Accelerating data replication using multicast and non-volatile memory enabled nodes.

Accelerating data replication using multicast and non-volatile memory enabled nodes

Номер патента: US20190208011A1
Опубликовано: 04-07-2019
Автор(ы): Amit Kumar Saha, Debojyoti Dutta, Johnu George, Marc Solanas Tarre, Ramdoot Kumar Pydipaty
Принадлежит: Cisco Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods and systems for accessing host memory through non-volatile memory over fabric bridging with direct target access

Номер патента: US20200401551A1. Автор: Noam Mizrahi,Eitan Joshua,Dimitry Melts,Scott Furey. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Optimized fibre channel and non-volatile memory express access

Номер патента: US20200343974A1. Автор: Roland Dreier. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Performing telemetry, data gathering, and failure isolation using non-volatile memory

Номер патента: US09912474B2. Автор: Saurabh Gupta,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Host based non-volatile memory clustering using network mapped storage

Номер патента: WO2016120084A1. Автор: Vijoy Pandey,Keshav Govind Kamble,Atul Tambe. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2016-08-04.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US11218164B2. Автор: Hsuan-Ping Lin,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Non-volatile memory switch with host isolation

Номер патента: US12099398B2. Автор: Salil Suri,Yingdong LI,Scott Furey,Liping Guo. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Non-volatile memory with sub-planes having individually biasable source lines

Номер патента: US20240105262A1. Автор: Ramy Nashed Bassely SAID,Jiahui Yuan,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for providing anti-rollback protection of a firmware version in a device which has no internal non-volatile memory

Номер патента: US09910659B2. Автор: Jeremy R. O'Donoghue,Neeraj Bhatia,Srilekha KRISHNAMURTHY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: US20240168669A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20180203613A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20200133509A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20210216217A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: EP4372749A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device with volatile and non-volatile memories to retain data during power interruption

Номер патента: US09898194B2. Автор: Masaaki Hiroki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Performing an action by an electronic device using first and second partial secret keys and using volatile and non-volatile memory for storage of keys

Номер патента: SE545445C2. Автор: Martin Kaufmann,Frans Lundberg,Adam Augustyn. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: CA2594226C. Автор: Rodney Bylsma,Jeff Lejeune,Rob Oliver,Mike Rybak. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-09-25.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: EP1832131B1. Автор: Mike Research In Motion Limited RYBAK,Jeff Research In Motion Limited LEJEUNE,Rodney Research In Motion Limited BYLSMA,Rob Research In Motion Limited OLIVER. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Protecting cryptographic keys stored in non-volatile memory

Номер патента: EP3746901A1. Автор: Mark Evan MARSON,Michael A. Hamburg. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Imaging Device Including Wear Leveling for Non-Volatile Memory and Secure Erase of Data

Номер патента: US20150002900A1. Автор: Bryan Scott Willett,Howard Charles Cochran,Michael James Klein. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Non-volatile memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20210083006A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Enabling a secure boot from non-volatile memory

Номер патента: US09977902B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Health management of non-volatile memory

Номер патента: US09965345B2. Автор: Yi Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile memory for secure storage of authentication data

Номер патента: US10303623B2. Автор: Scott C. Best,Brent S. Haukness,Carl W. Werner. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Non-volatile memory device with selection of error decoding level

Номер патента: EP4030434A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-20.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20220222139A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Memory system and non-volatile memory control method

Номер патента: US20200293228A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for operating non-volatile memory controller

Номер патента: US09904492B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son,Dong-whan Lee,Hye-Jeong So,Young-Geon YOO,Dong-Sup Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Method and system for selecting provisioning information for mobile communication device from non-volatile memory

Номер патента: EP1540837A1. Автор: Clifton E. Scott,Scott Hackman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Method and system for selecting provisioning information for mobile communication device from non-volatile memory

Номер патента: EP1540837A4. Автор: Scott Hackman,Clifton E Scott. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

Method and system for selecting provisioning information for mobile communication device from non-volatile memory

Номер патента: NZ538215A. Автор: Scott Hackman,Clifton E Scott. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2006-09-29.

Superblock size management in non-volatile memory devices

Номер патента: US12124719B2. Автор: Steven Wells,Neil Buxton. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Error recovery for non-volatile memory modules

Номер патента: EP4085334A1. Автор: Jing Wang,James R. Magro,Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Multi-bank non-volatile memory apparatus with high-speed bus

Номер патента: US09921763B1. Автор: Cliff Zitlaw. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09959166B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Decoding method, memory storage device and rewritable non-volatile memory module

Номер патента: US20150067446A1. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Kuo-Yi Cheng,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US20160371161A1. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416646A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Using an FPGA for integration with low-latency, non-volatile memory

Номер патента: US09921757B1. Автор: Kevin Rowett. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US20240029814A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US11804280B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory apparatus and empty page detection method thereof

Номер патента: US10372533B2. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-06.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11893244B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Error characterization for control of non-volatile memory

Номер патента: US20190278500A1. Автор: Raghavendra Gopalakrishnan,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method and apparatus for configuring an information handling system, method and apparatus for managing a service, computer program, and non-volatile storage medium

Номер патента: EP4205059A1. Автор: Steffen Müter,Koen van Eig. Владелец: Fujitsu Technology Solutions GmbH. Дата публикации: 2023-07-05.

Method and apparatus for configuring an information handling system, method and apparatus for managing a service, computer program, and non-volatile storage medium

Номер патента: WO2022069656A1. Автор: Steffen Müter,Koen van Eig. Владелец: Fujitsu Technology Solutions GmbH. Дата публикации: 2022-04-07.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: WO2019157044A1. Автор: Eric R. Fox,Gary R. Van Sickle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-15.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Redundant backup using non-volatile memory

Номер патента: US09921762B2. Автор: Jeffrey C. Solomon,Chi-She Chen,Jayesh Bhakta,Mike Hossein Amidi,Scott H. Milton. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: US09990255B2. Автор: Boris Balacheff,Jeffrey Kevin Jeansonne,Valiuddin Y Ali. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: US20190026026A1. Автор: Melvin K Benedict,Eric L Pope. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-24.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: US20230409435A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramakrishnan Venkatasubramanian. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: US20220197750A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramakrishnan Venkatasubramanian. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: WO2022133166A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramarkrishnan VENKATASUBRAMANIAN. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-06-23.

Information processing device, information processing method and non-volatile data medium on which program is recorded

Номер патента: RU2719511C1. Автор: Хироюки ТОКИТА,Хироюки САВАДА,Сёдзиро СУГА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-04-20.

Information processing device, image forming device, control methods thereof and non-volatile computer-readable data storage medium

Номер патента: RU2718413C2. Автор: Йосики ИВАКИРИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-04-02.

