Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1
Опубликовано: 03-10-2024
Автор(ы): Jong Ho Lee
Принадлежит: DB HiTek Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110018071A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100078737A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: WO2024054763A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190096992A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: US20240088237A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140339633A1. Автор: Anton Mauder,Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-20.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070111415A1. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228428A1. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Fabricating method of a high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070080398A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of fabricating high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7462532B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190115468A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN,Yu-Ting Yeh. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-04-18.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10622473B2. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN,Yu-Ting Yeh. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-04-14.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070128788A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7791137B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Filler cell region with centrally uncut gate segments, semiconductor device including same and method of manufacturing same

Номер патента: US20230260985A1. Автор: Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN,Fei Fan DUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130307071A1. Автор: Chih-Chung Wang,Ming-Tsung Lee,Te-Yuan Wu,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130221438A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chih-Wei Hsu,Ming-Tsung Lee,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang,Po-Ching Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

HIGH VOLTAGE DOUBLE-DIFFUSED MOS (DMOS) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20160093632A1. Автор: Chen Bomy,Daryanani Sonu. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190096992A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350903A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Device, Electronic Circuit and Method for Switching High Voltages

Номер патента: US20150042177A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135925A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135926A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10680059B2. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-06-09.

High-voltage metal-dielectric-semiconductor device and method of the same

Номер патента: US20140103433A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Wei-Li Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US8587056B2. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Ming-Cheng Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for fabricating high voltage drift in semiconductor device

Номер патента: TWI368279B. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Hitek Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for fabricating high voltage drift in semiconductor device

Номер патента: TW200901334A. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: Dongbu Hitek Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

High-voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9728616B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2014086479A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor devices with nanowires and methods for fabricating the same

Номер патента: US11967595B2. Автор: Sang Yong Kim,Sang Jin HYUN,Jae Jung Kim,Young Suk CHAI,Hoon Joo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

High voltage mosfet having Si/SiGe heterojunction structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060105528A1. Автор: Jong Dae Kim,Dae Woo Lee,Sung Ku Kwon,Young Kyun Cho,Tae Moon Roh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device, integrated circuit and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240213246A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, semiconductor circuit, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240213309A1. Автор: Atsushi Ito,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076590A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device, integrated circuit and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11948941B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US11769803B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305375A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor Device with Implant and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20210083056A1. Автор: NIEH Chun-Feng,CHANG Huicheng,Lin Yu-Chang,Chang Tien-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190131390A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180331211A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130221438A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chih-Wei Hsu,Ming-Tsung Lee,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang,Po-Ching Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130307071A1. Автор: Chih-Chung Wang,Ming-Tsung Lee,Te-Yuan Wu,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SILICIDES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210193808A1. Автор: SHIN Heonjong,JUNG Sunghun,LEE Doohyun,JUN HWICHAN,HWANG INCHAN,AHN Hakyoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-24.

High Voltage Double-Diffused MOS (DMOS) Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20150200198A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

High voltage double-diffused mos ( dmos) device and method of manufacture

Номер патента: WO2015108903A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

High voltage double-diffused mos ( dmos) device and method of manufacture

Номер патента: EP3095131A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-23.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118883A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118882A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240313120A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Hiroki Okuyama,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with stressors and methods thereof

Номер патента: WO2008147608A1. Автор: Paul A. Grudowski,Veeraraghavan Dhandapani,Stefan Zollner. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-12-04.

A semiconductor device for extracting a signal used to monitor potential of a high voltage island at a low voltage island and method of manufacturing the same

Номер патента: US5200638A. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Masanori Fukunaga,Kazumasa Satsuma,Takeshi Kida,Masao Yoshizawa,Tomohide Terashima,Gourab Majumdar. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-04-06.

Semiconductor device for extracting a signal used to monitor potential of a high voltage island at a low voltage island and method of manufacturing the same

Номер патента: US5258641A. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Masanori Fukunaga,Kazumasa Satsuma,Takeshi Kida,Masao Yoshizawa,Tomohide Terashima,Gourab Majumdar. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-11-02.

Semiconductor device including transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8937343B2. Автор: NaeIn Lee,Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-20.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20160099340A1. Автор: Ming-Shun Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and method of forming the same

Номер патента: US9443958B2. Автор: Ming-Shun Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of designing high-voltage transistors and semiconductor devices having the transistors

Номер патента: KR100732637B1. Автор: 김명수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-28.

Thin-film semiconductor device, display apparatus, and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130075745A1. Автор: Sadayoshi Hotta,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

HIGH-VOLTAGE METAL-DIELECTRIC-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140103433A1. Автор: LEE Ming-Cheng,Tsao Wei-Li. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2014-04-17.

High voltage metal-oxide semiconductor device

Номер патента: TW200503268A. Автор: Cheng-Fu Hsu,Tzu-Chiang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

HIGH-VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170077250A1. Автор: Chang Kai-Kuen,Hsiao Shih-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160268423A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE112013005770T5. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device having filler and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160190271A1. Автор: Young-Joon Park,Jung-Gun You,Ji-Yong HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074132B2. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with implant and method of manufacturing same

Номер патента: US12100738B2. Автор: Yu-Chang Lin,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Via structure connecting front side structure of semiconductor device to bspdn, and method of manufacturing the same using sacrificial via structure

Номер патента: US20230343839A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Eun Sung Kim,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

HIGH VOLTAGE DOUBLE-DIFFUSED MOS (DMOS) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20160099348A1. Автор: Chen Bomy,Daryanani Sonu. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of manufacturing high voltage transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100525911B1. Автор: 서을규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-11-02.

Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200111759A1. Автор: Carsten Von Koblinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240213335A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190115468A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Yeh Yu-Ting,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950034762A. Автор: 피터 메이 챠-쿠. Владелец: 윌리엄 이. 힐러. Дата публикации: 1995-12-28.

High Voltage Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR950034761A. Автор: 말히 새트윈더,피터 메이 챠-쿠. Владелец: 윌리엄 이. 힐러. Дата публикации: 1995-12-28.

Semiconductor device with implant and method of manufacturing same

Номер патента: US11670683B2. Автор: Yu-Chang Lin,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor Device with Implant and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20230261055A1. Автор: Yu-Chang Lin,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

High voltage dual gate cmos switching device and method

Номер патента: US20080180160A1. Автор: Andreas Augustin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-31.

HIGH VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Chen Kuan-Yu,Wang Chih-Chung,Chen Wei-Lin,Lee Chiu-Te,LIU TSENG-HSUN,Lee Chiu-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Sgt mosfet device and method for manufacturing contact holes thereof

Номер патента: EP4307366A1. Автор: Fei Peng,Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076590A1. Автор: Meyer Thorsten,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140264580A1. Автор: Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190348524A1. Автор: Kagawa Yasuhiro,Ebiike Yuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-11-14.

SOI structure semiconductor device with recess and method of manufacturing the same

Номер патента: JP4754176B2. Автор: 志永 金,珍俊 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-24.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN103972301B. Автор: A.迈泽尔,W.施维特利克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-11.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN103972301A. Автор: A.迈泽尔,W.施维特利克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: DE112021000620T5. Автор: Yuki Nakano,Yasunori Kutsuma. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

High Voltage Double-Diffused MOS (DMOS) Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20150200198A1. Автор: Chen Bomy,Daryanani Sonu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313116A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Environmentally robust passivation structures for high-voltage silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7598576B2. Автор: Allan Ward, III,Jason Patrick Henning. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-10-06.

Environmentally robust passivation structures for high-voltage silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: EP1972013A2. Автор: Jason Patrick Henning,Allan Ward Iii. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-09-24.

Separation gate power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386825A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140339633A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Multi-gate semiconductor device for memory and method for forming the same

Номер патента: US12075608B2. Автор: Huai-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON WAFER

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Oefner Helmut,CASPARY Nico. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STRESSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160358925A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Lee Jin-Wook,Lee Kwan-heum,KIM Do-hyoung,HA Seung-Mo,Bai Keun-Hee,KHANG Dong-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8049248B2. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

High Voltage Metal Oxide Semiconductor Device and Method for Making Same

Номер патента: US20110215403A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu,Hug-Der Su. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-09-08.

Horizontal high voltage MOSFET and semiconductor device having the same

Номер патента: JP4166010B2. Автор: 元 多田,俊 斉藤. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RC-IGBT, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180151711A1. Автор: Yamada Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices, semiconductor structures and methods for fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20230127579A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Chia-Chung Chen,Szu-Lin LIU,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

HIGH VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DEVICE AND LAYOUT PATTERN THEREOF

Номер патента: US20140159155A1. Автор: Wang Chih-Chung,Lee Wen-Fang,Hsu Chih-Wei,Lee Ming-Tsung,Yang Cheng-Hua,Chuang Po-Ching. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-06-12.

Guard ring mesa construction for low and high voltage npn and pnp transistors and diodes and method of making same

Номер патента: US3772577A. Автор: W Planey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1973-11-13.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Trench type power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230282713A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Three-dimensional semiconductor device having vertical channel extending through horizontal layer structure and method of fabricating same

Номер патента: US11387248B2. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor device, wafer assembly and methods of manufacturing wafer assemblies and semiconductor devices

Номер патента: US20130234297A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Ejiri Hirokazu. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180259820A1. Автор: Ueda Naoki,Katoh Sumio,OKADA KUNIAKI,UCHIDA SEIICHI. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220157767A1. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device, array substrate, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3598497B1. Автор: Rui Huang,Jianming SUN,Huili Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140084350A1. Автор: LEE Naein,Kim Dong Hyuk,Chung Hoi Sung,Shin Dongsuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON WAFER

Номер патента: US20170062568A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Oefner Helmut,CASPARY Nico. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON WAFER

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Oefner Helmut,CASPARY Nico. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device, power module and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210296308A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device with recess and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049869B2. Автор: Takashi Hashimoto,Shinichiro Abe,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

High voltage silicon carbide semiconductor device with bended edge

Номер патента: US5914499A. Автор: Willy Hermansson,Lennart Ramberg,Dag Sigurd. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1999-06-22.

Semiconductor device including graphene and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12027589B2. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Yunseong LEE,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20070007648A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chihwei Lin,Kuang-Chi Chao,Cheng-hsien Chiu. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240030359A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Hsuan-Ning Shih,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20070082428A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chihwei Lin,Kuang-Chi Chao,Cheng-hsien Chiu. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device comprising Graphene and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101718961B1. Автор: 이성훈,이재홍,이재호,신형철,서순애,허진성,정현종,양희준. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-03-23.

Groove grid high-voltage device based on composite drain electrode and method for manufacturing same

Номер патента: CN103839996A. Автор: 冯倩,代波,杜锴,马晓华,郑雪峰,郝跃. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-06-04.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: DE112018001989B4. Автор: Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

High Voltage Power Device with Hybrid Schottky Trenches and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200212177A1. Автор: YAU SHU KIN,Wong Siu Wai. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-02.

High voltage power device with hybrid Schottky trenches and method of fabricating the same

Номер патента: US10916626B2. Автор: Shu Kin Yau,Siu Wai Wong. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2021-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210280488A9. Автор: Pei Yi,SUN Linlin,KANG Gouchun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200328133A1. Автор: Pei Yi,SUN Linlin,KANG Gouchun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11929392B2. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

High voltage III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US8742459B2. Автор: Umesh Mishra,Lee McCarthy,Nicholas Fichtenbaum. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, protection circuit, and method for manufacturing protection circuit

Номер патента: US20230078873A1. Автор: Tomoyuki FUNABASAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Layer-stacked wiring and method for manufacturing same and semiconductor device using same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070221922A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

High voltage/high beta semiconductor devices and methods of fabrication thereof

Номер патента: EP0662717A2. Автор: Marco Corsi,Louis N. Hutter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SUPPORTERS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170077102A1. Автор: Hwang Yoosang,Choi Jaehyoung,Kim Bong-Soo,KIM Kyung-Eun,Kim Yongkwan,JANG Semyeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200321432A1. Автор: Chen Jing,WEI Jin. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20210036026A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20220130871A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20180040637A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20200273887A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20160111449A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20180226432A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20150179525A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US12136628B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US11881486B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

High voltage three-dimensional devices having dielectric liners

Номер патента: US20240113128A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Dual deep trenches for high voltage isolation

Номер патента: US9786665B1. Автор: Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of making high voltage, junction isolation semiconductor device having dual conductivity type buried regions

Номер патента: US5837553A. Автор: Lawrence G. Pearce. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-11-17.

Chip scale surface mounted semiconductor device package and process of manufacture

Номер патента: US20120161307A1. Автор: Tao Feng. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-06-28.

HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR WITH HIGH CURRENT LOAD CAPACITY AND METHOD FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: US20160181401A1. Автор: ROEHRER Georg. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

HIGH VOLTAGE III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140342512A1. Автор: Mishra Umesh,Fichtenbaum Nicholas,McCarthy Lee. Владелец: TRANSPHORM INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

High-voltage-resisting planar semiconductor device

Номер патента: JPS5548964A. Автор: Miyao Nakamura. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1980-04-08.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A HIGH VOLTAGE HOLD WITH AN IMPLANTED PERIPHERAL FUME AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: FR2557367B1. Автор: Gerard Ducreux. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-12-05.

A semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW201613089A. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-04-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including graphene and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP3410465A1. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Yunseong LEE,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SPACER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200194439A1. Автор: KIM Hyo Sub,KIM Hui Jung,LEE Myeong Dong,CHUN Jin Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING AIRGAPS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150228660A1. Автор: SIM Jae-hwang,Shin Jinhyun,Seong HoJun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

JUNCTION GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (JFET), SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JFET AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20140332858A1. Автор: CHEN Chia-Chung,Huang Chi-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device including spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102476141B1. Автор: 김희중,전진환,김효섭,이명동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-09.

Vertical semiconductor devices using nanowires and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100666187B1. Автор: 이정호,좌용호. Владелец: 학교법인 한양학원. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device having transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030197229A1. Автор: Young-Pil Kim,Byeong-Yun Nam,Beom-jun Jin. Владелец: Byeong-Yun Nam. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices including capacitors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130207232A1. Автор: Hyung Ju JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device having inductor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240071911A1. Автор: Yu-Jen Wang,Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Wen-Tuo Huang,Harry-HakLay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device including capacitor and method of forming the same

Номер патента: US11411069B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Han Jin Lim,Sang Yeol Kang,Kyu Ho Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device including capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20210296430A1. Автор: Akira Kaneko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device including capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145531A1. Автор: Do Hee KIM,Sei Yon KIM,Min Chul SUNG,Jung Wook WOO,Yeon Gyu LEE,Ja Yong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11728297B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ho-Jin Lee,Kwang-jin Moon,Ju-Il Choi,Dong-Chan Lim,Ju-Bin Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Flip-flop with transistors having different threshold voltages, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230421141A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12015204B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297445A1. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20240196764A1. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods

Номер патента: US20240063358A1. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods

Номер патента: US11804586B2. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Analog-cells-boundary region with buried power grid segment, semiconductor device including same and method of manufacturing same

Номер патента: US20240014136A1. Автор: Amit KUNDU,Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Yu-tao YANG,Chung-Ting Lu,Wen-Shen Chou,Ming-Cheng SYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with fuses and method of manufacturing same

Номер патента: EP1287557A2. Автор: Hermanus J. Effing,Alfred R. Hamstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-03-05.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Multiplexer for SDFQ having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US11821947B1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Multiplexer for sdfq having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230408582A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US9916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having diode and method of forming the same

Номер патента: US20140183435A1. Автор: Dong-Bok Lee,Sea-Phyo KIM,Chan-Min LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004079822A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US11810902B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor-device mounted board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110127656A1. Автор: Toshio Kobayashi,Takashi Kurihara,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20140038341A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20090057798A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20220037206A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11621193B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20230207391A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035741A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni,Francesca Milanesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035740A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US11837560B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US20210391285A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US20210183796A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: EP3840114A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: EP3866148A1. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Display device and bonding detection method of display device

Номер патента: US20220084894A1. Автор: Wei Li,Chienpang HUANG,Chuntong JIANG,Kaifang ZHU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6399457B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee,Byung-lyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11901256B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230068485A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Automatic detecting device and automatic detecting method of manufacturing equipment

Номер патента: US20220004180A1. Автор: Ching-Pei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240145327A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: GB2509680A. Автор: Anthony K Stamper,David L Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-09.

Semiconductor device including tsv and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273780A1. Автор: Sang Jun Park,Eun Ji Kim,Sung Dong Cho,Dong Chan Lim,Kwang Wuk Park,Hak Seung Lee,Dae Suk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: US20130119490A1. Автор: Stephen E. Luce,Anthony K. Stamper,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device, solid-state image sensor, methods of manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20150303227A1. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: US20140008741A1. Автор: Stephen E. Luce,Anthony K. Stamper,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of the film substrate, a method of the semiconductor device using the same, a method of the display device using the same, and a method of the electric device using the same

Номер патента: US20060079026A1. Автор: Hideaki Adachi,Nobukazu Koizumi,Keiichiro Hayashi,Tsutomu Matsuhira,Tadahiro Nishigawa. Владелец: MARUWA Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device, test system and method of the same

Номер патента: US9859176B1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Hung-Chih Lin,Tang-Jung CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: WO2020264037A1. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor device having fuse and method for checking whether the fuse is fused

Номер патента: US6121820A. Автор: Nobuo Shishikura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240355693A1. Автор: Katsuya Sato,Shogo Minami,Keiichiro Matsuo,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US11957070B2. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: US11916039B2. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Teledyne Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of monitoring a semiconductor device fabrication process and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220068728A1. Автор: Youngjoo Lee,Taekyun KANG,Hyowon Bae,Sang Yoon Han,Jitae PARK,Doo Young Gwak,Aekyung KIM,Kyunggon You,Seongjin IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture

Номер патента: CA2353326C. Автор: Kunihiro Izuno,Yuichi Fujiwara,Yoshifumi Nagai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20180323182A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device manufacturing jig and method for manufacturing same

Номер патента: US11891713B2. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230024469A1. Автор: Masaki Iwamoto,Kouhei Sonoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device having opening and method of fabricating the same

Номер патента: US20040048489A1. Автор: Takashi Goto,Yoshinari Ichihashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20220344223A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US11935798B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20210011077A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20220413039A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20240178078A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning

Номер патента: EP3472670A1. Автор: Thijs Kniknie,Jozef Petrus Wilhelmus STOKKERMANS. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-24.

Film carrier, semiconductor device using same and method for mounting semiconductor element

Номер патента: US5821626A. Автор: Masakazu Sugimoto,Shoji Morita,Kazuo Ouchi,Atsushi Hino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor device driving circuit and method of testing the same

Номер патента: US20140139245A1. Автор: Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device, wiring board and method of making same

Номер патента: US20040104487A1. Автор: Akira Chinda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US11887920B2. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20200066625A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device with resistor and method of fabricating same

Номер патента: US20090278189A1. Автор: Hoo-Sung Cho,Kyoung-hoon Kim,Nok-Hyun JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20210074623A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles

Номер патента: US6184489B1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Fumihiko Uesugi,Natsuko Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-06.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818701B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130069206A1. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20110250741A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device, apparatus of estimating lifetime, method of estimating lifetime

Номер патента: US20140091829A1. Автор: Kenji Hirohata,Yuu YAMAYOSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11990373B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device, lead frame, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385942A1. Автор: Naoki Saegusa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

High power semiconductor device cooling apparatus and method

Номер патента: US4010489A. Автор: Frank J. Bourbeau,Barton L. Meredith,Arnold J. Rakowski. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1977-03-01.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11942495B2. Автор: Atsushi Tsukada,Hirotaka Kobayashi,Hiroyuki Shigeta,Koyo Hosokawa,Shigekazu Ishii,Daisuke Chino,Hirohisa Yasukawa,Kosuke Hareyama,Mitsuhito Kanatake,Kiyohisa Sakai,Ninao Sato,Yutaka OOTAKI,Yuki Yamane. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20230246014A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device, corresponding apparatus and method

Номер патента: US20180190564A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12021551006A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Takahiro Kuroda,Naoki Tomori. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-04.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US11923352B2. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240178211A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, electronic component and method

Номер патента: US11380612B2. Автор: Matthias Stecher,Martin Kotzbauer,Julie Mathilde Suzanne Paye,Andreas Zankl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor device, semiconductor arrangement and method for producing the same

Номер патента: US11887961B2. Автор: Paul Frank,Frank Wagner,Sven Schmidbauer,Oliver Schilling,Thomas Heinelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US11320700B2. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

A developing device and a developing method of substrate

Номер патента: US20210356808A1. Автор: PENG Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US20220066268A1. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor Device, Electronic Circuit and Method for Switching High Voltages

Номер патента: US20150042177A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Weyers Joachim. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

High-voltage, vertical-trench semiconductor device

Номер патента: WO1994023455A1. Автор: David Whitney. Владелец: Siemens Components, Inc.. Дата публикации: 1994-10-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11869773B2. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220037159A1. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200279744A1. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150140747A1. Автор: LEE Naein,Kim Dong Hyuk,Chung Hoi Sung,Shin Dongsuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, INTEGRATED CIRCUIT AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220285345A1. Автор: Chen Tzu-Chiang,CHIANG Hung-Li,CHENG Chao-Ching,Hung Yi-Tse,Chou Ang-Sheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GRAPHENE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210074815A1. Автор: SHIN Hyeonjin,CHO Yeonchoo,Park Seongjun,SHIN Keunwook,NAM Seunggeol,LEE Yunseong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GRAPHENE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350915A1. Автор: SHIN Hyeonjin,CHO Yeonchoo,Park Seongjun,SHIN Keunwook,NAM Seunggeol,LEE Yunseong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-06.

Thin film transistor device and method of manufacturing the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US6900464B2. Автор: Kenichi Yanai,Seiji Doi,Kazushige Hotta,Takuya Hirano. Владелец: Fujitsu Display Technologies Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SILICIDE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160197074A1. Автор: YOU Junggun,Lee ChoongHo,HSU WEI-HUA,LEE Hyungjong. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

High voltage switch with condensation preventing bearing assembly and method therefor

Номер патента: US20210391124A1. Автор: Joseph K. Andreyo. Владелец: Cleaveland/Price Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

High voltage switch with condensation preventing bearing assembly and method therefor

Номер патента: CA3110972A1. Автор: Joseph K. Andreyo. Владелец: Cleaveland/Price Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

High voltage fuse having mounted gas evolving members and method of forming such

Номер патента: CA1174715A. Автор: Robert E. Koch,John G. Leach. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-09-18.

High-voltage system with low-voltage control architecture and method

Номер патента: US20190389316A1. Автор: FANG Wang,Jeffrey Johnson,Tao Wang,Theodore T. Kim,Janpreet S. Basi. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device socket, assembly and methods

Номер патента: US20010000304A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-19.

High-voltage capacitor, hight-voltage capacitor device and magnetron

Номер патента: US20050168912A1. Автор: Tsukasa Sato,Hisashi Tanaka,Isao Fujiwara,Ryo Kudo. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

High-voltage detection circuit, detector, battery device and vehicle

Номер патента: EP3473484A2. Автор: Jia Xu,Zhimin Dan,Yizhen HOU,Zhanyu SUN,Jiechao LUO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-24.

Box body, high-voltage box apparatus, energy storage device, and electric equipment

Номер патента: US20240023258A1. Автор: LU Wang. Владелец: Dongguan Poweramp Technology Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Apparatus for blocking high voltage source, plug applied for the same, and method for controlling the same

Номер патента: US20160079749A1. Автор: Yun-Jae Jung,Bum W. Nam. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240235222A9. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Optical semiconductor device, optical module, and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20180090910A1. Автор: Kouji Nakahara,Takeshi Kitatani. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Optical semiconductor device, optical unit, and method for manufacturing optical unit

Номер патента: US20230079029A1. Автор: Akira Higuchi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-16.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: EP4106101A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: US20230246325A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240136834A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: TW469600B. Автор: Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-21.

Memory device having a container-shaped electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332349A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140346636A1. Автор: Fujii Hideki,MIYAGAWA Yuichi,FURUYA Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200312952A1. Автор: LEE Hyunsuk,KANG SANGYEOL,CHO Gihee,KANG Jungoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150061073A1. Автор: RHEE Hwa-Sung,KIM Yoon-Hae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor Device Including Capacitor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150076658A1. Автор: TAK Yong-Suk,Kim Wandon,Cho Kyuho,YANG Hyunjeong,Kwon Ohseong. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170186752A1. Автор: CHOI Hoon-Sang,JEONG Hyeok-Jin,LIM Jung-Kun,TAK Young-Mo,HAN Sung-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190189615A1. Автор: CHOI Hoon-Sang,JEONG Hyeok-Jin,LIM Jung-Kun,TAK Young-Mo,HAN Sung-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160225845A1. Автор: Kim Ji-young,LEE Seung-Jun,Cho Young-Seung,SEO Jong-Bom,LEE Jun-Soo,JEONG Hoon,KIM Sung-eui,Kim Chan-Won. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040155273A1. Автор: Masahiko Matsumoto,Takashi Yoshitomi. Владелец: Takashi Yoshitomi. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device having capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040188747A1. Автор: Takashi Yoshitomi. Владелец: Takashi Yoshitomi. Дата публикации: 2004-09-30.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Elimination of walkout in high voltage trench isolated devices

Номер патента: US20010023974A1. Автор: Rashid Bashir,Wipawan Yindeepol,Joel M. McGregor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Lead frame assembly for a semiconductor device

Номер патента: US20240258207A1. Автор: Adam Brown,Dave Anderson,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050006762A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

High voltage semiconductor device lead frame and method of fabrication

Номер патента: US11881445B2. Автор: Enis Tuncer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

High voltage semiconductor device lead frame and method of fabrication

Номер патента: US20200211940A1. Автор: Enis Tuncer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE LEAD FRAME AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20200211940A1. Автор: Tuncer Enis. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Light-emitting device, method of manufacturing the same, and operating method of the same

Номер патента: US20220293880A1. Автор: Won-Joon SON,Sunghan Kim,Seungyeon Kwak,Kyuyoung HWANG,Hyeonho CHOI,Byoungki CHOI,Muhyun Baik,Seoungtae Kim,Seungyeol Baek,Jinhoon JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Chuck assembly, semiconductor device fabricating apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220223452A1. Автор: Taemin EARMME,Seungchul Han,Youngjae Son,Guesuk Lee,Hyeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Etching solution, method for treating substrate with the etching solution, and method for manufacturing semicondutor device

