Image processing apparatus having function for performing sync processing to transfer and store data of cache memory to non-volatile memory in accordance with predetermined condition.

Image processing apparatus having function for performing sync processing to transfer and store data of cache memory to non-volatile memory in accordance with predetermined condition

Номер патента: US8237974B2
Опубликовано: 07-08-2012
Автор(ы): Hiroshi Ishii
Принадлежит: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US9619736B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US20150213338A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Display driver system with embedded non-volatile memory

Номер патента: US20200327865A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zhigang Han. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Display driver system with embedded non-volatile memory

Номер патента: US20240021173A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zhigang Han. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Image sensor device having one or more modified dummy pixels that are usable as non-volatile memory elements

Номер патента: US20080073488A1. Автор: Christopher Dean Silsby. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Photodiode imaging arrays reconfigured or mapped via a non volatile memory

Номер патента: GB2490929A. Автор: Graham Mackerron,Bernard Mulgrew. Владелец: Selex Galileo Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Non-volatile memory system including a partial decoder and event detector for video streams

Номер патента: EP3681164A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Non-volatile memory system including a partial decoder and event detector for video streams

Номер патента: US20200228812A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: CA2594226C. Автор: Rodney Bylsma,Jeff Lejeune,Rob Oliver,Mike Rybak. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-09-25.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: EP1832131B1. Автор: Mike Research In Motion Limited RYBAK,Jeff Research In Motion Limited LEJEUNE,Rodney Research In Motion Limited BYLSMA,Rob Research In Motion Limited OLIVER. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Operating a secure storage device with a non-volatile memory

Номер патента: US20190228163A1. Автор: Klaus Werner,Joerg Schmidbauer,Jakob C. Lang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Host based non-volatile memory clustering mechanism using network mapped storage

Номер патента: US20180322088A1. Автор: Keshav G. Kamble,Vijoy A. Pandey,Atul A. Tambe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Performing an action by an electronic device using first and second partial secret keys and using volatile and non-volatile memory for storage of keys

Номер патента: SE545445C2. Автор: Martin Kaufmann,Frans Lundberg,Adam Augustyn. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2023-09-12.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Host based non-volatile memory clustering using network mapped storage

Номер патента: WO2016120084A1. Автор: Vijoy Pandey,Keshav Govind Kamble,Atul Tambe. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2016-08-04.

Non-volatile memory for secure storage of authentication data

Номер патента: US10303623B2. Автор: Scott C. Best,Brent S. Haukness,Carl W. Werner. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Encrypting data in a non-volatile memory express (‘NVMe’) storage device

Номер патента: US11924183B2. Автор: John Colgrove,Ethan MILLER,Timothy Brennan,Andrew Bernat. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Accelerating data replication using multicast and non-volatile memory enabled nodes

Номер патента: US20190208011A1. Автор: Amit Kumar Saha,Debojyoti Dutta,Johnu George,Marc Solanas Tarre,Ramdoot Kumar Pydipaty. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Fabric driven non-volatile memory express subsystem zoning

Номер патента: US11579808B2. Автор: Vivek Agarwal,Rupin t. Mohan,Komateswar Dhanadevan,Asutosh Satapathy,Krishna Babu Puttagunta,Govind Chandru Rathod. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2023-02-14.

Ephemeral regions within non-volatile memory devices

Номер патента: EP3777017A1. Автор: Byron A. Alcorn,Shane Ward,Raphael Gay,Diego Medaglia,Carlos HAAS. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-02-17.

Ephemeral regions within non-volatile memory devices

Номер патента: WO2020036602A1. Автор: Byron A. Alcorn,Shane Ward,Raphael Gay,Diego Medaglia,Carlos HAAS. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-02-20.

Ephemeral regions within non-volatile memory devices

Номер патента: US20210367769A1. Автор: Byron A. Alcorn,Shane Ward,Raphael Gay,Diego Medaglia,Carlos HAAS. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-11-25.

Controlling access to removable non-volatile memory device using instruction file

Номер патента: US20190311144A1. Автор: Lee N. Helgeson,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lisa Hollermann DIERKHISING. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Controlling access to removable non-volatile memory device using instruction file

Номер патента: US20190228167A1. Автор: Lee N. Helgeson,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lisa Hollermann DIERKHISING. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US11895236B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Memory device including non-volatile memory and method of managing data thereof

Номер патента: US20190065122A1. Автор: Kuniaki Ito,Hitomi Tanaka,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Masahiko Nakashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device including non-volatile memory and method of managing data thereof

Номер патента: US10838663B2. Автор: Kuniaki Ito,Hitomi Tanaka,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Masahiko Nakashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Controlling access to removable non-volatile memory device using instruction file

Номер патента: US10740480B2. Автор: Lee N. Helgeson,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lisa Hollermann DIERKHISING. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Dual Relationship-Based Hash Structure for Non-Volatile Memory Technology

Номер патента: US20210303517A1. Автор: Shelesh Chopra,Pooja Singh,Gopal SINGH,Rahul D. Vishwakarma. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Automated ethernet layer 3 (L3) connectivity between non-volatile memory express over fabric (NVMe-oF) hosts and NVM-oF subsystems using bind

Номер патента: US11805171B2. Автор: Claudio Desanti,Erik Smith,Joseph LaSalle White,Douglas Lang FARLEY,Martin Gilbert BELANGER. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-10-31.

Electronic apparatus including non-volatile memory

Номер патента: US20200045036A1. Автор: Sungmin Kim,Sungmin Park,Kiyoung Lee,Sanghee Lee,Jemin WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-02-06.

Electronic apparatus including non-volatile memory

Номер патента: US11588811B2. Автор: Sungmin Kim,Sungmin Park,Kiyoung Lee,Sanghee Lee,Jemin WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-02-21.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory with adjusted bit line voltage during verify

Номер патента: US11837296B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Ohwon KWON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of forming low-resistivity connections in non-volatile memories

Номер патента: US20010049176A1. Автор: Alfonso Maurelli,Nicola Zatelli,Massimo Ati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Non-volatile memory with three dimensional stacked word line switches

Номер патента: US11943922B1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Sudarshan Narayanan,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li,Qinghua Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Non-volatile memory elements

Номер патента: US5973357A. Автор: Junichi Hikita,Hiromi Uenoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-10-26.

Three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20230253044A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Architecture and data path options for compression of soft bit data in non-volatile memories

Номер патента: US11971826B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,A. Harihara Sravan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

On-the fly error checking and correction codec system and method for supporting non-volatile memory

Номер патента: US20060282757A1. Автор: Dae-Woong Kim,Hyun-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-14.

Asymmetric bit errors in low-density parity-check codes for non-volatile memory devices

Номер патента: US11881869B1. Автор: Fan Zhang,Seyhan Karakulak,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Array of non-volatile memory cells to store data in analog form and digital form

Номер патента: US20240220154A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230197173A1. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-volatile memory with pre-trained model and inference circuit

Номер патента: EP4420122A1. Автор: Liang Li,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Use of data latches for compression of soft bit data in non-volatile memories

Номер патента: US11901019B2. Автор: CHEN CHEN,Masaaki Higashitani,Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Fast open block erase in non-volatile memory structures

Номер патента: US11901016B2. Автор: Xiaojia Jia,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Fast open block erase in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230352097A1. Автор: Xiaojia Jia,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Non-volatile memory with inter-die connection

Номер патента: US20230386576A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: US20230409435A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramakrishnan Venkatasubramanian. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Network router device with hardware-implemented lookups including two-terminal non-volatile memory

Номер патента: US20190259452A1. Автор: Mehdi Asnaashari,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: US20220197750A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramakrishnan Venkatasubramanian. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: WO2022133166A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramarkrishnan VENKATASUBRAMANIAN. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-06-23.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US12027218B2. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Adaptive voltage range management in non-volatile memory

Номер патента: US20130336072A1. Автор: Robert B. Wood,David Flynn,Hairong Sun,Jea Woong Hyun,Warner Losh. Владелец: Fusion IO LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for Fabricating Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20080038907A1. Автор: Doo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US12131776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US20230162785A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile memory device with undercut ONO trapping structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US9331185B2. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Non-volatile memory using pyramidal nanocrystals as electron storage elements

Номер патента: SG169270A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,Tan Chung Foong,Quek Elgin,Yin Chunshan. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

Non-volatile memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150056775A1. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Non-volatile memory using pyramidal nanocrystals as electron storage elements

Номер патента: US20130328118A1. Автор: Shyue Seng Tan,Jae Gon Lee,Elgin Quek,Chung Foong Tan,Chunshan YIN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Method for manufacturing non-volatile memory and structure thereof

Номер патента: US8093648B2. Автор: Wei-Ming Huang,An-Thung Cho,Chia-Tien Peng,Chun-Hsiun Chen,Chih-Wei Chao,Wan-Yi Liu,Chia-Kai CHEN. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US11863209B2. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for programming non-volatile memory cell, non-volatile memory array and non-volatile memory apparatus

Номер патента: US20140092689A1. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Data protection techniques for a non-volatile memory array

Номер патента: US10417088B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Thomas Parnell,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Electronic counter with non-volatile memory

Номер патента: CA1119730A. Автор: Vincent G. Coppola,Edwin G. Grisgraber,John L. Lorenzo. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1982-03-09.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: CA1139880A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

Multiple layer floating gate non-volatile memory device

Номер патента: US7906806B2. Автор: Maarten Rosmeulen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-03-15.

Non-volatile memory

Номер патента: US5401993A. Автор: Kenichi Tanaka,Yoshimitsu Yamauchi,Keizo Sakiyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Non-volatile memory apparatus and empty page detection method thereof

Номер патента: US10372533B2. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-06.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070164267A1. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Wolodymyr Czubatyj,Jeffrey Fournier. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Process for manufacturing a non-volatile memory structure via soft lithography

Номер патента: US20070243679A1. Автор: Raffaele Vecchione,Roberta Cuozzo,Anna Morra,Teresa Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Non-volatile memories, cards, and systems including shallow trench isolation structures with buried bit lines

Номер патента: US20110302363A1. Автор: Wook Hyun Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Programmable non-volatile memory cell

Номер патента: US5747846A. Автор: Tetsuo Fujii,Yoshihiko Isobe,Makio Iida. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of forming a non-volatile memory cell having a high coupling capacitance including forming an insulator mask, etching the mask, and forming a u-shaped floating gate

Номер патента: US6159796A. Автор: Guido Wolfgang Dietz,Andreas Graf Von Schwerin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-12.

Programmable electrical energy meter utilizing a non-volatile memory

Номер патента: US5548527A. Автор: Rodney C. Hemminger,Mark L. Munday. Владелец: ABB Power T&D Co Inc. Дата публикации: 1996-08-20.

Non-volatile memory device

Номер патента: US8059473B2. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-15.

Non-volatile memory device

Номер патента: US4185319A. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-01-22.

SONOS non-volatile memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US8546226B2. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chun-Sung Huang,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee,Yau-Kae Sheu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

Non-volatile memory technology compatible with 1T-RAM process

Номер патента: US6902975B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method for fabricating a metal silicide interconnect in 3D non-volatile memory

Номер патента: US8956968B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-17.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US8743612B2. Автор: Eun Seok Choi,Se Hoon Kim,Jung Ryul Ahn,Yong Dae PARK,In Geun Lim,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Non-volatile memory device

Номер патента: US5811832A. Автор: Bruce Alphenaar,Zahid Ali Khan Durrani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-22.

Non-volatile memory with improved coupling between gates

Номер патента: US5057886A. Автор: Howard L. Tigelaar,Bert R. Riemenschneider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-10-15.

Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US7692272B2. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Wolodymyr Czubatyj,Jeffrey P. Fournier. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Multi-bit non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: US6855979B2. Автор: Craig T. Swift,Bruce E. White,Michael Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-02-15.

Non-volatile memory device having a vertical structure and method of fabricating the same

Номер патента: US8994091B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Koong-Hyun Nam,Hun-Hyeong Lim,Dong-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-31.

Method for manufacturing non-volatile memory device

Номер патента: US10847525B2. Автор: Yi-Chung Chen,Cheng-Jen Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Dram technology compatible non volatile memory cells

Номер патента: US20020024083A1. Автор: Wendell P. Noble,Eugene H. Cloud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Nanotube- and nanocrystal-based non-volatile memory

Номер патента: US20070064478A1. Автор: Udayan Ganguly,Yuegang Zhang,Edwin Kan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of fabricating non-volatile memory device

Номер патента: US20050142725A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

3D non-volatile memory with metal silicide interconnect

Номер патента: US8933502B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-01-13.

Non-volatile memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090269911A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Methods and arrangements for forming a tapered floating gate in non-volatile memory semiconductor devices

Номер патента: US5973353A. Автор: Lewis Shen,Wenge Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for fabricating non-volatile memory

Номер патента: US20080032470A1. Автор: Tsung-Min Hsieh,Chien-Hsing Lee,Jhyy-Cheng Liou. Владелец: Solid State System Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US5198996A. Автор: Makoto Kojima,Takashi Takata. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Power switch circuit for non-volatile memory

Номер патента: US10096368B2. Автор: Wei-Ming Ku,Chih-Yang Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Multiple select gates with non-volatile memory cells

Номер патента: US7433231B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Multi-bit non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: WO2004095526A2. Автор: Craig T. Swift,Bruce E. White,Michael Sadd. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-11-04.

Dielectric barrier at non-volatile memory tile edge

Номер патента: US11069855B2. Автор: Farrell M. Good,Kevin L. Baker,Bhumika CHHABRA,Robert K. Grubbs,Ervin T. Hill,Jay S. BROWN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5324972A. Автор: Masataka Takebuchi,Daisuke Tohyama,Hidemitsu Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Method to incorporate non-volatile memory and logic components into a single sub-0.3 micron fabrication process for embedded non-volatile memory

Номер патента: US5723355A. Автор: Shang-De Ted Chang,Binh Ly. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

PMOS single-poly non-volatile memory structure

Номер патента: US5761121A. Автор: Shang-De Ted Chang. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Non-Volatile Memory Cell with Precessional Switching

Номер патента: US20100195380A1. Автор: WEI Tian,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Dimitar Dimitrov,Brian Seungwhan Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US4491859A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Three gate non-volatile memory cell

Номер патента: CA1196419A. Автор: Arthur L. Lancaster. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1985-11-05.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US11218164B2. Автор: Hsuan-Ping Lin,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Non-volatile memory having h-channel double-gate and method of manufacturing thereof and method of operating for multi-bits cell operation

Номер патента: KR20060111218A. Автор: 이현진,최양규. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2006-10-26.

Process for fabricating a non-volatile memory cell in a semiconductor device

Номер патента: US5633186A. Автор: Ko-Min Chang,William J. Taylor, Jr.,Danny P. C. Shum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Non-volatile memory device and method for forming

Номер патента: WO2004034426A3. Автор: Gowrishankar Chindalore,Paul A Ingersoll,Craig T Swift,Alexander B Hoefler. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Asymmetrical non-volatile memory cell, arrays and methods for fabricating same

Номер патента: US5612914A. Автор: Man Wong,David K. Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Multi-deck non-volatile memory architecture with reduced termination tile area

Номер патента: US20230092848A1. Автор: William K. Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Segmented non-volatile memory array having multiple sources

Номер патента: US5945717A. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Non-volatile memory cell fabricated with slight modification to a conventional logic process and methods of operating same

Номер патента: US7056785B2. Автор: Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-06.

Floating gate non-volatile memory cell with low erasing voltage and manufacturing method

Номер патента: US6054731A. Автор: Paolo Cappelletti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-04-25.

Non-volatile memory device including a memory cell in a variable state and a memory cell in an initial state

Номер патента: US10410719B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Non-volatile memory cell with lateral pinning

Номер патента: US8541247B2. Автор: Haiwen Xi,Brian Lee,Patrick J. Ryan,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-09-24.

Non-volatile memory cell using high-k material and inter-gate programming

Номер патента: EP1714292B1. Автор: Jeffrey W. Lutze,Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-03-05.

Non-volatile memory device employing a deep trench capacitor

Номер патента: US9754945B2. Автор: Eduard A. Cartier,Herbert L. Ho,DongHun Kang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

High voltage transistor integrated with non-volatile memory cells

Номер патента: EP1403927A1. Автор: Paola Zuliani,Roberto Annunziata,Katia Giarda. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-03-31.

Fabricating method of non-volatile memory cell

Номер патента: US7749838B2. Автор: Chi-Pin Lu,Shing-Ann Luo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

Non-volatile memory device having select transistor structure and SONOS cell structure and method for fabricating the device

Номер патента: US6794711B2. Автор: Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Soeng-gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-21.

Semiconductor device having an embedded non-volatile memory and method of manufacturing such a semicondutor device

Номер патента: US5879990A. Автор: Guido J. M. Dormans,Robertus D. J. Verhaar,Roger Cuppens. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US8294196B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20080017917A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Gate-all-around transistor based non-volatile memory devices

Номер патента: US10586875B2. Автор: ZHENG Xu,Dexin Kong,Zhenxing Bi,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Modified gate structure for non-volatile memory and its method of fabricating the same

Номер патента: US5994734A. Автор: Kuo-Yu Chou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method of forming a non-volatile memory array

Номер патента: US5661054A. Автор: Roger Lee,Ralph Kauffman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Highly integrated system-on-chip system with non-volatile memory unit

Номер патента: US20010023992A1. Автор: Andreas Döll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for manufacturing non-volatile memory device having charge trap layer

Номер патента: US7736975B2. Автор: Yong Soo Kim,Moon Sig Joo,Won Joon Choi,Heung Jae Cho,Sung Jin Whang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20040109351A1. Автор: Takashi Ohtsuka,Hideyuki Tanaka,Kiyoshi Morimoto,Akihito Miyamoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor devices having a non-volatile memory transistor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020146883A1. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

String dependent SLC reliability compensation in non-volatile memory structures

Номер патента: US11699495B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-11.

Non-volatile memory device with selection of error decoding level

Номер патента: EP4030434A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-20.

Stacked non-volatile memory with silicon carbide-based amorphous silicon thin film transistors

Номер патента: US20090039357A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US20040046204A1. Автор: Yong-Suk Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Non-Volatile Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20090121282A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-14.

High gate coupling non-volatile memory structure

Номер патента: US20020125520A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Floating gate non-volatile memory

Номер патента: US7473957B2. Автор: Yutaka Hayashi,Sumitaka Goto,Shoji Nakanishi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-01-06.

Dual performance trim for optimization of non-volatile memory performance, endurance, and reliability

Номер патента: US11894060B2. Автор: Ajay Shyam Manwani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with single poly non-volatile memory device and manufacturing method

Номер патента: US11856769B2. Автор: Su Jin Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240038860A1. Автор: Jae Young SONG,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Non-volatile memory device with vertical state transistor and vertical selection transistor

Номер патента: US11943931B2. Автор: Quentin Hubert,Abderrezak Marzaki,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-03-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240105267A1. Автор: Daeseok Byeon,Min-Hwi Kim,Yongsung CHO,Inho Kang,Gyosoo Choo,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Selective non-volatile memory device and associated reading method

Номер патента: US11923006B2. Автор: Gabriele Navarro,Anthonin Verdy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-05.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11929118B2. Автор: Sangwon Park,Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated non volatile memory electrode thin film resistor cap and etch stop

Номер патента: GB2616580A. Автор: Ando Takashi,RIZZOLO Michael,a clevenger Lawrence,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: US11908521B2. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Hybrid non-volatile memory cell

Номер патента: EP4248501A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11922997B2. Автор: Sunghoon Kim,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Non-volatile memory devices including stepped source regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080142872A1. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US20240105265A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Variable resistance non-volatile memory element and variable resistance non-volatile memory device using the element

Номер патента: US11889776B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa,Hisashi Shima,Hiroyuki Akinaga,Atsushi Himeno,Ryutaro YASUHARA,Takehide Miyazaki,Yasuhisa Naitoh,Kengo NISHIO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-Volatile Memory Device and Method of Operating the Same

Номер патента: US20230386581A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240064979A1. Автор: Kyung Hyun KIM,Dong Woo Lee,Jun-youl Yang,Kun-Woo Park,Sang Hyuk HONG,Woo Jun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240065004A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,SeungYeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: EP4319531A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Jooyong PARK,SeungYeon Kim,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Seed layers for a non-volatile memory element

Номер патента: US20200357984A1. Автор: Yuichi Otani,Kazutaka Yamane,Ganesh Kolliyil Rajan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Vertical non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273870A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Young-Hwan Son,Jee-hoon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Microelectromechanical device, which can be used as non-volatile memory module or relay, and memory including a plurality of microelectromechanical devices

Номер патента: US20180033564A1. Автор: Giovanni Campardo,Carlo Valzasina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-01.

Segmentation of Blocks for Faster Bit Line Settling/Recovery in Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20160012903A1. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Seungpil Lee,Amul Dhirajbhai Desai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US20200294593A1. Автор: Wein-Town Sun,Hong-Yi Liao,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing electronic non-volatile memory devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US7326615B2. Автор: Giorgio Servalli,Cesare Clementi,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-02-05.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US10854758B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200152784A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Non-volatile memory with smart erase verify

Номер патента: US20190267106A1. Автор: Hideto Tomiie,Kei Date. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20190067308A1. Автор: Pan-Suk Kwak,Chan-Ho Kim,Hong-Soo Jeon,Dong-Kil Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: US20210295915A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

High voltage cmos with co-planar upper gate surfaces for embedded non-volatile memory

Номер патента: US20200144279A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230262993A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Electromechanical non-volatile memory devices

Номер патента: US7675142B2. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Min-Sang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-09.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20160240686A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Hui-Huang Chen,Da Sung,Jian-Ming Jaw. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

A non-volatile memory device including nitrogen pocket implants and methods for making the same

Номер патента: US20070259495A1. Автор: Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Non-volatile memory apparatus and data deduplication method thereof

Номер патента: US20180267733A1. Автор: Tingjun Xie,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Non-volatile memory device and operation and fabricating methods thereof

Номер патента: US20150049557A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Fabricating method of non-volatile memory device

Номер патента: US10026644B2. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Non-volatile memory with efficient signal routing

Номер патента: WO2023121705A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for writing in a non-volatile memory according to the ageing of the memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210319836A1. Автор: Francesco La Rosa,Enrico Castaldo,Francesca Grande,Santi Nunzio Antonino Pagano,Giuseppe Nastasi,Franco Italiano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-14.

Logic drive with brain-like elasticity and integrality based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220329244A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Select gate materials having different work functions in 3d nand non-volatile memory

Номер патента: WO2014165461A4. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

Non-volatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150062993A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170236559A1. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11901012B2. Автор: Byungsoo Kim,Jaeyong Jeong,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20160072061A1. Автор: Koji Matsuo,Kunifumi Suzuki,Yoshiakl Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9484298B1. Автор: Tomohiro Yamada,Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230387053A1. Автор: Changhun KIM,Jaeick Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory and-array and method for operating the same

Номер патента: EP2041793A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-01.

3-D structured non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9825047B2. Автор: Eun Mi Kim,Hae Jung Lee,Sung Yoon Cho,Byung Soo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical Bit Line Non-Volatile Memory Systems And Methods Of Fabrication

Номер патента: US20170098685A1. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Vertical Bit Line Non-Volatile Memory Systems And Methods Of Fabrication

Номер патента: US20160064222A1. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-03-03.

Adjusting code rates to mitigate cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200409579A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US20210183876A1. Автор: Wein-Town Sun,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Erasable programmable single-poly non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11818887B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory cell with isolated well region and associated non-volatile memory

Номер патента: US20210183998A1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Efficient sensing of soft bit data for non-volatile memory

Номер патента: US11894068B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150069490A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US20170192846A1. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Non-volatile memory cell

Номер патента: EP3834235A1. Автор: Bin Zou,Jan Zemen,Andrei MIHAI. Владелец: Ip2ipo Innovations Ltd. Дата публикации: 2021-06-16.

Non-volatile memory cell

Номер патента: WO2020030901A1. Автор: Bin Zou,Jan Zemen,Andrei MIHAI. Владелец: IP2IPO INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2020-02-13.

Three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20240049481A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Jooyong PARK,SeungYeon Kim,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with capacitors using metal under signal line or above a device capacitor

Номер патента: US20200294909A1. Автор: Peter Rabkin,Venkatesh P. Ramachandra,Masaaki Higashitani,Mohan DUNGA,Luisa LIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory with capacitors using metal under signal line or above a device capacitor

Номер патента: US20200294910A1. Автор: Peter Rabkin,Venkatesh P. Ramachandra,Masaaki Higashitani,Mohan DUNGA,Luisa LIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of manufacturing non-volatile memory having sonos memory cells

Номер патента: US20160336337A1. Автор: Sung-Bin Lin,Wen-Chung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Non-volatile memory structure

Номер патента: US20140346586A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Fabricating method of non-volatile memory structure

Номер патента: US20140209992A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Non-volatile memory device, method of manufacturing the same, and memory system including the same

Номер патента: US20230117267A1. Автор: Moorym CHOI,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Non-volatile memory device utilizing dummy memory block as pool capacitor

Номер патента: US20210210501A1. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Resistive element and memory cell of non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150206924A1. Автор: Chrong-Jung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-23.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20220344369A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Reliability improvement through delay between multi-stage programming steps in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023249722A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Xue Qing Cai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: US11854620B2. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Erika Penzo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Sub-block size reduction for 3d non-volatile memory

Номер патента: US20210082506A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220149845A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Split-gate non-volatile memory cell and method

Номер патента: US20100078703A1. Автор: Brian A. Winstead,Gowrishankar L. Chindalore,Konstantin V. Loiko,Horacio P. Gasquet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Charge-trapping sidewall spacer-type non-volatile memory device and method

Номер патента: US20220085054A1. Автор: Alban Zaka,Steven R. Soss,Tom Herrmann,Leitao Liu. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2022-03-17.

Non-volatile memory device having asymmetrical control gates surrounding a floating gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9502257B2. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US11316011B2. Автор: Wein-Town Sun,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory cell of non-volatile memory

Номер патента: US11877456B2. Автор: Wein-Town Sun,Ying-Je Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Non-volatile memory device with reduced distance between control gate electrode and selecting gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043877A1. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Chih-Hao Pan,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Non-volatile memory device utilizing dummy memory block as pool capacitor

Номер патента: US20210065800A1. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: US11881263B2. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods of Forming Non-Volatile Memory Devices Including Vertical NAND Strings

Номер патента: US20150140813A1. Автор: Sung-Dong Kim,Beom-jun Jin,Byung-Seo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Non-volatile memory devices including vertical nand strings and methods of forming the same

Номер патента: US20140141610A1. Автор: Sung-Dong Kim,Beom-jun Jin,Byung-Seo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-22.

Non-volatile memory unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US9673338B2. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device and manufacture of the same

Номер патента: US9502513B2. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Three-dimensional nand non-volatile memory and dram memory devices on a single substrate

Номер патента: US20170358354A1. Автор: Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-14.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230320088A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20210027840A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun,Ji Ho Cho,Sang Gi HONG,Won Bo Shim,Ji Yeon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of manufacturing non-volatile memory device

Номер патента: US20150235868A1. Автор: Yunseong CHANG,Yangbeom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for manufacturing non-volatile memory device

Номер патента: US11818884B2. Автор: Chun-Hung Lin,Kao-Tsair Tsai,Chien-Hsien Wu,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US11367481B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-21.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11763894B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11804270B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Ji-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4231802A1. Автор: Daeseok Byeon,SeungYeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Erasable programmable non-volatile memory cell

Номер патента: US20230328978A1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory cell array of multi-time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20210287746A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20220367494A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9331291B2. Автор: Youngkyoo Kim,Hwajeong Kim,Sungho Nam,Jooyeok Seo,Soohyeong Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2016-05-03.

Non-volatile memory accelerator for artificial neural networks

Номер патента: US11886972B2. Автор: Paul Nicholas Whatmough,Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional nand non-volatile memory and dram memory devices on a single substrate

Номер патента: US20160064079A1. Автор: Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-03-03.

Non-Volatile Memory Device Having Three Dimensional, Vertical Channel, Alternately Stacked Gate Electrode Structure

Номер патента: US20130175602A1. Автор: Eun-Seok Choi,Sang-Hyun Oh,Se-Yun Lim,Gyo-Ji Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US8912053B2. Автор: Hyun-Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230389319A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory devices, method of manufacturing and method of operating the same

Номер патента: US20080123399A1. Автор: Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Byung Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US10043821B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Integration scheme for non-volatile memory on gate-all-around structure

Номер патента: US20200135937A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory and forming method thereof

Номер патента: US10504594B1. Автор: Ai-Sen Liu,Chin-Fu Lin,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Non-volatile memory device and corresponding method of operation

Номер патента: US20240096412A1. Автор: Vincenzo Russo,Thomas Jouanneau,Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory array and non-volatile memory device of the same

Номер патента: US9653469B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Copee Technology Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory array and non-volatile memory device of the same

Номер патента: US20150076581A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Ya-Chin King. Дата публикации: 2015-03-19.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof and operating method of memory cell

Номер патента: US20120127795A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Out-of-order bit-flipping decoders for non-volatile memory devices

Номер патента: US20240103727A1. Автор: Fan Zhang,Haobo Wang,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Variable resistance non-volatile memory

Номер патента: US20230284460A1. Автор: Tomoki Chiba,Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile memory device and corresponding method of operation

Номер патента: EP4339953A1. Автор: Vincenzo Russo,Thomas Jouanneau,Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-03-20.

3d non-volatile memory with control gate length based on memory hole diameter

Номер патента: WO2014197523A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Man L Mui,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-11.

Non-volatile memory device and method for reading out data

Номер патента: US9536616B1. Автор: Masaki Kondo,Tsukasa Nakai,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile memory device employing semiconductor nanoparticles

Номер патента: US20150132896A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Robert H. Dennard,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area

Номер патента: EP2423952A3. Автор: Mehul D. Shroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-02.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory cell containing a nano-rail electrode

Номер патента: WO2013112291A1. Автор: Henry Chien,George Matamis,James K. Kai,Vinod R. PURUYATH. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-08-01.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US8467223B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US20140319450A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Three dimensional cross-point non-volatile memory

Номер патента: WO2024027623A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corporation ('ibm'). Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230223088A1. Автор: Wook-ghee Hahn,Youn-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US20120033478A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20160240544A1. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of fabricating a self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1552549A1. Автор: Bohumil Lojek,Alan L. Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Method of fabricating a self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1552549A4. Автор: Bohumil Lojek,Alan L Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Memory structure having volatile and non-volatile memory portions

Номер патента: WO2009117222A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch,Charles Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Non-volatile memory cells with selectively formed floating gate

Номер патента: US20030203571A1. Автор: Peter Rabkin,Kai-Cheng Chou,Hsingya Wang. Владелец: Hynix Semiconductor America Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: EP1908108A2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

Non-volatile memory cell with enhanced filament formation characteristics

Номер патента: US20100032636A1. Автор: Yang Li,Insik Jin,Song S. Xue,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-02-11.

Protective elements for non-volatile memory cells in crossbar arrays

Номер патента: US20170141160A1. Автор: R. Stanley Williams,Jianhua Yang,Minxian Max Zhang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-05-18.

Location dependent impedance mitigation in non-volatile memory

Номер патента: US20200143893A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US11791001B2. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Embedded non-volatile memory

Номер патента: US9054031B2. Автор: Daniel R. Shepard,James Juen Hsu,Mac D. Apodaca,Thomas Michael Trent. Владелец: Contour Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20070072370A1. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Non-volatile memory comprising bit line air gaps and word line air gaps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2583302A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Eli Harari,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-04-24.

Recess channel semiconductor non-volatile memory device and fabricating the same

Номер патента: US20170033116A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Non-volatile memory

Номер патента: US11152562B2. Автор: Bin Zou,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,David BOLDRIN,Evgeniy DONCHEV. Владелец: Ip2ipo Innovations Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Clock generator circuits with non-volatile memory for storing and/or feedback-controlling phase and frequency

Номер патента: WO2009026513A4. Автор: Brent Haukness,Jaeha Kim. Владелец: Jaeha Kim. Дата публикации: 2009-08-20.

Clock generator circuits with non-volatile memory for storing and/or feedback-controlling phase and frequency

Номер патента: EP2195927A2. Автор: Brent Haukness,Jaeha Kim. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2010-06-16.

Vertical non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180175050A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Young-Hwan Son,Jee-hoon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11362099B2. Автор: Chen-Chiu Hsue,Jih-Wen Chou,Ching-Hua Chen,Han-Chao Lai,Ming-Yuan Lin,Bing-Chen Ji,Shun-Tsung Yu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Non-volatile memory

Номер патента: PH12019501349A1. Автор: Bin Zou,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,David BOLDRIN,Evgeniy DONCHEV. Владелец: Ip2ipo Innovations Ltd. Дата публикации: 2019-12-11.

Non-volatile memory cell with field-enhancing floating gate and method for forming the same

Номер патента: US6294808B1. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US20160267979A1. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory

Номер патента: US11695082B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jiun Shiung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Reliability improvement through delay between multi-stage programming steps in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230420051A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Xue Qing Cai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-volatile memory capable of preventing antenna effect and fabrication thereof

Номер патента: US6812507B2. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-02.

Bitcells for a non-volatile memory device

Номер патента: US10777607B1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240162315A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

On-the-fly compression scheme for soft bit data in non-volatile memory

Номер патента: US11971829B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,A. Harihara Sravan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing a non-volatile memory

Номер патента: EP1417704A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4346349A2. Автор: Daeseok Byeon,Min-Hwi Kim,Yongsung CHO,Inho Kang,Gyosoo Choo,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Non-volatile memory with efficient signal routing

Номер патента: US11973044B2. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162316A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate structure in non-volatile memory device

Номер патента: US20140159137A1. Автор: Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: EP3221893A1. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-27.

Erasable programmable single-ploy non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11980029B2. Автор: Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for fabricating a non-volatile memory

Номер патента: US20030134462A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070259496A1. Автор: Chun-Pei Wu,Hsin-Fu Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950519B2. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160204273A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Logic drive with brain-like elasticity and integrality based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200403617A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Non-volatile memory device, method for manufacturing the non-volatile memory device, and electronic system including the non-volatile memory device

Номер патента: US20240130126A1. Автор: Seong Jin Kim,Hauk Han,Seong Hun Park,Yeong Dong MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162317A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG,Chen-Ming Tsai. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of erasing semiconductor non-volatile memories

Номер патента: US11825652B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Hkmg high voltage cmos for embedded non-volatile memory

Номер патента: US20160005756A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190244967A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Non-volatile memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US7943917B2. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for fabricating non-volatile memory

Номер патента: US20100210085A1. Автор: Jung-Yu Hsieh,Ling-Wu Yang,Jeng-Hwa Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Non-volatile memory device having a gap in the tunnel insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2165356A1. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J . Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-03-24.

Non-volatile memory cell with high bit density

Номер патента: US20140029354A1. Автор: Igor Lusetsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

Non-volatile memory utilizing impact ionization and tunnelling and method of manufacturing thereof

Номер патента: SG186655A1. Автор: Quek Elgin,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Jae Gon Lee,Chung Foong Tan. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Scheme to reduce read disturb for high read intensive blocks in non-volatile memory

Номер патента: US20190371416A1. Автор: Swaroop Kaza,Sainath Viswasarai,Narayan Kuddannavar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of making a semiconductor device having high voltage transistors, non-volatile memory transistors, and logic transistors

Номер патента: EP2108189A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-10-14.

Method of making a semiconductor device having high voltage transistors, non-volatile memory transistors, and logic transistors

Номер патента: WO2008091737A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-07-31.

Single poly non-volatile memory cells

Номер патента: US9281313B2. Автор: Rainer Herberholz. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2016-03-08.

Non-volatile memory with capacitors using metal under signal line or above a device capacitor

Номер патента: US20200013714A1. Автор: Peter Rabkin,Venkatesh P. Ramachandra,Masaaki Higashitani,Mohan DUNGA,Luisa LIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Non-volatile memory and fabrication thereof

Номер патента: US20040105321A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20220222139A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: WO2021108339A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-03.

String dependent slc reliability compensation in non-volatile memory structures

Номер патента: US20220406389A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Split Gate Non-volatile Memory Cell With 3D FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20160276357A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: WO2016148873A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-09-22.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

Circuit having a low power charge pump for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20190371415A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Javier Osinaga. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Systems and methods for load-balancing cache flushes to non-volatile memory

Номер патента: US20190236029A1. Автор: Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan,Wade Andrew Butcher. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-08-01.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US20240264941A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Controlling persistent writes to non-volatile memory based on persist buffer data and a persist barrier within a sequence of program instructions

Номер патента: US09946492B2. Автор: Peter Chen,Stephan Diestelhorst,Ali Ghassan SAIDI,Aasheesh KOLLI,Thomas Friedrich WENISCH. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and apparatus for writing data to non-volatile memory

Номер патента: US20160078960A1. Автор: Jianmin Huang,Nian Yang,Ting Luo,Alexandra Bauche,Nagdi Tafish. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-03-17.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: EP3750064A1. Автор: Gary R. Van Sickle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: US12039193B2. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: Kigen UK Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US20160371161A1. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: WO2020201672A1. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to ups

Номер патента: US20170168937A1. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method and apparatus for providing dual memory access to non-volatile memory

Номер патента: US9785545B2. Автор: Yiren Ronnie Huang. Владелец: Cnex Labs Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: WO2019157044A1. Автор: Eric R. Fox,Gary R. Van Sickle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-15.

Non-volatile memory devices having uniform error distributions among pages

Номер патента: US8780627B1. Автор: Xueshi Yang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Firehose Dump of SRAM Write Cache Data to Non-Volatile Memory Using a Supercap

Номер патента: US20120215971A1. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20240248620A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Storing checkpoint data in non-volatile memory

Номер патента: WO2009134264A1. Автор: Alan Davis,Richard Kaufmann,Nidhi Aggarwal,Norman Jouppi. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2009-11-05.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US20240046996A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: WO2024030190A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US11972805B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Processing device configured for efficient generation of a direct mapped hash table persisted to non-volatile block memory

Номер патента: US20200034440A1. Автор: Zvi Schneider,Uri Shabi,Maor Rahamim. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

Data link between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: WO2020092625A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Apparatus, System, and Method of Look-Ahead Address Scheduling and Autonomous Broadcasting Operation to Non-Volatile Storage Memory

Номер патента: US20160378402A1. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US12094542B2. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Apparatus, system, and method of look-ahead address scheduling and autonomous broadcasting operation to non-volatile storage memory

Номер патента: US09990159B2. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile memory system or sub-system

Номер патента: US11550381B2. Автор: Robert Nasry Hasbun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US11983111B2. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: EP4388421A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for balancing data access to non-volatile memory

Номер патента: US20050273547A1. Автор: WEI Han,David Ho,Tony Tsai. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Reducing time-tag read errors with respect to non-volatile memory structures

Номер патента: US20240185928A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective backup of program data to non-volatile memory

Номер патента: CA2910175C. Автор: Darin Lee Frink,Michael David Marr,Samuel James MCKELVIE,Anurag Windlass Gupta,Yan Valerie Leshinsky,Ian P. Nowland,Christopher Nathan Watson,Adam Douglas Morley. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2021-01-26.

Firehose dump of SRAM write cache data to non-volatile memory using a supercap

Номер патента: US8495321B2. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240071433A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Data Recovery in Three Dimensional Non-Volatile Memory Array After Word Line Short

Номер патента: US20170228299A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Ofer Shapira. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20220075536A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US11960738B2. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US12009049B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Controlled data access to non-volatile memory

Номер патента: EP2366179A1. Автор: MEI Yan,Fabrice Jogand-Coulomb,Robert Chang,Po Yuan,Xian Jun Liu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Selective backup of program data to non-volatile memory

Номер патента: WO2014179333A1. Автор: Darin Lee Frink,Michael David Marr,Samuel James MCKELVIE,Anurag Windlass Gupta,Yan Valerie Leshinsky,Ian P. Nowland,Christopher Nathan Watson,Adam Douglas Morley. Владелец: Amazon Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-11-06.

Method and apparatus for enhancing the reliability of a non-volatile memory

Номер патента: US10276246B2. Автор: Jan Peter Berns,Christoph Baumhof,Fabio Tassan. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-04-30.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5818760A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-10-06.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5659501A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-08-19.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5528536A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-06-18.

Data Link Between Volatile Memory and Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230076311A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20220180944A1. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-09.

Mapping data to non-volatile memory

Номер патента: WO2012106255A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

Non-volatile memory with concurrent sub-block programming

Номер патента: US20230343395A1. Автор: Liang Li,Ke Zhang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method and apparatus to provide both storage mode and memory mode access to non-volatile memory within a solid state drive

Номер патента: WO2018004987A1. Автор: Frank Hady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Non-volatile memory with concurrent sub-block programming

Номер патента: WO2023205322A1. Автор: Liang Li,Ke Zhang,Jiahui Yuan. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-10-26.

Tamper proof security measure in data writing to non-volatile memory

Номер патента: US5715431A. Автор: Ian Miller,David B. Everett,Keith M. Jackson. Владелец: Mondex International Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Write operations to non-volatile memory

Номер патента: US20170220478A1. Автор: Richard Roy Grisenthwaite,Ali Ghassan SAIDI. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

Write operations to non-volatile memory

Номер патента: US11429532B2. Автор: Richard Roy Grisenthwaite,Ali Ghassan SAIDI. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-08-30.

Write operations to non-volatile memory

Номер патента: WO2016020637A1. Автор: Richard Roy Grisenthwaite,Ali Ghassan SAIDI. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-02-11.

Write operations to non-volatile memory

Номер патента: EP3177993A1. Автор: Richard Roy Grisenthwaite,Ali Ghassan SAIDI. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2017-06-14.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Increment/decrement, chip select and selectable write to non-volatile memory using a two signal control protocol for an integrated circuit device

Номер патента: WO2006014860A1. Автор: James Simons. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2006-02-09.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: GB2582638A. Автор: Dean Tebbutt Colin,David Hunter William. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Data storage system with non-volatile memory for error correction

Номер патента: WO2010096421A1. Автор: Robert Dixon. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-08-26.

Non-volatile memory device and method for operating the same

Номер патента: US8456925B2. Автор: Jung-Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-04.

Non-volatile memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110292744A1. Автор: Jung-Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Information processing apparatus, method of controlling the same, and storage medium with features for updating code and data areas of non-volatile memory

Номер патента: US11907049B2. Автор: Hidemi Sasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Chip select controller and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US7660185B2. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Chip select controller and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US20090168518A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Read cache management in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09952981B2. Автор: Alex Radinski,Tsafrir Kamelo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Pre-suspend before program in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US12086462B2. Автор: Ryan J. Goss,Jonathan M. Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Accessing compressed data of varying-sized quanta in non-volatile memory

Номер патента: US9396104B1. Автор: Radoslav Danilak,Ladislav Steffko,Rodney Norman Mullendore. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

File reading method, non-transitory computer readable storage medium, and communication device for reading file from non-volatile memory

Номер патента: US11720275B2. Автор: Chin Cheng,Yi-Xin Huang,Xiao-Lu Ma. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Folding ordering scheme for improved throughput in non-volatile memory

Номер патента: US20240221802A1. Автор: Amit Sharma,Abhinandan Venugopal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Redundancy system for non-volatile memory

Номер патента: EP3097564A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Mourad Abdat. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Non-volatile memory

Номер патента: US20240176531A1. Автор: Christophe Arnal. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-05-30.

System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache

Номер патента: EP1829047A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: WO2019207282A1. Автор: George McNeil Lattimore,Shidhartha Das,Mudit Bhargava,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-31.

Non-volatile memory and method with non-sequential update block management

Номер патента: WO2005066793A3. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Peter John Smith,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Alan Welsh Sinclair. Дата публикации: 2006-06-15.

Method and system for managing data storage on non-volatile memory media

Номер патента: US11467730B1. Автор: Ofir Efrati,Eran Kirzner,Ofer Hayut,Shmuel Ben-Yehuda,Abel Alkon Gordon,Alexander Shpiner,Roy Shterman,Maor Vanmak. Владелец: Lightbits Labs Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Non-volatile memory

Номер патента: EP4379723A1. Автор: Christophe Arnal. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-06-05.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233817A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A3. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915A2. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registeting light- attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US20060011816A1. Автор: Wolfgang Buhr,Joachim Garbe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915B1. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-18.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US7232983B2. Автор: Joachim C. H. Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-19.

Method and apparatus for performing data protection regarding non-volatile memory

Номер патента: US20210303183A1. Автор: Chang-Hsien Tai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method and Apparatus for Storing Data in a Write-Once Non-Volatile Memory

Номер патента: US20090059684A1. Автор: Edward B. Harris. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-03-05.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US12119054B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US12050779B2. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20240370183A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of rewriting data in non-volatile memory, and system therefor

Номер патента: US4517663A. Автор: Ryoji Imazeki,Michiya Inoue. Владелец: Fujitsu Fanuc Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US9984750B2. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile memory accelerator and method for speeding up data access

Номер патента: US20170221535A1. Автор: Kun-Chih Chen,Hsiao-An Chuang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230082240A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Improved non-volatile memory device

Номер патента: WO2014122601A1. Автор: Ifat Nitsan KALDERON,Max Steven WILLIS III. Владелец: SPANSION LLC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230113231A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-13.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170229177A1. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20230393757A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20230384969A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US9766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Hybrid solid-state memory system having volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20090279366A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Data conversion with data path circuits for use in double sense amp architecture with fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US11776640B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Wear leveling for non-volatile memory using data write counters

Номер патента: US20240036737A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Managing redundancy information in a non-volatile memory

Номер патента: WO2015088704A1. Автор: Wei Fang,Ning Wu,Robert E. FRICKEY III. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-18.

Storage controller having data augmentation components for use with non-volatile memory die

Номер патента: US20200401344A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117243A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117242A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Encryption and decryption of data persisted by non-volatile memory

Номер патента: US20190129865A1. Автор: Yaacov Fenster. Владелец: KAMINARIO TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

High-reliability non-volatile memory using a voting mechanism

Номер патента: US20240012723A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Dual-Function Read/Write Cache for Programmable Non-Volatile Memory

Номер патента: US20140241066A1. Автор: Louis A. Williams, Iii,David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11967370B1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10303597B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20180300230A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10013342B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20170235671A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Non-volatile memory device and storage device including the same

Номер патента: US20200349986A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Dong-Su Jang,Man-jae YANG,Go-Eun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Non-volatile memory device and storage device including the same

Номер патента: US20200194040A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Dong-Su Jang,Man-jae YANG,Go-Eun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Wear leveling for non-volatile memory using data write counters

Номер патента: US11782605B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations

Номер патента: WO2008083132A3. Автор: Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: Seungpil Lee. Дата публикации: 2008-10-02.

Non-volatile memory device, method for operating the same and data storage device including the same

Номер патента: US20190103165A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240120000A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Encryption and decryption of data persisted by non-volatile memory

Номер патента: WO2019087181A1. Автор: Yaacov Fenster. Владелец: KAMINARIO TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

System and method for programming non-volatile memory

Номер патента: US20050018487A1. Автор: Gelu Voicu,Carmen Stangu,Adam Cosmin. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Data storage device with an exclusive channel for flag checking of read data, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20220197835A1. Автор: An-Pang Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20120039120A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Data storage device with an exclusive channel for flag checking of read data, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20220197836A1. Автор: An-Pang Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Efficient management of page retirement in non-volatile memory utilizing page retirement classes

Номер патента: US20170160960A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Thomas Parnell,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Timothy J Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Built-in self trim for non-volatile memory reference current

Номер патента: US8687428B2. Автор: CHEN He,Yanzhuo Wang,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-01.

Circuit for performing auto-verifying program on non-volatile memory device

Номер патента: US6049480A. Автор: Seung-Ho Chang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

Methods and apparatus for performing heap management and protecting data structure integrity in non-volatile memory

Номер патента: CA2214648A1. Автор: John M. Hoffer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-10-31.

Non-volatile memory device and associated programming method

Номер патента: US20080235451A1. Автор: Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-25.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-volatile memory device-assisted live migration of virtual machine data

Номер патента: US11977785B2. Автор: Liang Yang,Scott Chao-Chueh Lee,Yimin Deng,Monish Shantilal SHAH,Martijn de Kort,Lei Kou. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-volatile memory and method having block management with hot/cold data sorting

Номер патента: EP2712448A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Thomas Hugh SHIPPEY,William S. Wu,Stephen T. SPROUSE,Yauheni Yaromenka,Liam Michael Parker,Marielle Bundukin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-04-02.

Storage device, method of operating storage device, and method of operating non-volatile memory

Номер патента: US20240231987A1. Автор: Sangwon Park,Jooyong PARK,Jaeha Park,Kyungduk Lee,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Accelerated non-volatile memory device inspection and forensics

Номер патента: EP4208787A1. Автор: Tyler Vrooman,Graham Schwinn,Greg Edvenson. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Storing memory profile data of an application in non-volatile memory

Номер патента: US20190018610A1. Автор: Shridhar Prakash Joshi,Suprateeka R. Hegde. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-17.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Secure tunneling access to debug test ports on non-volatile memory storage units

Номер патента: US20180067794A1. Автор: Murugasamy K. Nachimuthu,Mahesh S. Natu,Shamanna M. Datta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Collecting quality of service statistics for in-use child physical functions of multiple physical function non-volatile memory devices

Номер патента: WO2023146605A1. Автор: Scott Chao-Chueh Lee,Monish Shantilal SHAH,Lei Kou,Brenda Wai Yan BELL. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Collecting quality of service statistics for in-use child physical functions of multiple physical function non-volatile memory devices

Номер патента: US12056372B2. Автор: Scott Chao-Chueh Lee,Monish Shantilal SHAH,Lei Kou,Brenda Wai Yan BELL. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240289269A1. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-version concurrency control (MVCC) in non-volatile memory

Номер патента: AU2024205026A1. Автор: Wolfgang Lehner,Ismail Oukid,Daniel DOS SANTOS BOSSLE. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-08-08.

Adaptive Programming For Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20130250692A1. Автор: Danut Manea,Stephen Trinh,Dixie Nguyen,Erwin Castillon,Uday Mudumba,Sabina Centazzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Data storage device with hierarchical mapping information management, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210208798A1. Автор: Hsueh-Chun FU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Use of data latches for plane level compression of soft bit data in non-volatile memories

Номер патента: US12057188B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Making volatile isolation transactions failure-atomic in non-volatile memory

Номер патента: WO2017052845A1. Автор: Kshitij A. Doshi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Programming erase state as last program state during a programming cycle of a non-volatile memory structure

Номер патента: US20240290390A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Folding data stored in binary format into multi-state format within non-volatile memory devices

Номер патента: EP2438595A1. Автор: Yan Li,BO LIU,Chi-Ming Wang,Kwang-Ho Kim,Cuong Quoc Trinh,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-04-11.

Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

Номер патента: US20090175074A1. Автор: Yves Theoduloz,Hugo Jaeggi,Nadia Harabech. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-07-09.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Non-volatile memory with selectable hard write

Номер патента: US20210118475A1. Автор: Anirban Roy,Jon Scott Choy,Jacob Williams,Richard Eguchi,Kerry Ilgenstein. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: US20120317318A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Sylvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011054661A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-05-12.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: EP2499642A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-09-19.

Dynamically allocable regions in non-volatile memories

Номер патента: US09852781B2. Автор: Luca Porzio,Emanuele Confalonieri,Giuseppe Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-26.

Compression Method for Managing the Storing of Persistent Data From a Non-Volatile Memory to a Backup Buffer

Номер патента: US20080005510A1. Автор: Paolo Sepe,Luca Di Cosmo. Владелец: Incard SA. Дата публикации: 2008-01-03.

On-chip randomly self-programmable non-volatile memory architecture

Номер патента: WO1996021225A1. Автор: Richard J. Takahashi. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-07-11.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: NZ742061A. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-24.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US7187582B2. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-03-06.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: CA3003486C. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

On-the-fly multiplexing scheme for compressed soft bit data in non-volatile memories

Номер патента: US11907545B2. Автор: CHEN CHEN,Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Non-volatile memory with on-chip principal component analysis for generating low dimensional outputs for machine learning

Номер патента: US20220100375A1. Автор: Yongjune Kim,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory with on-chip principal component analysis for generating low dimensional outputs for machine learning

Номер патента: US11662904B2. Автор: Yongjune Kim,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Non-volatile memory with on-chip principal component analysis for generating low dimensional outputs for machine learning

Номер патента: WO2021112920A1. Автор: Yongjune Kim,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Non-volatile memory with improved erasing operation

Номер патента: US20080186780A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: US20210295907A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11798619B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and apparatus for high speed cache flushing in a non-volatile memory

Номер патента: US20130024623A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336011A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Accelerated non-volatile memory device inspection and forensics

Номер патента: WO2022086860A1. Автор: Tyler Vrooman,Graham Schwinn,Greg Edvenson. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2022-04-28.

Increased garbage collection granularity for non-volatile memory

Номер патента: US20230281121A1. Автор: Timothy J. Fisher,Adalberto Guillermo Yanes,Cyril Varkey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Vertical compression scheme for compressed soft bit data in non-volatile memories with data latch groups

Номер патента: US11776589B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Tracking the least frequently erased blocks in non-volatile memory systems

Номер патента: EP1559017A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-08-03.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088919A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Multi-version concurrency control (MVCC) in non-volatile memory

Номер патента: AU2018220055B2. Автор: Wolfgang Lehner,Ismail Oukid,Daniel DOS SANTOS BOSSLE. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for programming non-volatile memory

Номер патента: US20180373584A1. Автор: Shih-Chang Huang,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Method and system for managing data in non-volatile memory

Номер патента: US09959071B2. Автор: Nicholas James Thomas,Joseph Meza. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory storage apparatus, memory controller and data storing method

Номер патента: US8416621B2. Автор: Hsiang-Hsiung Yu,Yu-Chung Shen,Yun-Chieh Chen,Ta-Chuan Wei. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Non-volatile memory device controlled by a micro-controller

Номер патента: US20060036803A1. Автор: Ron Eliyahu,Mori Edan,Yair Sofer,Meir Grossgold. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-02-16.

System and method for fast secure destruction or erase of data in a non-volatile memory

Номер патента: WO2017209815A1. Автор: Amir Shaharabany,Yacov Duzly,Liron Sheffi,Yuval Kenan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Write process for a non volatile memory device

Номер патента: US20180286476A1. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Pranav Kalavade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-04.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US11978507B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Process cartridge for an image forming apparatus with a non-volatile memory

Номер патента: EP1176478A1. Автор: Yoshihiko Minolta Co. Ltd. Yoshizaki,Kazuo Minolta Co. Ltd. Okunishi,Hideki Minolta Co. Ltd. Hino,Kentaro Minolta Co. Ltd. Nagatani,Yoshiaki Minolta Co. Ltd. Takano,Daisetsu Minolta Co. Ltd. Tohyama. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-30.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240086275A1. Автор: Seiji Takenaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US10203910B2. Автор: Sanjay Kumar,Rajesh M. Sankaran,Subramanya R. DULLOOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Locating data in non-volatile memory

Номер патента: US20140208061A1. Автор: Earl Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Snapshotting pending memory writes using non-volatile memory

Номер патента: EP4268084A1. Автор: Amir ROOZBEH,Chakri PADALA,Ahsan Javed AWAN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-11-01.

Locating data in non-volatile memory

Номер патента: US9477406B2. Автор: Earl Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Locating data in non-volatile memory

Номер патента: US20150234599A1. Автор: Earl Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US11875058B2. Автор: Hsiang-Yu Huang,Po-Sheng Chou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Snapshotting Pending Memory Writes Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230409472A1. Автор: Amir ROOZBEH,Chakri PADALA,Ahsan Javed AWAN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20130166823A1. Автор: In-Suk YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Wear leveling and access method and device for non-volatile memory, and storage medium

Номер патента: US20210271398A1. Автор: Hong Gao,Bin Guo,Yinjun Han,Hongzhang YANG,Yaofeng Tu,Guihai Chen,Zongshuai Yan,Zhenjiang HUANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Wear leveling and access method and device for non-volatile memory, and storage medium

Номер патента: EP3825856A1. Автор: Hong Gao,Bin Guo,Yinjun Han,Hongzhang YANG,Yaofeng Tu,Guihai Chen,Zongshuai Yan,Zhenjiang HUANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-05-26.

Wear leveling and access method and device for non-volatile memory, and storage medium

Номер патента: US11320989B2. Автор: Hong Gao,Bin Guo,Yinjun Han,Hongzhang YANG,Yaofeng Tu,Guihai Chen,Zongshuai Yan,Zhenjiang HUANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-05-03.

Data Address Management In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220075687A1. Автор: Vimal Kumar Jain. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US20170242628A1. Автор: Sanjay Kumar,Rajesh M. Sankaran,Subramanya R. DULLOOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory system having non-volatile memory

Номер патента: US11443829B2. Автор: Yuki Komatsu,Ryo Yamaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Reliable non-volatile memory programming interface and method therefor

Номер патента: US20190095133A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150032949A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US11922044B2. Автор: Yu-Hao Chang,Po-Sheng Chou,Yu-Han Hsiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20220269618A1. Автор: Sheng-Hsun Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Level Dependent Error Correction Code Protection in Multi-Level Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220068423A1. Автор: Nian Yang,Sahil Sharma,Harish Singidi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile memory device including arithmetic circuitry for neural network processing and neural network system including the same

Номер патента: US11741347B2. Автор: Joon-Soo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210089223A1. Автор: Hsuan-Ping Lin,Jie-Hao LEE,Jen-Hung Liao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20230266912A1. Автор: Yu-Hao Chang,Po-Sheng Chou,Yu-Han Hsiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20230266906A1. Автор: Yu-Hao Chang,Po-Sheng Chou,Yu-Han Hsiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US12008258B2. Автор: Yu-Hao Chang,Po-Sheng Chou,Yu-Han Hsiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile memory-based activation function

Номер патента: WO2024131362A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong,Malte Johannes Rasch. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory-based activation function

Номер патента: US20240202512A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong,Malte Johannes Rasch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

System for accessing non-volatile memory

Номер патента: US8032692B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Method and apparatus for improving immunity to defects in a non-volatile memory

Номер патента: US9830093B2. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Determining control states for address mapping in non-volatile memories

Номер патента: US10445232B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-15.

Method for complete rewriting of cleared non- volatile memory

Номер патента: RU2142168C1. Автор: Циммерманн Юрген,Гроте Вальтер. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 1999-11-27.

Non-volatile memory validity

Номер патента: US9087569B2. Автор: Mark Charles Davis. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Source biasing in non-volatile memory having row-based sectors

Номер патента: US5923585A. Автор: Sau C. Wong,Hock C. So. Владелец: Invox Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Non-Volatile Memory with Background Data Latch Caching During Read Operations

Номер патента: US20060233010A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Systems For Programming Differently Sized Margins And Sensing With Compensations At Select States For Improved Read Operations In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20080144368A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of programming memory cells for a non-volatile memory device

Номер патента: US8446776B2. Автор: Sang-Won Hwang,Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Method for differentiating the programming and erasing voltages in non volatile memory devices and corresponding memory device manufacturing process

Номер патента: EP1047078A1. Автор: Federico Pio,Enrico Gomiero,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-10-25.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Apparatus and method for refreshing non-volatile memory

Номер патента: CA1174372A. Автор: Keisuke Yamamoto,Minoru Ueda,Kazumi Kawashima,Tatsuhiro Hosokawa,Sadahiro Iyehara,Yukio Furuta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-09-11.

Method of programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20080291716A1. Автор: Koji Hosono,Kazushige Kanda,Shigeo Ohshima,Naoya Tokiwa,Toshiaki Edahiro,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Gate voltage regulation system for a non volatile memory cells and a programming and soft programming phase

Номер патента: EP1453059A1. Автор: Ignazio Martines,Davide Torrisi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2004-09-01.

Semiconductor electrically erasable and writeable non-volatile memory device

Номер патента: US5923674A. Автор: Naotoshi Nakadai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

Integrated circuit with self-test device for an embedded non-volatile memory and related test method

Номер патента: US20040109370A1. Автор: Steffen Gappisch,Georg Farkas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Non-volatile memory serial number lock for electronic postage meter

Номер патента: CA1193728A. Автор: Edward C. Duwel,John H. Godenberg. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1985-09-17.

Erase ramp pulse width control for non-volatile memory

Номер патента: US8345485B2. Автор: CHEN He,Jon S. Choy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-01-01.

Error location pointers for non volatile memory

Номер патента: US10025652B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Robert Eugeniu Mateescu,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method and apparatus for accessing non-volatile memory

Номер патента: CA2067458C. Автор: Arno Muller. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1998-08-04.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US7369440B2. Автор: Assaf Shappir,Shai Eisen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-05-06.

Methods for Improved Program-Verify Operations in Non-Volatile Memories

Номер патента: US20070230250A1. Автор: Siu Chan. Владелец: Chan Siu L. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Data input/output managing device, particularly for a non-volatile memory

Номер патента: US5815437A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-09-29.

Power management system for non-volatile memory acting as a disc storage device

Номер патента: GB2384882A. Автор: Robert Edwin Payne. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2003-08-06.

Electrically modifiable non-volatile memory circuit having means for autonomous refreshing dependent upon on periodic clock pulses

Номер патента: US5950224A. Автор: Jean Devin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-09-07.

Non-volatile memory having a multiple block erase mode and method therefor

Номер патента: WO2007100939A3. Автор: Richard K Eguchi,Jon S Choy. Владелец: Jon S Choy. Дата публикации: 2008-12-04.

Parallel-dichotomic serial sensing method for sensing multiple-level non-volatile memory cells, and sensing circuit for actuating such method

Номер патента: US5729490A. Автор: Guido Torelli,Vincenzo Daniele,Roberto Gastaldi,Cristiano Calligaro,Alessandro Manstretta,Nicola Telecco. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-03-17.

Predictive count fail byte (CFBYTE) for non-volatile memory

Номер патента: US10141071B2. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Non-volatile memory program failure recovery via redundant arrays

Номер патента: US10467093B2. Автор: Earl T. Cohen,Jeremy Isaac Nathaniel Werner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-11-05.

Replaceable non-volatile memory apparatus with a plurality of pluggable electrical connectors

Номер патента: US8706932B1. Автор: Ruban Kanapathippillai,Vijay Karamcheti,Kenneth A. Okin,Ashwin Narasimha. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2014-04-22.

Non-volatile memory and method with small logical groups distributed among active slc and mlc memory partitions

Номер патента: EP2710475A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,William S. Wu,Stephen T. SPROUSE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-03-26.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007130187A3. Автор: Samuel Schlesinger,James E Rickels. Владелец: James E Rickels. Дата публикации: 2008-04-24.

Data whitening for writing and reading data to and from a non-volatile memory

Номер патента: US8918655B2. Автор: Michael J. Smith,Tahoma M. Toelkes,Matthew J. Byom,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Sense amplifier structure for multilevel non-volatile memory devices and corresponding reading method

Номер патента: EP1324344A1. Автор: Emanuele Confalonieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-02.

High voltage pulse method and apparatus for digital multilevel non-volatile memory integrated system

Номер патента: US6788608B2. Автор: Hieu Van Tran,Jack Edward Frayer,William John Saiki,Michael Stephen Briner. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-07.

Non-volatile memory with floating grid and without thick oxide

Номер патента: US4887238A. Автор: Albert Bergemont. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1989-12-12.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11295818B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Compact page-erasable EEPROM non-volatile memory

Номер патента: US5835409A. Автор: Roy Tabler Lambertson. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1998-11-10.

Non-volatile Memory Array Having Circuitry To Complete Programming Operation In The Event Of Power Interrupt

Номер патента: US20100226170A1. Автор: Fong-Long Lin,Tingniu Deng. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Non-volatile memory data initialization/rewrite apparatus for a printer

Номер патента: US6038375A. Автор: Kyoko Makino. Владелец: Star Micronics Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-14.

Usb non-volatile memory system for an electronic engine controller

Номер патента: US20110138107A1. Автор: James A. Gosse,Kimberly K. Sendlein,Scott Beecher,Karin Averill Parker. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Non-volatile memory array using gate breakdown structure in standard sub 0.35 micron CMOS process

Номер патента: US6044012A. Автор: Martin L. Voogel,Kameswara K. Rao,James Karp,Shahin Toutounchi. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Non-volatile memory storing address control table data formed of logical addresses and physical addresses

Номер патента: MY121835A. Автор: Eiichi Yamada,Kenichi Iida,Noriyuki Koga,Mari Sugiura,Shuji Obayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-02-28.

Method and apparatus for dynamically configuring redundant area of non-volatile memory

Номер патента: US20050002234A1. Автор: Cheng-Chih Yang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power supply failure

Номер патента: AU3096497A. Автор: MICHEL MARTIN,Jacek Kowalski. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1998-01-07.

Volatile/non-volatile memory device access provisioning system

Номер патента: US10146704B2. Автор: Jinsaku Masuyama,Ching-Lung Chao,Mukund Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-12-04.

Non-volatile memory thermal printer cartridge

Номер патента: US5266968A. Автор: Stanley W. Stephenson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-11-30.

Non-volatile memory array controller capable of controlling memory banks having variable bit widths

Номер патента: US5630099A. Автор: James R. Macdonald,Douglas D. Gephardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: EP2016589A2. Автор: Samuel Schlesinger,James E. Rickels. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US9583205B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and apparatus for controlling page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: US20110199822A1. Автор: Han Bin YOON,Yeong-Jae WOO,Jung Been IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Page mode access for non-volatile memory arrays

Номер патента: KR20130033404A. Автор: 워드 파킨슨,유키오 후지. Владелец: 유키오 후지. Дата публикации: 2013-04-03.

Self-powered detection device with a non-volatile memory

Номер патента: US8422317B2. Автор: Thierry Roz,David A. Kamp,Filippo Marinelli. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2013-04-16.

Boosting to control programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005112037A1. Автор: Nima Mokhlesi,Yupin Fong,Daniel Guterman. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Non-volatile memory refresh control circuit

Номер патента: US4218764A. Автор: Yukio Furuta,Tomisaburo Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-19.

Non-volatile memory management technique implemented in a gaming machine

Номер патента: CA2644709C. Автор: Dwayne R. Nelson,Steven G. Lemay,Bryan D. Wolf,James W. Stockdale. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-12-01.

Method of verifying a program operation in a non-volatile memory device

Номер патента: US20090290418A1. Автор: Jung Chul Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states

Номер патента: US20030128586A1. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka,Yupin Fong,Khandker Quader. Владелец: Quader Khandker N.. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and electronic equipment having a non-volatile memory with a security function

Номер патента: US6088262A. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Electrically alterable n-bit per cell non-volatile memory with reference cells

Номер патента: US5596527A. Автор: Yasuo Sato,Shoichi Iwasa,Toshio Wada,Kenji Anzai,Yugo Tomioka. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Methods and apparatus for use in sanitizing a network of non-volatile memory express devices

Номер патента: US20210318828A1. Автор: Markku Valtonen. Владелец: Blancco Technology Group IP Oy. Дата публикации: 2021-10-14.

Programming method for non-volatile memory device

Номер патента: US20090213652A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

File managing device of a non-volatile memory, a memory card and method for controlling a file system

Номер патента: US5860135A. Автор: Masahiro Sugita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Postage meter with a non-volatile memory security circuit

Номер патента: CA1247254A. Автор: Warren G. Hafner,Henry Stalzer,Peter C. Digiulio. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1988-12-20.

Techniques for operating non-volatile memory systems with data sectors having different sizes than the sizes of the pages and/or blocks of the memory

Номер патента: WO2002049039A2. Автор: Eliyahou Harari,Carlos Gonzalez,Kevin M. Conley. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2002-06-20.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Non-volatile memory with split write and read bitlines

Номер патента: CA2802737C. Автор: Esin Terzioglu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Non-volatile memory with split write and read bitlines

Номер патента: US8331126B2. Автор: Esin Terzioglu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Method for controlling program verify operations of a non-volatile memory and a corresponding circuit thereof

Номер патента: US10553297B2. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Sanasi,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Method and apparatus for testing a circuit module concurrently with a non-volatile memory operation in a multi-module data processing system

Номер патента: US6076177A. Автор: Thomas R. Toms,Ivan James Fontenot. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005073977A2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-08-11.

Rewritable multibit non-volatile memory with soft decode optimization

Номер патента: US9406377B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-02.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US11314422B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Write circuit for non-volatile memory device

Номер патента: US5293344A. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-03-08.

Pulse generator circuit, particularly for non-volatile memories

Номер патента: US6275416B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-14.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

A solid state storage device comprising a Non-Volatile Memory Express (NVMe) controller for managing a Host Memory Buffer (HMB), a system comprising the same and method for managing the HMB of a host

Номер патента: KR20180054394A. Автор: 벤카타라트남 님마가따,불리가들라 아마레시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-05-24.

Non-volatile memory device

Номер патента: US4962484A. Автор: Naoki Mitsuishi,Masahiko Takeshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-10-09.

Bias conditions for repair, program and erase operations of non-volatile memory

Номер патента: US6160737A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Secure updating of non-volatile memory

Номер патента: US6085299A. Автор: Michael F. Angelo,Craig A. Miller,David R. Wooten. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007111688A3. Автор: Mohammed Suhail. Владелец: Mohammed Suhail. Дата публикации: 2008-04-24.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20090161435A1. Автор: Won Sun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US10275173B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Wagering game machines with non-volatile memory

Номер патента: WO2009042089A1. Автор: Craig J. Sylla,Stephen A. Canterbury. Владелец: WMS Gaming Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Programming a non-volatile memory device

Номер патента: US7738295B2. Автор: June Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Robust index storage for non-volatile memory

Номер патента: US8316209B2. Автор: Wanmo Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-20.

Refresh architecture and algorithm for non-volatile memories

Номер патента: WO2011067795A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi. Владелец: Roberto Gastaldi. Дата публикации: 2011-06-09.

Non-volatile memory device with reference voltage circuit

Номер патента: US20230402091A1. Автор: Thomas Melde,Venkatesh P. Gopinath,Xiaoli Hu,Nicki N. Mika. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US6639860B2. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Non-volatile memory with in field failure prediction using leakage detection

Номер патента: WO2017189073A1. Автор: Kalpana Vakati,Yuvaraj Krishnamoorthy,Srikar Peesari,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Maythin Uthayopas,Mark Schlick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Dynamic interference compensation for soft decoding in non-volatile memory storage devices

Номер патента: US20230326526A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Kenji Sakurada,Eyal Nitzan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Programming selection devices in non-volatile memory strings

Номер патента: US20190392893A1. Автор: Xiang Yang,Jin Liu,Yanli Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Zhongguang Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Data storage device enabling latches of non-volatile memory dies for use as externally-accessible volatile memory

Номер патента: US11816343B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: EP4243022A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Secure non-volatile memory

Номер патента: US20230244413A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-08-03.

Non-volatile memory device determining read reclaim, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: EP4318248A1. Автор: Jin-Young Kim,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Se Hwan Park,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Tracking a lifetime of write operations to a non-volatile memory storage

Номер патента: US20140101374A1. Автор: Steven E. Wells,Victor W. Locasio,Will Akin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-10.

EP cycling dependent asymmetric/symmetric VPASS conversion in non-volatile memory structures

Номер патента: US11894081B2. Автор: Ken Oowada,Yu-Chung Lien,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory devices including logic non-volatile memory

Номер патента: US20240070059A1. Автор: Vikas RANA,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US11915769B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Programming non-volatile memory using a relaxed dwell time

Номер патента: US20160162403A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Apparatus and method for programming and verifying data in non-volatile memory device

Номер патента: US11894076B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling with linear indexing

Номер патента: US11875836B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Thermometer sample and hold design for non-volatile memory

Номер патента: US11935615B2. Автор: Weihua Shi,Xiaojiang Guo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A3. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Richard Colin Fitzgerald. Дата публикации: 2005-03-24.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Data storage devices, having scale-out devices to map and control groups on non-volatile memory devices

Номер патента: US20200050374A1. Автор: Chan Ho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Non-volatile memory with optimized erase verify sequence

Номер патента: US20240047000A1. Автор: Yi Song,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: WO2005094178A3. Автор: Boaz Eitan,Assaf Shappir,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11967369B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Non-volatile memory die with bit-flip object insertion

Номер патента: US20230419464A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen,Nikita Thacker. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11893244B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory systems comprising non-volatile memory devices

Номер патента: US20200233739A1. Автор: Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Error characterization for control of non-volatile memory

Номер патента: US20190278500A1. Автор: Raghavendra Gopalakrishnan,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Soft breakdown mode, low voltage, low power antifuse-based non-volatile memory cell

Номер патента: US20130208525A1. Автор: David Fong,Jack Z. Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US11775386B2. Автор: Yu-Hao Chang,Po-Sheng Chou,Yu-Han Hsiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Non-volatile memory device and a method for operating the same

Номер патента: US20240004572A1. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Identifying defective field-replaceable units that include multi-page, non-volatile memory devices

Номер патента: US20200004621A1. Автор: Jinu J. Thomas,Krishna Swaroop Athmaram,Santosh Puranik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Coherency management for volatile and non-volatile memory in a through-silicon via (tsv) module

Номер патента: US20170308309A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Adam J. McPadden,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Optimization of reference voltages in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US11901013B2. Автор: Stacey Secatch,Jonathan Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Data Storage System and Operating Method for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20190348083A1. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Data storage system and method for operating non-volatile memory

Номер патента: US10990497B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

System and method of backing up data from a volatile memory medium to a non-volatile memory medium

Номер патента: US20220027268A1. Автор: Kurtis Wayne Dorsey. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-01-27.

Non-volatile memory device determining read reclaim, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US20240046993A1. Автор: Jin-Young Kim,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Se Hwan Park,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20180025778A1. Автор: Makoto Kitagawa,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Wear-aware block mode conversion in non-volatile memory

Номер патента: GB2599529A. Автор: Papandreou Nikolaos,Fisher Timothy,Ioannou Nikolas,Tomic Sasa,Daniel Fry Aaron,Alexander Pletka Roman,Ioan Stoica Radu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-06.

Wear-aware block mode conversion in non-volatile memory

Номер патента: WO2020250071A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Timothy Fisher,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory-based storage device, device controller and method thereof

Номер патента: US20230359392A1. Автор: Rajendra Singh,Jaewon SONG,Jaesub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: US20200185027A1. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US20180254082A1. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Non-volatile memory-based compact mixed-signal multiply-accumulate engine

Номер патента: US11886987B2. Автор: Matthew Mattina,Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Thermometer sample and hold design for non-volatile memory

Номер патента: US20220157350A1. Автор: Weihua Shi,Xiaojiang Guo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Multi-time programmable non-volatile memory cell and memory with low power-cost

Номер патента: US20230326529A1. Автор: Yulong Wang,Dan Ning. Владелец: Chengdu Analog Circuit Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Differential sense amplifier for multilevel non-volatile memory

Номер патента: US20040047184A1. Автор: Hieu Tran,Jack Frayer,William Saiki,Michael Briner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9972382B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Non-volatile memory (nvm) erase operation with brownout recovery technique

Номер патента: US20120117307A1. Автор: CHEN He,Jon S. Choy,Richard K. Eguchi,Peter J. Kuhn,Richard K. Glaeser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Maintaining qualiy of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US20230315344A1. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Reading reference current automatic regulation circuit of non-volatile memory

Номер патента: US11205491B1. Автор: LIANG Hong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: US11894061B2. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20200350019A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20210375366A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230170025A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240046991A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US20160247580A1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Local non-volatile memory express virtualization device

Номер патента: WO2021225684A1. Автор: Vadim Makhervaks,Jason David Adrian,Aaron William Ogus. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory with plane independent screening

Номер патента: US11862256B2. Автор: Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Non-volatile memory express over fabric (nvme-oftm) solid-state drive (ssd) enclosure performance optimization using ssd controller memory buffer

Номер патента: US20230161499A1. Автор: Amnon Izhar. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-05-25.

Programming Techniques for Non-Volatile Memories with Charge Trapping Layers

Номер патента: US20160260476A1. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-08.

Programming Techniques for Non-Volatile Memories with Charge Trapping Layers

Номер патента: US20170221556A1. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Management of non-volatile memory

Номер патента: US20140269074A1. Автор: Chun Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Hsin Yi Ho,Shuo-Nan Hung,Shih-Chou Juan,Lung Yi Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US20240029814A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Validating and securing non-volatile memory

Номер патента: US11775694B2. Автор: Sandeep Korrapati,Raja Das. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Validating and securing non-volatile memory

Номер патента: US20230214537A1. Автор: Sandeep Korrapati,Raja Das. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory die and storage controller having data augmentation components for use with machine learning

Номер патента: WO2020256787A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Accelerating garbage collection of flushed logical erase blocks in non-volatile memory

Номер патента: US20190340121A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Roman A. Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11797039B2. Автор: Marco Passerini,Giovanni Bellotti. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Non-volatile memory die with latch-based multiply-accumulate components

Номер патента: US20230418600A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: WO2023064006A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory system and non-volatile memory control method

Номер патента: US20200293228A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Local non-volatile memory express virtualization device

Номер патента: US11768783B2. Автор: Vadim Makhervaks,Jason David Adrian,Aaron William Ogus. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Write-time prevention of data retention failures for non-volatile memory

Номер патента: US20190130971A1. Автор: Bijesh Rajamohanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Non-volatile memory device for selectively performing recovery operation and method of operating the same

Номер патента: US20170125091A1. Автор: Hyun-Jun Yoon,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20180108413A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-19.

Multi-processor non-volatile memory system having a lockless flow data path

Номер патента: WO2017074583A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Noga Deshe,Alon Banin,Yevgeny Zagalsky,Ilya Gusev,Eran Ben Abou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US20170117051A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-27.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US9613712B1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-04.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US20170117035A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Three dimensional non-volatile memory with power supply current sensing to determine programming status

Номер патента: WO2017070459A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Convolutional neural network on-chip learning system based on non-volatile memory

Номер патента: US11861489B2. Автор: Yi Li,Xiangshui Miao,Wenqian PAN. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-01-02.

Non-volatile memory with single ended read scheme using distributed common mode feedback

Номер патента: US10546645B1. Автор: Troy Nathan Gilliland. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US20230114005A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US11804280B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Programming methods for neural network using non-volatile memory array

Номер патента: US11853856B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US20160378341A1. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US20160378343A1. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Multi-Die System Capable of Sharing Non-volatile Memory

Номер патента: US20210004178A1. Автор: Yunhua Shi. Владелец: Realtek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2013170387A1. Автор: Steven Smith. Владелец: SIDENSE CORP.. Дата публикации: 2013-11-21.

Distributed Power Management for Non-Volatile Memory Controllers Using Average and Peak Power Credits Allocated to Memory Channels

Номер патента: US20180335978A1. Автор: James M. Higgins,Steven T. Sprouse,Reed P. Tidwell,Satish B. Vasudeva,Jonathan Q. Tu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: EP4032089A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Non-volatile Memory Device With Stored Index Information

Номер патента: US20210082517A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: WO2021055006A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US20240020024A1. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Masterless raid for byte-addressable non-volatile memory

Номер патента: WO2020092778A1. Автор: Gregg B. Lesartre,Russ W. Herrell,Chris Michael Brueggen. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-05-07.

Non-volatile memory with one sided phased ramp down after program-verify

Номер патента: WO2024025657A1. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Non-volatile memory with optimized erase verify sequence

Номер патента: WO2024025659A1. Автор: Yi Song,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Non-volatile memory power cycle protection mechanism

Номер патента: WO2024025784A1. Автор: John J. Sullivan,Andreas Adler,Jason W. Brinsfield,James M. Hollabaugh,Calvin M. RYAN. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Non-volatile memory and method with adjusted timing for individual programming pulses

Номер патента: US20160099059A1. Автор: Han Chen,Man Lung Mui,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Non-volatile memory write access control

Номер патента: US11868276B2. Автор: Richard A Bramley,Valiuddin Ali,Baraneedharan Anbazhagan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-01-09.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229816A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229814A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-deck non-volatile memory architecture with improved address line driver circuitry

Номер патента: US20230282259A1. Автор: William K. Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20220076772A1. Автор: Tokumasa Hara,Itaru HIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US9653177B1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory with reduced data cache buffer

Номер патента: WO2020263313A1. Автор: CHEN CHEN,Min Peng,Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Non-volatile memory with fast data cache transfer scheme

Номер патента: WO2020263314A1. Автор: CHEN CHEN,Min Peng,Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US20230368852A1. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20230197128A1. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method and controller for programming non-volatile memory

Номер патента: US20160358658A1. Автор: Giulio Martinozzi,Min Sang Park,Sang Jo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Accelerated address indirection table lookup for wear-leveled non-volatile memory

Номер патента: WO2016209535A1. Автор: Jun Zhu,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,Woojong Han,Jordan A. Horwich. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-29.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: EP2989547A1. Автор: Boris Balacheff,Valiuddin Y. Ali,Jeffrey Kevin Jeansonne. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-03-02.

Method and apparatus for programming and testing a non-volatile memory cell for storing multibit states

Номер патента: US20040085812A1. Автор: Jack Frayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Resource usage arbitration in non-volatile memory (NVM) data storage devices with artificial intelligence accelerators

Номер патента: US11829619B2. Автор: Niraj Srimal,Vimal Jain,Adarsh Sreedhar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations

Номер патента: US20200334149A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations

Номер патента: US20190042420A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11854627B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory sub-block erasure disturb management scheme

Номер патента: US20180374551A1. Автор: Xinde Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

System and method for ultra-low overhead and recovery time for secure non-volatile memories

Номер патента: US20200379854A1. Автор: Amro Awad,Kazi Abu ZUBAIR. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory access system comprising volatile memory, non-volatile memory, processor, and programmable logic device and memory access method thereof

Номер патента: US11720260B2. Автор: Ching-Sheng Chuang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US11797225B2. Автор: George Pax,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit capable of switching between non-volatile memory-based and volatile memory-based processor execution

Номер патента: US20180341424A1. Автор: Venkateswara Rao MANDELA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US20160329100A1. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-10.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20200034080A1. Автор: Liang-Cheng Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Non-volatile memory device and operating method thereoef

Номер патента: US20140164685A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP3965109A1. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11829859B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Data Storage Device and Method for Operating Non-Volatile Memory

Номер патента: US20190018598A1. Автор: Ying-Chun Hung. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Programming of a Selected Non-volatile Memory Cell by Changing Programming Pulse Characteristics

Номер патента: US20240120009A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory efficient persistent key-value store for non-volatile memories

Номер патента: US20180357234A1. Автор: Arup DE. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US20180005699A1. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US10325662B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: WO2019112937A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Block health estimation for wear leveling in non-volatile memories

Номер патента: US20190391752A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Roman A. Pletka,Aaron D. Fry,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Timothy Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory management in non-volatile memory

Номер патента: US11768762B2. Автор: Aleksandar Dragojevic,Tudor Alexandru DAVID. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Reduced current program verify in non-volatile memory

Номер патента: EP3257048A1. Автор: Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-20.

Soft bit read mode selection for non-volatile memory

Номер патента: WO2021126296A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Alex Bazarsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Metadata management in non-volatile memory devices using in-memory journal

Номер патента: US11841801B2. Автор: Andrew John Tomlin. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386569A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

A non-volatile memory device including a row decoder with an improved pull-up stage

Номер патента: EP3839956A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Voltage regulator in a non-volatile memory device

Номер патента: US20080089141A1. Автор: Prajit Nandi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Non-volatile memory device using division addressing and electronic device including same

Номер патента: US20130268722A1. Автор: Jin-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-10.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US11790993B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Номер патента: US20190130135A1. Автор: Kyung Ho Kim,Jin-Hwan Park,Min-Chul Kim,Sun-Mi Yoo,Ki Hyun Choi,Hyun Su Jang,Sagar Uttarwar,Yong Gil Song,Min Gon Shin,Seung Yeun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US20070242520A1. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US7502265B2. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-10.

Data writing method for non-volatile memory, and controller and storage system using the same

Номер патента: US20110202780A1. Автор: Hong-Lipp Ko. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Image processing apparatus having function for performing sync processing to transfer and store data of cache memory to non-volatile memory in accordance with predetermined condition

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты