Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof
Номер патента: WO2021108339A1
Опубликовано: 03-06-2021
Автор(ы): Krishnaswamy Ramkumar, Long Hinh, Michael Amundson, Ravindra Kapre, Santanu Kumar Samanta, Swatilekha Saha, Venkataraman Prabhakar, Vineet Agrawal
Принадлежит: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-06-2021
Автор(ы): Krishnaswamy Ramkumar, Long Hinh, Michael Amundson, Ravindra Kapre, Santanu Kumar Samanta, Swatilekha Saha, Venkataraman Prabhakar, Vineet Agrawal
Принадлежит: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof
Номер патента: US11367481B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-21.