Low temperature method of forming a gate stack with a high k layer deposited over an interfacial oxide layer
Номер патента: US6806145B2
Опубликовано: 19-10-2004
Автор(ы): Christophe Pomarede, Eric Shero, Jan Willem Hub Maes, Marko Tuominen, Suvi Haukka
Принадлежит: ASM International NV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-10-2004
Автор(ы): Christophe Pomarede, Eric Shero, Jan Willem Hub Maes, Marko Tuominen, Suvi Haukka
Принадлежит: ASM International NV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming spacers for a gate of a transistor
Номер патента: US09780191B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-03.