Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

P-n junction based thermal detector

Номер патента: US20100265989A1
Опубликовано: 21-10-2010
Автор(ы): Brian E. Dewes, Pedro E. Castillo-Borelly
Принадлежит: Delphi Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

P-N junction based thermal detector

Номер патента: US7785002B2. Автор: Brian E. Dewes,Pedro E. Castillo-Borelly. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Thin film based thermal reference source

Номер патента: IL258564A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-28.

Thin film based thermal reference source

Номер патента: IL271172A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-01-30.

Thin film based thermal reference source

Номер патента: EP3640616A1. Автор: Kurt S. Ketola,Carl W Townsend,James R CHOW. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-04-22.

Thin film based thermal reference source

Номер патента: IL271172B. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-08-31.

Thin film based thermal reference source

Номер патента: IL258564B. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-07-29.

Thin film based thermal reference source

Номер патента: IL271171A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-01-30.

Method and apparatus for non-contact measurement of forward voltage, saturation current density, ideality factor and I-V curves in P-N junctions

Номер патента: US09880200B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of p-n junctions

Номер патента: US09921261B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

P-n junction structure

Номер патента: US20030178704A1. Автор: Anthony Kurtz. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Gateless p-n junction metrolog

Номер патента: US20200150165A1. Автор: Albert Felix Rigosi. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2020-05-14.

Apparatus and method for accurate measurement and mapping of forward and reverse-bias current-voltage characteristics of large area lateral p-n junctions

Номер патента: US09746514B2. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan,Ralph Nyffenegger,Biren Salunke,James A. Real. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Apparatus and method for accurate measurement and mapping of forward and reverse-bias current-voltage characteristics of large area lateral p-n junctions

Номер патента: WO2015034936A1. Автор: Vladimir N. Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan,Ralph Nyffenegger,Biren Salunke,James A. Real. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

Has the digital linear thermal detector that the thermocouple temperature is confirmed

Номер патента: CN101807335A. Автор: B·P·赫林顿. Владелец: Protectowire Co Inc. Дата публикации: 2010-08-18.

Infrared detecting device based on organic p-n junctions, manufacturing method thereof and infrared image detector using device

Номер патента: CN103390630A. Автор: 刘亚伟. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-13.

High-sensitivity light intensity fluctuation detector based on p-n junction

Номер патента: CN111755556A. Автор: 吕惠宾,何萌,金奎娟,杨国桢,郭尔佳. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2020-10-09.

Silicon carbide integrated circuit including P-N junction photodiode

Номер патента: US10763284B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Brendan Michael Cusack,Mitchell Adrian Gross. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2020-09-01.

Thermal detector

Номер патента: US4847500A. Автор: Paul Watson,David J. Pedder,Richard A. C. Bache. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Thermal detector array

Номер патента: GB2200246A. Автор: David John Pedder,Paul Watson,Richard Antony Charles Bache. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1988-07-27.

Sensitive pixel based detection system comprising a thermal detector and a compensation device

Номер патента: US11815400B2. Автор: Abdelkader Aliane,Alain Charpentier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-14.

Methods and instruments of leakage current in resistance thermal detector monitoring

Номер патента: RU2640126C2. Автор: Пол Г. МЕЙЭР,Джеффри Б. МАКГОГИ,Сюедун ЛИУ. Владелец: Бристоль, Инк., Д/Б/А Ремоут Аутомейтид Солюшенз. Дата публикации: 2017-12-26.

Cloud-based thermal control of wireless access points

Номер патента: US20190174336A1. Автор: William McFarland,Patrick Hanley,Richard Chang,Yoseph Malkin. Владелец: Plume Design Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Method and apparatus for non-contact measurement of forward voltage, saturation current density, ideality factor and i-v curves in p-n junctions

Номер патента: CN105637624A. Автор: V·N·法伊费尔,I·S·G·凯利-摩根. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-06-01.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of P-N junctions

Номер патента: TW201538996A. Автор: Vladimir N Faifer,Ian Sierra Gabriel Kelly-Morgan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2015-10-16.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of p-n junctions

Номер патента: CN105849577A. Автор: V·N·法伊费尔,I·S·G·凯利-摩根. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-10.

Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of P-N junction

Номер патента: CN105849577B. Автор: V·N·法伊费尔,I·S·G·凯利-摩根. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-01-03.

Method for locating p-n junctions in semiconductor bodies

Номер патента: US2956230A. Автор: Gerald R Broussard. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1960-10-11.

Apparatus and Method for Accurate Measurement and Mapping of Forward and Reverse-Bias Current-Voltage Characteristics of Large Area Lateral P-N Junctions

Номер патента: US20150061714A1. Автор: Salunke Biren,Faifer Vladimir N.,Kelly-Morgan Ian Sierra Gabriel,NYFFENEGGER Ralph,Real James A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Method and Apparatus for Non-Contact Measurement of Forward Voltage, Saturation Current Density, Ideality Factor and I-V Curves in P-N Junctions

Номер патента: US20150061715A1. Автор: Faifer Vladimir N.,Kelly-Morgan Ian Sierra Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Gateless p-n junction metrolog

Номер патента: US20200150165A1. Автор: Albert Felix Rigosi. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2020-05-14.

Method and Apparatus for Non-Contact Measurement of Sheet Resistance and Shunt Resistance of P-N Junctions

Номер патента: US20150241512A1. Автор: Faifer Vladimir N.,Kelly-Morgan Ian Sierra Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

P-n junction sensor

Номер патента: US6627959B1. Автор: Richard Mlcak,Harry L. Tuller. Владелец: Boston Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-30.

Non contact method and apparatus for measurement of sheet resistance of p-n junctions

Номер патента: WO2006062510A1. Автор: Phuc Van,Vladimir Faifer. Владелец: Ahbee 2, Lp. Дата публикации: 2006-06-15.

Non-contact method and apparatus for measurement of leakage current of p-n junctions in IC product wafers

Номер патента: US7414409B1. Автор: Michael Current,Vladimir Faifer,Timothy Wong. Владелец: Ahbee 2 LP. Дата публикации: 2008-08-19.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US20230129179A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US11782102B2. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

High-insulation thermal detector

Номер патента: RU2489688C2. Автор: Мишель ВИЛЕН. Владелец: Юлис. Дата публикации: 2013-08-10.

Device for detecting an electromagnetic radiation including a thermal detector over a readout substrate an active electronic element of which is located the closest to the thermal detector

Номер патента: US20240213148A1. Автор: Sébastien Becker,Patrick Leduc,Thomas PERRILLAT-BOTTONET. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Low noise and wide range wavelength tuning on metamaterial absorber for cooled and uncooled thermal detectors

Номер патента: WO2022055462A1. Автор: Hasan GOKTAS. Владелец: Goektas Hasan. Дата публикации: 2022-03-17.

Thermal detector for detecting electromagnetic radiation comprising an antenna and a resistive load that are coupled inductively

Номер патента: US11754448B2. Автор: Laurent Dussopt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-09-12.

Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method

Номер патента: US8734010B2. Автор: Yasushi Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

THERMAL DETECTOR

Номер патента: FR2834343B1. Автор: Davide Tesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-04-09.

Thermal detector

Номер патента: HK1109235A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2008-05-30.

Thermal detector

Номер патента: KR100311977B1. Автор: 한명수,강대석,윤태준. Владелец: 곽정소. Дата публикации: 2002-02-19.

MODULATION METHODS FOR CMOS-BASED THERMAL SENSORS

Номер патента: US20150204731A1. Автор: Corcos Dan,Despont Michel,Elad Danny,Morf Thomas,Soyuer Mehmet. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-23.

Tuning D* with Modified Thermal Detectors

Номер патента: US20090140144A1. Автор: Michael L. Myrick,Michael N. Simcock. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2009-06-04.

Systems and methods for interaction with thermal detectors

Номер патента: US09864050B2. Автор: Susan Houde-Walter,Christopher Gagliano. Владелец: Lasermax Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Rfid based thermal bubble type accelerometer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130034925A1. Автор: Jium Ming Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Magnetic tunnel junction based memory device

Номер патента: SG10201807227PA. Автор: Romney R Katti. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Multi-Layer P-N Junction Based Phase Shifter and Methods of Manufacturing and Using the Same

Номер патента: US20210373363A1. Автор: Qiugui ZHOU,Mark Heimbuch. Владелец: Source Photonics Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: US20240231132A9. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-11.

Electro-refraction modulator with a regrown p-n junction

Номер патента: US09470914B1. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy,John E. Cunningham,Stevan S. Djordjevic. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: US20240134215A1. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon optical phase shifter with a series of p-n junctions

Номер патента: EP4357844A1. Автор: Jianfeng Ding. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-04-24.

Thermal detector

Номер патента: EP1642100B1. Автор: David J. c/o QinetiQ Limited COMBES,Kevin M. c/o QinetiQ Limited BRUNSON,Mark E. c/o QinetiQ Limited MCNIE,Rhodri R. c/o QinetiQ Limited DAVIES,Michael A. QinetiQ Limited TODD,Paul P. QinetiQ Limited DONOHUE,Carl J. Dept. of Mechanical Engineering ANTHONY,Keith L. QinetiQ Limited LEWIS. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

THERMAL DETECTOR

Номер патента: DE602004022811D1. Автор: Mark E McNie,David J Combes,Kevin M Brunson,Michael A Todd,Rhodri R Davies,Paul P Donohue,Edgbaston Anthony,Keith L Lewis. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Thermal detector, thermal detector device, electronic instrument, and method of manufacturing thermal detector

Номер патента: US20110180713A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

SUSPENDED-MEMBRANE THERMAL DETECTOR COMPRISING A DEFORMABLE PART FOR THERMAL SHORT-CIRCUIT

Номер патента: US20200173858A1. Автор: ALIANE Abdelkader,Ouvrier-Buffet Jean-Louis. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2020-06-04.

THERMAL DETECTOR ARRAY CONFIGURED TO DETECT THERMAL RADIATION FROM THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180283959A1. Автор: MERRIKH Ali Akbar,Goruganthu Rama Rao. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

suspended membrane thermal detector comprising a deformable absorber

Номер патента: FR3089005B1. Автор: Abdelkader Aliane,Jean-Louis Ouvrier-Buffet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-10-30.

THERMAL DETECTOR FOR ELECTROMAGNETIC RADIATION COMPRISING AN ABSORBENT MEMBRANE FIXED IN SUSPENSION

Номер патента: FR2875298B1. Автор: Michel Vilain,Astrid Astier,Jean Jacques Yon. Владелец: Ulis SAS. Дата публикации: 2007-03-02.

THERMAL DETECTOR

Номер патента: FR2624603B1. Автор: David John Pedder,Roger William Whatmore,Andrew Duncan Parsons,Nicholas Martin Shorrocks. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1993-04-30.

SENSITIVE PIXEL DETECTION SYSTEM COMPRISING A THERMAL DETECTOR AND A COMPENSATION DEVICE

Номер патента: FR3081989A1. Автор: Abdelkader Aliane,Alain Charpentier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-06.

SENSITIVE PIXEL DETECTION SYSTEM INCLUDING A THERMAL DETECTOR AND A COMPENSATION DEVICE

Номер патента: FR3081989B1. Автор: Abdelkader Aliane,Alain Charpentier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-08-21.

NETWORK THERMAL DETECTOR

Номер патента: FR2620531B1. Автор: Watson Paul,John Pedder David,Antony Charles Bache Richard. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1993-11-05.

Honeycomb-structured electromagnetic radiation thermal detector

Номер патента: EP1616159B1. Автор: Michel Vilain,Jean-Jacques Yon,Astrid Astier,Jean-Louis Ouvrier-Buffet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-03-04.

Sensitive pixel based detection system comprising a thermal detector and a compensation device

Номер патента: EP3803299A1. Автор: Abdelkader Aliane,Alain Charpentier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-04-14.

THERMAL DETECTOR SETUP

Номер патента: SE8702531L. Автор: D J Pedder,N M Shorrocks,A D Parsons,R W Whatmore. Владелец: Plessey Overseas. Дата публикации: 1988-08-06.

THERMAL DETECTOR FOR ELECTROMAGNETIC RADIATION WITH ALVEOLED STRUCTURE

Номер патента: FR2854277B1. Автор: Michel Vilain,Astrid Astier,Jean Jacques Yon,Buffet Jean Louis Ouvrier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2005-08-05.

suspended membrane thermal detector comprising a deformable absorber

Номер патента: FR3089005A1. Автор: Abdelkader Aliane,Jean-Louis Ouvrier-Buffet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-05-29.

Suspended-membrane thermal detector comprising a deformable part for thermal short-circuit

Номер патента: US11047738B2. Автор: Abdelkader Aliane,Jean-Louis Ouvrier-Buffet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-06-29.

THERMAL DETECTOR

Номер патента: FR2624603A1. Автор: David John Pedder,Roger William Whatmore,Andrew Duncan Parsons,Nicholas Martin Shorrocks. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1989-06-16.

THERMAL DETECTOR

Номер патента: IT1228421B. Автор: Watson Paul,Pedder David John,Bache Richard Antony Charles. Владелец: Plessey Overseas. Дата публикации: 1991-06-17.

THERMAL DETECTOR FOR ELECTROMAGNETIC RADIATION COMPRISING AN ABSORBENT MEMBRANE FIXED IN SUSPENSION

Номер патента: FR2875298A1. Автор: Michel Vilain,Astrid Astier,Jean Jacques Yon. Владелец: Ulis SAS. Дата публикации: 2006-03-17.

THERMAL DETECTOR IN NETWORK

Номер патента: FR2620531A1. Автор: David John Pedder,Paul Watson,Richard Antony Charles Bache. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1989-03-17.

Thermal detector for electromagnetic radiation detection, has absorbent membrane fixed to suspension on front side of substrate using insulating support with alveolate structures, each having thin layers separated by spacers

Номер патента: FR2854277A1. Автор: Michel Vilain,Astrid Astier,Jean Jacques Yon,Buffet Jean Louis Ouvrier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2004-10-29.

DIGITALLY-BASED, THERMAL IMAGING DEVICE CONFIGURED IN A CONVENTIONAL, OPTICALLY-BASED IMAGING DEVICE FORM FACTOR

Номер патента: US20190297232A1. Автор: Alsheuski Aliaksandr. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Methods, systems, and apparatus to generate logic based thermal degradation alerts in compute devices

Номер патента: US20220326096A1. Автор: Bijendra Singh,Zhongsheng Wang,Deepak Ganapathy,Abhishek Srivastav,Sumod Cherukkate,Smit Kapila,Manit Biswas,Dipen Dudhat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Miniaturized thermistor based thermal sensor

Номер патента: US20190353534A1. Автор: Joseph Shor,Anatoli Mordakhay. Владелец: Birad Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Sensor-Based Thermal Specification Enabling a Real-Time Metric for Compliance

Номер патента: US20110077794A1. Автор: David J. Ayers,Robin A. Steinbrecher,Sandeep Ahuja,Susan F. Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Multi-parameter composite adaptive-environment constant-temperature and rate-of-rise fixed temperature linear thermal detector

Номер патента: CN106355813A. Автор: 黄继洲. Владелец: 黄继洲. Дата публикации: 2017-01-25.

Thermal detector device for air conditioner

Номер патента: CN1127648C. Автор: 横内朗,井上省太朗,中田友之,丰本耕次. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-12.

Thermal detector device for air conditioner

Номер патента: CN1105277C. Автор: 丰本耕次,横内郎,小山正树,福田克己. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-09.

Thermal detector and method of manufacturing thermal sensing element

Номер патента: TWI426631B. Автор: Tetsuya Nagashima,Manabu Dohi,Yoshimi Kawabata,Yasuo Ohmori. Владелец: Hochiki Co. Дата публикации: 2014-02-11.

Sensor-based thermal specification enabling a real-time metric for compliance

Номер патента: US20130060399A1. Автор: David J. Ayers,Robin A. Steinbrecher,Sandeep Ahuja,Susan F. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-07.

A high resolution, nanomembrane-based, thermal diffusivity biosensor for living cells

Номер патента: US20190003994A1. Автор: Rami Tarek El Afandy,Boon Siew Ooi. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2019-01-03.

Relative sensor based thermal management

Номер патента: US20180067507A1. Автор: Gregory Allen Nielsen,Rajagopal K. Venkatachalam,Ryan Charles Smith,Mark Adrian Hughes. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-03-08.

THERMISTOR DIE-BASED THERMAL PROBE

Номер патента: US20190346312A1. Автор: Romig Matthew David,KUMMERL STEVEN ALDRED,HARRELL STEVE EDWARD. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

MINIATURIZED THERMISTOR BASED THERMAL SENSOR

Номер патента: US20190353534A1. Автор: Shor Joseph,Mordakhay Anatoli. Владелец: Birad - Research & Development Company Ltd.. Дата публикации: 2019-11-21.

A high-resolution, nanomembrane-based, thermal diffusivity biosensor for living cells

Номер патента: WO2017125866A1. Автор: Rami Tarek El Afandy,Boon Siew Ooi. Владелец: King Abdullah University Of Science & Technology. Дата публикации: 2017-07-27.

A high-resolution, nanomembrane-based, thermal diffusivity biosensor for living cells

Номер патента: EP3405789A1. Автор: Rami Tarek El Afandy,Boon Siew Ooi. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2018-11-28.

Motion based thermal image processing systems and methods

Номер патента: US12058473B2. Автор: Tien C. Nguyen. Владелец: FLIR Systems AB. Дата публикации: 2024-08-06.

Optical readout for thermal detector array

Номер патента: US20230375413A1. Автор: Nathan Andrew Tomlin,Christopher Shing-Yu Yung. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2023-11-23.

Thermal detector

Номер патента: WO2021053267A1. Автор: GRIGORAS Kestutis,Kirsi Tappura,Mika Prunnila,Aapo VARPULA,Jonna Tiira. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2021-03-25.

Structured silicon-based thermal emitter

Номер патента: WO2017011269A2. Автор: Yasser M. Sabry,Tarik E. Bourouina,Diaa Khalil,Momen Anwar. Владелец: SI-WARE SYSTEMS. Дата публикации: 2017-01-19.

Structured silicon-based thermal emitter

Номер патента: US09793478B2. Автор: Yasser M. Sabry,Tarik E. Bourouina,Diaa Khalil,Momen Anwar. Владелец: SI Ware Systems SAE. Дата публикации: 2017-10-17.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND THERMAL DETECTOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140038336A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND THERMAL DETECTOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150122999A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

THERMAL DETECTOR AND THERMAL DETECTOR ARRAY

Номер патента: US20200309603A1. Автор: Guo Bin,Varpula Aapo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

THERMAL DETECTOR FOR ELECTROMAGNETIC RADIATION IN AN INFRARED DETECTION DEVICE USING THE DETECTORS

Номер патента: DE602006012305D1. Автор: Jean-Louis Ouvrier-Buffet,Agnes Arnaud,Andre Perez,Sylvette Bisotto. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-04-01.

Monitoring hand washing using an array of thermal detectors

Номер патента: GB2480654A. Автор: Neil Johnson,Stephen Hollock,Nicola Cross. Владелец: Infrared Integrated Systems Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Thermal detector, thermal detection device and electronic instrument, and method for manufacturing thermal detector

Номер патента: US9000372B2. Автор: Yasushi Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Thermal detector and thermal detector array

Номер патента: CN111356907A. Автор: 郭斌,阿波·瓦普拉. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2020-06-30.

Thermal detector and thermal detector array

Номер патента: WO2019043299A1. Автор: Bin Guo,Aapo VARPULA. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2019-03-07.

Bolometric thermal detector

Номер патента: US5818043A. Автор: Philippe Robin,Francois Buchy. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1998-10-06.

Quartz oscillator-based radiation sensor - consists of receiver face arranged directly on thermal detector useful as IR detectors

Номер патента: DE4109399A1. Автор: Steffen Joachim,Erik Hacker,Ingolf Berger,Gerd Jaeger. Владелец: Jenoptik Jena GmbH. Дата публикации: 1991-10-24.

Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method

Номер патента: CN102607716A. Автор: 土屋泰. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

THERMAL DETECTOR FOR ELECTROMAGNETIC RADIATION WITH ORIENTED INSULATION ELEMENTS AND DETECTION DEVICE COMPRISING SUCH DETECTORS

Номер патента: FR2889589B1. Автор: Buffet Jean Louis Ouvrier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-09-26.

Thermal detector for electromagnetic radiation and infrared detection device using such detectors

Номер патента: US7544942B2. Автор: Jean-Louis Ouvrier-Buffet,Agnes Arnaud,Andre Perez,Sylvette Bisotto. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-06-09.

A thermal detector

Номер патента: GB9117385D0. Автор: . Владелец: Marconi Co Ltd. Дата публикации: 1992-05-27.

Thermal detector with optical sensing and a thermal imager of the thermal detection type

Номер патента: GB9022619D0. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2009-12-23.

Bolometer pixel-based thermally actuated trigger roic with self-heating compensation and calibration

Номер патента: WO2023022786A1. Автор: Henry Lee,Jehyuk Rhee,Matthew C. Thomas. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-23.

Superconducting thermal detector (bolometer) of terahertz (sub-millimeter wave) radiation

Номер патента: US20160018267A1. Автор: Timofeev Andrey,HELISTÖ Panu,HASSEL Juha,Luukanen Arttu,Grönberg Leif. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

THERMAL DETECTOR FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION COMPRISING AN ANTENNA AND A RESISTIVE LOAD THAT ARE COUPLED INDUCTIVELY

Номер патента: US20220291048A1. Автор: Dussopt Laurent. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2022-09-15.

SENSITIVE PIXEL BASED DETECTION SYSTEM COMPRISING A THERMAL DETECTOR AND A COMPENSATION DEVICE

Номер патента: US20210199509A1. Автор: ALIANE Abdelkader,CHARPENTIER Alain. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2021-07-01.

SUSPENDED-MEMBRANE THERMAL DETECTOR COMPRISING A DEFORMABLE ABSORBER

Номер патента: US20200166408A1. Автор: ALIANE Abdelkader,Ouvrier-Buffet Jean-Louis. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2020-05-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR INTERACTION WITH THERMAL DETECTORS

Номер патента: US20150338280A1. Автор: Houde-Walter Susan,Gagliano Christopher. Владелец: LASERMAX, INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Infrared thermal detector and method of manufacturing the same

Номер патента: CN103033269A. Автор: 申昶均,金桢佑,朴海锡,南圣炫. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-10.

Detecting direction indicating structure for thermal detector

Номер патента: JPS5841332A. Автор: Shozo Tanaka,章三 田中. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1983-03-10.

THERMAL DETECTOR WITH HIGH INSULATION

Номер патента: FR2930639A1. Автор: Michel Vilain. Владелец: Ulis SAS. Дата публикации: 2009-10-30.

MICRO-ENCAPSULATION THERMAL DETECTOR.

Номер патента: FR2936868B1. Автор: Michel Vilain. Владелец: Ulis SAS. Дата публикации: 2011-02-18.

Bolometric thermal detector.

Номер патента: FR2703779B1. Автор: Philippe Robin,Francois Buchy. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-05-12.

Device and methods for the calibration and control of thermal detectors

Номер патента: GB0202472D0. Автор: . Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2002-03-20.

Device and method for the calibration and control of thermal detectors

Номер патента: WO2003067203A3. Автор: Tej Paul Kaushal,John Peter Gillham. Владелец: John Peter Gillham. Дата публикации: 2003-12-04.

Infrared thermal detector and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2581721A3. Автор: Hae-seok Park,Sung-Hyun Nam,Jung-Woo Kim,Chang-Gyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-11.

Tunable finesse infrared cavity thermal detectors

Номер патента: US20080035846A1. Автор: Michael Sutton,Joseph Talghader,Yuyan Wang. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2008-02-14.

A thermal detector array

Номер патента: CA2290541A1. Автор: Cyril Hilsum,Rex Watton. Владелец: Rex Watton. Дата публикации: 1998-12-03.

Infrared thermal detector and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111879419B. Автор: 陈大鹏,刘超,周琼,黄鹏,傅剑宇,侯影,冯万进. Владелец: Wuxi Internet Of Things Innovation Center Co ltd. Дата публикации: 2021-04-16.

THERMAL DETECTOR WITH A BOUNDARY VIEW ANGLE

Номер патента: FR2794527A1. Автор: François Micheron,Marie Benoite Jolliot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2000-12-08.

Thermal detector array

Номер патента: US6388256B1. Автор: Cyril Hilsum,Rex Watton. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Highly isolated thermal detector

Номер патента: US8232524B2. Автор: Michel Vilain. Владелец: Ulis SAS. Дата публикации: 2012-07-31.

Thermal detector of electromagnetic radiation comprising an antenna and a resistive load coupled inductively

Номер патента: FR3120261A1. Автор: Laurent Dussopt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-09-02.

Absorber structure for thermal detectors

Номер патента: EP3877735A1. Автор: Kirsi Tappura,Mika Prunnila,Aapo VARPULA. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2021-09-15.

Device and method for the calibration and control of thermal detectors

Номер патента: US7858941B2. Автор: Tej Paul Kaushal,John Peter Gillham. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-12-28.

Optically transitioning thermal detector structures

Номер патента: US8513605B2. Автор: Howard Beratan. Владелец: L3 Communications Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

DETECTION DEVICE WITH A THERMAL DETECTOR COMPRISING A SEALING AND FOCUSING LAYER

Номер патента: FR3081990A1. Автор: Laurent Frey,Sébastien Becker,Goeffroy Dumont. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-06.

Optical device for thermal detector

Номер патента: JPS6381231A. Автор: Joji Tsutsui,譲二 筒井. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1988-04-12.

Device and method for the calibration and control of thermal detectors

Номер патента: WO2003067203A2. Автор: Tej Paul Kaushal,John Peter Gillham. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2003-08-14.

Thermal detector

Номер патента: US20220344561A1. Автор: GRIGORAS Kestutis,Kirsi Tappura,Mika Prunnila,Aapo VARPULA,Jonna Tiira. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2022-10-27.

BOLOMETRIC THERMAL DETECTOR

Номер патента: FR2773215A1. Автор: Jean Jacques Yon,Buffet Jean Louis Ouvrier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-07-02.

Optically transitioning thermal detector structures

Номер патента: WO2011139329A3. Автор: Howard Beratan. Владелец: L-3 Communications Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LOW NOISE FOR COOLED AND NON-COOLED THERMAL DETECTORS

Номер патента: TR202014460A2. Автор: Göktaş Hasan. Владелец: Harran Ueniversitesi. Дата публикации: 2020-10-21.

ARRANGEMENT WITH THERMAL DETECTORS

Номер патента: DE69829658D1. Автор: Cyril Hilsum,Rex Watton. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Absorber structure for thermal detectors

Номер патента: EP3877735B1. Автор: Kirsi Tappura,Mika Prunnila,Aapo VARPULA. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2023-11-29.

GEL BASED THERMAL SENSORS

Номер патента: US20180080830A1. Автор: DARAIO Chiara,BONANOMI Luca,COSTANZA Vincenzo,DI GIACOMO Raffaele,MARESCA Bruno. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

MOTION BASED THERMAL IMAGE PROCESSING SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20210329178A1. Автор: Nguyen Tien C.. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

GEL BASED THERMAL SENSORS

Номер патента: US20190271597A1. Автор: DARAIO Chiara,BONANOMI Luca,COSTANZA Vincenzo,DI GIACOMO Raffaele,MARESCA Bruno. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

UNMANNED AERIAL SYSTEM BASED THERMAL IMAGING AND AGGREGATION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20180283953A1. Автор: Frank Jeffrey D.,Richards Austin A.,Högasten Nicholas,Hoelter Theodore R.,Li Jonathan,Scanlon Thomas J.,Kent Michael,Moreira Julie R.,Valdes Raymond,BOULANGER Pierre M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Electromagnetic based thermal sensing and imaging

Номер патента: US20110062329A1. Автор: David Ben-Bassat. Владелец: PLANXWELL Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Thermal detector for chemical or biological agents

Номер патента: WO2007143541A3. Автор: Ronald W Raab,David J Lawrence,George L Coffman,W Gene Tucker,Thomas C Devore,Gerald R Taylor. Владелец: Gerald R Taylor. Дата публикации: 2008-04-24.

Carbon nanotube-based thermal interface materials and methods of making and using thereof

Номер патента: US20200066614A1. Автор: Baratunde Cola,Craig Green,Leonardo Prinzi. Владелец: Carbice Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Miniature silicon based thermal vacuum sensor and method of measuring vacuum pressures

Номер патента: AU3552295A. Автор: William J Alvesteffer,David C Jacobs. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1996-03-29.

Spin orbit torque based thermal sensor for insitu monitoring of magnetic recording head

Номер патента: US20240310459A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Xiaoyong Liu,Son T. LE,Brian R. York,Nam Hai PHAM,Huy H. HO,Rohan Babu NAGABHIRAVA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Luciferase-based thermal shift assays

Номер патента: EP3254113B1. Автор: Lance P. Encell,Keith Wood,Brock F. Binkowski,Ce Shi,Thomas Kirkland,Thomas Machleidt,Melanie Dart,Matthew Robers. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Luciferase-based thermal shift assays

Номер патента: EP4455668A2. Автор: Lance P. Encell,Keith Wood,Brock F. Binkowski,Ce Shi,Thomas Kirkland,Thomas Machleidt,Melanie Dart,Matthew Robers. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR INTERACTION WITH THERMAL DETECTORS

Номер патента: US20190146072A1. Автор: Houde-Walter Susan,Gagliano Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

SYSTEMS AND METHODS FOR INTERACTION WITH THERMAL DETECTORS

Номер патента: US20200182986A1. Автор: Houde-Walter Susan,Gagliano Christopher A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Cumulative thermal detector

Номер патента: CA948440A. Автор: Patrick Picker. Владелец: Universite de Sherbrooke. Дата публикации: 1974-06-04.

Gas analyzer using thermal detectors

Номер патента: US6694800B2. Автор: Mika Hietala,Kurt Weckström. Владелец: Instrumentarium Oyj. Дата публикации: 2004-02-24.

Thermal detector for chemical or biological agents

Номер патента: WO2007143541A2. Автор: David J. Lawrence,Ronald W. Raab,George L. Coffman,W. Gene Tucker,Thomas C. Devore,Gerald R. Taylor. Владелец: James Madison University. Дата публикации: 2007-12-13.

POLYMER COMPOSITE BASED THERMAL NEUTRON DETECTORS

Номер патента: US20130270442A1. Автор: Sen Indraneel,Penumadu Dayakar,Uppal Rohit. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Carbon nanotube-based thermal interface materials and methods of making and using thereof

Номер патента: US20200066614A1. Автор: Baratunde Cola,Craig Green,Leonardo Prinzi. Владелец: Carbice Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

LUCIFERASE-BASED THERMAL SHIFT ASSAYS

Номер патента: US20210080470A1. Автор: Encell Lance P.,Kirkland Thomas,Robers Matthew,Machleidt Thomas,Dart Melanie,Shi Ce,Wood Keith,Binkowski Brock F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

LUCIFERASE-BASED THERMAL SHIFT ASSAYS

Номер патента: US20200174012A1. Автор: Encell Lance P.,Kirkland Thomas,Robers Matthew,Machleidt Thomas,Dart Melanie,Shi Ce,Wood Keith,Binkowski Brock F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

CELL MANUFACTURING USING LIQUID-BASED THERMAL SYSTEM

Номер патента: US20160233559A1. Автор: Tsuruta Kunio. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

POLYMER COMPOSITE BASED THERMAL NEUTRON DETECTORS

Номер патента: US20150247938A1. Автор: Penumadu Dayakar. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

CARBON NANOTUBE-BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS AND METHODS OF MAKING AND USING THEREOF

Номер патента: US20180254236A1. Автор: GREEN Craig,Cola Baratunde,Prinzi Leonardo. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

UNMANNED AERIAL SYSTEM BASED THERMAL IMAGING SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20180266887A1. Автор: Frank Jeffrey D.,Richards Austin A.,Högasten Nicholas,Hoelter Theodore R.,Boulanger Pierre,Li Jonathan,Kent Michael,Moreira Julie R.,Valdes Raymond. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

LUCIFERASE-BASED THERMAL SHIFT ASSAYS

Номер патента: US20160282360A1. Автор: Encell Lance P.,Kirkland Thomas,Robers Matthew,Machleidt Thomas,Dart Melanie,Shi Ce,Wood Keith,Binkowski Brock F.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

MEMBRANE-BASED THERMAL FLOW SENSOR DEVICE

Номер патента: US20180306621A1. Автор: Hornung Mark. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2018-10-25.

Terahertz technology-based thermal barrier coating ceramic layer thickness measurement method

Номер патента: CN110081826B. Автор: 范孟豹,曹丙花,王梦云,蔡恩泽,李素珍,李肖寒. Владелец: China University of Mining and Technology CUMT. Дата публикации: 2021-03-02.

Voltage based thermal control of processing device

Номер патента: US10310572B2. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Peter Anthony Atkinson,Robert James Ray,Andres Felipe Hernandez Mojica,Samy Boshra-Riad,Erng-Sing Wee,Brian Keith Langendorf. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-06-04.

Terahertz technology-based thermal barrier coating parallel crack monitoring method

Номер патента: CN109490244B. Автор: 轩福贞,涂善东,叶东东,陆翔,王卫泽,黄继波,周海婷. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-05-14.

Fiber-optic based thermal reflectance material property measurement system and related methods

Номер патента: US10928317B2. Автор: Brian M. Foley,John T. Gaskins,Patrick E. Hopkins. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2021-02-23.

Battery manufacturing using liquid-based thermal system

Номер патента: CN105870507B. Автор: 鹤田邦夫. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2020-10-16.

System for managing disease epidemiological survey based thermal imaging camera and wifi

Номер патента: KR102188124B1. Автор: 유승열. Владелец: 주식회사 이엠웨이브. Дата публикации: 2020-12-07.

RFID Based Thermal Bubble Type Accelerometer And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20110036168A1. Автор: Jium Ming Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-17.

Luciferase-based thermal shift assays

Номер патента: US11899021B2. Автор: Lance P. Encell,Keith Wood,Brock F. Binkowski,Ce Shi,Thomas Kirkland,Thomas Machleidt,Melanie Dart,Matthew Robers. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Beam steering evice including p-n junction layer

Номер патента: KR20180010583A. Автор: 김선일,박재철,이두현,최병룡. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-01-31.

Organic p-n junction based infrared detection device and manufacturing method thereof and infrared image detector using same

Номер патента: US20160154315A1. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Photon emission by hot electron injection across a lateral p n junction

Номер патента: GB202304452D0. Автор: . Владелец: NPL Management Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

BEAM STEERING DEVICE INCLUDING P-N JUNCTION LAYER

Номер патента: US20180024412A1. Автор: KIM Sunil,CHOI Byounglyong,PARK Jaechul,LEE Duhyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Thermal flux laser annealing for ion implantation of semiconductor P-N junctions

Номер патента: US7135392B1. Автор: Dean Jennings,Joseph M. Ranish,Bruce E. Adams,Abhilash J. Mayur,Vijay Parihar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Thermal flux laser annealing for ion implantation of semiconductor p-n junctions

Номер патента: WO2007018567A1. Автор: Dean Jennings,Joseph M. Ranish,Bruce E. Adams,Abhilash J. Mayur,Vijay Parhihar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-02-15.

Shared bit line cross-point memory array incorporating P/N junctions

Номер патента: US6927430B2. Автор: Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-09.

Modulating device having a curved p-n junction

Номер патента: US3454843A. Автор: Walter Fulop,Paul Charles Maria De Belatini. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1969-07-08.

Electro-optic modulator with periodic p-n junction in slow-light waveguide gratings

Номер патента: WO2020234098A1. Автор: Marco Passoni,Dario GERACE,Lucio Andreani,John William WHELAN-CURTIN. Владелец: Universita' Degli Studi Di Pavia. Дата публикации: 2020-11-26.

Organic p-n junction based ultraviolet detection device and ultraviolet image detector using same

Номер патента: US09614009B2. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

DIODE WITH P-N-JUNCTION HAVING CONTROLLED HETEROSTRUCTURE, SELF-POSITIONING ON HgCdTe, FOR IMAGER IN INFRARED SPECTRUM AREA

Номер патента: RU2618483C2. Автор: Лоран МОЛЛАР,Николя БАЙЕР,Йохан РОТМАН. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2017-05-03.

Photon precision sensor on semiconductor thyristor with one photosensitive n-p-junction and two light-emitting p-n-junctions

Номер патента: RU2673987C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-12-03.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Semiconductor device for amplification of photon flux with photosensitive and light-emitting p-n-junctions

Номер патента: RU2693834C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-07-05.

Single P-N Junction Tandem Photovoltaic Device

Номер патента: US20120031491A1. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Kin Man Yu,Joel W. Ager, III. Владелец: RoseStreet Labs Energy LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Single p-n junction tandem photovoltaic device

Номер патента: EP2158610A1. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Kin Man Yu,Joel W. Ager, III. Владелец: Rosestreet Labs Energy Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

Iii-nitride p-n junction device using porous layer

Номер патента: WO2021150688A1. Автор: Shuji Nakamura,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-29.

P-n junction diode

Номер патента: EP4404276A1. Автор: Akio Takatsuka,Kohei Sasaki. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Programmable Poly Fuse Using a P-N Junction Breakdown

Номер патента: US20130224933A1. Автор: Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Field thyristor with non-isolated photosensitive optical gate and light-emitting p-n-junction

Номер патента: RU2693839C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-07-05.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8558315B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-10-15.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8735228B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-05-27.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140308799A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-16.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140004681A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-01-02.

Lateral p-n junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180175303A1. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-06-21.

Lateral P-N junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10468604B2. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2019-11-05.

P-n junction diode and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2007046936A2. Автор: Sheng-Huei Dai,Chun-jen Huang,Ya-Chin King,L.C. Kao. Владелец: Vishay General Semiconductor, Llc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for producing the P-N junction of a thin-film photovoltaic cell and corresponding method for producing a photovoltaic cell

Номер патента: US09640687B2. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

P-n junction diode and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2007046936A3. Автор: Sheng-Huei Dai,Chun-jen Huang,Ya-Chin King,L C Kao. Владелец: Vishay General Semiconductor I. Дата публикации: 2007-07-12.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Organic p-n junction with antenna

Номер патента: CA1229221A. Автор: James E. Guillet,James R. Bolton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-11-17.

Uv detector comprising a rectifying p-n junction

Номер патента: EP3519606A1. Автор: Damien Lenoble,Renaud Leturcq,Naoufal Bahlawane,Jonathan CREPELLIERE. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2019-08-07.

Solid state photomultiplier using buried P-N junction

Номер патента: US09728667B1. Автор: Chad Whitney,Erik Bjorn Johnson,Xiao Jie Chen,Christopher Stapels,James F. Christian. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Vertical p-n junction device and method of forming same

Номер патента: US20080258173A1. Автор: Steven H. Voldman,Benjamin T. Voegeli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: EP1071132A3. Автор: Min Zhu,Kai Chartered Semiconductor Manuf. Pte Ltd. Shao,Shao-fu Chart. Semicond. Manuf. Ltd Sandford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode

Номер патента: USRE27385E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1972-06-13.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: US20230420599A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Compact arrays of color-tunable pixels having two p-n junctions

Номер патента: US20230420627A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: WO2023250146A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Compact arrays of color-tunable pixels having two p-n junctions

Номер патента: WO2023250145A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Method for doping semiconducting silicon with phosphorus to create p-n junctions

Номер патента: RU2612043C1. Автор: Аркадий Алексеевич Скворцов,Марина Валерьевна Корячко,Павел Аркадьевич Скворцов,Маргарита Рушановна Рыбакова,Елена Николаевна Скворцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-03-02.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Mos p-n junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084136A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US9362350B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Mos p-n junction schottky diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140295628A1. Автор: Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-02.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865700B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595617B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device containing graphene p-n junctions and method for producing same

Номер патента: US09343532B2. Автор: SUNG Kim,Dong Hee Shin,Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-05-17.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device with p-n junction

Номер патента: WO2011082633A1. Автор: Zhenqiang ZHOU,Tanghua Jiang. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for forming p-n junctions

Номер патента: CA1080835A. Автор: Jagdish Narayan,Rosa T. Young. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1980-07-01.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

P-n junction of organic materials

Номер патента: CA1169055A. Автор: James R. Bolton,Alan R. Mcintosh,Te-Fu Ho. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 1984-06-12.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: WO2023048778A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US8921949B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO,Tse-Chuan SU. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-12-30.

Protection Device with P-N Junction Devices Monolithically Integrated in a Semiconductor Body

Номер патента: US20240038756A1. Автор: Josef-Paul Schaffer,Hubert Werthmann,Juliane Laurer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: US12035520B2. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

P-n junction diffusion barrier employing mixed dopants

Номер патента: US5208184A. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-05-04.

Bipolar junction transistors and p-n junction diodes including stacked nano-semiconductor layers

Номер патента: US20230361112A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong,Gunho JO,Hyoeun Park,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and system for formation of p-n junctions in gallium nitride based electronics

Номер патента: US20160043182A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Linda Romano,Thomas R. Prunty,Mahdan Raj. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

P-N junction optoelectronic device for ionizing dopants by field effect

Номер патента: US09601542B2. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-21.

P-n junction semiconductor devices

Номер патента: US3735212A. Автор: Z Kun. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1973-05-22.

Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing

Номер патента: US4147563A. Автор: Jagdish Narayan,Rosa T. Young. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1979-04-03.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180331052A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

P-N junction diodes in silicon carbide

Номер патента: US4947218A. Автор: Robert F. Davis,John A. Edmond. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1990-08-07.

Contacts to shallow p-n junctions

Номер патента: CA1120607A. Автор: Billy L. Crowder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Method for making a light emitting diode having a P-N junction doped with one or more luminescent activator ions

Номер патента: US7863068B2. Автор: Kailash C. Mishra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Fabrication of integrated microcircuits utilizing dielectric p-n-junction isolation

Номер патента: US3725146A. Автор: M Roder. Владелец: MOLEKULARELEKTRONIK. Дата публикации: 1973-04-03.

Automatic P-N junction formation during growth of a heterojunction

Номер патента: US3869322A. Автор: Jerome J Cuomo,Harold J Hovel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Amorphous boron carbide films for p-n junctions and method for fabricating same

Номер патента: US20120037904A1. Автор: Anthony N. Caruso,Joseph A. Sandstrom,David A. Bunzow. Владелец: NORTH DAKOTA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-02-16.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180294238A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

E-fuse with reverse bias p-n junction

Номер патента: WO2006039669A3. Автор: Richard Rouse,Freidoon Mehrad,Robert B Churchill. Владелец: Robert B Churchill. Дата публикации: 2008-06-26.

Active disturbance rejection based thermal control

Номер патента: US11709528B2. Автор: Zhan PING,Qinling Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Reticle thermal detector

Номер патента: US20060114432A1. Автор: Yang-Kuao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Environment-based thermal management

Номер патента: US20230120022A1. Автор: Colby Moxham,Andrew Josef GEMER. Владелец: Lunar Outpost Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Active disturbance rejection based thermal control

Номер патента: US20210004067A1. Автор: Zhan PING,Qinling Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Active disturbance rejection based thermal control

Номер патента: US20230333613A1. Автор: Zhan PING,Qinling Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

A multi-resistance non-volatile ferroelectric tunnel junction based on ferroelastic domain switching

Номер патента: AU2020103264A4. Автор: HUI Li,Xiaoyan Lu,Zhen Pan,Yanzhe Dong. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-01-14.

Visualization system including tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129662A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200035793A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200161436A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10615261B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Making method of dipping multi-crystal silicon solar battery p-n junction

Номер патента: CN101055904A. Автор: 高文秀. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-17.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10777645B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for designing P-N junction structure of copper-based thin film solar cell with effectively separated current carriers and solar cell prepared by method

Номер патента: CN113471332A. Автор: 张毅,敖建平,刘越,刘芳芳,刘玮,郭洪玲,孟汝涛. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2021-10-01.

Average electrode P-N junction tetrode type thermoelectric converting device

Номер патента: CN104993043A. Автор: 冯建明. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-21.

Optoelectronic component e.g. LED, has current path for draining charge carriers, which is formed parallel to p-n junction and is electrically connected to p-type and n-type semiconductor layers

Номер патента: DE102012223793A1. Автор: Martin Behringer,Robert Walter,Franz Eberhard. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-27.

P-n junction near-infrared photoelectric detector

Номер патента: CN110047953B. Автор: 李丽,戴叶婧. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-28.

Indium phosphide-indium oxide p-n junction porous microsphere composite material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111632612B. Автор: 张兵,王蕾,赵博航,刘大李,黄义. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-02.

Suspended p-n junction quantum-well device and optical waveguide monolithic integrated system and fabrication method thereof

Номер патента: CN105742383A. Автор: 蔡伟,王永进,袁威,袁炜,许银,高绪敏,朱桂遐. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2016-07-06.

Lateral p-n junction black phosphorus film, and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101941923B1. Автор: 김정원,김안순,권혁상,홍성웅. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2019-01-25.

A kind of Ag2O quantum dot hydridization ZnIn2S4The preparation method of nanometer sheet p-n junction composite photo-catalyst

Номер патента: CN109395744A. Автор: 肖艳,彭志远,张文莉,蒋银花,张申,周翔宇,景旋,杨心砚. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2019-03-01.

P-N JUNCTION BASED DEVICES WITH SINGLE SPECIES IMPURITY FOR P-TYPE AND N-TYPE DOPING

Номер патента: US20200035793A1. Автор: Lavoie Christian,Cohen Guy M.,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200161436A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Light sensitized and p-n junction complexed solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20050102298A. Автор: 김현주,이원재,이동윤,구보근,송재성. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2005-10-26.

A kind of organometallic complex p-n junction nanometer crystal preparation method

Номер патента: CN106058046B. Автор: 毕海. Владелец: SUZHOU HUALAIDE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

PROCESS FOR MANUFACTURING P-N JUNCTION SILICON WAFER AND P-N JUNCTION SILICON WAFER

Номер патента: FR3067856A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-12-21.

P-n junction type trimanganese tetroxide-cadmium sulfide nano composite photocatalyst and preparation method and application thereof

Номер патента: CN115254146A. Автор: 孙佩佩,姚李,吴义平,邓崇海,朱三娥,彭璐璐,凌晓慧. Владелец: Hefei University. Дата публикации: 2022-11-01.

METHOD OF MANUFACTURING A P-N JUNCTION SILICON WAFER AND P-N JUNCTION SILICON WAFER

Номер патента: FR3060843A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-22.

SOS p--n Junction device with a thick oxide wiring insulation layer

Номер патента: US4447823A. Автор: Kenji Maeguchi,Hiroyuki Tango. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-08.

Method for producing protein semiconductor, protein semiconductor, method for producing p-n junction, p-n junction, method for producing semiconductor device, semiconductor device, electronic apparatus, and method for controlling conductivity type of protein semiconductor

Номер патента: JP2012248684A. Автор: 義夫 後藤,Seiji Yamada,Yoshio Goto,Wei Luo,イ ラ,Yuichi Tokita,裕一 戸木田,斉爾 山田,Akira Nakamaru,啓 中丸. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

METHOD OF MANUFACTURING A P-N JUNCTION SILICON WAFER AND P-N JUNCTION SILICON WAFER

Номер патента: FR3060842A1. Автор: Yoshihiro Koga. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-22.

In particular, radiation-responsive semiconductor crystal arrangement with p-n junction and the p-n junction against moisture-protecting cover

Номер патента: DE1047949B. Автор: Max Hugo Kellerbauer,Dipl-Phys Dr Richard Wiesner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1958-12-31.

Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in semiconductors

Номер патента: GB849549A. Автор: John Reeves,Emrys Gwynne James,James Samuel Miller. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1960-09-28.

Gallium-nitride-base heterostructure field effect transistor with transverse p-n junction composite buffering layer structure

Номер патента: CN102832241A. Автор: 于奇,罗谦,杜江锋,赵子奇,马坤华,尹江龙,张新川. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-12-19.

Device with a P-N junction and a means of reducing the risk of breakdown of the junction

Номер патента: US6064103A. Автор: Frank Pfirsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-05-16.

Gunn oscillator with p-n junction contact for fast low power on-off control

Номер патента: US3566306A. Автор: Peter S Hauge,Conrad Lanza,Ralph M Esposito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-02-23.

Photovoltaic device including a P-N junction and method of manufacturing

Номер патента: US09698285B2. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Radial p-n junction nanowire solar cells

Номер патента: MY175405A. Автор: Helge Weman,Cheng Guan Lim. Владелец: Norwegian Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2020-06-24.

ORGANIC P-N JUNCTION BASED INFRARED DETECTION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND INFRARED IMAGE DETECTOR USING SAME

Номер патента: US20160118444A1. Автор: Liu Yawei. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Organic P-N Junction Based Ultraviolet Detection Device And Ultraviolet Image Detector Using Same

Номер патента: US20150303240A1. Автор: Liu Yawei. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-22.

A p-n junction optoelectronic device for ionizing dopants by field effect

Номер патента: KR20160001717A. Автор: 로빈 이반-크리스토퍼,보노 허버트. Владелец: 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스. Дата публикации: 2016-01-06.

Method for manufacturing trench type metal oxide semiconductor P-N junction diode

Номер патента: CN110648912A. Автор: 陈美玲. Владелец: PFC DEVICE HOLDING Ltd. Дата публикации: 2020-01-03.

M-surface BeZnOS-based non-P-N junction type transparent thin-film solar cell and preparation method thereof

Номер патента: CN109560150B. Автор: 陈剑,张武忠,何云斌,黎明锴,卢寅梅,常钢,张清风,李派,陈俊年. Владелец: Wuhan Ruilian Zhichuang Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

P-N junction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers

Номер патента: US20020047135A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Konstantin Vassilevski,Audrey Nikolaev. Владелец: Technology and Devices International Inc. Дата публикации: 2002-04-25.

Electrical junction device with lightly doped buffer region to precisely locate a P-N junction

Номер патента: EP0607936A1. Автор: Madjid Hafizi,Robert A. Metzger,William E. Stanchina,David B. Rensch. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-07-27.

Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing

Номер патента: US11769844B2. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing

Номер патента: US20190221685A1. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing

Номер патента: US20240030367A1. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Jigish Trivedi,Rui Shao,Feng LIAO,Dan Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

JUNCTION BARRIER SCHOTTKY RECTIFIERS HAVING EPITAXIALLY GROWN P+-N JUNCTIONS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20130140585A1. Автор: Cheng Lin,Mazzola Michael S.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Process for direct integration of a thin-film silicon p-n junction diode with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20050083729A1. Автор: Daniel Toet,Thomas Sigmon. Владелец: Sigmon Thomas W.. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor p-n junctions

Номер патента: GB1124942A. Автор: Kenneth Fraser Hulme,John Rowland Morgan. Владелец: Minister of Technology. Дата публикации: 1968-08-21.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse p/n junctions

Номер патента: SG80666A1. Автор: Chu Shao-Fu Sanford,Min Zhu,Kai Shao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-22.

Semiconductor p-n junction light emitting devices

Номер патента: CA1004340A. Автор: Cyril Hilsum. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1977-01-25.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming p-n junctions in silicon

Номер патента: US3154444A. Автор: Wieland Dieter. Владелец: Clevite Corp. Дата публикации: 1964-10-27.

Process for preparing p-n junctions in semiconductors

Номер патента: US3054701A. Автор: Harold F John. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1962-09-18.

Method of producing improved alloyed silicon-aluminum p-n junctions

Номер патента: US3122460A. Автор: Sato Akihiko,Moriguchi Yoshiro. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1964-02-25.

Electroluminescent p-n junction diodes with nonuniform distribution of isoelectronic traps

Номер патента: CA922022A. Автор: Wiegmann William,A. Logan Ralph,G. White Harry. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1973-02-27.

Method of forming p-n junction in solar cell substrate

Номер патента: TW201244146A. Автор: Jason Dominguez,David Tanner,Prabhat Kumar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Piezojunction device with an encapsulating p-n junction

Номер патента: US3443165A. Автор: Wilhelm Rindner,Roger F Nelson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1969-05-06.

Imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing the imaging device having a reduced p-n junction capacity at one or more of a floating diffusion section, source region, or drain region

Номер патента: US09472592B2. Автор: Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with p=n junction, e.g n=channel transistor - has impurity diffusion region between first impurity region and impurity concentration peak

Номер патента: DE4325348A1. Автор: Kaoru Motonami,Kazumasa Mitsunaga,Hisaaki Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-02-10.

Method for manufacturing a semiconductor device with relief p-n junction

Номер патента: MD20110044A2. Автор: Simion Baranov,Boris Cinic,Leonid Gorceac,Boris Chinik. Владелец: Leonid Gorceac. Дата публикации: 2012-12-31.

Lateral p-n junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3336058B1. Автор: Hyuksang KWON,Jeong Won KIM,Ansoon Kim,Songwoung Hong. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2021-08-11.

MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130130459A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Su Tse-Chuan,Chao Kuo-Liang. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2013-05-23.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130168779A1. Автор: Chao Kou-Liang,Kuo Hung-Hsin,Su Tse-Chuan,Chen Mei-Ling. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR FORMING A BURIED P-N JUNCTION AND ARTICLES FORMED THEREBY

Номер патента: US20130207217A1. Автор: Itzler Mark Allen. Владелец: PRINCETON LIGHTWAVE, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

Field-Effect P-N Junction

Номер патента: US20130221415A1. Автор: Regan William,Zettl Alexander. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-08-29.

Programmable Poly Fuse Using a P-N Junction Breakdown

Номер патента: US20130224933A1. Автор: Vasiliu Laurentiu. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-29.

P-N JUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PHOTOVOLTAIC PROPERTIES

Номер патента: US20130284247A1. Автор: BRICEÑO José,Matsumaru Koji. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Field-Effect P-N Junction

Номер патента: US20130334501A1. Автор: Wang Feng,Zettl Alexander K.,Regan William,Byrnes Steven. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-12-19.

TRENCH ISOLATION MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140004681A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling,Chao Kuo-Liang. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2014-01-02.

METHOD OF FABRICATING A MERGED P-N JUNCTION AND SCHOTTKY DIODE WITH REGROWN GALLIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160005835A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Prunty Thomas R.,Bour Dave P.,Diduck Quentin,Aktas Ozgur. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING A P-N JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20220045226A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2022-02-10.

Silicon Wafers with p-n Junctions by Epitaxial Deposition and Devices Fabricated Therefrom

Номер патента: US20150040979A1. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ruiying Hao. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMATION OF P-N JUNCTIONS IN GALLIUM NITRIDE BASED ELECTRONICS

Номер патента: US20160043182A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Raj Mahdan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: US20160049544A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-02-18.

CRYSTALLIZATION OF ADDITIVES AT P/N JUNCTIONS OF BULK-HETEROJUNCTION PHOTOACTIVE LAYERS

Номер патента: US20170054077A1. Автор: Bender Timothy P.,LESSARD Benoît H.,Dang Jeremy. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150084136A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD FOR PRODUCING THE P-N JUNCTION OF A THIN-FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND CORRESPONDING METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20160104808A1. Автор: Perraud Simon,GRENET Louis,Roux Frédéric,Altamura Giovanni. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-04-14.

LOW-LEAKAGE REGROWN GAN P-N JUNCTIONS FOR GAN POWER DEVICES

Номер патента: US20210104603A1. Автор: Fu Kai,Fu Houqiang,Zhao Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Shallow P-N Junction with Sealed Trench Termination

Номер патента: US20150123240A1. Автор: Bowman Ronald R.,Crockett Addison R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133480A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Photovoltaic Device Including a P-N Junction and Method of Manufacturing

Номер патента: US20140216550A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

DEFECTIVE P-N JUNCTION FOR BACKGATED FULLY DEPLETED SILICON ON INSULATOR MOSFET

Номер патента: US20150179453A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Le Tiec Yannick,Khakifirooz Ali,Liu Qing,Grenouillet Laurent,Vinet Maud. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

LATERAL P-N JUNCTION BLACK PHOSPHORUS THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180175303A1. Автор: Kim Ansoon,KIM Jeong Won,KWON Hyuksang,HONG Songwoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

RADIAL P-N JUNCTION NANOWIRE SOLAR CELLS

Номер патента: US20160197206A1. Автор: WEMAN Helge,LIM Cheng Guan. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

OPTICAL ISOLATION SYSTEMS AND CIRCUITS AND PHOTON DETECTORS WITH EXTENDED LATERAL P-N JUNCTIONS

Номер патента: US20180190855A1. Автор: Male Barry Jon. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2018-07-05.

MOS P-N JUNCTION SCHOTTKY DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140295628A1. Автор: Kuo Hung-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

TRENCH ISOLATION MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140308799A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling,Chao Kuo-Liang. Владелец: PFC DEVICE CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

METHOD OF FABRICATING A MERGED P-N JUNCTION AND SCHOTTKY DIODE WITH REGROWN GALLIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20140312355A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Prunty Thomas R.,Bour Dave P.,Diduck Quentin,Aktas Ozgur. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2014-10-23.

DEFECTIVE P-N JUNCTION FOR BACKGATED FULLY DEPLETED SILICON ON INSULATOR MOSFET

Номер патента: US20140312461A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Le Tiec Yannick,Khakifirooz Ali,Liu Qing,Grenouillet Laurent,Vinet Maud. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING A P-N JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20190221685A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2019-07-18.

MOS P-N JUNCTION DIODE WITH ENHANCED RESPONSE SPEED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160240695A1. Автор: Kuo Hung-Hsin,Chen Mei-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Solar cell having three-dimensional p-n junction structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20160240709A1. Автор: Dae-Hwan Kim,Jin-Kyu Kang,Shi-Joon Sung,Si-Nae Park,Dae-Kue HWANG. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-08-18.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH P-N JUNCTION LOCATED IN SUBSTRATE

Номер патента: US20150263089A1. Автор: Wei Andy,SINGH Jagar. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING A P-N JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20170271533A1. Автор: Shao Rui,Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Liao Feng,Powell Rick,Damjanovic Dan. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2017-09-21.

Photocatalytic hydrogen production from water over catalysts having p-n junctions and plasmonic materials

Номер патента: US20170274364A1. Автор: Hicham Idriss,Maher Al-Oufi. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-09-28.

Solution-processed ultraviolet light detector based on p-n junctions of metal oxides

Номер патента: US20150287871A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Jiho Ryu,Jae Woong LEE,Jesse Robert Manders. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

TERAHERTZ DETECTOR COMPRISED OF P-N JUNCTION DIODE

Номер патента: US20180294238A1. Автор: Shahidi Ghavam G.,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A P-N JUNCTION FOR REDUCED CHARGE LEAKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160315161A1. Автор: Ku Shaw-Hung,Lee Chih-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180331052A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

P-N JUNCTION OPTOELECTRONIC DEVICE FOR IONIZING DOPANTS BY FIELD EFFECT

Номер патента: US20150380461A1. Автор: Bono Hubert,ROBIN Ivan-Christophe. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2015-12-31.

Production of p-n junction crystal substrate

Номер патента: JPS5815096A. Автор: Masanaru Abe,阿部　昌匠. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-28.

Formation of compound semiconductor p-n junction

Номер патента: JPS5846630A. Автор: Akira Mita,三田　陽. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-03-18.

Method for forming P-N junction solar cell electrode

Номер патента: JPH088367B2. Автор: ロス ウエンマン スチユアート,アンドリユー グリーン マーテイン. Владелец: ユニサーチ リミテッド. Дата публикации: 1996-01-29.

Manufacturing process of p-n junction type solid element

Номер патента: JPS524167A. Автор: Kiyoshi Morimoto,Yukihiko Utamura,Toshinobu Takagi. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 1977-01-13.

Alkaline fluoride dope molecular films and applications for p-n junction and field-effect transistor

Номер патента: US20090058262A1. Автор: Zheng-Hong Lu,Yanyan Yuan. Владелец: Yanyan Yuan. Дата публикации: 2009-03-05.

Formation of p-n junction

Номер патента: JPS61141121A. Автор: Koji Yamashita,Atsushi Matsuzaki,Shigetaka Murasato,松崎　温,村里　茂隆,山下　広史. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1986-06-28.

Silicon solar cell or semiconductor device production - involves electrical separation of p-n junction using glass-based material

Номер патента: DE19758712B4. Автор: Satoshi Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

P-n junction isolating device for solar battery

Номер патента: JPS5660069A. Автор: Masao Mochizuki,Tamotsu Hatayama,Yasuo Igawa,Masazou Abe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-05-23.

P-N JUNCTION OPTOELECTRONIC DEVICE FOR IONIZATION OF FIELD EFFECT DOPANTS

Номер патента: FR3023065B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-15.

A silicon solar cells by using an hollow cathode plasma system for a p-n junction isolation and it's manufacturing method

Номер патента: KR100537757B1. Автор: 준 신 이. Владелец: 준 신 이. Дата публикации: 2005-12-20.

P-n junction forming method

Номер патента: JPS6118126A. Автор: Takeshi Sakurai,Toshikimi Takagi,Yasuhito Nakagawa,武 桜井,中川　泰仁,高木　俊公. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-01-27.

Passivated P-N junction in mesa semiconductor structure

Номер патента: EP0820094A3. Автор: Willem G. Einthoven,Linda J. Down. Владелец: Arris Technology Inc. Дата публикации: 1998-03-11.

SEMI-TRANSPARENT PHOTODETECTOR WITH STRUCTURED P-N JUNCTION

Номер патента: FR3008546B1. Автор: Salim BOUTAMI,Pierre Gidon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-08-07.

P-N JUNCTION OPTOELECTRONIC DEVICE FOR IONIZATION OF FIELD EFFECT DOPANTS

Номер патента: FR3023065A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-01-01.

METHOD OF MANUFACTURING P-N JUNCTIONS BY ELECTROMIGRATION

Номер патента: FR2497402B1. Автор: Richard Anthony Thomas. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-09-26.

METHOD OF MAKING THE P-N JUNCTION OF A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF OBTAINING THE PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: FR3006109B1. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-16.

METHOD OF MAKING THE P-N JUNCTION OF A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF OBTAINING THE PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: FR3006109A1. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-11-28.

MULTI-QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND ASYMMETRIC P-N JUNCTION

Номер патента: FR3004005B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-25.

Method for making a p-n junction in a semiconductor body

Номер патента: FR1404345A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1965-06-25.

Semiconductor devices with p-n-junction -produced by forming - unsatd oxide or fluoridelayer

Номер патента: FR2099690A1. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1972-03-17.

Manufacturing process of p-n junctions

Номер патента: FR1252421A. Автор: . Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1961-01-27.

Improvements to p-n junction devices and their manufacture

Номер патента: FR70514E. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1959-05-29.

Manufacturing processes of a p-n junction semiconductor element and new products thus obtained

Номер патента: FR1546251A. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1968-11-15.

Integrated circuit with a photodiode type semiconductor device incorporating a capacative drain connected in parallel with a P/N junction

Номер патента: FR2819637A1. Автор: Yvon Gris,Olivier Menut. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-07-19.

MULTI-QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND ASYMMETRIC P-N JUNCTION

Номер патента: FR3004005A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-10-03.

Organic light emitting diode using p-n junction

Номер патента: WO1996004687A1. Автор: Akihiko Tokida,Wen-Bing Kang,Nu Yu. Владелец: Hoechst Aktiengesellschaft. Дата публикации: 1996-02-15.

P-n junction device and method of making the same by local fusion

Номер патента: US2822309A. Автор: Robert N Hall. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1958-02-04.

Semiconductor controlled rectifiers with a p-n junction having a shallow impurity concentration gradient

Номер патента: US3249831A. Автор: Thorndike C New,Robert W Dolan. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1966-05-03.

Semicondoctor p-n junction device and manufacture thereof

Номер патента: JPS575325A. Автор: Junichi Nishizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-01-12.

Method of manufacturing semiconductor devices comprising one or more p-n junctions

Номер патента: FR1086596A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1955-02-14.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

P-n junctions on mosaic diamond substrates

Номер патента: US20090127565A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Chien-Min Sung. Дата публикации: 2009-05-21.

P-n junction-type compound semiconductor light-emitting diode

Номер патента: KR100855908B1. Автор: 미치야 오다와라,타카시 우다가와. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor element with a planar p-n junction

Номер патента: EP0310836A2. Автор: Reinhard Stengl,Ulrich Dr. habil. Gösele. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-04-12.

Reverse biased p-n junction cathode

Номер патента: GB2054959A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-02-18.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

P-n junction transistor

Номер патента: US2705767A. Автор: Robert N Hall. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1955-04-05.

Low-leakage regrown GaN p-n junctions for GaN power devices

Номер патента: US11626483B2. Автор: Kai Fu,Houqiang Fu,Yuji Zhao. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2023-04-11.

Process for forming p-n junctions, between semiconductors, using vacuum vaporization

Номер патента: FR1105858A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1955-12-08.

Formation of p-n junction

Номер патента: JPS6126212A. Автор: Hiroshi Tetsuda,鉄田　博. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-05.

Passivated P-N junction in mesa semiconductor structure

Номер патента: EP0820094A2. Автор: Willem G. Einthoven,Linda J. Down. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-01-21.

Improvements in semiconductors, in particular with p-n junction, and their manufacture

Номер патента: FR84515E. Автор: Cyril Francis Drake. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1965-02-26.

Method for forming p-n junction

Номер патента: JPS6065528A. Автор: Haruo Ito,晴夫 伊藤,Tadashi Saito,忠 斉藤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-04-15.

P-n junction type light emitting element

Номер патента: JPS63233576A. Автор: Hideshi Kubota,英志 久保田,Akinori Katsui,勝井　明憲. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-09-29.

P-n junction type photodiode

Номер патента: JPS60246684A. Автор: Masahiro Shoda,Juichi Yoneyama,米山　寿一,正田　昌宏. Владелец: Nippon Kogaku KK. Дата публикации: 1985-12-06.

Method of manufacturing single crystals of semiconductors comprising one or more p-n junctions

Номер патента: FR1086903A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1955-02-17.

Power semiconductor component has 2 opposing emitter zones separated by base zone providing P/N junction with one emitter zone which incorporates island zones of opposing conductivity

Номер патента: DE10339691B3. Автор: Hans-Joachim Dr. Schulze,Franz-Josef Dr. Niedernostheide,Reiner Dr. Barthelmess. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2005-04-07.

Process of preparing a p-n junction in semiconductor alloys of mercury telluride and cadmium telluride

Номер патента: US3514347A. Автор: Huguette Rodot,Christian Verie. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1970-05-26.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: KR102156594B1. Автор: 이반-크리스토프 로빈,휴버트 보노. Владелец: 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스. Дата публикации: 2020-09-16.

Light sensitized and P-N junction complexed solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100581840B1. Автор: 김현주,이원재,이동윤,구보근,송재성. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for forming p-n junctions on semiconductors

Номер патента: US3194701A. Автор: Robert P Lothrop. Владелец: Individual. Дата публикации: 1965-07-13.

Multichannel converter of differential voltage into paraphrase output currents on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736085C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Дмитрий Владимирович Кузнецов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-11.

Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same

Номер патента: US4932033A. Автор: Seiichi Miyazawa,Mitsuru Ohtsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1990-06-05.

Process for producing p-n junctions

Номер патента: IL47059A. Автор: . Владелец: Milstein S. Дата публикации: 1977-04-29.

Coaxial 4-layer semiconducting organic nanocable including conductive charge trasfer p-n junction, the photo-electric device using the same and method for preparing the same

Номер патента: KR101039574B1. Автор: 김종현,박수영,정종원. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-06-09.

Light sensitized and P-N junction silicon complexed solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100624765B1. Автор: 김현주,이원재,이동윤,구보근,송재성. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2006-09-20.

Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions

Номер патента: US10411150B2. Автор: Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Frequency modulation of radiation emitting p-n junctions

Номер патента: US3312910A. Автор: Franklin F Offner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1967-04-04.

Method of determination of silicon p-n junction depth

Номер патента: WO2002003448A1. Автор: Gagik Ayvazyan,Aram Vardanyan,Gagik Makaryan. Владелец: Gagik Makaryan. Дата публикации: 2002-01-10.

Process for forming fast recovery diode with a single large area P/N junction

Номер патента: US6927141B2. Автор: Silvestro Fimiani,Davide Chiola,Kohji Andoh,Fabrizio Ruo Redda. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-09.

MWIR photodetector with compound barrier with P-N junction

Номер патента: US9748427B1. Автор: Hasan Sharifi,Terence J De Lyon,Rajesh D Rajavel,Pierre-Yves Delaunay,Brett Z Nosho. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Production of controlled p-n junctions

Номер патента: US2975080A. Автор: Lorne D Armstrong. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1961-03-14.

Process for the production of two p-n junctions in semiconductor bodies, e.g. B. area transistors

Номер патента: DE1036393B. Автор: Dr Heinz Henker,Dr Phys Franz Kerkhoff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1958-08-14.

P-n junction formation - by doping with a metal droplet

Номер патента: DE2023110A1. Автор: Keiji Metsumoto,Toki Sato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1971-12-02.

Integrated circuit with p-n junctions with reduced defects

Номер патента: WO2000002249A2. Автор: Reinhard Stengl,Volker Lehmann,Martin Franosch,Herbert Schafer,Hans Reisinger,Hermann Wendt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-01-13.

Semiconductor diode having a p-n junction and little or no diffusion voltage

Номер патента: DE3631641A1. Автор: Friedrich Wilhelm Prof Dehmelt. Владелец: Dehmelt friedrich Wilhelm profdr-Ing. Дата публикации: 1987-03-26.

Low-temperature input stage of operational amplifier with high attenuation of input common-mode signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721943C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Method for producing an electrical semiconductor arrangement with at least one p-n junction

Номер патента: DE1116824B. Автор: Dipl-Phys Karl-Heinz Ginsbach. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1961-11-09.

Method for fabricating semiconductor device with p-n junction isolation structure

Номер патента: US20220199769A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatus for and method of forming p-n junction devices

Номер патента: US2794899A. Автор: Alexander R F Plummer. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1957-06-04.

Semiconductor substrate including doped zones forming P-N junctions

Номер патента: US8823147B2. Автор: Gerard Dubois,Olivier Philippe Kellener,Mehdi Mohamed Kanoun,Stephen McArdle. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device with at least one planar p-n junction

Номер патента: CH340558A. Автор: Nagorsen Hans. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1959-08-31.

Method for making a p-n junction in a single crystal semiconductor device

Номер патента: FR1321379A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1963-03-15.

Method for the size of p-n junctions

Номер патента: FR1526789A. Автор: Pierre Giraud. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1968-05-31.

Process for producing an electroluminescent p-n junction made of a semiconductor material by molecular bonding

Номер патента: WO2007074152A1. Автор: Pierre Noe. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique. Дата публикации: 2007-07-05.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: EP2979307B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-07-24.

Light emitting diode having a p-n junction doped with one or more luminescent activator ions

Номер патента: CA2514561A1. Автор: Kailash C. Mishra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-02-13.

Method for forming a buried p-n junction and articles formed thereby

Номер патента: US8969117B2. Автор: Mark Allen Itzler. Владелец: Princeton Lightwave LLC. Дата публикации: 2015-03-03.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE COMPRISING DOPED AREAS FORMING A P-N JUNCTION

Номер патента: FR2978614A1. Автор: Gerard Dubois,Olivier Philippe Kellener,Mehdi Mohamed Kanoun,Stephen McArdle. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2013-02-01.

Process for the production of p-n junctions of specific barrier layer size

Номер патента: DE1026876B. Автор: Friedrich Wilhelm Dehmelt. Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1958-03-27.

Process for the production of p-n junctions in semiconductor bodies by alloying

Номер патента: DE1083937B. Автор: John Levinson,David E Humez,Geoffrey Knight Jun. Владелец: ELEKTRONIK MBH. Дата публикации: 1960-06-23.

Method for the size of p-n junctions

Номер патента: FR92553E. Автор: . Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1968-11-29.

Formation of semiconductor p-n junction

Номер патента: JPS5992525A. Автор: Yoshiharu Tashiro,Toshitaka Torikai,俊敬 鳥飼,田代　義春. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-28.

Semiconductor device with a p-n junction and method for driving the same

Номер патента: EP0951075A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-20.

Improvements in semiconductors, in particular with p-n junction, and their manufacture

Номер патента: FR1365101A. Автор: Cyril Francis Drake,Kenneth Leopold Ellington. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1964-06-26.

P-N Junction Devices with Group IV Element-Doped Group III-V Compound Semiconductors

Номер патента: CA2100492A1. Автор: Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-02-25.

Method of making p-n junction semiconductor units

Номер патента: US2765245A. Автор: Albert C English,John B Seabrook. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-10-02.

Formation of p-n junctions

Номер патента: US3014819A. Автор: Lloyd P Hunter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1961-12-26.

Process for obtaining semiconductors with alloyed p-n junctions

Номер патента: FR1265841A. Автор: Wolfgang Schäfer. Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1961-07-07.

Semiconductor characteristics and geometry - of p-n junctions improvement

Номер патента: DE2009475A1. Автор: Joachim Dipl.-Phys. Dresden Ittner. Владелец: Arbeitsstelle für Molekularelektronik, Dresden. Дата публикации: 1970-10-01.

Point-contacted heterojunction silicon solar cell having passivation layer between the interface of p-n junction and method for fabricating the same

Номер патента: KR100847741B1. Автор: 김상균,송진수,김동환,이정철,윤경훈,옥영우. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-07-23.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE COMPRISING DOPED AREAS FORMING A P-N JUNCTION

Номер патента: FR2978614B1. Автор: Gerard Dubois,Olivier Philippe Kellener,Mehdi Mohamed Kanoun,Stephen McArdle. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2014-09-05.

E-fuse with reverse bias p-n junction

Номер патента: WO2006039669A2. Автор: Richard Rouse,Freidoon Mehrad,Robert B. Churchill. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-04-13.

P-n junction diode

Номер патента: WO2023042568A1. Автор: 公平 佐々木,章夫 高塚. Владелец: 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー. Дата публикации: 2023-03-23.

Improvements in planar p-n junctions

Номер патента: AU454328B2. Автор: WALTER DAVIES and VLADIMIR SVOBODA LEWIS. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1974-10-31.

Method of forming p.n. junctions

Номер патента: MY6900202A. Автор: . Владелец: Texas Instruments Incorp.. Дата публикации: 1969-12-31.

Semiconductor device having p-n junction defined by the boundary between two intersecting semiconductor layers

Номер патента: US3337374A. Автор: Dobson Christopher David. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1967-08-22.

Improvements in planar p-n junctions

Номер патента: AU3281071A. Автор: WALTER DAVIES and VLADIMIR SVOBODA LEWIS. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1973-03-01.

Single ELOG growth transverse p-n junction nitride semiconductor laser

Номер патента: TW200707870A. Автор: Scott W Corzine,David P Bour. Владелец: Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-16.

Thermal reduction through activity based thermal targeting to enhance heating system efficiency

Номер патента: US09851111B1. Автор: William Montgomery,Robert Schiller,Richard A. Lyons,Christopher L. Murray,Timothy Van Leeuwen. Владелец: C Cowles and Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Advanced power based thermal control systems

Номер патента: US20190129481A1. Автор: Garrett Douglas Blankenburg,Gregory M. Daly,Andres Felipe Hernandez,Andrew C. BANKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Liquid coolant based thermal energy management for containers receiving pluggable circuit modules

Номер патента: US20190045656A1. Автор: Annie Chen,David Rodriguez,Barrett M. Faneuf,Juan G. Cevallos. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Machine learning for thermal detectors

Номер патента: EP4345785A1. Автор: Sofie OLSSON,Arseni IVANOV. Владелец: Verisure SARL. Дата публикации: 2024-04-03.

Machine learning for thermal detectors

Номер патента: WO2024068036A1. Автор: . Владелец: Verisure SARL. Дата публикации: 2024-04-04.

Advanced power based thermal control systems

Номер патента: EP3704562A1. Автор: Garrett Douglas Blankenburg,Gregory M. Daly,Andres Felipe Hernandez,Andrew C. BANKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-09-09.

Thermal capacity control for relative temperature-based thermal shutdown

Номер патента: US11545418B2. Автор: Vishal Gupta,Ankur CHAUHAN,Paragkumar Chaudhari. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Vacuum-based thermal management system

Номер патента: CA3009924C. Автор: Tal PARNES,Nahshon EADELSON. Владелец: Zuta-Core Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Reticle thermal detector

Номер патента: TW200617583A. Автор: Yang-Kuao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Thermal detector and method of producing the same

Номер патента: AU1236595A. Автор: Isao Asano,Yoshimi Kawabata. Владелец: Hochiki Corp. Дата публикации: 1995-04-27.

Thermal detector

Номер патента: AU6956274A. Автор: John Ibbotson. Владелец: DONNELL GRIFFIN Pty Ltd O. Дата публикации: 1975-12-04.

Reticle thermal detector

Номер патента: TWI294551B. Автор: Yang Kuao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-03-11.

Method and apparatus for autonomic policy-based thermal management in a data processing system

Номер патента: TW200636450A. Автор: Michael Stephen Floyd,Bradley David Mccredie,Naresh Nayar,Andreas Bieswanger,Lee Evan Eisen,James Stephen Fields Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-10-16.

Enthalpy based thermal comfort controller

Номер патента: AU1979297A. Автор: Dipak J. Shah. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1997-09-16.

Timer-based thermal protection for power components of a switch mode power supply

Номер патента: GB201617123D0. Автор: . Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2016-11-23.

TIMER-BASED THERMAL PROTECTION FOR POWER COMPONENTS Of A SWITCH MODE POWER SUPPLY

Номер патента: US20180090963A1. Автор: Alfons Fisch,Mikhail Zarkhin. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Timer-based thermal protection for power components of a switch mode power supply

Номер патента: EP3515744A1. Автор: Alfons Fisch,Mikhail Zarkhin. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2019-07-31.

Timer-based thermal protection for power components of a switch mode power supply

Номер патента: WO2018057875A1. Автор: Alfons Fisch,Mikhail Zarkhin. Владелец: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Thermal detector and method of producing the same

Номер патента: AU658709B2. Автор: Isao Asano,Yoshimi Kawabata. Владелец: Hochiki Corp. Дата публикации: 1995-04-27.

Thermal detector

Номер патента: TW200628769A. Автор: Tetsuya Nagashima,Manabu Dohi,Yoshimi Kawabata. Владелец: Hochiki Co. Дата публикации: 2006-08-16.

System and Method For Use Case-Based Thermal Analysis of Heuristically Determined Component Combinations and Layouts In A Portable Computing Device

Номер патента: US20130167103A1. Автор: Cheng Liang,Burrell James D.,Bao Zhongping,Gastelum Damion B.,Good Gary D.,Tantoush Mohammed A.,Anderson Jon J.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-27.

Active disturbance rejection based thermal control

Номер патента: US20210004067A1. Автор: Zhan PING,Qinling Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

REDUCED COST AND SCHEDULE MANUFACTURING OF GRAPHENE PAPER BASED THERMAL STRAPS/HARNESSES

Номер патента: US20190029141A1. Автор: Lin Stephanie,Chow James R.,Townsend Carl W.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

POWER BASED THERMAL MANAGEMENT OF DEVICE

Номер патента: US20180032114A1. Автор: Hovis William Paul,Hernandez Andres,Atkinson Peter,Daly Gregory M.,Blankenburg Garrett. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

DISCRETE TIME LOOP BASED THERMAL CONTROL

Номер патента: US20200042057A1. Автор: HUANG Jui-Cheng,Chang Allen Timothy,HSIAO Yi-Hsing,HUANG Yu-Jie,CHEN Tsung-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

LIQUID COOLANT BASED THERMAL ENERGY MANAGEMENT FOR CONTAINERS RECEIVING PLUGGABLE CIRCUIT MODULES

Номер патента: US20190045656A1. Автор: Chen Annie,Rodriguez David,FANEUF BARRETT M.,CEVALLOS JUAN G.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

DISCRETE TIME LOOP BASED THERMAL CONTROL

Номер патента: US20220091646A1. Автор: HUANG Jui-Cheng,Chang Allen Timothy,HSIAO Yi-Hsing,HUANG Yu-Jie,CHEN Tsung-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

LEARNING-BASED THERMAL ESTIMATION IN MULTICORE ARCHITECTURE

Номер патента: US20200073726A1. Автор: PARK YOONHO,Coteus Paul W.,LEE Eun Kyung,Acun Bilge. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

TIMER-BASED THERMAL PROTECTION FOR POWER COMPONENTS Of A SWITCH MODE POWER SUPPLY

Номер патента: US20180090963A1. Автор: Zarkhin Mikhail,Fisch Alfons. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Advanced power based thermal control systems

Номер патента: US20190129481A1. Автор: Garrett Douglas Blankenburg,Gregory M. Daly,Andres Felipe Hernandez,Andrew C. BANKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

NUCLEAR REACTOR HAVING EFFICIENT AND HIGHLY STABLE CARBON-BASED THERMAL TRANSFER FLUID

Номер патента: US20180182501A1. Автор: Tulenko James S.,BANEY Ronald H.,POWERS Kevin W.. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2018-06-28.

ACTIVE DISTURBANCE REJECTION BASED THERMAL CONTROL

Номер патента: US20180260008A1. Автор: Ping Zhan,Zheng Qinling. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

SYSTEM AND METHOD FOR INTELLIGENT MULTIMEDIA-BASED THERMAL POWER MANAGEMENT IN A PORTABLE COMPUTING DEVICE

Номер патента: US20140359324A1. Автор: Park Hee-Jun,Naik Jatin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

DEVICE CONFIGURATION-BASED THERMAL MANAGEMENT CONTROL

Номер патента: US20190286200A1. Автор: Dan Bo,Ho Chau Van,MCCLARY Gary Russell,Gary Brandon Earl. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

VACUUM-BASED THERMAL MANAGEMENT SYSTEM

Номер патента: US20180317344A1. Автор: EADELSON Nahshon,PARNES Tal. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

DEVICE CONFIGURATION-BASED THERMAL MANAGEMENT CONTROL

Номер патента: US20200319686A1. Автор: Dan Bo,Ho Chau Van,MCCLARY Gary Russell,Gary Brandon Earl. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

VOLTAGE BASED THERMAL CONTROL OF PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20170357298A1. Автор: Hovis William Paul,Hernandez Mojica Andres Felipe,Langendorf Brian Keith,Boshra-Riad Samy,Blankenburg Garrett Douglas,Atkinson Peter Anthony,Ray Robert James,Wee Erng-Sing. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

System and method for intelligent multimedia-based thermal power management in a portable computing device

Номер патента: CN105378824A. Автор: H-J·朴,J·奈克. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-02.

Vacuum-based thermal management system

Номер патента: CA3009924A1. Автор: Tal PARNES,Nahshon EADELSON. Владелец: Zuta-Core Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

KV index-based thermal data increment synchronization method and device

Номер патента: CN111367996A. Автор: 欧宪东. Владелец: Shenzhen Lan You Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

System and method for proximity based thermal management of a mobile device

Номер патента: TW201329678A. Автор: Jon J Anderson,Gary D Good,James D Burrell. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

Waveguide based thermally assisted recording (TAR) head having a tapered region coupled to a near field transducer

Номер патента: JP6085537B2. Автор: 松本　拓也,拓也 松本. Владелец: エイチジーエスティーネザーランドビーブイ. Дата публикации: 2017-02-22.

System and method for battery cell thermal management using carbon-based thermal films

Номер патента: US09780418B2. Автор: Richard M. Dekeuster,Kem M. Obasih. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-10-03.

Laminated graphene-based thermally conductive film and pad and method for manufacturing the film and pad

Номер патента: SE2151195A1. Автор: Johan Liu,Thien Laubeck. Владелец: SHT Smart High Tech AB. Дата публикации: 2023-03-30.

Laminated graphene-based thermally conductive film and pad and method for manufacturing the film and pad

Номер патента: EP4408797A1. Автор: Johan Liu,Thien Laubeck. Владелец: SHT Smart High Tech AB. Дата публикации: 2024-08-07.

Photocurable acrylic-based thermal conductive composition, acrylic-based thermal conductive sheet, and method of producing the same

Номер патента: US09416254B2. Автор: Masayuki Matsushima. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for manufacturing thermal spray coating and yttrium-based thermal spray coating manufactured by the same

Номер патента: US20240229216A1. Автор: Dae Sung Kim,Dong Hun Jung. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Vehicle with adsorption-based thermal battery

Номер патента: US09914337B2. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Thermoelectric-based thermal management of electrical devices

Номер патента: US09671142B2. Автор: Dmitri Kossakovski,Alfred Piggott,Todd Robert Barnhart. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Two-component polyurethane based thermal conductive adhesive composition, polyurethane based thermal conductive adhesive and article thereof

Номер патента: WO2023178536A1. Автор: JING Yang,Jie Liu,Zhiqiang Gong,Xiulong Wu. Владелец: Henkel (China) Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-28.

Graphene-based thermal management cores and systems and methods for constructing printed wiring boards

Номер патента: US20160057854A1. Автор: Douglas Schneider,William E. Davis. Владелец: Stablcor Tech Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Thermal detector

Номер патента: CA1249355A. Автор: Ronald A. Ballingall. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1989-01-24.

Methods and systems for ground-based thermal conditioning for an electric aircraft

Номер патента: US11801773B1. Автор: Sean Donovan,Sarah Overfield. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2023-10-31.

New tungsten-based thermal spray coating and material for thermal spraying to obtain it

Номер патента: US20230220531A1. Автор: Kazuo Hamashima,Masashi Morisasa,Shinsuke ANAI. Владелец: Tocalo Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Ceramic collars for active brazing in sodium-based thermal batteries

Номер патента: US20140186691A1. Автор: Mohandas Nayak,Michael Colan MOSCINSKI,Reza Sarrafi-Nour,Badri Narayan Ramamurthi,Mohamed Rahmane,Raghavendra Rao Adharapurapu,Sundeep Kumar,Arunabh Basak,Darren Michael Stohr. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-07-03.

FABRICATION METHOD OF HEXAGONAL BORON NITRIDE (h-BN)-BASED THERMALLY-CONDUCTIVE COMPOSITE FILM

Номер патента: US20220402257A1. Автор: Daniel Huang,Chaoming Wu,Renzheng Chen,Mars GUO. Владелец: Suzhou Kanronics Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Silicone-based thermal interface materials

Номер патента: US09911681B2. Автор: Jing Zhang,Joseph Kuczynski,Jason T. Wertz,Sarah K. Czaplewski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Veneer tie and wall anchoring systems with in-cavity ceramic and ceramic-based thermal breaks

Номер патента: CA2855437C. Автор: Ronald P. Hohmann, Jr.. Владелец: Mitek Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Thermal detector

Номер патента: US3681732A. Автор: Thurston H Toeppen,David M Sanger. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1972-08-01.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Thermoelectric-based thermal management system

Номер патента: US10784546B2. Автор: Dmitri Kossakovski,Alfred Piggott,Todd Robert Barnhart. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Yttrium-based powder for thermal spraying and yttrium-based thermal spray coating using the same

Номер патента: US20240076770A1. Автор: Dae Sung Kim,Dong Hun Jung. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Electrically Powered Infrared Based Thermal Weed Control System

Номер патента: US20170215405A1. Автор: Michael Reischmann,Hugh C. Kent. Владелец: Stw LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Sealed sodium-based thermal batteries and methods of sealing same

Номер патента: US09735401B2. Автор: Neil A. Johnson,Mohamed Rahmane,Sundeep Kumar,Thomas Angeliu,Patrick D. WILLSON,Raymond R. COLE,Timothy Yosenick,Tobias JUETTING. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Electrically powered infrared based thermal weed control system

Номер патента: US09648864B1. Автор: Michael J. Reischmann,Hugh C. Kent. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Regenerative brayton based thermal energy storage system

Номер патента: WO2024020322A1. Автор: Andrea Pedretti. Владелец: Energy Vault, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicone-based thermal interface materials

Номер патента: US9673127B2. Автор: Jing Zhang,Joseph Kuczynski,Jason T. Wertz,Sarah K. Czaplewski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Emulsion-based thermal inkjet inks

Номер патента: EP2670810A1. Автор: Howard S. Tom,Hou T. Ng,Henryk Birecki. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-12-11.

Emulsion-based thermal inkjet inks

Номер патента: US20130305958A1. Автор: Howard S. Tom,Hou T. Ng,Henryk Birecki. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-11-21.

Systems and methods for fuel-based thermal management

Номер патента: US20190277201A1. Автор: Leo J. Veilleux, Jr.,Lubomir A. Ribarov. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Laminated graphene based thermally conductive film and method for manufacturing the film

Номер патента: EP3802419A1. Автор: Nan Wang,Johan Liu. Владелец: SHT Smart High Tech AB. Дата публикации: 2021-04-14.

Thermal detector and method of making the same

Номер патента: US3801949A. Автор: R Larrabee. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-04-02.

Alkyl-bridged tin-based thermal stabilizers for halogenated resins and synthesis and uses therof

Номер патента: CA3163442A1. Автор: Gene Kelly Norris,Kevin John ROSS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-02.

Robotic electrically powered infrared based thermal weed control system

Номер патента: US10750736B2. Автор: Michael Reischmann,Hugh C. Kent. Владелец: Stw LLC. Дата публикации: 2020-08-25.

Modified inert gas atmosphere and graphite based thermal energy storage

Номер патента: US20210261846A1. Автор: Mänsoor Barati,Amirhossein AHADI,Abdolkarim Danaei. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Modified inert gas atmosphere and graphite based thermal energy storage

Номер патента: WO2020019055A8. Автор: Mänsoor Barati,Amirhossein AHADI,Abdolkarim Danaei. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Modified inert gas atmosphere and graphite based thermal energy storage

Номер патента: EP3830212A1. Автор: Mänsoor Barati,Amirhossein AHADI,Abdolkarim Danaei. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc. Дата публикации: 2021-06-09.

Modified inert gas atmosphere and graphite based thermal energy storage

Номер патента: WO2020019055A1. Автор: Mänsoor Barati,Amirhossein AHADI,Abdelkarim DANAEI. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Junction-based field emission display

Номер патента: WO2000002223A1. Автор: Mehdi Balooch,Marcus A. Schildbach,Dinh N. Long,William Ii Mc Lean. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2000-01-13.

Junction-based field emission structure for field emission display

Номер патента: US20010011972A1. Автор: William Mclean,Mehdi Balooch,Long N. Dinh,Schildbach Marcus A. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Tunnel junction based rgb die and driving scheme

Номер патента: WO2024129661A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129659A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

High-power electronic devices containing metal nanoparticle-based thermal interface materials and related methods

Номер патента: US20150054020A1. Автор: Alfred A. Zinn,Arthur Paolella,Susan Patricia Ermer,Adam Theron Winter,David S. Degler. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Polycarbonate-based thermal conductivity and ductility enhanced polymer compositions and uses thereof

Номер патента: EP3469024A1. Автор: Yubin BAO,Mingcheng Guo,Narong An,Yaqin ZHANG,Shijie Song. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2019-04-17.

High-power electronic devices containing metal nanoparticle-based thermal interface materials and related methods

Номер патента: EP3036764A1. Автор: Alfred A. Zinn,Arthur Paolella,Susan Patricia Ermer,Adam Theron Winter,David S. Degler. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2016-06-29.

Flame Retardant Bio-based Thermal Interface Material

Номер патента: US20230227653A1. Автор: Lida Lu,Arthur Yang,Kurtis Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-20.

Laser-based thermal printer

Номер патента: WO2005097507A2. Автор: Omar S Leung,Harold A Zarem. Владелец: SILICON LIGHT MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-10-20.

Tungsten-carbide-based spray powder, and a substrate with a tungsten-carbide-based thermally sprayed layer

Номер патента: US09624995B2. Автор: Guido REISEL,Manfred Oechsle. Владелец: Oerlikon Metco Woka GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Waste plastic-based thermal cracking feed and method for upgrading the same

Номер патента: CA3237282A1. Автор: John Jamieson,Antti Ojala,Ville PAASIKALLIO,Valeria MORELIUS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-08.

Low melt point metal based thermal interface material

Номер патента: WO2024137226A1. Автор: Yaqun Liu,Yunyun ZHANG. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three dimensional interconnected porous graphene-based thermal interface materials

Номер патента: US09605193B2. Автор: Min Zhang,Kai Zhang,Xinfeng Zhang,Matthew Ming Fai YUEN,Kan Kan YEUNG,Zhaoli GAO,Huansu XU. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-03-28.

Water based thermal cooling gels comprising a viscosity modifier and ice nucleating protein

Номер патента: US20190225853A1. Автор: Carl M. Lentz,Jessica P. DAVIS,Madison B. Schweke. Владелец: Microtek Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Polyoxazoline based thermal latent curing agents for thermoset resins

Номер патента: US20240270940A1. Автор: Bekir Dizman,Serkan Unal,Mehmet Yildiz,Yusuf Ziya Menceloglu,Taha BEHROOZI KOHLAN,Asu Ece ATESPARE. Владелец: Sabanci Universitesi. Дата публикации: 2024-08-15.

Polyoxazoline based thermal latent curing agents for thermoset resins

Номер патента: EP4430102A1. Автор: Bekir Dizman,Serkan Unal,Mehmet Yildiz,Yusuf Ziya Menceloglu,Taha BEHROOZI KOHLAN,Asu Ece ATESPARE. Владелец: Sabanci Universitesi. Дата публикации: 2024-09-18.

Graphene based thermal interface materials and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09716299B2. Автор: Alexander A. Balandin. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-07-25.

Pedestal fluid-based thermal control

Номер патента: WO2015175339A1. Автор: Eng Sheng Peh,Sriskantharajah Thirunavukarasu,Kirankumar Savandaiah,Karthik Elumalai. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-11-19.

Low melt point metal based thermal interface material

Номер патента: US20240218228A1. Автор: Yaqun Liu,Yunyun ZHANG. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Software Based Thermal Mitigation for Wireless Power and Data Transfer Systems

Номер патента: US20240364142A1. Автор: Michael KATZ,Jason Luzinski,Jason Green,Mark D. Melone. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Copper nanorod-based thermal interface material (TIM)

Номер патента: US09865521B2. Автор: Feras Eid,Ashish Gupta,Johanna M. Swan,Chandra M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon-based thermal energy transfer device and apparatus

Номер патента: US09746254B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Copper nanorod-based thermal interface material (TIM)

Номер патента: US09601406B2. Автор: Feras Eid,Ashish Gupta,Johanna M. Swan,Chandra M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Microtruss based thermal heat spreading structures

Номер патента: US09546826B1. Автор: Alan J. Jacobsen,Adam F. Gross,William B. Carter,Keith V. Guinn,David Kisailus. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Event-based thermal camera system

Номер патента: WO2022010456A1. Автор: Madhu Sudan ATHREYA,Manu RASTOGI,M Anthony Lewis. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2022-01-13.

Graphene-based thermal management systems

Номер патента: US9930808B2. Автор: Jeffrey H. Hunt,Wayne R. Howe,Angela W. Li. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Metal based thermal dissipator having enhanced thermal radiation, and methods for producing the same

Номер патента: US20220390192A1. Автор: Liping Wang,Payam Sabbaghi,Linshuang Long. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2022-12-08.

Waste plastic-based thermal cracking feed and method for upgrading the same

Номер патента: FI130130B. Автор: John Jamieson,Antti Ojala,Valeria POLIAKOVA,Ville PAASIKALLIO. Владелец: Neste Oyj. Дата публикации: 2023-03-09.

Laser-based thermal printer

Номер патента: WO2005097507A3. Автор: Omar S Leung,Harold A Zarem. Владелец: Harold A Zarem. Дата публикации: 2007-02-01.

Diamond-based thermal cooling devices methods and materials

Номер патента: EP4244887A1. Автор: Benjamin K. Sharfi,Kadek W. Hemawan,Saul Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-20.

Brake adjustment detection using wheel speed sensor based thermal measurement

Номер патента: WO2019023029A1. Автор: Joseph M. Macnamara,James E. Szudy,JR. Thomas S. MILLER. Владелец: BENDIX COMMERCIAL VEHICLE SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Metal-based thermal insulation structures

Номер патента: WO2024103031A1. Автор: Paul M. VON DOLLEN. Владелец: Slt Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Silane modified polymer-based thermally conductive composition

Номер патента: WO2024086553A1. Автор: Bizhong Zhu,Andrés E. BECERRA,David M. ALTERGOTT. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2024-04-25.

Solvent-based, thermal paint

Номер патента: EP1045878A4. Автор: John W Good,Rufus H Kerry. Владелец: PSAMS Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Nano-porous based thermal enclosure with heat removal

Номер патента: US20200224939A1. Автор: WEI YANG,Steven J. Eickhoff,Jeffrey Michael Klein,Jong Park,Paul Bryant Koeneman,Gustav Rustan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Modular, stackable pcm-based thermal battery apparatus

Номер патента: US20240328721A1. Автор: Byron C. OWENS,Alfred Scott Queen. Владелец: Phasestor LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Row based thermal management system

Номер патента: US20230076991A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Nanowire-based thermal interface

Номер патента: US11933549B2. Автор: LIN JING,Sheng Shen,Wei Gong,Pengfei Li,Raghav Garg,Itzhaq Cohen-Karni. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-19.

Expandable polylactic acid-based thermal packaging and methods thereof

Номер патента: US20240025624A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: Lifoam Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Thermistor-based thermal run-away detection for battery packs

Номер патента: US11569535B1. Автор: William Mische. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Copper nanorod-based thermal interface material (tim)

Номер патента: US20170133296A1. Автор: Feras Eid,Ashish Gupta,Johanna M. Swan,Chandra M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Thermoelectric-based thermal management system

Номер патента: US20130213058A1. Автор: Lakhi Nandlal Goenka. Владелец: BSST LLC. Дата публикации: 2013-08-22.

Software based thermal mitigation for wireless power and data transfer systems

Номер патента: US11973355B1. Автор: Michael KATZ,Jason Luzinski,Jason Green,Mark D. Melone. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

METHOD FOR MANUFACTURING MEMS DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, AND ELECTRONIC INSTRUMENT

Номер патента: US20140057444A1. Автор: Murakami Yasuhiko. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

Differential interrupter for use in electrical distribution outlet, has thermal protector with thermal detector to change state of electricity where detector is connected between upper and lower parts of toroidal core

Номер патента: FR2850803A1. Автор: Simon Tian,Didier Dumont,Vincent Broquie. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2004-08-06.

Expandable polylactic acid-based thermal packaging and methods thereof

Номер патента: WO2024136939A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: LIFOAM INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Water-reactive al-based composite material, water-reactive al-based thermally sprayed film, process for production of such al-based thermally sprayed film, and constituent member for film-forming chamber

Номер патента: US20130145961A1. Автор: Yutaka Kadowaki,Tomoko Saitou,Katsuhiko Mushiake. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

PHOTOCURABLE ACRYLIC-BASED THERMAL CONDUCTIVE COMPOSITION, ACRYLIC-BASED THERMAL CONDUCTIVE SHEET, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160024279A1. Автор: MATSUSHIMA Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

SYSTEM AND METHOD FOR BATTERY CELL THERMAL MANAGEMENT USING CARBON-BASED THERMAL FILMS

Номер патента: US20150118537A1. Автор: DeKeuster Richard M.,Obasih Kem M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

THERMAL CAPACITY CONTROL FOR RELATIVE TEMPERATURE-BASED THERMAL SHUTDOWN

Номер патента: US20200136369A1. Автор: Gupta Vishal,CHAUHAN ANKUR,CHAUDHARI PARAGKUMAR. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Multi metal base thermal resistance alloy and a mold with the multi metal base thermal resistance alloy layer

Номер патента: TWI337203B. Автор: Chih Chao Yang,Chi San Chen,Chih Jung Weng,Chao Ming Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2011-02-11.

Acrylic-based thermally conductive composition and thermally conductive sheet

Номер патента: CN100371385C. Автор: 弘重裕司,山崎好直. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-02-27.

System and method for battery cell thermal management using carbon-based thermal films

Номер патента: EP3063801B1. Автор: Richard M. Dekeuster,Kem M. Obasih. Владелец: CPS Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2020-08-19.

Acrylic-based thermally conductive composition and thermally conductive sheet

Номер патента: EP1615970B1. Автор: Yuji Hiroshige,Yoshinao Yamazaki. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2006-08-02.

Water-reactive Al-based composite material, water-reactive Al-based thermally sprayed film, process for producing such Al-based thermally sprayed film, and component for a film-forming chamber

Номер патента: DE112011102835B4. Автор: Yutaka Kadowaki,Tomoko Saitou,Katsuhiko Mushiake. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Modular, stackable PCM-based thermal battery apparatus

Номер патента: US11909023B1. Автор: Byron C. OWENS,Alfred Scott Queen. Владелец: Phasestor LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Expandable polylactic acid-based thermal and protective packaging and methods thereof

Номер патента: WO2024020191A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: LIFOAM INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Advanced mono-material expandable polylactic acid-based thermal and protective packaging and methods thereof

Номер патента: US20240025622A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: Lifoam Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Particle-based thermal energy storage systems

Номер патента: US11808523B2. Автор: Zhiwen Ma,Patrick Gordon DAVENPORT,Janna Martinek. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Graphene and carbon nanotube based thermal management device

Номер патента: US11940233B2. Автор: Joel Richard Goergen,D. Brice Achkir,Mehmet Onder Cap,M. Baris Dogruoz. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicone-based thermal insulation materials for battery modules

Номер патента: WO2024088735A1. Автор: Michael KALCHAUER,Yan Shao,Sandra EDMAIER,Daryl FAYBRICK,Laura POLCHINSKI. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Advanced mono-material expandable polylactic acid-based thermal and protective packaging and methods thereof

Номер патента: WO2024020192A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: LIFOAM INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Expandable polylactic acid-based thermal and protective packaging and methods thereof

Номер патента: US20240026110A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: Lifoam Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Graphene and carbon nanotube based thermal management device

Номер патента: US20240175650A1. Автор: Joel Richard Goergen,D. Brice Achkir,Mehmet Onder Cap,M. Baris Dogruoz. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Metal-based thermal insulation structures

Номер патента: US20240159348A1. Автор: Paul M. VON DOLLEN. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Graphite-based thermal dissipation component

Номер патента: WO2003001133A2. Автор: George Getz,Julian Norley. Владелец: Graftech Inc.. Дата публикации: 2003-01-03.

Silica-based thermal-insulation sheet coated with intumescent composition

Номер патента: EP4041697B1. Автор: Oliver Jung. Владелец: Kingspan Insulation Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Sealing method for use with water-based thermal cyclers

Номер патента: AU2003201635A1. Автор: Susan Frances Kirby. Владелец: Kbiosystems Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US9793336B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

High-power electronic devices containing metal nanoparticle-based thermal interface materials and related methods

Номер патента: EP3036764A4. Автор: Alfred A. Zinn,Arthur Paolella,Susan Patricia Ermer,Adam Theron Winter,David S. Degler. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Azlactone based thermally crosslinkable polymer coating for controlling cell behavior

Номер патента: US20160272840A1. Автор: William L. Murphy,Padma Gopalan,Samantha Kelly Schmitt. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-09-22.

Sealing method for use with water-based thermal cyclers

Номер патента: AU2003201635A8. Автор: Susan Frances Kirby. Владелец: Kbiosystems Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20180012953A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20160284787A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US9590026B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US20170229533A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nafion Self-Bonding for Cost-Effective Rapid Assembly of a Thin Flexible Fuel Cell by a Template-Based Thermal Sealing Process

Номер патента: US20240291010A1. Автор: Matt MAYER,Ronald Besser,Seyed Reza Mahmoodi,Pei-Kang Sun. Владелец: Stevens Institute of Technology . Дата публикации: 2024-08-29.

Nafion self-bonding for cost-effective rapid assembly of a thin flexible fuel cell by a template-based thermal sealing process

Номер патента: WO2022260829A3. Автор: Matt MAYER,Ronald Besser,Seyed Reza Mahmoodi,Pei-Kang Sun. Владелец: The Trustees of the Stevens Institute of Technology. Дата публикации: 2023-05-04.

Diamond-based thermal cooling devices methods and materials

Номер патента: EP4244887A4. Автор: Saul Gonzalez,Benjamin K Sharfi,Kadek W Hemawan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for manufacturing a graphene-based thermal interface pad

Номер патента: SE2350313A1. Автор: Johan Liu,Lars ALMHEM. Владелец: SHT Smart High Tech AB. Дата публикации: 2024-09-22.

Providing sensory stimulations via photoacoustic, piezo-based, thermal, and/or electrical effects

Номер патента: US12133818B2. Автор: Emad M. Boctor,Peter Gehlbach,James Spicer,Maged HARRAZ,Jeeun KANG. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-05.

Azlactone based thermally crosslinkable polymer coating for controlling cell behavior

Номер патента: US09777185B2. Автор: William L. Murphy,Padma Gopalan,Samantha Kelly Schmitt. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-03.

High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors

Номер патента: US09590026B2. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Lubomyr T. Romankiw,William J. Gallagher,Maurice Mason,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Optically Transitioning Thermal Detector Structures

Номер патента: US20130292789A1. Автор: Beratan Howard. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

PHOTOCOMPOSITE, LIGHT SOURCE AND THERMAL DETECTOR

Номер патента: US20170035539A1. Автор: Bringley Joseph F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Thermal detector comprising a thermal insulator made of expanded polymer.

Номер патента: FR2701602B1. Автор: Philippe Robin,Jean-Marc Bureau,Hugues Facoetti,Francois Bernard. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-03-31.

Thermal detector.

Номер патента: FR2712694B1. Автор: Paul Antony Manning,Rex Watton. Владелец: UK Government. Дата публикации: 1997-04-30.

Thermal detector.

Номер патента: FR2712694A1. Автор: Manning Paul Antony,Watton Rex. Владелец: UK Government. Дата публикации: 1995-05-24.

Electrical protection device with thermal detector.

Номер патента: FR2702083B1. Автор: Marek Rundsztuk,Jean-Francois Rey,Isabelle Lubin,Antoine Stentz,Francois Tellier. Владелец: Telemecanique Electrique SA. Дата публикации: 1995-04-14.

Thermal detector with stress-aligned thermally sensitive element and method

Номер патента: US6020216A. Автор: Howard R. Beratan,Charles M. Hanson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Shortwave optics thermal detector and its focal plane array device

Номер патента: CN105977335B. Автор: 赖建军. Владелец: WUHAN INDUSTRIAL INSTITUTE FOR OPTOELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-29.

Iron with a thermal detector for measuring the fabric temperature

Номер патента: EP0719886B1. Автор: Jean-Pierre Hazan,Jean-Louis Nagel,Adriaan Netten. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-05-10.

Thermal detector having an expansed polymer thermal insulating coat

Номер патента: CA2115400A1. Автор: Philippe Robin,Jean-Marc Bureau,Hugues Facoetti,Francois Bernard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-08-13.

THERMAL DETECTOR

Номер патента: DE3513617A1. Автор: Paul Antony Manning,Rex Watton. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1988-03-03.

Electric protection device with thermal detector

Номер патента: EP0615266B1. Автор: Marek Rundsztuk,Jean-Francois Rey,Isabelle Lubin,Antoine Stentz,Francois Tellier. Владелец: Schneider Electric SE. Дата публикации: 1996-10-09.

Thermal isolation of hybrid thermal detectors through an anisotropic etch

Номер патента: US5572059A. Автор: Gail D. Shelton,Charles M. Hanson,Robert A. Owen,Steven N. Frank,Robert J. S. Kyle,William K. Walker,Edward G. Meissner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-11-05.

Method of manufacturing a thermal detector

Номер патента: DE69409990T2. Автор: Philippe Robin,Jean-Marc Bureau,Hugues Facoetti,Francois Bernard. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1998-09-03.

Iron with a thermal detector for measuring the fabric temperature

Номер патента: EP0719886A1. Автор: Jean-Pierre Hazan,Jean-Louis Nagel,Adriaan Netten. Владелец: Laboratoires dElectronique Philips SAS. Дата публикации: 1996-07-03.

Electrical protection device with thermal detector.

Номер патента: FR2702083A1. Автор: REY Jean-François,Tellier Francois,Lubin Isabelle,Rundsztuk Marek,Stentz Antoine. Владелец: Telemecanique Electrique SA. Дата публикации: 1994-09-02.

Thermoelectric-based thermal management system

Номер патента: US20130213058A1. Автор: Lakhi Nandlal Goenka. Владелец: BSST LLC. Дата публикации: 2013-08-22.

HIGH PERFORMANCE SILICON BASED THERMAL COATING COMPOSITIONS

Номер патента: US20130302526A1. Автор: Fish Chris. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Emulsion-based thermal inkjet inks

Номер патента: US20130305958A1. Автор: Howard S. Tom,Hou T. Ng,Henryk Birecki. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-11-21.

TITANIUM-BASED THERMAL GROUND PLANE

Номер патента: US20130327504A1. Автор: Meinhart Carl D.,Bozorgi Payam,Sigurdson Marin,LIU YU-WEI,MacDonald Noel C.,Bothman David. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-12-12.

HIGH PURITY ZIRCONIA-BASED THERMALLY SPRAYED COATINGS AND PROCESSES FOR THE PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20130330507A1. Автор: Feuerstein Albert,Bolcavage Ann,TAYLOR Thomas Alan,APPLEBY Danny Lee,HITCHMAN Neil. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

PROXIMITY BASED THERMAL PROFILING FOR A POWER TOOL

Номер патента: US20140090948A1. Автор: Ramaswamy Bharadwaja Maharshi,Krishnarao Niranjan Sathyanarayanarao. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

VENEER TIE AND WALL ANCHORING SYSTEMS WITH IN-CAVITY CERAMIC AND CERAMIC-BASED THERMAL BREAKS

Номер патента: US20150007520A1. Автор: Hohmann,JR. Ronald P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

STRUCTURED SILICON-BASED THERMAL EMITTER

Номер патента: US20170012199A1. Автор: Sabry Yasser M.,Khalil Diaa,Bourouina Tarik E.,Anwar Momen. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20180012953A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

PARTICLE-BASED THERMAL ENERGY STORAGE SYSTEMS

Номер патента: US20220034600A1. Автор: MA Zhiwen,MARTINEK Janna,DAVENPORT Patrick Gordon. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Ni-BASED THERMAL SPRAYING ALLOY POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING ALLOY COATING

Номер патента: US20200017949A1. Автор: Ishikawa Eiji,NOGUCHI Manabu,TANAKA Eichi,HAYASHI Shigenari,KOGIN Takashi,TAKASAKI Nobuhiro,Emami Mohammad. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

BRAKE ADJUSTMENT DETECTION USING WSS BASED THERMAL MEASUREMENT

Номер патента: US20190023252A1. Автор: MILLER,JR. Thomas S.,Szudy James E.,Macnamara Joseph M.. Владелец: BENDIX COMMERCIAL VEHICLE SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Three Dimensional Interconnected Porous Graphene-Based Thermal Interface Materials

Номер патента: US20140110049A1. Автор: Min Zhang,Kai Zhang,Xinfeng Zhang,Matthew Ming Fai YUEN,Kan Kan YEUNG,Zhaoli GAO,Huansu XU. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2014-04-24.

TITANIUM-BASED THERMAL GROUND PLANE

Номер патента: US20200025462A1. Автор: Piorek Brian D.,Meinhart Carl D.,Soni Gaurav,Bozorgi Payam,MacDonald Noel C.,Ding Changsong. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-01-23.

ICE MACHINE FOR AN ICE-BASED THERMAL STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20210033327A1. Автор: Wilkins Michael Alexander,Holwerk Charles Hunter. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

GRAPHENE BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140120399A1. Автор: BALANDIN Alexander A.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-05-01.

Shape memory material based thermal coupler/decoupler and method

Номер патента: US20170038159A1. Автор: Adam C. Wood,Charles J. Bersbach. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-09.

YTTRIUM ALUMINUM GARNET BASED THERMAL BARRIER COATINGS

Номер патента: US20200039888A1. Автор: Kumar Rishi,Jordan Eric H.,Gell Maurice,Jiang Chen. Владелец: THE UNIVERSITY OF CONNECTICUT. Дата публикации: 2020-02-06.

Silicon-Based Thermal Energy Transfer Device And Apparatus

Номер патента: US20140124185A1. Автор: Kim Gerald Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

HIGH PERFORMANCE SILICON BASED THERMAL COATING COMPOSITIONS

Номер патента: US20190048209A1. Автор: Fish Chris. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

HIGH-POWER ELECTRONIC DEVICES CONTAINING METAL NANOPARTICLE-BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20150054020A1. Автор: ZINN Alfred A.,PAOLELLA Arthur,Winter Adam Theron,Degler David S.,Ermer Susan Patricia. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Silicon-Based Thermal Energy Transfer Device And Apparatus

Номер патента: US20140131011A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-15.

GRAPHENE-BASED THERMAL MANAGEMENT CORES AND SYSTEMS AND METHODS FOR CONSTRUCTING PRINTED WIRING BOARDS

Номер патента: US20160057854A1. Автор: Davis William E.,SCHNEIDER Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

LAMINATED GRAPHENE BASED THERMALLY CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE FILM

Номер патента: US20210078288A1. Автор: Wang Nan,LIU Johan. Владелец: SHT Smart High-Tech AB. Дата публикации: 2021-03-18.

SILICONE-BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS

Номер патента: US20170077008A1. Автор: Kuczynski Joseph,Zhang Jing,Wertz Jason T.,Czaplewski Sarah K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

NANOWIRE-BASED THERMAL INTERFACE

Номер патента: US20210080200A1. Автор: GONG WEI,LI Pengfei,SHEN Sheng,Jing Lin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Silicon-Based Thermal Energy Transfer Device And Apparatus

Номер патента: US20140158329A1. Автор: Kim Gerald Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

FLUID BASED THERMAL CONDUCTIVITY CONTROL

Номер патента: US20150090436A1. Автор: Andres Michael J.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

HIGH PURITY ZIRCONIA-BASED THERMALLY SPRAYED COATINGS AND PROCESSES FOR THE PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20140178632A1. Автор: Feuerstein Albert,Bolcavage Ann,TAYLOR Thomas Alan,APPLEBY Danny Lee,HITCHMAN Neil. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Phase-Transition-Based Thermal Conductivity in Anti-Ferroelectric Materials

Номер патента: US20160102235A1. Автор: Ihlefeld Jon,Hopkins Patrick Edward. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Metal rings for active brazing in sodium-based thermal batteries

Номер патента: US20140186690A1. Автор: Michael Colan MOSCINSKI,Badri Narayan Ramamurthi,Mohamed Rahmane,Sundeep Kumar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-07-03.

CERAMIC COLLARS FOR ACTIVE BRAZING IN SODIUM-BASED THERMAL BATTERIES

Номер патента: US20140186691A1. Автор: Ramamurthi Badri Narayan,Rahmane Mohamed,Sarrafi-Nour Reza,Adharapurapu Raghavendra Rao,Kumar Sundeep,NAYAK Mohandas,MOSCINSKI Michael Colan,STOHR Darren Michael,BASAK Arunabh. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-07-03.

FLUID-BASED THERMAL CLOTHING FOR HEAT EXCHANGE WITH BODY PARTS

Номер патента: US20170105870A1. Автор: Yazdani Ataollah. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

CARBON NANOTUBE BASED THERMAL GASKET FOR SPACE VEHICLES

Номер патента: US20170108124A1. Автор: PIERSON Edward Allen,HARRIS Edward Nathan,GARDNER Slade Havelock. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

NITROGEN BASED THERMAL STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20140202447A1. Автор: Nadig Ranga. Владелец: Maarky Thermal Systems Inc.. Дата публикации: 2014-07-24.

PARTICLE-BASED THERMAL ENERGY STORAGE SYSTEMS

Номер патента: US20200124356A1. Автор: MA Zhiwen,MARTINEK Janna,DAVENPORT Patrick Gordon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

COPPER NANOROD-BASED THERMAL INTERFACE MATERIAL (TIM)

Номер патента: US20170133296A1. Автор: Swan Johanna M.,Gupta Ashish,EID Feras,JHA Chandra M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SILICONE-BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS

Номер патента: US20170145163A1. Автор: Kuczynski Joseph,Zhang Jing,Wertz Jason T.,Czaplewski Sarah K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

SILICONE-BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS

Номер патента: US20170148706A1. Автор: Kuczynski Joseph,Zhang Jing,Wertz Jason T.,Czaplewski Sarah K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

TUNGSTEN-CARBIDE-BASED SPRAY POWDER, AND A SUBSTRATE WITH A TUNGSTEN-CARBIDE-BASED THERMALLY SPRAYED LAYER

Номер патента: US20140234609A1. Автор: Reisel Guido,Oechsle Manfred. Владелец: SULZER METCO WOKA GMBH. Дата публикации: 2014-08-21.

Copper nanorod-based thermal interface material (tim)

Номер патента: US20140246770A1. Автор: Feras Eid,Ashish Gupta,Johanna M. Swan,Chandra M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Environmental barrier coating-based thermal barrier coatings for ceramic matrix composites

Номер патента: US20140255680A1. Автор: Kang N. Lee,Jay Lane. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

CORE FREQUENCY/COUNT DECISION-BASED THERMAL MITIGATION OPTIMIZATION FOR A MULTI-CORE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180167878A1. Автор: Lee Kwangyoon,Cunningham Adam,Oclima Melanie Dolores. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

CLOUD-BASED THERMAL CONTROL OF WIRELESS ACCESS POINTS

Номер патента: US20190174336A1. Автор: McFarland William,Hanley Patrick,Malkin Yoseph,Chang Richard. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

SYSTEMS AND METHODS FOR PHASE CHANGE MATERIAL BASED THERMAL ASSESSMENT

Номер патента: US20200185603A1. Автор: HSU Hung-Jen,Chen Chien-Mao. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

AZLACTONE BASED THERMALLY CROSSLINKABLE POLYMER COATING FOR CONTROLLING CELL BEHAVIOR

Номер патента: US20200190353A1. Автор: Gopalan Padma,Murphy William L.,Schmitt Samantha Kelly. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

BRIDGELESS SEALED SODIUM-BASED THERMAL BATTERIES AND METHODS OF SEALING SAME

Номер патента: US20140295255A1. Автор: Rahmane Mohamed,Johnson Neil A.,Kumar Sundeep,Cole Raymond R.,WILLSON Patrick D.. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-10-02.

SEALED SODIUM-BASED THERMAL BATTERIES AND METHODS OF SEALING SAME

Номер патента: US20140295258A1. Автор: Rahmane Mohamed,Johnson Neil A.,Kumar Sundeep,Cole Raymond R.,WILLSON Patrick D.,YOSENICK Timothy,ANGELIU Thomas,JUETTING Tobias. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-10-02.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT OF ELECTRICAL DEVICES

Номер патента: US20190198955A1. Автор: Kossakovski Dmitri,Piggott Alfred. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Electrically Powered Infrared Based Thermal Weed Control System

Номер патента: US20170215405A1. Автор: Reischmann Michael,Kent Hugh C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20170229533A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Graphene Based Thermal Management Devices

Номер патента: US20150241147A1. Автор: SCHEFFER DAN,BROOKS LOUISE. Владелец: Vorbeck Materials. Дата публикации: 2015-08-27.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT SYSTEM

Номер патента: US20150244042A1. Автор: Bell Lon E.,LaGrandeur John,Davis Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

WATER BASED THERMAL COOLING GELS COMPRISING A VISCOSITY MODIFIER AND ICE NUCLEATING PROTEIN

Номер патента: US20190225853A1. Автор: Lentz Carl M.,Schweke Madison B.,Davis Jessica P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

ALKYL-BRIDGED TIN-BASED THERMAL STABILIZERS FOR HALOGENATED RESINS AND SYNTHESIS AND USES THEROF

Номер патента: US20210261754A1. Автор: NORRIS Gene Kelly,Ross Kevn John. Владелец: PMC ORGANOMETALLIX, INC.. Дата публикации: 2021-08-26.

MODIFIED INERT GAS ATMOSPHERE AND GRAPHITE BASED THERMAL ENERGY STORAGE

Номер патента: US20210261846A1. Автор: AHADI Amirhossein,Barati Mansoor,Danaei Abdolkarim. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

NANO-POROUS BASED THERMAL ENCLOSURE WITH HEAT REMOVAL

Номер патента: US20200224939A1. Автор: Yang Wei,Park Jong,Eickhoff Steven J.,Klein Jeffrey Michael,Koeneman Paul Bryant,Rustan Gustav. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT OF ELECTRICAL DEVICES

Номер патента: US20140331688A1. Автор: Kossakovski Dmitri,Piggott Alfred,Bamhart Todd Robert. Владелец: GENTHERM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

TITANIUM-BASED THERMAL GROUND PLANE

Номер патента: US20140332187A1. Автор: Piorek Brian D.,Meinhart Carl D.,Soni Gaurav,Bozorgi Payam,MacDonald Noel C.,Ding Changsong. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-11-13.

GRAPHENE-BASED THERMAL MANAGEMENT SYSTEMS

Номер патента: US20150257308A1. Автор: Hunt Jeffrey H.,Howe Wayne R.,Li Angela W.. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2015-09-10.

YTTRIUM ALUMINUM GARNET BASED THERMAL BARRIER COATINGS

Номер патента: US20160257618A1. Автор: Kumar Rishi,Jordan Eric H.,Gell Maurice,Jiang Chen. Владелец: THE UNIVERSITY OF CONNECTICUT. Дата публикации: 2016-09-08.

SHAPE MEMORY MATERIAL BASED THERMAL COUPLER/DECOUPLER AND METHOD

Номер патента: US20190249937A1. Автор: Woods Adam C.,Bersbach Charles J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

POLYCARBONATE BASED THERMALLY CONDUCTIVE FLAME RETARDANT POLYMER COMPOSITIONS

Номер патента: US20140353544A1. Автор: Guo Mingcheng,Zhang Yaqin,Shen Qingya,An Yuxian. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT SYSTEM

Номер патента: US20190252745A1. Автор: Kossakovski Dmitri,Barnhart Todd Robert,Piggott Alfred. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Azlactone based thermally crosslinkable polymer coating for controlling cell behavior

Номер патента: US20160272840A1. Автор: William L. Murphy,Padma Gopalan,Samantha Kelly Schmitt. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-09-22.

ICE-BASED THERMAL ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20190257593A1. Автор: Ouvry Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

ROBOTIC ELECTRICALLY POWERED INFRARED BASED THERMAL WEED CONTROL SYSTEM

Номер патента: US20180271082A1. Автор: Reischmann Michael,Kent Hugh C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20160284786A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

HIGH RESISTIVITY IRON-BASED, THERMALLY STABLE MAGNETIC MATERIAL FOR ON-CHIP INTEGRATED INDUCTORS

Номер патента: US20160284787A1. Автор: Deligianni Hariklia,"OSullivan Eugene J.",Gallagher William J.,Romankiw Lubomyr T.,Wang Naigang,Mason Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

HIGH PERFORMANCE SILICON BASED THERMAL COATING COMPOSITIONS

Номер патента: US20200270465A1. Автор: Fish Chris. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR FUEL-BASED THERMAL MANAGEMENT

Номер патента: US20190277201A1. Автор: Ribarov Lubomir A.,JR. Leo J.,Veilleux. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-12.

POLYETHYLENE-BASED THERMALLY-SHRINKABLE MULTILAYER FILM FOR PACKAGING, AND PACKAGE AND PACKAGING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20170297312A1. Автор: OYAMA Toshikatsu. Владелец: KOHJIN Film & Chemicals Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-10-19.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT OF ELECTRICAL DEVICES

Номер патента: US20170314824A1. Автор: Kossakovski Dmitri,Barnhart Todd Robert,Piggott Alfred. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Polycarbonate-Based Thermal Conductivity and Ductility Enhanced Polymer Compositions And Uses Thereof

Номер патента: US20190309205A1. Автор: Guo Mingcheng,An Narong,Zhang Yaqin,Bao Yubin,Song Shijie. Владелец: Sabic Global Technologies B.V.. Дата публикации: 2019-10-10.

PEDESTAL FLUID-BASED THERMAL CONTROL

Номер патента: US20150332942A1. Автор: SAVANDAIAH Kirankumar,THIRUNAVUKARASU SRISKANTHARAJAH,Peh Eng Sheng,ELUMALAI KARTHIK. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

PAPER-BASED THERMAL INSULATED CONTAINER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150336730A1. Автор: Shields Douglas Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

AZLACTONE BASED THERMALLY CROSSLINKABLE POLYMER COATING FOR CONTROLLING CELL BEHAVIOR

Номер патента: US20170335130A1. Автор: Gopalan Padma,Murphy William L.,Schmitt Samantha Kelly. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT SYSTEM

Номер патента: US20150357692A1. Автор: Kossakovski Dmitri,Barnhart Todd Robert,Piggott Alfred. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

CARBON NANOTUBE-BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS AND METHODS OF MAKING AND USING THEREOF

Номер патента: US20170347492A1. Автор: GREEN Craig,Cola Baratunde,Prinzi Leonardo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT OF ELECTRICAL DEVICES

Номер патента: US20150372356A1. Автор: Kossakovski Dmitri,Piggott Alfred. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

ALUMINA-BASED THERMALLY CONDUCTIVE OXIDE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20190359875A1. Автор: Yamamura Naotsugu,NISHIO Akira,Yamane Kenichi,TOMINAGA Shingo,ONIDUKA Hiroya. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Metal Nanowire Based Thermal Interface Materials

Номер патента: US20190378778A1. Автор: Sheng Shen,Wei Gong,Pengfei Li. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

CARBON NANOTUBE-BASED THERMAL INTERFACE MATERIALS AND METHODS OF MAKING AND USING THEREOF

Номер патента: US20200404809A1. Автор: GREEN Craig,Cola Baratunde,Prinzi Leonardo. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

POLYURETHANE BASED THERMAL INTERFACE MATERIAL COMPRISING SILANE TERMINATED URETHANE PREPOLYMERS

Номер патента: US20220411631A1. Автор: Schneider Daniel,Grunder Sergio,Lutz Andreas,Hillesheim Nina,Ardizzone Filippo. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Thermoelectric-based thermal management of electrical devices

Номер патента: KR101991650B1. Автор: 드미트리 코사코프스키,토드 로버트 반하트,앨프레드 피고트. Владелец: 젠썸 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-06-20.

Ni-BASED THERMALLY-SPRAYED ALLOY POWDER AND ALLOY FILM PRODUCTION METHOD

Номер патента: JP2018131645A. Автор: Eiji Ishikawa,林　重成,Shigenari Hayashi,重成 林,モハンマド エマミ,Mohammad Emami,野口　学,Manabu Noguchi,学 野口,栄司 石川,瑛智 田中,Eichi Tanaka,伸公 高崎,Nobuhiro Takasaki,孝 古吟,Takashi Kogin. Владелец: Ebara Environmental Plant Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

A kind of preparation method of gypsum base thermal insulation mortar

Номер патента: CN103360013B. Автор: 黄巧玲,王玉麟,漆贵海,赖振彬. Владелец: Guizhou China Construction Architecture Research and Design Institute Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-20.

Thermoelectric-based thermal management system

Номер патента: US10270141B2. Автор: Dmitri Kossakovski,Alfred Piggott,Todd Robert Barnhart. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2019-04-23.

Nickel based thermal spray powder and coating, and method for making the same

Номер патента: CN102791902B. Автор: G·A·克鲁普尼克. Владелец: Crucible Intellectual Property LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Nickel-base thermal spraying material

Номер патента: JPS6024364A. Автор: Takashi Shoji,孝志 荘司. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1985-02-07.

Preparation method of polyacrylonitrile-based thermally crosslinked membrane

Номер патента: CN114917774B. Автор: 李琳,王同华,陈放,张效露,张勇跃,荣跃飞,孙皓靖. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-03-14.

Polyester-based thermal contraction tube

Номер патента: KR100392161B1. Автор: 박종민,김영석,송준명,송경종. Владелец: 주식회사 무 등. Дата публикации: 2003-07-22.

Repair of zirconia-based thermal barrier coatings

Номер патента: US20050129868A1. Автор: Sudipta Seal,Vinod Philip,Weifeng Fei,Satyajit Shukla. Владелец: Siemens Westinghouse Power Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Polycarbonate based thermally conductive flame retardant polymer compositions

Номер патента: KR20160016965A. Автор: 궈 밍청,장 야친,안 위시안,칭야 션. Владелец: 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.. Дата публикации: 2016-02-15.

NON-COMPACT PERLITE-BASED THERMAL INSULATION MATERIAL

Номер патента: FR2416208A1. Автор: . Владелец: Grefco Inc. Дата публикации: 1979-08-31.

A kind of cobalt antimonides-based thermal electrical part and preparation method thereof

Номер патента: CN106252500A. Автор: 陈立东,柏胜强,吴汀,顾明,夏绪贵,唐云山,史迅,初靖. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2016-12-21.

Solar energy collector - comprises base, thermal insulator, absorber and transparent panel, with second prodile panel whose transparency is reduced by a patterning

Номер патента: FR2316555A1. Автор: . Владелец: TEKNOTERM SYSTEMS AB. Дата публикации: 1977-01-28.

Tungsten-carbide-based spray powder, and a substrate with a tungsten-carbide-based thermally sprayed layer

Номер патента: WO2012168139A1. Автор: Guido REISEL,Manfred Oechsle. Владелец: SULZER METCO WOKA GMBH. Дата публикации: 2012-12-13.

Thermoelectric-based thermal management of electrical devices

Номер патента: US10686232B2. Автор: Dmitri Kossakovski,Alfred Piggott. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Thermoelectric based thermal management of electrical devices

Номер патента: DE112014000419T5. Автор: Dmitri Kossakovski,Alfred Piggott. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Aqueous resin-based thermal transfer colored tape and preparation method thereof

Номер патента: CN106380962A. Автор: 徐海东,颜晨曦,俞陈. Владелец: Zhejiang Hao Hao Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-08.

Thermoelectric-based thermal management of electrical devices

Номер патента: KR101950468B1. Автор: 드미트리 코사코프스키,토드 로버트 반하트,앨프레드 피고트. Владелец: 젠썸 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-02-20.

Gypsum-based thermal insulation mortar and preparation method thereof

Номер патента: CN114031358A. Автор: 郑文奇,赵华晓,伍善民. Владелец: Baise Zhisheng New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-11.

Thermoelectric-based thermal management of electrical devices

Номер патента: CN108155430B. Автор: D·科萨科夫斯基,A·皮戈特. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-29.

Particle-based thermal energy storage systems

Номер патента: CA3113971A1. Автор: Zhiwen Ma,Patrick Gordon DAVENPORT,Janna Martinek. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Nickel based thermal spray powder and coating, and method for making the same

Номер патента: WO2011094755A2. Автор: Gerald A. Croopnick. Владелец: Crucible Intellectual Property LLC. Дата публикации: 2011-08-04.

Cement-based thermal-insulation moisture gel nano hybrid ceramic coating and preparation method thereof

Номер патента: CN109401369B. Автор: 宋海兵. Владелец: Hunan Casly New Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

Metal hydride-based thermal energy storage systems

Номер патента: US9777968B1. Автор: Zhigang Fang,John J. Vajo. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Polyester-based thermal contraction tube

Номер патента: KR100537100B1. Автор: 박종민,김영석,송준명,송경종. Владелец: 주식회사 무 등. Дата публикации: 2005-12-16.

A kind of water-proof gypsum base thermal insulation mortar

Номер патента: CN106007606B. Автор: 马振义,马振家. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-08.

A kind of preparation method of aerosil Water-based thermal insulation coating

Номер патента: CN107523102A. Автор: 肖坤学. Владелец: Guizhou Paint Jinzhou Paint Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-29.

Metal rings for active brazing in sodium-based thermal batteries

Номер патента: US9105896B2. Автор: Michael Colan MOSCINSKI,Badri Narayan Ramamurthi,Mohamed Rahmane,Sundeep Kumar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-08-11.

Reflection-type Water-based thermal insulation coating and preparation method thereof

Номер патента: CN109082181B. Автор: 龙杰,蒋崇文,朱俊东,宋曲之,王偶和. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-27.

Method for manufacturing silicon fibre-based thermal insulation material

Номер патента: CA2142738A1. Автор: Vladimir Nikolaevich Gribkov,Ludmila Vassilievna Belunova,Andre Iossiphovich Chernyak,Galina Timotheivna Mizyurina,Oleg Alexeevich Mordovin,Elena Ephimovna Mukhanova. Владелец: Viam-All Russian Institut Of Aviation Materials. Дата публикации: 1995-08-18.

A water-based thermal foam adhesive panel

Номер патента: TW201137075A. Автор: Dein-Run Fung,Sen-Huang Hsu,Hung-Hsun Wu,Huei-Jiun Juang. Владелец: Nanya Plastics Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Cellulose-fibre-based thermal compound

Номер патента: AU2003282460A1. Автор: Hector Luis Correa Delgado. Владелец: Hector Luis Correa Delgado. Дата публикации: 2005-06-24.

Diamond-based thermal cooling devices methods and materials

Номер патента: US20220157691A1. Автор: Benjamin K. Sharfi,Kadek W. Hemawan,Saul Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-19.

Polyurethane based thermal interface material comprising silane terminated urethane prepolymers

Номер патента: EP4100452A1. Автор: Sergio Grunder,Daniel Schneider,Andreas Lütz,Nina HILLESHEIM,Filippo Ardizzone. Владелец: DDP Specialty Electronic Materials US LLC. Дата публикации: 2022-12-14.

Method for preparing polyacrylonitrile-based thermal oxidation stabilized fiber under assistance of atmospheric plasma

Номер патента: CN111549522A. Автор: 刘杰,李响,张东,王晓旭. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2020-08-18.

Alumina-based thermally conductive oxide and method for producing same

Номер патента: EP3590891A4. Автор: Akira Nishio,Kenichi Yamane,Naotsugu Yamamura,Shingo Tominaga,Hiroya Oniduka. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

Cement base thermal insulation mortar containing rice straw fibers and application method thereof

Номер патента: CN105819791A. Автор: 王亚文,于龙,李好新,王培铭,张国防,徐玲琳. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-03.

Thermoelectric based thermal management system

Номер патента: JP6637765B2. Автор: ピゴット、アルフレッド,コサッコフスキー、ドミトリー,ロバート バーナート、トッド. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2020-01-29.

Alloy-based thermal fuse

Номер патента: DE60312764D1. Автор: Yoshihito Hamada. Владелец: Uchihashi Estec Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

A kind of biology base thermal adaptation composite materials and preparation method thereof of three-dimensional multi-element eutectic structure

Номер патента: CN110423481A. Автор: 韩文佳,董晓斌,李国栋,赵汝和,孔凡功,王守娟,孟霞. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2019-11-08.

Polyurethane-based thermal interface materials

Номер патента: CN113631610B. Автор: A·卢茨,S·格伦德,N·希尔斯海姆,F·阿迪宗. Владелец: DDP Specialty Electronic Materials US LLC. Дата публикации: 2023-06-27.

A kind of graphene-based thermal interfacial material and preparation method thereof

Номер патента: CN109957380A. Автор: 孙蓉,赵涛,胡友根,张保坦,梁先文,叶晃青. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2019-07-02.

A kind of biomass-based thermal insulation material used for building exterior wall and preparation method thereof

Номер патента: CN107903617A. Автор: 卢洁. Владелец: ZHEJIANG HONGAN CONSTRUCTION CO Ltd. Дата публикации: 2018-04-13.

Veneer tie and wall anchoring systems with in-cavity ceramic and ceramic-based thermal breaks

Номер патента: CA2855437A1. Автор: Ronald P. Hohmann, Jr.. Владелец: Mitek Holdings Inc. Дата публикации: 2015-01-03.

Nickel based thermal spray powder and coating, and method for making the same

Номер патента: CN104988447A. Автор: G·A·克鲁普尼克. Владелец: Crucible Intellectual Property LLC. Дата публикации: 2015-10-21.

Providing sensory stimulations via photoacoustic, piezo-based, thermal, and/or electrical effects

Номер патента: WO2018209118A3. Автор: Emad Boctor,Peter Gehlbach,James Spicer,Jeeun HANG,Maged HARRAZ. Владелец: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-20.

Tungsten-carbide-based spray powder, and a substrate with a tungsten-carbide-based thermally sprayed layer

Номер патента: EP2718475A1. Автор: Guido REISEL,Manfred Oechsle. Владелец: SULZER METCO WOKA GMBH. Дата публикации: 2014-04-16.

Heat-reflection-based thermal-insulation self-cleaning spraying machine for outer wall coating construction

Номер патента: CN216921220U. Автор: 王丽敏,林蓓蕾,黄起环,汤陈友,刘乃平. Владелец: Blooms Group Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

Composite, multi-layer, pre-fabricated building panel - of reinforced concrete base, thermal and acoustic insulating and concrete top

Номер патента: DE2409493A1. Автор: Otto Einhaeupl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-09-11.

Microwave-based thermal coupling chemical looping gasification method employing two sources, and device for same

Номер патента: WO2018209926A1. Автор: 陈志杰,余昭胜,马晓茜,代民权,廖艳芬,林延,范云龙,方诗雯,林有胜. Владелец: 华南理工大学. Дата публикации: 2018-11-22.

Refrigerant-based thermal energy storage and cooling system with enhanced heat exchange capability

Номер патента: CN101027525A. Автор: 拉马钱德兰·纳拉亚纳穆尔蒂,罗伯特·S.·希克斯. Владелец: Ice Energy Inc. Дата публикации: 2007-08-29.

Gypsum-based thermal insulation mortar used for pouring

Номер патента: CN105347766A. Автор: 王海军,李涛,钟华,刘元正,陈雪梅. Владелец: WEIFANG DELIN BUILDING MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

Fluidization calcium-based thermal-chemical high temperature energy storing/releasing system and working method thereof

Номер патента: CN105737658A. Автор: 龙新峰,唐永铨,廖珊珊,张丽桦,赖永鑫. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-07-06.

Thermoelectric-based thermal management system

Номер патента: KR102253247B1. Автор: 드미트리 코사코프스키,토드 로버트 반하트,알프레드 피고트. Владелец: 젠썸 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-05-17.

Nickel based thermal spray powder and coating, and method for making the same

Номер патента: WO2011094755A3. Автор: Gerald A. Croopnick. Владелец: Crucible Intellectual Property LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Red mud base thermal insulation material and its preparation method and application

Номер патента: CN110105083A. Автор: 李蕊,张以河,吕凤柱,王彤印. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2019-08-09.

Thermoelectric-based thermal management of electrical devices

Номер патента: US8722222B2. Автор: Dmitri Kossakovski,Alfred Piggott,Todd Robert Barnhart. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Alumina-based thermally conductive oxide and method for producing the same

Номер патента: JPWO2017047452A1. Автор: 西尾　章,章 西尾,博哉 鬼塚,健一 山根,山根　健一,尚嗣 山村,慎吾 冨永. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Shape memory material based thermal coupler/decoupler and method

Номер патента: US10267578B2. Автор: Adam C. Wood,Charles J. Bersbach. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-04-23.

Organic based thermal stabilizers and heat stabilized polymer compositions

Номер патента: EP1342749A2. Автор: Tod Charles Duvall,Paul Brian Adams,Gene Kelly Norris. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2003-09-10.

Carbon nanotube based thermal gasket for space vehicles

Номер патента: US10281043B2. Автор: Edward Allen PIERSON,Edward Nathan Harris,Slade Havelock GARDNER. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Veneer tie and wall anchoring systems with in-cavity ceramic and ceramic-based thermal breaks

Номер патента: US9121169B2. Автор: Ronald P. Hohmann, Jr.. Владелец: Columbia Insurance Co. Дата публикации: 2015-09-01.

Thermoelectric-based thermal management system

Номер патента: WO2014120688A1. Автор: Dmitri Kossakovski,Alfred Piggott,Todd Robert Barnhart. Владелец: GENTHERM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-07.

Method for manufacturing silicon fibre-based thermal insulation material

Номер патента: CA2142738C. Автор: Vladimir Nikolaevich Gribkov,Ludmila Vassilievna Belunova,Andre Iossiphovich Chernyak,Galina Timotheivna Mizyurina,Oleg Alexeevich Mordovin,Elena Ephimovna Mukhanova. Владелец: All Russian Scientific Research Institute of Aviation Materials. Дата публикации: 2004-09-28.

artificial limb having ultrasonic-based thermal control

Номер патента: KR101988643B1. Автор: 배태수. Владелец: 중원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-06-12.

Systems and methods for phase change material based thermal assessment

Номер патента: US11031556B2. Автор: Chien-Mao Chen,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Polyurethane based thermal interface material

Номер патента: EP3947500A1. Автор: Sergio Grunder,Andreas Lütz,Nina HILLESHEIM,Filippo Ardizzone. Владелец: DDP Specialty Electronic Materials US LLC. Дата публикации: 2022-02-09.

Reflection-type Water-based thermal insulation coating and preparation method thereof

Номер патента: CN109082181A. Автор: 龙杰,蒋崇文,朱俊东,宋曲之,王偶和. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-25.

MICROFILAMENT-BASED THERMAL-ADHESIVE COVER

Номер патента: FR2637163A1. Автор: Robert Bolliand,Dominique Loubinoux,Gerard Lamure. Владелец: Institut Textile de France. Дата публикации: 1990-04-06.

Thermoelectric-based thermal management system

Номер патента: KR20200060549A. Автор: 드미트리 코사코프스키,토드 로버트 반하트,알프레드 피고트. Владелец: 젠썸 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-05-29.

Software based thermal charging regulation loop

Номер патента: US20080054853A1. Автор: Douglas D. Lopata. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-03-06.

Polyphenyl particle-aerogel composite cement-based thermal insulation material

Номер патента: CN113698151A. Автор: 李志斌,蒋宗浩,蒋宗琴,蒋字平,尚贤军. Владелец: Anhui Tianjinyun Energy Saving And Waterproof Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-26.

Alkyl-bridged tin-based thermal stabilizers for halogenated resins and synthesis and uses therof

Номер патента: WO2021173697A1. Автор: Gene Kelly Norris,Kevin John ROSS. Владелец: PMC ORGANOMETALLIX, INC.. Дата публикации: 2021-09-02.

Polyester based thermally adhesive composite short fiber and process for producing the same

Номер патента: KR100510156B1. Автор: 다시로미끼오,고다히로노리. Владелец: 데이진 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-08-25.

Sand-based thermal support

Номер патента: KR101841674B1. Автор: 황선일. Владелец: 주식회사 두울온돌침대. Дата публикации: 2018-03-23.

Metal nanowire based thermal interface materials

Номер патента: US10971423B2. Автор: Sheng Shen,Wei Gong,Pengfei Li. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-04-06.

polycarbonate-based thermal conductivity and ductility enhanced polymer compositions

Номер патента: KR20200078680A. Автор: 시지에 송,야친 짱,밍청 꾸오,위빈 바오,나롱 안. Владелец: 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.. Дата публикации: 2020-07-01.

Waste plastic-based thermal cracking feed and method for upgrading the same

Номер патента: WO2023099054A1. Автор: John Jamieson,Antti Ojala,Ville PAASIKALLIO,Valeria MORELIUS. Владелец: Neste Oyj. Дата публикации: 2023-06-08.

SILICA-BASED THERMAL AND / OR ACOUSTIC INSULATION MATERIALS AND METHODS FOR OBTAINING SAME

Номер патента: FR2856680B1. Автор: Julien Hernandez,Catherine Enjalbert. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2005-09-09.

Method for manufacturing a graphene based thermally conductive film

Номер патента: WO2018160106A1. Автор: Nan Wang,Johan Liu. Владелец: Sht Grafilm Ab. Дата публикации: 2018-09-07.

A kind of Water-based thermal insulation coating

Номер патента: CN109575724A. Автор: 马驰. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-05.

Azlactone based thermally crosslinkable polymer coating for controlling cell behavior

Номер патента: US20170335130A1. Автор: William L. Murphy,Padma Gopalan,Samantha Kelly Schmitt. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-23.

Azlactone based thermally crosslinkable polymer coating for controlling cell behavior

Номер патента: US20200190353A1. Автор: William L. Murphy,Padma Gopalan,Samantha Kelly Schmitt. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-06-18.

Azlactone based thermally crosslinkable polymer coating for controlling cell behavior

Номер патента: US10557054B2. Автор: William L. Murphy,Padma Gopalan,Samantha Kelly Schmitt. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-02-11.

METHOD OF MAKING HETEROGENEOUS p-n JUNCTION BASED ON ZINC OXIDE NANORODS

Номер патента: RU2396634C2. Автор: Андрей Николаевич Баранов,Олег Викторович Кононенко,Геннадий Николаевич Панин,Аркадий Николаевич Редькин,Тае-Вон Канг. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2010-08-10.

VANADIUM-BASED METHOD OF PROTECTING SURFACE OF p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2534438C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PROTECTING BERYLLIUM OXIDE-BASED p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2524142C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

High-voltage planar p-n junction

Номер патента: RU2019894C1. Автор: А.И. Гордеев,В.О. Насейкин,А.Ф. Королев,Н.М. Сандина,В.А. Куц,Е.Е. Андреева. Владелец: Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра". Дата публикации: 1994-09-15.

ALUMINIUM-BASED METHOD OF PROTECTING CRYSTAL SURFACE OF p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2534390C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Non-insulated gate field effect transistor with light emitting p-n junction and a change in drain-source resistance due to the photosensitivity of the semiconductor

Номер патента: RU2014149006A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тамила Арслановна Рагимова,Патимат Арсланалиевна Магомедова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-06-27.

Method for preparing cubic boron nitride monocrystal-diamond film hetru P-N junction

Номер патента: CN1206931A. Автор: 邹广田,王成新,高春晓,张铁臣,季艳菊. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 1999-02-03.

P-N junction surface diode structure of metal oxide semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102157568A. Автор: 陈美玲,赵国梁,郭鸿鑫. Владелец: BVI BRITISH VIRGIN ISLANDS ENERGY SAVING PARTS Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Method for preparing ZnO nano granule film / nanorod p-n junction array

Номер патента: CN101746716A. Автор: 杜学丽,袁志好,马男. Владелец: Tianjin University of Technology. Дата публикации: 2010-06-23.

Preparation method of ZnO nano homogeneous p-n junction array

Номер патента: CN102260907B. Автор: 叶志镇,吕建国,杨晓朋. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2013-03-13.

A kind of p n junction type ZnO CoTiO3The preparation method of room temperature air-sensitive film

Номер патента: CN104020193B. Автор: 黄剑锋,曹丽云,张亚宾,郭荣,卢靖,郭根根. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-28.

Method for synthesizing Si/IIB-VIB group semiconductor nano p-n junction with one-step method

Номер патента: CN102176410B. Автор: 王莉,彭强,卢敏,于永强,揭建胜,吴春艳,任勇斌. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2013-01-09.

P-N junction 4pi light emitting high-voltage light emitting diode (LED) and LED lamp bulb

Номер патента: CN102109115B. Автор: 葛世潮. Владелец: ZHEJIANG LEDISON OPTOELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Compound for protection of surfaces of p-n junctions of silicon high-voltage columns

Номер патента: RU1664083C. Автор: А.В. Киселев,Т.М. Михалева,А.М. Лопаткина,Н.С. Скворцова,С.А. Фаустова,В.И. Ярузов. Владелец: Производственное объединение "Изотоп". Дата публикации: 1995-01-27.

METHOD OF PROTECTING SURFACE OF p-n JUNCTION CHIPS

Номер патента: RU2524147C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Ильдар Азатович Габитов,Бийке Алиевна Шангереева,Таджидин Экберович Саркаров. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

LED (light-emitting diode) bulb formed by P-N junction 4 pai light extraction high-voltage LED

Номер патента: CN201944605U. Автор: 葛世潮. Владелец: 葛世潮. Дата публикации: 2011-08-24.

Method for forming P-N junction on jigsaw diamond substrate

Номер патента: CN101785980A. Автор: 宋健民. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-28.

STRUCTURE OF HETEROGENEOUS p-n JUNCTION BASED ON ZINC OXIDE NANOBARS AND SEMICONDUCTOR FILM

Номер патента: RU2323872C1. Автор: Андрей Николаевич Баранов,Олег Викторович Кононенко,Геннадий Николаевич Панин,Аркадий Николаевич Редькин,Тае-Вон Канг. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2008-05-10.

P-N junction diode structure of metal oxide semiconductor and method for producing the same

Номер патента: CN101510528B. Автор: 赵国梁,郭鸿鑫,苏子川. Владелец: BVI BRITISH VIRGIN ISLANDS ENERGY SAVING PARTS Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-28.

Channel MOS P-N junction Schottky diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101699616A. Автор: 陈美玲,赵国梁,郭鸿鑫,苏子川. Владелец: BVI BRITISH VIRGIN ISLANDS ENERGY SAVING PARTS Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-28.

Method for preparing ZnO nanostructure photocatalytic film with p-n junction

Номер патента: CN100376712C. Автор: 李颖,王波,张铭,汪浩,宋雪梅,朱满康,王如志,严辉,候育冬. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-03-26.

Method for manufacturing p-n-junctions on crystals of indium antimonide having n-type conductance

Номер патента: RU2056671C1. Автор: В.В. Карпов,И.М. Ермакова,А.Б. Коршунов,А.С. Овчинников,И.В. Постников,В.П. Астахов,В.Е. Барбой,Ю.Д. Мозжорин,В.Ф. Пасеков,Ю.И. Бузуев. Владелец: Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион". Дата публикации: 1996-03-20.

Guard junctions for p-n junction semiconductor devices

Номер патента: CA816933A. Автор: C. Kao Yu,D. Wolley Elden. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-07-01.

PLANAR p-n JUNCTION PROCESS METHOD BASED ON HIGH-RESISTIVITY p-TYPE SILICON

Номер патента: RU2349985C1. Автор: Владимир Владимирович Карпов,Владимир Петрович Астахов,Павел Дмитриевич Гиндин,Виктор Петрович Ежов,Геннадий Михайлович Лихачев,Константин Викторович Сорокин. Владелец: Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР". Дата публикации: 2009-03-20.

Polymer composite p-n junction and method for manufacturing the same and polymer composite diode adopting the same

Номер патента: TWI350602B. Автор: Shou-Shan Fan,Chang-Hong Liu. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Production of p.n. junctions in semi-conductor material

Номер патента: CA618558A. Автор: Hyman Harold,G. Ayling Stanley. Владелец: Siemens Edison Swan Ltd. Дата публикации: 1961-04-18.

Electroluminescent p-n junction device and preparation thereof

Номер патента: CA858118A. Автор: A. Logan Ralph,G. White Harry. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1970-12-08.

Electroluminescent p-n junction device and preparation thereof

Номер патента: AU3055367A. Автор: ANDRE LOGAN and HARRY GREGORY WHITE RALPH. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-06-05.

Optical computer comprising semiconductor p-n junction components

Номер патента: CA839439A. Автор: Newman Roger. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1970-04-14.

Polymer composite P-N junction and method for manufacturing the same and polymer composite diode adopting the same

Номер патента: TW200820471A. Автор: Shou-Shan Fan,Chang-Hong Liu. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU2202653A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-10.

Method of unifying semiconductor p-n junctions of electronic thermometer measuring probes

Номер патента: PL271356A1. Автор: Adam Skiba,Waclaw Pietrenko,Eugeniusz Goc. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1989-10-02.

P-n junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof

Номер патента: TW200305295A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for measurement of mean temperature by means of p-n junctions

Номер патента: PL110819B2. Автор: Jacek Zebrowski. Владелец: POLITECHNIKA LÓDZKA. Дата публикации: 1980-08-30.

Method of unifying p-n junctions of an electronic thermometer and circuit therefor

Номер патента: PL274543A1. Автор: Andrzej Bachmaczuk,Waclaw Pietrenko,Eugeniusz Goc,Zenon Kolkowski,Jerzy Misztal. Владелец: Spoldzielnia Pracy Serwisu Urz. Дата публикации: 1990-03-19.

Method of semiconductor device's p-n junction

Номер патента: CS743488A1. Автор: Jaroslav Rndr Zamastil,Jaroslav Prof Ing Drs Kralicek,Bohumil Doc Ing Csc Bednar,Jiri Ing Pliva,Pavel Ing Pojman,Jan Ing Makovicka,Miroslav Ing Marek,Petr Ing Sysel,Jana Ing Knaislova,Monika Ing Cetkovska. Владелец: Monika Ing Cetkovska. Дата публикации: 1990-03-14.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: TW434875B. Автор: Min Zhu,Kai Shao,Shao-Fu Sauforu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of semiconductor device's p-n junction

Номер патента: CS271925B1. Автор: Jaroslav Rndr Zamastil,Jaroslav Prof Ing Drs Kralicek,Bohumil Doc Ing Csc Bednar,Jiri Ing Pliva,Pavel Ing Pojman,Jan Ing Makovicka,Miroslav Ing Marek,Petr Ing Sysel,Jana Ing Knaislova,Monika Ing Cetkovska. Владелец: Monika Ing Cetkovska. Дата публикации: 1990-12-13.

Process of manufacture of planar p+ - n junctions on inas crystals of n-type conductivity

Номер патента: RU2045107C1. Автор: В.Н. Давыдов,И.И. Таубкин,Ю.А. Данилов,В.П. Астахов,В.П. Лесников,В.Ф. Дудкин,Г.Ю. Сидорова,А.С. Трохин. Владелец: Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион". Дата публикации: 1995-09-27.

Improvements in or relating to methods of forming P-N junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU2236253A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-24.

P-N junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof

Номер патента: TWI257713B. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for producing a p-n-junction in a monocrystalline semiconductor arrangement

Номер патента: CA742380A. Автор: Wiesner Richard. Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1966-09-06.

LOW GATE CHARGING RECTIFIER HAVING MOS STRUCTURE AND P-N JUNCTION, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120007152A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

Single P-N Junction Tandem Photovoltaic Device

Номер патента: US20120031491A1. Автор: Walukiewicz Wladyslaw,Ager,III Joel W.,Yu Kin Man. Владелец: RoseStreet Labs Energy, LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

AMORPHOUS BORON CARBIDE FILMS FOR P-N JUNCTIONS AND METHOD FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20120037904A1. Автор: . Владелец: NORTH DAKOTA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-02-16.

TRENCH ISOLATION MOS P-N JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120049287A1. Автор: . Владелец: PFC DEVICE CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

Producing a perfect P-N junction

Номер патента: US20120068269A1. Автор: LIN Wen. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Fast Recovery Reduced P-N Junction Rectifier

Номер патента: US20120104456A1. Автор: Yu Ho-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

STACKED STRUCTURE INCLUDING VERTICALLY GROWN SEMICONDUCTOR, P-N JUNCTION DEVICE INCLUDING THE STACKED STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120222732A1. Автор: CHOI Jun-Hee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD OF FORMING P-N JUNCTION IN SOLAR CELL SUBSTRATE

Номер патента: US20120270359A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

Mixed Schottky/P-N Junction Diode and Method of Making

Номер патента: US20120292733A1. Автор: . Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-22.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING DOPED ZONES FORMING P-N JUNCTIONS

Номер патента: US20130026611A1. Автор: Kellener Olivier Philippe,Dubois Gérard,Kanoun Mehdi Mohamed,McArdle Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMATION OF P-N JUNCTIONS IN GALLIUM NITRIDE BASED ELECTRONICS

Номер патента: US20130032814A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Raj Mahdan. Владелец: EPOWERSOFT, INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of determination of life-time of monitory carriers in p-n-junction semiconductor devices

Номер патента: SU1092436A1. Автор: Сергей Владимирович Коротков,Игорь Анатольевич Карапатницкий,Владимир Вячеславович Бунегин. Владелец: Институт Физики Высоких Энергий Ан Казсср. Дата публикации: 1984-05-15.

Method of measuring lifespan of minority carrier in semiconductor p-n junctions

Номер патента: SU951198A1. Автор: Андрей Романович Ромейков,Наталия Алексеевна Семушкина. Владелец: Военный Инженерный Краснознаменный Институт Им.А.Ф.Можайского. Дата публикации: 1982-08-15.

Cubic boron nitride P-n junction light emitting device

Номер патента: JPH079998B2. Автор: 順三 田中,修 三島,皓 江良,信夫 山岡. Владелец: 科学技術庁無機材質研究所長. Дата публикации: 1995-02-01.

Device for simulating barrier capacitance of p-n junction

Номер патента: SU1104545A1. Автор: Виктор Васильевич Денисенко. Владелец: Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова. Дата публикации: 1984-07-23.

Process for measuring thermal spike of p-n junction

Номер патента: SU1049755A1. Автор: Велло Рудольфович Мяннама,Алдур Эдуард-Иоханнесович Ярвальт. Владелец: Таллинский Политехнический Институт. Дата публикации: 1983-10-23.

