Method for manufacturing non-volatile memory device
Номер патента: US10847525B2
Опубликовано: 24-11-2020
Автор(ы): Cheng-Jen Lai, Yi-Chung Chen
Принадлежит: Winbond Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-11-2020
Автор(ы): Cheng-Jen Lai, Yi-Chung Chen
Принадлежит: Winbond Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing non-volatile memory devices
Номер патента: US8765587B2. Автор: Seung Cheol Lee,Su Hyun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-01.