED TRACTION AND ASSOCIATED METHODS OF USE AND MANUFACTURE

Номер патента: US20120317840A1. Автор: Barker Aaron,Brabson Paul W.,Wojnar Christopher J.. Владелец: LaCrosse Footwear, Inc.. Дата публикации: 2012-12-20.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

EASY FORMED Trawl Spreader Board for high-speed trawling, with enhanced hydrodynamic efficiency, its methods and use and manufacture

Номер патента: RU2007106883A. Автор: Холлдор Эджилл ГУДНАСОН,Гудмундур ВИГФУССОН,Гудмундур ВИГФУССОН (IS),Холлдор Эджилл ГУДНАСОН (IS). Владелец: Кандис Ехф. (Is). Дата публикации: 2008-09-10.

Compound for protection of surfaces of p-n junctions of silicon high-voltage columns

Номер патента: RU1664083C. Автор: А.В. Киселев,Т.М. Михалева,А.М. Лопаткина,Н.С. Скворцова,С.А. Фаустова,В.И. Ярузов. Владелец: Производственное объединение "Изотоп". Дата публикации: 1995-01-27.

Non-insulated gate field effect transistor with light emitting p-n junction and a change in drain-source resistance due to the photosensitivity of the semiconductor

Номер патента: RU2014149006A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тамила Арслановна Рагимова,Патимат Арсланалиевна Магомедова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-06-27.

Polymer composite p-n junction and method for manufacturing the same and polymer composite diode adopting the same

Номер патента: TWI350602B. Автор: Shou-Shan Fan,Chang-Hong Liu. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Production of p.n. junctions in semi-conductor material

Номер патента: CA618558A. Автор: Hyman Harold,G. Ayling Stanley. Владелец: Siemens Edison Swan Ltd. Дата публикации: 1961-04-18.

Electroluminescent p-n junction device and preparation thereof

Номер патента: CA858118A. Автор: A. Logan Ralph,G. White Harry. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1970-12-08.

Electroluminescent p-n junction device and preparation thereof

Номер патента: AU3055367A. Автор: ANDRE LOGAN and HARRY GREGORY WHITE RALPH. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-06-05.

Optical computer comprising semiconductor p-n junction components

Номер патента: CA839439A. Автор: Newman Roger. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1970-04-14.

Polymer composite P-N junction and method for manufacturing the same and polymer composite diode adopting the same

Номер патента: TW200820471A. Автор: Shou-Shan Fan,Chang-Hong Liu. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU2202653A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-10.

Improvements in or relating to methods of forming P-N junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU2236253A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-24.

Method of unifying semiconductor p-n junctions of electronic thermometer measuring probes

Номер патента: PL271356A1. Автор: Adam Skiba,Waclaw Pietrenko,Eugeniusz Goc. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1989-10-02.

Method for measurement of mean temperature by means of p-n junctions

Номер патента: PL110819B2. Автор: Jacek Zebrowski. Владелец: POLITECHNIKA LÓDZKA. Дата публикации: 1980-08-30.

Method of unifying p-n junctions of an electronic thermometer and circuit therefor

Номер патента: PL274543A1. Автор: Andrzej Bachmaczuk,Waclaw Pietrenko,Eugeniusz Goc,Zenon Kolkowski,Jerzy Misztal. Владелец: Spoldzielnia Pracy Serwisu Urz. Дата публикации: 1990-03-19.

Method for producing a p-n-junction in a monocrystalline semiconductor arrangement

Номер патента: CA742380A. Автор: Wiesner Richard. Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1966-09-06.

Method of semiconductor device's p-n junction

Номер патента: CS743488A1. Автор: Jaroslav Rndr Zamastil,Jaroslav Prof Ing Drs Kralicek,Bohumil Doc Ing Csc Bednar,Jiri Ing Pliva,Pavel Ing Pojman,Jan Ing Makovicka,Miroslav Ing Marek,Petr Ing Sysel,Jana Ing Knaislova,Monika Ing Cetkovska. Владелец: Monika Ing Cetkovska. Дата публикации: 1990-03-14.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: TW434875B. Автор: Min Zhu,Kai Shao,Shao-Fu Sauforu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of semiconductor device's p-n junction

Номер патента: CS271925B1. Автор: Jaroslav Rndr Zamastil,Jaroslav Prof Ing Drs Kralicek,Bohumil Doc Ing Csc Bednar,Jiri Ing Pliva,Pavel Ing Pojman,Jan Ing Makovicka,Miroslav Ing Marek,Petr Ing Sysel,Jana Ing Knaislova,Monika Ing Cetkovska. Владелец: Monika Ing Cetkovska. Дата публикации: 1990-12-13.

Producing a perfect P-N junction

Номер патента: US20120068269A1. Автор: LIN Wen. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Fast Recovery Reduced P-N Junction Rectifier

Номер патента: US20120104456A1. Автор: Yu Ho-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

Method of measuring lifespan of minority carrier in semiconductor p-n junctions

Номер патента: SU951198A1. Автор: Андрей Романович Ромейков,Наталия Алексеевна Семушкина. Владелец: Военный Инженерный Краснознаменный Институт Им.А.Ф.Можайского. Дата публикации: 1982-08-15.

Device for simulating barrier capacitance of p-n junction

Номер патента: SU1104545A1. Автор: Виктор Васильевич Денисенко. Владелец: Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова. Дата публикации: 1984-07-23.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Device for measuring p-n junction breakthrough voltage

Номер патента: SU654917A1. Автор: Виктор Михайлович Иванов,Виктор Михайлович Погодин. Владелец: Предприятие П/Я А-1298. Дата публикации: 1979-03-30.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Device for measuring characteristics of emitting p-n junction

Номер патента: SU890845A1. Автор: М.Н. Заргарьянц,П.В. Дерновский. Владелец: Предприятие П/Я А-3726. Дата публикации: 1987-04-15.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Device for checking characteristics of semiconductor instrument p-n junctions

Номер патента: SU1105835A1. Автор: Виктор Васильевич Еремин,Дмитрий Аркадьевич Ячук,Анатолий Николаевич Мельников,Александр Васильевич Колибаба. Владелец: Предприятие П/Я А-3759. Дата публикации: 1984-07-30.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

STRUCTURE OF HETEROGENEOUS p-n JUNCTION BASED ON ZINC OXIDE NANOBARS AND SEMICONDUCTOR FILM

Номер патента: RU2323872C1. Автор: Андрей Николаевич Баранов,Олег Викторович Кононенко,Геннадий Николаевич Панин,Аркадий Николаевич Редькин,Тае-Вон Канг. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2008-05-10.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Process of manufacture of crystal with diffusion p - n junction

Номер патента: RU2008746C1. Автор: А.А. Каплан,И.Р. Альтман,О.М. Шмиткин,Д.Л. Лившиц,А.М. Кандов. Владелец: Производственное объединение "Фотон". Дата публикации: 1994-02-28.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Methods of forming p-n junctions in semiconductors

Номер патента: CA620369A. Автор: S. Miller James,Reeves John,G. James Emrys. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1961-05-16.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

'8'-shaped double-pancake coil of transformer and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102568771A. Автор: 李德荣,卢永安,梁湖. Владелец: LIUZHOU SOENEN SPECIAL TRANSFORMER CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for preparing ZnO nano granule film / nanorod p-n junction array

Номер патента: CN101746716A. Автор: 杜学丽,袁志好,马男. Владелец: Tianjin University of Technology. Дата публикации: 2010-06-23.

Structure and method of reducing transverse diffusion width of p-n junction isolation diffusion

Номер патента: CN102244093B. Автор: 王成森,黎重林. Владелец: JIANGSU JIEJIE MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Method for manufacturing p-n-junctions on crystals of indium antimonide having n-type conductance

Номер патента: RU2056671C1. Автор: В.В. Карпов,И.М. Ермакова,А.Б. Коршунов,А.С. Овчинников,И.В. Постников,В.П. Астахов,В.Е. Барбой,Ю.Д. Мозжорин,В.Ф. Пасеков,Ю.И. Бузуев. Владелец: Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион". Дата публикации: 1996-03-20.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Array substrate and manufacturing and maintaining method thereof and display device

Номер патента: CN102931189A. Автор: 张明,蔡振飞,郝昭慧,尹雄宣,贾丕健. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Weak alkaline reverse osmosis water and weak alkaline mineral water and manufacturing system and method thereof

Номер патента: TW201102350A. Автор: Wei Fang,Shi-Wei Kong,Ming-Yih Chang,Chi-Yu Chuang,Lin-Chi Chen. Владелец: Ming-Yih Chang. Дата публикации: 2011-01-16.