Номер патента: US20240034933A1. Автор: Naoto Nomura,Manami OSHIO. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Photoresist composition and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20170199456A1. Автор: Jin Park,Hyun Woo Kim,Jin Kyu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HYBRID BONDING INTERFACE, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLY

Номер патента: US20210242050A1. Автор: CHIU Hsih-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor devices and method of making the same

Номер патента: US7256095B2. Автор: Ming-Tsung Tung,Chien-Ming Lin,Chin-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

High voltage breakdown isolation semiconductor device and manufacturing process for making the device

Номер патента: US20020089028A1. Автор: Tomohide Terashima,Tatsuhiko Nagatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180350759A1. Автор: Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device fabrication system and method of forming semiconductor device pattern using the same, and photoresist for manufacturing semiconductor dev

Номер патента: GB9912579D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-28.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

Unidirectional high-voltage transient voltage suppression protection device and preparation method thereof

Номер патента: CN111668210A. Автор: 张富生,许成宗,韩业星. Владелец: Will Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160005665A1. Автор: Koji Saito,Masakatsu Suzuki,Mamoru Otake. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9293383B2. Автор: Koji Saito,Masakatsu Suzuki,Mamoru Otake. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Composite Wafer, Semiconductor Device, Electronic Component and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190088550A1. Автор: Jochen Mueller,Carsten Von Koblinski,Thomas Feil,Gerald Lackner,Martin Poelzl,Paul Ganitzer,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-21.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210408501A1. Автор: Qing Zhang,Quanpeng YU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: EP3571835A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-27.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: US20190347963A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: WO2018135142A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Wafer transfer device and wafer transfer method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US12080579B1. Автор: Wen-Ping Tsai,Tsang-Yi Wang. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240332458A1. Автор: Qi Qi,Lei Wu,Huan WANG,Pengwei Wang,Pengwei ZHANG,Yuxuan BAI,Pengju HU,Shiwei HAN. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Wafer transfer device and wafer transfer method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP4447099A1. Автор: Wen-Ping Tsai,Tsang-Yi Wang. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, circuit board, and method of manufacturing circuit board

Номер патента: JP3420706B2. Автор: 純 大森,寿巳江 佐藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-30.

Semiconductor device manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20200251358A1. Автор: Jinwoo Lee,Seung Min Shin,Yong Jun Choi,In Gi Kim,Seok Hoon Kim,Ji Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Package structure, display panel, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190214597A1. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Visible light communication device, display substrate, display device and manufacturing method of the display substrate

Номер патента: US20240244854A1. Автор: Rui Huang,Weijie Wang,Yujie Liu,Zhongyuan Sun,Renquan Gu,Biqi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Substrate for optical device, optical device package, manufacturing method of substrate for optical device, and manufacturing method of optical device package

Номер патента: US20190296195A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240038779A1. Автор: Yong Deng. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Backplane, backlight source, display device and manufacturing method of backplane

Номер патента: US12057536B2. Автор: Ke Wang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Fluid supply device and liquid discharge method of this device

Номер патента: US20200161147A1. Автор: Yukio Minami,Tsutomu Shinohara,Toshihide Yoshida. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device for image sensor

Номер патента: US20080211046A1. Автор: Dong-bin Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US12125854B2. Автор: Yuelong SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

METHOD FOR ON-WAFER HIGH VOLTAGE TESTING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140057372A1. Автор: Ritenour Andrew P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

High Voltage Generator of Semiconductor Device

Номер патента: KR940016759A. Автор: 오종훈. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

High voltage generator of semiconductor device

Номер патента: KR950008246B1. Автор: 오종훈. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-07-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150079762A1. Автор: Kazuyuki Nakagawa,Shunichi Abe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: US12016116B2. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Photovoltaic cell device and manufacturing method of template thereof

Номер патента: US20210313180A1. Автор: Sheng-Hui Chen,Bo-Huei Liao,Shao-Ze Tseng. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-10-07.

Power characteristic measurement device, image system including power characteristic measurement device and operating method of image system

Номер патента: US20210176415A1. Автор: Jeong-gon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20220006061A1. Автор: Zesheng CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240276730A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, chip package and method of fabricating the same

Номер патента: TW200849539A. Автор: Ying-Lieh Chen,Chien-Ru Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor device, chip package and method of fabricating the same

Номер патента: TWI365527B. Автор: Ying Lieh Chen,Chien Ru Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2012-06-01.

HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE TRANSDUCERS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160211430A1. Автор: Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20200251358A1. Автор: CHOI Yong Jun,Kim Seok Hoon,LEE Jinwoo,Shin Seung Min,KIM In Gi,CHA Ji Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE TRANSDUCERS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20170288110A1. Автор: Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE TRANSDUCERS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20190326494A1. Автор: Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods

Номер патента: US20200365785A1. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: KR102051627B1. Автор: 김현우,이전일,고차원,김인성,우라자에브 블라디미르. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-12-03.

High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods

Номер патента: US9711701B2. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-07-18.

High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods

Номер патента: EP2745323B1. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods

Номер патента: US11367822B2. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods

Номер патента: EP3188237A1. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Semiconductor device manufacturing system and method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: KR20010090566A. Автор: 오가와스미오,하라신이찌,우에끼미노루. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-10-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10347604B2. Автор: Seiya Isozaki,Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180277511A1. Автор: Seiya Isozaki,Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200083127A1. Автор: Takahiro Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW586156B. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258472A1. Автор: Bo Geon JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display panel, display device, and manufacturing method of the display panel

Номер патента: US20200035936A1. Автор: Qing Wang,Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Qingchao ZHOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Flexible display screen, flexible display device and manufacturing method of flexible display screen

Номер патента: US20220102674A1. Автор: Xu Li,Yaming Wang,Liqiang Chen,Rui Hou,Yanxin Wang,Jiali WANG,Le Chang,Chuntong JIANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method, non-polar semiconductor device and its manufacturing method of the nonpolar gallium nitride-based semiconductor of manufacture

Номер патента: CN104205297B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-15.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US9111912B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Shih Ting Lin,Kung-Chen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Constant current circuit, semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190302823A1. Автор: Yoshiki Makiuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Lead frame assembly for a semiconductor device

Номер патента: US11973009B2. Автор: Adam Richard Brown,Ricardo Lagmay Yandoc,Dave Anderson. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-30.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240322098A1. Автор: Yu-Cheng Chang,Han-Chung Lai,Yao-An Mo,Hsin Hao Chen,Po Han Lin,Cheng-Han Chung,Chun-Ming Chao. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120032298A1. Автор: Kenji Furuya,Hideki Fujii,Yuichi Miyagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR PACKAGES, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190027450A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,LEE Ho-Jin,Seo Ju-Bin,CHOI Ju-Il,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190043813A1. Автор: BAEK Nam-Gyu,Cho Yun-Rae,KIM Sun-Dae,Baek Hyung-gil. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,Wagner Wolfgang,Felsl Hans Peter,Gawlina Yvonne,Cotorogea Maria,Stegner Andre Rainer,Seibert Georg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device, semiconductor chip, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077060A1. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200083127A1. Автор: Takahiro Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Composite Wafer, Semiconductor Device, Electronic Component and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190088550A1. Автор: von Koblinski Carsten,Lackner Gerald,Poelzl Martin,Mueller Jochen,Ganitzer Paul,Feil Thomas,Polster Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

ELECTRODE FOR SOURCE/DRAIN OF ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20220293874A1. Автор: Takeya Junichi,WATANABE Shunichiro,MAKITA Tatsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160247847A1. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Yoshinori Ueda,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140341242A1. Автор: Murayama Ryuichi,SHIMOBE Yasuo,Kanamori Naoya. Владелец: SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR PACKAGES, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190259718A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,LEE Ho-Jin,Seo Ju-Bin,CHOI Ju-Il,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

CONSTANT CURRENT CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190302823A1. Автор: MAKIUCHI Yoshiki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170317035A1. Автор: BAEK Nam-Gyu,Cho Yun-Rae,KIM Sun-Dae,Baek Hyung-gil. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METAL MEMBER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160343647A1. Автор: MARUYAMA Rikihiro,KAI Kenshi,ISOZAKI Makoto. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160365316A1. Автор: Kenji Furuya,Hideki Fujii,Yuichi Miyagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE, COMMUNICATION SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200388932A1. Автор: AKAHORI Hiroji. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device cleaning agent and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP3264405B2. Автор: 哲男 青山,里愛子 中野,秀樹 福田,日出人 後藤. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2002-03-11.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and method of manufacturing the Semiconductor devices

Номер патента: KR102420586B1. Автор: 문광진,임동찬,이호진,최주일,아츠시 후지사키,서주빈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-13.

Resin composition, semiconductor device using same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN103563063A. Автор: 下边安雄,村山龙一,金森直哉. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Semiconductor device, semiconductor device array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1629706A. Автор: 川村哲也. Владелец: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-22.

Semiconductor device, memory system and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR101907693B1. Автор: 양현조. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-12.

Semiconductor device, semiconductor memory, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP3131982B2. Автор: 計廣 竹中,晃 藤沢. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-02-05.

Semiconductor device, metal member, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10199314B2. Автор: Makoto Isozaki,Rikihiro Maruyama,Kenshi KAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11381005B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Resin composition, semiconductor device using same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP2717304A4. Автор: Ryuichi Murayama,Yasuo Shimobe,Naoya Kanamori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-06.

Semiconductor device, semiconductor chip, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9633969B2. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, semiconductor chip and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US10103109B2. Автор: Hyung-Gil Baek,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device, semiconductor device formed body, and method of manufacturing the formed body

Номер патента: JP3395918B2. Автор: 文雄 宮川,隆春 宮本. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-14.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201703274A. Автор: 米田和洋,上田佳德,愛須克彥,中谷寧一,根來寶昭,櫻野勝之,渡邊博文. Владелец: 理光股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-16.

Method of mounting semiconductor device and system thereof, method of manufacturing semiconductor device isolator and IC card

Номер патента: KR100278137B1. Автор: 마코토 마츠오카,히토시 오다시마,가즈유키 후타기,도시미츠 나카가와,쇼지 나카쿠키. Владелец: 가나이 쓰도무. Дата публикации: 2001-01-15.

Resin composition, semiconductor device using same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG194849A1. Автор: Ryuichi Murayama,Yasuo Shimobe,Naoya Kanamori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-12-30.

Semiconductor device, semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804472B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Dong-Chan Lim,Dae-suk LEE,Hak-seung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Composite wafer, semiconductor device, electronic component and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3424077B1. Автор: Jochen Mueller,Carsten Von Koblinski,Thomas Feil,Gerald Lackner,Martin Poelzl,Paul Ganitzer,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device, semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210183822A1. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Dong-Chan Lim,Dae-suk LEE,Hak-seung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201248763A. Автор: Takashi Shimizu,Hisashi Aikawa. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-12-01.

Semiconductor device with fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166803A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device testing apparatus and method for testing semiconductor device

Номер патента: TW538252B. Автор: Hiroyasu Nakayama. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-06-21.

Multilayer interconnection board, semiconductor device having the same, ane method of forming the same as well as method of mounting the semiconductor chip on the interconnection board

Номер патента: SG109434A1. Автор: HONDA Hirokazu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-03-30.

Semiconductor device, dicing saw and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070164440A1. Автор: Takayuki Matsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A CORRESPONDING METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190035740A1. Автор: Sciarrillo Samuele,Venegoni Ivan,Colpani Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A CORRESPONDING METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190035741A1. Автор: Sciarrillo Samuele,Venegoni Ivan,Milanesi Francesca,Colpani Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: WO1998015975A1. Автор: Teiichi Inada,Kazunori Yamamoto,Yasushi Shimada,Yasushi Kumashiro,Hiroyuki Kuriya,Aizou Kaneda,Takeo Tomiyama,Yoshihiro Nomura,Yoichi Hosokawa,Hiroshi Kirihara,Akira Kageyama. Владелец: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.. Дата публикации: 1998-04-16.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: KR100483102B1. Автор: 야마모또，가즈노리,시마따，야스시,구마시로，야스시,이나다，데이찌,히로유끼 구리야,가네다，아이죠,다께오 도미야마,노무라，요시히로,호소까와，요이찌,기리하라，히로시,아끼라 가게야마. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: KR100507584B1. Автор: 야마모또，가즈노리,시마따，야스시,구마시로，야스시,이나다，데이찌,히로유끼 구리야,가네다，아이죠,다께오 도미야마,노무라，요시히로,호소까와，요이찌,기리하라，히로시,아끼라 가게야마. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-08-10.

Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: TW466128B. Автор: Katsuya Okumura,Yoshinori Yoshida. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Semiconductor device substrate, semiconductor device wiring member and method for manufacturing same, and method for manufacturing semiconductor device using semiconductor device substrate

Номер патента: TW201635448A. Автор: Satoshi Kubota. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-01.

Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film

Номер патента: TW422874B. Автор: Teiichi Inada,Kazunori Yamamoto,Yasushi Shimada,Aizou Kaneda,Hiroshi Kirihara. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-21.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170018553A1. Автор: Lee Jun-noh,Park Joonsoo,KIM YOUNGKUK,KANG SANGYEOL,IM KiVin. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR WAFERS, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210035926A1. Автор: Liu Chia-Jung,Liu Chia-Ying,Huang Chi-Chih,YANG WU-ZANG. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE ASSEMBLIES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210066174A1. Автор: Jeon Oseob,IM Seungwon,KIM Jeungdae. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, LEAD FRAME, AND METHOD OF MANUFACTURING LEAD FRAME

Номер патента: US20170084547A1. Автор: ITO Mami. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TSV AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220173016A1. Автор: Kim Eun Ji,PARK Sang Jun,LIM Dong Chan,Park Kwang Wuk,Cho Sung Dong,Lee Hak Seung,Lee Dae Suk. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE ASSEMBLIES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210143107A1. Автор: Jeon Oseob,IM Seungwon. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210183822A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,Kim Tae-Seong,LEE Dae-suk,Lee Hak-seung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200161277A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LIM Dong-Chan,Kim Tae-Seong,LEE Dae-suk,Lee Hak-seung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-21.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140284808A1. Автор: HASEBE Kazuhide,KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: SZE JHY-JYI,Tu Yeur-Luen,Wu Cheng-Ta,Wu Tung-Ting,HUANG Chih-Hui,Chen Sheng-Chau. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Printed circuit board, semiconductor device connection structure, and method of manufacturing a printed circuit board

Номер патента: US20140376202A1. Автор: Ryuichi Shibutani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TSV AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200273780A1. Автор: Kim Eun Ji,PARK Sang Jun,LIM Dong Chan,Park Kwang Wuk,Cho Sung Dong,Lee Hak Seung,Lee Dae Suk. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Packaged semiconductor, semiconductor device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: KR960019675A. Автор: 테쓰로우 와시다,야스히로 무라사와,카쓰노리 오치. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1996-06-17.

Semiconductor device, lead frame, and method of manufacturing lead frame

Номер патента: KR20170034337A. Автор: 마미 이토. Владелец: 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device wiring structure and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2985692B2. Автор: 邦子 宮川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-06.

Semiconductor device, image scanner and method of manufacturing the same

Номер патента: DE69325065T2. Автор: Tetsuro Nakamura,Masahiro Nakagawa,Shinji Fujiwara,Eiichiro Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-28.

Stacked semiconductor device, and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US9343292B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Masaki Kurokawa,Tomoyuki OBU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device, mounting substrate and method of manufacturing mounting substrate, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US8110245B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Fabric type semiconductor device package and methods of installing and manufacturing same

Номер патента: US20080258314A1. Автор: Yongsang Kim,Hoi-Jun Yoo,Hyejung Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device including nanocrystals and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009103124A1. Автор: Paul Mulvaney,Benjamin Mashford. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor element heat dissipating member, semiconductor device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: WO2004053984A1. Автор: Yasushi Yamada,Hiroyuki Mori,Tadashi Oshima,Hiroyuki Ueda,Hideo Hasegawa,Masayasu Ishiko,Hideo Tachikawa,Kazuyuki Nakanishi,Yukio Miyachi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing the semiconductor module

Номер патента: US20070080438A1. Автор: Toshihiro Yamanaka,Hiroyuki Tsukamoto,Kiyoharu Kishimoto. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor device, electronic module, and method of manufacturing electronic module

Номер патента: CN1909224A. Автор: 浅川达彦. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: CN110649000A. Автор: 陈德安,吴伟成,邱德馨,林孟汉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-03.

Semiconductor device testing contactor and method of manufacturing the same

Номер патента: JP4323055B2. Автор: 茂幸 丸山,浩久 松木. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-02.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing them

Номер патента: JP2011054788A. Автор: Takeshi Fukami,武志 深見. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230065619A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

High voltage electric double layer capacitor device and methods of manufacture

Номер патента: WO2012050818A1. Автор: Hundi Panduranga Kamath,Kyle Yun-Su Kim. Владелец: Cooper Technologies Company. Дата публикации: 2012-04-19.

HIGH VOLTAGE DISCHARGE FOR PROTECTION AGAINST SPARK VOLTAGES AND METHOD OF ITS APPLICATION

Номер патента: RU2010135342A. Автор: Леннарт СТЕНСТРЕМ,Пер БАРКЕНШЕ,Леннарт СТЕНСТРЕМ (SE),Пер БАРКЕНШЕ (SE). Владелец: Абб Текнолоджи Аг (Ch). Дата публикации: 2012-02-27.

High voltage gas filled pipe type cable

Номер патента: US4783576A. Автор: David A. Silver,William G. Lawson. Владелец: Pirelli Cable Corp. Дата публикации: 1988-11-08.

High voltage electrical connector with clad contact button and method of manufacturing same

Номер патента: EP4270670A3. Автор: Nicholas A. Durse,George A. Drew,Eric E. Shasteen. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

High voltage electrical connector with clad contact button and method of manufacturing same

Номер патента: EP4270670A2. Автор: Nicholas A. Durse,George A. Drew,Eric E. Shasteen. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

High voltage electrical connector with clad contact button and method of manufacturing same

Номер патента: EP4138224A1. Автор: Nicholas A. Durse,George A. Drew,Eric E. Shasteen. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

High voltage electrical connector with clad contact button and method of manufacturing same

Номер патента: EP4138224B1. Автор: Nicholas A. Durse,George A. Drew,Eric E. Shasteen. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

High voltage electric double layer capacitor device and methods of manufacture

Номер патента: AU2011314138A1. Автор: Hundi Panduranga Kamath,Kyle Yun-Su Kim. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2013-04-11.

Field emission type electron source element, electron gun, cathode ray tube apparatus, and method for manufacturing cathode ray tube

Номер патента: US20040051461A1. Автор: Toru Kawase,Keisuke Koga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Magnetization device for an electron microscope and method

Номер патента: US20240258064A1. Автор: Helmut Soltner,Michael Schaaf,Amir Hossein Tavabi,Rafal Edward DUNIN-BORKOWSKI,Maximilian KRUTH. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

HIGH VOLTAGE, REINFORCED IN-LINE FUSE ASSEMBLY, SYSTEMS, AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150137934A1. Автор: von zur Muehlen Patrick A.,Henricks Michael C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

HIGH VOLTAGE ELECTRODE FOR ELECTRIC DUAL LAYER CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150332865A1. Автор: SHIN Dal Woo,LEE Mun Soo,SHIN Jin Sik. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

High voltage, reinforced in-line fuse assembly, systems, and methods of manufacture

Номер патента: AU2014250613A1. Автор: Patrick A. Von Zur Muehlen,Michael C. Henricks. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Compact high-voltage power supply and radiation apparatus systems and methods

Номер патента: WO2021126604A1. Автор: Jani Reijonen. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2021-06-24.

Compact high-voltage power supply and radiation apparatus systems and methods

Номер патента: US20210195721A1. Автор: Jani Reijonen. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

High-voltage and direct-current cable insulating material and preparation method of high-voltage and direct-current cable insulating material

Номер патента: CN106700195A. Автор: 江平开,黄兴溢. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2017-05-24.

High-voltage supply unit and circuit arrangement for generating a high voltage for a particle beam device and particle beam device

Номер патента: DE102015207484B4. Автор: Dirk Preikszas,Michael Schnell,Jörg Fober,Edgar Fichter,Christian Hendrich,Momme MOMMSEN. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2022-11-03.

HIGH VOLTAGE AND HIGH ENERGY STORAGE DEVICE AND PULSE GENERATOR INCLUDING APPLICATION

Номер патента: FR2563938B1. Автор: Jean-Claude Adolphe Brion,Claude Brunaud,Robert Paul Henri Jean,Rene Henri Machet. Владелец: VERRERIE THERMOMETRIE. Дата публикации: 1991-05-17.

Controlled inductance device and method

Номер патента: EP1615243A3. Автор: Charles Watts,Lucian E. Scripca. Владелец: Pulse Engineering Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Roller assembly, battery cell manufacturing device, and adjustment method of roller

Номер патента: US12060240B2. Автор: Keqiang Li,Jun Hu,Zhihua Wen,Gang Zeng,Yongli Zhang,Ruhu Liao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Positive electrode active material for lithium secondary battery including high-voltage lithium cobalt oxide with doping element and method of preparing the same

Номер патента: US20180309123A1. Автор: Wang Mo JUNG,Sung Bin Park,Bo Ram Lee,Chi Ho Jo,Hyuck Hur,Young Uk Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

High-voltage cable graphite powder coating device and method

Номер патента: CN116190015A. Автор: 陈兵,陈清华,周岳,汤长江,郎城,顾祝军,郑怀蜀. Владелец: Zhejiang Gengu Cable Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Rotary electric machine with high-voltage winding and elastic winding supporting bodies and method of making such machine

Номер патента: PL330194A1. Автор: Peter Carstensen,Ivan Jonas,Peter Templin,Mats Leijom. Владелец: Asea Brown Boveri. Дата публикации: 1999-04-26.

Power supply device of high-voltage cold cathode gas discharging electronic gun and control method of power supply device

Номер патента: CN104538273A. Автор: 许海鹰,左从进,韩瑞清. Владелец: AVIC Beijing Aeronautical Manufacturing Technology Research Institute. Дата публикации: 2015-04-22.

Compact high-voltage power supply and radiation apparatus systems and methods

Номер патента: US20210195721A1. Автор: Jani Reijonen. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Device for start-up high voltage driving parts of fuel cell vehicle and method for controlling the same

Номер патента: KR101090714B1. Автор: 이창하. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2011-12-08.

Positive electrode active material for lithium secondary battery, containing high-voltage lithium cobalt oxide having doping element, and method for preparing same

Номер патента: EP3340348A1. Автор: Wang Mo JUNG,Sung Bin Park,Bo Ram Lee,Chi Ho Jo,Hyuck Hur,Young Uk Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-27.

Rotating electrical machine comprising high-voltage winding and cast compound supporting winding and method for manufacturing such machine

Номер патента: CN1096736C. Автор: 玛斯·雷乔,安德斯·布乔克伦德,高兰·赫尔姆斯托姆,本特·高兰,安娜-玛列·伊姆莱,彼特·卡斯特森,波蒂·拉森. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 2002-12-18.

Positive electrode active material for lithium secondary battery, containing high-voltage lithium cobalt oxide having doping element, and method for preparing same

Номер патента: PL3340348T3. Автор: Wang Mo JUNG,Sung Bin Park,Bo Ram Lee,Chi Ho Jo,Hyuck Hur,Young Uk Park. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2020-07-27.

Electrical high-voltage circuit board plug contact device and power-electric circuit board connection

Номер патента: US11996641B2. Автор: Eike Luellich,Karl Marc-Andreas Berger,Steffen Reichel,Juri FIONIK,Dirk Duenkel. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

HIGH-VOLTAGE DETECTION CIRCUIT, DETECTOR, BATTERY DEVICE AND VEHICLE

Номер патента: US20190118668A1. Автор: XU Jia,Dan Zhimin,Hou Yizhen,LUO Jiechao,SUN Zhanyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Dry-type high-voltage reactor channel dip-coating device and dip-coating method

Номер патента: CN113257555A. Автор: 赵保平,贾晟,张源斌,武亚鹏,武亚宾. Владелец: Beijing Hangkai Electric Co ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

Electrical high-voltage circuit board plug contact device and power-electric circuit board connection

Номер патента: EP4106110A1. Автор: Dirk Dunkel,Karl Marc-Andreas Berger,Eike Tim Lüllich,Steffen Reichel,Juri FIONIK. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2022-12-21.

Battery charger, voltage monitoring device and self-diagnosis method of reference voltage circuit

Номер патента: US20140176053A1. Автор: Yukihiro Kita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE, COMMUNICATION SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170358867A1. Автор: AKAHORI Hiroji. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2017-12-14.

Multiplexer for SDFQ having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US12099090B2. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Signal processing system having a plurality of high-voltage functional blocks integrated into interface module and method thereof

Номер патента: US20090296950A1. Автор: Yau-Wai Wong,Yung-Yu Lin,Sheng-Jui Huang,Tzueng-Yau Lin,Chi-Hui Wang,Jen-Che Tsai,Chih-Horng Weng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Electrode for source/drain of organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US12133397B2. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-10-29.

High voltage switch, nonvolatile memory device comprising same, and related method of operation

Номер патента: US9349457B2. Автор: Taehyun Kim,Youngsun Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Network processing device and networks processing method of communication frames

Номер патента: EP3809639A1. Автор: Keiichiro Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240313776A1. Автор: Fumiya Watanabe,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou,Atsuko SAEKI,Ryota Tsuchiya,Harumi ABE,Kanta NAGUMO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Electro-optic modulator and methods of using and manufacturing same for three-dimensional imaging

Номер патента: US12066546B2. Автор: Paul S. Banks,Christopher Allen EBBERS,Charles S. TUVEY. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292596A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Device and transmission/reception method of figure of package data in mobile communication system

Номер патента: RU2349032C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзунг-Соо ДЗУНГ,Беом-Сик БАЕ,Дае-Гиун КИМ,Йоун-Сун КИМ,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Ю-Чул КИМ,Дае-Гиун КИМ (KR),Дзин-Киу ХАН (KR),Хван-Дзоон КВОН (KR),Донг-Хи КИМ (KR),Дзунг-Соо ДЗУНГ (KR),Беом-Сик БАЕ (KR),Ю-Чул КИМ (KR),Йоун-Сун КИМ (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-03-10.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US12108138B2. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, clock circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20220014191A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Display device and haptic feedback method of the same

Номер патента: US11762469B2. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Ga Na KIM,Jae Been LEE,Eun Kyung Yeon,So Young YEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display device and image display method of the same

Номер патента: EP3699902A1. Автор: Kwansik Yang,Kilsoo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Communication device and call transfer method of same

Номер патента: US20130157635A1. Автор: Qiang You. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: EP3678336A3. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US20200213148A1. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: US20240274102A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: EP4418254A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Electro-optic modulator and methods of using and manufacturing same for three-dimensional imaging

Номер патента: EP3850421A1. Автор: Paul S. Banks,Christopher Allen EBBERS,Charles S. TUVEY. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2021-07-21.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and data outputting method of the same

Номер патента: US20090167413A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device, display apparatus, and driving method of semiconductor device

Номер патента: US20240188330A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi,Hideaki Shishido,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200041547A1. Автор: Akira Murayama,Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji,Yosuke Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US10033339B2. Автор: Hiroyuki Kuge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

PLL semiconductor device with testability, and method and apparatus for testing same

Номер патента: US20010028243A1. Автор: Kimitoshi Niratsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US11115235B2. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Predictive coding method, predictive coding device and predictive coding method of motion vector and predictive decoding method, predictive decoding device and motion vector prediction decoding program

Номер патента: RU2731026C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Йосинори СУДЗУКИ,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2020-08-28.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: EP4254973A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device, regulator circuit, and method for starting regulator circuit

Номер патента: US20240111321A1. Автор: Yoichi Fueki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US20230319389A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic device, system of electronic device, and system operating method of electronic device

Номер патента: US20200293262A1. Автор: Dae Won Kim,Ho Jung Lee,Young Seok Kim,Kee Hyun Nam,Hyoung Cheol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: CA3212739A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2022-09-29.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: AU2022245816A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: US20240056930A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2024-02-15.

Clamping device, electronic device and remote control method of electronic device

Номер патента: US20230362488A1. Автор: Chun-Wei Lu,Chi-Hwa Ho,Yea-Chin Yeh,Yi-Teng Tsai. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US20180097987A1. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US10237471B2. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Electronic device and frame transmission method of electronic device

Номер патента: US11757789B2. Автор: Han-Yi Hung,Yi-Kuang Ko,Sheng-Pin Lin,Cheng-Yan Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Touch display device and touch driving method of same

Номер патента: US11768556B2. Автор: Jian Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Electronic device, and wireless communication method of electronic device

Номер патента: US20190246428A1. Автор: Soo-Jin Park,Su-Ha Yoon,Eui-Chang JUNG,Sung-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: EP4358354A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Image forming apparatus configured to partition menu information transmitted from a main device to a control device, control device, and screen display method of performing same

Номер патента: US10491763B2. Автор: Hisashi NAITOH. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Projection device and safety protection method of projection device

Номер патента: US20240215133A1. Автор: Sheng-Han Yang,Yao Lei Huang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: CA2824968C. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Induction heating device and vessel-sensing method of the induction heating device

Номер патента: US11672053B2. Автор: Shinjae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-06.

Image sensing device and image processing method of the same

Номер патента: US20230300481A1. Автор: Hee Kang,Chan Young Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

External data-input device and speech inputting method of portable electronical device

Номер патента: US20030008678A1. Автор: Winky Lin. Владелец: Silitek Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Display device and image display method of display device

Номер патента: US20200059627A1. Автор: Keita SANO. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Control device and control method of high voltage inverter

Номер патента: US20110050199A1. Автор: Jae Hyun Jeon. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Integrated lighting system and method

Номер патента: US20190182925A1. Автор: Gregory Smith,Robert Martin,Thomas J. Hartnagel,David J. RECTOR,Theodore Eric Weber,Terry Arbouw,Mike Crane,Stuart Middleton-White,Dawn R. Kack. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Charger integrated circuit for charging battery device and electronic device including the charger integrated circuit

Номер патента: US12034321B2. Автор: Sung-woo Lee,Hyoung-Seok Oh,Jung-Wook HEO,Sang-Bin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2600336C1. Автор: Мария Сергеевна Селиванова. Владелец: Мария Сергеевна Селиванова. Дата публикации: 2016-10-20.

High voltage switch with mitigated gate stress

Номер патента: US11837283B2. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

High voltage switch with mitigated gate stress

Номер патента: US20220415390A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same

Номер патента: US20120012834A1. Автор: Tohru Sonoda,Emi Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

HIGH VOLTAGE / LOW VOLTAGE TRANSFORMER ASSEMBLY, TRANSFORMATION STATION AND METHOD OF MANUFACTURING AND / OR MAINTENANCE OF SUCH A POST

Номер патента: FR2875648A1. Автор: Thierry Marchand. Владелец: GAUDE ENTPR SA. Дата публикации: 2006-03-24.

Transponder key testing device and method of testing a transponder key

Номер патента: EP3005320A1. Автор: Gregory CHAMBERS,Simon Ashby. Владелец: ASHBY Simon. Дата публикации: 2016-04-13.

Charger integrated circuit for charging battery device and electronic device including the charger integrated circuit

Номер патента: US20220294234A1. Автор: Sung-woo Lee,Hyoung-Seok Oh,Jung-Wook HEO,Sang-Bin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Hybrid transmission high voltage connector and terminal block cooling system and method

Номер патента: US20100300797A1. Автор: Eric S. Tryon,Timothy J. Reinhart,William S. Reed,Grantland I. Kingman,Kevin P. Coleman. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US12041790B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: EP4398662A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Display panel, display device and display panel fabrication method

Номер патента: EP3694011A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Dezhi Xu,Chengcheng Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Down hole induction heating tool and method of operating and manufacturing same

Номер патента: AU2003283104A8. Автор: Homer L Spencer,Thomas A Larovere. Владелец: Canitron Systems Inc. Дата публикации: 2004-06-07.

Electronic device for controlling aggregation of packet on basis of link capacity, and operation method of electronic device

Номер патента: US20240356859A1. Автор: Youngki Hong,Youngwook Kim,Wonbo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

HIGH-VOLTAGE SYSTEM WITH LOW-VOLTAGE CONTROL ARCHITECTURE AND METHOD

Номер патента: US20190389316A1. Автор: WANG TAO,Wang Fang,JOHNSON Jeffrey,Kim Theodore T.,Basi Janpreet S.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of sending data, method of sending alarm, device and system

Номер патента: RU2705091C1. Автор: Куньпен ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-05.

Characteristic evaluation device and characteristic evaluation method of shaft coupling

Номер патента: US12021466B2. Автор: Takayuki Satomi,Taichi Sasaki,Ryuta Sato,Makoto TANIYAMA,Masaharu Hirosawa. Владелец: Miki Pulley Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Virtual reality device and operation method of virtual reality device

Номер патента: US20190158818A1. Автор: Chia-Wei Lin,Che-Chia HO. Владелец: Suzhou Raken Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: US20240260021A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic device for performing edge computing service and operation method of electronic device

Номер патента: US20230300107A1. Автор: Youngwook Kim,SangCheol LEE,Jinhyoung Kim,Wonbo Lee,Hongshik Kim,Ansik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Mobile telephone message display scheduling device and scheduling method

Номер патента: EP1762086A1. Автор: Zhi Qiang Xue. Владелец: GIGASET COMMUNICATIONS GMBH. Дата публикации: 2007-03-14.

Mobile Telephone Message Display Scheduling Device and Scheduling Method

Номер патента: US20080045273A1. Автор: Zhi Xue. Владелец: GIGASET COMMUNICATIONS GMBH. Дата публикации: 2008-02-21.

Electronic device for performing edge computing service and operation method of electronic device

Номер патента: US12058100B2. Автор: Youngwook Kim,SangCheol LEE,Jinhyoung Kim,Wonbo Lee,Hongshik Kim,Ansik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Tuning-Fork Type Piezoelectric Vibrating Piece, Piezoelectric Frame, Piezoelectric Device, and a Manufacturing Method of Tuning-Fork Type Piezoelectric Vibrating Piece and Piezoelectric Frame

Номер патента: US20100201229A1. Автор: Takefumi Saito. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

High-power high voltage photovoltaic DC booster converter device and control method

Номер патента: CN106357119B. Автор: 张兴,刘芳,赵文广. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2019-04-09.

High-voltage stabilized power supply control device and method for electron beam welding machine

Номер патента: CN112953206A. Автор: 尹林子,何欣玥. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-11.

Electronic device and image compression method of electronic device

Номер патента: US20200221103A1. Автор: Do-Han Kim,Chang-woo Lee,Jin-Min Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Heat Dissipation Film, Display Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210368657A1. Автор: Xiaoxia Liu,Binfeng Feng,Fuzheng Xie. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-transitory computer-readable medium, print image control device, and control method of print image control device

Номер патента: EP3715135A1. Автор: Takeshi Watanabe,Chisato Inoue. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Image Sensing Apparatus, Image Scanning Device and Scanning Method of Image Scanning Device

Номер патента: US20240252707A1. Автор: Min Wang,Xiao Qiu,Wuchang Qi,Juan DENG,Xiaofeng Sun. Владелец: Weihai Hualing Opto Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Wireless device, and wireless communication method of wireless device, wireless terminal, and wireless communication method of wireless terminal, and wireless base station, and wireless communication method of wireless base station

Номер патента: US20240251319A1. Автор: Kosuke Aio. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Driving device and driving method of display panel to detect whether sub-pixel circuit is in abnormal open state

Номер патента: US20220122521A1. Автор: Chun-Fu Lin,Po-Hsiang FANG,Jhih-Siou Cheng,Yi-Yang Tsai. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2022-04-21.

Wireless device, and wireless communication method of wireless device, wireless terminal, and wireless communication method of wireless terminal, and wireless base station, and wireless communication method of wireless base station

Номер патента: US12082066B2. Автор: Kosuke Aio. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Sound receiving device and control method of sound receiving device

Номер патента: US12108211B2. Автор: Shang-Yuan YUAN,Hung-Bin Huang. Владелец: Chicony Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Electronic device for controlling internal system of vehicle by using wireless data communication ID and operating method of the electronic device

Номер патента: US12090936B2. Автор: Jaewoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

High voltage generator for semiconductor device

Номер патента: KR960009950B1. Автор: 한명석,김영희. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-25.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240237195A1. Автор: Chung-Jyh Lin,Ker-Yih Kao,Chin-Ming Huang,Chien-Lin Lai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240215379A1. Автор: Fanjing Wu,Jingyuan HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Light transmission device, and control method of same

Номер патента: US20230261747A1. Автор: Koji Seki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Electronic device for performing mobility management of user terminal, and operation method of electronic device

Номер патента: EP4240038A1. Автор: Daeken KWON,Wansu YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Electronic Control Device and Error Detection Method of Configuration Memory

Номер патента: US20200379831A1. Автор: Hideyuki Sakamoto,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo,Taisuke UETA. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20230300574A1. Автор: Md. Imtiaz HOSSAIN,Md. Zahid Hasan POLIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of translating between robots and different tools of robots in relation to communication between them, conversion device employing method, and autonomous mobile robot

Номер патента: US20230256604A1. Автор: Yu-Syuan Lyu. Владелец: Futaijing Precision Electronics Yantai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Audiovisual device and control method of audiovisual device

Номер патента: US20210329372A1. Автор: Wenbo Li,Junwei Liu,Zhihong Du. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Detection device and detection method of rotor position of three-phase motor

Номер патента: US20190013718A1. Автор: Yi-Cheng Liu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Electronic device and temperature control method of electronic device

Номер патента: EP4439199A1. Автор: Sunok Jung,Seongmin Je,Hyuncheol Park,Hongji LEE,Hyoujoo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

APPARATUS FOR BLOCKING HIGH VOLTAGE SOURCE, PLUG APPLIED FOR THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20160079749A1. Автор: Jung Yun-Jae,Nam Bum W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

HIGH VOLTAGE SWITCH, NONVOLATILE MEMORY DEVICE COMPRISING SAME, AND RELATED METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20150138893A1. Автор: Kim Taehyun,MIN Youngsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

High voltage driving electronic circuit arrangement, corresponding apparatus and method

Номер патента: US20180302080A1. Автор: Davide Ugo Ghisu,Marco TERENZI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-18.

The high voltage direct current main electrical scheme structure and method for being suitble to overhead line to connect with submarine cable

Номер патента: CN110417043A. Автор: 秦康,郭龙,雷博,许树楷,赵晓斌,辛清明,卢毓欣,徐迪臻. Владелец: Research Institute of Southern Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Display device and adhesion method of 3d cover glass

Номер патента: US20200139671A1. Автор: Haoran CAO. Владелец: Wuhan China Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Control method of recoverable file protection device and protection method of recoverable file

Номер патента: US10216745B2. Автор: Ke-Sen Huang,Jian-Jr Lin,Chien-Hsing Chiang. Владелец: Inwellcom Tech Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Control method of electronic device and electronic device

Номер патента: US12058279B2. Автор: Bin Zhao,Xueyong Zhang,Xiangnan LYU. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Power supply device and deterioration determination method of power supply device

Номер патента: US11709207B2. Автор: Motohiro Tsukuta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Control method of recoverable file protection device and protection method of recoverable file

Номер патента: US20170024401A1. Автор: Ke-Sen Huang,Jian-Jr Lin,Chien-Hsing Chiang. Владелец: Inwellcom Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Image processing device and operating method thereof

Номер патента: US20240323407A1. Автор: Sungho Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Image processing device and operating method thereof

Номер патента: EP4443879A1. Автор: Sungho Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

High-voltage interlocking detection circuit, method, device and automobile

Номер патента: CN107219437A. Автор: 张海艳,吕志伟. Владелец: Beijing Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-29.

High-voltage switch cabinet cable access device and construction method

Номер патента: CN110880716B. Автор: 张帆,杨文建,白宇,张俊峰,张亚敏,毛中科,薛燕风,段增杰,张麦荣,乔景兰. Владелец: Zhongmu Power Supply Co Of State Grid Henan Electric Power Co. Дата публикации: 2021-02-23.

A kind of extra-high voltage insulator piece more changing device and replacing options

Номер патента: CN107706810A. Автор: 杜毅,赵强,彭勇,范强,张亚迪,黄华明,宋梁,舒野,白仕雄,雷泽宇. Владелец: Southwest Branch of State Grid Corp. Дата публикации: 2018-02-16.

High-voltage cascaded harmonic power supply device and control method

Номер патента: CN111030474A. Автор: 赵波,杨洋,万磊,王飞义,张万金,王继浩,孙贤大,崔效毓,安金辉,息鹏. Владелец: Liaoning Rongxin Industrial Electric Power Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

High-voltage discharge lamp ballast, lighting device and lighting system

Номер патента: CN101742791A. Автор: 鸭井武志,祐福晶. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Image sensing device and read-out method of the same

Номер патента: US20160360135A1. Автор: Min-Seok SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Handheld electronic device and image projection method of the same

Номер патента: US20150116601A1. Автор: Cheng-Hsi Liu,Chih-Wei Hsu,Wei-Chien Wang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US20230195409A1. Автор: Sehyun Kim,Jongin Lee,Kwansik Yang,Kilsoo Choi,Hyeeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods and systems for displaying media data, host computers, devices, and media

Номер патента: US11435976B2. Автор: Fujun Chen,Qigui Rong. Владелец: K Tronics Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

A driver for driving a load, as well as a corresponding led based lighting device and a corresponding method of operating the driver

Номер патента: WO2021175650A1. Автор: Henricus Mathijs Maria Creemers,Marcel Beij,Frits Tobi DE JONGH,Hermanus Johannes Maria Vos. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2021-09-10.

Signal processing device and signal processing method of television receiving end

Номер патента: US20180098019A1. Автор: Fong Shih Wei,Tai-Lai Tung,Yi-Ying Liao,Kun-Yu Wang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-04-05.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Organic semiconductor compound, semiconductor device, solar cell and producing method of organic semiconductor compound

Номер патента: US8710263B2. Автор: YUKA Kobayashi,Kazuhiko Saigo. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-04-29.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: EP3301541B1. Автор: Akira Murayama,Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji,Yosuke Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Resonator assembly, semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing resonator assembly

Номер патента: CN111865248B. Автор: 庞慰,杨清瑞,张孟伦. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Resonator assembly, semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing resonator assembly

Номер патента: CN111865248A. Автор: 庞慰,杨清瑞,张孟伦. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Defect detection method for high-voltage cable, detection system, electronic device, and storage medium

Номер патента: AU2023331396A1. Автор: Wei Guo,Xu Yang,LIN Cheng,Ping Chen,Lifeng Cheng,HUI XU,Jing Zhang,Wen Zhou,Junjie Wu,Zhigang Ren,Hao ZHAN,Nian Chen,Jinghua Liu,Mengna Liu,Ziqiu Luo,Zhengqin Zhou,Qinqing Huang,Chuanxian Luo,Chengde Wan,Yuru CAI,Qingmiao CHEN. Владелец: Wuhan Nari Of State Grid Electric Power Res Institute LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Automatic installation system of high voltage battery for electric vehicle, device thereof, and method thereof

Номер патента: US20200009956A1. Автор: Seong Woo Kim,Yong Cheol Kim,Tae Joon KANG. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device fabrication mask and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110053058A1. Автор: Haruko Akutsu,Kyo Otsubo,Makiko Katano,Ayako Mizuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device with transducer and method for forming the same

Номер патента: US20240050987A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20240248255A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Glycine-based nutritional food product and beverage compositions and methods of administering and manufacturing same

Номер патента: WO2023177867A1. Автор: Eugene Peter O'CONNOR. Владелец: Oconnor Eugene Peter. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Ultrasonic measuring device, and ultrasonic measuring method of flow rate

Номер патента: RU2488836C2. Автор: Торальф ДИЦ,Ларс ЭМИХЕН,Джон ЛЭНСИНГ. Владелец: ЗИК Энджиниринг ГмбХ. Дата публикации: 2013-07-27.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: EP3695418A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-08-19.

Image sensor, optical pointing device and motion calculating method of optical pointing device

Номер патента: US20050200600A1. Автор: Bang-Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Backflow prevention device of light metal injection device and backflow prevention method of light metal injection device

Номер патента: US20210379649A1. Автор: Tadashi Morikawa. Владелец: Sodick Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Storage device and data processing method of storage device

Номер патента: EP2151784A3. Автор: Shin c/o Hitachi Ltd Intellectual Property Group Nishihara,Shuichi c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Yagi,Yasuyuki c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Nagasoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-09.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Radar device and data output method of radar device

Номер патента: EP4411416A1. Автор: Hirosada Miyaoka,Ryosuke Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20140042585A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Electronic devices and corresponding hybrid methods of low light image enhancement

Номер патента: US12079973B2. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Machine learning device and maching learning method of machine learning device

Номер патента: US20190370661A1. Автор: Namyeong Kwon,Hayoung JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US11914940B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20240193343A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor device, memory system, and method of correcting duty cycle of output signal from semiconductor device

Номер патента: US11961586B2. Автор: Kensuke Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device design system and method, and software product for the same

Номер патента: US20060190876A1. Автор: Kenta Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and temperature control method of semiconductor device

Номер патента: US20160266640A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shuuji Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device, mobile apparatus, and method of controlling mobile apparatus

Номер патента: US20200387717A1. Автор: Keisuke Matsumoto,Remi MIYAMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and self-diagnostic method of semiconductor device

Номер патента: US20220328123A1. Автор: Terunori Kubo,Hirotsugu Nakamura,Daisuke Katagiri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US20170174507A1. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: EP4312144A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: US20240037307A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20170177062A1. Автор: Hiroshi Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, control system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200073806A1. Автор: Toshiyuki Kaya,Shinichi Shibahara,Yuki Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device, electronic control unit, verification method of electronic control unit and manufacturing method of electronic control unit

Номер патента: US11845387B2. Автор: Masayuki Daito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20230258860A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US11953720B2. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Rack-mounted column, pouring device and temperature control method of drink

Номер патента: RU2493509C2. Автор: Барт Ян Бакс. Владелец: Хейнекен Сеплай Чейн Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050095774A1. Автор: Masahiro Abe,Tatsuo Akiyama,Akira Ogawa,Shigeru Komatsu,Yukihiro Ushiku,Hidenori Kakinuma,Shunji Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Magnetic field sensing device and a fabricating method of the same

Номер патента: US7338816B2. Автор: Kyung-Won Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Vehicle control device and data adjustment method of database

Номер патента: US20230365142A1. Автор: Takashi Okada,Yuuki Okuda. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: US11773568B2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Source device and power control method of source device

Номер патента: US11886265B2. Автор: Zhenliu LI. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: EP3736383A2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Game platform for mobile devices and a related method of operating a game platform

Номер патента: WO2020012450A3. Автор: Travis George BULFORD,Konstantinos TZINGAKIS. Владелец: Celestial Electronic Entertainment (Pty) Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: WO2019072692A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2019-04-18.

Electronic device and screen display method of electronic device

Номер патента: US20210132790A1. Автор: Daehyun Kim,Soyoung KIM,Geon-soo Kim,Minsik Kim,Hyun-Suk Choi,Ji-Woo LEE,Jongmoo Lee,Jin-Wan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Electronic device and operation control method of electronic device

Номер патента: US20190156746A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Seung-jae Lee,Young-Do Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20190285171A1. Автор: Kohei Sakai,Norihiro Akiyoshi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US11781420B2. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: Chengdu Univeristy of Technology. Дата публикации: 2023-10-10.

Display device and image display method of multi-monitor system

Номер патента: US20210407374A1. Автор: Daisuke Moriwaki. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: US20170293909A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Flexible display device and deformation compensation method of flexible display screen

Номер патента: US20190302848A1. Автор: WEN Han,Rong MA. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Read/write device, and format management method of read/write device

Номер патента: US20060047898A1. Автор: Hitoshi Ogawa,Terumi Takashi,Yoshiteru Ishida. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-03-02.

Electronic Devices and Corresponding Hybrid Methods of Low Light Image Enhancement

Номер патента: US20230036222A1. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US20220307367A1. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230400577A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Data Driving Device and Panel Driving Method of Data Driving Device

Номер патента: US20220189374A1. Автор: Hyun Woo Jeong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Electronic device and copyright protection method of audio data thereof

Номер патента: US9196259B2. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: EP3440610A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-13.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Image processing device and image processing method of generating layout including multiple images

Номер патента: US20240202868A1. Автор: Chia-Wei Hsiao. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory controller, a storage device, and an operating method of the storage device

Номер патента: US20240069790A1. Автор: Dongwoo Shin,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US10533660B2. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20180313446A1. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Geotextile cementing shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2632887C1. Автор: Виталий Васильевич Пронь,Сергей Михайлович Вострокнутов. Владелец: Сергей Михайлович Вострокнутов. Дата публикации: 2017-10-11.

High voltage semiconductor test system with multiple sites for use with a pick and place handler

Номер патента: US20220341989A1. Автор: Wei Jue Lim,Wenshui Zhang. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of convective clouds forming and convective clouds forming device

Номер патента: RU2648378C1. Автор: Владимир Николаевич Иванов,Алексей Алексеевич Палей,Александр Васильевич Тертышников,Марина Алексеевна Васильева,Юрий Владимирович Писанко,Надежда Вячеславовна Жохова,Николай Петрович Романов,Анатолий Викторович Савченко,Артём Игоревич Федоренко,Алексей Геннадиевич Шилин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственное объединение "Тайфун". Дата публикации: 2018-03-26.

Device and method for manufacturing of water reflector on hardening concrete roof tiling

Номер патента: RU2390411C2. Автор: Петер СРОСТЛИК,Гюнтер ВАЙСС. Владелец: Лафарж Руфинг Текникал Сентерс Гмбх. Дата публикации: 2010-05-27.

Phase-changeable memory device and read method thereof

Номер патента: US20070133271A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho,Yu-Hwan Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of manufacturing optical device having array of reflective units on optical element surfaces

Номер патента: US12013540B2. Автор: Jeong Hun Ha. Владелец: LetinAR Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Circuitry and method for generating a discrete-time high voltage

Номер патента: US20170146364A1. Автор: Lasse Aaltonen. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Registration device, processing machine and method of arrangement of sheet elements

Номер патента: RU2700093C1. Автор: Марко КАРДИЛЛО. Владелец: Бобст Мекс Са. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

An air quality monitoring device and associated method of manufacturing

Номер патента: EP4332568A1. Автор: Rahul AVASTHI. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Device and method of washing cylinder head channels

Номер патента: RU2692354C1. Автор: Дэминь ЦЗОУ,Цзябинь ТАНЬ. Владелец: Гуанси Юйчай Машинери Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-24.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20070025814A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Electronic device and vehicle control method of electronic device, server and method for providing precise map data of server

Номер патента: US12045064B2. Автор: Aron Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: EP4240279A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-09-13.

Device and method for suppressing hydrocarbon-discharge for vehicle

Номер патента: EP1223324A3. Автор: Makoto c/oToyota Jidosha K.K. Yamazaki,Takashi c/oToyota Jidosha K.K. Suzuki,Masaki c/oToyota Jidosha K.K. Kusada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: US20240060039A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-02-22.

Simulation device and method for studying the influence of wetland plant litter decomposition on water quality

Номер патента: US20190234927A1. Автор: Wei Li,XU Pan,Lijuan CUI,Manyin ZHANG,Ziliang Guo,Changjun Gao,Yinuo ZHU,Yunmei PING. Владелец: Research Institute Of Forestry New Technology Chi. Дата публикации: 2019-08-01.

Apparatus and method capable of removing duplication write of data in memory

Номер патента: US10460774B2. Автор: Dong-Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426397A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Martin Vitt,Stefan Alt. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426393A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Tim GLÄSSER,Peter Nober,Martin Vitt,Stefan Alt,Stephan MÜCKE. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US20210278718A1. Автор: Bin Peng,Zhijun Xu,Yongan FENG,Daoping YU,Chengming WEI. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Temperature control device, system comprising a temperature control device, and method of changing an operating state of an electronic component

Номер патента: US20240183565A1. Автор: Lars Zimmermann,Simon Struck-Süßmeier. Владелец: Truma Qeraetechnik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Safety support device and method of using

Номер патента: US6905174B1. Автор: Lanny R. Gilbertson,Marcine L. Gilbertson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-14.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426390A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Martin Vitt,Stefan Alt. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Drug delivery device and method for operating a drug delivery device

Номер патента: US20240269390A1. Автор: Oliver Charles Gazeley,Prasannah Nanayakkara,Matthew Meredith Jones. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Wearable biosignal interface and method thereof

Номер патента: US20190171288A1. Автор: Seung Keun Yoon,Chang Mok Choi,Sang Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

High-voltage CMOS latch for non-volatile memory and method therefor

Номер патента: TW200805383A. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Quality control system and method for manufactured parts

Номер патента: EP2480383A1. Автор: Ramon Casanelles,Francesc CORTÉS GRAU. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-08-01.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Radiation detector, method and apparatus of manufacturing the same, scintillator panel and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Hiroshi Horiuchi,Atsuya Yoshida. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517B1. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2022-07-22.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517A. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2021-05-18.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240249671A1. Автор: Changhun KIM,Deukgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Pointer driving motor unit, electronic device, and control method of pointer driving motor unit

Номер патента: US20170192394A1. Автор: Kazuhiro Koyama. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240232640A9. Автор: Byungsoo Oh,Taegeon UM,Minhyeok KWEUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage device and data management method of storage device

Номер патента: US20180357158A1. Автор: Takayuki Okinaga,Shuichiro Azuma,Kazuki Makuni,Yu NAKASE. Владелец: BUFFALO INC. Дата публикации: 2018-12-13.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240135189A1. Автор: Byungsoo Oh,Taegeon UM,Minhyeok KWEUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Driving device and driving method of amoled

Номер патента: US20160343296A1. Автор: Zhenling Wang,Taijiun HWANG,Pingsheng KUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Foldable display device and driving method of foldable display device

Номер патента: US20240265840A1. Автор: Guang Wang,Yajun Hei,Zhihua Yu. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Touch panel, display device and manufacturing method of touch panel

Номер патента: US20190377450A1. Автор: Lei Zhang,Jiawei XU,Tsung Chieh KUO,Xiaoyue HE,Qingpu Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of forming fuel-air mixture for internal combustion engine

Номер патента: RU2626190C1. Автор: Александр Васильевич Шаталов. Владелец: Александр Васильевич Шаталов. Дата публикации: 2017-07-24.

High-voltage distribution line fault acquisition device and method

Номер патента: CN108761276B. Автор: 徐肖伟,范黎涛,伏箭文. Владелец: Electric Power Research Institute of Yunnan Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

A kind of high voltage isolator mechanical fault diagnosis device and method

Номер патента: CN110530625A. Автор: 周文,张静,程林,徐惠,张素香,江翼,于春来,黄勤清,梁建权. Владелец: Wuhan NARI Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

A kind of open side type high voltage isolator condition line monitoring device and method

Номер патента: CN107783034A. Автор: 刘明辉,申成兵,常景,叶志祥,姜洪东,唐喜,阴孟涛,欧阳吉秋,王豫川,张连聪. Владелец: Baoshan Power Supply Bureau of Yunnan Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-09.

Image enhancement device and image enhancement method of thermal printer

Номер патента: EP1559561A3. Автор: Keiki Yamada,Ichiro Furuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Drive circuit of display panel, display device, and drive method of display panel

Номер патента: US20240194157A1. Автор: Seiichiro Jinta,Takuya Naruta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Display device and display method of display device

Номер патента: US20240219746A1. Автор: Guowei Zha,Fancheng LIU,Yunni CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Beverage dispenser with an identification device and an operating method thereof

Номер патента: US11980317B2. Автор: Changhai Yu,Marko UNGER,Waihang LOUIE,Kwokwai WONG. Владелец: Sandora Household Electric Appliances Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240233788A9. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Intelligent synthesis device and synthesis method of silver nanowires

Номер патента: LU504740B1. Автор: Wei Zhao. Владелец: Nanjing Vocational College Of Information Tech. Дата публикации: 2024-01-15.

Touch panel, display device and attaching method of glass cover

Номер патента: US20240152224A1. Автор: Mingjun Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Multicolor display optical composition, optical device, and display method of optical device

Номер патента: US7746542B2. Автор: Daisuke Nakayama,Ryojiro Akashi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

Backlight module, display device and assembling method thereof

Номер патента: US20210026058A1. Автор: Xiang Li,Yang Shi. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Terrace detection device and use method of terrace detection device

Номер патента: US20230204758A1. Автор: WEI Hu,BO LIU,Jie Wang,Hao Zhou,Xiao Zong,Wenlong Feng,Siqiao LI. Владелец: Suzhou Fangshi Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Driving circuit of display device, display device and driving control method of display device

Номер патента: US20060061522A1. Автор: Eiichi Urushibata. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Oxidized catalytic granular bed filter device and preparation method of catalytic oxidation particles thereof

Номер патента: LU503452B1. Автор: Chunyan Diao. Владелец: Univ Guizhou Minzu. Дата публикации: 2023-08-08.

Composition, cured film, structural body, optical filter, solid-state imaging element, image display device, and manufacturing method of cured film

Номер патента: US20240199854A1. Автор: Daisuke Kashiwagi,Takashi Kawashima,Keiji Yamamoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and block management method of the same

Номер патента: US8127071B2. Автор: Min-Young Kim,Su-Ryun LEE,Song-ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-28.

Mainboard device and update method of basic input-output system thereof

Номер патента: US20240143053A1. Автор: Keng Hao HSU,Che Min Liao. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus having an input device and a display, method of controlling apparatus and computer-readable recording medium

Номер патента: US20080203315A1. Автор: Koichiro Kasama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Display module, display device, and preparation method of display device

Номер патента: US20240241550A1. Автор: Zhiwei Wang. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Gamma voltage generator, display device, and driving method of display pannel

Номер патента: US20240282239A1. Автор: Haijiang YUAN,Mancheng ZHOU. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Horn fixing device and horn fixing method of secondary battery tap ultrasonic welding device

Номер патента: US20240139888A1. Автор: Jong Sung Kim,Kang Ho Ko. Владелец: MPLUS CORP. Дата публикации: 2024-05-02.

Display device and control method of display device

Номер патента: US20230404532A1. Автор: Riko Koshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Display device and control method for display device

Номер патента: EP4306060A1. Автор: Riko Koshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US12094076B2. Автор: Minsoo Kim,Jeonghyun Kim,Junkeun Yoon,Kideok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Gamma voltage generator, display device, and driving method of display panel

Номер патента: US12112684B2. Автор: Haijiang YUAN,Mancheng ZHOU. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Display device and preparation method thereof

Номер патента: US20220137453A1. Автор: Guangcai Yuan,Chengtan Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

High voltage detector of semiconductor device

Номер патента: KR100792440B1. Автор: 권태휘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-10.

High voltage controller for semiconductor device

Номер патента: US6876246B2. Автор: Yong-Ki Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-05.

On-chip high voltage generator of semiconductor device

Номер патента: KR950014253B1. Автор: 김영희. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-11-23.

Electronic device, and voice recognition method of electronic device

Номер патента: EP4394762A1. Автор: Kyungtae Kim,Jungin LEE,Taewoo Lee,Gajin SONG,Seokyeong JUNG,Hoseon SHIN,Gilho LEE,Yeona HONG,Minseok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Abnormality determination device and abnormality determination method of lock up clutch

Номер патента: US20190293174A1. Автор: Yoshitaka Takahashi. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Abnormality determination device and abnormality determination method of lock up clutch

Номер патента: US10690242B2. Автор: Yoshitaka Takahashi. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Engineered t cells conditionally expressing a recombinant receptor, related polynucleotides and methods

Номер патента: US20240216508A1. Автор: Lothar Germeroth,Christian STEMBERGER,Mateusz Pawel POLTORAK. Владелец: Juno Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Device including input/output circuit, a system including the device, and an operating method of the system

Номер патента: US20240212726A1. Автор: Jungmin Seo,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic disk device and automatic adaptation method of its parameter

Номер патента: US20010013986A1. Автор: Reijiro Tsuchiya,Tetsuya Makiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Electronic device and attack detection method of electronic device

Номер патента: US12086240B2. Автор: Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Control device and correcting method of control device with strength feedback function

Номер патента: US12115445B2. Автор: Lun-Kang LIN,I-Han Tai. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit structure, electronic device, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240361353A1. Автор: Kuang-Ming FAN,Ju-Li WANG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

AUTOMATIC INSTALLATION SYSTEM OF HIGH VOLTAGE BATTERY FOR ELECTRIC VEHICLE, DEVICE THEREOF, AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20200009956A1. Автор: KIM Seong Woo,KIM Yong Cheol,KANG Tae Joon. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Automatic installation system of high voltage battery for electric vehicle, device thereof, and method thereof

Номер патента: US20160325611A1. Автор: Seong Woo Kim,Yong Cheol Kim,Tae Joon KANG. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

High voltage power supply circuit control device and control method, and vehicle equipped with the control device

Номер патента: JP4803244B2. Автор: 芳和 大野. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-10-26.

A kind of high voltage frequency converter power self-checking circuit and method

Номер патента: CN106950422A. Автор: 马超,曹东,杜宇峰,梁超辉. Владелец: Shenzhen Tongan German Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

A kind of high voltage frequency converter power self-checking circuit and method

Номер патента: CN106950422B. Автор: 马超,曹东,杜宇峰,梁超辉. Владелец: Shenzhen Tongan German Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-14.

High-voltage AC breaker arcing time measuring system and method

Номер патента: CN105954673B. Автор: 王国栋,严军,沈勇,陈晓宇,吕丹,金百荣,李电,蔡重凯,洪金琪,秋勇,夏嵘,施明明. Владелец: Shaoxing Power Supply Co of State Grid Zhejiang Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

A kind of vehicle-mounted extra-high voltage CVT verifications Z-type lifting gear and method

Номер патента: CN105467350B. Автор: 刘涛,张晓东,杨剑,郑磊,徐灿,李骁,王春晖,王运全,岳巍,张仲耀,陈子鉴,谭业奎,张长骁,周瑞文,王毓琦,曲效武. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Shandong Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-07.

High-voltage insulator leakage current online monitoring system and method

Номер патента: CN115144790B. Автор: 赵云鹏,胡玉耀,迟明辰,韩飞燕. Владелец: Shandong University of Technology. Дата публикации: 2022-11-18.

Controller high-voltage interlocking detection method and device and controller

Номер патента: CN114252812A. Автор: 陈建明,刘文斌,马小利,刘伟良,时威振. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Thermal insulation shelf used for special (ultra) high voltage electric reactor mounting in alpine region and constructing method of thermal insulation shelf

Номер патента: CN105909005A. Автор: 刘博�,王猛,肖峰,何青,王天宇,赵海森,刘长根,李玉民,张亚鹏,阎国增,毛泽亮,许瑜,卞秀杰,李国满,侯纪勇,葛江北. Владелец: Qinhuangdao Zeheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

Drive circuit for MEMS device and method of operation thereof

Номер патента: US6781743B2. Автор: Marek M. Furyk,Khanh C. Nguyen,Andrew P. Sabol,Xiaoqing Yin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Drive circuit for mems device and method of operation thereof

Номер патента: US20040070812A1. Автор: Khanh Nguyen,Marek FURYK,Xiaoqing Yin,Andrew Sabol. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Cylinder discrimination device and cylinder discrimination method of engine

Номер патента: EP1128047A3. Автор: Noriaki Shimizu,Hirokazu c/o Unisia Jecs Corporation Shimizu. Владелец: Unisia Jecs Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Press device with an extended nip, a paper making machine and a method of operating a press device

Номер патента: US20140000829A1. Автор: Karl-Johan Tolfsson,Mats Görrel. Владелец: METSO PAPER SWEDEN AB. Дата публикации: 2014-01-02.

Feedback control device and feedback control method of air-fuel ratio in internal combustion engine

Номер патента: US20010025635A1. Автор: Koji Takahashi,Shigeo Ohkuma. Владелец: Unisia Jecs Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Exhaust purification device and exhaust purification method of internal combustion engine

Номер патента: EP1671016A1. Автор: Kohei; c/o Toyota Jidosha K. K. YOSHIDA,Shinya; c/o Toyota Jidosha K. K. HIROTA,Takamitsu; c/o Toyota Jidosha K. K. ASANUMA,Yasuaki; c/o Toyota Jidosha K. K. NAKANO,Shunsuke; c/o Toyota Jidosha K. K. TOSHIOKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Thigh-only deep vein thrombosis device and double pulsation method of using device

Номер патента: EP3866746A1. Автор: Michael David Newton,Lisa Maria Paige,John Rhys MORRIS. Владелец: Arjo IP Holding AB. Дата публикации: 2021-08-25.

Carrying device and fixing method of carrying device

Номер патента: US20210404522A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Preference-based management interface for use of portable device applications and associated method of use thereof

Номер патента: US9715582B2. Автор: Saeed Golnabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-25.

A press device with an extended nip, a paper making machine and a method of operating a press device

Номер патента: EP2675949A1. Автор: Karl-Johan Tolfsson,Mats Görrel. Владелец: METSO PAPER SWEDEN AB. Дата публикации: 2013-12-25.

Electronic device and fingerprint recognition method of same

Номер патента: US12080096B2. Автор: Jeonghoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Game device and storage medium

Номер патента: US20240265785A1. Автор: Yuri OKAMOTO,Daisuke Sakamoto,Atsushi Yashiki,Erika Yasuda,Asaki MURAKAMI. Владелец: Bandai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Photocurable devices and additive manufacturing methods of making the same

Номер патента: US20240226392A1. Автор: Scott J. Hollister,Sriharsha RAMARAJU,Ryan Akman. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Preference-based management interface for use of portable device applications and associated method of use thereof

Номер патента: US20150332061A1. Автор: Saeed Golnabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-19.

High-voltage circuitbreaker fault detection method, device and electronic equipment

Номер патента: CN110161404A. Автор: 王胜,王景娟,吕永学,赵长亮,曾卫民,张丙龙,吴耀春,郑泰,王和兵,秦登平,孟志铎. Владелец: Shougang Jingtang United Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-23.

A kind of high-voltage large-capacity impedance measurement device and its disturbance control method

Номер патента: CN109521276A. Автор: 王衡,谢露,罗安,郭小龙,陈燕东,伍文华,谢志为,彭上,骆坚. Владелец: National Network Xinjiang Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Method of manufacturing optical device

Номер патента: US20230251493A1. Автор: Jeong Hun Ha. Владелец: LetinAR Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Display Device and Driving Method Thereof

Номер патента: US20230206824A1. Автор: Tae Gung Kim,Dae Sung Park,Jae Yeong Go. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Display device and driving method thereof

Номер патента: US11741891B2. Автор: Tae Gung Kim,Dae Sung Park,Jae Yeong Go. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Transmission device and state monitoring method of transmission structure thereof

Номер патента: US20230221172A1. Автор: Cheng-Ping Yang,Li-Te HUANG,Chih-Hsuang HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry

Номер патента: WO2006091783A1. Автор: Chris Raymond,Steve Hummel. Владелец: Accent Optical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-08-31.

Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry

Номер патента: US7615752B2. Автор: Chris Raymond,Steve Hummel. Владелец: Nanometrics Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry

Номер патента: US20060289789A1. Автор: Chris Raymond,Steve Hummel,Sean Liu. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

Air quality monitoring device and associated method of manufacturing

Номер патента: US20240068684A1. Автор: Rahul AVASTHI. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: AU2493500A. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Donald J. Lobley,Salim Tharani,Edward S. Robins III. Владелец: TECHNOLOGYEVALUATION COM TEC. Дата публикации: 2000-08-07.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: WO2000043935A8. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Salim Tharani,Donald J Lobley,Edward S Robins. Владелец: Edward S Robins. Дата публикации: 2002-03-14.

Input device for applying to a touch display device and signal transmitting method of the input device relative to a touch display device

Номер патента: US20200142535A1. Автор: Kun-Lin Hsieh,Jyun-Yu Chen. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Projection device and control method thereof

Номер патента: US20240310703A1. Автор: Fan-Chieh Chang,Chen-Yi Hong,I-Ting Liao. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Temperature sensing device and calibration method thereof

Номер патента: US20240344901A1. Автор: Ting-Hao Wang,Pei-Ju Lin,Jun-Wan Wu. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110C. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-05.

Disc brake backing plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2262214A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Ray Arbesman. Дата публикации: 2000-08-18.

Plate-shaped peeling member and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CN1621962A. Автор: 福泽觉,广濑和夫,大桥正明,大田幸生. Владелец: Shiizu K K. Дата публикации: 2005-06-01.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-08-18.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20040240937A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Fluid supply device and fluid supply method of fluid coupling

Номер патента: EP1937997A1. Автор: Kazuaki Nakamura,Kazuyuki Watanabe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

A fall arrester and methods of installing and manufacturing same

Номер патента: NZ606130A. Автор: Peter Selwyn Brown. Владелец: SAFE BUILD Ltd. Дата публикации: 2014-09-26.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI281727B. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-05-21.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

High-voltage metal-oxide-semiconductor transistor devices and method of making the same

Номер патента: TWI285405B. Автор: Yu-Hsien Lin,Wei-Lun Hsu,Wen-Fang Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-11.

High-voltage metal-oxide-semiconductor transistor devices and method of making the same

Номер патента: TW200642000A. Автор: Yu-Hsien Lin,Wei-Lun Hsu,Wen-Fang Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-12-01.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE ASSOCIATED METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20140015017A1. Автор: ZHANG LEI,Yoo Ji-Hyoung. Владелец: Monolithic Power Systems, Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of determining remaining switching life of high-voltage switch

Номер патента: RU2489726C1. Автор: Геннадий Петрович Муссонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "ИрГТУ"). Дата публикации: 2013-08-10.

Method of high-voltage breakers characteristics control and device for its implementation

Номер патента: RU2330302C1. Автор: Виктор Митрофанович Шевцов,Юрий Алексеевич Федоров,Георгий Михайлович Михеев. Владелец: Георгий Михайлович Михеев. Дата публикации: 2008-07-27.

HIGH VOLTAGE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120092808A1. Автор: Kim Kyle Yun-Su,Kamath Hundi Panduranga. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

New or improved compostion of matter to form a buliding material and method and process of manufacturing same

Номер патента: AU785018A. Автор: Edward Todren Francis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1919-06-03.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU401551A. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU155352B2. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-voltage cable for interior of electric automobile and manufacturing method of high-voltage cable

Номер патента: CN104376903A. Автор: 刘洋,孙建宇,刘焱鑫,李玉凯,杨林涛,陈波翰,李金顶,张照阳. Владелец: Zhongli Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

ULTRASONIC SENSOR MODULE ATTACHING DEVICE AND ATTACHING METHOD

Номер патента: US20120000302A1. Автор: Inoue Satoru,MATSUMOTO Toru,Nishimoto Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display device and display method

Номер патента: US20120001877A1. Автор: Morii Hideki,Yanagi Toshihiro,Miyata Hidekazu. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of ice jam elimination

Номер патента: RU2338838C2. Автор: Виктор Михайлович Козин,Михаил Сергеевич Смурыгин,Александр Александрович Тиринчук,Виктор Михайлович Козин (RU),Михаил Сергеевич Смурыгин (RU),Александр Александрович Тиринчук (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Комсомольский-на-Амуре государственный педагогический университет" (ГОУ ВПО "КнАГПУ"). Дата публикации: 2008-11-20.

High-voltage electric energy meter amendment box, high voltage electric energy amplitude correction detecting system and method

Номер патента: CN104950281B. Автор: 郑奋勇,叶有福,呙振飞. Владелец: Lonsdaleite Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Light source device and holding device, method of manufacture and backlight module and display using the same

Номер патента: TWI323372B. Автор: Chen Pin Hung,Hung Sheng Hsieh. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2010-04-11.

Method of heating cathode and igniting arc discharge with metal wire between electrodes

Номер патента: RU2388192C2. Автор: Борис Николаевич Швилкин,Наталия Аркадьевна Мискинова,Рунар Николаевич Кузьмин. Владелец: Борис Николаевич Швилкин. Дата публикации: 2010-04-27.

Method of producing norbornene-substituted cyclopropane fullerene derivatives and polymers based thereon

Номер патента: RU2579148C1. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Раиса Зигандаровна Биглова,Юлия Николаевна Биглова,Мансур Сагарьярович Мифтахов,Владимир Владимирович Михеев,Седа Арамовна Торосян,Вадим Венерович Загитов,Фануза Арслановна Гималова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

Semiconductor device having thin film transistor & method of manufacturing the same

Номер патента: KR960012578B1. Автор: Bong-Kyun Choe. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-23.

HIGH VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130049114A1. Автор: Wu Te-Yuan,Wang Chih-Chung,Hsu Wei-Lun,Lin Ke-Feng,Huang Shan-Shi. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Grounding device of modular multi-level voltage source converter based high voltage direct current (VSC-HVDC) system and a design method of grounding device

Номер патента: CN103050966A. Автор: 杨杰,王海田,马巍巍,季兰兰,李泓志. Владелец: Shanghai Municipal Electric Power Co. Дата публикации: 2013-04-17.

Resin compositions for forming high voltage protection members, semiconductor devices and electronic components

Номер патента: JP6759575B2. Автор: 昌弘 北村,楠木　淳也,淳也 楠木,北村　昌弘,亜耶 中元. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

High-voltage electric energy direct metering device and method with double-channel data redundancy

Номер патента: CN103941082B. Автор: 侯铁信,卜正良. Владелец: Wuhan Guoce Hengtong Intelligent Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

A kind of high-voltage pulse power source parameterizes device and method

Номер патента: CN107565933A. Автор: 张军,张小宁,屠震涛,孙岳. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2018-01-09.

High-voltage electronic pulse track acquisition device and method

Номер патента: CN105629043A. Автор: 刘秋丽. Владелец: Shaanxi Gaohua Zhiben Chemical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

HIGH-VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168862A1. Автор: YANG Ming-Tzong,LEE Ming-Cheng,Cheng Tao. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW ON-STATE RESISTANCE

Номер патента: US20120267716A1. Автор: KAO Ching-Hung,Yang Sheng-Hsiong. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of hitting of ground targets

Номер патента: RU2146350C1. Автор: Б.П. Таланов. Владелец: Таланов Борис Петрович. Дата публикации: 2000-03-10.

Current source for test of high voltage direct current transmission commutation valve and synthesis test method of current source

Номер патента: CN102023242A. Автор: 张建,姚为正,常忠廷,才利存,李申,何青连,马俊民,贾艳玲. Владелец: Xuji Group Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Asymmetric high voltage metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW515048B. Автор: Earic Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-21.

High voltage metal oxide semiconductor device with low on-state resistance

Номер патента: TW201244086A. Автор: Ching-Hung Kao,Sheng-Hsiong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE TRANSDUCERS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20130043481A1. Автор: Schubert Martin F.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

Electric automobile high-voltage electrical malfunction dynamic simulation test system and method

Номер патента: CN103033704B. Автор: 程伟,陈诚,刘奋,干频,梁伟铭,任纪良,曹建荣,黄晨东,赖序年,柯小军. Владелец: SAIC Motor Corp Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

A kind of 35kV high-voltage parallel capacitor on-line monitoring system and method

Номер патента: CN103592554B. Автор: 刘振东,叶波,田猛,王先培,朱国威,龙嘉川,代荡荡,严裕程. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2016-01-27.

Silicon rubber composition with high-voltage electric corrosion resistance for composite insulator and preparation method of silicon rubber composition

Номер патента: CN104845378A. Автор: 李飞,陈新,张翀,郑浩,汪滔,操松元,肖雨,曹炯. Владелец: Ningbo Power Supply Co of State Grid Zhejiang Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

High-voltage shunt power capacitor operational monitoring system and method

Номер патента: CN103823144B. Автор: 郭成,阴艳超. Владелец: Yunnan Power Grid Corp Technology Branch. Дата публикации: 2017-05-17.

Medium and high-voltage cable for moving petrochemical device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102751013A. Автор: 李永江,陆云春. Владелец: Jiangsu Yuanyang Dongze Cable Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

High-voltage switch equipment and dynamic online comprehensive detection control method of insulation level thereof

Номер патента: CN102324705A. Автор: 杨柳,金苇. Владелец: WUHU MINGYUAN ELECTRICAL EQUIPMENT MANUFACTURE CO Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

WAFER LEVEL PACKAGES OF HIGH VOLTAGE UNITS FOR IMPLANTABLE MEDICAL DEVICES AND CORRESPONDING FABRICATION METHODS

Номер патента: US20130334680A1. Автор: Boone Mark R.,Askarinya Mohsen,Crutchfield Randolph E.,Herrmann Erik J.,Ricotta Mark S.,Wang Lejun. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

High voltage intelligent electricity larceny prevention device and electricity larceny prevention application system

Номер патента: CN203350315U. Автор: 王秀林,朱江,杨德华,许伟鹏,梁金佑,欧坚,莫国延,苏子用,许任阳. Владелец: Zhuhai Runke Electric Power Equipment Co ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Halogen lamp high-voltage excitation device, halogen lamp device and illumination environment box

Номер патента: CN213280155U. Автор: 曹慧军. Владелец: Suzhou Novtec Measurement And Control Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

High voltage generation circuit, memory driving device and memory device using the same

Номер патента: JP5384010B2. Автор: 秀樹 西山,昭博 奥井. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-01-08.

A kind of SF of high voltage electric equipment 6gas controlling device and system

Номер патента: CN204228685U. Автор: 金海勇. Владелец: Shanghai Roye Electric Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

High voltage test mechanism for chip device and test method thereof

Номер патента: TW200736640A. Автор: Hsien-Wu Chan,Kao-Hsien Chou. Владелец: Chipcera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-01.

Semiconductor Device Including Graphene And Method Of Manufacturing The Semiconductor Device

Номер патента: US20120112250A1. Автор: Lee Jae-Ho,LEE Sung-Hoon,Chung Hyun-jong,Heo Jin-seong,Yang Hee-jun,Seo Sun-ae,SHIN Hyung-Cheol,Lee Jae-Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130221531A1. Автор: YANG Hyun Jo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

Heat exchange coil and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU526261A. Автор: Gondek and William O. Mueller Stanley. Владелец: Bundy Tubing Co. Дата публикации: 1963-05-02.

An Improved Safety Explosive, and Method or Process of Manufacturing the same.

Номер патента: GB189319931A. Автор: Wilbraham Evelyn-Liardet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1893-12-02.

Bathing pad and method and device of manufacture

Номер патента: IL94569A0. Автор: . Владелец: Amos Shefi. Дата публикации: 1991-03-10.

LOW IGNITION PROPENSITY WRAPPING PAPER AND METHOD AND MACHINE OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120231288A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

Light Guide Plate, and Method and Apparatus of Manufacturing Same

Номер патента: US20130004726A1. Автор: PARK Doo Jin,PARK Ji Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

New or improved composition of matter for use in lieu of leather or for other suitable purposes and method or process of manufacturing same

Номер патента: AU560217A. Автор: Stocks William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1918-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120281490A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120313172A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR POWER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130134505A1. Автор: Kobayashi Hitoshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-05-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CAPACITORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130207232A1. Автор: JIN Hyung Ju. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: JP3195548B2. Автор: 秀基 石井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-06.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.