Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell
Номер патента: US20220181387A1
Опубликовано: 09-06-2022
Автор(ы): Desmond Jia Jun Loy, Eng Huat Toh, Shyue Seng Tan
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-06-2022
Автор(ы): Desmond Jia Jun Loy, Eng Huat Toh, Shyue Seng Tan
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bipolar switching operation of confined phase change memory for a multi-level cell memory
Номер патента: US20190325954A1. Автор: Wanki Kim,Yu Zhu,Yujun Xie,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.