Compound protecting p-n junctions

Номер патента: RU2101802C1. Автор: Л.Г. Царева,С.А. Носухин,М.Ф. Лебединская. Владелец: Царева Людмила Георгиевна. Дата публикации: 1998-01-10.

Method of producing p-n-junctions

Номер патента: SU555761A1. Автор: К.Д. Товстюк,Г.В. Пляцко,В.Б. Орлецкий,С.Г. Кияк. Владелец: Львовский Филиал Математической Физики Институтаматематики. Дата публикации: 1981-04-23.

Device for measuring resistance and capacitance of two-pole networks at shunting of semiconductor element p-n- junction

Номер патента: SU779911A1. Автор: Валерий Терентьевич Шпилевой,Виталий Константинович Задорожный,Борис Яковлевич Лихтцинтер. Владелец: Винницкий Завод Радиотехнической Аппаратуры. Дата публикации: 1980-11-15.

P-n junction unidirectional conductance demonstration device

Номер патента: SU1762317A1. Автор: Дмитрий Семенович Кройтор,Екатерина Дмитриевна Кройтор. Владелец: Кишиневский Государственный Медицинский Институт Им.Н.А.Тестемицану. Дата публикации: 1992-09-15.

Device for measuring p-n junction breakthrough voltage

Номер патента: SU654917A1. Автор: Виктор Михайлович Иванов,Виктор Михайлович Погодин. Владелец: Предприятие П/Я А-1298. Дата публикации: 1979-03-30.

Device for measuring temperature of p - n-junction of bipolar transistors

Номер патента: SU1335820A1. Автор: Анатолий Маркович Лихницкий,Александр Викторович Сухоручкин. Владелец: Государственный Союзный Научно-Исследовательский Институт Радиовещательного Приема И Акустикиим.А.С.Попова. Дата публикации: 1987-09-07.

Device for measuring and registering avalanche break-down voltage in p-n junctions

Номер патента: SU951199A1. Автор: Николай Владимирович Шиянов,Алексей Александрович Романенко. Владелец: Предприятие П/Я А-3603. Дата публикации: 1982-08-15.

Method of creating p-n junction in complex semiconductors

Номер патента: SU550061A1. Автор: Л.С. Смирнов,А.А. Гаврилов,Г.А. Качурин,Н.Б. Придачин. Владелец: Институт Физики Полупроводников Ан Ссср Со. Дата публикации: 1980-06-15.

Device for inspection of semiconductor p-n junctions

Номер патента: SU1490655A1. Автор: Владимир Ильич Турченков. Владелец: В.И.Турченков. Дата публикации: 1989-06-30.

Composition for protecting p-n junctions of high-voltage semiconductor device

Номер патента: SU1708097A1. Автор: В.Д. Лобков,Л.А. Митрофанов,Н.Е. Шубин,О.В. Неелова,Ю.П. Сергиенко,Г.О. Дудуева,В.М. Сальников,Н.В. Кальнова. Владелец: Научно-исследовательский институт электронных материалов. Дата публикации: 1996-12-27.

Method of monitoring charge stability of dielectric-semiconductor structures with surface-adjoining p-n-junction

Номер патента: SU1345823A1. Автор: Е.З. Рыскин. Владелец: Предприятие П/Я А-1589. Дата публикации: 1991-07-30.

Device for measuring characteristics of emitting p-n junction

Номер патента: SU890845A1. Автор: М.Н. Заргарьянц,П.В. Дерновский. Владелец: Предприятие П/Я А-3726. Дата публикации: 1987-04-15.

Test method for p-n junction immunity to impulsive electrical overloads

Номер патента: SU1666990A1. Автор: Сергей Михайлович Головизнин,Станислав Николаевич Деменин,Олег Иванович Казанцев,Игорь Александрович Радзиевский. Владелец: Предприятие П/Я Х-5737. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of stabilizing p-n junction

Номер патента: SU633389A1. Автор: В.Н. Глущенко,А.Н. Косенко,А.С. Лапунин,В.Г. Плохих. Владелец: В.Н. Глущенко. Дата публикации: 1994-02-28.

Method of reading signals from p-n junction semiconductor photoreceiver

Номер патента: SU579654A1. Автор: Геннадий Сергеевич Рычков,Евгений Борисович Володин,Александр Викторович Ольховский. Владелец: Предприятие П/Я А-1631. Дата публикации: 1977-11-05.

Device for checking characteristics of semiconductor instrument p-n junctions

Номер патента: SU1105835A1. Автор: Виктор Васильевич Еремин,Дмитрий Аркадьевич Ячук,Анатолий Николаевич Мельников,Александр Васильевич Колибаба. Владелец: Предприятие П/Я А-3759. Дата публикации: 1984-07-30.

Device for measuring barrier capacities of transistor p-n junction

Номер патента: SU915027A1. Автор: Nikolaj A Filinyuk. Владелец: Vinnitsky Politekhn Inst. Дата публикации: 1982-03-23.

Method of switching on of field-effect transistor with controlling p-n junction

Номер патента: RU2046455C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Александр Антонович Володкевич,Дмитрий Евгеньевич Просандеев. Владелец: Минский научно-исследовательский приборостроительный институт. Дата публикации: 1995-10-20.

Semiconductor device including p-n junction

Номер патента: JPH1126780A. Автор: Takashi Suzuki,Toshio Murata,隆司 鈴木,勉 上杉,年生 村田,Tsutomu Uesugi,佐智子 河路,Sachiko Kawaji. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1999-01-29.

Field-effect transistor with control p-n junction

Номер патента: SU1828340A1. Автор: И.Л. Мац. Владелец: Минский научно-исследовательский приборостроительный институт. Дата публикации: 1996-07-27.

Method of determining p-n junction depth

Номер патента: SU457424A1. Автор: Л.В. Ковалева,А.П. Ландсман,Т.М. Головнер,Е.В. Жидкова. Владелец: Предприятие П/Я В-2763. Дата публикации: 1979-02-28.

Arrangements for determining parameters of p-n junctions

Номер патента: SU616597A1. Автор: Василий Никифорович Терехин,Игорь Анатольевич Карапатницкий,Иван Иванович Уваров. Владелец: Казахский Политехнический Институт Имени В.И.Ленина. Дата публикации: 1978-07-25.

Process of manufacture of crystal with diffusion p - n junction

Номер патента: RU2008746C1. Автор: А.А. Каплан,И.Р. Альтман,О.М. Шмиткин,Д.Л. Лившиц,А.М. Кандов. Владелец: Производственное объединение "Фотон". Дата публикации: 1994-02-28.

Process of chemical separation of silicon plates with deeply deposited p - n junction into individual crystals

Номер патента: RU2008744C1. Автор: Р.А. Церфас,В.П. Головнин,Н.Т. Джуманова,Г.Ю. Деневич. Владелец: Производственное объединение "Фотон". Дата публикации: 1994-02-28.

Methods of forming p-n junctions in semiconductors

Номер патента: CA620369A. Автор: S. Miller James,Reeves John,G. James Emrys. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1961-05-16.

Structure and method of reducing transverse diffusion width of p-n junction isolation diffusion

Номер патента: CN102244093B. Автор: 王成森,黎重林. Владелец: JIANGSU JIEJIE MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

P-n junction device and method of making the same

Номер патента: CA882389A. Автор: Shiraishi Tadashi. Владелец: Tadashi Shiraishi. Дата публикации: 1971-09-28.

TITANIUM OXIDE-BASED METHOD OF PROTECTING p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2534425C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Суйкум Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Structure of integrated circuit with built-in inductor, and using P-N junction to block the parasitic current

Номер патента: TW200428640A. Автор: David Lin,Jung Kao. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making the same

Номер патента: AU204198B2. Автор: Noel Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-03-14.

Method of making p-n junction devices

Номер патента: AU163891B2. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1953-12-17.

Method of making p-n junctions

Номер патента: CA774284A. Автор: BECK Alexander. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 1967-12-19.

Process and apparatus for the surface treatment of semi - conductor elements comprising a plurality of electrodes and at least one p - n junction

Номер патента: AU239042B2. Автор: Emrys Reimer. Владелец: . Дата публикации: 1969-12-31.

P-n junction and method

Номер патента: CA676244A. Автор: Goetzberger Adolf. Владелец: Clevite Corp. Дата публикации: 1963-12-17.

Method of making p-n junction semiconductor units

Номер патента: CA547565A. Автор: C. English Albert,B. Seabrook John. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-10-15.

Semiconductor p-n junction units and method of making the same

Номер патента: CA537155A. Автор: E. Burch William. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-02-12.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU2050553A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-10-08.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU1699256A. Автор: Noel Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-09-27.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU166231B2. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-10-08.

Improvements in or relating to semiconductor p-n junction units and method of making thesame

Номер патента: AU215029B2. Автор: Noel Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-09-27.

Electrolysis plate having P-N junction cell

Номер патента: TW201006963A. Автор: Qiu-Li Zhuang. Владелец: Zeng Cai Wang. Дата публикации: 2010-02-16.

Electroluminescent p-n junction device and preparation thereof

Номер патента: AU409953B2. Автор: ANDRE LOGAN and HARRY GREGORY WHITE RALPH. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-06-05.

Fabrication of semiconductor devices having a p-n junction

Номер патента: CA717683A. Автор: T. Handelman Eileen. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1965-09-07.

A p-n junction semiconductor device

Номер патента: IE27214L. Автор: . Владелец: Standard Telephones Cables Ltd. Дата публикации: 1964-08-15.

Method of making p-n junction devices

Номер патента: AU2217453A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1953-12-17.

Contacting of p-n junctions

Номер патента: CA782734A. Автор: Pritchard Colin,C. Della Pergola Gian. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1968-04-09.

Technique for making contacts and p-n junctions

Номер патента: CA754783A. Автор: A. Zeitman Samuel,C. Della Gian. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-03-14.

Method and apparatus for surface treatment of p-n junction semiconductors

Номер патента: CA645920A. Автор: Emeis Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1962-07-31.

Process and apparatus forthe surface treatment of semiconductor elements with several electrodes and atleast one p-n junction

Номер патента: AU4957659A. Автор: Emrys Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-12-10.

Process and apparatus forthe surface treatment of semiconductor elements with several electrodes and atleast one p-n junction

Номер патента: AU234912B2. Автор: Emrys Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-12-10.

Methods of forming p-n junctions in crystalline semi-conducting materials

Номер патента: CA532740A. Автор: G. James Emrys. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1956-11-06.

P-n junction device and method of making the same (local fusion)

Номер патента: CA596805A. Автор: N. Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1960-04-26.

Method of making p-n junction semiconductor unit

Номер патента: CA574892A. Автор: W. Moyer James. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1959-04-28.

Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU167408B2. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-10.

Improvements in or relating to methods of forming P-N junctions in crystalline semiconducting materials

Номер патента: AU167234B2. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-12-24.

Method of producing multiple p-n junctions

Номер патента: CA551415A. Автор: E. Davis Robert. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1958-01-07.

P-n junction transistor

Номер патента: CA533072A. Автор: N. Hall Robert. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-11-13.

Apparatus and method of controlling radiation flux when conducting ground-based thermal-vacuum tests on spacecraft

Номер патента: RU2449263C1. Автор: Владимир Александрович Корнилов. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2012-04-27.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Method of producing graphite-based thermally expanding compound

Номер патента: RU2419586C1. Автор: Владимир Ильич Мазин,Евгений Владимирович Мазин. Владелец: Владимир Ильич Мазин. Дата публикации: 2011-05-27.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND THERMAL DETECTOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120161003A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND THERMAL DETECTOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120161004A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND THERMAL DETECTOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120161005A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND THERMAL DETECTOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120161006A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND THERMAL DETECTOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120163410A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

Thermal detector

Номер патента: CA53190S. Автор: . Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 1984-08-06.

Thermal detector

Номер патента: CA53189S. Автор: . Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 1984-08-06.

Polyester based thermally adhesive composite short fiber

Номер патента: AU2002239002A1. Автор: Hironori Goda,Mikio Tashiro. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2002-10-21.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, AND ELECTRONIC INSTRUMENT

Номер патента: US20120018635A1. Автор: . Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

ELECTRONIC CIRCUIT FOR BIASING AND READING A RESISTIVE THERMAL DETECTOR

Номер патента: US20120132805A1. Автор: Tchagaspanian Michäel,Chammings Gilles,Repellin Gaëlle. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2012-05-31.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, AND ELECTRONIC INSTRUMENT

Номер патента: US20120211858A1. Автор: TSUCHIYA Yasushi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

INFRARED THERMAL DETECTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130087707A1. Автор: Shin Chang-gyun,PARK Hae-seok,NAM Sung-hyun,KIM Jung-woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

Universal-Voltage Self-Heating Thermal Detector

Номер патента: US20130134882A1. Автор: Nuhfer Matthew W.,Shearer Thomas M.. Владелец: LUTRON ELECTRONICS CO., INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

Thermal detector

Номер патента: SU853430A1. Автор: Анатолий Викторович Павлов. Владелец: Предприятие П/Я М-5539. Дата публикации: 1981-08-07.

Photo-thermal detector convenient to location installation

Номер патента: CN213902641U. Автор: 吴学数. Владелец: 吴学数. Дата публикации: 2021-08-06.

THERMAL DETECTOR

Номер патента: SU423037A1. Автор: . Владелец: А. А. Балаухин, Б. Г. Второв, В. В. Шевченко , С. Юрченко. Дата публикации: 1974-04-05.

Fibre-optic thermal detector

Номер патента: RU2441205C1. Автор: Николай Николаевич Ситников,Александр Александрович Корнеев,Александр Васильевич Шеляков,Алексей Павлович Менушенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-01-27.

A kind of mobile telephone external formula intelligent industrial thermal detector

Номер патента: CN204255504U. Автор: 罗国栋. Владелец: DONGGUAN XINTEST APPARATUS AND INSTRUMENT Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Thermal detector

Номер патента: JPH0672821B2. Автор: 克己 石井,章男 田島. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-14.

Thermal detector

Номер патента: JPH0672813B2. Автор: 克己 石井,章男 田島. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-14.

A kind of optics thermal detector that the polarization direction for linearly polarized light detects

Номер патента: CN208399013U. Автор: 不公告发明人. Владелец: Zhongshan Technology Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

A kind of remote-wireless thermal detector and wireless temperature measurement system for being used for vertical silo and silo

Номер патента: CN207280604U. Автор: 韩志强,万安平. Владелец: Guangzhou Guwu Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2018-04-27.

THERMAL DETECTOR, THERMAL DETECTION DEVICE, AND ELECTRONIC INSTRUMENT

Номер патента: US20120213245A1. Автор: NODA Takafumi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

Thermal detector

Номер патента: USD377321S. Автор: Toshikazu Tomizawa. Владелец: Hochiki Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT SYSTEMS

Номер патента: US20120285758A1. Автор: Bell Lon E.,LaGrandeur John,Davis Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

NICKEL BASED THERMAL SPRAY POWDER AND COATING, AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130004786A1. Автор: Croopnick Gerald A.,Croopnick Marcella Wilson. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

GAMING MACHINE WITH ZONE-BASED THERMAL MANAGEMENT SYSTEM

Номер патента: US20130012311A1. Автор: . Владелец: WMS Gaming Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

RFID BASED THERMAL BUBBLE TYPE ACCELEROMETER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130034925A1. Автор: LIN Jium Ming. Владелец: CHUNG HUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-02-07.

IRON-CHROMIUM-MOLYBDENUM-BASED THERMAL SPRAY POWDER AND METHOD OF MAKING OF THE SAME

Номер патента: US20130052361A1. Автор: Croopnick Gerald A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

THERMOELECTRIC-BASED THERMAL MANAGEMENT OF ELECTRICAL DEVICES

Номер патента: US20130059190A1. Автор: Kossakovski Dmitri,Barnhart Todd Robert,Piggott Alfred. Владелец: AMERIGON, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

System and method for proximity based thermal management of mobile device

Номер патента: US20130090888A1. Автор: Burrell James D.,Good Gary D.,Anderson Jon J.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-04-11.

SMALL AREA HIGH PERFORMANCE CELL-BASED THERMAL DIODE

Номер патента: US20130195142A1. Автор: HUANG Jui-Cheng,Peng Yung-Chow,CHANG Ching-Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-08-01.

Main steam pressure change-based thermal power generating unit load control method

Номер патента: CN102748080B. Автор: 李军. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Shandong Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-10.

Phosphogypsum-based thermal insulating mortar containing vitrified micro-beads

Номер патента: CN104163613A. Автор: 王伟,杨步雷,李泽钢,向前勇,胡新菊. Владелец: GUIZHOU KAILIN PHOSPHOGYPSUM UTILIZATION Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

Mixed base thermal transfer ink ribbon coated by hot melting and production method thereof

Номер патента: CN101850671B. Автор: 丁立新,潘浦敦. Владелец: HANGZHOU TODAYTEC DIGITAL CO Ltd. Дата публикации: 2011-09-28.

Method for preparing vertical graphene-based thermal material

Номер патента: CN103553029B. Автор: 王浩敏,谢晓明,王玲,张燕,刘建影. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2015-07-01.

Iron-based thermal spray coating

Номер патента: JP5455149B2. Автор: 孝浩 浜田. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

A kind of ardealite base thermal insulation mortar that contains glass bead

Номер патента: CN104163613B. Автор: 王伟,杨步雷,李泽钢,向前勇,胡新菊. Владелец: GUIZHOU KAILIN PHOSPHOGYPSUM UTILIZATION Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Gold-gold bonding process-based thermal type wind speed and direction sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN102072967B. Автор: 秦明,黄庆安,董自强. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Alloy pole for cobalt antimonides-based thermal electrical part and part making method

Номер патента: CN101101955A. Автор: 赵德刚,陈立东,周燕飞,李小亚,柏胜强,夏绪贵,赵雪盈. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2008-01-09.

High wear-resisting iron-base thermal spraying coating material and preparation method thereof

Номер патента: CN104831208A. Автор: 刘芳,黄莉,黄世宇. Владелец: Suzhou Tong Ming Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

A kind of thermoplastic polymer based thermal conductive composite and preparation method thereof

Номер патента: CN102286207B. Автор: 张刚,杨杰,王孝军,龙盛如,陈建野. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2015-12-02.

MXene-based thermal interface material and preparation method thereof

Номер патента: CN115678283A. Автор: 孙蓉,许建斌,么依民,曾小亮,纪超,叶振强. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Electronic Materials. Дата публикации: 2023-02-03.

HFC-245fa ternary foaming agent-based thermal insulation material and filling technology

Номер патента: CN105273217A. Автор: 钟鸣,郭晓波,刘仙山,杜灵辉,谢朝平,江信红. Владелец: Hangzhou Jinsong Euna Electrical Appliances Co ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Method for making phenothiazine-based thermal preparation for treatment of bees infested varroa ticks

Номер патента: SU1683604A1. Автор: Владимир Иванович Шинкарев. Владелец: Ставропольский сельскохозяйственный институт. Дата публикации: 1991-10-15.

Water-based thermal-insulation paint for cement encaustic tiles and roofs and preparation method thereof

Номер патента: CN102352160B. Автор: 王刚,吴佳林,黄日初. Владелец: Shanghai Institute of Materials. Дата публикации: 2013-08-14.

Water-based thermal insulating nano-coating and preparation method thereof

Номер патента: CN103709871A. Автор: 陈中华,黄淑芬. Владелец: GUANGZHOU JOINTAS CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Water-based thermal insulation finishing paint

Номер патента: CN104212328A. Автор: 徐妍玲. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-17.

Gold-gold bonding process-based thermal type wind speed and direction sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN102072967A. Автор: 秦明,黄庆安,董自强. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-05-25.

Rubber-based thermal insulation layer patching method

Номер патента: CN104960200A. Автор: 祝世杰,赵碧娟,宋铭,朱稼麟,李方朔,周乐意,崔瑞禧,何宜丰,宋考生,徐晋阳. Владелец: Hubei Sanjiang Aerospace Jianghe Chemical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Lithium-based thermal battery flexible forming system

Номер патента: CN102800873B. Автор: 蒋立,秦琴,鲍俊,高俊丽,刘唯,刘正国,黄江巍. Владелец: Shanghai Polytechnic University. Дата публикации: 2015-05-13.

Particle swarm optimization algorithm based thermal generator set primary frequency modulation parameter optimization method

Номер патента: CN105305468A. Автор: 陈文�,陶骞,崔一铂,游力,刘悦遐,凌在汛,成诚,陈念斌,刘曼佳. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Hubei Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-03.

Variable-focus laser heating-based thermal fatigue test bench

Номер патента: CN203203784U. Автор: 郭彩芬. Владелец: Suzhou Vocational University. Дата публикации: 2013-09-18.

PROCEDURE FOR PREPARING A HYDROXIAL ALKYL CARBAMATE BASED THERMAL SETTING COMPOSITION

Номер патента: ES549992A0. Автор: . Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1986-12-16.

Calcium silicate-base thermally spraying material

Номер патента: JPS6475657A. Автор: Masaru Shirasaka,Hiroshi Yamane. Владелец: Onoda Cement Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-22.

MRI(Magnetic Resonance Imaging)-based thermal therapeutic instrument achieving independently adjustable magnetic field intensity, resonance intensity and temperature

Номер патента: CN203447645U. Автор: 肖开华. Владелец: Guangzhou Longest Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

Process for manufacturing ultra-light cement-based thermal insulation waterproof board by cast-in-place method

Номер патента: CN102248575B. Автор: 张振秋,刘成健,葛仲熙. Владелец: TANGSHAN POLAR BEAR BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Graphene-based thermal conductive film preparing method

Номер патента: CN104986754A. Автор: 吕春祥,陈成猛,宋宁静,蔡榕. Владелец: Shanxi Institute of Coal Chemistry of CAS. Дата публикации: 2015-10-21.

TiC-based thermal spraying powder and preparation method thereof

Номер патента: CN115838888A. Автор: 张泽宇. Владелец: Luoyang Golden Egret Geotools Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Ni-Zn-O based thermal sensitive ceramic and its preparing method

Номер патента: CN1594200A. Автор: 王瑜,南策文,林元华,王建飞. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-03-16.

Mixed base thermal transfer ink ribbon coated by hot melting and production method thereof

Номер патента: CN101850671A. Автор: 丁立新,潘浦敦. Владелец: HANGZHOU TODAYTEC DIGITAL CO Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Oxide-based thermal insulation ceramic composite material and preparation method thereof

Номер патента: ZA202110075B. Автор: Mingyu Li,Xianli Wang,Dongxia Chen,Zhanjun Yu. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2022-03-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.