Process and apparatus for the surface treatment of semi - conductor elements comprising a plurality of electrodes and at least one p - n junction

Номер патента: AU239042B2. Автор: Emrys Reimer. Владелец: . Дата публикации: 1969-12-31.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU2050553A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-10-08.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU1699256A. Автор: Noel Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-09-27.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

Single P-N Junction Tandem Photovoltaic Device

Номер патента: US20120031491A1. Автор: Walukiewicz Wladyslaw,Ager,III Joel W.,Yu Kin Man. Владелец: RoseStreet Labs Energy, LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

AMORPHOUS BORON CARBIDE FILMS FOR P-N JUNCTIONS AND METHOD FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20120037904A1. Автор: . Владелец: NORTH DAKOTA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-02-16.

STACKED STRUCTURE INCLUDING VERTICALLY GROWN SEMICONDUCTOR, P-N JUNCTION DEVICE INCLUDING THE STACKED STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120222732A1. Автор: CHOI Jun-Hee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD OF FORMING P-N JUNCTION IN SOLAR CELL SUBSTRATE

Номер патента: US20120270359A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING DOPED ZONES FORMING P-N JUNCTIONS

Номер патента: US20130026611A1. Автор: Kellener Olivier Philippe,Dubois Gérard,Kanoun Mehdi Mohamed,McArdle Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMATION OF P-N JUNCTIONS IN GALLIUM NITRIDE BASED ELECTRONICS

Номер патента: US20130032814A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Raj Mahdan. Владелец: EPOWERSOFT, INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of determination of life-time of monitory carriers in p-n-junction semiconductor devices

Номер патента: SU1092436A1. Автор: Сергей Владимирович Коротков,Игорь Анатольевич Карапатницкий,Владимир Вячеславович Бунегин. Владелец: Институт Физики Высоких Энергий Ан Казсср. Дата публикации: 1984-05-15.

Cubic boron nitride P-n junction light emitting device

Номер патента: JPH079998B2. Автор: 順三 田中,修 三島,皓 江良,信夫 山岡. Владелец: 科学技術庁無機材質研究所長. Дата публикации: 1995-02-01.

P-N junction 4pi light emitting high-voltage light emitting diode (LED) and LED lamp bulb

Номер патента: CN102109115B. Автор: 葛世潮. Владелец: ZHEJIANG LEDISON OPTOELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Process for measuring thermal spike of p-n junction

Номер патента: SU1049755A1. Автор: Велло Рудольфович Мяннама,Алдур Эдуард-Иоханнесович Ярвальт. Владелец: Таллинский Политехнический Институт. Дата публикации: 1983-10-23.

Compound protecting p-n junctions

Номер патента: RU2101802C1. Автор: Л.Г. Царева,С.А. Носухин,М.Ф. Лебединская. Владелец: Царева Людмила Георгиевна. Дата публикации: 1998-01-10.

Method of producing p-n-junctions

Номер патента: SU555761A1. Автор: К.Д. Товстюк,Г.В. Пляцко,В.Б. Орлецкий,С.Г. Кияк. Владелец: Львовский Филиал Математической Физики Институтаматематики. Дата публикации: 1981-04-23.

Device for measuring resistance and capacitance of two-pole networks at shunting of semiconductor element p-n- junction

Номер патента: SU779911A1. Автор: Валерий Терентьевич Шпилевой,Виталий Константинович Задорожный,Борис Яковлевич Лихтцинтер. Владелец: Винницкий Завод Радиотехнической Аппаратуры. Дата публикации: 1980-11-15.

Method for forming P-N junction on jigsaw diamond substrate

Номер патента: CN101785980A. Автор: 宋健民. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-28.

LED (light-emitting diode) bulb formed by P-N junction 4 pai light extraction high-voltage LED

Номер патента: CN201944605U. Автор: 葛世潮. Владелец: 葛世潮. Дата публикации: 2011-08-24.

P-n junction unidirectional conductance demonstration device

Номер патента: SU1762317A1. Автор: Дмитрий Семенович Кройтор,Екатерина Дмитриевна Кройтор. Владелец: Кишиневский Государственный Медицинский Институт Им.Н.А.Тестемицану. Дата публикации: 1992-09-15.

Device for measuring temperature of p - n-junction of bipolar transistors

Номер патента: SU1335820A1. Автор: Анатолий Маркович Лихницкий,Александр Викторович Сухоручкин. Владелец: Государственный Союзный Научно-Исследовательский Институт Радиовещательного Приема И Акустикиим.А.С.Попова. Дата публикации: 1987-09-07.

Device for measuring and registering avalanche break-down voltage in p-n junctions

Номер патента: SU951199A1. Автор: Николай Владимирович Шиянов,Алексей Александрович Романенко. Владелец: Предприятие П/Я А-3603. Дата публикации: 1982-08-15.

Method of creating p-n junction in complex semiconductors

Номер патента: SU550061A1. Автор: Л.С. Смирнов,А.А. Гаврилов,Г.А. Качурин,Н.Б. Придачин. Владелец: Институт Физики Полупроводников Ан Ссср Со. Дата публикации: 1980-06-15.

Device for inspection of semiconductor p-n junctions

Номер патента: SU1490655A1. Автор: Владимир Ильич Турченков. Владелец: В.И.Турченков. Дата публикации: 1989-06-30.

Composition for protecting p-n junctions of high-voltage semiconductor device

Номер патента: SU1708097A1. Автор: В.Д. Лобков,Л.А. Митрофанов,Н.Е. Шубин,О.В. Неелова,Ю.П. Сергиенко,Г.О. Дудуева,В.М. Сальников,Н.В. Кальнова. Владелец: Научно-исследовательский институт электронных материалов. Дата публикации: 1996-12-27.

Method of monitoring charge stability of dielectric-semiconductor structures with surface-adjoining p-n-junction

Номер патента: SU1345823A1. Автор: Е.З. Рыскин. Владелец: Предприятие П/Я А-1589. Дата публикации: 1991-07-30.

Test method for p-n junction immunity to impulsive electrical overloads

Номер патента: SU1666990A1. Автор: Сергей Михайлович Головизнин,Станислав Николаевич Деменин,Олег Иванович Казанцев,Игорь Александрович Радзиевский. Владелец: Предприятие П/Я Х-5737. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of stabilizing p-n junction

Номер патента: SU633389A1. Автор: В.Н. Глущенко,А.Н. Косенко,А.С. Лапунин,В.Г. Плохих. Владелец: В.Н. Глущенко. Дата публикации: 1994-02-28.

Method for preparing cubic boron nitride monocrystal-diamond film hetru P-N junction

Номер патента: CN1206931A. Автор: 邹广田,王成新,高春晓,张铁臣,季艳菊. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 1999-02-03.

Method of reading signals from p-n junction semiconductor photoreceiver

Номер патента: SU579654A1. Автор: Геннадий Сергеевич Рычков,Евгений Борисович Володин,Александр Викторович Ольховский. Владелец: Предприятие П/Я А-1631. Дата публикации: 1977-11-05.

A kind of p n junction type ZnO CoTiO3The preparation method of room temperature air-sensitive film

Номер патента: CN104020193B. Автор: 黄剑锋,曹丽云,张亚宾,郭荣,卢靖,郭根根. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-28.

METHOD OF PROTECTING SURFACE OF p-n JUNCTION CHIPS

Номер патента: RU2524147C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Ильдар Азатович Габитов,Бийке Алиевна Шангереева,Таджидин Экберович Саркаров. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

Device for measuring barrier capacities of transistor p-n junction

Номер патента: SU915027A1. Автор: Nikolaj A Filinyuk. Владелец: Vinnitsky Politekhn Inst. Дата публикации: 1982-03-23.

Method of switching on of field-effect transistor with controlling p-n junction

Номер патента: RU2046455C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Александр Антонович Володкевич,Дмитрий Евгеньевич Просандеев. Владелец: Минский научно-исследовательский приборостроительный институт. Дата публикации: 1995-10-20.

Semiconductor device including p-n junction

Номер патента: JPH1126780A. Автор: Takashi Suzuki,Toshio Murata,隆司 鈴木,勉 上杉,年生 村田,Tsutomu Uesugi,佐智子 河路,Sachiko Kawaji. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1999-01-29.

Field-effect transistor with control p-n junction

Номер патента: SU1828340A1. Автор: И.Л. Мац. Владелец: Минский научно-исследовательский приборостроительный институт. Дата публикации: 1996-07-27.

Method of determining p-n junction depth

Номер патента: SU457424A1. Автор: Л.В. Ковалева,А.П. Ландсман,Т.М. Головнер,Е.В. Жидкова. Владелец: Предприятие П/Я В-2763. Дата публикации: 1979-02-28.

Arrangements for determining parameters of p-n junctions

Номер патента: SU616597A1. Автор: Василий Никифорович Терехин,Игорь Анатольевич Карапатницкий,Иван Иванович Уваров. Владелец: Казахский Политехнический Институт Имени В.И.Ленина. Дата публикации: 1978-07-25.

Process of chemical separation of silicon plates with deeply deposited p - n junction into individual crystals

Номер патента: RU2008744C1. Автор: Р.А. Церфас,В.П. Головнин,Н.Т. Джуманова,Г.Ю. Деневич. Владелец: Производственное объединение "Фотон". Дата публикации: 1994-02-28.

Method for preparing ZnO nanostructure photocatalytic film with p-n junction

Номер патента: CN100376712C. Автор: 李颖,王波,张铭,汪浩,宋雪梅,朱满康,王如志,严辉,候育冬. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-03-26.

P-n junction device and method of making the same

Номер патента: CA882389A. Автор: Shiraishi Tadashi. Владелец: Tadashi Shiraishi. Дата публикации: 1971-09-28.

Method for synthesizing Si/IIB-VIB group semiconductor nano p-n junction with one-step method

Номер патента: CN102176410B. Автор: 王莉,彭强,卢敏,于永强,揭建胜,吴春艳,任勇斌. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2013-01-09.

TITANIUM OXIDE-BASED METHOD OF PROTECTING p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2534425C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Суйкум Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Preparation method of ZnO nano homogeneous p-n junction array

Номер патента: CN102260907B. Автор: 叶志镇,吕建国,杨晓朋. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2013-03-13.

PLANAR p-n JUNCTION PROCESS METHOD BASED ON HIGH-RESISTIVITY p-TYPE SILICON

Номер патента: RU2349985C1. Автор: Владимир Владимирович Карпов,Владимир Петрович Астахов,Павел Дмитриевич Гиндин,Виктор Петрович Ежов,Геннадий Михайлович Лихачев,Константин Викторович Сорокин. Владелец: Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР". Дата публикации: 2009-03-20.

Structure of integrated circuit with built-in inductor, and using P-N junction to block the parasitic current

Номер патента: TW200428640A. Автор: David Lin,Jung Kao. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Process of manufacture of planar p+ - n junctions on inas crystals of n-type conductivity

Номер патента: RU2045107C1. Автор: В.Н. Давыдов,И.И. Таубкин,Ю.А. Данилов,В.П. Астахов,В.П. Лесников,В.Ф. Дудкин,Г.Ю. Сидорова,А.С. Трохин. Владелец: Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион". Дата публикации: 1995-09-27.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making the same

Номер патента: AU204198B2. Автор: Noel Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-03-14.

Method of making p-n junction devices

Номер патента: AU163891B2. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1953-12-17.

Method of making p-n junctions

Номер патента: CA774284A. Автор: BECK Alexander. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 1967-12-19.

P-n junction and method

Номер патента: CA676244A. Автор: Goetzberger Adolf. Владелец: Clevite Corp. Дата публикации: 1963-12-17.

Method of making p-n junction semiconductor units

Номер патента: CA547565A. Автор: C. English Albert,B. Seabrook John. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-10-15.

Semiconductor p-n junction units and method of making the same

Номер патента: CA537155A. Автор: E. Burch William. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-02-12.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU166231B2. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-10-08.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU215029B2. Автор: Noel Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-09-27.

Electrolysis plate having P-N junction cell

Номер патента: TW201006963A. Автор: Qiu-Li Zhuang. Владелец: Zeng Cai Wang. Дата публикации: 2010-02-16.

Electroluminescent p-n junction device and preparation thereof

Номер патента: AU409953B2. Автор: ANDRE LOGAN and HARRY GREGORY WHITE RALPH. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-06-05.

Fabrication of semiconductor devices having a p-n junction

Номер патента: CA717683A. Автор: T. Handelman Eileen. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1965-09-07.

A p-n junction semiconductor device

Номер патента: IE27214L. Автор: . Владелец: Standard Telephones Cables Ltd. Дата публикации: 1964-08-15.

Method of making p-n junction devices

Номер патента: AU2217453A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1953-12-17.

Contacting of p-n junctions

Номер патента: CA782734A. Автор: Pritchard Colin,C. Della Pergola Gian. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1968-04-09.

Technique for making contacts and p-n junctions

Номер патента: CA754783A. Автор: A. Zeitman Samuel,C. Della Gian. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-03-14.

Method and apparatus for surface treatment of p-n junction semiconductors

Номер патента: CA645920A. Автор: Emeis Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1962-07-31.

Process and apparatus forthe surface treatment of semiconductor elements with several electrodes and atleast one p-n junction

Номер патента: AU4957659A. Автор: Emrys Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-12-10.

Process and apparatus forthe surface treatment of semiconductor elements with several electrodes and atleast one p-n junction

Номер патента: AU234912B2. Автор: Emrys Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-12-10.

Methods of forming p-n junctions in crystalline semi-conducting materials

Номер патента: CA532740A. Автор: G. James Emrys. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1956-11-06.

P-n junction device and method of making the same (local fusion)

Номер патента: CA596805A. Автор: N. Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1960-04-26.

Method of making p-n junction semiconductor unit

Номер патента: CA574892A. Автор: W. Moyer James. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1959-04-28.

Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU167408B2. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-10.

Improvements in or relating to methods of forming P-N junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU167234B2. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-24.

Method of producing multiple p-n junctions

Номер патента: CA551415A. Автор: E. Davis Robert. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1958-01-07.

P-n junction transistor

Номер патента: CA533072A. Автор: N. Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-11-13.

System for Measuring Speed and Magnitude of Responses and Methods Thereof

Номер патента: US20120088222A1. Автор: Harvey Timothy,LINN Michael,Considine Gary,Considine Rita. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

Two-dimensional hot-film wind speed and direction sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN102749473B. Автор: 秦明,黄庆安,周麟,项天彧,陈升奇. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-16.

Gold-gold bonding process-based thermal type wind speed and direction sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN102072967B. Автор: 秦明,黄庆安,董自强. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Gold-gold bonding process-based thermal type wind speed and direction sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN102072967A. Автор: 秦明,黄庆安,董自强. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-05-25.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Tuyere for bottom gas metal purging in ladle and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2373023C2. Автор: . Владелец: Завьялов Олег Александрович. Дата публикации: 2009-11-20.

Woven circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600037C2. Автор: Николай Владимирович Иванов. Владелец: Николай Владимирович Иванов. Дата публикации: 2016-10-20.

Transport vehicle heater and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2435335C1. Автор: Косиро ТАГУТИ. Владелец: Косиро ТАГУТИ. Дата публикации: 2011-11-27.

Start target composition on basis of radium, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2436179C1. Автор: Ростислав Александрович Кузнецов,Павел Сергеевич Буткалюк,Евгений Геннадьевич Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2011-12-10.

Ball valve with full opening and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2369795C2. Автор: Владимир Николаевич Бекетов,Сергей Анатольевич Перепелкин,Сергей Геннадиевич Куликов,Константин Валерьевич Лаптинский,Вячеслав Алексеевич Маклаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Актан". Дата публикации: 2009-10-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.