A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate
Номер патента: WO2013066584A1
Опубликовано: 10-05-2013
Автор(ы): Alexander Kotov, Hung Quoc Nguyen, Jong-Won Yoo, Viktor Markov
Принадлежит: Silicon Storage Technology, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-05-2013
Автор(ы): Alexander Kotov, Hung Quoc Nguyen, Jong-Won Yoo, Viktor Markov
Принадлежит: Silicon Storage Technology, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof
Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.