Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149B1
Опубликовано: 09-08-2023
Автор(ы): Chien-Sheng Su, Jeng-Wei Yang, Nhan Do
Принадлежит: Silicon Storage Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: WO2019217022A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-11-14.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A4. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: TWI681543B. Автор: 楊正威,堅昇蘇,恩漢杜. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of Forming a Nitrogen-Enriched Region within Silicon-Oxide-Containing Masses

Номер патента: US20090215253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John T. Moore,Neal R. Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Memory gate first approach to forming a split gate flash memory cell device

Номер патента: US9257571B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: US10608090B2. Автор: Chen-Chih Fan,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

A method of fabricating a split gate flash memory cell having an erase gate

Номер патента: KR102305705B1. Автор: 첸-치 판,젱-웨이 양,만-탕 우,춘-밍 첸,난 도. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2021-09-28.

A method for manufacturing a split gate flash memory cell having an erase gate.

Номер патента: JP7044869B2. Автор: ヤン、ジェン－ウェイ,チェン、チュン－ミン,ウー、マン－タン,ファン、チェン－チー,ドー、ナン. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure with a multilayer gate oxide and method of fabricating the same

Номер патента: US09406772B1. Автор: Shao-Wei Wang,Yu-Tung Hsiao,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of Forming Charge-Trapping Regions

Номер патента: US20160027883A1. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Methods of forming charge-trapping regions

Номер патента: US09431493B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Novel select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20220320304A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Devices including ultra-short gates and methods of forming same

Номер патента: US09530647B2. Автор: Zoltan Ring,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Hk embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US20150340493A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Techniques to avoid or limit implant punch through in split gate flash memory devices

Номер патента: US9716097B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yung-Chang Chang,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory cell with oxide cap and spacer layer for protecting a floating gate from a source implant

Номер патента: WO2019067575A1. Автор: Bomy Chen,James Walls,Mel HYMAS,Greg Stom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Forming gates with varying length using sidewall image transfer

Номер патента: US09793270B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

NOVEL SELECT GATE SPACER FORMATION TO FACILITATE EMBEDDING OF SPLIT GATE FLASH MEMORY

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Lin Meng-Han,HSIEH Chih-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US09653471B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Asymmetric formation approach for a floating gate of a split gate flash memory structure

Номер патента: US09691883B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Split-gate flash cell with composite control gate and method for forming the same

Номер патента: US20150228738A1. Автор: Wen-Bin Tsai,Hsin-I Li,Kin Fung Lam. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of forming a silicon oxide layer using pulsed nitrogen plasma implantation

Номер патента: US20020127882A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

INSULATED GATE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20170309711A1. Автор: Miura Naruhisa,Kagawa Yasuhiro,Imaizumi Masayuki,Fukui Yutaka,TANAKA Rina,ABE Yuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2017-10-26.

INSULATED GATE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150357415A1. Автор: Miura Naruhisa,Kagawa Yasuhiro,Imaizumi Masayuki,Fukui Yutaka,TANAKA Rina,ABE Yuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2015-12-10.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US09741868B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrierter schaltkreis mit einer oder einem paar von split-gate-flash-speicherzellen und verfahren zum bilden einer split-gate-speichervorrichtung

Номер патента: DE102016100018B4. Автор: Wei Cheng Wu,Jui-Tsung Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of forming split-gate flash memory cell with spacer defined floating gate and discretely formed polysilicon gates

Номер патента: EP3994731B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Thick gate oxide transistor device and method

Номер патента: US20240055523A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Shivani Srivastava,Bingwu Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160181266A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US9484352B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Insulated-gate field-effect transistor structure and method

Номер патента: US5716861A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: US20230365863A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: WO2023219943A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US8921917B2. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-12-30.

Interdigitated capacitor in split-gate flash technology

Номер патента: US09691780B2. Автор: Wan-Chen Chen,Yu-Hsiung Wang,Han-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating a vertical MOS transistor

Номер патента: US09941390B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US12114500B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,John D. Hopkins,Meng-Wei Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Split gate flash memory cells with a trench-formed select gate

Номер патента: US20220093765A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: US09461060B1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of making the selection gate in a split-gate flash EEPROM cell its and structure

Номер патента: US20050026368A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chrong-Jung Lin,Jack Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Split-gate Flash Speicherelementeanordnung und Methode zum Löschen derselben

Номер патента: EP1148556A3. Автор: Michael Frey,Holger Dr. Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2008-02-27.

Method for manufacturing split gate flash EEPROM

Номер патента: KR100607785B1. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for manufacturing split gate flash eeprom

Номер патента: KR20060079013A. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

METHOD OF MANUFACTURING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL WITH ERASE GATE

Номер патента: US20190103470A1. Автор: Fan Chen-Chih,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

SELF-ALIGNED SPLIT GATE FLASH MEMORY

Номер патента: US20160043097A1. Автор: Liu Shih-Chang,Huang Wei-Hang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor structure of split gate flash memory unit and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110061009B. Автор: 王小川,张磊,胡涛,陈昊瑜,田志,王奇伟. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

An etchant with selectivity for doped silicon oxide on top of undoped silicon oxide and silicon nitride, methods of using the etchant, and structures formed thereby.

Номер патента: JP2004503082A. Автор: リ、リ,コ、ケイ−ユ,ブラロック、ガイ　ティー．. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Insulating gate field effect semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6018182A. Автор: Narihiro Morosawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Method of forming supra low threshold devices

Номер патента: US09437500B1. Автор: Cheong Min Hong. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230371261A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US12137566B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Transistor structure with varied gate cross-sectional area

Номер патента: US09966457B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

3d flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling

Номер патента: US20180374863A1. Автор: Vinod R. Purayath. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137002A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Evans Yang,Lein-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047766A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Split-gate flash memory cell with improved control gate capacitive coupling, and method of making same

Номер патента: US11799005B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

METHOD FOR FORMING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL DEVICE WITH A LOW POWER LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160365350A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell

Номер патента: US5872036A. Автор: Yau-Kae Sheu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20120168842A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US10553596B2. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US09966380B1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20140027833A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of forming sharp beak of poly to improve erase speed in split-gate flash EEPROM

Номер патента: US5970371A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chuang-Ke Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20150084112A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20160126359A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Space process to prevent the reverse tunneling in split gate flash

Номер патента: US20050184331A1. Автор: Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Yi-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

Trench insulated gate bipolar transistor packaging structure and method for manufacturing the trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US11688698B2. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-06-27.

Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Packaging Structure and Method for Manufacturing the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor

Номер патента: US20210249362A1. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1962332A3. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Hybrid fin structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12148672B2. Автор: Shu Ling LIAO,Yu-Chang Lin,Yen-Chun Huang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Insulated gate bipolar conduction transistors (ibcts) and related methods of fabrication

Номер патента: EP2198460A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-06-23.

Memory cell structure for improving erase speed

Номер патента: US09917165B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20150364558A1. Автор: Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Split-gate flash memory cell with improved scaling using enhanced lateral control gate to floating gate coupling

Номер патента: CN106575656A. Автор: J.杨,C.陈,M.吴,N.杜,C.苏. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Split-gate flash memory cell with improved scaling using enhanced lateral control gate to floating gate coupling

Номер патента: EP3178111B1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Split-gate flash memory cell with improved scaling using enhanced lateral control gate to floating gate coupling

Номер патента: TW201611247A. Автор: 陳俊明,楊正威,堅昇蘇,吳滿堂,恩漢杜. Владелец: 超捷公司. Дата публикации: 2016-03-16.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190181269A1. Автор: Kumar Ankit,Kumar Manoj,Lee Chia-Hao. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

FEED-FORWARD BIDIRECTIONAL IMPLANTED SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20160284716A1. Автор: Bo Xiangzheng,GRIDER Douglas Tad. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY, METHOD OF FABRICATING SAME AND METHOD FOR CONTROL THEREOF

Номер патента: US20190355824A1. Автор: LIU Xianzhou. Владелец: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION. Дата публикации: 2019-11-21.

