Non-volatile memory cell.

Non-volatile memory cell

Номер патента: WO2020030901A1
Опубликовано: 13-02-2020
Автор(ы): Andrei MIHAI, Bin Zou, Jan Zemen
Принадлежит: IP2IPO INNOVATIONS LIMITED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory circuit having non-volatile memory cell and methods of using

Номер патента: US20200043553A1. Автор: Ronald L. Cline. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Non-volatile memory with virtual ground voltage provided to unselected column lines during memory write operation

Номер патента: US20220101903A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US20160329100A1. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory having a plurality of resistive non-volatile memory cells

Номер патента: US09659623B1. Автор: Anirban Roy,Michael Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Resistive non-volatile memory cell and method for programming same

Номер патента: US09514810B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110128778A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-06-02.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8154914B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-04-10.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8553454B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-08.

Error correction method and module for non-volatile memory

Номер патента: US09454428B2. Автор: Kui Cai,Xueqiang WANG,Zhiliang QIN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2016-09-27.

Non-volatile memory structure with single cell or twin cell sensing

Номер патента: US20240177770A1. Автор: Bipul C. Paul,Chandrahasa Reddy Dinnipati. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Non-volatile memory with selectable hard write

Номер патента: US20210118475A1. Автор: Anirban Roy,Jon Scott Choy,Jacob Williams,Richard Eguchi,Kerry Ilgenstein. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US20170018305A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US09858997B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09792984B1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09928894B2. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09613676B1. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Local Reference Voltage Generator for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220101904A1. Автор: Kapil Jain,Shan Sun,Patrick O'connell,Fan Chu,Edwin Kim,Alan DeVilbiss,Franklin Brodsky. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-volatile memory

Номер патента: US20100329000A1. Автор: Mohamed Boutchich. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Non-volatile memory with adjustable cell bit shape

Номер патента: US09472281B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US12131776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240242755A1. Автор: Sunghoon Kim,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US20230162785A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040008542A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-15.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Non-volatile memory devices having uniform error distributions among pages

Номер патента: US8780627B1. Автор: Xueshi Yang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US7630269B2. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US20080062801A1. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Non-volatile memory with two phased programming

Номер патента: US09570179B2. Автор: Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040202022A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Multi-state programming for non-volatile memory

Номер патента: US09595317B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09627088B2. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Vread bias allocation on word lines for read disturb reduction in 3d non-volatile memory

Номер патента: WO2015038558A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Chenfeng Zhang,Seung Yu,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Memory architectures including non-volatile memory devices

Номер патента: WO2006074176A3. Автор: David S Choi,John D Villasenor. Владелец: John D Villasenor. Дата публикации: 2007-05-31.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: WO2024191493A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

High speed multi-level cell (MLC) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US12112800B2. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Voltage regulation system for a multiword programming of a low integration area non volatile memory

Номер патента: US20040233723A1. Автор: Ignazio Martines,Massimo Scardaci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Pseudo multi-plane read methods and apparatus for non-volatile memory devices

Номер патента: US11935585B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Arka Ganguly. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US09711211B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240112736A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240127890A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240105263A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods, Devices and Systems for an Improved Management of a Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220068367A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods, devices and systems for an improved management of a non-volatile memory

Номер патента: US12100438B2. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Method and system for programming and inhibiting multi-level, non-volatile memory cells

Номер патента: WO2003052766A1. Автор: Feng Pan,Khandker N. Quader,Alexander K. Mak,Long C. Pham,Khanh T. Nguyen. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Non-volatile memory device with reference voltage circuit

Номер патента: US20230402091A1. Автор: Thomas Melde,Venkatesh P. Gopinath,Xiaoli Hu,Nicki N. Mika. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09575882B2. Автор: Robert Wipfel,David Nellans. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Mapping data to non-volatile memory

Номер патента: WO2012106255A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

Controlled boosting in non-volatile memory soft programming

Номер патента: WO2008063972A3. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: Gerrit Jan Hemink. Дата публикации: 2008-07-10.

Two-stage programming using variable step voltage (dvpgm) for non-volatile memory structures

Номер патента: US20220215873A1. Автор: Ravi Kumar,Muhammad Masuduzzaman,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

10-transistor non-volatile static random-access memory using a single non-volatile memory element and method of operation thereof

Номер патента: US09997237B2. Автор: Jayant Ashokkumar,Joseph S Tandingan,David W. Still,Jesse J Siman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and system for reading unknown data from non-volatile memory

Номер патента: US20240145015A1. Автор: Osama Khouri,Yves Godat. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-05-02.

Techniques for reducing read voltage threshold calibration in non-volatile memory

Номер патента: US20190348130A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Roman A. Pletka,Aaron D. Fry,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Timothy Fisher,Matt Reuter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Electrically alterable n-bit per cell non-volatile memory with reference cells

Номер патента: US5596527A. Автор: Yasuo Sato,Shoichi Iwasa,Toshio Wada,Kenji Anzai,Yugo Tomioka. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Non-volatile memory device and method for erasing the same

Номер патента: US20150146487A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005073977A2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-08-11.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A3. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Non-volatile memory device, method for operating the same and data storage device including the same

Номер патента: US20190103165A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Systems For Programming Differently Sized Margins And Sensing With Compensations At Select States For Improved Read Operations In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20080144368A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Parallel-dichotomic serial sensing method for sensing multiple-level non-volatile memory cells, and sensing circuit for actuating such method

Номер патента: US5729490A. Автор: Guido Torelli,Vincenzo Daniele,Roberto Gastaldi,Cristiano Calligaro,Alessandro Manstretta,Nicola Telecco. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-03-17.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

Non-volatile memory

Номер патента: GB2091511A. Автор: . Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1982-07-28.

Multi-deck non-volatile memory architecture with improved wordline bus and bitline bus configuration

Номер патента: US12087350B2. Автор: Cheng-Yi Huang,William Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US20160247580A1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Non-volatile memory with improved erasing operation

Номер патента: US20080186780A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Method and System for Using Non-Volatile Memory as a Replacement for Volatile Memory

Номер патента: US20160188464A1. Автор: Shahar Bar-Or,Vsevolod Mountaniol. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Read operation for a non-volatile memory

Номер патента: US09478292B2. Автор: Robert Wood,Jea Hyun,Hairong Sun. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Post package repair (PPR) data in non-volatile memory

Номер патента: US09941023B2. Автор: Melvin K. Benedict,Lidia Warnes,Andrew C. Walton. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-10.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229816A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386568A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory and memory sector thereof

Номер патента: US20200365200A1. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Yu-Ping Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of programming memory cells for a non-volatile memory device

Номер патента: US8446776B2. Автор: Sang-Won Hwang,Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: WO2019207282A1. Автор: George McNeil Lattimore,Shidhartha Das,Mudit Bhargava,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-31.

Reduced current program verify in non-volatile memory

Номер патента: EP3257048A1. Автор: Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-20.

Reduced current program verify in non-volatile memory

Номер патента: WO2016130193A1. Автор: Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Dynamic interference compensation for soft decoding in non-volatile memory storage devices

Номер патента: US12087362B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Kenji Sakurada,Eyal Nitzan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for programming and testing a non-volatile memory cell for storing multibit states

Номер патента: US20040085812A1. Автор: Jack Frayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Folding ordering scheme for improved throughput in non-volatile memory

Номер патента: US20240221802A1. Автор: Amit Sharma,Abhinandan Venugopal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile memory with zoned control of programming

Номер патента: US20230317169A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US12148478B2. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160307629A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US09666279B2. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US09425204B2. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160035421A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile push-pull non-volatile memory cell having reduced operation disturb and process for manufacturing same

Номер патента: US09859289B2. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20160042795A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US09424939B2. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells

Номер патента: US09390799B2. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Page or word-erasable composite non-volatile memory

Номер патента: US09460798B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20210118496A1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US10916302B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US20230298678A1. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230197173A1. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-volatile memory device including common source line tapping wire connected to common source line plate by vias on lower metal line and through-hole vias

Номер патента: US12089408B2. Автор: Bongsoon LIM,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Compact non-volatile memory array with reduced disturb

Номер патента: WO2006093683A1. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Tamper-resistant non-volatile memory device

Номер патента: US09536581B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO,Satoru Ogasahara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20210167957A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Non-volatile memory with multiple latency tiers

Номер патента: US09773547B2. Автор: R. Stanley Williams,Naveen Muralimanohar,Gregg B. Lesartre,Erik Ordentlich,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Tamper-resistant non-volatile memory device

Номер патента: US09548113B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US11895236B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory structure having volatile and non-volatile memory portions

Номер патента: WO2009117222A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch,Charles Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20180203613A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20240171384A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20200133509A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20210216217A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09959166B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09619320B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-volatile memory switch with host isolation

Номер патента: US12099398B2. Автор: Salil Suri,Yingdong LI,Scott Furey,Liping Guo. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

High density selector-based non volatile memory cell and fabrication

Номер патента: US09698201B2. Автор: Sung Hyun Jo,Harry Yue Gee,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-volatile memory device with comparison capability between target and readout data

Номер патента: US20220336027A1. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: WO2023149912A1. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with volatile and non-volatile memories to retain data during power interruption

Номер патента: US09898194B2. Автор: Masaaki Hiroki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

3-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508836B2. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20070008777A1. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Ming-Chang Kuo,Chao-Lun Yu,Min-Ta Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US20240105265A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220149845A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200313675A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20240063798A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20210234544A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200186150A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20230154543A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Error injection for assessment of error detection and correction techniques using error injection logic and non-volatile memory

Номер патента: US20190188064A1. Автор: Michael K. Ciraula. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: US12051468B2. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4433892A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: WO2024072497A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory with pre-trained model and inference circuit

Номер патента: EP4420122A1. Автор: Liang Li,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Non-volatile memory with adjusted bit line voltage during verify

Номер патента: US11837296B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Ohwon KWON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: US20240168669A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Segmentation of blocks for faster bit line settling/recovery in non-volatile memory devices

Номер патента: US09633742B2. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Seungpil Lee,Amul Dhirajbhai Desai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: EP4372749A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032291A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Antifuse-type non-volatile memory cell

Номер патента: US20240276715A1. Автор: Yi-Hung Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Non-volatile memory cell and method of operating the same

Номер патента: US09805806B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Dual non-volatile memory cell comprising an erase transistor

Номер патента: US09613709B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile memory cell

Номер патента: US09496417B2. Автор: Chih-Lung Chang,Hsiao-Hua Lu,Chih-Ming Kuo. Владелец: AMIC Tech Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Dual non-volatile memory cell comprising an erase transistor

Номер патента: US09484107B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-01.

Scheme to reduce read disturb for high read intensive blocks in non-volatile memory

Номер патента: US20190371416A1. Автор: Swaroop Kaza,Sainath Viswasarai,Narayan Kuddannavar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20220222139A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Non-volatile memory with sub-planes having individually biasable source lines

Номер патента: US20240105262A1. Автор: Ramy Nashed Bassely SAID,Jiahui Yuan,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile memory device with selection of error decoding level

Номер патента: EP4030434A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-20.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950519B2. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395539A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2020257005A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2020-12-24.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US20230091464A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for programming non-volatile memory cell, non-volatile memory array and non-volatile memory apparatus

Номер патента: US20140092689A1. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Overheat prevention for annealing non-volatile memory

Номер патента: US09761290B1. Автор: Navneeth Kankani,Ning Ye,Deepanshu Dutta,Sarath Puthenthermadam,Suresh Upadhyayula. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20230253044A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device and method of operation therefor

Номер патента: EP1826768A3. Автор: Dae-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Health management of non-volatile memory

Номер патента: US09965345B2. Автор: Yi Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: US09947682B2. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12131784B2. Автор: Sangwon Park,Byungsoo Kim,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Non-volatile memory device including a memory cell in a variable state and a memory cell in an initial state

Номер патента: US10410719B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US20200294593A1. Автор: Wein-Town Sun,Hong-Yi Liao,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: EP1908108A2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: WO2007011582A3. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Arup Bhattacharyya. Дата публикации: 2007-04-26.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: WO2007011582A2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-01-25.

Multiple select gates with non-volatile memory cells

Номер патента: US7433231B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4231802A1. Автор: Daeseok Byeon,SeungYeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Memory cell array of multi-time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20210287746A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof and operating method of memory cell

Номер патента: US20120127795A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20150287467A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4398695A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240221834A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Device and method for improved threshold voltage distribution for non-volatile memory

Номер патента: US09524784B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile memory transistor with a self-aligned nitride storage layer

Номер патента: EP2434535A3. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Semiconductor device having a non-volatile memory built-in

Номер патента: US20140071749A1. Автор: Tetsuo Hironaka,Takashi Ishiguro,Kyoko Nakajima,Kenichi Shimomai,Kazuya Tanigawa. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Non-volatile memory with fast partial page operation

Номер патента: US20200303010A1. Автор: Pitamber Shukla,Mohan V. Dunga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Three-dimensional NAND non-volatile memory and dram memory devices on a single substrate

Номер патента: US09859004B1. Автор: Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional NAND non-volatile memory and DRAM memory devices on a single substrate

Номер патента: US09754667B2. Автор: Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for writing in a non-volatile memory according to the ageing of the memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210319836A1. Автор: Francesco La Rosa,Enrico Castaldo,Francesca Grande,Santi Nunzio Antonino Pagano,Giuseppe Nastasi,Franco Italiano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-14.

Dynamic read voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20200395080A1. Автор: Bhavadip Bipinbhai Solanki,Shreejith Koruvailu Vishwanath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11901012B2. Автор: Byungsoo Kim,Jaeyong Jeong,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Erasable programmable single-ploy non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11980029B2. Автор: Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory system using strap cells in source line pull down circuits

Номер патента: WO2021211164A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guangming Lin,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US11004505B1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Array of non-volatile memory cells to store data in analog form and digital form

Номер патента: US20240220154A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Display driver system with embedded non-volatile memory

Номер патента: US20200327865A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zhigang Han. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Display driver system with embedded non-volatile memory

Номер патента: US20240021173A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zhigang Han. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US20200381053A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Yao-Wen Chang,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory for secure storage of authentication data

Номер патента: US10303623B2. Автор: Scott C. Best,Brent S. Haukness,Carl W. Werner. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11804270B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Ji-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Location dependent impedance mitigation in non-volatile memory

Номер патента: US20200143893A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US11791001B2. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile memory device and operating method

Номер патента: US20210366539A1. Автор: Seungbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for storing a key in a non-volatile memory

Номер патента: US20240267217A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-08.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory

Номер патента: US20200066744A1. Автор: Pan-Suk Kwak,Chan-Ho Kim,Kyung-Hwa Yun,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: US11854620B2. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Erika Penzo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US20160267979A1. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-15.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US12027218B2. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170125425A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: WO2023146572A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: US12094546B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods and Devices for Erasing Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220044743A1. Автор: Gianbattista Lo Giudice,Rosario Roberto Grasso,Giovanni Matranga,Alberto Jose' Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-10.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Selective ECC refresh for on die buffered non-volatile memory

Номер патента: US09489263B2. Автор: Robert Wood,Jea Hyun. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US09478303B1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Repair of memory devices using volatile and non-volatile memory

Номер патента: US09570201B2. Автор: Donald M. Morgan,Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory device

Номер патента: US09543006B2. Автор: Jia-Hwang Chang,Jui-Jen Wu,Sheng-Tsai Huang,Fan-yi Jien. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: US20120213007A1. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A3. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: EP2676275A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09443596B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018009282A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20180322935A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Two-dimensionally accessible non-volatile memory

Номер патента: US20190206487A1. Автор: ZHENG Li,Hai Li,Yiran Chen. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2019-07-04.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Adaptive Programming For Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20130250692A1. Автор: Danut Manea,Stephen Trinh,Dixie Nguyen,Erwin Castillon,Uday Mudumba,Sabina Centazzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for suppressing gate oxide tunnel current in non-volatile memory to reduce disturbs

Номер патента: US20200143898A1. Автор: Aswin N. Mehta,John H. MacPeak,Stephen K. Heinrich-Barna,Clyde F. Dunn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Positive feedback and parallel searching enhanced optimal read method for non-volatile memory

Номер патента: US20210118518A1. Автор: Xiang Yang,Jianzhi Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US09715938B2. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Method and a circuit architecture for testing an integrate circuit comprising a programmable, non-volatile memory

Номер патента: US20010015925A1. Автор: Albino Pidutti,Paolo Sandri,Alessandro Camera,Ignazio Bellomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-23.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory apparatus and writing circuit and method for non-volatile memory apparatus

Номер патента: US09530507B2. Автор: Akira Ogawa. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory with slow voltage ramp compensation

Номер патента: US20240321379A1. Автор: Long Pham,Parth AMIN,Sai Gautham THOPPA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US09715924B2. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor integrated, electronic control circuit incorporating an electrically programmable, electronic non-volatile memory device

Номер патента: US6081471A. Автор: Virginia Natale,Luca Fontanella,Michele Palazzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-06-27.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Command control for multi-core non-volatile memory

Номер патента: WO2018156200A1. Автор: Jingwen Ouyang,Greg Hilton,Jayesh Pakhale. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US20210074356A1. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: WO2017209812A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: WO2017209811A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US11011231B2. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Dynamically allocable regions in non-volatile memories

Номер патента: US09852781B2. Автор: Luca Porzio,Emanuele Confalonieri,Giuseppe Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: US09747992B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09472277B2. Автор: Tetsuji Kunitake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US12051473B2. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technolologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory cell compliant to a near-memory computation system

Номер патента: US20200202941A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Chun-Fu Lin,Tsung-Mu Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

Номер патента: US20090175074A1. Автор: Yves Theoduloz,Hugo Jaeggi,Nadia Harabech. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-07-09.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-volatile memory device and corresponding operating method with stress reduction

Номер патента: US09564231B2. Автор: Maria GIAQUINTA,Alfredo Signorello,Francesca Grande,SantiNunzioAntonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-02-07.

Erase algorithm with a weak program pulse for non-volatile memory

Номер патента: US20240304243A1. Автор: ZHI Li,Sung Hyun Jo,Jordan Frick. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Antifuse-type non-volatile memory and control method thereof

Номер патента: US20240161844A1. Автор: Chia-Fu Chang,Ming-Hsuan Tan,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory with loop dependant ramp-up rate

Номер патента: WO2024151342A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US20230197156A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: US20240312538A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09786383B2. Автор: Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US20240046996A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: WO2024030190A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US11972805B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile memory

Номер патента: US20150200017A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US12068042B2. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory device using variable resistance element with an improved write performance

Номер патента: US20120224437A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim,Hung-Jun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20200341691A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Feedback validation of arbitrary non-volatile memory data

Номер патента: US09824775B2. Автор: Jonathan William Nafziger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory read/write disturb monitoring

Номер патента: US09711234B1. Автор: Richard H. Van Gaasbeck. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Atomic non-volatile memory data transfer

Номер патента: US09652415B2. Автор: Robert W. Ellis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit system with non-volatile memory stress suppression and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530469B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US09437322B2. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile memory device with an EPLI comparator

Номер патента: US09378829B2. Автор: Ifat Nitzan KALDERON,Max Steven WILLIS, III. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-volatile memory device and a method for operating the same

Номер патента: US12112056B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09349456B2. Автор: Se Jun Kim,Hea Jong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile Memory Device With Stored Index Information

Номер патента: US20210082517A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Column erasing in non-volatile memory strings

Номер патента: US20200013469A1. Автор: Jayavel Pachamuthu,Amul Dhirajbhai Desai,Ankitkumar Babariya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09465553B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: EP4032089A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: WO2021055006A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data

Номер патента: EP2513908A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jianmin Huang,Lee M. Gavens,Chris Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-24.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11829859B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Bit-Symbol Recognition Method and Structure for Multiple-Bit Storage in Non-Volatile Memories

Номер патента: US20080266947A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233816A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US20110305092A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-12-15.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09875036B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09529543B1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US4962484A. Автор: Naoki Mitsuishi,Masahiko Takeshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-10-09.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US09997240B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US09478295B2. Автор: Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Memory device with combined non-volatile memory (nvm) and volatile memory

Номер патента: US20160246539A1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-25.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233817A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US12119054B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for complete rewriting of cleared non- volatile memory

Номер патента: RU2142168C1. Автор: Циммерманн Юрген,Гроте Вальтер. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 1999-11-27.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US11978507B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory device with a program driver circuit including a voltage limiter

Номер патента: US20210366554A1. Автор: Vikas RANA,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory program failure recovery via redundant arrays

Номер патента: US09569320B2. Автор: Earl T. Cohen,Jeremy Isaac Nathaniel Werner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Accessing a serial number of a removable non-volatile memory device

Номер патента: US09552855B2. Автор: Robert D. Widergren,Eric R. Hamilton,John L. Douglas. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Erase verify in non-volatile memory

Номер патента: US09343160B1. Автор: Deepanshu Dutta,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Non-volatile memory devices including twisted block select lines

Номер патента: US20240379162A1. Автор: Hyunkook Park,Inmo Kim,Hanmin NAM,Seokhyeon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory device, and storage apparatus to reduce a read retry occurrence frequency and prevent read performance from lowering

Номер патента: US09898201B2. Автор: Hiroshi Hirayama,Yoshihiro Oikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory systems with multi-write direction memory units

Номер патента: US09728262B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Dennis Ea,Mikhail Palityka,Ivan Baran,Yew Yin Ng,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: WO2024035476A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US20240055059A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Non-volatile memory bank with embedded inline computing logic

Номер патента: US20200381047A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Controlling persistent writes to non-volatile memory based on persist buffer data and a persist barrier within a sequence of program instructions

Номер патента: US09946492B2. Автор: Peter Chen,Stephan Diestelhorst,Ali Ghassan SAIDI,Aasheesh KOLLI,Thomas Friedrich WENISCH. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: US09746895B2. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory device capable of minimizing instant current consumption and performing memory operations in parallel, and method for operating the same, and system including the same

Номер патента: US09378134B2. Автор: Eui-Jin Kim,Byoung-Sung Yoo,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Data error recovery in non-volatile memory

Номер патента: EP2368186A2. Автор: Albert Fazio,Jawad Khan,Richard Coulson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Data error recovery in non-volatile memory

Номер патента: WO2010080257A2. Автор: Albert Fazio,Jawad Khan,Richard Coulson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-15.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method and Apparatus for Storing Data in a Write-Once Non-Volatile Memory

Номер патента: US20090059684A1. Автор: Edward B. Harris. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-03-05.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240094914A1. Автор: Keisuke Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Word Line Dependent Pass Voltages In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20180012667A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Flexible and area efficient column redundancy for non-volatile memories

Номер патента: EP1700314A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11798619B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336011A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: US20240220130A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: WO2010031160A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-25.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US7232983B2. Автор: Joachim C. H. Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-19.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: EP2342712A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-13.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Open block boundary group programming for non-volatile memory

Номер патента: US12112814B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US09891864B2. Автор: Jonathan Parry,George Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20180102167A1. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915A2. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registeting light- attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US20060011816A1. Автор: Wolfgang Buhr,Joachim Garbe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915B1. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-18.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Systems for and methods of extending lifetime of non-volatile memory

Номер патента: US09632866B2. Автор: Arthur Robert Calderbank,Daniel J. Sorin,Adam N. Jacobvitz. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11295818B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20180025778A1. Автор: Makoto Kitagawa,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11854627B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory devices and program methods thereof

Номер патента: US20210020256A1. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Wandong Kim,Seongjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Non-volatile memory cell techniques

Номер патента: US20030218909A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Writing data in a non-volatile memory of a smart card

Номер патента: US09513842B2. Автор: Michael Barthe,Geoffrey Spinau. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2016-12-06.

Low standby power with fast turn on for non-volatile memory devices

Номер патента: US09449655B1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Non-volatile memory device and operating method thereoef

Номер патента: US20140164685A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010076826A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Daniele Ballucchi. Владелец: Daniele Ballucchi. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory with efficient programming

Номер патента: US09721662B1. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Determination of demarcation voltage for managing drift in non-volatile memory devices

Номер патента: US09691492B1. Автор: Zion S. Kwok,Philip Hillier,Bruce Querbach,Christopher F. Connor,Jeffrey W. RYDEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatuses and methods for non-volatile memory programming schemes

Номер патента: US09576667B2. Автор: Akira Goda,William C Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Accelerating boot time zeroing of memory based on non-volatile memory (NVM) technology

Номер патента: US09477409B2. Автор: Richard P. Mangold,Raj K. Ramanujan,Rajesh M. Sankaran,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US11915769B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory systems comprising non-volatile memory devices

Номер патента: US20200233739A1. Автор: Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US20230368852A1. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Programming of a Selected Non-volatile Memory Cell by Changing Programming Pulse Characteristics

Номер патента: US20240120009A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US20170084345A1. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile Memory Array Having Circuitry To Complete Programming Operation In The Event Of Power Interrupt

Номер патента: US20100226170A1. Автор: Fong-Long Lin,Tingniu Deng. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Non-volatile memory with autonomous cycling

Номер патента: US12040031B2. Автор: Yan Li,Liang Li,Wenkai Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09548118B1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240071433A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory cell read failure reduction

Номер патента: US20090067238A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US20180151231A1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US10147490B2. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-12-04.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US12009049B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: EP1869681A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-26.

Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory

Номер патента: WO2003054888A3. Автор: Engelbert Wittich. Владелец: Engelbert Wittich. Дата публикации: 2004-01-29.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: WO2006107633A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030107921A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of determining optimal voltages for operating two-side non-volatile memory and the operating methods

Номер патента: US20060104105A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09947395B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Circuit for adjusting a select gate voltage of a non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US09805803B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and system to obtain state confidence data using multistrobe read of a non-volatile memory

Номер патента: US09754683B2. Автор: Mark Helm,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Matthew Goldman,Nathan R. Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09627046B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09589636B1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US20170117035A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Three dimensional non-volatile memory with power supply current sensing to determine programming status

Номер патента: WO2017070459A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Double sense amp and fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US12014795B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Leveraging non-volatile memory for persisting data

Номер патента: US09535828B1. Автор: Samuel James MCKELVIE,Anurag Windlass Gupta. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Source biasing in non-volatile memory having row-based sectors

Номер патента: US5923585A. Автор: Sau C. Wong,Hock C. So. Владелец: Invox Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US20120294091A1. Автор: Hee-Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Non-volatile memory device, controller and memory system

Номер патента: US20230395111A1. Автор: Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin,Kuiyon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Multi-bank non-volatile memory apparatus with high-speed bus

Номер патента: US09921763B1. Автор: Cliff Zitlaw. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and device to distribute code and data stores between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: US09582216B2. Автор: Balaji Vembu,Murali Ramadoss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20200350019A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20210375366A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230170025A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240046991A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11830554B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: EP4390928A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: US20240203518A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Sense amplifier architecture for a non-volatile memory storing coded information

Номер патента: EP4210054A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-12.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for operating non-volatile memory with symmetrical dual-channels

Номер патента: US20020167840A1. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Methods and apparatus to detect and correct errors in destructive read non-volatile memory

Номер патента: WO2017087950A1. Автор: Yuming Zhu,Sai Zhang,Manish Goel. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-05-26.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8811106B2. Автор: Youjip Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache

Номер патента: EP1829047A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US09997242B2. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for operating non-volatile memory controller

Номер патента: US09904492B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son,Dong-whan Lee,Hye-Jeong So,Young-Geon YOO,Dong-Sup Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US09864523B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile memory accelerator and method for speeding up data access

Номер патента: US09773534B2. Автор: Kun-Chih Chen,Hsiao-An Chuang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory apparatus and on-the-fly self-adaptive read voltage adjustment method thereof

Номер патента: US09747974B2. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of reliably reading data stored in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09495518B2. Автор: Jae Hong Kim,Yong June Kim,Hong Rak Son,Ki Jun LEE,Seong Hyeog Choi,Sang Yong YOON,Jung Soo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-volatile memory array using gate breakdown structure in standard sub 0.35 micron CMOS process

Номер патента: US6044012A. Автор: Martin L. Voogel,Kameswara K. Rao,James Karp,Shahin Toutounchi. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Programming methods for neural network using non-volatile memory array

Номер патента: US11853856B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory sub-block erasure disturb management scheme

Номер патента: US20180374551A1. Автор: Xinde Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: US20210295907A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: WO2024107517A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: US20240161828A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20120039120A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for operating a non volatile memory of an electronic device and the electronic device implementing the same

Номер патента: US10318184B2. Автор: Woosung Lee,Inhwan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Non-volatile memory with access control circuit for secure boot of an electronic device

Номер патента: US20230385420A1. Автор: Vincent Berthelot. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for emulating an EEPROM in a non-volatile memory device

Номер патента: US09389999B2. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Error location pointers for non volatile memory

Номер патента: US10025652B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Robert Eugeniu Mateescu,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Circuit for performing auto-verifying program on non-volatile memory device

Номер патента: US6049480A. Автор: Seung-Ho Chang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

Compact page-erasable EEPROM non-volatile memory

Номер патента: US5835409A. Автор: Roy Tabler Lambertson. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1998-11-10.

Data conversion with data path circuits for use in double sense amp architecture with fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US11776640B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Write-time prevention of data retention failures for non-volatile memory

Номер патента: US20190130971A1. Автор: Bijesh Rajamohanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Bitline voltage regulation in non-volatile memory

Номер патента: WO2014022281A1. Автор: Evrim Binboga. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Circuit for controlling the potential difference between the substrate and the control gate of non-volatile memory and its control method

Номер патента: US20010012218A1. Автор: Ta-Lee Yu,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Circuits, systems and methods for driving high and low voltages on bit lines in non-volatile memory

Номер патента: US20120014185A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Non-volatile memory with optimized erase verify sequence

Номер патента: US12087373B2. Автор: Yi Song,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory with suspension period during programming

Номер патента: US12100461B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Bias conditions for repair, program and erase operations of non-volatile memory

Номер патента: US6160737A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Non-volatile memory with plane independent screening

Номер патента: US11862256B2. Автор: Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11972795B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US20230206026A1. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Non-volatile memory with plane independent screening

Номер патента: WO2023163730A1. Автор: Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: US20170352430A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

System and method for programming non-volatile memory

Номер патента: US20050018487A1. Автор: Gelu Voicu,Carmen Stangu,Adam Cosmin. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Programming method for non-volatile memory

Номер патента: US20060268603A1. Автор: Peter Nangle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: EP3420555A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Reading reference current automatic regulation circuit of non-volatile memory

Номер патента: US11205491B1. Автор: LIANG Hong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US11790993B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

System and method for avoiding offset in and reducing the footprint of a non-volatile memory

Номер патента: WO2006044163A3. Автор: Massimiliano Frulio,Luca Figini,Andrea Sacco,Reggiori Riccardo Riva. Владелец: Reggiori Riccardo Riva. Дата публикации: 2006-08-10.

Programming method for non-volatile memory

Номер патента: US20030128568A1. Автор: Peter Nangle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US20230420061A1. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US20230402100A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-volatile memory and testing method with yield improvement

Номер патента: US20200160933A1. Автор: Wein-Town Sun. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007030399A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-15.

Data erasure verification for three-dimensional non-volatile memory

Номер патента: US20230136479A1. Автор: Changhyun LEE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Predictive count fail byte (CFBYTE) for non-volatile memory

Номер патента: US10141071B2. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Non-volatile memory with efficient testing during erase

Номер патента: US20230059837A1. Автор: Ramkumar Subramanian,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Programming of a selected non-volatile memory cell

Номер патента: US20230368011A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile memory device and corresponding operating method with stress reduction

Номер патента: US20160351264A1. Автор: Maria GIAQUINTA,Alfredo Signorello,Francesca Grande,SantiNunzioAntonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1934985A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-06-25.

Non-volatile memory with efficient testing during erase

Номер патента: EP4388534A1. Автор: Ramkumar Subramanian,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile memory wth loop dependant ramp-up rate

Номер патента: US20240233826A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US12094542B2. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory sector retirement in a non-volatile memory

Номер патента: US09996458B1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory express (NVMe) device power management

Номер патента: US09477295B2. Автор: Austin P. Bolen,Elie Antoun Jreji,Karthik V. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-10-25.

Test partitioning for a non-volatile memory

Номер патента: US09472285B2. Автор: Matthew J. Byom,Nir J. Wakrat,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for differentiating the programming and erasing voltages in non volatile memory devices and corresponding memory device manufacturing process

Номер патента: EP1047078A1. Автор: Federico Pio,Enrico Gomiero,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-10-25.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: WO2019112937A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Non-volatile memory with concurrent sub-block programming

Номер патента: US20230343395A1. Автор: Liang Li,Ke Zhang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US11972800B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Reading Circuit and Method for a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190108886A1. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-11.

Non-volatile memory with concurrent sub-block programming

Номер патента: WO2023205322A1. Автор: Liang Li,Ke Zhang,Jiahui Yuan. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-10-26.

Reading circuit and method for a non-volatile memory device

Номер патента: US10593410B2. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-17.

Firmware interface with backup non-volatile memory storage

Номер патента: US09703346B2. Автор: Robert C. Swanson,Vincent J. Zimmer,Karunakara Kotary,Giri P. Mudusuru,Ronald N. STORY,Isaac W. ORAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Gate voltage regulation system for a non volatile memory cells and a programming and soft programming phase

Номер патента: EP1453059A1. Автор: Ignazio Martines,Davide Torrisi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2004-09-01.

Programming a non-volatile memory device

Номер патента: US7738295B2. Автор: June Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Programming selection devices in non-volatile memory strings

Номер патента: US20190392893A1. Автор: Xiang Yang,Jin Liu,Yanli Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Zhongguang Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Non-volatile memory (nvm) erase operation with brownout recovery technique

Номер патента: US20120117307A1. Автор: CHEN He,Jon S. Choy,Richard K. Eguchi,Peter J. Kuhn,Richard K. Glaeser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: WO2023235115A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Erasing method for non-volatile memory

Номер патента: US7239555B1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Kuo-Tung Wang,Yen-Lee Pan,Kuo-Hao Chu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Non-volatile memory cell healing

Номер патента: US20120300551A1. Автор: ANDREI Mihnea,Mark Helm,William Kueber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Memory plane structure for ultra-low read latency applications in non-volatile memories

Номер патента: WO2021086435A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Kazuki Yamauchi,Yuki Fujita,Naoki Ookuma,Takuya Ariki,Masahito Takehara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Accelerated testing method and circuit for non-volatile memory

Номер патента: US6445614B1. Автор: Wen-Jer Tsai,Nian-Kai Zous,Ta-Hui Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-03.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088919A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: US20230395157A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: US20200201754A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: US20190171558A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: EP3721335A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20190057737A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240161848A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240193058A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240160544A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20160203864A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US10026475B2. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US09779820B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and electronic equipment having a non-volatile memory with a security function

Номер патента: US6088262A. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US20240029814A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Improved non-volatile memory device

Номер патента: WO2014122601A1. Автор: Ifat Nitsan KALDERON,Max Steven WILLIS III. Владелец: SPANSION LLC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US11804280B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Electronic circuit and method for testing and refreshing non-volatile memory

Номер патента: US6563740B2. Автор: Joseph W. Triece,Joseph A. Thomsen,Mitchel Obolsky. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US20230070554A1. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Circuit having a low power charge pump for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20190371415A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Javier Osinaga. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US12099424B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5818760A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-10-06.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5659501A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-08-19.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5528536A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-06-18.

Refresh architecture and algorithm for non-volatile memories

Номер патента: WO2011067795A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi. Владелец: Roberto Gastaldi. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20220076772A1. Автор: Tokumasa Hara,Itaru HIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20190179573A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Firehose Dump of SRAM Write Cache Data to Non-Volatile Memory Using a Supercap

Номер патента: US20120215971A1. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Protecting cryptographic keys stored in non-volatile memory

Номер патента: EP3746901A1. Автор: Mark Evan MARSON,Michael A. Hamburg. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Imaging Device Including Wear Leveling for Non-Volatile Memory and Secure Erase of Data

Номер патента: US20150002900A1. Автор: Bryan Scott Willett,Howard Charles Cochran,Michael James Klein. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20240320138A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Ching-Yuan Lin,Tsung-Mu Lai,Chang-Chun Lung,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Monitoring of excessive write operations issued to a non-volatile memory

Номер патента: US09626114B2. Автор: Li Li,Ben-Heng Juang,Arun G. Mathias. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory control for power saving state based on determination of volatile memory or non-volatile memory

Номер патента: US09584693B2. Автор: Toshiaki Iizuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods and systems for accessing host memory through non-volatile memory over fabric bridging with direct target access

Номер патента: US20200401551A1. Автор: Noam Mizrahi,Eitan Joshua,Dimitry Melts,Scott Furey. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Enabling a secure boot from non-volatile memory

Номер патента: US09977902B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Systems and methods for downloading code and data into a secure non-volatile memory

Номер патента: US09653004B2. Автор: Nicolas Prawitz,Arnaud Boscher. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Decoding method, memory storage device and rewritable non-volatile memory module

Номер патента: US20150067446A1. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Kuo-Yi Cheng,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Methods for providing anti-rollback protection of a firmware version in a device which has no internal non-volatile memory

Номер патента: US09910659B2. Автор: Jeremy R. O'Donoghue,Neeraj Bhatia,Srilekha KRISHNAMURTHY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US9619736B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US20150213338A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Non-volatile memory with adapting erase process

Номер патента: US20240319905A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12147669B2. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: WO2019157044A1. Автор: Eric R. Fox,Gary R. Van Sickle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-15.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: WO2020201672A1. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: US12039193B2. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: Kigen UK Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: EP4359917A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: US20240289122A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US12050779B2. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory controller and method for accessing a plurality of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20120096215A1. Автор: Xingyu Li,Kevin K. Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-19.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20240370183A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09910771B2. Автор: Blaise Fanning,Michael W. Williams,Robert J. Royer, Jr.,Eng Hun Ooi,Jeffrey R. Wilcox,Ritesh B. Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems and methods for load-balancing cache flushes to non-volatile memory

Номер патента: US20190236029A1. Автор: Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan,Wade Andrew Butcher. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-08-01.

Data storage device with hierarchical mapping information management, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210208798A1. Автор: Hsueh-Chun FU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Storage device, method of operating storage device, and method of operating non-volatile memory

Номер патента: US20240231987A1. Автор: Sangwon Park,Jooyong PARK,Jaeha Park,Kyungduk Lee,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: GB2582638A. Автор: Dean Tebbutt Colin,David Hunter William. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Crash recovery using non-volatile memory

Номер патента: US09558080B2. Автор: Pedro Celis,Dexter Paul Bradshaw. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US20240264941A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230113231A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-13.

Securing temporary data stored in non-volatile memory using volatile memory

Номер патента: WO2009006728A9. Автор: Laurence Hamid,Kris Pribadi. Владелец: Memory Experts Int Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230082240A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Serving encrypted and plain data from a low latency non-volatile memory

Номер патента: US9069776B1. Автор: Emanuel Taropa. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2015-06-30.

Reducing read access latency by straddling pages across non-volatile memory channels

Номер патента: US09940034B2. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

Non-volatile memory with secure erase

Номер патента: US20240338131A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Non-volatile memory storage device and operation method thereof

Номер патента: US20100030933A1. Автор: Fuja Shone,Shih Chieh Tai,Chih Wei Tsai,Yung Li Ji,Chuang Cheng,Chih Cheng Tu. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Write suppression in non-volatile memory

Номер патента: US20190235767A1. Автор: Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for implementing security of non-volatile memory

Номер патента: US09471812B2. Автор: CHEN He. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210034252A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Coordinating replication of data stored in a non-volatile memory-based system

Номер патента: US09678673B2. Автор: Douglas L. Voigt. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-13.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US09588857B2. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

File server node with non-volatile memory processing module coupled to cluster file server node

Номер патента: US09542310B2. Автор: Geoffrey S. Barrall,Christopher J. Aston,Simon L. Benham,Trevor E. Willis. Владелец: Hitachi Data Systems Engineering UK Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile memory cache performance improvement

Номер патента: US09405693B2. Автор: William J. Westerinen,Patrick L. Stemen,Dean L. DeWhitt,Therron Powell,Cenk Ergan,Michael R. Fortin,Mark Joseph Zbikowski,John M. Parchem,Michael J. Zwilling,Clark D. Nicholson,Nathan Steven Obr,Rajeev Y. Nagar,Surenda Verma,Emily Nicole Hill,Hanumantha R. Kodavalla,Daniel Teodosiu. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-08-02.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US9766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US20160371161A1. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US10824563B2. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-03.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: US09990255B2. Автор: Boris Balacheff,Jeffrey Kevin Jeansonne,Valiuddin Y Ali. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Redundant backup using non-volatile memory

Номер патента: US09921762B2. Автор: Jeffrey C. Solomon,Chi-She Chen,Jayesh Bhakta,Mike Hossein Amidi,Scott H. Milton. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory data storage with low read amplification

Номер патента: US09710199B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09652311B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20240248620A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: US20240168844A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024112355A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to ups

Номер патента: US20170168937A1. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Maintaining quality of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US12112074B2. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Data storage device and method providing non-volatile memory buffer for real-time primary non-volatile memory protection

Номер патента: US09857995B1. Автор: Li Dong,James N. Malina,Totok Sulistiomono Sujanto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Hybrid memory controller for arbitrating access to volatile and non-volatile memories in a hybrid memory group

Номер патента: US09830086B2. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Indong KIM,Sun Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to UPS

Номер патента: US09772942B2. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory sector rotation

Номер патента: US09588882B2. Автор: Zion S. Kwok,Scott E. Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Caching unified extensible firmware interface (UEFI) and/or other firmware instructions in a non-volatile memory of an information handling system (IHS)

Номер патента: US09563439B2. Автор: Mukund P. Khatri,Dirie N. Herzi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Management of a non-volatile memory module

Номер патента: US09501392B1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile memory protections

Номер патента: US20210081117A1. Автор: Christopher H. Stewart,Wei Ze Liu,Rosilet Retonamoni Braduke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-03-18.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240289269A1. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of file system design and failure recovery with non-volatile memory

Номер патента: WO2015112094A3. Автор: CHENG Chen,Jun Yang,Qingsong WEI,Chundong Wang,Mingdi XUE. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-11-05.

Data storage system in a key-value storage architecture with data compression, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210303171A1. Автор: CHAO Chen,Ningzhong MIAO. Владелец: Shannon Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory devices and control methods therefor

Номер патента: US09483212B2. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Data storage device and method for using secondary non-volatile memory for temporary metadata storage

Номер патента: US09836232B1. Автор: James N. Malina,Steven R. Vasquez. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US09645939B2. Автор: Sanjay Kumar,Subramanya R. DULLOOR,Rajesh M Sankaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US20170357573A1. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US10552312B2. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Scalable and configurable non-volatile memory module array

Номер патента: US20160259551A1. Автор: Zhan PING. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Scalable and configurable non-volatile memory module array

Номер патента: US09841904B2. Автор: Zhan PING. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20200272561A1. Автор: Shih-Chang Chang,Jian-Yu Chen,Bo-Yan JHAN,Yuh-Jang LO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US09811459B1. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory packaging system with caching and method of operation thereof

Номер патента: US09424188B2. Автор: Alessandro Fin,Mike H. Amidi,Michael Rubino. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated power and thermal management in non-volatile memory

Номер патента: US20200409441A1. Автор: David Wagner,Reed Tidwell,Mark Hatch,Mark Hardiman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Data self-destruction method and system based on non-volatile memory

Номер патента: US20210373793A1. Автор: Rui CAO,Wenjing Yang,Jiezhi Chen,Yuxin GONG. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-12-02.

Redundant system boot code in a secondary non-volatile memory

Номер патента: US09785596B2. Автор: Jeffrey Kevin Jeansonne,Richard H Hodge. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory controller cache architecture with support for separation of data streams

Номер патента: US20190272232A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

System and Method for Providing a Programming Framework for Designing High-Performance Non-Volatile Memory Objects with High Usability

Номер патента: US20240160411A1. Автор: SeungMin JEON,Jeehoon Kang,Kyeongmin Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-16.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Method and system for compacting data in non-volatile memory

Номер патента: US09910773B2. Автор: Nicholas James Thomas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US09645746B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-05-09.

Converting volatile memory module devices to flashless non-volatile memory module devices

Номер патента: US09619329B2. Автор: Mudi M. FLUMAN,Yaacov Frank,Yehuda Shiran,Ronny Vatelmacher,Ofir Elizov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules

Номер патента: US20180121379A9. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-03.

Storing memory profile data of an application in non-volatile memory

Номер патента: US20190018610A1. Автор: Shridhar Prakash Joshi,Suprateeka R. Hegde. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules

Номер патента: US09984012B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and method for accessing a non-volatile memory blade using multiple controllers in a non-volatile memory based storage device

Номер патента: US09645940B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09542113B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Write operation with immediate local destruction of old content in non-volatile memory

Номер патента: US09436594B2. Автор: Laszlo Hars. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09430408B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-01.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: WO2020086264A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Controller for controlling non-volatile memory and semiconductor device including the same

Номер патента: US09465747B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: EP3750064A1. Автор: Gary R. Van Sickle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

호스트 메모리 버퍼(Host Memory Buffer)를 관리하기 위한 NVMe(Non-Volatile Memory　Express) 컨트롤러를 포함하는 솔리드 스테이트 저장 장치(solid state storage device), 이를 포함하는 시스템 및 호스트의 호스트 메모리 버퍼를 관리하는 방법

Номер патента: KR102683696B1. Автор: 벤카타라트남 님마가따,불리가들라 아마레시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2024-07-09.

Dynamic configuring of reliability and density of non-volatile memories

Номер патента: US20220043745A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Amir Rochman,Ori Tirosh. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Номер патента: US20240224522A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Jonghoon Park,Myunghun Lee,Homoon Shin,Juyoung YANG,Jungseok HWANG,Mookyu BAE,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for manufacturing non-volatile memory cells on a semiconductor substrate

Номер патента: US20040203250A1. Автор: Livio Baldi,Cesare Clementi,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-14.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method to incorporate non-volatile memory and logic components into a single sub-0.3 micron fabrication process for embedded non-volatile memory

Номер патента: US5723355A. Автор: Shang-De Ted Chang,Binh Ly. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Management of volatile and non-volatile memory resources in digital communications terminals

Номер патента: WO2001031442A3. Автор: Robert Charles Booth,Donald Tavoletti,Thomas F Bates Iv. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Non-volatile memory cell

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты