Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Split-gate non-volatile memory (NVM) cell and method therefor

Split-gate non-volatile memory (NVM) cell and method therefor

Номер патента: US09728410B2
Опубликовано: 08-08-2017
Автор(ы): Asanga H. Perera, Craig T. Swift
Принадлежит: NXP USA Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Split-gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20160099153A1. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-07.

Split-gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20160099153A1. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-07.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of making split gate non-volatile memory cell with 3D FinFET structure

Номер патента: US9887206B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: US09960242B2. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: EP3449501A1. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Formation of self-aligned source for split-gate non-volatile memory cell

Номер патента: KR101813820B1. Автор: 젱-웨이 양,치엔-쉥 수,유에-신 첸. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2017-12-29.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: WO2015017495A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: EP3243219A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: WO2016111796A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: WO2016111742A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: EP2748842A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: WO2013028358A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: WO2016148873A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: EP3271936A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-24.

Method of making a split gate non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Split Gate Non-volatile Memory Cell With 3D FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20160276357A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

An improved split gate non-volatile flash memory cell having a floating gate, control gate, select gate and an erase gate with an overhang over the floating gate, array and method of manufacturing

Номер патента: TW200917495A. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell

Номер патента: WO2011084915A2. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Spencer E. Williams,Cheong M. Hong,Konstantin V. Loiko. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-07-14.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A8. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell

Номер патента: TW201135816A. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong M Hong,Brian A Winstead,Konstantin V Loiko,Spencer E Williams. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-16.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804B1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS, HV AND LOGIC DEVICES WITH FINFET STRUCTURES, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20220139940A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Split gate non-volatile memory cell

Номер патента: EP2833408A2. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Konstantin V. Loiko. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-02-04.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: US20140217489A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Array of split gate non-volatile floating gate memory cells having improved strapping of the coupling gates

Номер патента: US8513728B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Parviz Ghazavi,Shiuh-Luen Wang,Henry A. Om'Mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297B1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080151645A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162316A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

METHOD OF MAKING A SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY (NVM) CELL AND A LOGIC TRANSISTOR

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Winstead Brian A.,Loiko Konstantin V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: EP3371829A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Recess channel semiconductor non-volatile memory device and fabricating the same

Номер патента: US20170033116A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates

Номер патента: US10249631B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20170125429A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150069490A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: EP3769338A2. Автор: Zhou Feng,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: WO2019182681A2. Автор: Zhou Feng,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu,Jimho KIM. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-09-26.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Split-gate non-volatile memory cell and method

Номер патента: US20100078703A1. Автор: Brian A. Winstead,Gowrishankar L. Chindalore,Konstantin V. Loiko,Horacio P. Gasquet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate, and method of manufacturing

Номер патента: US09793279B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY (NVM) WITH IMPROVED PROGRAMMING EFFICIENCY

Номер патента: US20190140099A1. Автор: KOO Jeoung Mo,Si Wei,PURAKH Raj Verma,Wang Zeng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Split Gate Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate, Word Line, Erase Gate, And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20170012049A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Tadayoni Mandana,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area

Номер патента: EP2423952A3. Автор: Mehul D. Shroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-02.

Integration scheme for non-volatile memory on gate-all-around structure

Номер патента: US20200135937A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory device having nanocrystal floating gate and method of fabricating same

Номер патента: US09899398B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Multi-bit non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: US6855979B2. Автор: Craig T. Swift,Bruce E. White,Michael Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-02-15.

Multi-bit non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: WO2004095526A2. Автор: Craig T. Swift,Bruce E. White,Michael Sadd. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-11-04.

Low electric field source erasable non-volatile memory and methods for producing same

Номер патента: US09640403B2. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Split-gate non-volatile memory cells having improved overlap tolerance

Номер патента: US20120241839A1. Автор: Brian A. Winstead,Gowrishankar L. Chindalore,Ted R. White. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD OF FORMING A DEVICE WITH PLANAR SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS, HIGH VOLTAGE DEVICES AND FINFET LOGIC DEVICES

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO,SUN JACK. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Embedded HKMG non-volatile memory

Номер патента: US09831262B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method to increase charge retention of non-volatile memory

Номер патента: WO2007089558A3. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Non-volatile memory unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160204274A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: WO2023172279A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for fabricating split-gate non-volatile memory

Номер патента: US20200251481A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Split gate non-volatile memory cells and logic devices with finfet structure, and method of making same

Номер патента: EP3782195B1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Split gate non-volatile memory cells and logic devices with FINFET structure, and method of making same

Номер патента: US10818680B2. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Split gate non-volatile memory cell, HV and logic device with finfet structure and method of fabricating the same

Номер патента: CN114446972A. Автор: 王春明,X·刘,宋国祥,邢精成,N·多. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-06.

Method Of Forming A Device With Split Gate Non-volatile Memory Cells, HV Devices Having Planar Channel Regions And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20220231037A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Methods and systems for erase biasing of split-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-24.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Split gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20140239372A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-28.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: EP3769338B1. Автор: Zhou Feng,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate

Номер патента: WO2017011139A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-01-19.

Split Gate Non-volatile Memory Cells And Logic Devices With FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200013789A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND LOGIC DEVICES WITH FINFET STRUCTURE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20190326305A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Method Of Making Split Gate Non-Volatile Memory Cells With Three-Dimensional FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200013788A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Split Gate Non-Volatile Memory Cells With Three-Dimensional FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200013786A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Split gate non-volatile memory cells with three-dimensional finfet structure, and method of making same

Номер патента: TW202018957A. Автор: 周峰,恩漢 杜,金晉浩,祥 呂,瑟古艾 朱爾巴,凱薩琳 迪柯柏爾特. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2020-05-16.

Split-Gate Non-Volatile Memory Cells Having Gap Protection Zones

Номер патента: US20150054048A1. Автор: Winstead Brian A.,Loiko Konstantin V.,Williams Spencer E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Method Of Forming A Device With Split Gate Non-volatile Memory Cells, HV Devices Having Planar Channel Regions And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20210193671A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Split gate non-volatile memory cells with three-dimensional FinFET structure

Номер патента: US10727240B2. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Store Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-28.

Rfid tag having non-volatile memory device having floating-gate fets with different source-gate and drain-gate border lengths

Номер патента: US20130135933A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210265474A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Non-Volatile Memory Device with Improved Immunity to Erase Saturation and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20110183509A1. Автор: Hongyu Yu,Hag-Ju Cho,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-07-28.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: WO2013066584A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-05-10.

Self-aligned source for split-gate non-volatile memory cell

Номер патента: US09659946B2. Автор: Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Yueh-hsin CHEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Split-gate non-volatile memory cells with erase gates disposed over word line gates, and method of making same

Номер патента: EP4222744B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: US20230290864A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technnology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

SPLIT-GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS WITH ERASE GATES DISPOSED OVER WORD LINE GATES, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20220102517A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Split-gate non-volatile memory cell with erase gate disposed over word line gate and method of making the same

Номер патента: CN114335186A. Автор: 王春明,X·刘,宋国祥,邢精成,N·多. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Hkmg high voltage cmos for embedded non-volatile memory

Номер патента: US20160005756A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: WO2021173186A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Method Of Forming A Device With FINFET Split Gate Non-volatile Memory Cells And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20210272973A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: EP4111500A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Integrated split gate non-volatile memory cell and logic structure

Номер патента: US20150054049A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Byoung W. Min,Asanga H. Perera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Memory Cell With 3D FINFET Structure

Номер патента: US20170179141A1. Автор: Tran Hieu Van,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Damascene non-volatile memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US09666588B2. Автор: Hung-Che Liao,Hung-Yu Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234457A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7344949B2. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-18.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09761314B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09577059B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

METHOD OF MAKING A SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY (NVM) CELL

Номер патента: US20150349096A1. Автор: Winstead Brian A.,Loiko Konstantin V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Split gate non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100518595B1. Автор: 최용석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-04.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US20160267979A1. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: EP2005479A2. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: WO2007120721A8. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

METHOD FOR FABRICATING SPLIT-GATE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200251481A1. Автор: CHERN GEENG-CHUAN. Владелец: NEXCHIP SEMICONDUCTOR CO., LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-volatile memory cell and method of operating the same

Номер патента: US09805806B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile memory capable of preventing antenna effect and fabrication thereof

Номер патента: US20040026732A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Method Of Programming A Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cell Having A Separate Erase Gate

Номер патента: US20130107631A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A4. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-10.

Embedded HKMG non-volatile memory

Номер патента: US09793286B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of erasing semiconductor non-volatile memories

Номер патента: US20200203359A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods of erasing semiconductor non-volatile memories

Номер патента: US11825652B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for integrating sonos non-volatile memory into a standard cmos foundry process flow

Номер патента: US20120115292A1. Автор: Joseph Terence Smith,Patrick Bruckner Shea,A. Dennis Adams. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20240320138A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Ching-Yuan Lin,Tsung-Mu Lai,Chang-Chun Lung,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150069490A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Yater Jane A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Vertical split gate non-volatile memory cell and method of fabrication thereof

Номер патента: EP1576661A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Silicon-Metal Floating Gate And Method Of Making Same

Номер патента: US20150035040A1. Автор: Tkachev Yuri,KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng,Yoo Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3459104A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

Non-Volatile Memory Cell and Layout Structure of Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20110073924A1. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Pei-Ching Yin,Bin Chen, JR.. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060134866A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060205157A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7067375B1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Memory cell of charge-trapping non-volatile memory

Номер патента: US20230240075A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Split Gate Non-volatile Memory Cell With 3D FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20160276357A1. Автор: Tran Hieu Van,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

HKMG high voltage CMOS for embedded non-volatile memory

Номер патента: US09659953B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

High voltage cmos with co-planar upper gate surfaces for embedded non-volatile memory

Номер патента: US20200144279A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Hkmg high voltage cmos for embedded non-volatile memory

Номер патента: US20190252400A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory cell arrays with a sectioned active region

Номер патента: US20220028873A1. Автор: William Taylor,Oscar D. Restrepo,Edmund K. Banghart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory structure having volatile and non-volatile memory portions

Номер патента: WO2009117222A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch,Charles Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US09780195B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile memory

Номер патента: US20080017919A1. Автор: Yoshiyuki Kawazu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: US20210305264A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: EP4128352A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: WO2021194552A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-30.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: EP4128352B1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Self-Aligned Source For Split-Gate Non-volatile Memory Cell

Номер патента: US20170025424A1. Автор: Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Chen Yueh-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235113A1. Автор: Su-Hyun Lee,Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Jin-Ho Oh,Tae-Hong GWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

High density selector-based non volatile memory cell and fabrication

Номер патента: US09698201B2. Автор: Sung Hyun Jo,Harry Yue Gee,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Dram technology compatible non volatile memory cells

Номер патента: US20020024083A1. Автор: Wendell P. Noble,Eugene H. Cloud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190088666A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

SPLIT-GATE NON-VOLATILE MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200027888A1. Автор: CHERN GEENG-CHUAN. Владелец: NEXCHIP SEMICONDUCTOR CO., LTD. Дата публикации: 2020-01-23.

Methods of forming split-gate non-volatile memory cells including raised oxide layers on field oxide regions

Номер патента: US7351636B2. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-01.

Floating gate non-volatile memory bit cell

Номер патента: US09601203B2. Автор: Andrew Horch,Martin NISET,Mads HOMMELGAARD. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Finfet-based split gate non-volatile flash memory with extended source line finfet, and method of fabrication

Номер патента: EP3891802B1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: WO2021108339A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US11367481B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US20210350850A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Bias scheme for word programming in non-volatile memory and inhibit disturb reduction

Номер патента: EP3711051A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ali Keshavarzi,Gary Menezes. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20210159346A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Non-volatile memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20070008777A1. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Ming-Chang Kuo,Chao-Lun Yu,Min-Ta Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY (NVM) CELL AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20140239372A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20150035034A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Yater Jane A.,Winstead Brian A.,Loiko Konstantin V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230005958A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190221578A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180026048A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US09773803B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150236035A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Yater Jane A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Manufacturing method of self-aligned selective gate with a split-gate non-volatile memory structure

Номер патента: TW417255B. Автор: Bin-Shing Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-01-01.

INTEGRATED SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL AND LOGIC DEVICE

Номер патента: US20150054050A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.,Yater Janes A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Method of manufacturing split-gate non-volatile memory with hi-voltage and low-voltage peripheral circuitry

Номер патента: US9768187B2. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Reduced Size Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell And Method Of Making Same

Номер патента: US20170330949A1. Автор: Wang Chunming. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory bit cells with non-rectangular floating gates

Номер патента: US20210159234A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Non-volatile memory structure and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20010005333A1. Автор: Federico Pio,Giovanna Libera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-06-28.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09853090B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09558949B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Formation Of Self-Aligned Source For Split-Gate Non-volatile Memory Cell

Номер патента: US20150008451A1. Автор: Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Chen Yueh-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Contact for a non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09741602B2. Автор: Gong Chen,Linghui Wu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-09.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240268126A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Hong LAI. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240242755A1. Автор: Sunghoon Kim,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Wordline strapping for non-volatile memory elements

Номер патента: US20200185374A1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09691782B1. Автор: Bong-Soon Lim,Ki-tae Park,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Asymmetric pass field-effect transistor for non-volatile memory

Номер патента: US09589652B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

High voltage architecture for non-volatile memory

Номер патента: US09704585B2. Автор: Igor G. Kouznetsov,Bogdan I. Georgescu,Vijay Raghavan,Gary P. Mosculak. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Scalable refresh for asymmetric non-volatile memory-based neuromorphic circuits

Номер патента: US10740673B2. Автор: Masatoshi Ishii,Megumi Ito,Atsuya Okazaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773859B2. Автор: Haruhiko Koyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: WO2023149912A1. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20210083006A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

3-dimensional (3D) non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735203B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Jun Yeong Seok. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Variable resistor, non-volatile memory device using the same, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20170005262A1. Автор: Jung Ho Yoon,Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-05.

Non-volatile memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US8624331B2. Автор: Deok-kee Kim,Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Non-volatile memory elements with a narrowed electrode

Номер патента: US20210320249A1. Автор: Eng Huat Toh,Lup San Leong,Juan Boon Tan,Kin Wai Tang,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile memory system with reset verification mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09646690B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same

Номер патента: US09640545B2. Автор: Sukpil Kim,Yoondong Park,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20210027840A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun,Ji Ho Cho,Sang Gi HONG,Won Bo Shim,Ji Yeon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Non-volatile memory with zoned control of programming

Номер патента: US20230317169A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250337A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09966115B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09928894B2. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899408B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Young-Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09613676B1. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US20200294593A1. Автор: Wein-Town Sun,Hong-Yi Liao,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230262993A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160322375A1. Автор: Tatsuya Kato,Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Non-volatile memory device having schottky diode

Номер патента: US20240237356A9. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4362077A3. Автор: Jinyong OH. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory with multiple latency tiers

Номер патента: US09773547B2. Автор: R. Stanley Williams,Naveen Muralimanohar,Gregg B. Lesartre,Erik Ordentlich,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Three-dimensional NAND non-volatile memory and DRAM memory devices on a single substrate

Номер патента: US09754667B2. Автор: Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20180203613A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20200133509A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20210216217A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical non-volatile memory device

Номер патента: US20240243020A1. Автор: Sunyoung Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory circuit having non-volatile memory cell and methods of using

Номер патента: US20200043553A1. Автор: Ronald L. Cline. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Compact non-volatile memory array with reduced disturb

Номер патента: WO2006093683A1. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Master set of read voltages for a non-volatile memory (nvm) to mitigate cross-temperature effects

Номер патента: US20210057024A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-02-25.

Host based non-volatile memory clustering using network mapped storage

Номер патента: WO2016120084A1. Автор: Vijoy Pandey,Keshav Govind Kamble,Atul Tambe. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2016-08-04.

Host based non-volatile memory clustering mechanism using network mapped storage

Номер патента: US20180322088A1. Автор: Keshav G. Kamble,Vijoy A. Pandey,Atul A. Tambe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and method for secure programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4318294A1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Adjusting code rates to mitigate cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200409579A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Performing telemetry, data gathering, and failure isolation using non-volatile memory

Номер патента: US09912474B2. Автор: Saurabh Gupta,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory apparatus and empty page detection method thereof

Номер патента: US10372533B2. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-06.

Non-volatile memory accelerator for artificial neural networks

Номер патента: US11886972B2. Автор: Paul Nicholas Whatmough,Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-volatile memory apparatus and data deduplication method thereof

Номер патента: US20180267733A1. Автор: Tingjun Xie,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Controlling access to removable non-volatile memory device using instruction file

Номер патента: US10740480B2. Автор: Lee N. Helgeson,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lisa Hollermann DIERKHISING. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Data protection techniques for a non-volatile memory array

Номер патента: US10417088B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Thomas Parnell,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Controlling access to removable non-volatile memory device using instruction file

Номер патента: US20190311144A1. Автор: Lee N. Helgeson,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lisa Hollermann DIERKHISING. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Controlling access to removable non-volatile memory device using instruction file

Номер патента: US20190228167A1. Автор: Lee N. Helgeson,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lisa Hollermann DIERKHISING. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Accelerating data replication using multicast and non-volatile memory enabled nodes

Номер патента: US20190208011A1. Автор: Amit Kumar Saha,Debojyoti Dutta,Johnu George,Marc Solanas Tarre,Ramdoot Kumar Pydipaty. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Systems and methods for downloading code and data into a secure non-volatile memory

Номер патента: US09653004B2. Автор: Nicolas Prawitz,Arnaud Boscher. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Protecting cryptographic keys stored in non-volatile memory

Номер патента: EP3746901A1. Автор: Mark Evan MARSON,Michael A. Hamburg. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230197173A1. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Non-volatile memory structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20040115887A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Non-volatile memory device and method of operation therefor

Номер патента: EP1826768A3. Автор: Dae-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Out-of-order bit-flipping decoders for non-volatile memory devices

Номер патента: US12112041B2. Автор: Fan Zhang,Haobo Wang,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: US12051468B2. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4433892A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Non-volatile memory cell and method of manufacturing a non-volatile memory cell

Номер патента: US7052962B1. Автор: Michael L. Lovejoy. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Error injection for assessment of error detection and correction techniques using error injection logic and non-volatile memory

Номер патента: US20190188064A1. Автор: Michael K. Ciraula. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20160042795A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120044767A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-Dae Lee,Sung-Ho Seo,Woo-Sik Nam,Hyun-Min Seung,Yool-Guk Kim,Young-Hwan Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Methods and systems for accessing host memory through non-volatile memory over fabric bridging with direct target access

Номер патента: US20200401551A1. Автор: Noam Mizrahi,Eitan Joshua,Dimitry Melts,Scott Furey. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile memory switch with host isolation

Номер патента: US12099398B2. Автор: Salil Suri,Yingdong LI,Scott Furey,Liping Guo. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US12131776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

System and method for scale-out node-local data caching using network-attached non-volatile memories

Номер патента: US09900397B1. Автор: Jason M. Cope,Michael J. Piszczek,Pavan Kumar Uppu. Владелец: Datadirect Networks Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory control for power saving state based on determination of volatile memory or non-volatile memory

Номер патента: US09584693B2. Автор: Toshiaki Iizuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: US20240168669A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: EP4372749A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Centralized fixed rate serializer and deserializer for bad column management in non-volatile memory

Номер патента: US20210193226A1. Автор: CHEN CHEN,Mitsuyuki Watanabe,Min Peng,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: WO2009091806A3. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Philippe Gimmel,Thomas Youbok Lee,Tim Sherman,Yann Johner. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2009-09-24.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: WO2008127988A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Thomas Youbok Lee,Yann Johner,Andrew Swaneck. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-23.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: EP2232711A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Philippe Gimmel,Thomas Youbok Lee,Tim Sherman,Yann Johner. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: WO2009091806A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Philippe Gimmel,Thomas Youbok Lee,Tim Sherman,Yann Johner. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-23.

Management of volatile and non-volatile memory resources in digital communications terminals

Номер патента: WO2001031442A3. Автор: Robert Charles Booth,Donald Tavoletti,Thomas F Bates Iv. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Image processing apparatus having function for performing sync processing to transfer and store data of cache memory to non-volatile memory in accordance with predetermined condition

Номер патента: US8237974B2. Автор: Hiroshi Ishii. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-08-07.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Imaging Device Including Wear Leveling for Non-Volatile Memory and Secure Erase of Data

Номер патента: US20150002900A1. Автор: Bryan Scott Willett,Howard Charles Cochran,Michael James Klein. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230255036A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12073888B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Youn-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US20230298678A1. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09959166B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Monitoring of excessive write operations issued to a non-volatile memory

Номер патента: US09626114B2. Автор: Li Li,Ben-Heng Juang,Arun G. Mathias. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09619320B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Programmable electrical energy meter utilizing a non-volatile memory

Номер патента: US5548527A. Автор: Rodney C. Hemminger,Mark L. Munday. Владелец: ABB Power T&D Co Inc. Дата публикации: 1996-08-20.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11804270B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Ji-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4231802A1. Автор: Daeseok Byeon,SeungYeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Erasable programmable single-ploy non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11980029B2. Автор: Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

On-the fly error checking and correction codec system and method for supporting non-volatile memory

Номер патента: US20060282757A1. Автор: Dae-Woong Kim,Hyun-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-14.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A2. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-15.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240224522A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Jonghoon Park,Myunghun Lee,Homoon Shin,Juyoung YANG,Jungseok HWANG,Mookyu BAE,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: EP2132877A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Thomas Youbok Lee,Yann Johner,Andrew Swaneck. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Decoding method, memory storage device and rewritable non-volatile memory module

Номер патента: US20150067446A1. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Kuo-Yi Cheng,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Device and method for pre-programming of in-pixel non-volatile memory

Номер патента: WO2012020817A1. Автор: Michael P. Coulson,Sunay Shah,Benjamin J. Hadwen. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-02-16.

Structures and methods of high efficient bit conversion for multi-level cell non-volatile memories

Номер патента: US20130235661A1. Автор: Lee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

10-transistor non-volatile static random-access memory using a single non-volatile memory element and method of operation thereof

Номер патента: US09997237B2. Автор: Jayant Ashokkumar,Joseph S Tandingan,David W. Still,Jesse J Siman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Predictive methods and apparatus for non-volatile memory

Номер патента: EP1883931A2. Автор: Carl Hu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-02-06.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US20230267983A1. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US11978494B2. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory array with equalized bit line potentials

Номер патента: US20030058690A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Memory devices including logic non-volatile memory

Номер патента: US20240070059A1. Автор: Vikas RANA,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Reliable non-volatile memory programming interface and method therefor

Номер патента: US20200057585A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Data storage device and method providing non-volatile memory buffer for real-time primary non-volatile memory protection

Номер патента: US09857995B1. Автор: Li Dong,James N. Malina,Totok Sulistiomono Sujanto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Data storage device and method for using secondary non-volatile memory for temporary metadata storage

Номер патента: US09836232B1. Автор: James N. Malina,Steven R. Vasquez. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Reliable non-volatile memory programming interface and method therefor

Номер патента: US11016708B2. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Multi-block non-volatile memories with single unified interface

Номер патента: US20180336948A1. Автор: Shu Wang,Xiaoming Jin,Zhijiong Luo. Владелец: Aspiring Sky Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: WO2005094178A3. Автор: Boaz Eitan,Assaf Shappir,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods, circuits and systems for reading non-volatile memory cells

Номер патента: WO2008032326A3. Автор: Eduardo Maayan,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Self-powered detection device with a non-volatile memory

Номер патента: US8422317B2. Автор: Thierry Roz,David A. Kamp,Filippo Marinelli. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2013-04-16.

Sector-based regulation of program voltages for non-volatile memory (nvm) systems

Номер патента: US20150103602A1. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Ronald J. Syzdek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-16.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Apparatus and method for accessing a non-volatile memory blade using multiple controllers in a non-volatile memory based storage device

Номер патента: US09645940B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US09645746B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-05-09.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US7369440B2. Автор: Assaf Shappir,Shai Eisen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-05-06.

Mount-time unmapping of unused logical addresses in non-volatile memory systems

Номер патента: US09727570B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom,Eric Tamura. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Handling defective non-volatile memory

Номер патента: US09710347B2. Автор: Yaoqiao LI,Zhongyi Zhu,Jianshun Qiu,Guangxu Men. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

System And Method For Programming Split-Gate, Non-volatile Memory Cells

Номер патента: US20160336072A1. Автор: Qian Xiaozhou,MARKOV Viktor,KOTOV Alexander,Yoo Jong-Won,PI XIAO YAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

System and method for programming split-gate, non-volatile memory cells

Номер патента: TWI600016B. Автор: 錢曉州,維多 馬克夫,俞鐘元,皮曉言,亞歷山大 柯多夫. Владелец: 超捷公司. Дата публикации: 2017-09-21.

System and method for programming split-gate, non-volatile memory cells

Номер патента: US10079061B2. Автор: Xiaozhou QIAN,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: EP1683159A2. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-07-26.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005041206A3. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2005-06-02.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005041206A8. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: EP1683159A4. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-03-21.

Systems and methods for implementing persistent data structures on an asymmetric non-volatile memory architecture

Номер патента: US20210397524A1. Автор: KANG Chen,Teng MA,Mingxing Zhang,Yongwei Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-23.

Handling errors during device bootup from a non-volatile memory

Номер патента: EP2612241A1. Автор: Kenneth Herman,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

Systems and methods for configuring non-volatile memory

Номер патента: US09841917B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Matthew J. Byom,Daniel J. Post,Kenneth L. Herman,Alexander C. Sanks. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

High bandwidth non-volatile memory for ai inference system

Номер патента: US20240281142A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,I-Ting KUO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416646A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416583A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Multi-step programming of heat-sensitive non-volatile memory (NVM) in processor-based systems

Номер патента: US09753874B2. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Rashid Ahmed Akbar Attar,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Adam Edward NEWHAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Weave sequence counter for non-volatile memory systems

Номер патента: US09477590B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Daniel J. Post. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and system for managing data storage on non-volatile memory media

Номер патента: US11467730B1. Автор: Ofir Efrati,Eran Kirzner,Ofer Hayut,Shmuel Ben-Yehuda,Abel Alkon Gordon,Alexander Shpiner,Roy Shterman,Maor Vanmak. Владелец: Lightbits Labs Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Latent slow bit detection for non-volatile memory

Номер патента: US20140098615A1. Автор: CHEN He,Fuchen Mu,Peter J. Kuhn. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-10.

Consolidating Non-Volatile Memory Across Multiple Storage Devices For Front End Processing

Номер патента: US20190339867A1. Автор: Christopher Nicholas Allo. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of configuring non-volatile memory for a hybrid disk drive

Номер патента: EP2035935A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Non-volatile memory (nvm) reset sequence with built-in read check

Номер патента: US20130290797A1. Автор: CHEN He,Kelly K. Taylor. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-10-31.

Pre-suspend before program in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US12086462B2. Автор: Ryan J. Goss,Jonathan M. Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US12094542B2. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: WO2012015793A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Achieving consistent read times in multi-level non-volatile memory

Номер патента: US20180188978A1. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Achieving consistent read times in multi-level non-volatile memory

Номер патента: US10254977B2. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Method and Apparatus for Logically Removing Defective Pages in Non-Volatile Memory Storage Device

Номер патента: US20170154689A1. Автор: Yiren Ronnie Huang. Владелец: Cnex Labs Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A3. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Meirav Raz. Дата публикации: 2005-12-15.

Achieving consistent read times in multi-level non-volatile memory

Номер патента: US09811269B1. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Data storage device enabling latches of non-volatile memory dies for use as externally-accessible volatile memory

Номер патента: US11816343B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US9984750B2. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for ultra-low overhead and recovery time for secure non-volatile memories

Номер патента: US20200379854A1. Автор: Amro Awad,Kazi Abu ZUBAIR. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: US20120023347A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A2. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2005-03-31.

System and methodology for error management within a shared non-volatile memory architecture using bloom filters

Номер патента: US20180129557A1. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170229177A1. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

System and method to enable reading from non-volatile memory devices

Номер патента: US20130141983A1. Автор: Paul F. Ruths. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: US20240203518A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory (nvm) with variable verify operations

Номер патента: US20140321211A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Generating efficient reads for a system having non-volatile memory

Номер патента: US09690953B2. Автор: Nir Jacob Wakrat,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom,Daniel J. Post,Kenneth L. Herman,Alexander C. Sanks,Hari Hara Kumar Maharaj. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory with split write and read bitlines

Номер патента: US8331126B2. Автор: Esin Terzioglu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Non-volatile memory device controlled by a micro-controller

Номер патента: US20060036803A1. Автор: Ron Eliyahu,Mori Edan,Yair Sofer,Meir Grossgold. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-02-16.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: WO2023064006A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US20230114005A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Non-volatile memory power cycle protection mechanism

Номер патента: WO2024025784A1. Автор: John J. Sullivan,Andreas Adler,Jason W. Brinsfield,James M. Hollabaugh,Calvin M. RYAN. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11755208B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-Volatile Memory Power Cycle Protection Mechanism

Номер патента: US20240038310A1. Автор: John J. Sullivan,Andreas Adler,Jason W. Brinsfield,James M. Hollabaugh,Calvin M. RYAN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US20240143194A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for implementing predictable latency mode feature in ssd, and non-volatile memory (nvm) based storage device

Номер патента: US20230004323A1. Автор: Srinivasa Raju Nadakuditi,Abhinav Kumar Singh,Chandrashekar Tandavapura Jagadish,Manu YELAKKURU PRABHUSWAMY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: WO2023064005A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: EP4390928A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-07-05.

Dual-scope directory for a non-volatile memory storage system

Номер патента: US20110035534A1. Автор: Andrew Vogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Storing memory profile data of an application in non-volatile memory

Номер патента: US20190018610A1. Автор: Shridhar Prakash Joshi,Suprateeka R. Hegde. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-17.

Non-volatile memory with split write and read bitlines

Номер патента: CA2802737C. Автор: Esin Terzioglu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11893244B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Data partitioning scheme for non-volatile memories

Номер патента: US20170102899A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Matthew J. Byom,Daniel J. Post,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Power management for data storage devices implementing non-volatile memory (nvm) sets

Номер патента: WO2021194534A9. Автор: Shay Benisty,Vitali Linkovsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory cell with BTBT programming

Номер патента: US8194468B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Non-Volatile Memory Cell with BTBT Programming

Номер патента: US20110255348A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Power management for data storage devices implementing non-volatile memory (nvm) sets

Номер патента: WO2021194534A1. Автор: Shay Benisty,Vitali Linkovsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-09-30.

Method and apparatus for performing data protection regarding non-volatile memory

Номер патента: US20210303183A1. Автор: Chang-Hsien Tai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Reactive power management for non-volatile memory controllers

Номер патента: US20190094938A1. Автор: Matthew Davidson,Eran Erez,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Reed P. Tidwell. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Storage controller having data augmentation components for use with non-volatile memory die

Номер патента: US20200401344A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Resource usage arbitration in non-volatile memory (NVM) data storage devices with artificial intelligence accelerators

Номер патента: US11829619B2. Автор: Niraj Srimal,Vimal Jain,Adarsh Sreedhar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Preemptive mitigation of cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200411110A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: US20200184335A1. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Optimization of reference voltages in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US11901013B2. Автор: Stacey Secatch,Jonathan Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Write credits management for non-volatile memory

Номер патента: EP3704591A1. Автор: Liyong Wang,Raj Ramanujan,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-09-09.

Write credits management for non-volatile memory

Номер патента: WO2019089683A1. Автор: Liyong Wang,Raj Ramanujan,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: US11705191B2. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Host-managed non-volatile memory

Номер патента: US09645739B2. Автор: Annie Foong,Dan J. WILLIAMS,Bryan E. Veal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory with on-chip principal component analysis for generating low dimensional outputs for machine learning

Номер патента: US20220100375A1. Автор: Yongjune Kim,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory with on-chip principal component analysis for generating low dimensional outputs for machine learning

Номер патента: US11662904B2. Автор: Yongjune Kim,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Non-volatile memory with on-chip principal component analysis for generating low dimensional outputs for machine learning

Номер патента: WO2021112920A1. Автор: Yongjune Kim,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20220180944A1. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-09.

Non-volatile memory apparatus and address classification method thereof

Номер патента: US20180101314A1. Автор: Jiin Lai,Jiangli Zhu,Ying-Yu Tai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Persistent log operations for non-volatile memory

Номер патента: EP2901267A1. Автор: Qiong Cai,Ferad Zyulkyarov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: US20130290617A1. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Vitantonio Distasio,Pasquale Vastano. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-10-31.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US20160162355A1. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US09632867B2. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile memory program failure recovery via redundant arrays

Номер патента: US10467093B2. Автор: Earl T. Cohen,Jeremy Isaac Nathaniel Werner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-11-05.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A3. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-08-23.

Persistent log operations for non-volatile memory

Номер патента: WO2014051744A1. Автор: Qiong Cai,Ferad Zyulkyarov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: EP2659490A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-11-06.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180349057A1. Автор: Paul Blinzer,Nima Osqueizadeh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180181341A1. Автор: Paul Blinzer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Masterless raid for byte-addressable non-volatile memory

Номер патента: WO2020092778A1. Автор: Gregg B. Lesartre,Russ W. Herrell,Chris Michael Brueggen. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-05-07.

Achieving consistent read times in multi-level non-volatile memory

Номер патента: US10871903B2. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Achieving consistent read times in multi-level non-volatile memory

Номер патента: US20190332277A1. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: WO2020117348A2. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory circuit and method

Номер патента: US20230386591A1. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Achieving consistent read times in multi-level non-volatile memory

Номер патента: WO2018125418A1. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: US20210375358A1. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: EP3756186A2. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: WO2020117348A3. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Self-trimming of data stored in non-volatile memory using data storage controller

Номер патента: US20190377512A1. Автор: Guy Freikorn,Avichay Haim Hodes. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Power management for a system having non-volatile memory

Номер патента: WO2013165786A2. Автор: Nir Jacob Wakrat,Victor E. Alessi,Anthony Fai,Arjun Kapoor,Nicholas R. SEROFF. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-11-07.

Digital Control For Regulation Of Program Voltages For Non-Volatile Memory (NVM) Systems

Номер патента: US20150235704A1. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Christopher N. Hume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-20.

Apparatus for connecting non-volatile memory locally to a gpu through a local switch

Номер патента: US20190243791A1. Автор: Nima Osqueizadeh. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2019-08-08.

Apparatus for connecting non-volatile memory locally to a gpu through a local switch

Номер патента: US20180181518A1. Автор: Nima Osqueizadeh. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2018-06-28.

Device-initiated input/output assistance for computational non-volatile memory on disk-cached and tiered systems

Номер патента: US20210279007A1. Автор: Sanjeev Trika. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Monolithic non-volatile memory device using peripheral component interconnect express interface for embedded system

Номер патента: US20240338334A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Efficient buffering for a system having non-volatile memory

Номер патента: US09996457B2. Автор: Nir Jacob Wakrat,Daniel J. Post. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Efficient buffering for a system having non-volatile memory

Номер патента: US09703700B2. Автор: Daniel J. Post,Nir J. Wakrat. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory die with bit-flip object insertion

Номер патента: US20230419464A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen,Nikita Thacker. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: US20200185027A1. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory efficient persistent key-value store for non-volatile memories

Номер патента: US20180357234A1. Автор: Arup DE. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Ordering reads to limit collisions in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US11822817B2. Автор: Christopher Smith. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Non-volatile memory with precise write-once protection

Номер патента: US20200242257A1. Автор: Jon D. Trantham. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling with linear indexing

Номер патента: US11875836B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Non-volatile memory die and storage controller having data augmentation components for use with machine learning

Номер патента: WO2020256787A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Non-volatile memory circuit

Номер патента: US11791006B2. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via outlier compensation

Номер патента: US11790969B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and outlier compensation

Номер патента: US11670352B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Workload-dependent age tracking for non-volatile memory

Номер патента: US20220253249A1. Автор: Vladimir Matveyenko,Venkat Ramana Reddy GOGIREDDY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Orphan block management in non-volatile memory devices

Номер патента: US09811413B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yair Schwartz,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via multi-level wear leveling

Номер патента: US11823725B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling in a round robin fashion

Номер патента: US11869562B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and random swap injection

Номер патента: US11295796B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Non-volatile memory die with latch-based multiply-accumulate components

Номер патента: US12032959B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Apparatuses and methods for non-volatile memory programming schemes

Номер патента: US09576667B2. Автор: Akira Goda,William C Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US11314422B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Non-volatile memory die with latch-based multiply-accumulate components

Номер патента: US20230418600A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US20240020024A1. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Redundancy system for non-volatile memory

Номер патента: EP3097564A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Mourad Abdat. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile memory having a dynamically adjustable soft program verify voltage level and method therefor

Номер патента: WO2009017889A1. Автор: Jon S. Choy,Richard K. Eguchi. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Block erase schemes for cross-point non-volatile memory devices

Номер патента: US09928907B1. Автор: Jay Kumar,Won Ho Choi,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory (nvm) erase operation with brownout recovery technique

Номер патента: US20120117307A1. Автор: CHEN He,Jon S. Choy,Richard K. Eguchi,Peter J. Kuhn,Richard K. Glaeser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Snapshotting pending memory writes using non-volatile memory

Номер патента: EP4268084A1. Автор: Amir ROOZBEH,Chakri PADALA,Ahsan Javed AWAN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-11-01.

Snapshotting Pending Memory Writes Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230409472A1. Автор: Amir ROOZBEH,Chakri PADALA,Ahsan Javed AWAN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and apparatus for accessing non-volatile memory as byte addressable memory

Номер патента: EP3559815A1. Автор: Gongxian Jeffrey Cheng. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory device with combined non-volatile memory (nvm) and volatile memory

Номер патента: US20160246539A1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-25.

Non-volatile memory structure with single cell or twin cell sensing

Номер патента: US20240177770A1. Автор: Bipul C. Paul,Chandrahasa Reddy Dinnipati. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US10460818B2. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-10-29.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Determining control states for address mapping in non-volatile memories

Номер патента: US10445232B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-15.

Non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: EP2524313A2. Автор: Ross S. Scouller,Daniel L. Andre,Stephen F. Mcginty. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-11-21.

