METHOD FOR FORMING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL DEVICE WITH A LOW POWER LOGIC DEVICE
Номер патента: US20160365350A1
Опубликовано: 15-12-2016
Автор(ы): CHUANG Harry-Hak-Lay, Liu Shih-Chang, Wu Chang-Ming
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-12-2016
Автор(ы): CHUANG Harry-Hak-Lay, Liu Shih-Chang, Wu Chang-Ming
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming a split-gate device
Номер патента: US09472418B2. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.