Navigation information providing system, navigation information providing device, navigation information providing method and non-volatile data storage medium for storing programs

Номер патента: RU2720963C1. Автор: Митио ИКЕДА,Ейити ИСИИ,Мицугу МАКИТА,Тору Йосида,Гаку ИТОУ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-05-15.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US9619736B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US20150213338A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Data storage device with hierarchical mapping information management, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210208798A1. Автор: Hsueh-Chun FU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Error injection for assessment of error detection and correction techniques using error injection logic and non-volatile memory

Номер патента: US20190188064A1. Автор: Michael K. Ciraula. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Data storage system in a key-value storage architecture with data compression, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210303171A1. Автор: CHAO Chen,Ningzhong MIAO. Владелец: Shannon Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-01.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: WO2020086264A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Coherency management for volatile and non-volatile memory in a through-silicon via (tsv) module

Номер патента: US20170308309A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Adam J. McPadden,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240094914A1. Автор: Keisuke Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240053928A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Kuang-Ting TAI. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240053929A1. Автор: Chien-Hung Lee,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: US20230409471A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Data storage device with an exclusive channel for flag checking of read data, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20220197835A1. Автор: An-Pang Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Data storage device with an exclusive channel for flag checking of read data, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20220197836A1. Автор: An-Pang Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Data storage device and non-volatile memory control method, with security extension

Номер патента: US20200356284A1. Автор: Chih-Yu Lin,Hung-Ting Pan,Sung-Ling Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US11875058B2. Автор: Hsiang-Yu Huang,Po-Sheng Chou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210089223A1. Автор: Hsuan-Ping Lin,Jie-Hao LEE,Jen-Hung Liao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: US20200125290A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20220269618A1. Автор: Sheng-Hsun Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Storage device including memory controller, and non-volatile memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US12019907B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Myeongjong Ju,Mingon Shin,Hwasoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Serial at attachment and non-volatile memory express device determination

Номер патента: WO2019103736A1. Автор: Charles Shaver. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2019-05-31.

Serial at attachment and non-volatile memory express device determination

Номер патента: US20200356303A1. Автор: Charles Shaver. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for implementing predictable latency mode feature in ssd, and non-volatile memory (nvm) based storage device

Номер патента: US20230004323A1. Автор: Srinivasa Raju Nadakuditi,Abhinav Kumar Singh,Chandrashekar Tandavapura Jagadish,Manu YELAKKURU PRABHUSWAMY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210165734A1. Автор: Yu-Hsiang CHUNG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: US12039193B2. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: Kigen UK Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data

Номер патента: EP2513908A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jianmin Huang,Lee M. Gavens,Chris Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-24.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Systems and methods for load-balancing cache flushes to non-volatile memory

Номер патента: US20190236029A1. Автор: Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan,Wade Andrew Butcher. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-08-01.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: WO2020201672A1. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20240248620A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Write suppression in non-volatile memory

Номер патента: US20190235767A1. Автор: Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US12050779B2. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20240370183A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09910771B2. Автор: Blaise Fanning,Michael W. Williams,Robert J. Royer, Jr.,Eng Hun Ooi,Jeffrey R. Wilcox,Ritesh B. Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory device, and storage apparatus to reduce a read retry occurrence frequency and prevent read performance from lowering

Номер патента: US09898201B2. Автор: Hiroshi Hirayama,Yoshihiro Oikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20200341691A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Suspending and resuming non-volatile memory operations

Номер патента: EP3172674A1. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Ryan R. Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-31.

Non-volatile memory protections

Номер патента: US20210081117A1. Автор: Christopher H. Stewart,Wei Ze Liu,Rosilet Retonamoni Braduke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-03-18.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Storing memory profile data of an application in non-volatile memory

Номер патента: US20190018610A1. Автор: Shridhar Prakash Joshi,Suprateeka R. Hegde. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-17.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: GB2582638A. Автор: Dean Tebbutt Colin,David Hunter William. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Command control for multi-core non-volatile memory

Номер патента: WO2018156200A1. Автор: Jingwen Ouyang,Greg Hilton,Jayesh Pakhale. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with adapting erase process

Номер патента: US20240319905A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Host-initiated and auto-initiated non-volatile memory refresh

Номер патента: US12124717B2. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: WO2024226631A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: US20240354005A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory server with read writeable non-volatile memory

Номер патента: US09983797B2. Автор: Ajith Kumar,Vijay Karamcheti,Shibabrata Mondal. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Controlling persistent writes to non-volatile memory based on persist buffer data and a persist barrier within a sequence of program instructions

Номер патента: US09946492B2. Автор: Peter Chen,Stephan Diestelhorst,Ali Ghassan SAIDI,Aasheesh KOLLI,Thomas Friedrich WENISCH. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

호스트 메모리 버퍼(Host Memory Buffer)를 관리하기 위한 NVMe(Non-Volatile Memory　Express) 컨트롤러를 포함하는 솔리드 스테이트 저장 장치(solid state storage device), 이를 포함하는 시스템 및 호스트의 호스트 메모리 버퍼를 관리하는 방법

Номер патента: KR102683696B1. Автор: 벤카타라트남 님마가따,불리가들라 아마레시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2024-07-09.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Accelerated non-volatile memory device inspection and forensics

Номер патента: EP4208787A1. Автор: Tyler Vrooman,Graham Schwinn,Greg Edvenson. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Power architecture for non-volatile memory

Номер патента: US11763895B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Jeremy Binfet. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Data self-destruction method and system based on non-volatile memory

Номер патента: US20210373793A1. Автор: Rui CAO,Wenjing Yang,Jiezhi Chen,Yuxin GONG. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-12-02.

High bandwidth non-volatile memory for ai inference system

Номер патента: US20240281142A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,I-Ting KUO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Reactive power management for non-volatile memory controllers

Номер патента: US20190094938A1. Автор: Matthew Davidson,Eran Erez,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Reed P. Tidwell. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20200272561A1. Автор: Shih-Chang Chang,Jian-Yu Chen,Bo-Yan JHAN,Yuh-Jang LO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210034252A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416583A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Non-volatile memory device and a method for operating the same

Номер патента: US12112056B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Maintaining quality of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US12112074B2. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory sector retirement in a non-volatile memory

Номер патента: US09996458B1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Physical addressing schemes for non-volatile memory systems employing multi-die interleave schemes

Номер патента: US09983829B2. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Muralitharan Jayaraman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory with pre-trained model and inference circuit

Номер патента: EP4420122A1. Автор: Liang Li,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory access system comprising volatile memory, non-volatile memory, processor, and programmable logic device and memory access method thereof

Номер патента: US11720260B2. Автор: Ching-Sheng Chuang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US11960738B2. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Managing page retirement for non-volatile memory

Номер патента: US20230229304A1. Автор: Alan J. Wilson,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Managing page retirement for non-volatile memory

Номер патента: WO2022115826A1. Автор: Alan J. Wilson,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Non-volatile memory

Номер патента: US20240176531A1. Автор: Christophe Arnal. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-05-30.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and System Involving Degradation of Non-Volatile Memory Based on Write Commands and Drive-Writes

Номер патента: US20200342945A1. Автор: Vidyabhushan Mohan,Yao Zhang,Cory Peterson,Jay Sarkar,Amir SANAYEI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Programming erase state as last program state during a programming cycle of a non-volatile memory structure

Номер патента: US20240290390A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Pre-suspend before program in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US12086462B2. Автор: Ryan J. Goss,Jonathan M. Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory with secure erase

Номер патента: US20240338131A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Managing page retirement for non-volatile memory

Номер патента: US12118211B2. Автор: Alan J. Wilson,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile memory and operation method thereof

Номер патента: US20220059170A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method and system for managing data in non-volatile memory

Номер патента: US09959071B2. Автор: Nicholas James Thomas,Joseph Meza. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Block erase schemes for cross-point non-volatile memory devices

Номер патента: US09928907B1. Автор: Jay Kumar,Won Ho Choi,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Supporting invalidation commands for non-volatile memory

Номер патента: US09880770B2. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Taeil Um. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Volatile/non-volatile memory device access provisioning system

Номер патента: US10146704B2. Автор: Jinsaku Masuyama,Ching-Lung Chao,Mukund Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-12-04.