Non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: WO2011087952A2. Автор: Ross S. Scouller,Daniel L. Andre,Stephen F. Mcginty. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Multi-level cell (mlc) non-volatile memory data reading method and apparatus

Номер патента: US20160012887A1. Автор: Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1934985A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-06-25.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007030399A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-15.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040008542A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-15.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Storage device, method of operating storage device, and method of operating non-volatile memory

Номер патента: US20240231987A1. Автор: Sangwon Park,Jooyong PARK,Jaeha Park,Kyungduk Lee,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915A2. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registeting light- attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US20060011816A1. Автор: Wolfgang Buhr,Joachim Garbe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915B1. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-18.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US7232983B2. Автор: Joachim C. H. Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-19.

Positive feedback and parallel searching enhanced optimal read method for non-volatile memory

Номер патента: US20210118518A1. Автор: Xiang Yang,Jianzhi Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Non-volatile memory with virtual ground voltage provided to unselected column lines during memory write operation

Номер патента: US20220101903A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory devices and control methods therefor

Номер патента: US09483212B2. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US20210074356A1. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: WO2019157044A1. Автор: Eric R. Fox,Gary R. Van Sickle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-15.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for suppressing gate oxide tunnel current in non-volatile memory to reduce disturbs

Номер патента: US20200143898A1. Автор: Aswin N. Mehta,John H. MacPeak,Stephen K. Heinrich-Barna,Clyde F. Dunn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US11011231B2. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

System and method for managing non-volatile memory based on health

Номер патента: US20100058119A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Denali Software Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

System and Method for Providing a Programming Framework for Designing High-Performance Non-Volatile Memory Objects with High Usability

Номер патента: US20240160411A1. Автор: SeungMin JEON,Jeehoon Kang,Kyeongmin Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-16.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007111688A3. Автор: Mohammed Suhail. Владелец: Mohammed Suhail. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data

Номер патента: EP2513908A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jianmin Huang,Lee M. Gavens,Chris Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-24.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Memory controller and method for accessing a plurality of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20120096215A1. Автор: Xingyu Li,Kevin K. Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-19.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

High speed multi-level cell (MLC) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US12112800B2. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Methods and Devices for Erasing Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220044743A1. Автор: Gianbattista Lo Giudice,Rosario Roberto Grasso,Giovanni Matranga,Alberto Jose' Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-10.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and system for compacting data in non-volatile memory

Номер патента: US09910773B2. Автор: Nicholas James Thomas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US09891864B2. Автор: Jonathan Parry,George Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US09779820B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Converting volatile memory module devices to flashless non-volatile memory module devices

Номер патента: US09619329B2. Автор: Mudi M. FLUMAN,Yaacov Frank,Yehuda Shiran,Ronny Vatelmacher,Ofir Elizov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Antifuse-type non-volatile memory and control method thereof

Номер патента: US20240161844A1. Автор: Chia-Fu Chang,Ming-Hsuan Tan,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Non-volatile memory with loop dependant ramp-up rate

Номер патента: WO2024151342A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: WO2017209811A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for load-balancing cache flushes to non-volatile memory

Номер патента: US20190236029A1. Автор: Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan,Wade Andrew Butcher. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US20240264941A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US09645939B2. Автор: Sanjay Kumar,Subramanya R. DULLOOR,Rajesh M Sankaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems for and methods of extending lifetime of non-volatile memory

Номер патента: US09632866B2. Автор: Arthur Robert Calderbank,Daniel J. Sorin,Adam N. Jacobvitz. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile memory having a multiple block erase mode and method therefor

Номер патента: WO2007100939A3. Автор: Richard K Eguchi,Jon S Choy. Владелец: Jon S Choy. Дата публикации: 2008-12-04.

Fail-safe non-volatile memory programming system and method therefor

Номер патента: WO1997049085A1. Автор: Frederick J. Bruwer,Emile Van Rooyen,William Smit,Thomas C. Salt. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 1997-12-24.

Reliable non-volatile memory programming interface and method therefor

Номер патента: US20190095133A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US20230197156A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method and device for programming non-volatile memory

Номер патента: US20180373584A1. Автор: Shih-Chang Huang,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8811106B2. Автор: Youjip Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache

Номер патента: EP1829047A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Command control for multi-core non-volatile memory

Номер патента: WO2018156200A1. Автор: Jingwen Ouyang,Greg Hilton,Jayesh Pakhale. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Multi-deck non-volatile memory architecture with improved wordline bus and bitline bus configuration

Номер патента: US12087350B2. Автор: Cheng-Yi Huang,William Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: WO2024226631A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: US20240354005A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US09891859B1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Feedback validation of arbitrary non-volatile memory data

Номер патента: US09824775B2. Автор: Jonathan William Nafziger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory accelerator and method for speeding up data access

Номер патента: US09773534B2. Автор: Kun-Chih Chen,Hsiao-An Chuang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of repairing non-volatile memory based storage device and method of operating electronic system including the storage device

Номер патента: US09728277B2. Автор: Jong Tae Park,Joon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A3. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Method and Apparatus for Storing Data in a Write-Once Non-Volatile Memory

Номер патента: US20090059684A1. Автор: Edward B. Harris. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-03-05.

Method and System Involving Degradation of Non-Volatile Memory Based on Write Commands and Drive-Writes

Номер патента: US20200342945A1. Автор: Vidyabhushan Mohan,Yao Zhang,Cory Peterson,Jay Sarkar,Amir SANAYEI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Circuit and method for reading a non-volatile memory

Номер патента: US6195286B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-27.

Method and apparatus for enhancing the reliability of a non-volatile memory

Номер патента: US10276246B2. Автор: Jan Peter Berns,Christoph Baumhof,Fabio Tassan. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-04-30.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US09715924B2. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

System, apparatus, and method for anti-replay protection of data stored in a non-volatile memory device

Номер патента: US09690922B2. Автор: Mark Buer,Jaku Jose,Weiyang Zhou,Kunyan Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Caching unified extensible firmware interface (UEFI) and/or other firmware instructions in a non-volatile memory of an information handling system (IHS)

Номер патента: US09563439B2. Автор: Mukund P. Khatri,Dirie N. Herzi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240161848A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240193058A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240160544A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Making volatile isolation transactions failure-atomic in non-volatile memory

Номер патента: WO2017052845A1. Автор: Kshitij A. Doshi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US12099424B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory read/write disturb monitoring

Номер патента: US09711234B1. Автор: Richard H. Van Gaasbeck. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Non-volatile memory and method with peak current control

Номер патента: EP2877995A1. Автор: Dana Lee,Yi-Chieh Chen,Farookh Moogat. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Non-volatile memory system with reset control mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140226390A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Non-volatile memory and method with post-write read and adaptive re-write to manage errors

Номер патента: EP2494552A1. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-09-05.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

System and method of sending correction data to a buffer of a non-volatile memory

Номер патента: US20130212448A1. Автор: Omprakash Bisen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-08-15.

Rapid restart protection for a non-volatile memory system

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Yuhua Liu,Muhammad N. Ashraf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Superblock size management in non-volatile memory devices

Номер патента: US12124719B2. Автор: Steven Wells,Neil Buxton. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory system with power reduction mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140177317A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09959933B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09747997B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US09711211B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

System and method for avoiding offset in and reducing the footprint of a non-volatile memory

Номер патента: WO2006044163A3. Автор: Massimiliano Frulio,Luca Figini,Andrea Sacco,Reggiori Riccardo Riva. Владелец: Reggiori Riccardo Riva. Дата публикации: 2006-08-10.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20120039120A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US20170018305A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Wear-aware block mode conversion in non-volatile memory

Номер патента: US20200393972A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Aaron D. Fry,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Timothy Fisher,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Method and a circuit architecture for testing an integrate circuit comprising a programmable, non-volatile memory

Номер патента: US20010015925A1. Автор: Albino Pidutti,Paolo Sandri,Alessandro Camera,Ignazio Bellomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-23.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20240248620A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: EP4359917A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: US20240289122A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09910771B2. Автор: Blaise Fanning,Michael W. Williams,Robert J. Royer, Jr.,Eng Hun Ooi,Jeffrey R. Wilcox,Ritesh B. Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory device, and storage apparatus to reduce a read retry occurrence frequency and prevent read performance from lowering

Номер патента: US09898201B2. Автор: Hiroshi Hirayama,Yoshihiro Oikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US09858997B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory systems with multi-write direction memory units

Номер патента: US09728262B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Dennis Ea,Mikhail Palityka,Ivan Baran,Yew Yin Ng,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for early write termination with non-volatile memory

Номер патента: US09727112B1. Автор: Vijay Karamcheti,Ashwin Narasimha. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Reading and writing data at multiple, individual non-volatile memory portions in response to data transfer sent to single relative memory address

Номер патента: US09645765B2. Автор: Anantharaj Thalaimalai Vanaraj,Sainath Viswasarai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20220076772A1. Автор: Tokumasa Hara,Itaru HIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Reading Circuit and Method for a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190108886A1. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-11.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088919A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Reading circuit and method for a non-volatile memory device

Номер патента: US10593410B2. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-17.

System and method for programming non-volatile memory

Номер патента: US20050018487A1. Автор: Gelu Voicu,Carmen Stangu,Adam Cosmin. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Local Reference Voltage Generator for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220101904A1. Автор: Kapil Jain,Shan Sun,Patrick O'connell,Fan Chu,Edwin Kim,Alan DeVilbiss,Franklin Brodsky. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory

Номер патента: WO2003054888A3. Автор: Engelbert Wittich. Владелец: Engelbert Wittich. Дата публикации: 2004-01-29.

Bitline voltage regulation in non-volatile memory

Номер патента: WO2014022281A1. Автор: Evrim Binboga. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: US20120213007A1. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20200341691A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Suspending and resuming non-volatile memory operations

Номер патента: EP3172674A1. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Ryan R. Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-31.

Non-volatile memory and method having block management with hot/cold data sorting

Номер патента: EP2712448A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Thomas Hugh SHIPPEY,William S. Wu,Stephen T. SPROUSE,Yauheni Yaromenka,Liam Michael Parker,Marielle Bundukin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-04-02.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Hardware-Assisted Memory Disaggregation with Recovery from Network Failures Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220012139A1. Автор: Andreas Nowatzyk,Pratap Subrahmanyam,Isam Akkawi. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A3. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: EP2676275A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Non-volatile memory bank with embedded inline computing logic

Номер патента: US20200381047A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory protections

Номер патента: US20210081117A1. Автор: Christopher H. Stewart,Wei Ze Liu,Rosilet Retonamoni Braduke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-03-18.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: US12039193B2. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: Kigen UK Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20180322935A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Vread bias allocation on word lines for read disturb reduction in 3d non-volatile memory

Номер патента: WO2015038558A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Chenfeng Zhang,Seung Yu,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Countermeasures for periodic over programming for non-volatile memory

Номер патента: US20220293197A1. Автор: Anubhav Khandelwal,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: WO2023146572A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Secure tunneling access to debug test ports on non-volatile memory storage units

Номер патента: US20180067794A1. Автор: Murugasamy K. Nachimuthu,Mahesh S. Natu,Shamanna M. Datta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Hardware-Assisted Memory Disaggregation with Recovery from Network Failures Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230205649A1. Автор: Andreas Nowatzyk,Pratap Subrahmanyam,Isam Akkawi. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Circuits, systems and methods for driving high and low voltages on bit lines in non-volatile memory

Номер патента: US20120014185A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Firehose Dump of SRAM Write Cache Data to Non-Volatile Memory Using a Supercap

Номер патента: US20120215971A1. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Adaptive Programming For Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20130250692A1. Автор: Danut Manea,Stephen Trinh,Dixie Nguyen,Erwin Castillon,Uday Mudumba,Sabina Centazzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Data storage device with hierarchical mapping information management, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210208798A1. Автор: Hsueh-Chun FU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Circuit and method for timing multi-level non-volatile memories

Номер патента: US20010022753A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: WO2020201672A1. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Differential current sense amplifier and method for non-volatile memory

Номер патента: WO2014200776A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018009282A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US10824563B2. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-03.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

WORKLOAD PRIORITIZATION FAIRNESS TECHNIQUES IN NON-VOLATILE MEMORY EXPRESS (NVMe) SYSTEMS

Номер патента: US20230106968A1. Автор: Vinay SAWAL,Jayanth Kumar Reddy Perneti,Vindhya Gangaraju. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-04-06.

Non-volatile memory with adapting erase process

Номер патента: US20240319905A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: US12094546B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Securing temporary data stored in non-volatile memory using volatile memory

Номер патента: WO2009006728A9. Автор: Laurence Hamid,Kris Pribadi. Владелец: Memory Experts Int Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Write suppression in non-volatile memory

Номер патента: US20190235767A1. Автор: Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US12050779B2. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20240370183A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Read cache management in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09952981B2. Автор: Alex Radinski,Tsafrir Kamelo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Accelerated address indirection table lookup for wear-leveled non-volatile memory

Номер патента: US09952801B2. Автор: Jun Zhu,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,Woojong Han,Jordan A. Horwich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Multi-bank non-volatile memory apparatus with high-speed bus

Номер патента: US09921763B1. Автор: Cliff Zitlaw. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09875036B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Dynamically allocable regions in non-volatile memories

Номер патента: US09852781B2. Автор: Luca Porzio,Emanuele Confalonieri,Giuseppe Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Secure tunneling access to debug test ports on non-volatile memory storage units

Номер патента: US09766963B2. Автор: Murugasamy K. Nachimuthu,Mahesh S. Natu,Shamanna M. Datta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory data storage with low read amplification

Номер патента: US09710199B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Atomic non-volatile memory data transfer

Номер патента: US09652415B2. Автор: Robert W. Ellis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Identification of data committed to non-volatile memory by use of notification commands

Номер патента: US09645752B1. Автор: Nathan Obr. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Suspending and resuming non-volatile memory operations

Номер патента: US09645744B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Ryan R. Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09575882B2. Автор: Robert Wipfel,David Nellans. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile memory with two phased programming

Номер патента: US09570179B2. Автор: Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Crash recovery using non-volatile memory

Номер патента: US09558080B2. Автор: Pedro Celis,Dexter Paul Bradshaw. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Management of a non-volatile memory module

Номер патента: US09501392B1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for complete rewriting of cleared non- volatile memory

Номер патента: RU2142168C1. Автор: Циммерманн Юрген,Гроте Вальтер. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 1999-11-27.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Error characterization for control of non-volatile memory

Номер патента: US20190278500A1. Автор: Raghavendra Gopalakrishnan,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Data conversion with data path circuits for use in double sense amp architecture with fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US11776640B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

System and method of backing up data from a volatile memory medium to a non-volatile memory medium

Номер патента: US20220027268A1. Автор: Kurtis Wayne Dorsey. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-01-27.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: EP4032089A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Non-volatile Memory Device With Stored Index Information

Номер патента: US20210082517A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: WO2021055006A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US20120294091A1. Автор: Hee-Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Systems and methods capable of bypassing non-volatile memory when storing firmware in execution memory

Номер патента: US11775038B2. Автор: Ashok Kumar YADAV,Shalu Agrawal,Shaileshkumar Vasu,Vismay Ajaykumar Desai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Method and system for reading unknown data from non-volatile memory

Номер патента: US20240145015A1. Автор: Osama Khouri,Yves Godat. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of testing non-volatile memory device and method of managing non-volatile memory device

Номер патента: US9214206B2. Автор: Dong-ku Kang,Sang-In Park,Boh-Chang KIM,Bu-il NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Memory architectures including non-volatile memory devices

Номер патента: WO2006074176A3. Автор: David S Choi,John D Villasenor. Владелец: John D Villasenor. Дата публикации: 2007-05-31.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040202022A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Double sense amp and fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US12014795B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Folding ordering scheme for improved throughput in non-volatile memory

Номер патента: US20240221802A1. Автор: Amit Sharma,Abhinandan Venugopal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233817A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233816A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

호스트 메모리 버퍼(Host Memory Buffer)를 관리하기 위한 NVMe(Non-Volatile Memory　Express) 컨트롤러를 포함하는 솔리드 스테이트 저장 장치(solid state storage device), 이를 포함하는 시스템 및 호스트의 호스트 메모리 버퍼를 관리하는 방법

Номер патента: KR102683696B1. Автор: 벤카타라트남 님마가따,불리가들라 아마레시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-01.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: WO2020086264A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Data erasure verification for three-dimensional non-volatile memory

Номер патента: US20230136479A1. Автор: Changhyun LEE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with autonomous cycling

Номер патента: US12040031B2. Автор: Yan Li,Liang Li,Wenkai Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US12051473B2. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technolologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Non-volatile memory

Номер патента: US20100329000A1. Автор: Mohamed Boutchich. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Flexible and area efficient column redundancy for non-volatile memories

Номер патента: EP1700314A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Non-volatile memory devices having uniform error distributions among pages

Номер патента: US8780627B1. Автор: Xueshi Yang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: WO2010031160A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: WO2017209812A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: GB2582638A. Автор: Dean Tebbutt Colin,David Hunter William. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Power architecture for non-volatile memory

Номер патента: US11763895B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Jeremy Binfet. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: EP2342712A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-13.

Two-dimensionally accessible non-volatile memory

Номер патента: US20190206487A1. Автор: ZHENG Li,Hai Li,Yiran Chen. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2019-07-04.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Serving encrypted and plain data from a low latency non-volatile memory

Номер патента: US9069776B1. Автор: Emanuel Taropa. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2015-06-30.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Non-volatile memory

Номер патента: US20150200017A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20200272561A1. Автор: Shih-Chang Chang,Jian-Yu Chen,Bo-Yan JHAN,Yuh-Jang LO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Folding data stored in binary format into multi-state format within non-volatile memory devices

Номер патента: EP2438595A1. Автор: Yan Li,BO LIU,Chi-Ming Wang,Kwang-Ho Kim,Cuong Quoc Trinh,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-04-11.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to ups

Номер патента: US20170168937A1. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Non-volatile memory storage device and operation method thereof

Номер патента: US20100030933A1. Автор: Fuja Shone,Shih Chieh Tai,Chih Wei Tsai,Yung Li Ji,Chuang Cheng,Chih Cheng Tu. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: US20240312538A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: WO2024191493A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Host-initiated and auto-initiated non-volatile memory refresh

Номер патента: US12124717B2. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US12119054B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US09997240B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory server with read writeable non-volatile memory

Номер патента: US09983797B2. Автор: Ajith Kumar,Vijay Karamcheti,Shibabrata Mondal. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Controlling persistent writes to non-volatile memory based on persist buffer data and a persist barrier within a sequence of program instructions

Номер патента: US09946492B2. Автор: Peter Chen,Stephan Diestelhorst,Ali Ghassan SAIDI,Aasheesh KOLLI,Thomas Friedrich WENISCH. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Reducing read access latency by straddling pages across non-volatile memory channels

Номер патента: US09940034B2. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Redundant backup using non-volatile memory

Номер патента: US09921762B2. Автор: Jeffrey C. Solomon,Chi-She Chen,Jayesh Bhakta,Mike Hossein Amidi,Scott H. Milton. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Hybrid memory controller for arbitrating access to volatile and non-volatile memories in a hybrid memory group

Номер патента: US09830086B2. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Indong KIM,Sun Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09786383B2. Автор: Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to UPS

Номер патента: US09772942B2. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: US09747992B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US09715938B2. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Coordinating replication of data stored in a non-volatile memory-based system

Номер патента: US09678673B2. Автор: Douglas L. Voigt. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-13.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09627088B2. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Multi-state programming for non-volatile memory

Номер патента: US09595317B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Non-volatile memory sector rotation

Номер патента: US09588882B2. Автор: Zion S. Kwok,Scott E. Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US09588857B2. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory program failure recovery via redundant arrays

Номер патента: US09569320B2. Автор: Earl T. Cohen,Jeremy Isaac Nathaniel Werner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Accessing a serial number of a removable non-volatile memory device

Номер патента: US09552855B2. Автор: Robert D. Widergren,Eric R. Hamilton,John L. Douglas. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09548118B1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Source biasing in non-volatile memory having row-based sectors

Номер патента: US5923585A. Автор: Sau C. Wong,Hock C. So. Владелец: Invox Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Non-volatile memory system or sub-system

Номер патента: US11550381B2. Автор: Robert Nasry Hasbun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Data whitening for writing and reading data to and from a non-volatile memory

Номер патента: US8918655B2. Автор: Michael J. Smith,Tahoma M. Toelkes,Matthew J. Byom,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US20240046996A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Method and apparatus for writing data to non-volatile memory

Номер патента: US20160078960A1. Автор: Jianmin Huang,Nian Yang,Ting Luo,Alexandra Bauche,Nagdi Tafish. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-03-17.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US11797225B2. Автор: George Pax,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: WO2024030190A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US11972805B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method of detecting potential security violations of direct access non-volatile memory device

Номер патента: US20200327258A1. Автор: Ariel Navon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Pseudo multi-plane read methods and apparatus for non-volatile memory devices

Номер патента: US11935585B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Arka Ganguly. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-volatile memory device, controller and memory system

Номер патента: US20230395111A1. Автор: Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin,Kuiyon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US11983111B2. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and system for programming and inhibiting multi-level, non-volatile memory cells

Номер патента: WO2003052766A1. Автор: Feng Pan,Khandker N. Quader,Alexander K. Mak,Long C. Pham,Khanh T. Nguyen. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-06-26.

Converting volatile memory module devices to flashless non-volatile memory module devices

Номер патента: US20160371148A1. Автор: Mudi M. FLUMAN,Yaacov Frank,Yehuda Shiran,Ronny Vatelmacher,Ofir Elizov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Data storage device, non-volatile memory operating method, and method for executing operational commands to operate a data storage medium

Номер патента: US20200272330A1. Автор: Ming-Hung Chang,Shu-Lei CHEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Non-volatile memory device and method for erasing the same

Номер патента: US20150146487A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US20240126475A1. Автор: George Pax,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: EP4388421A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Data storage device, non-volatile memory operating method, and method for executing operational commands to operate a data storage medium

Номер патента: US20190004702A1. Автор: Ming-Hung Chang,Shu-Lei CHEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US12019868B2. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030107921A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Dynamic configuring of reliability and density of non-volatile memories

Номер патента: US20220043745A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Amir Rochman,Ori Tirosh. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Accelerated non-volatile memory device inspection and forensics

Номер патента: EP4208787A1. Автор: Tyler Vrooman,Graham Schwinn,Greg Edvenson. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Data link between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: WO2020092625A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Voltage regulation system for a multiword programming of a low integration area non volatile memory

Номер патента: US20040233723A1. Автор: Ignazio Martines,Massimo Scardaci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-25.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Non-volatile memory controller cache architecture with support for separation of data streams

Номер патента: US20190272232A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Split gate non-volatile memory cells and logic devices with finfet structure, and method of making same

Номер патента: EP3782195A4. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

METHOD OF MAKING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE USEFUL IN MAKING A SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20120261769A1. Автор: Winstead Brian A.,Hong Cheong M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

METHODS AND SYSTEMS FOR ERASE BIASING OF SPLIT-GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Kang Sung-Taeg,Winstead Brian A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Array Of Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cells Having Improved Strapping Of The Coupling Gates

Номер патента: US20130126958A1. Автор: Van Tran Hieu,Do Nhan,GHAZAVI PARVIZ,"Ommani Henry A.",Wang Shiuh-Luen. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Parallel Use of Integrated Non-Volatile Memory and Main Volatile Memory within a Mobile Device

Номер патента: US20120004011A1. Автор: CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.