Split-Gate Flash Memory Having Mirror Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190335A1. Автор: Li Binghan. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Split Gate Flash Memory Device

Номер патента: KR100368594B1. Автор: 김동준,이용규,조민수,류의열. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-24.

Contact formation for split gate flash memory

Номер патента: US9390927B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chin-Yi Huang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Transistor and method of making the same

Номер патента: US20020053693A1. Автор: John Moore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US20130161689A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo,Leaf YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: WO2020040894A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-02-27.

Split-gate flash memory cell with improved control gate capacitive coupling, and method of making same

Номер патента: EP4305670A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Split gate flash memory cell with ballistic injection

Номер патента: US20080296652A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Process for preventing misalignment in split-gate flash memory cell

Номер патента: US5940706A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Four Gate, Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20210110873A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Si|icon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: EP2973581A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US20160379988A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Split-gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US6709925B1. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Multitier arrangements of integrated devices, and methods of protecting memory cells during polishing

Номер патента: US11688699B2. Автор: Mihir BOHRA,Tarun Mudgal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Multitier Arrangements of Integrated Devices, and Methods of Protecting Memory Cells During Polishing

Номер патента: US20220093529A1. Автор: Mihir BOHRA,Tarun Mudgal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Structure and device including metal carbon nitride layer and method of forming same

Номер патента: US20230238243A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Yasiel Cabrera,Mojtaba Samiee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-27.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,XING LEO,Diao Melvin,Liu Guo Yong. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Avoid method and Split-gate flash memory manufacture method that etching polysilicon remains

Номер патента: CN106206597A. Автор: 徐涛,陈宏�,王卉,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-12-07.

Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof

Номер патента: US20180337294A1. Автор: Mats Larsson,John Corson,Robert Zubeck,Weijie Zhang,Ron Rulkens,Korhan Demirkan,Randy Dorn,Alex Austin,Neil Mackie,Swati Sevanna,Jochen Titus,Robert Tas,Ajay Saproo,Asit Rairkar,Dan Vitkavage. Владелец: Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

HIGH-VOLTAGE INSULATED GATE TYPE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150123165A1. Автор: TANAKA Masahiro,Omura Ichiro,Tsukuda Masanori,Miki Yamato. Владелец: KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-07.

A high voltage insulated gate type power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: DE112013002751B4. Автор: c/o Kyushu Institute of Technolo Omura Ichiro,c/o Kyushu Institute of Techno Tanaka Masahiro,c/o Kyushu Institute of Techno Tsukuda Masanori,c/o Kyushu Institute of Technolo Miki Yamato. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2019-08-29.

Test line patterns in split-gate flash technology

Номер патента: US09983257B2. Автор: Wei Cheng Wu,Jui-Tsung Lien,Fang-Lan Chu,Hong-Da Lin,Ku-Ning Chang,Yu-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Poly tip formation and self-align source process for split-gate flash cell

Номер патента: US6117733A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

PATTERN LAYOUT TO PREVENT SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL FAILURE

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chang Yu-Hsing,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

INTERDIGITATED CAPACITOR IN SPLIT-GATE FLASH TECHNOLOGY

Номер патента: US20170092650A1. Автор: Wang Yu-Hsiung,Chen Wan-Chen,Chen Han-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

INTER-DIGITATED CAPACITOR IN SPLIT-GATE FLASH TECHNOLOGY

Номер патента: US20190273091A1. Автор: Wang Yu-Hsiung,Chen Wan-Chen,Chen Han-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US9536969B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200350325A1. Автор: ZHANG LEI,Hu Tao,Wang XiaoChuan,WANG Qiwei,Chen Haoyu,TIAN Zhi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

METHOD OF MANUFACTURING AN EMBEDDED SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150295056A1. Автор: Zhang Jing,ZHANG Liqun,MA Huilin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

TECHNIQUES TO AVOID OR LIMIT IMPLANT PUNCH THROUGH IN SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160204118A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chang Yung-Chang,Wu Chang-Ming,Chen Sheng-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

INTER-DIGITATED CAPACITOR IN SPLIT-GATE FLASH TECHNOLOGY

Номер патента: US20170213841A1. Автор: Wang Yu-Hsiung,Chen Wan-Chen,Chen Han-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: US9275748B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: KR101759814B1. Автор: 김진호,유종원,난 두,스티븐 말콤 렘케,알렉산더 코토브,유리 트카체브. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2017-07-19.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

DMOS transistor having thick gate oxide and STI and method of fabricating

Номер патента: US12113128B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Gate structure and method of forming same

Номер патента: US20210074590A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US09812363B1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

FinFET Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20190131176A1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: US09960242B2. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Embedded SONOS based memory cells

Номер патента: US09922988B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Embedded SONOS based memory cells

Номер патента: US09620516B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Fin-last FinFET and methods of forming same

Номер патента: US09543301B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060027863A1. Автор: Ryuu Saitou,Naoki Kumagai,Yoshihiro Ikura,Hiroshi Kanemaru,Yuuichi Harada. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US09679778B2. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Air Spacer and Method of Forming Same

Номер патента: US20210408266A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US12107149B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US20240379820A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: US09570592B2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Split gate flash memory device with shrunken cell and source line array dimensions

Номер патента: US6538276B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Method for shrinking array dimensions of split gate flash memory device using multilayer etching to define cell and source line and device manufactured thereby

Номер патента: US20010015455A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method of manufacture of vertical split gate flash memory device

Номер патента: US6087222A. Автор: Shui-Hung Chen,Di-Son Kuo,Chrong Jung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

A system and method of forming a split-gate flash memory structure

Номер патента: TWI284942B. Автор: Lien-Yao TSAI,Jiun-Nan Chen,Shieh-Feng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-08-01.

Scalable split-gate flash memory cell with high source-coupling patio

Номер патента: TW200634991A. Автор: Te-Hsun Hsu,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-01.

Scalable split-gate flash memory cell with high source-coupling patio

Номер патента: TWI302364B. Автор: Hung Cheng Sung,Tehsun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-21.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL WITH IMPROVED CONTROL GATE CAPACITIVE COUPLING, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20220293756A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Split gate flash memory cells with a trench-formed select gate

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170301683A1. Автор: Ren Chi,Chen Aaron. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: TW571438B. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Ching-Song Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-11.

Pattern Layout to Prevent Split Gate Flash Memory Cell Failure

Номер патента: US20150372136A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chang Yu-Hsing,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A4. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-21.

Split-gate flash memory, method of fabricating same and method for control thereof

Номер патента: US10700174B2. Автор: Xianzhou LIU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

ASYMMETRIC FORMATION APPROACH FOR A FLOATING GATE OF A SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20150372121A1. Автор: Liu Shih-Chang,Tseng Yuan-Tai,Wu Chang-Ming,Chen Sheng-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

SPLIT-GATE FLASH CELL WITH COMPOSITE CONTROL GATE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150228738A1. Автор: Tsai Wen-Bin,Lam Kin Fung,Li Hsin-I. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

SPLIT GATE FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150255614A1. Автор: Nagai Yukihiro,KURACHI IKUO. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Self-Aligned Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20160308069A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Mirror image Split-gate flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN104465524B. Автор: 李冰寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2018-04-27.

Mirroring split gate flash memory and formation method thereof

Номер патента: CN104465524A. Автор: 李冰寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-03-25.

Architecture to Improve Cell Size for Compact Array of Split Gate Flash Cell with Buried Common Source Structure

Номер патента: US20150021679A1. Автор: Tsair Yong-Shiuan,Tsao Tsun-Kai,Shen Ming-Huei,HUANG Wen-Tuo,Liu Po-Wei,Hsu Yu-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Split Gate Flash Cell

Номер патента: US20140091380A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-04-03.

ARCHITECTURE TO IMPROVE CELL SIZE FOR COMPACT ARRAY OF SPLIT GATE FLASH CELL

Номер патента: US20140264534A1. Автор: Chu Wen-Ting,Tsair Yong-Shiuan,HUANG Wen-Tuo,Liu Po-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Methode zum Löschen einer Split-gate Flash Speicherelementeanordnung

Номер патента: DE50115335D1. Автор: Michael Frey,Holger Dr Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-03-25.

Methode zum löschen einer split-gate flash speicherelementeanordnung

Номер патента: ATE457078T1. Автор: Michael Frey,Holger Dr Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries. Дата публикации: 2010-02-15.

Insulating gate field effect transistor device and method for providing the same

Номер патента: US20140159141A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha,Peter Losee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-06-12.

Insulation gate type field effect transistor and method for making such transistor

Номер патента: TW200713584A. Автор: Tetsuya Okada,Makoto Oikawa,Hiroyasu Ishida,Kazunari Kushiyama,Yasuyuki Sayama. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-04-01.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09899413B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09634025B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Split-gate flash cell formed on recessed substrate

Номер патента: US09853039B1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Sung-taeg Kang,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Sheet of semiconducting material, system for forming same, and method of forming same

Номер патента: WO2014058698A1. Автор: Prantik Mazumder,Samir Biswas,Glen Bennett Cook,Balram Suman,Kamal Kishore Soni,Douglass Lane Blanding. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of forming a metal chalcogenide material and methods of forming memory cells including same

Номер патента: US09573809B2. Автор: Chet E. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit dies having alignment marks and methods of forming same

Номер патента: US09685411B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated Assemblies Which Include Carbon-Doped Oxide, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190348419A1. Автор: Sanh D. Tang,Silvia Borsari,Sau Ha Cheung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory device including multiple decks of memory cells and pillars extending through the decks

Номер патента: US20220068956A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE WITH A DAMAGE FREE SELECT GATE AND A METHOD OF MAKING THE SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20160111510A1. Автор: Liu Ming Chyi,Liu Shih-Chang,Tseng Yuan-Tai,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Split Gate Flash Memory Structure with a Damage Free Select Gate and a Method of Making the Split Gate Flash Memory Structure

Номер патента: US20150380568A1. Автор: Liu Ming Chyi,Liu Shih-Chang,Tseng Yuan-Tai,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US9269829B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-23.

Flash memory cell with a flair gate

Номер патента: US20080277712A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Flash memory cell with flair gate

Номер патента: US9190531B2. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09780115B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09379005B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory cell with independently-sized electrode

Номер патента: US09831428B2. Автор: Andrea Gotti,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Finfet device and method of forming same

Номер патента: US20240379853A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Recessed contacts at line end and methods forming same

Номер патента: US12107007B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Process of forming a semiconductor memory cell with continuous polysilicon run circuit elements

Номер патента: US4214917A. Автор: Kenneth L. Clark,George S. Leach,Robert W. Howard. Владелец: Emm Semi Inc. Дата публикации: 1980-07-29.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09472645B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581B1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Split-Gate Flash Memory Cell With Improved Scaling Using Enhanced Lateral Control Gate To Floating Gate Coupling

Номер патента: US20160043095A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Do Nhan,Tkachev Yuri,KOTOV Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Split-gate flash memory cell with a tip in the middle of the floating gate

Номер патента: US6528844B1. Автор: Peter J. Hopper,Yuri Mirgorodski. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-03-04.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell with polysilicon spacers

Номер патента: US6245614B1. Автор: Tsong-Minn Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

Method of forming a floating gate for a split-gate flash memory device

Номер патента: TWI284902B. Автор: Chia-Chen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-08-01.

Method of forming a floating gate for a split-gate flash memory device

Номер патента: TW200522080A. Автор: Chia-Chen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-07-01.

Four gate, split-gate flash memory array with byte erase operation

Номер патента: EP4046158B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Split-Gate Flash Memory Cell With Improved Read Performance

Номер патента: US20190392899A1. Автор: Daryanani Sonu,Martin Matthew G.,Festes Gilles. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-26.

Split gate flash cell with extremely small cell size

Номер патента: US6194272B1. Автор: Kuo-Tung Sung. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2001-02-27.

Split gate flash memory cell with ballistic injection

Номер патента: US20060245256A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Virtual-ground, split-gate flash memory cell arrangements and method for producing same

Номер патента: US6518619B2. Автор: Robertus Dominicus Joseph Verhaar,Guido Jozef Maria Dormans. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-02-11.

Split gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040075137A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Dual bit split gate flash memory device and method for driving the same

Номер патента: KR100488583B1. Автор: 김진우,한정욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of manufacturing split gate flash memory device

Номер патента: JP5192636B2. Автор: 義烈柳,▲チョル▼純權,鎭宇金,龍希金,大根金,周燦金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-08.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY WITH IMPROVED PROGRAM EFFICIENCY

Номер патента: US20160268387A1. Автор: Toh Eng Huat,Tan Shyue Seng (Jason). Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: KR20050070862A. Автор: 정진효. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-07.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: TW201644040A. Автор: 陳俊明,楊正威,堅昇蘇,吳滿堂,恩漢杜. Владелец: 超捷公司. Дата публикации: 2016-12-16.

Method for manufacturing split gate flash memory device

Номер патента: JP4184337B2. Автор: ジンヒョジュン. Владелец: アナムセミコンダクターリミテッド. Дата публикации: 2008-11-19.

Manufacturing of split-gate flash memory

Номер патента: TW432512B. Автор: Jr-Mu Huang,Rung-Yu Tsai,Shing-Hua Ren,Shu-Huei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Split-gate flash memory layout, mask and manufacturing method

Номер патента: CN105977259A. Автор: 徐涛,陈宏�,王卉,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-09-28.

SPLIT GATE FLASH CELL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160126359A1. Автор: Wang Yimin. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Method to fabricate a non-smiling effect structure in split-gate flash with self-aligned isolation

Номер патента: US6358796B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Juang-Ke Yeh,Yai-Fen Lin,Chang-Song Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-03-19.

Split-gate flash EEPROM cell and array with low voltage erasure

Номер патента: EP0620600A2. Автор: Chen-Chi P. Chang,Mei F. Li. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-19.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: EP2973581B1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-04.

Spacer process to prevent reverse tunneling in split gate flash

Номер патента: TWI287859B. Автор: Yi-Chun Lin,Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-10-01.

Switching atomic transistor and method for operating same

Номер патента: US20210104667A1. Автор: Jin Pyo Hong,Tae Yoon Kim,Gwang Ho BAEK,Ah Rahm LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-04-08.

Switching atomic transistor and method for operating same

Номер патента: US20190198759A1. Автор: Jin Pyo Hong,Gwang Ho BAEK,Ah Rahm LEE,Tea Yoon KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-06-27.

Buried bit line non-volatile floating gate memory cell with independent controllable control gate in a trench, and array thereof, and method of formation

Номер патента: TW200601461A. Автор: Sohrab Kianian,Da-Na Lee,Bo-My Chen. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2006-01-01.

INSULATING GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20160087091A1. Автор: Losee Peter Almern,ARTHUR STEPHEN DALEY,Bolotnikov Alexander Viktorovich,Matocha Kevin Sean,Rao Ramakrishna. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned front-end charge trap flash memory cell and capacitor design for integrated high-density scaled devices

Номер патента: US12089411B2. Автор: Walid M. Hafez,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Daniel B. O'Brien,Tanuj Trivedi,Rohan Bambery,Christopher Alan NOLPH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Quasi-vertical power MOSFET and methods of forming the same

Номер патента: US09818859B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Kun-Hsuan Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Array of capacitors, array of memory cells, methods of forming an array of capacitors, and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US12150312B2. Автор: Mark Fischer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of forming a high-voltage device

Номер патента: US6063671A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US9559209B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170098706A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20160365457A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923093B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09570456B1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20240251543A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: WO2015017495A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: EP3243219A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Transistor, memory and method of forming same

Номер патента: US12069851B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Yuan Chen,Jen-Chieh Cheng,Chao-Wei Lin,Qinfu ZHANG,Chia-Yi Chu,Huixian Lai,Jen-Kuo WU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09490430B1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-11-08.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09559168B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Der-Chuan Lai,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices including a recessed access device and methods of forming same

Номер патента: US09449978B2. Автор: Haitao Liu,Mark Fischer,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey,Mingtao Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: EP3769338A2. Автор: Zhou Feng,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: WO2019182681A2. Автор: Zhou Feng,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu,Jimho KIM. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-09-26.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for preventing floating gate of split-gate flash memory and word line polysilicon residue

Номер патента: CN106876399B. Автор: 徐涛,陈宏�,张博,王卉,孔蔚然,曹子贵,李冰寒,汤志林. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Contact Formation for Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20150048433A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,WU Wei-Cheng,Kao Ya-Chen,Huang Chin-Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-19.

Contact Formation for Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20160276159A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,WU Wei-Cheng,Kao Ya-Chen,Huang Chin-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

A kind of method for preventing Split-gate flash memory floating boom and wordline residual polycrystalline silicon

Номер патента: CN106876399A. Автор: 徐涛,陈宏�,张博,王卉,孔蔚然,曹子贵,李冰寒,汤志林. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Test Line Patterns in Split-Gate Flash Technology

Номер патента: US20170110202A1. Автор: Wu Wei Cheng,Wang Yu-Chen,Lien Jui-Tsung,Chu Fang-Lan,Lin Hong-Da,Chang Ku-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Electronic devices and methods having a compact multi-way transformer combiner

Номер патента: US09515062B2. Автор: Georgios Palaskas,Hongtao Xu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Hafnium silicide target for gate oxide film formation and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3995082B2. Автор: 了鈴木,修一入間田. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Packaging Structure and Method for Manufacturing the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor

Номер патента: US20210249362A1. Автор: Jiang Wei,Shi Bo,LIANG Saichang,MA Yingjiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

A system and method of forming a split-gate flash memory cell

Номер патента: TWI302035B. Автор: Kuang Yang,David Ho,Michael Wu,Eugene Chu,Fei Yuh Chen,Yuh Hwa Chang,Eric Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-11.

A new split gate flash memory and process for forming same

Номер патента: TW407380B. Автор: Yu-Hau Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-10-01.

Split-gate flash memory devices and methods for forming the same

Номер патента: TWI328281B. Автор: Chiashiung Tsai,Chi Hsin Lo,Shihchang Liu,Chi Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-08-01.

Split-gate flash memory devices and methods for forming the same

Номер патента: TW200810093A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chi-Hsin Lo,Shih-Chang Liu,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-02-16.

Manufacturing method of split-gate flash memory cell

Номер патента: TW503527B. Автор: Chi-Huei Lin. Владелец: Nanya Plastics Corp. Дата публикации: 2002-09-21.

Split gate flash memory cell and its manufacturing method

Номер патента: JP2004111891A. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim,崔　泰　豪,金　在　榮. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Split-gate flash memory device having floating gate electrode with sharp peak

Номер патента: US6441429B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-08-27.

Method of manufacturing split gate flash memory device

Номер патента: JP4676688B2. Автор: 昌碌文,重林尹,在▲ミン▼ 兪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-27.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Split gate cells for embedded flash memory

Номер патента: US09450057B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20130026552A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Quek,Shyue Seng (Jason) Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-01-31.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY EXHIBITING REDUCED INTERFERENCE

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Quek Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Poly tip and self aligned source for split-gate flash cell

Номер патента: US6259131B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Di-Son Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20110256706A1. Автор: Zhongze Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of integration of ono stack formation into thick gate oxide cmos flow

Номер патента: WO2018063459A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-05.

Dielectric-based memory cells having multi-level one-time programmable and bi-level rewriteable operating modes and methods of forming the same

Номер патента: US9472301B2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Tanmay Kumar,Abhijit Bandyopadhyay,Christopher J. Petti,Scott Brad Herner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory array

Номер патента: CA1067208A. Автор: Antony G. Bell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming a single poly cylindrical flash memory cell having high coupling ratio

Номер патента: US6103575A. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: US5872035A. Автор: Myung Seon Kim,Sun Haeng Back. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Methods of forming conductive patterns and methods of manufacturing semiconductor devices using the same using an etchant composition that includes phosphoric acid, nitric acid, and an assistant oxidant

Номер патента: US09530670B2. Автор: Jung-Hun Lim,Byoung-moon Yoon,Hoon Han,Jae-Wan Park,Young-ok Kim,Jun-youl Yang,Jin-Uk Lee,Tae-Heon Kim,Young-Taek Hong,Keon-Young Kim,Sun-Joong Song. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory cells with three-dimensional gate coupling and methods of forming thereof

Номер патента: US20230345718A1. Автор: Wei Meng,Fan Zhang,Xin Qu,Laiqiang LUO,Fangxin DENG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Spacer for a split gate flash memory cell and a memory cell employing the same

Номер патента: US20050176201A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Liu,Chi-Hsin Lo,Chih-Ta Wu,Yeur-Luen Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

SELECT GATE SELF-ALIGNED PATTERNING IN SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20200161318A1. Автор: Bo Xiangzheng,Grider,III Douglas Tad,MACPEAK John. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

SELECT GATE SELF-ALIGNED PATTERNING IN SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Bo Xiangzheng,Grider,III Douglas Tad,MACPEAK John. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless memory array

Номер патента: US6667510B2. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-23.

METHOD FOR MANUFACTURING A FINGER TRENCH CAPACITOR WITH A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20160379988A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,LIU Chen-Chin,Wang Yu-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of making select gate self-aligned to floating for split gate flash memory structure

Номер патента: US6251727B1. Автор: Bin-Shing Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Split-gate flash memory structure and method of manufacture

Номер патента: US20030227047A1. Автор: Chih-Wei Hung,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

[split-gate flash memory structure and method of manufacture]

Номер патента: US20040259310A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Ko-Hsing Chang. Владелец: Ko-Hsing Chang. Дата публикации: 2004-12-23.

Self-Aligned Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20160086965A1. Автор: Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming,Yang Tsung-Hsueh,Min Chung-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Integration Of Split Gate Flash Memory Array And Logic Devices

Номер патента: US20160260728A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20190355424A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang,Liang Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method for forming dummy layer of split gate flash memory device

Номер патента: JP4330523B2. Автор: ジンヒョジュン. Владелец: アナムセミコンダクターリミテッド. Дата публикации: 2009-09-16.

Split-gate flash memory sharing word line

Номер патента: CN101694845A. Автор: 曹子贵,顾靖. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-04-14.

Split-gate flash memory array with byte erase operation

Номер патента: US10607703B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Hsuan Liang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

SPLIT GATE FLASH CELL AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140027833A1. Автор: Wang Yimin. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2014-01-30.

SPLIT GATE FLASH CELL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150084112A1. Автор: Wang Yimin. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Split-Gate Flash Cell formed on Recessed Substrate

Номер патента: US20180166458A1. Автор: KANG Inkuk,CHEN Chun,Kang Sung-Taeg,Pak James,Kim Unsoon,Chang Kuo-Tung. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-14.

Split-gate flash cell formed on recessed substrate

Номер патента: US10497710B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Sung-taeg Kang,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Process of forming a silicon solar cell

Номер патента: US20100317143A1. Автор: Alistair Graeme Prince,Richard John Sheffield Young,Giovanna Laudisio,Kurt Richard Mikeska. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-12-16.

DIELECTRIC-BASED MEMORY CELLS HAVING MULTI-LEVEL ONE-TIME PROGRAMMABLE AND BI-LEVEL REWRITEABLE OPERATING MODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140241031A1. Автор: Kumar Tanmay,Scheuerlein Roy E.,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.,Bandyopadhyay Abhijit. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: EP2227824B1. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-04-16.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: TW200943489A. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-10-16.

MEMORY CELL HAVING A FREE FERROMAGNETIC MATERIAL LAYER WITH A CURVED, NON-PLANAR SURFACE AND METHODS OF MAKING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: US20220059754A1. Автор: Yamane Kazutaka,NAIK Vinayak Bharat,Dixit Hemant. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

MEMORY CELLS HAVING A FIRST SELECTING CHALCOGENIDE MATERIAL AND A SECOND SELECTING CHALCOGENIDE MATERIAL AND METHODS THEROF

Номер патента: US20160005965A1. Автор: Redaelli Andrea. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

PHOTOVOLTAIC CELL WITH HIGH EFFICIENCY CIGS ABSORBER LAYER WITH LOW MINORITY CARRIER LIFETIME AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180337294A1. Автор: Larsson Mats,Demirkan Korhan,Titus Jochen,Tas Robert,ZHANG Weijie,Dorn Randy,AUSTIN Alex,MACKIE Neil,Zubeck Robert,Rulkens Ron,Corson John,Sevanna Swati,Rairkar Asit,Saproo Ajay,Vitkavage Dan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Solar cells with plated back side surface field and back side electrical contact and method of fabricating same

Номер патента: TW201212269A. Автор: Jeffrey Hedrick,Xiaoyan Shao,Kathryn C Fisher,Nicholas C M Fuller,Rao Satyavolu S Papa. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-03-16.

Semiconductor resist composition, and method and system of forming patterns using the composition

Номер патента: TW202007691A. Автор: 田桓承,文京守,金宰賢,南宮爛,蔡承龍,羅隆熙. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Dye-sensitized solar cell with metal oxide layer containing metal oxide nanoparticles produced by electrospinning and method for manufacturing same

Номер патента: EP2031613B1. Автор: Dong Young Kim,Seong Mu Jo,Nam Gyu Park,Sung Yeon Jang,Byoung Hong Yi. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2019-10-09.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Capacitors, And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20220037342A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory integrated circuitry comprising locos and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US20010013612A1. Автор: Luan Tran,Alan R Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Methods for forming interconnections between top electrodes in memory cells by a two-step chemical-mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US09443763B2. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for dual gate oxide dual workfunction cmos

Номер патента: MY118598A. Автор: Gary Bela Bronner,Badih El-Kareh,Stanley Everett Schuster. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-12-31.

Method and manufacture for high voltage gate oxide formation after shallow trench isolation formation

Номер патента: US20120034755A1. Автор: Fei Wang,Chih-Yun Lin. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09589862B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

SRAM Devices Utilizing Strained-Channel Transistors and Methods of Manufacture

Номер патента: US20140099758A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

SRAM devices utilizing strained-channel transistors and methods of manufacture

Номер патента: US9059310B2. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of forming integrated circuitry

Номер патента: US6933207B2. Автор: Alan R. Reinberg,Luan Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-23.

IC structure with recessed solder bump area and methods of forming same

Номер патента: US09472490B1. Автор: Timothy D. Sullivan,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Current source and method of forming same

Номер патента: US20200273859A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of forming microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related electronic systems

Номер патента: US20240339357A1. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US09850126B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Yu-Jen Cheng,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of fabricating an F-RAM

Номер патента: US09548348B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Shan Sun,Kedar Patel,Thomas Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Integrated circuit having improved electromigration performance and method of forming same

Номер патента: US20170236780A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Michael P. Chudzik,Joyeeta Nag,Andrew H. Simon,Siddarth A. Krishnan,Shishir K. Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Conductive feature of a semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11996324B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Flash memory process with high voltage LDMOS embedded

Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile memory cell and method for producing the memory cell

Номер патента: US20020089886A1. Автор: Rainer Winters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-11.

Elevationally-Extending String of Memory Cells and Methods of Forming an Elevationally-Extending String of Memory Cells

Номер патента: US20230157024A1. Автор: John D. Hopkins,David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Structure and method of operation for improved gate capacity for 3D NOR flash memory

Номер патента: US09589982B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor constructions and methods of forming memory cells

Номер патента: US09577188B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Andrea Redaelli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: US11776907B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device having memory cell strings and separate read and write control gates

Номер патента: WO2023009941A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Yingda Dong,Albert Fayrushin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of selectively doping chalcogenide materials and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09614153B2. Автор: Theodore M. Taylor,Prashant Raghu,Scott E. Sills,Jerome A. Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory cells and methods of making memory cells

Номер патента: US09515261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20130149834A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Cmos imager with nitrided gate oxide and method of fabrication

Номер патента: EP1929529A2. Автор: Jiutao Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory cells with recessed electrode contacts

Номер патента: US09466795B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Power driven optimization for flash memory

Номер патента: EP3365893A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Memory cells and memory cell formation methods using sealing material

Номер патента: US20150357565A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

MEMORY CELLS, METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING PROGRAMMED MEMORY CELLS& xA;

Номер патента: EP2257980A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells

Номер патента: WO2009099732A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-13.

Apparatus and methods for forming a memory cell using charge monitoring

Номер патента: US20150124517A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory cell with independently-sized elements

Номер патента: US09640588B2. Автор: Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09508931B2. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein,Durai Vishal Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220320127A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory cell structures

Номер патента: US09691981B2. Автор: Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory cells formed with sealing material

Номер патента: US09620713B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory cells, integrated devices, and methods of forming memory cells

Номер патента: US09570677B2. Автор: Ugo Russo,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Simone LAVIZZARI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20140217351A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20150318470A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130270504A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

BSI image sensor and method of forming same

Номер патента: US09917121B2. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Yeur-Luen Tu,Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09842846B2. Автор: Hiroaki Mizushima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Deep trench isolation structure and method of forming same

Номер патента: US09799702B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Connector structure and method of forming same

Номер патента: US09646943B1. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Sheng-Yu Wu,Chita Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated Assemblies Which Include Stacked Memory Decks, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210358951A1. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil,Purnima Narayanan,Jivaan Kishore Jhothiraman,Nirup Bandaru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

MRAM devices and methods of forming the same

Номер патента: US09972771B2. Автор: Chung-Yu Lin,Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo,Wu-An Weng,Tsung-Hsien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Structures incorporating and methods of forming metal lines including carbon

Номер патента: US09634245B2. Автор: Andrea Gotti,F. Daniel Gealy,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Stack of horizontally extending and vertically overlapping features, methods of forming circuitry components, and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09564471B2. Автор: Sanh D. Tang,Roger W. Lindsay,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09496495B2. Автор: SHU QIN,Martin Schubert,Scott E. Sills,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Resistive Memory Cell with Sloped Bottom Electrode

Номер патента: US20150236257A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory cell array structures and methods of forming the same

Номер патента: US09773844B2. Автор: Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Gabriel L. Donadio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Arrays of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09553262B2. Автор: Jun Liu,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09444042B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Christopher W. Petz,Shuichiro Yasuda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US09437816B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Array of capacitors, array of memory cells, and methods used in forming an array of capacitors

Номер патента: WO2024151576A1. Автор: Andrea Gotti,Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,David McShannon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Apparatuses including electrodes having a conductive barrier material and methods of forming same

Номер патента: US20140239245A1. Автор: Andrea Gotti,Swapnil A. Lengade,John M. Meldrim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory Device and Method of Forming The Same

Номер патента: US20230299042A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Kuo-Ching Huang,Yi-Hsuan Chen,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230200058A1. Автор: Naoyoshi Kobayashi,Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated Structures Comprising Vertical Channel Material and Having Conductively-Doped Semiconductor Material Directly Against Lower Sidewalls of the Channel Material, and Methods of Forming Integrated Structures

Номер патента: US20240357819A1. Автор: Haitao Liu,Sanh D. Tang,Chandra Mouli,Justin B. Dorhout,Akira Goda,Guangyu Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory cells and semiconductor structures including electrodes comprising a metal, and related methods

Номер патента: US09553264B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Marko Milojevic,Si-Young Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Circuitry including resistive random access memory storage cells and methods for forming same

Номер патента: US09444048B2. Автор: FENG Zhou,Peter J. Kuhn. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Doped ternary nitride embedded resistors for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425389B2. Автор: Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US09349945B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20040018687A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20030077868A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Method of fabricating a self-aligned split gate flash memory cell

Номер патента: US6562673B2. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Low-power reading reference circuit for split-gate flash memory

Номер патента: US20070133275A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Library Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Structure and process of manufacture of split gate flash memory cell

Номер патента: US5614746A. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Novel process for preventing the reverse tunneling during programming in split gate flash

Номер патента: US20010016385A1. Автор: Kuei-Wu Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Self-aligned structure with unique erasing gate in split gate flash

Номер патента: US20040241942A1. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Robust anode materials, anode layers and methods of making and forming same

Номер патента: WO2024147842A2. Автор: Arrelaine Dameron,David M. King,Jaime DUMONT,Barbara HUGHES,Madison MARTINEZ,Brianna Boeyink,Meghan HERBERT-WALTERS. Владелец: Forge Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Composite article with lightning strike protection and method and release film for forming same

Номер патента: US11820916B2. Автор: Clay Parten. Владелец: Wichita State University. Дата публикации: 2023-11-21.

AMORPHOUS IONICALLY CONDUCTIVE METAL OXIDES AND SOL GEL METHOD OF PREPARATION

Номер патента: US20150056518A1. Автор: BABIC Davorin,JOHNSON Lonnie G.,RAUCH William,JOHNSON David Ketema,JONES Stanley,ALLIE Lazbourne Alanzo,GRANT Adrian M.. Владелец: JOHNSON IP HOLDING, LLC. Дата публикации: 2015-02-26.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Double sidewall short channel split gate flash memory

Номер патента: US20010000153A1. Автор: Seiki Ogura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-05.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Battery separator, battery including the separator, and method and system for forming same

Номер патента: EP4022112A1. Автор: William Winchin YEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-06.

Nanofiber electrode and method of forming same

Номер патента: US09905870B2. Автор: Peter N. Pintauro,Wenjing Zhang. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same

Номер патента: US09604848B2. Автор: Dallas B. Noyes. Владелец: Seerstone LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Confined resistance variable memory cells and methods

Номер патента: US20120019349A1. Автор: Zailong Bian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Bipolar plate of fuel cell with composite corrosion-resistant gastight conductive coating and method of forming thereof

Номер патента: US12051831B2. Автор: Sergei Panov,Aleksei IVANENKO,Sergei Shubenkov,Sergei NEFEDKIN,Vladimir SEVASTIANOV. Владелец: Zeroavia Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

“ curved surfaces, particularly reflectors, and methods of forming same “

Номер патента: WO2003051554A1. Автор: Keith John Orford,Thomas John Lowry Mccomb,Paula Mary Chadwick,John Louis Osborne,Stephen Mark Raner. Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2003-06-26.

Curved surfaces, particularly reflectors, and methods of forming same

Номер патента: AU2002361446A1. Автор: Keith John Orford,Thomas John Lowry Mccomb,Paula Mary Chadwick,John Louis Osborne,Stephen Mark Raner. Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2003-06-30.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for erasing split-gate flash memory

Номер патента: US5978274A. Автор: Lin-Song Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells

Номер патента: US9633735B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

A split gate flash memory cell with self-aligned process

Номер патента: TW454344B. Автор: Len-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

[split gate flash memory cell and manufacturing method thereof]

Номер патента: US20050037566A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell

Номер патента: KR100269509B1. Автор: 게니치 오야마. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing split gate flash memory cell

Номер патента: JPH10335498A. Автор: Kenichi Koyama,健一小山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Split Gate Flash Memory Cell Structure

Номер патента: KR100299595B1. Автор: 슈 야우-카에. Владелец: 유나이티드 마이크로일렉트로닉스 코퍼레이션. Дата публикации: 2001-10-27.

Split-gate flash memory array with byte erase operation

Номер патента: EP3794594B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Hsuan Liang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method of manufacturing in Split gate flash memory device

Номер патента: KR100435261B1. Автор: 박재현,박상욱,김진우,김대근,유재민,조민수,김용희,권철순,김주찬,이돈우,류의열,김국민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-06-11.

Manufacturing method of split-gate flash memory

Номер патента: CN105514046A. Автор: 徐涛,陈宏�,王卉,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-04-20.

Method of forming split-gate flash cell for salicide and self-align contact

Номер патента: US6284596B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-09-04.

Split gate flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: EP3629331A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-01.

Split gate flash memory and preparation method thereof

Номер патента: CN110911414B. Автор: 王卉,付博,曹启鹏. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-06-02.

Layout and mask of split-gate flash memory and layout manufacturing method

Номер патента: CN110828463B. Автор: 陈宏�. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

Split gate flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: WO2016118238A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-28.

Split-gate flash memory device and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: WO2022041768A1. Автор: 李小红,张松,刘群,梁志彬,王德进,金炎. Владелец: 无锡华润上华科技有限公司. Дата публикации: 2022-03-03.

Split gate flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: EP3629331B1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Low-power reading reference circuit of split-gate flash memory

Номер патента: TW200723285A. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Libarary Company. Дата публикации: 2007-06-16.

Method to form self-aligned split gate flash with L-shaped wordline spacers

Номер патента: US6784039B2. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of fabricating the same

Номер патента: KR100593448B1. Автор: 백인규,이문숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-28.

Single gate oxide differential receiver and method

Номер патента: US7239198B1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: ATI International SRL. Дата публикации: 2007-07-03.

3D stacked NAND flash memory array having SSL status check buildings for monitoring threshold voltages of string selection transistors and methods for monitoring and operating the same

Номер патента: US9036419B2. Автор: Byung-gook Park,Wandong Kim,Pil-Jong Kim,Seon-Ick Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2015-05-19.

3d stacked nand flash memory array having ssl status check building for monitoring threshold voltage of string selection transistors and methods for monitoring and operating the same

Номер патента: KR101415744B1. Автор: 박병국,김필종,김완동,손선익. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-07-09.

MRAM cell with flat topography and controlled bit line to free layer distance and method of manufacture

Номер патента: US7335960B2. Автор: Cherng-Chyi Han,Liubo Hong. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2008-02-26.

Memory cells having a first selecting chalcogenide material and a second selecting chalcogenide material and methods therof

Номер патента: WO2016003865A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Anirban Roy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-23.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US09449707B2. Автор: Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Biocompatible hydrogels, systems including the hydrogels, and methods of using and forming same

Номер патента: WO2016100355A1. Автор: Amir H. TORBATI,Christopher Bowman,Naresh MANDAVA,Malik Y. Kahook,Devatha P. Nair,Saikripa RADHAKRISHNAN,Srinidhi RADHAKRISHNAN. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2016-06-23.

Biomarker sensor array and circuit and methods of using and forming same

Номер патента: EP2973456A2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-20.

Creep-resistant and microstructure-stable chromium-molybdenum and/or chrome-tungsten steels containing ytrium(iii) oxide and the production method of these steels

Номер патента: WO2024144738A1. Автор: Murat Colak,Mustafa Acarer,Emin SALUR,Huseyin CIMENOGLU,Fikret KABAKCI. Владелец: Selcuk Universitesi. Дата публикации: 2024-07-04.

Monolithic ceramic body with peripheral area from mixed oxide and metal surface, method of its obtaining and application

Номер патента: RU2552736C2. Автор: Зорин ЛЕНЦ,Гюнтер РЮБИГ,Кристиан МАРИНГЕР,Александер ШРАЙНЕР. Владелец: Керамосс Гмбх. Дата публикации: 2015-06-10.

Composition based on zirconium oxide, yttrium oxide and tungsten oxide, method of production and use as catalyst or catalyst support

Номер патента: RU2440299C1. Автор: Оливье ЛЯРШЕ,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,Эмманюэль РОАР,Хитер БРЭДШОУ,Дебора ХАРРИС. Владелец: Мэгнисиум Электрон Лимитед. Дата публикации: 2012-01-20.

Topical sunscreen comprising metal oxide and polylactic acid, method of preparation, and use thereof

Номер патента: CA2982923C. Автор: Thomas Heinar,Denis Dudley,Sara Dudley. Владелец: Cyberderm Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20120015475A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of operating physically unclonable function circuit, physically unclonable function circuit and semiconductor chip

Номер патента: US11366604B1. Автор: Yu-Syuan Lin,Cheng-Hsiao Lai,Ming-Jen Chang,Yung-Tsai Hsu,Ying-Ting Lin,Chi-Fa Lien,Ko-Chin Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Systems and methods for last written page handling in a memory device

Номер патента: US09928139B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Zhimin Dong. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory cell structures

Номер патента: EP3000124A1. Автор: Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-30.

Memory cell structures

Номер патента: WO2014189686A1. Автор: Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-11-27.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Confined cell structures and methods of forming confined cell structures

Номер патента: US20240237546A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US6815322B2. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20040014283A1. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-22.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938A1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938B1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-12-19.

Resistive memory cell with sloped bottom electrode

Номер патента: WO2015126906A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Self-aligned 2-bit "double poly cmp" flash memory cell

Номер патента: EP1556867A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-27.

Self-aligned 2-bit 'double poly cmp' flash memory cell

Номер патента: WO2004038728A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-05-06.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12114490B2. Автор: Naoyoshi Kobayashi,Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Vertical 2-transistor memory cell

Номер патента: US20240373619A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Method Of Operating A Split Gate Flash Memory Cell With Coupling Gate

Номер патента: US20140198578A1. Автор: Tadayoni Mandana,Do Nhan,Tkachev Yuri,Cuevas Elizabeth A.,"Ommani Henry A.". Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

System And Method To Inhibit Erasing Of Portion Of Sector Of Split Gate Flash Memory Cells

Номер патента: US20160027517A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

System and method for reducing disturbances during programming of split gate flash memory cells

Номер патента: EP3143625A1. Автор: Anh Ly,Jinho Kim,Viktor Markov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells

Номер патента: EP3172733A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-31.

System and method for inhibiting erasure of a portion of a sector of a split gate flash memory cell

Номер патента: JP6532522B2. Автор: ジンホキム,ニャンドゥ,ユリトカチョフ,カイマンユエ,カイマンユエ,シャオチョウチャン,ニンバイ. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

System and method for reducing disturbances during programming of split gate flash memory cells

Номер патента: KR101752617B1. Автор: 김진호,안 리,빅토르 마르코브. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2017-06-29.

Erase method of split gate flash memory reference cells

Номер патента: US6711062B1. Автор: Shao-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-03-23.

Wordline decoder of split-gate flash memory

Номер патента: KR100476889B1. Автор: 심성훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-17.

Programming method suitable for split gate flash memory

Номер патента: CN108257638B. Автор: 杨光军. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-01-29.

SYSTEMS AND METHODS TO MITIGATE PROGRAM GATE DISTURB IN SPLIT-GATE FLASH CELL ARRAYS

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Roy Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

NEUROMORPHIC MEMORIES WITH SPLIT GATE FLASH MULTI-LEVEL CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Zhang Fan,Tan Shyue Seng,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu,SIAH Soh Yun,CHAN Tze Ho Simon. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Programming and erasing method for a split gate flash EEPROM

Номер патента: TW413818B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Di-Sheng Guo,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-01.

Low Leakage, Low Threshold Voltage, Split-Gate Flash Cell Operation

Номер патента: US20140269062A1. Автор: Kim Jinho,Do Nhan,Tkachev Yuri,KOTOV Alexander,Yoo Jong-Won,Lemke Steven Malcolm. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

FLASH MEMORY DEVICE REVISING PROGRAM VOLTAGE, THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE, AND METHODS OF PROGRAMMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170206978A1. Автор: JOO Sang-Hyun,IM JAE-WOO. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Reserve winding of yarn on a tube of a cross-wound bobbin and method and appartus of forming same

Номер патента: US4878629A. Автор: Hans Grecksch,Josef Bertrams,Rene Bucken. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1989-11-07.

Dispensing capsule and method and apparatus of forming same

Номер патента: US20230365322A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Turkey product in a form ready for cooking and a method of cutting to form same

Номер патента: US4849245A. Автор: Robert H. Galbraith. Владелец: Cuddy Farms Inc. Дата публикации: 1989-07-18.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

DIELECTRIC-BASED MEMORY CELLS HAVING MULTI-LEVEL ONE-TIME PROGRAMMABLE AND BI-LEVEL REWRITEABLE OPERATING MODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150325310A1. Автор: Kumar Tanmay,Scheuerlein Roy E.,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.,Bandyopadhyay Abhijit. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

Memory cell architecture utilizing a transistor having a dual access gate

Номер патента: US5912840A. Автор: Fernando Gonzalez,David Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

DISPENSING CAPSULE AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200231370A1. Автор: Gordon Stuart,Appleford Mark. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Electrically Conductive Confined Space Ventilator Conduit Formed of Conductive Polymer, Electrical Grounding Circuit for Ventilation System Using Same, and Methods of Using and Forming Same

Номер патента: AU2004202394B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: US7992593B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems International Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation system using same, and methods of using and forming same

Номер патента: TW200504292A. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A3. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Nancy Iwamoto. Дата публикации: 2004-03-25.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A2. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US6852354B2. Автор: Nancy E. Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US20160054668A1. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US09423707B2. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-08-23.