Accessing compressed data of varying-sized quanta in non-volatile memory

Номер патента: US9396104B1. Автор: Radoslav Danilak,Ladislav Steffko,Rodney Norman Mullendore. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Data conversion with data path circuits for use in double sense amp architecture with fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US11776640B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Data Storage System and Operating Method for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20190348083A1. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

High-reliability non-volatile memory using a voting mechanism

Номер патента: US20240012723A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-deck non-volatile memory architecture with improved address line driver circuitry

Номер патента: US20230282259A1. Автор: William K. Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory control system for a non-volatile memory and control method

Номер патента: US9477419B2. Автор: Julien Penders,Tobias Gemmeke,Carlos Agell. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2016-10-25.

Plane programming scheme for non-volatile memory with large block sizes

Номер патента: US11789612B2. Автор: Karin Inbar,Sahil Sharma,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile memory with intelligent compute task distribution

Номер патента: US11977915B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Rakesh Balakrishnan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20220075536A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Pseudo multi-plane read methods and apparatus for non-volatile memory devices

Номер патента: US11935585B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Arka Ganguly. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

High performance, non-volatile memory module

Номер патента: US20230307026A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20190354293A1. Автор: Seok Cheon Kwon,Seung hyun HAN. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20230393757A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Adaptive Context Disbursement for Improved Performance in Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20150149694A1. Автор: Yosief Ataklti,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Abhijeet Mahohar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-05-28.

Method and apparatus to provide both storage mode and memory mode access to non-volatile memory within a solid state drive

Номер патента: WO2018004987A1. Автор: Frank Hady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20190179573A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Virtual mapping based off-chip non-volatile memory dynamic loading method and electronic apparatus

Номер патента: EP4089545A1. Автор: Qiang Zhang,Lihang Zhang,Yujing QIU. Владелец: Nanjing Semidrive Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-16.

Memory Control System for a Non-Volatile Memory and Control Method

Номер патента: US20150309753A1. Автор: Julien Penders,Tobias Gemmeke,Carlos Agell. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory system

Номер патента: US10613767B2. Автор: Seok Cheon Kwon,Seung hyun HAN. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US12019868B2. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Storage method, data processing method, device and apparatus based on non-volatile memory

Номер патента: US20220244872A1. Автор: Feng Zhang,Zhisheng CHEN,Qiang Huo,Qirui REN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-08-04.

Non-volatile memory

Номер патента: EP4379723A1. Автор: Christophe Arnal. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-06-05.

File managing device of a non-volatile memory, a memory card and method for controlling a file system

Номер патента: US5860135A. Автор: Masahiro Sugita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

A solid state storage device comprising a Non-Volatile Memory Express (NVMe) controller for managing a Host Memory Buffer (HMB), a system comprising the same and method for managing the HMB of a host

Номер патента: KR20180054394A. Автор: 벤카타라트남 님마가따,불리가들라 아마레시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-05-24.

Data storage device enabling latches of non-volatile memory dies for use as externally-accessible volatile memory

Номер патента: US11816343B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Non-volatile memory device and a method for operating the same

Номер патента: US20240004572A1. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Data link between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: WO2020092625A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US11314422B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US20240020024A1. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20180300230A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Non-volatile memory with lpdram

Номер патента: US20160062695A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Data Link Between Volatile Memory and Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230076311A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Handling cache and non-volatile storage (nvs) out of sync writes

Номер патента: US20190073129A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Kyler A. Anderson,Kevin J. Ash,Beth A. Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180349057A1. Автор: Paul Blinzer,Nima Osqueizadeh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180181341A1. Автор: Paul Blinzer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Centralized fixed rate serializer and deserializer for bad column management in non-volatile memory

Номер патента: US20210193226A1. Автор: CHEN CHEN,Mitsuyuki Watanabe,Min Peng,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20240320138A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Ching-Yuan Lin,Tsung-Mu Lai,Chang-Chun Lung,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Accelerated address indirection table lookup for wear-leveled non-volatile memory

Номер патента: US09952801B2. Автор: Jun Zhu,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,Woojong Han,Jordan A. Horwich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Reducing read access latency by straddling pages across non-volatile memory channels

Номер патента: US09940034B2. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to ups

Номер патента: US20170168937A1. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Non-volatile memory cell compliant to a near-memory computation system

Номер патента: US20200202941A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Chun-Fu Lin,Tsung-Mu Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Scalable and configurable non-volatile memory module array

Номер патента: US20160259551A1. Автор: Zhan PING. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: US12051468B2. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4433892A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Non-volatile memory storage apparatus, memory controller and data storing method

Номер патента: US8416621B2. Автор: Hsiang-Hsiung Yu,Yu-Chung Shen,Yun-Chieh Chen,Ta-Chuan Wei. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Methods and apparatus for use in sanitizing a network of non-volatile memory express devices

Номер патента: US20210318828A1. Автор: Markku Valtonen. Владелец: Blancco Technology Group IP Oy. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US10275173B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-04-30.

System and method of backing up data from a volatile memory medium to a non-volatile memory medium

Номер патента: US20220027268A1. Автор: Kurtis Wayne Dorsey. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-01-27.

Accelerated address indirection table lookup for wear-leveled non-volatile memory

Номер патента: WO2016209535A1. Автор: Jun Zhu,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,Woojong Han,Jordan A. Horwich. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-29.

Integrated circuit capable of switching between non-volatile memory-based and volatile memory-based processor execution

Номер патента: US20180341424A1. Автор: Venkateswara Rao MANDELA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11829859B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for partitioning memory area of non-volatile memory

Номер патента: US20190034110A1. Автор: Chao-Chieh Chen,Huan-Chung Hsu,Cheng-Yu Wu,Ming-Yuan Liu,An-Chi CHENG,Chian-Ting Chen. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Device comprising a non-volatile memory circuit

Номер патента: US20220246211A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Jean-Michel PORTAL,Valentin EGLOFF. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2022-08-04.

Extending shelf life of non-volatile memory devices

Номер патента: US20180210646A1. Автор: Adam J. McPadden,Janani Swaminathan,Trinadhachari Kosuru,Prashanth K. Kasula,Preetham H. Raghavendra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Apparatus and architecture of non-volatile memory module in parallel configuration

Номер патента: US12014078B2. Автор: Kong-Chen Chen. Владелец: Entrantech Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: NZ742061A. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-24.

Data storage devices, having scale-out devices to map and control groups on non-volatile memory devices

Номер патента: US20200050374A1. Автор: Chan Ho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: CA3003486C. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Non-volatile memory module, non-volatile memory processing system, and non-volatile memory managing method thereof

Номер патента: US8726128B2. Автор: Nai-Chi Doong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20180322935A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018009282A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

System and method for managing non-volatile memory based on health

Номер патента: US20100058119A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Denali Software Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233817A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233816A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Positive feedback and parallel searching enhanced optimal read method for non-volatile memory

Номер патента: US20210118518A1. Автор: Xiang Yang,Jianzhi Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US12119054B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US09997240B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods and apparatus to detect and correct errors in destructive read non-volatile memory

Номер патента: WO2017087950A1. Автор: Yuming Zhu,Sai Zhang,Manish Goel. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-05-26.

Use of data latches for plane level compression of soft bit data in non-volatile memories

Номер патента: US12057188B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory with selectable hard write

Номер патента: US20210118475A1. Автор: Anirban Roy,Jon Scott Choy,Jacob Williams,Richard Eguchi,Kerry Ilgenstein. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Data error recovery in non-volatile memory

Номер патента: EP2368186A2. Автор: Albert Fazio,Jawad Khan,Richard Coulson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Data error recovery in non-volatile memory

Номер патента: WO2010080257A2. Автор: Albert Fazio,Jawad Khan,Richard Coulson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-15.

