System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells
Номер патента: US9633735B2
Опубликовано: 25-04-2017
Автор(ы): Jinho Kim, Kai Man Yue, Nhan Do, Ning BAI, Xiaozhou QIAN, Yuri Tkachev
Принадлежит: Silicon Storage Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-04-2017
Автор(ы): Jinho Kim, Kai Man Yue, Nhan Do, Ning BAI, Xiaozhou QIAN, Yuri Tkachev
Принадлежит: Silicon Storage Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory apparatus, systems, and methods
Номер патента: US09646683B2. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.