Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Contact formation for split gate flash memory

Номер патента: US9390927B2
Опубликовано: 12-07-2016
Автор(ы): Chin-Yi Huang, Harry-Hak-Lay Chuang, Wei-Cheng Wu, Ya-Chen Kao
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Flash memory devices

Номер патента: US09799664B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates

Номер патента: US10249631B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20170125429A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Methods and structures for a split gate memory cell structure

Номер патента: US09590058B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of making a split gate non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Apparatus and method for rounded ONO formation in a flash memory device

Номер патента: US09564331B2. Автор: Di Li,Shenqing Fang,Tim Thurgate,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US09653471B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US09741868B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Asymmetric formation approach for a floating gate of a split gate flash memory structure

Номер патента: US09691883B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Split-gate flash cell with composite control gate and method for forming the same

Номер патента: US20150228738A1. Автор: Wen-Bin Tsai,Hsin-I Li,Kin Fung Lam. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Split-gate lateral extended drain MOS transistor structure and process

Номер патента: US09905428B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Alexei Sadovnikov,Andrew D Strachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Split-gate non-volatile memory (NVM) cell and method therefor

Номер патента: US09728410B2. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Split-gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20160099153A1. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-07.

Split Gate Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20150236030A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US09634105B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

一种Split Gate结构、Power MOS器件及制作方法

Номер патента: CN113497122. Автор: 郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Split Gate structure, Power MOS device and manufacturing method

Номер патента: CN113497122A. Автор: 郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: US09960242B2. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: EP3449501A1. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Integrierter schaltkreis mit einer oder einem paar von split-gate-flash-speicherzellen und verfahren zum bilden einer split-gate-speichervorrichtung

Номер патента: DE102016100018B4. Автор: Wei Cheng Wu,Jui-Tsung Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory gate first approach to forming a split gate flash memory cell device

Номер патента: US9257571B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Interdigitated capacitor in split-gate flash technology

Номер патента: US09691780B2. Автор: Wan-Chen Chen,Yu-Hsiung Wang,Han-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US8921917B2. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-12-30.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09589833B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Charge trapping split gate embedded flash memory and associated methods

Номер патента: US09922833B2. Автор: Yu Sun,Unsoon Kim,Calvin Gabriel,Chun Chen,Sameer Haddad,Kuo Tung CHANG,Mark Ramsbey,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20170069501A1. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US9831087B2. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09484351B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170040429A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

High coupling ratio split gate memory cell

Номер патента: US20190057970A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-21.

Planar split-gate high-performance mosfet structure and manufacturing method

Номер патента: WO2007143130A3. Автор: Francois Hebert,Anup Bhalla,Daniel S Ng. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-05-02.

Flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660106B2. Автор: Weichang Liu,Zhen Chen,Yuan-Hsiang Chang,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Floating gate flash cell with extended floating gate

Номер патента: US20150228741A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Split-gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230065526A1. Автор: Bing Wu,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09935119B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US20170062586A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US09673299B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: WO2016111796A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

An improved split gate non-volatile flash memory cell having a floating gate, control gate, select gate and an erase gate with an overhang over the floating gate, array and method of manufacturing

Номер патента: TW200917495A. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09799746B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Contact formation for semiconductor device

Номер патента: US9362279B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Kwan-Yong Lim,Andy Wei,Ryan Ryoung-Han Kim,William James Taylor. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for tuning metal gate work function before contact formation in fin-shaped field effect transistor manufacturing process

Номер патента: US9576803B2. Автор: Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun Tzu Chang,Fang-Yi Liu,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for fabricating split-gate non-volatile memory

Номер патента: US20200251481A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Use of a placeholder for backside contact formation for transistor arrangements

Номер патента: EP3993062A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Flash memory cell

Номер патента: US09978758B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Split-gate mosfet with gate shield

Номер патента: US20220165863A1. Автор: David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Jason Appell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: WO2015017495A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: EP3243219A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: EP3371829A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: WO2016111742A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297B1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293616A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536890B2. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3459104A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: US09461060B1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Split gate flash memory cells with a trench-formed select gate

Номер патента: US20220093765A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150069490A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of making the selection gate in a split-gate flash EEPROM cell its and structure

Номер патента: US20050026368A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chrong-Jung Lin,Jack Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Split-gate Flash Speicherelementeanordnung und Methode zum Löschen derselben

Номер патента: EP1148556A3. Автор: Michael Frey,Holger Dr. Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2008-02-27.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device

Номер патента: US09570458B2. Автор: Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Jean Wu,Sung-Yong Chung. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of split gate trench device

Номер патента: US20240128343A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods for splitting semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US10325809B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Martin Faccinelli. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-18.

Structures of and methods of fabricating split gate MIS devices

Номер патента: US09425305B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Chanho Park. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Split-gate MOSFET

Номер патента: US9812564B1. Автор: Hung-Wen Chou,Chih-Cheng Liu,Jiong-Guang Su. Владелец: SILICONGEAR Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4300550A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Split gate trench device

Номер патента: US20240128344A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method to manufacture split gate with high density plasma oxide layer as inter-polysilicon insulation layer

Номер патента: US20100099230A1. Автор: Yu Wang,Francois Hebert,Hong Chang,Yingying Lou,Sung-Shan Tai,Mengyu Pan,Yong-Zhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Split gate power device and its method of fabrication

Номер патента: US20200273987A1. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Split gate power MOSFET and split gate power MOSFET manufacturing method

Номер патента: US11862695B2. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Split gate power mosfet and split gate power mosfet manufacturing method

Номер патента: US20240088247A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Split-gate trench mosfet

Номер патента: US20220320331A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,Tsung-Wei Pai,Yun-Pu Ku. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Split-Gate Trench MOSFET

Номер патента: US20230163211A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,Tsung-Wei Pai,Yun-Pu Ku. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Split-gate trench MOSFET

Номер патента: US11749750B2. Автор: Chiao-Shun Chuang,Tsung-Wei Pai,Yun-Pu Ku. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Flash memory device

Номер патента: US20090212344A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-08-27.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Double-implant nor flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100171161A1. Автор: Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Yung-Chung Lee. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

A split-gate p-channel flash memory cell with programming by band-to-band hot electron method

Номер патента: TWI256073B. Автор: Wen-Ting Chu,Chia-Dar Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-06-01.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Silicon-Metal Floating Gate And Method Of Making Same

Номер патента: US20150035040A1. Автор: Tkachev Yuri,KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng,Yoo Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Finfet-based split gate non-volatile flash memory with extended source line finfet, and method of fabrication

Номер патента: EP3891802B1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

一种Split Gate-IGBT结构及其制作方法

Номер патента: CN110600543. Автор: 陈思凡,蔡铭进,徐守一. Владелец: Xiamen Xinda Mao Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor contact formation system and method

Номер патента: US20090294969A1. Автор: Kouros Ghandehari,Wenmei Li,Angela T. Hui,Dawn Hopper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: US20240186178A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: WO2024118804A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Split gate cells for embedded flash memory

Номер патента: US09450057B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Charge trapping split gate device and method of fabricating same

Номер патента: US09966477B2. Автор: Mark T. Ramsbey,Unsoon Kim,Sameer S. Haddad,Chun Chen,Kuo Tung CHANG,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09893168B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09419129B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Vertical three-dimensional stack NOR flash memory

Номер патента: US12114495B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Split gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20140239372A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-28.

Flash memory devices and methods for fabricating flash memory devices

Номер патента: US20080093651A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Ok-Cheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09472645B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US10553596B2. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US09966380B1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Process for preventing misalignment in split-gate flash memory cell

Номер патента: US5940706A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell

Номер патента: US5872036A. Автор: Yau-Kae Sheu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Split gate flash memory cell with ballistic injection

Номер патента: US20080296652A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Space process to prevent the reverse tunneling in split gate flash

Номер патента: US20050184331A1. Автор: Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Yi-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20120168842A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20140027833A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-01-30.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20150084112A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20160126359A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Method of forming sharp beak of poly to improve erase speed in split-gate flash EEPROM

Номер патента: US5970371A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chuang-Ke Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

method for fabricating control gate of flash memory device

Номер патента: KR20020096469A. Автор: 박정수,양인권,양일호,길소학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662A. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

UTBB FDSOI split gate devices

Номер патента: US09978848B2. Автор: Akira Ito. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Flash memory structure with reduced dimension of gate structure

Номер патента: US20190074285A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Split-gate memory device and method for accessing the same

Номер патента: US5969383A. Автор: Ko-Min Chang,Kuo-Tung Chang,Wei-Ming Chen,Keith Forbes,Douglas R. Roberts. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-19.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Split gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030214864A1. Автор: Yong Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662B. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US7183160B2. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2007-02-27.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US20050087816A1. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: Universite de Provence Aix Marseille I. Дата публикации: 2005-04-28.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device

Номер патента: US09871050B1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Jan Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US11804269B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20220246218A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20230095392A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2012012691A3. Автор: Ramesh Sivarajan,Henning Richter,Viktor Vejins,Edwin C. Kan,Qianying Xu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2012012691A2. Автор: Ramesh Sivarajan,Henning Richter,Viktor Vejins,Edwin C. Kan,Qianying Xu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-26.

CMP fabrication solution for split gate memory embedded in HK-MG process

Номер патента: US09496276B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing split gate flash EEPROM

Номер патента: KR100607785B1. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for manufacturing split gate flash eeprom

Номер патента: KR20060079013A. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Reduced Size Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell And Method Of Making Same

Номер патента: US20170330949A1. Автор: Wang Chunming. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

SONOS Flash Memory

Номер патента: US20090273020A1. Автор: Gangning Wang,Haitao Jiang,Xinsheng Zhong,Jiangpeng Xue. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US9536969B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Apparatus of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a multi-split gate

Номер патента: US20180145139A1. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Johnatan A. Kantarovsky,David Mistele. Владелец: TowerJazz Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Self-aligned split gate eprom process

Номер патента: US4795719A. Автор: Boaz Eitan. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1989-01-03.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Flash memory structure using sidewall floating gate having one side thereof surrounded by control gate

Номер патента: US20010014501A1. Автор: Louis L. Hsu,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Split-gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US6709925B1. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US20160379988A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Split gate flash memory device with shrunken cell and source line array dimensions

Номер патента: US6538276B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Method for shrinking array dimensions of split gate flash memory device using multilayer etching to define cell and source line and device manufactured thereby

Номер патента: US20010015455A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Stack-gate flash cell structure having a high coupling ratio and its contactless flash memory arrays

Номер патента: US20040150032A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods and systems for erase biasing of split-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-24.

Method and apparatus for splitting semiconducor wafer

Номер патента: EP1422750B1. Автор: Yusuke Nagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Flash memory having a U-shaped charge storage layer

Номер патента: US09899402B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai,Te-Chang Tseng. Владелец: Im Solution Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Interdigitated capacitor to integrate with flash memory

Номер патента: US09590059B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Nanoparticles In a Flash Memory Using Chaperonin Proteins

Номер патента: US20080191265A1. Автор: Chuanbin Mao,Shan Tang,Sanjay Banerjee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2008-08-14.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Method to fabricate a flash memory cell with a planar stacked gate

Номер патента: US20010012661A1. Автор: Jong Chen,Hung-Der Su,Di-Son Kuo,Chong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-09.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Flash memory unit and memory array, and programming, erasing and reading method thereof

Номер патента: US09406685B2. Автор: HONG Jiang,Jian Hu,Jun Xiao,Weiran Kong,Guangjun Yang,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Source-coupling, split-gate, virtual ground flash EEPROM array

Номер патента: US5412238A. Автор: Ming-Bing Chang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Apparatus, system and method of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a split-gate structure

Номер патента: US20210399634A1. Автор: Erez Sarig. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20240250149A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Yung-Han Chiu,Shu-Ming Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20040041200A1. Автор: Sukyoon Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Integration techniques for MIM or MIP capacitors with flash memory and/or high-κ metal gate CMOS technology

Номер патента: US09570539B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Poly tip formation and self-align source process for split-gate flash cell

Номер патента: US6117733A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A4. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Memories having split-gate memory cells

Номер патента: US11955180B2. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Self-aligned flash memory device

Номер патента: US09978761B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Flash memory process with high voltage LDMOS embedded

Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Selfaligned process for a flash memory

Номер патента: US20040266105A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Process for a flash memory with high breakdown resistance between gate and contact

Номер патента: US6908814B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: WO2024226379A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and structure for ex-situ polymer stud grid array contact formation

Номер патента: WO2002080269A2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Siemens Dematic Electronics Assembly Systems, Inc.. Дата публикации: 2002-10-10.

Method and structure for ex-situ polymer stud grid array contact formation

Номер патента: WO2002080269A3. Автор: Leo M Higgins Iii. Владелец: Siemens Dematic Electronics As. Дата публикации: 2003-07-17.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174B. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174A. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Ferroelectric material-based three-dimensional flash memory, and manufacture thereof

Номер патента: US20220130863A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Wan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-04-28.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Divider and contact formation for memory cells

Номер патента: US20230354601A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Flash memory

Номер патента: US20090040823A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Simulator and simulating method for flash memory background

Номер патента: US09858366B2. Автор: Kuo-Yi Cheng,Yi-Hong Huang,Huang-Heng Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Single split-gate MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range

Номер патента: US5608243A. Автор: Min-Hwa Chi,Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Neuromorphic circuit including spike regulator based on flash memory

Номер патента: US20220156565A1. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Kyeong Seok Lee,Joon Young Kwak,Gyuweon Hwang,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-19.

AND type flash memory

Номер патента: US10790028B1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Anti-hacking mechanisms for flash memory device

Номер патента: EP4443517A2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Code modulation encoder and decoder, memory controller including them, and flash memory system

Номер патента: US09411679B2. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Younggeon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: US11818886B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

3D flash memory device with integrated passive device

Номер патента: US11844221B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for splitting a pattern for use in a multi-beamlet lithography apparatus

Номер патента: WO2012156510A1. Автор: Marco Jan-Jaco Wieland,Teunis Van De Peut,Joris Anne Henri Van Nieuwstadt. Владелец: MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V.. Дата публикации: 2012-11-22.

Stack able patch cable for splitting an electrical signal

Номер патента: US20100173525A1. Автор: Duy LE,Gur Yitzhak Milstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-08.

System for splitting and connecting computer bus lines

Номер патента: US5276817A. Автор: Manfred Matschke,Achim Rubert,Miroslaw Paczesny,Marek Rakowski. Владелец: Technosales Co Establishment. Дата публикации: 1994-01-04.

Low-power reading reference circuit for split-gate flash memory

Номер патента: US20070133275A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Library Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Method of fabricating a self-aligned split gate flash memory cell

Номер патента: US6562673B2. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20040018687A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20030077868A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Novel process for preventing the reverse tunneling during programming in split gate flash

Номер патента: US20010016385A1. Автор: Kuei-Wu Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Structure and process of manufacture of split gate flash memory cell

Номер патента: US5614746A. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Self-aligned structure with unique erasing gate in split gate flash

Номер патента: US20040241942A1. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: WO2024118963A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic flash memory

Номер патента: US20020145914A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance

Номер патента: EP1639646A2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

Stacked-gate flash memory device

Номер патента: US20030030096A1. Автор: Scott Hsu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: EP4430931A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: US20240185893A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

High coupling split-gate transistor and method for its formation

Номер патента: US20020072174A1. Автор: Gurtej Sandhu,Sukesh Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: WO2023083585A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Method for splitting plasmon polariton communication channel of the terahertz range

Номер патента: RU2600575C1. Автор: Алексей Константинович Никитин,Ирина Михайловна Никитина. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН). Дата публикации: 2016-10-27.

Systems and methods for split-frequency amplification

Номер патента: US20210075381A1. Автор: Wilhelm Steffen Hahn,Ernest Landi. Владелец: Kumu Networks Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Systems and methods for split-frequency amplification

Номер патента: WO2021046206A1. Автор: Wilhelm Steffen Hahn,Ernest Landi. Владелец: Kumu Networks, Inc.. Дата публикации: 2021-03-11.

Method and apparatus for split rendering for lightfield/immersive media using proxy edge cloud architecture

Номер патента: WO2023102090A1. Автор: Arianne Hinds,Rohit ABHISHEK,Paul Spencer Dawkins. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Method and apparatus for split rendering for lightfield/immersive media using proxy edge cloud architecture

Номер патента: EP4441986A1. Автор: Arianne Hinds,Rohit ABHISHEK,Paul Spencer Dawkins. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Method and apparatus for splitting received signal

Номер патента: WO2014073930A1. Автор: Dongmin Park,Joohwan Chun,Sanghyouk CHOI,Heeseong YANG. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-05-15.

Method and apparatus for splitting received signal

Номер патента: US20140133605A1. Автор: Dongmin Park,Joohwan Chun,Sanghyouk CHOI,Heeseong YANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for splitting shares and generating land registration map and address for assets of which owner cannot be specified or ownership does not exist, and system therefor

Номер патента: US20230144946A1. Автор: Eun Ha Song,Ja Ryong GOO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-11.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Electronic device and method for splitting image

Номер патента: US20140133771A1. Автор: Chung-I Lee,Chien-Fa Yeh,Ming-hua TANG. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method and apparatus for split rendering for lightfield/immersive media using proxy edge cloud architecture

Номер патента: US12003601B2. Автор: Arianne Hinds,Rohit ABHISHEK,Paul Spencer Dawkins. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

System and method for splitting dicom medical image series into framesets

Номер патента: US20160154933A1. Автор: Vijay Ramanathan. Владелец: Ramsoft Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Modular flash memory card expansion system

Номер патента: WO2009067721A1. Автор: Kam Cheong Chin,Choon Tak TANG. Владелец: Kingston Technology Corporation. Дата публикации: 2009-05-28.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

System and method for splitting DICOM medical image series into framesets

Номер патента: US09734286B2. Автор: Vijay Ramanathan. Владелец: Ramsoft Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods and systems for splitting a digital signal

Номер патента: US09646613B2. Автор: Raphael Blouet. Владелец: Daon Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Device and method for split DNS communications

Номер патента: US09515988B2. Автор: Pradeep Iyer,Santashil PalChaudhuri,Ramprasad Vempati,Varaprasad Amaraneni. Владелец: Aruba Networks Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Ldpc erasure decoding for flash memories

Номер патента: EP2545554A2. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Radoslav Danilak,Earl T Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

LDPC Erasure Decoding for Flash Memories

Номер патента: US20170155409A1. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Earl T. Cohen,Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US12112809B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09666294B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09411681B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method and apparatus for splitting downlink data in a dual/multi connectivity system

Номер патента: WO2023143956A1. Автор: Afef Feki,Francois Durand,Lorenzo MAGGI,Fahad SYED MUHAMMAD,Thomas TOURNAIRE. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2023-08-03.

Method and apparatus for splitting and storing probalistic content between cooperative nodes

Номер патента: US11870872B2. Автор: Junil CHOI,Wan Choi,Dongyeon Ko. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method, memory controller, and memory system for reading data stored in flash memory

Номер патента: US09601219B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and apparatus for splitting downlink data in a dual/multi connectivity system

Номер патента: FI20225055A1. Автор: Afef Feki,Francois Durand,Lorenzo MAGGI,Thomas TOURNAIRE,Muhammad Fahad Syed. Владелец: NOKIA SOLUTIONS & NETWORKS OY. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus for splitting and storing probalistic content between cooperative nodes

Номер патента: US20210105334A1. Автор: Junil CHOI,Wan Choi,Dongyeon Ko. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-04-08.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: CA2576056A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: WO2006017553A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Pocrass Alan L. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20010000306A1. Автор: Sukyoon Yoon,Pavel Klinger,Joo Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20140071760A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Flash memory with high integration

Номер патента: US20240274196A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Maintaining slew rate while loading flash memory dies

Номер патента: US10243560B2. Автор: Vinod Arjun HUDDAR,Abhishek LAGUVARAM. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-03-26.

Disabling flash memory to protect memory contents

Номер патента: US20030228728A1. Автор: Hung-Chang Yu,Fei-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Layout of a flash memory having symmetric select transistors

Номер патента: US20050040457A1. Автор: Ming-Hung Chou,Jen-Ren Huang. Владелец: MARCRONIX INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Swivel cap for flash memory device

Номер патента: US20070063249A1. Автор: Robert Martin,Boris Kontorovich,Richard Whitehall,Allen Zadeh,G. Rambosek. Владелец: Imation Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Data compression method and flash memory device

Номер патента: US20240311005A1. Автор: Ying Yang,Xueming CAO,Yuanpeng MA,Juming LIAO. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20200226021A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20190050287A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Programmable intelligent search memory enabled secure flash memory

Номер патента: US09952983B2. Автор: Ashish A. Pandya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Rank-modulation rewriting codes for flash memories

Номер патента: US09916197B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD,Eitan Yaakobi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-03-13.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Flash memories using minimum push up, multi-cell and multi-permutation schemes for data storage

Номер патента: US09666280B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for controlling operation of flash memory

Номер патента: US09324436B2. Автор: Sang-Kyung YOO,Sanghan Lee,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-04-26.

Splittable light strings and methods for splitting light strings

Номер патента: RU2683594C2. Автор: Рамон Антуан Виро КЛАУТ,Филип Стивен НЬЮТОН. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-03-29.

A light emitting diode, led, based current splitter for splitting an led current between a plurality of led channels as well as a multi-channel light emitting diode, led, based lighting device

Номер патента: WO2021043730A1. Автор: Henricus Marius Joseph Maria Kahlman. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2021-03-11.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20130051156A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Systems and methods for split proxying of ssl via wan appliances

Номер патента: WO2011133422A2. Автор: Michael Ovsiannikov. Владелец: CITRIX SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-10-27.

Systems and methods for split proxying of ssl via wan appliances

Номер патента: EP2561639A2. Автор: Michael Ovsiannikov. Владелец: Citrix Systems Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Method and apparatus for seamless dynamic configuration for split inferencing in a mobile communication system

Номер патента: WO2024210397A1. Автор: Eric Yip. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Flash memory

Номер патента: US09947409B2. Автор: Ken Matsubara,Satoru Nakanishi,Takashi Iwase. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Technologies for split key security

Номер патента: US09881300B2. Автор: RAVIPRAKASH Nagaraj,Kenneth W. Reese,Leonard Goodell,James L. Fafrak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and system for split voltage domain receiver circuits

Номер патента: US09806920B2. Автор: Brian Welch. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and system for split voltage domain receiver circuits

Номер патента: US09553676B2. Автор: Brian Welch. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for splitting end-to-end qos requirement information, terminal, and network side device

Номер патента: US20230171645A1. Автор: Qian Zheng,Zhenhua Xie,Wen Wang,Xiaowan KE. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Fast decoding of data stored in a flash memory

Номер патента: US09954558B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09870165B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09632715B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US09459962B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Optimized flash memory without dedicated parity area and with reduced array size

Номер патента: US09424178B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: EP4181132A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US20230145117A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Flash memory device with telescopic connector port and a casing of the flash memory device

Номер патента: US20100311257A1. Автор: Cheng-Chung Kung,Xiao-Xia Meng. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Methods and apparatus for wordline protection in flash memory devices

Номер патента: WO2005112120A1. Автор: Mark William Randolph. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-11-24.

Flash memory controller and encoding circuit and decoding circuit within flash memory controller

Номер патента: US20200153456A1. Автор: Shiuan-Hao Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Process for fabricating a flash memory with dual function control lines

Номер патента: US6001689A. Автор: Michael A. Van Buskirk,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20110250727A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for improving the reliability of flash memories

Номер патента: US20030160241A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Three-dimensional flash memory having improved degree of integration, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12120872B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Flash memory array and decoding architecture

Номер патента: US5856942A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: WO2009070406A3. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: William Radke. Дата публикации: 2009-08-13.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: US8499229B2. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for erasing split-gate flash memory

Номер патента: US5978274A. Автор: Lin-Song Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Common source architecture for split gate memory

Номер патента: US09536614B2. Автор: Ronald J. Syzdek,Gilles J. Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells

Номер патента: US9633735B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

System, method and apparatus for split gate valve with mechanically isolated seal surfaces

Номер патента: CA2675395C. Автор: David D. Comeaux,Robert K. Law,Anton J. Dach, Jr.. Владелец: Vetco Gray LLC. Дата публикации: 2012-05-08.

Method for page writing to flash memory using channel hot-carrier injection

Номер патента: WO1997001172A1. Автор: Chi Chang,Sameer Haddad,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-01-09.

Method and system for split flash memory management between host and storage controller

Номер патента: US09921954B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Ultrasonic device contact formation

Номер патента: RU2742967C2. Автор: Марк Томас ДЖОНСОН,Дан Антон ВАН ДЕН ЭНДЕ,Харм Ян Виллем БЕЛТ,Франсискус Йоханнес Герардус ХАККЕНС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-02-12.

Method and device for splitting tape

Номер патента: RU2737445C2. Автор: Рене ЖУРНЕ,Эдо МУГГЕ. Владелец: Тейджин Арамид Б.В.. Дата публикации: 2020-11-30.

System and method for split billing for transactions

Номер патента: US20230162167A1. Автор: Behshad Jamshahi,Kamesh Jasani,Noël Christina Russell. Владелец: Whimstay Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

A log splitter, and a method for splitting a log

Номер патента: WO2014203233A9. Автор: Bernard Michael CONROY. Владелец: CONROY Bernard Michael. Дата публикации: 2016-03-03.

Methods and systems for splitting merged objects in detected blobs for video analytics

Номер патента: US20180253848A1. Автор: YING Chen,Zhongmin Wang,Ning Bi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Procedure for split connection with usage of sealing substance and application of adhesive tape for implementation of procedure

Номер патента: RU2429398C2. Автор: Аксель ЗАУЕРМАНН. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-09-20.

Container for receiving and splitting product plates along weakening grooves, use of said container for receiving and splitting product plates, a process for splitting product plates, and product plates, in particular chocolate bars

Номер патента: EP2897886A1. Автор: Matthias Rinderer,Josef Nachbagauer,Lydia Gohler. Владелец: RED BULL GMBH. Дата публикации: 2015-07-29.

System and method for split-rendering for persons with color weakness

Номер патента: US20240221244A1. Автор: Bon Jae Koo,Jun Hwan Jang,Jun Suk Lee,Woo Chool Park,Min Su Choi. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and Apparatus for Splitting Tapes and Films

Номер патента: GB1198943A. Автор: . Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1970-07-15.

Assembly with seal for split connection

Номер патента: RU2757555C1. Автор: Дмитрий Вениаминович Смирнов,Александр Олегович Исаев. Владелец: Александр Олегович Исаев. Дата публикации: 2021-10-18.

Method for splitting of connecting rod

Номер патента: RU2766427C2. Автор: Горка Прието,Хавьер Пенья. Владелец: Гайнду, С.Л.. Дата публикации: 2022-03-15.

Resonator for split-flow exhaust system and method of its operation

Номер патента: RU2577673C2. Автор: Керри Тимоти ХАВЕНЕР,Тимоти Ф. КИЛРОЙ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2016-03-20.

Device for split joint of axisymmetric details

Номер патента: RU2330999C2. Автор: Вальтер ХЮССЛЕР. Владелец: Астриум Гмбх. Дата публикации: 2008-08-10.

Universal joint with connection mechanism for split joint of tool chucks

Номер патента: RU2450910C2. Автор: Джон Б. ДЭВИДСОН,К. Роберт МУН. Владелец: Джода Энтерпрайзис, Инк.. Дата публикации: 2012-05-20.

Method and device for splitting composite signal received from multi-composite sensor

Номер патента: US20220128387A1. Автор: Ki Won Jung. Владелец: Welix Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Split gate valve with biasing mechanism

Номер патента: US09845891B2. Автор: Loc Gia Hoang,S. Mark Svoboda. Владелец: Cameron International Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

System and method for splitting a printer cartridge

Номер патента: US09588485B1. Автор: Daniel J. Andersen,Robert W. Lucenta. Владелец: Clover Technology Group LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Device and method for splitting stream of meat products in coating process

Номер патента: RU2653734C2. Автор: Йост ВАН-ЭРП,Йоп ВАН-ДЕ-ЛАК. Владелец: Геа Фуд Сольюшнс Бакел Б.В.. Дата публикации: 2018-05-14.

Method of emulating eeprom-memory in flash-memory

Номер патента: RU2716899C1. Автор: Константин Анатольевич Черников,Антон Олегович Таршиков,Игорь Олегович Коваленко,Сергей Александрович Поскряков. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-03-17.

Improvements in or relating to Machines for Splitting or Marking or both Splitting and Marking Pieces of Leather.

Номер патента: GB191227224A. Автор: Alfred Julius Boult. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-11-26.

Apparatus for splitting up a polychromatic light beam into three component monochromatic beams

Номер патента: US3589811A. Автор: Michel Berger. Владелец: MEMO INTERNATIONAL ESTABLISHME. Дата публикации: 1971-06-29.

Spinning roller for splitting a rotationally symmetrical workpiece

Номер патента: US5782122A. Автор: Jurgen Koppel. Владелец: Leico GmbH and Co Werkzeugmaschinenbau. Дата публикации: 1998-07-21.

Method and apparatus for split-screen display, electronic device and computer readable storage medium

Номер патента: US20240036790A1. Автор: Cong Peng. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method, device and computer program product for splitting disk set

Номер патента: US20200341663A1. Автор: Hongpo Gao,Geng Han,Shaoqin GONG. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and apparatus for split-screen display and computer readable storage medium

Номер патента: EP4312112A1. Автор: Cong Peng. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: EP4014121A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Priority-based flash memory control apparatus for XIP in serial flash memory, memory management method using the same, and flash memory chip thereof

Номер патента: EP1522928A3. Автор: Chan-Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-03.

Method for programming a split-gate memory cell and corresponding memory device

Номер патента: US20190237141A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Marc Mantelli. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-08-01.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

DRAM having SDRAM interface and flash memory consolidated memory module

Номер патента: US09658783B2. Автор: Satoru Watanabe,Yutaka Uematsu,Takayuki Ono,Masabumi Shibata,Yuichi Fukuda,Hitoshi Ueno,Hideki Osaka,Takashi Miyagawa,Akio Idei,Michinori Naito,Hiroshi Kakita,Yuusuke FUKUMURA,Satoshi Muraoka,Taishi SUMIKURA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for splitting stone materials by non-explosive destructive compounds

Номер патента: RU2141563C1. Автор: А.Е. Азаркович,М.Б. Эткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Гидроспецпроект". Дата публикации: 1999-11-20.

Methods and apparatus for splitting, imaging, and measuring wavefronts in interferometry

Номер патента: US7298497B2. Автор: James E. Millerd,Neal J. Brock. Владелец: Metrolaser Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for splitting di-sulphide bonds and a compound obtained thereby

Номер патента: US4647655A. Автор: Rolf E. Axen,Jan P. Carlsson,Hakan N. Drevin. Владелец: Pharmacia AB. Дата публикации: 1987-03-03.

Method and apparatus for splitting a body of a butchered animal into two halves along the spine

Номер патента: US4234997A. Автор: Nobuo Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-11-25.

Apparatus for splitting wood

Номер патента: US4160472A. Автор: George H. Blackstone. Владелец: ARNOLD IND Inc. Дата публикации: 1979-07-10.

Method and device for splitting operators, and storage medium

Номер патента: US20230289298A1. Автор: Yu Cai,Mi Yang. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Mechanism for allowing a number of split-screens to share a display on a client device beyond an application's native capacity for split-screening

Номер патента: US20140349748A1. Автор: Ron Efraim Haberman. Владелец: Ciinow Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Device for splitting a roller shutter

Номер патента: WO2018051350A1. Автор: Ayelet Adina GOLDSTEIN,Ofer EYAL. Владелец: Ofek Eshkolot Research And Development Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Nor Flash Memory Controller

Номер патента: US20120151259A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Increasing the Available Flash Memory of a Microcontroller

Номер патента: US20160357484A1. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Flash memory with multiple status reading capability

Номер патента: US20030117860A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method and apparatus for generating electric current as well as for splitting water into oxygen and hydrogen.

Номер патента: WO2007086796A1. Автор: Stig Oskar Christensson. Владелец: Stig Oskar Christensson. Дата публикации: 2007-08-02.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Synchronous flash memory

Номер патента: WO2001075897A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: EP2449471A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: WO2011008507A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: ORACLE AMERICA, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US7215578B2. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-08.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US20060176741A1. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Split gate programming

Номер патента: US20140003155A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-02.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Method and apparatus for generating electric current as well as for splitting water into oxygen and hydrogen

Номер патента: EP1984538A1. Автор: Stig Oskar Christensson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Device and process for splitting water into hydrogen and oxygen by thermolysis

Номер патента: WO2022167481A1. Автор: Nils Kongmark. Владелец: Ultra High Temperature Processes Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Merchant application programming interface for splitting bills

Номер патента: US09990621B1. Автор: Ayokunle OMOJOLA,Jesse Wilson,Aaron Y. Ng. Владелец: Square Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash memory control method, controller and electronic apparatus

Номер патента: US09417958B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Process for splitting sheet

Номер патента: US4416718A. Автор: Timothy K. Fair, Sr.. Владелец: Conwed Corp. Дата публикации: 1983-11-22.

A bale splitter and a method for splitting a wrapped bale and for separating wrapping material from the bale

Номер патента: EP2323471A1. Автор: William Kieran Murphy. Владелец: Unique Inventions Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184484A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Flash memory erase method

Номер патента: US20020154544A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho,Smile Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory controller

Номер патента: US20240152288A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Computing device and method for inferring a predicted number of physical blocks erased from a flash memory

Номер патента: US20190155520A1. Автор: Francois Gervais. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US9318213B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Flash memory controller

Номер патента: US20160351255A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20210019241A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: WO2019046548A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Preston Thomson,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Devin Batutis. Владелец: Luo, Ting. Дата публикации: 2019-03-07.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20190324876A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Integrated circuit with flash memory

Номер патента: EP1203379A1. Автор: Stefan Koch,Axel Hertwig,Hans-Joachim Gelke. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-08.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Reducing write amplification in a cache with flash memory used as a write cache

Номер патента: US20130132655A1. Автор: Binny S. Gill,Wendy A. Belluomini,Michael A. Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Distributed flash memory storage manager systems

Номер патента: US20100254173A1. Автор: Wei Zhou,Po-Chien Chang,Chee Hoe Chu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US12141479B2. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Flash memory management

Номер патента: US09817754B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory management

Номер патента: US09817753B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory arrangement with a common read-write circuit shared by partial matrices of a memory column

Номер патента: US09754669B2. Автор: Stefan Guenther. Владелец: Anvo-Systems Dresden GmbH. Дата публикации: 2017-09-05.

Flash memory controller

Номер патента: US09733857B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09727271B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Control apparatus and control method with multiple flash memory card channels

Номер патента: US09658958B2. Автор: MIAO Chen,Yuanlong Wang. Владелец: NOREL SYSTEMS Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645896B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for increasing speed of writing data into flash memory unit and associated device

Номер патента: US09627047B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Host apparatus to independently schedule maintenance operations for respective virtual block devices in the flash memory dependent on information received from a memory controller

Номер патента: US09588904B1. Автор: Robert Lercari,Alan Chen,Mike Jadon,Craig Robertson,Andrey V. Kuzmin. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory controller

Номер патента: US09588709B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory modules with multi-chip packaged integrated circuits having flash memory

Номер патента: US09536609B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of performing write access by distributing control rights to threads, memory controller and flash memory storage device using the same

Номер патента: US09507702B2. Автор: Ching-Wen Chang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Techniques for improving reliability and performance of partially written memory blocks in modern flash memory systems

Номер патента: US09471488B2. Автор: Yogesh B. Wakchaure,Charan Srinivasan,Aliasgar S. Madraswala,Kristopher H. Gaewsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Testing apparatus for flash memory chip

Номер патента: US09470714B2. Автор: Hua-An YANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Flash memory control chip and data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09465538B2. Автор: Yi-Lin Lai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same

Номер патента: US09449704B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetic random access memory journal for multi-level cell flash memory

Номер патента: US09400744B2. Автор: Trevor Smith,Ashwin Kamath. Владелец: Mangstor Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Writing data using DMA by specifying a buffer address and a flash memory address

Номер патента: US09395921B2. Автор: Xiangfeng LU. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09329992B2. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Split Gate-IGBT structure and device

Номер патента: CN210628318U. Автор: 陈思凡,蔡铭进,徐守一. Владелец: Xiamen Xindamao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Device for splitting and cutting of firewood

Номер патента: CA1246966A. Автор: Jahn Harboe. Владелец: SAUGBRUKSFORENINGEN. Дата публикации: 1988-12-20.

Improvements in Apparatus for Splitting the Shells of Nuts.

Номер патента: GB191229123A. Автор: Joseph Lunt Gordon,Mabel Hayes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-10-09.

System and method for splitting a printer cartridge

Номер патента: US20170129249A1. Автор: Daniel J. Andersen,Robert W. Lucenta. Владелец: Clover Technology Group LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210223970A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210365197A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Flash memory programming check circuit

Номер патента: US20220068411A1. Автор: Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US9514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: WO2009027216A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: Axalto S.A.. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for verifying a programmed flash memory

Номер патента: US20050149664A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20230297276A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Output driving and input on-die termination mechanism capable of supporting different requirements of different flash memory specification standards

Номер патента: US20240311007A1. Автор: Zih-Yang Wong. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US20150310921A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2010-06-16.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810B1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-03-23.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: EP2823486A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory device performing adaptive loop, memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09941016B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Microcontroller with integrated interface enabling reading data randomly from serial flash memory

Номер патента: US09921778B2. Автор: Frédéric Schumacher,Guillaume Pean,Renaud Tiennot. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Flash memory controller, data processing system with flash memory controller and method of operating a flash memory controller

Номер патента: US09720797B2. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas Ralph Pachl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and methods for effectively interacting with a flash memory

Номер патента: US09690713B1. Автор: Lior Khermosh,Gal Zuckerman,Ofer Bar-Or. Владелец: Parallel Machines Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Start-up method for USB flash disk with synchronous flash memory and control system

Номер патента: US09645921B2. Автор: Jian Tang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09632880B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for renewing data in order to increase the reliability of flash memories

Номер патента: US09619325B2. Автор: Axel Mehnert,Christoph Baumhof,Franz Schmidberger,Martin Roeder. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory system

Номер патента: US09588883B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09569126B2. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US09514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Fast data back-up and restore between volatile and flash memory

Номер патента: US09501356B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

System managing a plurality of flash memory devices

Номер патента: US09495105B2. Автор: Kazuhisa Fujimoto,Shuji Nakamura,Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09489276B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09471451B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Microcontroller with integrated interface enabling reading data randomly from serial flash memory

Номер патента: US09329782B2. Автор: Frédéric Schumacher,Guillaume Pean,Renaud Tiennot. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Linear actuator control system for split axle drive mechanism

Номер патента: CA1268959A. Автор: James L. Anderson. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1990-05-15.

Improvements in or relating to chisels for splitting slate

Номер патента: GB1278316A. Автор: Michael Robert Hughes,John Norman Stafford Sibson. Владелец: DINORWIC SLATE QUARRIES CO Ltd. Дата публикации: 1972-06-21.

Log splitter and method for splitting a log

Номер патента: NL2020772B1. Автор: Johan Frederik Jansen Hendrik,Willem Anton Jansen Hendrik. Владелец: Acg Holten B V. Дата публикации: 2019-10-23.

Apparatus and method for split processing of model

Номер патента: US20240185101A1. Автор: Chang Sik Lee,Hyebin Park,Seungjae Shin,Hong Seok Jeon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Control method for referring to expired block table to perform expired block recycling operation and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220004339A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory controller and method for adaptively programming flash memory

Номер патента: US20240233840A1. Автор: Chung-Meng Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-tiered detection and decoding in flash memories

Номер патента: US20180181459A1. Автор: Erich F. Haratsch,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Avoidance of self eviction caused by dynamic memory allocation in a flash memory storage device

Номер патента: WO2010011780A1. Автор: Derrill Sturgeon,Vadzim Struk. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-01-28.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Group based read reference voltage management in flash memory

Номер патента: US8971122B1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: EP2342639A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Flash memory, flash memory erase/write counting method, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: EP4345824A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Rolling Wireless SARL. Дата публикации: 2024-04-03.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device

Номер патента: US20240194282A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chiu-Han CHANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

New compensated method to implement a high voltage discharge phase after erase pulse in a flash memory device

Номер патента: WO2006033832A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Davide Manfre. Владелец: Davide Manfre. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12039171B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Data recovery method for flash memory

Номер патента: US20240220355A1. Автор: Liu Yang,Qi Wang,Jing He,Zongliang Huo,Tianchun Ye,Xiaolei Yu,Yiyang Jiang,Qianhui LI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: EP3788622A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-10.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: WO2019212789A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage

Номер патента: WO2010000205A1. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Configuration of host lba interface with flash memory

Номер патента: WO2008082999A3. Автор: Barry Wright,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Alan Welsh Sinclair. Дата публикации: 2008-10-02.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Computer program product and method and apparatus for controlling access to flash memory card

Номер патента: US20210303432A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Hsing-Lang Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: WO2001075890A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Pipelined programming for a NAND type flash memory

Номер патента: EP1326257A3. Автор: Masaru Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Data writing method for a flash memory, and flash memory controller and flash memory storage system using the same

Номер патента: US20110107015A1. Автор: Chien-Hua Chu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: EP4421810A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A2. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: WO2007035277A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: EP1927113A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-04.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US20080162078A1. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Printer configured to control printing operation using information stored in flash memories

Номер патента: US11537302B2. Автор: Fumiharu Iwasaki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory and method for controlling the memory

Номер патента: US7487286B2. Автор: Osamu Nagano,Isamu Nakajima. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-03.

Differential signal path for high speed data transmission in flash memory

Номер патента: US20020085425A1. Автор: Balaji Srinivasan,Robert Baltar,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory

Номер патента: US20170358358A1. Автор: Koichi Ando. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Method and system for validating flash memory

Номер патента: US20010048611A1. Автор: Robert Pitts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of handling host write commands requesting to write dummy pattern on flash memory and related memory controller and storage system

Номер патента: US12061792B1. Автор: Chia-Chi Liang,Meng-Hua Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: US20240304263A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12079483B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Data storage device and flash memory control method thereof

Номер патента: US20140078825A1. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: EP4428862A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12135889B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Detecting hot spots through flash memory management table snapshots

Номер патента: US09928166B2. Автор: Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Periodically updating a log likelihood ratio (LLR) table in a flash memory controller

Номер патента: US09916906B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Forensic data acquisition apparatus and method for guaranteeing integrity of flash memory in smart device

Номер патента: US09891862B2. Автор: Jungho Choi,Kibom KIM,Seungjei YANG,Taejoo CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi-host power controller (MHPC) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: US09881680B2. Автор: Assaf Shacham,David Teb,Lee Susman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US09870834B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-01-16.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09870321B2. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Flash memory chip processing

Номер патента: US09851921B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile RAM and flash memory in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09836245B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Flash memory controller, data storage device, and flash memory control method with volatile storage restoration

Номер патента: US09817725B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Reduction of power consumption in flash memory

Номер патента: US09805813B2. Автор: Tong Zhang. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Flash memory file system and method using different types of storage media

Номер патента: US09804961B2. Автор: Zhengning Zhou,Yu Feng Liao. Владелец: Aupera Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: US09785362B2. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Systems and methods for improved access to flash memory devices

Номер патента: US09772777B2. Автор: Michael A. Koets,Larry T. McDANIEL, III,Miles R. DARNELL. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2017-09-26.

Flash memory device for outputing data in synch with a first signal in an SDR mode and a DDR mode and a flash memory system including the same

Номер патента: US09715936B2. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Inter-cell interference reduction in flash memory devices

Номер патента: US09704594B1. Автор: Robert Mateescu,Seung-Hwan Song,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Sharing serial peripheral interface flash memory in a multi-node server system on chip platform environment

Номер патента: US09703697B2. Автор: Ramamurthy Krithivas,Palsamy Sakthikumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645895B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data read method for flash memory

Номер патента: US09570162B2. Автор: Chien-Ting Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Data storage device and data fetching method for flash memory

Номер патента: US09563551B2. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays

Номер патента: US09536612B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory cells wear reduction

Номер патента: US09524790B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus and method for indicating flash memory life

Номер патента: US09513821B2. Автор: Ho Young JUNG,Tae Hwa Lee,Jong Moo Choi,Soo Yong Kang,You Jip Won,Jae Hyuk Cha,Sung Roh Yoon. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-12-06.

Cell-level statistics collection for detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09502117B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09501404B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer,Peter M. Smith. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods, systems, and computer readable media for address and data integrity checking in flash memory operations

Номер патента: US09477549B2. Автор: Ashutosh Malshe,Karthik Krishnamoorthy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Flash memory apparatus and initialization method for programming operation thereof

Номер патента: US09437311B1. Автор: Tsai-Ko Teng. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method, medium, and apparatus for re-programming flash memory of a computing device

Номер патента: US09430220B2. Автор: Ansaf I. Alrabady,Alan D. Wist. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and apparatus for writing data to a flash memory

Номер патента: US09405485B2. Автор: Wei-Yi Hsiao,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method and an apparatus for splitting samples of powders and suspensions

Номер патента: US4718288A. Автор: Kurt Leschonski,Stephan Rothele. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-01-12.

Device and process for splitting water into hydrogen and oxygen by thermolysis

Номер патента: EP4304977A1. Автор: Nils Kongmark. Владелец: Ultra High Temperature Processes Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Device and Process for Splitting Water into Hydrogen and Oxygen by Thermolysis

Номер патента: US20240083745A1. Автор: Nils Kongmark. Владелец: Ultra High Temperature Processes Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Photonic device for splitting optical beams

Номер патента: EP3669220A1. Автор: Keisuke Kojima,Toshiaki Akino,SIMA Mohammad Hossein TAHER. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Photonic device for splitting optical beams

Номер патента: WO2020049796A1. Автор: Keisuke Kojima,Toshiaki Akino,Mohammad Hossein TAHER SIMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

Oligonukleotid konjugater, sammensetninger og fremgangsmåter for splitting av ribonukleotider

Номер патента: NO970885L. Автор: Robert Haener,Heinz Moser,Jonathan Hall,Dieter Huesken. Владелец: Ciba Geigy AG. Дата публикации: 1997-04-25.

Memory having p-type split gate memory cells and method of operation

Номер патента: US20090296491A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Cheong M. Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Devices and methods for splitting serialized tokens

Номер патента: US20240211904A1. Автор: Wei Zhang,Steven Patrick COUGHLAN,Chloe TARTAN. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Devices and methods for splitting serialized tokens

Номер патента: EP4330895A1. Автор: Wei Zhang,Steven Patrick COUGHLAN,Chloe TARTAN. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2024-03-06.

Flash memory storage apparatus

Номер патента: US20100252931A1. Автор: Yu-Tong Lin,Yun-Chieh Chen,Hung-Yi Chung,Yu-Fong Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Orthopedic cast splitter apparatus and related methods for splitting a cast

Номер патента: US20220000674A1. Автор: Kevin Brewer. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-01-06.

Avoidance of self eviction caused by dynamic memory allocation in a flash memory storage device

Номер патента: EP2307964A1. Автор: Derrill Sturgeon,Vadzim Struk. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240290399A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US8108179B2. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Flash memory for adjusting trip voltage using voltage regulator and sampling switch circuit and sensing method thereof

Номер патента: US20240265977A1. Автор: Jongryul Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for splitting materials, method of use, and manufacture thereof

Номер патента: US20230415371A1. Автор: Dmytro Odintsov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and reactor system for splitting water and/or carbon dioxide

Номер патента: CA3235385A1. Автор: Alan W. Weimer,Kent WARREN,Justin TRAN. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2023-04-27.

Method and reactor system for splitting water and/or carbon dioxide

Номер патента: AU2022368740A1. Автор: Alan W. Weimer,Kent WARREN,Justin TRAN. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and reactor system for splitting water and/or carbon dioxide

Номер патента: EP4419251A1. Автор: Alan W. Weimer,Kent WARREN,Justin TRAN. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and reactor system for splitting water and/or carbon dioxide

Номер патента: WO2023069535A1. Автор: Alan W. Weimer,Kent WARREN,Justin TRAN. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and device for protecting data of flash memory

Номер патента: US09455041B2. Автор: Kwang-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Mass storage controller volatile memory containing metadata related to flash memory storage

Номер патента: US09448743B2. Автор: Aaron K. Olbrich,Douglas A. Prins. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09400746B2. Автор: Po-Chia Chu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Means for splitting resilient material

Номер патента: GB826103A. Автор: . Владелец: MASCHINENFABRIK TURNER AG. Дата публикации: 1959-12-23.

Semiconductor memory system for flash memory

Номер патента: US20080126678A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for splitting up a honeycomb panel, thus obtained separator and separator for abrasive plates

Номер патента: US6095219A. Автор: Johannes P. L. M. Diderich. Владелец: Bresin BV. Дата публикации: 2000-08-01.

Device for splitting the light beam incident

Номер патента: US4302075A. Автор: Kazuya Matsumoto,Susumu Matsumura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1981-11-24.

Apparatus and method for splitting up articles of tobacco industry

Номер патента: EP4295705A1. Автор: Pawel Sieradzki. Владелец: International Tobacco Machinery Poland Sp zoo. Дата публикации: 2023-12-27.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030031052A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Apparatus for Splitting Bales and Retaining Wrap

Номер патента: US20170042094A1. Автор: Kenneth A. Sargent,Warren van Nus. Владелец: Maxilator Equipment LLC. Дата публикации: 2017-02-16.

Device for splitting the ends of a fibre strand consisting of a bonded fibre material

Номер патента: AU2530900A. Автор: Gregor Schwegler. Владелец: Sika Schweiz Ag. Дата публикации: 2000-09-14.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Safe execution in place (xip) from flash memory

Номер патента: WO2018187771A2. Автор: Aishwarya Dubey,Rajat Sagar,Peter Aberl,Eldad Falik. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-11.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: WO2015187810A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-10.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Trees and graphs in flash memory

Номер патента: US20190213177A1. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US20140032993A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210248034A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Programming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: WO2010027983A9. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Progamming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: EP2347417A1. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-07-27.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: US20240201877A1. Автор: Yang Gao. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: EP1967977A3. Автор: Mark Chamberlain,Igor A. Spivak. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2009-02-04.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: EP3152667A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Method and system for parallel flash memory programming

Номер патента: US20220100421A1. Автор: Te-Hsien Lai,Po-Wei Huang,Yi-Hung Shen,Chih-Chia HUANG. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Flash Memory, and Method for Operating a Flash Memory

Номер патента: US20090049233A1. Автор: Chia-Hsin Chen,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US8250290B2. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

Flash memory counter

Номер патента: US20160293262A1. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2016-10-06.

System-level test method for flash memory

Номер патента: US20200273533A1. Автор: Yuegui He. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Handheld record and playback device with flash memory

Номер патента: WO1995028702A1. Автор: Elwood G. Norris,Norbert P. Daberko,Steven T. Brightbill. Владелец: Comp General Corporation. Дата публикации: 1995-10-26.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Dividing a flash memory operation into phases

Номер патента: US20070156950A1. Автор: Jerry Kreifels,Richard Durante. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210249098A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Flash memory device

Номер патента: US20020091906A1. Автор: Weon-Hwa Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Flash memory with RDRAM interface

Номер патента: US20030043625A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Multi-level cell flash memory

Номер патента: US20090262577A1. Автор: Yasuyuki Tanaka. Владелец: Kyoto Software Res Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US20100153627A1. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method And System For Obtaining A Reference Block For A MLC Flash Memory

Номер патента: US20100321997A1. Автор: Han-Lung Huang,Ming-Hung Chou,Chien-Fu Huang,Shih-Keng Cho. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Encoding method for flash memories

Номер патента: US20090138651A1. Автор: Yunghsu CHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Method and system for communication between dual-mode flash memory controller and dual-mode memory

Номер патента: US20220206939A1. Автор: Di XU,Kwokwah YEUNG,Kawing CHEUNG. Владелец: Suzhou Kuhan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method and apparatus for recovering deleted data on low flash memory formatted with ubifs

Номер патента: US20240281333A1. Автор: WOO Sung Yun,Sang Jin Lee,Youngki Jung,Junho Kim,Jungheum PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of handling trim command in flash memory and related memory controller and storage system thereof

Номер патента: US20240256465A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Adaptive threshold for bad flash memory blocks

Номер патента: US12087382B2. Автор: John Roper,John Boyle,Matthew D. Fleming,Eric Mueller,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,Eric Michael Verwillow. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for data classification by lifespan according to data transfer frequency for improving performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: EP4386563A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Data writing method and apparatus for flash memory-based system

Номер патента: US12130735B2. Автор: Wei Fang,Xie Miao,Tao HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US09910772B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Multi-tier detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09898361B2. Автор: Abdel Hakim S. Alhussien,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Data management in multiply-writeable flash memories

Номер патента: US09857988B1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09852788B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for mapping page address based on flash memory and system therefor

Номер патента: US09830260B2. Автор: Ho Young JUNG,Se Jin Kwon,Tae Sun Chung,Jae Kwang BAN. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US09811414B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Sub-threshold enabled flash memory system

Номер патента: US09779788B1. Автор: Christophe J. Chevallier,Scott Hanson,Daniel M. Cermak. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory

Номер патента: US09778861B2. Автор: Yinian Mao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Reduced silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory program disturb

Номер патента: US09773567B1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang,Paul Hoayun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09720820B2. Автор: Yen-Hung Lin,Po-Chia Chu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Error correction code unit, self-test method and associated controller applied to flash memory device for generating soft information

Номер патента: US09703627B2. Автор: Chen-Yu Weng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09684568B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Flash memory counter

Номер патента: US09666290B2. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645894B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Refresh method for flash memory and related memory controller thereof

Номер патента: US09627085B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Flash memory system and method controlling same

Номер патента: US09535620B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Geun-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Programming method for NAND-type flash memory

Номер патента: US09514826B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09484097B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Page allocation for flash memories

Номер патента: US09448921B2. Автор: Xudong Ma. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module

Номер патента: US09431118B1. Автор: Hanan Weingarten,Ilan Bar. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

System and method to reduce disturbances during programming of flash memory cells

Номер патента: US09418744B2. Автор: Anh Ly,Jinho Kim,Victor Markov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US09411686B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Yang-Chih Shen,Sheng-I Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Flash memory testing apparatus

Номер патента: US5539699A. Автор: Shinya Sato,Hiromi Ohshima. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

Method and apparatus for storing data in a flash memory including single level memory cells and multi level memory cells

Номер патента: US8495320B1. Автор: Lau Nguyen,Joseph Sheredy. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Techniques for supporting erasure coding with flash memory controller

Номер патента: US11023315B1. Автор: Robert Lercari,Mike Jadon,Craig Robertson. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Sectored flash memory comprising means for controlling and for refreshing memory cells

Номер патента: US6965526B2. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-11-15.

Storage device employing a flash memory

Номер патента: US6130837A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takashi Tsunehiro,Hajime Yamagami,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Takeshi Furuno,Kouichi Terada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-10.

Memory control device, control method of flash memory, and method for generating security feature of flash memory

Номер патента: US10705743B2. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Jing-Long XIAO,Yi-Lin Hsieh. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Memory device comprising flash memory and method for controlling a write speed of a bus transmitting data for storage on the flash memory

Номер патента: US20190115082A1. Автор: Francois Gervais,Danny Breton. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US9152583B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Method for reading data stored in a flash memory according to a voltage characteristic and memory controller thereof

Номер патента: US11881269B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Flash memory device

Номер патента: US20240045815A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-02-08.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of erasing flash memory and electronic system

Номер патента: US11978520B2. Автор: Jong Bae Jeong. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for Reading Data Stored in a Flash Memory According to a Voltage Characteristic and Memory Controller Thereof

Номер патента: US20240127894A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for compacting the erased threshold voltage distribution of flash memory devices during writing operations

Номер патента: US20080049521A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Federico Pio,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and device for adaptively identifying type of flash memory

Номер патента: US20210124489A1. Автор: Cheng Zheng,Shuangxi Chen. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: US20220137874A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Flash memory storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180336954A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Compensation method to achieve uniform programming speed of flash memory devices

Номер патента: WO2009002619A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Fan Wan Lai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nor flash memory controller

Номер патента: WO2012079216A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

Flash memory system startup operation

Номер патента: EP1700207A1. Автор: Andrew Tomlin,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Increasing the available flash memory of a microcontroller

Номер патента: US9996300B2. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Card having flash memory and display, reader of reading the card, paying method using the reader and card, art card and dispaly using the art card

Номер патента: WO2009072849A3. Автор: Young Sun Cho,Sue Hee Park,Jin Man Chung. Владелец: Slimdisc Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Adaptive programming for flash memories

Номер патента: US20120294086A1. Автор: Eddie Hearl Breashears,John Howard Macpeak,Douglas Edward Shelton,Bruce Lynn Pickelsimer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Method for erasing flash memory

Номер патента: US20090296492A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Write management on flash memory

Номер патента: US20200310648A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Write management on flash memory

Номер патента: US20220066641A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory data protection

Номер патента: WO2023055515A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-06.

Stress detection in a flash memory device

Номер патента: US20180342306A1. Автор: Robert Coleman,Benish Babu,Steven Haehnichen,I-Heng HUANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Nand-type flash memory and nand-type flash memory controlling method

Номер патента: US20100067302A1. Автор: Yoshihisa Watanabe,Yuka Furuta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Method for extracting substrate coupling coefficient of a flash memory

Номер патента: US6292393B1. Автор: Chih-Mu Huang,Chuan-Jane Chao,Chi-Hung Kao,Jung-Yu Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20180196747A1. Автор: Tao-En TANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Adaptively programming or erasing flash memory blocks

Номер патента: WO2013151919A8. Автор: Shivananda Shetty,Tio Wei NEO,James Pak. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-16.

Flash memory with read tracking clock and method thereof

Номер патента: US20130208544A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Flash memory data protection

Номер патента: EP4409414A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Ad hoc flash memory reference cells

Номер патента: US8321623B2. Автор: Mark Murin,Eran Sharon. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20060126399A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-15.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001232A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20010055224A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-27.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020031010A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20080181011A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Repetitive erase verify technique for flash memory devices

Номер патента: US20080151636A1. Автор: Wing Leung,Sheung-Hee Park,Ming Kwan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-26.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Voltage reference generator for flash memory

Номер патента: US20090323413A1. Автор: Gerald J. Barkley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method and device for providing and external interface using a programmed configuration bit in flash memory

Номер патента: US20030065831A1. Автор: Lu Yuan,Hugo Cheung,Terence Chiu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of classifying data by lifespan according to the number of times of moving data to improve performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: US20240231634A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method of measuring reliability for flash memory material through a current measurement

Номер патента: US20240159818A1. Автор: Tae Un Youn,Hea Jong Yang,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Live firmware update of flash memory

Номер патента: US12135874B2. Автор: Sira Parasurama Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method to control the access in a flash memory and system for the implementation of such a method

Номер патента: EP1692592A1. Автор: Alain Boudou,Laurent Castillo,Van Tai Ngo. Владелец: Axalto SA. Дата публикации: 2006-08-23.

Method to reduce flash memory IOs with host maintained address mapping table

Номер патента: US09858008B2. Автор: Yang Liu,Fei Sun,Tong Zhang,Hao ZHONG. Владелец: ScaleFlux Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for erasing data in flash memory

Номер патента: US09823878B2. Автор: Yan Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Storage apparatus, flash memory control apparatus, and program

Номер патента: US09773562B2. Автор: Takeshi Asai,Tsuneo Yamamoto,Yasushi Kanda,Nobuya Uematsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for determining an optimal voltage pulse for programming a flash memory cell

Номер патента: US09627074B2. Автор: Jean Coignus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-18.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: US09607708B2. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method of data storage in flash memory

Номер патента: US09547588B1. Автор: Jon C. R. Bennett,Daniel C. Biederman. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for writing data into flash memory and related control apparatus

Номер патента: US09536602B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory device

Номер патента: US09514822B2. Автор: Jin HO KIM,Jae Yong Cha,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Page buffer circuit for NAND flash memory

Номер патента: US09305649B1. Автор: Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Device for splitting optical fibers and device for assembling optical fibers

Номер патента: RU2131614C1. Автор: Люк Йозеф Макен,Нотен Лодевийк Кордула Михаэль Ван,Костер Питер Де. Владелец: Н.В. Рейкем С.А.. Дата публикации: 1999-06-10.

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor

Номер патента: KR100878527B1. Автор: 박향숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices

Номер патента: US9442670B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and system for migrating data between flash memory devices

Номер патента: US9519577B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Novel flash memory array and decoding architecture

Номер патента: WO1998056002A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Tsao Hsing Ya. Дата публикации: 1998-12-10.

Method and apparatus for writing and erasing flash memory

Номер патента: US5650967A. Автор: Michael J. Seibert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Dedicated redundancy circuits for different operations in a flash memory device

Номер патента: US7286399B2. Автор: Young-Ho Lim,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-23.

On-chip repair of defective address of core flash memory cells

Номер патента: US6631086B1. Автор: Colin Bill,Darlene G. Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Azrul Halim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Method of programming and erasing multi-level flash memory

Номер патента: US20070159893A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Direct data file storage implementation techniques in flash memories

Номер патента: WO2006088719A2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-08-24.

Inlayed flash memory module

Номер патента: US20080126658A1. Автор: Chih-ling Wang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of managing flash memory allocation in an electronic token

Номер патента: EP2000913A1. Автор: Franck AXALTO SA Intellectual Property Department Dehlinger,François-Xavier AXALTO SA Intellectual Property Department Marseille,Laurent AXALTO SA Intellectual Property Department Castillo. Владелец: Axalto SA. Дата публикации: 2008-12-10.

Method and apparatus for accessing flash memory device

Номер патента: CA3012236C. Автор: QIAO LI,Jun Xu,Liang Shi,Chun XUE,Dongfang SHAN,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Method for splitting textile warp yarn sheets

Номер патента: US4513485A. Автор: Scott O. Seydel,William H. Cutts. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-04-30.

Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible

Номер патента: WO2002005285A2. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media, Inc.. Дата публикации: 2002-01-17.

Extending flash memory data retension via rewrite refresh

Номер патента: WO2009086177A1. Автор: Mark W. Randolph,Darlene G. Hamilton,Don Carlos Darling,Ron Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Flash memory card with a ready/busy mask register

Номер патента: US5375222A. Автор: David M. Brown,Kurt B. Robinson,Brian L. Dipert,Russell D. Eslick,Markus A. Levy,Lily C. Pao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-bit data

Номер патента: US20080316819A1. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Method and apparatus for splitting or cleaving rock

Номер патента: CA3053880A1. Автор: L. Curtis Beaton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-31.

Flash memory module, storage apparatus using flash memory module as recording medium, and address translation table verification method for flash memory module

Номер патента: US7917688B2. Автор: Shuji Nakamura,Katsuya Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-29.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: GB2330228A. Автор: Phillip E Mattison. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-04-14.

Microcomputer provided with flash memory and method of storing program into flash memory

Номер патента: US6883060B1. Автор: Masahiro Hayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device based on timing of dummy read operations

Номер патента: US11074174B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system

Номер патента: US20020112101A1. Автор: Petro Estakhri,Mahmud Assar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Kit for split-pool barcoding target molecules that are in or on cells or cell organelles

Номер патента: US11932903B2. Автор: Garry P. Nolan. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Flash memory garbage collection

Номер патента: US11907123B2. Автор: Daniel Frank Moertl,Robert Edward Galbraith,Rick A. Weckwerth,Matthew Szekely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Flash memory controller, memory device and method for accessing flash memory module

Номер патента: US20200379674A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US20110289265A1. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-11-24.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line mode of flash memory

Номер патента: US8019930B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US8200893B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20150154110A1. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Bias for data retention in fuse ROM and flash memory

Номер патента: US11830555B2. Автор: Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230280939A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Pre-read technique for multi-pass programming of flash memory

Номер патента: US10650896B1. Автор: XIN YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20210049278A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Device for splitting of switch ties of switches

Номер патента: RU2265513C1. Автор: В.Е. Васильев,А.Д. Данилюк,А.И. Марголин,И.Ф. Скрипачев,В.В. Остапчук. Владелец: Государственное унитарное предприятие Научно-внедренческий центр "Путевые машины" МПС России. Дата публикации: 2005-12-10.

Packaging for split-cup containers

Номер патента: CA153476S. Автор: . Владелец: Geosaf Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

New or Improved Machinery or Apparatus for Splitting or Kippering Fish.

Номер патента: GB190524301A. Автор: George Vemply Burwood,Frederick Daniel Clarke. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-15.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for splitting and recording of direct and reflected microwave power in quasi-optical pathway

Номер патента: RU2548392C1. Автор: Намик Гусейнага оглы Гусейн-заде,Леонид Викторович Колик,Евгений Михайлович Кончеков,Владимир Дмитриевич Степахин,Николай Константинович Харчев,Елена Николаевна Тараканова,Герман Михайлович Батанов,Валентин Дмитриевич Борзосеков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН). Дата публикации: 2015-04-20.

Coulter for split-level focal application of mineral fertilisers

Номер патента: RU2368116C2. Автор: Николай Филиппович Скурятин,Андрей Васильевич Сахнов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2009-09-27.

Improvements in Machines for Splitting Laths.

Номер патента: GB190121582A. Автор: Alfred Joseph Dawson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-10-28.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2402083C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-10-20.

Device for splitting flow of fluids

Номер патента: RU2342582C2. Автор: Николай Игоревич Белоусов. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2008-12-27.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

Improvements in Machinery for Splitting or Cutting Wood into Sticks.

Номер патента: GB189905065A. Автор: Adolphus Barron. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-04-22.

Circuit and method for split bias enable/inhibit memory operation

Номер патента: CA1238413A. Автор: Joe Santos. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Flash memory element of electrically alterable read-only memory

Номер патента: RU2368037C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Machine-tool for splitting wood

Номер патента: RU2283221C1. Автор: . Владелец: Засульский Николай Данилович. Дата публикации: 2006-09-10.

Centraliser for split hole reamer

Номер патента: RU2411340C1. Автор: Анатолий Вениаминович Киршин,Фарит Фоатович Ахмадишин,Альберт Салаватович Ягафаров,Виталий Евгеньевич Пронин,Марат Азатович Исмагилов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-02-10.

Device for splitting biogas into methane and carbon dioxide

Номер патента: RU2424478C2. Автор: Андрей Юрьевич Лещев,Алексей Матвеевич Липанов,Сергей Юрьевич Попов,Михаил Георгиевич Кургузкин,Дмитрий Михайлович Зорин. Владелец: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ГАРАНТ-Экологические Технологии Энергосбережения". Дата публикации: 2011-07-20.

Method and apparatus for splitting ice masses

Номер патента: CA1225244A. Автор: Ronald D. Page. Владелец: Mobil Oil Canada Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

Hand-held wedge tool for splitting wood

Номер патента: CA1093062A. Автор: Gustave C. Meyer, Iii. Владелец: MEYER GUSTAVE C. Дата публикации: 1981-01-06.

Improved Device for Sharpening the Band-knives of Machines for Splitting Leather and the like.

Номер патента: GB190521199A. Автор: . Владелец: Maschinenfabrik Moenus AG. Дата публикации: 1905-12-21.

USB flash memory drive

Номер патента: AU324704S. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2009-02-16.

Resistive flash memory element

Номер патента: RU2516771C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.