Method and system for ensuring failure atomicity in non-volatile memory

Номер патента: US11989090B2. Автор: Wei Tong,Dan Feng,Weilin Zhu,Jingning LIU,Xueliang Wei. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and device for programming non-volatile memory

Номер патента: US20180373584A1. Автор: Shih-Chang Huang,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US20160162355A1. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Overcoming error correction coding mis-corrects in non-volatile memory

Номер патента: US20210117270A1. Автор: Ali Khakifirooz,Krishna K. Parat,Ravi H. MOTWANI,Rohit S. Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Data restoration method for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010093440A2. Автор: Stephen Fung,Jeong Y. Choi. Владелец: MOSYS, INC.. Дата публикации: 2010-08-19.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11967369B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Managing redundancy information in a non-volatile memory

Номер патента: WO2015088704A1. Автор: Wei Fang,Ning Wu,Robert E. FRICKEY III. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-18.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11967370B1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11830546B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240120000A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240071485A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Word Line Dependent Pass Voltages In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20180012667A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Error location pointers for non volatile memory

Номер патента: US10025652B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Robert Eugeniu Mateescu,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Refresh architecture and algorithm for non-volatile memories

Номер патента: WO2011067795A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi. Владелец: Roberto Gastaldi. Дата публикации: 2011-06-09.

Programming non-volatile memory using a relaxed dwell time

Номер патента: US20160162403A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile memories with mixed oxram/feram technologies

Номер патента: US20230186061A1. Автор: François RUMMENS,Laurent Grenouillet,Alexandre Valentian,Elisa Vianello,Thomas MESQUIDA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-15.

Programmable electrical energy meter utilizing a non-volatile memory

Номер патента: US5548527A. Автор: Rodney C. Hemminger,Mark L. Munday. Владелец: ABB Power T&D Co Inc. Дата публикации: 1996-08-20.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Hardware-Assisted Memory Disaggregation with Recovery from Network Failures Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220012139A1. Автор: Andreas Nowatzyk,Pratap Subrahmanyam,Isam Akkawi. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Hardware-Assisted Memory Disaggregation with Recovery from Network Failures Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230205649A1. Автор: Andreas Nowatzyk,Pratap Subrahmanyam,Isam Akkawi. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Firehose Dump of SRAM Write Cache Data to Non-Volatile Memory Using a Supercap

Номер патента: US20120215971A1. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US20240264941A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US9766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of file system design and failure recovery with non-volatile memory

Номер патента: WO2015112094A3. Автор: CHENG Chen,Jun Yang,Qingsong WEI,Chundong Wang,Mingdi XUE. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-11-05.

Systems and methods for implementing persistent data structures on an asymmetric non-volatile memory architecture

Номер патента: US20210397524A1. Автор: KANG Chen,Teng MA,Mingxing Zhang,Yongwei Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-23.

Handling errors during device bootup from a non-volatile memory

Номер патента: EP2612241A1. Автор: Kenneth Herman,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

Multi-version concurrency control (MVCC) in non-volatile memory

Номер патента: AU2024205026A1. Автор: Wolfgang Lehner,Ismail Oukid,Daniel DOS SANTOS BOSSLE. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-08-08.

Storing checkpoint data in non-volatile memory

Номер патента: WO2009134264A1. Автор: Alan Davis,Richard Kaufmann,Nidhi Aggarwal,Norman Jouppi. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2009-11-05.

Firehose dump of SRAM write cache data to non-volatile memory using a supercap

Номер патента: US8495321B2. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Memory management in non-volatile memory

Номер патента: US11768762B2. Автор: Aleksandar Dragojevic,Tudor Alexandru DAVID. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US11983111B2. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Converting volatile memory module devices to flashless non-volatile memory module devices

Номер патента: US20160371148A1. Автор: Mudi M. FLUMAN,Yaacov Frank,Yehuda Shiran,Ronny Vatelmacher,Ofir Elizov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: EP4388421A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Apparatus and method for refreshing non-volatile memory

Номер патента: CA1174372A. Автор: Keisuke Yamamoto,Minoru Ueda,Kazumi Kawashima,Tatsuhiro Hosokawa,Sadahiro Iyehara,Yukio Furuta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-09-11.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A3. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Richard Colin Fitzgerald. Дата публикации: 2005-03-24.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for storing a key in a non-volatile memory

Номер патента: US20240267217A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device, method of operating storage device, and method of operating non-volatile memory

Номер патента: US20240231987A1. Автор: Sangwon Park,Jooyong PARK,Jaeha Park,Kyungduk Lee,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240193058A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240160544A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US12099424B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US10824563B2. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-03.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Postage meter with a non-volatile memory security circuit

Номер патента: CA1247254A. Автор: Warren G. Hafner,Henry Stalzer,Peter C. Digiulio. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1988-12-20.

Memory systems comprising non-volatile memory devices

Номер патента: US20200233739A1. Автор: Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US20190384708A1. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-12-19.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240289269A1. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations

Номер патента: US20200334149A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations

Номер патента: US20190042420A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10303597B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10013342B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20170235671A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Hybrid solid-state memory system having volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20090279366A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Non-volatile memory controller device and non-volatile memory device

Номер патента: US11775452B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Data security when tiering volatile and non-volatile byte-addressable memory

Номер патента: EP4264440A1. Автор: Landy Wang,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-25.

Data security when tiering volatile and non-volatile byte-addressable memory

Номер патента: US20230409490A1. Автор: Landy Wang,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Data security when tiering volatile and non-volatile byte-addressable memory

Номер патента: WO2022133388A1. Автор: Landy Wang,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for face-to-unlock, authentication device, and non-volatile storage medium

Номер патента: US20190122034A1. Автор: Keqing CHEN. Владелец: Beijing Kuangshi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Target detection method, system, and non-volatile storage medium

Номер патента: US20190347828A1. Автор: Tong Yang,Xiangyu Zhang. Владелец: Beijing Kuangshi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Apparatus for connecting non-volatile memory locally to a gpu through a local switch

Номер патента: US20190243791A1. Автор: Nima Osqueizadeh. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2019-08-08.

Apparatus for connecting non-volatile memory locally to a gpu through a local switch

Номер патента: US20180181518A1. Автор: Nima Osqueizadeh. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory controller and method for accessing a plurality of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20120096215A1. Автор: Xingyu Li,Kevin K. Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915A2. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registeting light- attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US20060011816A1. Автор: Wolfgang Buhr,Joachim Garbe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915B1. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-18.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US7232983B2. Автор: Joachim C. H. Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-19.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Method and a circuit architecture for testing an integrate circuit comprising a programmable, non-volatile memory

Номер патента: US20010015925A1. Автор: Albino Pidutti,Paolo Sandri,Alessandro Camera,Ignazio Bellomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-23.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: EP4359917A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: US20240289122A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Read cache management in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09952981B2. Автор: Alex Radinski,Tsafrir Kamelo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for complete rewriting of cleared non- volatile memory

Номер патента: RU2142168C1. Автор: Циммерманн Юрген,Гроте Вальтер. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 1999-11-27.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: WO2010031160A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-25.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: EP2342712A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-13.

Serving encrypted and plain data from a low latency non-volatile memory

Номер патента: US9069776B1. Автор: Emanuel Taropa. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2015-06-30.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Non-volatile memory storage device and operation method thereof

Номер патента: US20100030933A1. Автор: Fuja Shone,Shih Chieh Tai,Chih Wei Tsai,Yung Li Ji,Chuang Cheng,Chih Cheng Tu. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Securing temporary data stored in non-volatile memory using volatile memory

Номер патента: WO2009006728A9. Автор: Laurence Hamid,Kris Pribadi. Владелец: Memory Experts Int Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Dynamic configuring of reliability and density of non-volatile memories

Номер патента: US20220043745A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Amir Rochman,Ori Tirosh. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Non-volatile memory controller cache architecture with support for separation of data streams

Номер патента: US20190272232A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

System and Method for Providing a Programming Framework for Designing High-Performance Non-Volatile Memory Objects with High Usability

Номер патента: US20240160411A1. Автор: SeungMin JEON,Jeehoon Kang,Kyeongmin Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory and write cycle recording device thereof

Номер патента: US20220392557A1. Автор: Johnny Chan,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (rom) or a one time programmable non volatile memory (otp nvm)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules

Номер патента: US20180121379A9. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-03.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20190057737A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US20170357573A1. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US10552312B2. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20160203864A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US10026475B2. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Method for operating a non volatile memory of an electronic device and the electronic device implementing the same

Номер патента: US10318184B2. Автор: Woosung Lee,Inhwan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Non-volatile memory with access control circuit for secure boot of an electronic device

Номер патента: US20230385420A1. Автор: Vincent Berthelot. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache

Номер патента: EP1829047A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Making volatile isolation transactions failure-atomic in non-volatile memory

Номер патента: WO2017052845A1. Автор: Kshitij A. Doshi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Spare block management in non-volatile memories

Номер патента: WO2010078540A4. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Eugene Zilberman. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-10-14.

Spare block management in non-volatile memories

Номер патента: EP2374134A2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Eugene Zilberman. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-10-12.

Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules

Номер патента: US09984012B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and system for compacting data in non-volatile memory

Номер патента: US09910773B2. Автор: Nicholas James Thomas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and apparatus for high speed cache flushing in a non-volatile memory

Номер патента: US20130024623A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method and System for Using Non-Volatile Memory as a Replacement for Volatile Memory

Номер патента: US20160188464A1. Автор: Shahar Bar-Or,Vsevolod Mountaniol. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A3. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Execute-in-place mode configuration for serial non-volatile memory

Номер патента: US20150220431A1. Автор: Paolo Rolandi,Tommaso Zerilli,Raffaele Bufano,Sandra Lospalluti,Stefano Andreoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Rapid restart protection for a non-volatile memory system

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Yuhua Liu,Muhammad N. Ashraf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Execute-in-place mode configuration for serial non-volatile memory

Номер патента: US20140189220A1. Автор: Paolo Rolandi,Tommaso Zerilli,Raffaele Bufano,Sandra Lospalluti,Stefano Andreoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Execute-in-place mode configuration for serial non-volatile memory

Номер патента: US8954660B2. Автор: Paolo Rolandi,Tommaso Zerilli,Raffaele Bufano,Sandra Lospalluti,Stefano Andreoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-10.

Wear leveling based on a swapping operation between sets of physical block addresses of a non-volatile memory

Номер патента: US09971685B2. Автор: Robert W. Faber,Jason A. Gayman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for providing dual memory access to non-volatile memory

Номер патента: US9785545B2. Автор: Yiren Ronnie Huang. Владелец: Cnex Labs Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory system or sub-system

Номер патента: US11550381B2. Автор: Robert Nasry Hasbun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Data whitening for writing and reading data to and from a non-volatile memory

Номер патента: US8918655B2. Автор: Michael J. Smith,Tahoma M. Toelkes,Matthew J. Byom,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Non-volatile memory array controller capable of controlling memory banks having variable bit widths

Номер патента: US5630099A. Автор: James R. Macdonald,Douglas D. Gephardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

On-chip randomly self-programmable non-volatile memory architecture

Номер патента: WO1996021225A1. Автор: Richard J. Takahashi. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-07-11.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling with linear indexing

Номер патента: US11875836B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Snapshotting pending memory writes using non-volatile memory

Номер патента: EP4268084A1. Автор: Amir ROOZBEH,Chakri PADALA,Ahsan Javed AWAN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-11-01.

Non-volatile memory device and operating method thereoef

Номер патента: US20140164685A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Snapshotting Pending Memory Writes Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230409472A1. Автор: Amir ROOZBEH,Chakri PADALA,Ahsan Javed AWAN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and apparatus for writing data to a non-volatile memory

Номер патента: EP1514176A2. Автор: Fabrizio Camapanale. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-03-16.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20050166004A1. Автор: Fabrizio Campanale,Gijs Van Steenwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-28.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A4. Автор: Daniel H Bax,Richard A Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP1502202A1. Автор: F. Philips Int.Property & Standards Gmbh CAMPANALE,G. Philips Int.Prop.& Standards Gmbh VAN STEENWIJK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-02-02.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via multi-level wear leveling

Номер патента: US11823725B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling in a round robin fashion

Номер патента: US11869562B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via outlier compensation

Номер патента: US11790969B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and random swap injection

Номер патента: US11295796B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and outlier compensation

Номер патента: US11670352B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Performing a pre-update on a non volatile memory

Номер патента: EP2329366A2. Автор: Sharon Peleg,Evyatar Meller. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Controlled data access to non-volatile memory

Номер патента: EP2366179A1. Автор: MEI Yan,Fabrice Jogand-Coulomb,Robert Chang,Po Yuan,Xian Jun Liu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: US20030065893A1. Автор: Richard Lary,Daniel Bax. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: WO2003029992A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-10.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-21.

System for accessing non-volatile memory

Номер патента: US8032692B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Non-Volatile Memory with Background Data Latch Caching During Read Operations

Номер патента: US20060233010A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Replaceable non-volatile memory apparatus with a plurality of pluggable electrical connectors

Номер патента: US8706932B1. Автор: Ruban Kanapathippillai,Vijay Karamcheti,Kenneth A. Okin,Ashwin Narasimha. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2014-04-22.

Semiconductor device and electronic equipment having a non-volatile memory with a security function

Номер патента: US6088262A. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Non-volatile memory device and associated programming method

Номер патента: US20080235451A1. Автор: Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-25.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Cooperative interconnection and operation of a non-volatile memory card and an input-output card

Номер патента: WO2002019266A3. Автор: Robert C Miller,Yoram Cedar,Robert F Wallace,Wesley G Brewer,Leonard L Ott,Kevin J Mills,Michael L Gifford. Владелец: Socket Communications Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: US11894061B2. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-06.

A non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: EP4092674A1. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-11-23.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Non-volatile memory data initialization/rewrite apparatus for a printer

Номер патента: US6038375A. Автор: Kyoko Makino. Владелец: Star Micronics Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-14.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power supply failure

Номер патента: AU3096497A. Автор: MICHEL MARTIN,Jacek Kowalski. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1998-01-07.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Memory structure having volatile and non-volatile memory portions

Номер патента: WO2009117222A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch,Charles Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating

Номер патента: US09922711B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US11862245B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: US20210295915A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: US11881263B2. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for programming non-volatile memory cell, non-volatile memory array and non-volatile memory apparatus

Номер патента: US20140092689A1. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Comprising Resistive Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20230360702A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile memory cell and non-volatile cell array

Номер патента: US20200160909A1. Автор: Ping-Yu KUO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Power switch circuit and non-volatile memory device comprising the same

Номер патента: US20230142636A1. Автор: Suk-Soo Pyo,Jung Kyu JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: EP1236206A4. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Francisco M Raymo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-05-19.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: WO2001043138A1. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Françisco M. RAYMO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2001-06-14.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: EP1236206A1. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Françisco M. RAYMO. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2002-09-04.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: AU6083600A. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Françisco M. RAYMO. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-06-18.

Feedback field-effect array device capable of converting between volatile and non-volatile operations and array circuit using the same

Номер патента: US20200075098A1. Автор: Hyun Gu Kang,Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Sun CHO,Doo Hyeok LIM,Sol A WOO,Yoon Joong KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20160042795A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-09.

Non-volatile memory with zoned control of programming

Номер патента: US20230317169A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240268126A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Hong LAI. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4362077A3. Автор: Jinyong OH. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US12131776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09928894B2. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230197173A1. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12073888B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Youn-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Adaptive voltage range management in non-volatile memory

Номер патента: US20130336072A1. Автор: Robert B. Wood,David Flynn,Hairong Sun,Jea Woong Hyun,Warner Losh. Владелец: Fusion IO LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US20230298678A1. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160307629A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160035421A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile memory device including common source line tapping wire connected to common source line plate by vias on lower metal line and through-hole vias

Номер патента: US12089408B2. Автор: Bongsoon LIM,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4398695A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240221834A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Wordline strapping for non-volatile memory elements

Номер патента: US20200185374A1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: WO2023149912A1. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Non-volatile memory device with comparison capability between target and readout data

Номер патента: US20220336027A1. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Non-volatile memory

Номер патента: US20200066744A1. Автор: Pan-Suk Kwak,Chan-Ho Kim,Kyung-Hwa Yun,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170125425A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20210118496A1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US10916302B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240242755A1. Автор: Sunghoon Kim,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20230253044A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Non-volatile memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20070008777A1. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Ming-Chang Kuo,Chao-Lun Yu,Min-Ta Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Non-volatile memory including negative capacitance blocking oxide layer, operating method of the same and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230413574A1. Автор: Taeho Kim,Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

High dielectric constant/metal gate (hk/mg) compatible floating gate (fg)/ferroelectric dipole non-volatile memory and logic device

Номер патента: WO2016089646A2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240324233A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4436332A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Non-volatile memory device and method of operation therefor

Номер патента: EP1826768A3. Автор: Dae-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Compact non-volatile memory array with reduced disturb

Номер патента: WO2006093683A1. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: US09947682B2. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US20230162785A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile memory device including a memory cell in a variable state and a memory cell in an initial state

Номер патента: US10410719B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US20200294593A1. Автор: Wein-Town Sun,Hong-Yi Liao,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for writing in a non-volatile memory according to the ageing of the memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210319836A1. Автор: Francesco La Rosa,Enrico Castaldo,Francesca Grande,Santi Nunzio Antonino Pagano,Giuseppe Nastasi,Franco Italiano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory cell of non-volatile memory

Номер патента: US11877456B2. Автор: Wein-Town Sun,Ying-Je Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4231802A1. Автор: Daeseok Byeon,SeungYeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Memory cell array of multi-time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20210287746A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory with inter-die connection

Номер патента: US20230386576A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

Non-volatile memory device having pn diode

Номер патента: US20220231083A1. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-21.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20160005755A1. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Voltage divider circuits, comparators, and analog-to-digital converters utilizing non-volatile memory devices

Номер патента: WO2024092044A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-05-02.

Bias scheme for word programming in non-volatile memory and inhibit disturb reduction

Номер патента: EP3711051A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ali Keshavarzi,Gary Menezes. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20150287467A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20230154543A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A2. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-15.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US20230091464A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: CA1139880A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Multiple select gates with non-volatile memory cells

Номер патента: US7433231B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Multi-deck non-volatile memory architecture with reduced termination tile area

Номер патента: US20230092848A1. Автор: William K. Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Highly integrated system-on-chip system with non-volatile memory unit

Номер патента: US20010023992A1. Автор: Andreas Döll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Fast open block erase in non-volatile memory structures

Номер патента: US11901016B2. Автор: Xiaojia Jia,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US20240105265A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Segmentation of Blocks for Faster Bit Line Settling/Recovery in Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20160012903A1. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Seungpil Lee,Amul Dhirajbhai Desai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Information processing device, communication system, information processing method and non-volatile computer-readable data medium

Номер патента: RU2718117C2. Автор: Томоя ЯМАУРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-03-30.

Management of volatile and non-volatile memory resources in digital communications terminals

Номер патента: WO2001031442A3. Автор: Robert Charles Booth,Donald Tavoletti,Thomas F Bates Iv. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Programmable non-volatile memory for CMOS sensors

Номер патента: EP1341236A3. Автор: Bruce C. c/o Eastman Kodak Company McDermott,Wilbert F. c/o Eastman Kodak Company Janson Jr.. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-07-06.

Communication system, identifier assignment device, base station, identifier assignment method and non-volatile machine-readable media performing device control

Номер патента: RU2577314C1. Автор: Хидеуми ХОСОБЕ. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2016-03-20.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Image processing apparatus having function for performing sync processing to transfer and store data of cache memory to non-volatile memory in accordance with predetermined condition

Номер патента: US8237974B2. Автор: Hiroshi Ishii. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-08-07.

Photodiode imaging arrays reconfigured or mapped via a non volatile memory

Номер патента: GB2490929A. Автор: Graham Mackerron,Bernard Mulgrew. Владелец: Selex Galileo Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040008542A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-15.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US12068042B2. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Memory architectures including non-volatile memory devices

Номер патента: WO2006074176A3. Автор: David S Choi,John D Villasenor. Владелец: John D Villasenor. Дата публикации: 2007-05-31.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240161848A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: WO2019207282A1. Автор: George McNeil Lattimore,Shidhartha Das,Mudit Bhargava,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-31.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040202022A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US20230197156A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US20210074356A1. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US11011231B2. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

In-vehicle system having volatile and non-volatile storage and method of using

Номер патента: US20240371215A1. Автор: Parth Patel,Takeshi Sekiya,Johan Lindqvist,Mario FREITAS,Laurent FERT,Jérôme PEYROUTAT-BASSE,Nik CHIZHOV,Vinit TARE,Erik STEGGALL,Kalyani ORUGANTI,Justin TJOA,Nick HORI. Владелец: Woven by Toyota Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Usb non-volatile memory system for an electronic engine controller

Номер патента: US20110138107A1. Автор: James A. Gosse,Kimberly K. Sendlein,Scott Beecher,Karin Averill Parker. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US20160329100A1. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-10.

Providing a Ready-Busy Signal From a Non-Volatile Memory Device to a Memory Controller

Номер патента: US20120039118A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla. Владелец: Mostafa Naguib Abdulla. Дата публикации: 2012-02-16.

Providing a ready-busy signal from a non-volatile memory device to a memory controller

Номер патента: US20130003474A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Chip select controller and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US7660185B2. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Chip select controller and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US20090168518A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Power supply including regulating transistor for providing current to a load and non-volatile memory devices produced accordingly

Номер патента: US09892763B2. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US20230070554A1. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US11972800B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20230170004A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Latch circuit and method for writing and reading volatile and non-volatile data to and from the latch

Номер патента: WO2005091299A1. Автор: Fredrick B. Jenne,Babak A. Taheri,Sanjeev K. Maheshwari. Владелец: Cypress Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2005-09-29.

Programming non-volatile memory with reduced number of verify operations

Номер патента: EP2504838A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-03.

Programming non-volatile memory with reduced number of verify operations

Номер патента: WO2011066234A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-06-03.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Non-volatile memory bank with embedded inline computing logic

Номер патента: US20200381047A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Vread bias allocation on word lines for read disturb reduction in 3d non-volatile memory

Номер патента: WO2015038558A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Chenfeng Zhang,Seung Yu,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US20170018305A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for suppressing gate oxide tunnel current in non-volatile memory to reduce disturbs

Номер патента: US20200143898A1. Автор: Aswin N. Mehta,John H. MacPeak,Stephen K. Heinrich-Barna,Clyde F. Dunn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with virtual ground voltage provided to unselected column lines during memory write operation

Номер патента: US20220101903A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Folding ordering scheme for improved throughput in non-volatile memory

Номер патента: US20240221802A1. Автор: Amit Sharma,Abhinandan Venugopal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: US20120213007A1. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A3. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: EP2676275A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US12051473B2. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technolologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: WO2023146572A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Non-volatile memory

Номер патента: US20100329000A1. Автор: Mohamed Boutchich. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Flexible and area efficient column redundancy for non-volatile memories

Номер патента: EP1700314A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Non-volatile memory devices having uniform error distributions among pages

Номер патента: US8780627B1. Автор: Xueshi Yang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: WO2017209812A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: WO2017209811A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Two-dimensionally accessible non-volatile memory

Номер патента: US20190206487A1. Автор: ZHENG Li,Hai Li,Yiran Chen. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2019-07-04.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Adaptive Programming For Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20130250692A1. Автор: Danut Manea,Stephen Trinh,Dixie Nguyen,Erwin Castillon,Uday Mudumba,Sabina Centazzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Non-volatile memory

Номер патента: US20150200017A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: US20240312538A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: US12094546B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: WO2024191493A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

High speed multi-level cell (MLC) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US12112800B2. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods and Devices for Erasing Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220044743A1. Автор: Gianbattista Lo Giudice,Rosario Roberto Grasso,Giovanni Matranga,Alberto Jose' Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Dynamically allocable regions in non-volatile memories

Номер патента: US09852781B2. Автор: Luca Porzio,Emanuele Confalonieri,Giuseppe Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Antifuse-type non-volatile memory and control method thereof

Номер патента: US20240161844A1. Автор: Chia-Fu Chang,Ming-Hsuan Tan,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Data erasure verification for three-dimensional non-volatile memory

Номер патента: US20230136479A1. Автор: Changhyun LEE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030107921A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Non-volatile memory with autonomous cycling

Номер патента: US12040031B2. Автор: Yan Li,Liang Li,Wenkai Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Non-volatile memory with loop dependant ramp-up rate

Номер патента: WO2024151342A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Voltage regulation system for a multiword programming of a low integration area non volatile memory

Номер патента: US20040233723A1. Автор: Ignazio Martines,Massimo Scardaci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010076826A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Daniele Ballucchi. Владелец: Daniele Ballucchi. Дата публикации: 2010-07-08.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US7630269B2. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US20080062801A1. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for Accessing in Reading, Writing and Programming to a NAND Non-Volatile Memory Electronic Device Monolithically Integrated on Semiconductor

Номер патента: US20090180328A1. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-07-16.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Folding data stored in binary format into multi-state format within non-volatile memory devices

Номер патента: EP2438595A1. Автор: Yan Li,BO LIU,Chi-Ming Wang,Kwang-Ho Kim,Cuong Quoc Trinh,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-04-11.

Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

Номер патента: US20090175074A1. Автор: Yves Theoduloz,Hugo Jaeggi,Nadia Harabech. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-07-09.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of updating data for a non-volatile memory

Номер патента: US20040205291A1. Автор: Hugues Blangy. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-10-14.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US20110305092A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-12-15.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

Methods, Devices and Systems for an Improved Management of a Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220068367A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods, devices and systems for an improved management of a non-volatile memory

Номер патента: US12100438B2. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Erase algorithm with a weak program pulse for non-volatile memory

Номер патента: US20240304243A1. Автор: ZHI Li,Sung Hyun Jo,Jordan Frick. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-deck non-volatile memory architecture with improved wordline bus and bitline bus configuration

Номер патента: US12087350B2. Автор: Cheng-Yi Huang,William Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US12094542B2. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Open block boundary group programming for non-volatile memory

Номер патента: US12112814B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Post package repair (PPR) data in non-volatile memory

Номер патента: US09941023B2. Автор: Melvin K. Benedict,Lidia Warnes,Andrew C. Walton. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for operating non-volatile memory with symmetrical dual-channels

Номер патента: US20020167840A1. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US6473338B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Semiconductor integrated, electronic control circuit incorporating an electrically programmable, electronic non-volatile memory device

Номер патента: US6081471A. Автор: Virginia Natale,Luca Fontanella,Michele Palazzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-06-27.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8811106B2. Автор: Youjip Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Circuit having a low power charge pump for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20190371415A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Javier Osinaga. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory

Номер патента: GB2091511A. Автор: . Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1982-07-28.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Partial block erase for read open block in non-volatile memory

Номер патента: WO2016093936A1. Автор: Dana Lee,Henry Chin,Pitamber Shukla,Cynthia Hsu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Non-volatile memory device with a program driver circuit including a voltage limiter

Номер патента: US20210366554A1. Автор: Vikas RANA,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-11-25.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory with slow voltage ramp compensation

Номер патента: US20240321379A1. Автор: Long Pham,Parth AMIN,Sai Gautham THOPPA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: US20120317318A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Sylvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011054661A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-05-12.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240339161A1. Автор: Seiji Takenaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: EP2499642A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-09-19.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US09997242B2. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

10-transistor non-volatile static random-access memory using a single non-volatile memory element and method of operation thereof

Номер патента: US09997237B2. Автор: Jayant Ashokkumar,Joseph S Tandingan,David W. Still,Jesse J Siman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Double sense amp and fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US12014795B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Controlled boosting in non-volatile memory soft programming

Номер патента: WO2008063972A3. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: Gerrit Jan Hemink. Дата публикации: 2008-07-10.

Non-volatile memory and method with peak current control

Номер патента: EP2877995A1. Автор: Dana Lee,Yi-Chieh Chen,Farookh Moogat. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Redundancy system for non-volatile memory

Номер патента: EP3097564A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Mourad Abdat. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180254084A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Controller for biasing switching element of a page buffer of a non volatile memory

Номер патента: US20170025180A1. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Device and method for pre-programming of in-pixel non-volatile memory

Номер патента: WO2012020817A1. Автор: Michael P. Coulson,Sunay Shah,Benjamin J. Hadwen. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-02-16.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US20230267983A1. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US11978494B2. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Synchronous output buffer, particularly for non-volatile memories

Номер патента: US6424575B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-23.

Non-volatile memory and method with post-write read and adaptive re-write to manage errors

Номер патента: EP2494552A1. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-09-05.

Redundancy system for non-volatile memory

Номер патента: CA2941639A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Mourad Abdat. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180114574A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2018078349A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Two-stage programming using variable step voltage (dvpgm) for non-volatile memory structures

Номер патента: US20220215873A1. Автор: Ravi Kumar,Muhammad Masuduzzaman,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20130308382A1. Автор: Yong-kyu Lee,Tea-kwang Yu,Bo-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and Apparatus for Storing Data in a Write-Once Non-Volatile Memory

Номер патента: US20090059684A1. Автор: Edward B. Harris. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-03-05.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and apparatus for information setting in a non-volatile memory device

Номер патента: US20060023508A1. Автор: Kenta Kato,Satoru Sugimoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of determining optimal voltages for operating two-side non-volatile memory and the operating methods

Номер патента: US20060104105A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Control circuit for refreshing voltages in a non-volatile memory during a standby mode and a method thereof

Номер патента: US20090003116A1. Автор: Kerry D. Tedrow,Gerald Barkley,Balaji SIVAKUMAR,Bharat CHAUHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Non-volatile memory having a dynamically adjustable soft program verify voltage level and method therefor

Номер патента: WO2009017889A1. Автор: Jon S. Choy,Richard K. Eguchi. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Non-volatile memory and voltage detecting circuit thereof

Номер патента: US12094559B2. Автор: zhe-yi Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Dynamic interference compensation for soft decoding in non-volatile memory storage devices

Номер патента: US12087362B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Kenji Sakurada,Eyal Nitzan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuit and method for reading a non-volatile memory

Номер патента: US6195286B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-27.

Non-volatile memory and electronic device

Номер патента: US20240312549A1. Автор: Jianxin Li,Ligang Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for enhancing the reliability of a non-volatile memory

Номер патента: US10276246B2. Автор: Jan Peter Berns,Christoph Baumhof,Fabio Tassan. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-04-30.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09990992B2. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09947395B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Row decoder for a non-volatile memory device, having reduced area occupation

Номер патента: US09767907B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-19.

Source biasing in non-volatile memory having row-based sectors

Номер патента: US5923585A. Автор: Sau C. Wong,Hock C. So. Владелец: Invox Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Integrated circuit with self-test device for an embedded non-volatile memory and related test method

Номер патента: US20040109370A1. Автор: Steffen Gappisch,Georg Farkas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Non-volatile memory serial number lock for electronic postage meter

Номер патента: CA1193728A. Автор: Edward C. Duwel,John H. Godenberg. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1985-09-17.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Data input/output managing device, particularly for a non-volatile memory

Номер патента: US5815437A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-09-29.

Circuit for performing auto-verifying program on non-volatile memory device

Номер патента: US6049480A. Автор: Seung-Ho Chang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007130187A3. Автор: Samuel Schlesinger,James E Rickels. Владелец: James E Rickels. Дата публикации: 2008-04-24.

Compact page-erasable EEPROM non-volatile memory

Номер патента: US5835409A. Автор: Roy Tabler Lambertson. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1998-11-10.

Non-volatile Memory Array Having Circuitry To Complete Programming Operation In The Event Of Power Interrupt

Номер патента: US20100226170A1. Автор: Fong-Long Lin,Tingniu Deng. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: EP2016589A2. Автор: Samuel Schlesinger,James E. Rickels. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Non-volatile memory refresh control circuit

Номер патента: US4218764A. Автор: Yukio Furuta,Tomisaburo Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-19.

Electrically alterable n-bit per cell non-volatile memory with reference cells

Номер патента: US5596527A. Автор: Yasuo Sato,Shoichi Iwasa,Toshio Wada,Kenji Anzai,Yugo Tomioka. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US20240046996A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Method and apparatus for writing data to non-volatile memory

Номер патента: US20160078960A1. Автор: Jianmin Huang,Nian Yang,Ting Luo,Alexandra Bauche,Nagdi Tafish. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-03-17.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20180025778A1. Автор: Makoto Kitagawa,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile memory (nvm) erase operation with brownout recovery technique

Номер патента: US20120117307A1. Автор: CHEN He,Jon S. Choy,Richard K. Eguchi,Peter J. Kuhn,Richard K. Glaeser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US20160247580A1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Non-volatile memory with improved erasing operation

Номер патента: US20080186780A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20180108413A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-19.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: EP4032089A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Non-volatile Memory Device With Stored Index Information

Номер патента: US20210082517A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: WO2021055006A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229814A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20220076772A1. Автор: Tokumasa Hara,Itaru HIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386569A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory device using variable resistance element with an improved write performance

Номер патента: US20120224437A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim,Hung-Jun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: WO2024030190A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A3. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US20120294091A1. Автор: Hee-Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

System and method for avoiding offset in and reducing the footprint of a non-volatile memory

Номер патента: WO2006044163A3. Автор: Massimiliano Frulio,Luca Figini,Andrea Sacco,Reggiori Riccardo Riva. Владелец: Reggiori Riccardo Riva. Дата публикации: 2006-08-10.

Method for managing a fail row of the memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US9875798B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US11972805B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Erasing method for non-volatile memory

Номер патента: US7239555B1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Kuo-Tung Wang,Yen-Lee Pan,Kuo-Hao Chu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Method for balancing data access to non-volatile memory

Номер патента: US20050273547A1. Автор: WEI Han,David Ho,Tony Tsai. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US20180151231A1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US10147490B2. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-12-04.

Method and system for reading unknown data from non-volatile memory

Номер патента: US20240145015A1. Автор: Osama Khouri,Yves Godat. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: US20170352430A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Systems For Programming Differently Sized Margins And Sensing With Compensations At Select States For Improved Read Operations In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20080144368A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of programming memory cells for a non-volatile memory device

Номер патента: US8446776B2. Автор: Sang-Won Hwang,Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Method for differentiating the programming and erasing voltages in non volatile memory devices and corresponding memory device manufacturing process

Номер патента: EP1047078A1. Автор: Federico Pio,Enrico Gomiero,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-10-25.

Erase ramp pulse width control for non-volatile memory

Номер патента: US8345485B2. Автор: CHEN He,Jon S. Choy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-01-01.

Methods for Improved Program-Verify Operations in Non-Volatile Memories

Номер патента: US20070230250A1. Автор: Siu Chan. Владелец: Chan Siu L. Дата публикации: 2007-10-04.

Electrically modifiable non-volatile memory circuit having means for autonomous refreshing dependent upon on periodic clock pulses

Номер патента: US5950224A. Автор: Jean Devin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-09-07.

Parallel-dichotomic serial sensing method for sensing multiple-level non-volatile memory cells, and sensing circuit for actuating such method

Номер патента: US5729490A. Автор: Guido Torelli,Vincenzo Daniele,Roberto Gastaldi,Cristiano Calligaro,Alessandro Manstretta,Nicola Telecco. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-03-17.

Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states

Номер патента: US20030128586A1. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka,Yupin Fong,Khandker Quader. Владелец: Quader Khandker N.. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Non-volatile memory

Номер патента: US20080017919A1. Автор: Yoshiyuki Kawazu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240224522A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Jonghoon Park,Myunghun Lee,Homoon Shin,Juyoung YANG,Jungseok HWANG,Mookyu BAE,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Single-gate non-volatile memory and operation method thereof

Номер патента: US20080173915A1. Автор: Ming-Tsang Yang,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang,Hao-Cheng Chang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Method to incorporate non-volatile memory and logic components into a single sub-0.3 micron fabrication process for embedded non-volatile memory

Номер патента: US5723355A. Автор: Shang-De Ted Chang,Binh Ly. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Control method and valve stepless mechanism control system, vehicle comprising such control system, device for implementation of such control method and non-volatile computer-readable data medium for implementation of such control method

Номер патента: RU2736675C1. Автор: Тао ЛЮ,Лимин СЮЙ,Фабао ЯН,Цзи ИНЬ,Цзяцзя ХУ,Лупин ЛЮ,Сун Чжан,Яньлун ФАН. Владелец: Грэйт Уолл Мотор Компани Лимитед. Дата публикации: 2020-11-19.

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Accelerating data replication using multicast and non-volatile memory enabled nodes

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты