Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse
Номер патента: US20120225524A1
Опубликовано: 06-09-2012
Автор(ы): Chang-Chien Wong, Kuei-Sheng Wu, Yung-Chang Lin
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-09-2012
Автор(ы): Chang-Chien Wong, Kuei-Sheng Wu, Yung-Chang Lin
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements
Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.