BIOMARKER SENSOR ARRAY AND CIRCUIT AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20160041155A1. Автор: Takulapalli Bharath. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

HIGHLY POROUS CERAMIC MATERIAL AND METHOD OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20140158613A1. Автор: Weimer Alan W.,Liang Xinhua. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO. Дата публикации: 2014-06-12.

3D STACKED NAND FLASH MEMORY ARRAY HAVING SSL STATUS CHECK BUILDINGS FOR MONITORING THRESHOLD VOLTAGES OF STRING SELECTION TRANSISTORS AND METHODS FOR MONITORING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140233315A1. Автор: Park Byung-Gook,Kim Wandong,Kim Pil-Jong,Sohn Seon-Ick. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2014-08-21.

TEMPLATED MATERIALS, STRUCTURES INCLUDING THE MATERIALS, AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20210247557A1. Автор: Liu Quingkun,Smalyukh Ivan I.,De La Cruz Joshua A.,Fleury Blaise,Abraham Eldho,Cherpak Vladyslav,Senyuk Bohdan,Hess Andrew Johnston. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Migraine relief composition and methods of using and forming same

Номер патента: US20040219229A1. Автор: Tim Clarot. Владелец: Matrixx Initiatives Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Treated refractory material and methods of making

Номер патента: CA2679382C. Автор: Roman Shuba,Krishan Lal Luthra,Anthony Mark Thompson,Peter Joel Meschter,Vikas Behrani. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-11-12.

Highly porous ceramic material and method of using and forming same

Номер патента: US10138169B2. Автор: Alan W. Weimer,Xinhua Liang. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2018-11-27.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US20020157788A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A8. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Method for staining inhibition of donepezil-containing adhesive composition and method for reduction of formed donepezil-related compounds

Номер патента: RU2460520C2. Автор: Дзунити СЕКИЯ,Хитоси АКЕМИ,Акинори ХАНАТАНИ,Сатико ТЕРАСИ,Сумийо НИСИ,Сатоко ВАСИРО. Владелец: Нитто Денко Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-10.

Systems and methods for post combustion mercury control using sorbent injection and wet scrubbing

Номер патента: US20190275464A1. Автор: David W. Mazyck,Christine O. VALCARCE,Lindsey Costin,Regina Rodriguez. Владелец: Carbonxt Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of making induced pluripotent stem cells using p53 inhibitors

Номер патента: US12012615B2. Автор: Shinya Yamanaka,Kazutoshi Takahashi,Keisuke Okita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-06-18.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE

Номер патента: US20160054668A1. Автор: KONISHI Mari,KODAMA Daisuke,YUMITA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Optimized Methods for Differentiation of Cells Into Cells with Hepatocyte and Hepatocyte Progenitor Phenotypes, Cells Produced by the Methods, and Methods for Using the Cells

Номер патента: US20140186954A1. Автор: Verfaillie Catherine M.,Pauwelyn Karen. Владелец: Katholieke Universiteit Leuven. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of perfecting process of producing ethylene oxide

Номер патента: RU2329259C2. Автор: Питер Ингрэхэм ЧИПМЭН,Аджай Мадхав МАДГАВКАР,Грегг Бартон ШИП. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-07-20.

Method of producing carbonates of rare-earth elements

Номер патента: RU2693176C1. Автор: Борис Александрович Быданов,Дмитрий Валерьевич Дронов,Владимир Олегович Геря,Александр Вениаминович Алдушкин,Василина Олеговна Ухорская,Алексей Витальевич Долгов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Инновационных Технологий". Дата публикации: 2019-07-01.

Pharmaceutical composition comprising starch, a compound comprising boron, a compound comprising zinc, and water, and a method of using same to encourage hair growth

Номер патента: US6103273A. Автор: Jacques Antoun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-08-15.

Detecting Apparatus and Method for Signs of Form Collapse

Номер патента: KR101284752B1. Автор: 박상준,함상규,진상윤,양병혁. Владелец: (주) 희림종합건축사사무소. Дата публикации: 2013-07-17.

Combination of setter used in firing and to-be-fired body and method for firing of formed honeycomb body

Номер патента: CN102351544A. Автор: 末信宏之,中村知雄,野口康,渡边武彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Engineering cells with a transgene in b2m or ciita locus and associated compositions and methods

Номер патента: WO2023183313A1. Автор: Terry J. FRY,William Dowdle. Владелец: Sana Biotechnology, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

PYRIMIDINE COMPOUNDS INHIBITING THE FORMATION OF NITRIC OXIDE AND PROSTAGLANDIN E2, METHOD OF PRODUCTION THEREOF AND USE THEREOF

Номер патента: US20130324566A1. Автор: Jansa Petr,Holy Antonin,Zidek Zdenek,Kmonickova Eva,Janeba Zlatko. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

The preparation method of positive charge modification mesoporous silicon oxide and the carrying method of 2,4 dichlorophenoxyacetic acid salt

Номер патента: CN107691437A. Автор: 李凤敏,曹冲,曹立冬,黄啟良. Владелец: Institute of Plant Protection of Chinese Academy of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2018-02-16.

Composition based on zirconium oxide, yttrium oxide and tungsten oxide, method of preparation and use as catalyst or catalyst support

Номер патента: CN101918321B. Автор: D·哈里斯,S·韦迪耶,G·克里尼埃,O·拉尔谢,E·罗阿尔,H·布拉德肖. Владелец: Magnesium Elektron Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

COMPOSITION BASED ON ZIRCONIUM OXIDE AND CERIUM OXIDE, METHOD OF PREPARATION AND USE

Номер патента: FR2736343B1. Автор: Gilbert Blanchard,Olivier Touret,Thierry Birchem,Maryline Aubert. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1997-09-19.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝席恩,漢瑞克皮杜斯瑪利亞皮勒曼,派翠克華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Oxide catalyst for synthesizing and manufacture method, the manufacture device of oxide and the manufacture method of oxide

Номер патента: CN106238048A. Автор: 御山稔人. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

Composition based on zirconium oxide, yttrium oxide and tungsten oxide, method of preparation and use as catalyst or catalyst support

Номер патента: CA2710569A1. Автор: Olivier Larcher,Guillaume Criniere,Stephan Verdier,Emmanuel Rohart,Heather Bradshaw,Deborah Harris. Владелец: Deborah Harris. Дата публикации: 2009-07-16.

The manufacture system of oxide and the manufacture method of oxide

Номер патента: CN104640828B. Автор: 西野友章,御山稔人,冈田治,野野内保. Владелец: Renaissance Energy Research Corp. Дата публикации: 2017-09-29.

Pyrimidine compounds inhibiting the formation of nitric oxide and prostaglandin e2, method of production thereof and use thereof

Номер патента: EP3195867B1. Автор: Petr Jansa,Antonin Holy,Zlatko Janeba,Zdeněk Zídek,Eva Kmonickova. Владелец: Institute of Experimental Medicine CAS. Дата публикации: 2019-09-04.

Transparent zinc oxide and the preparation method of Organic silicon nano composite material

Номер патента: CN106479191A. Автор: 李长英. Владелец: Shaanxi Jujiehan Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Storage device and method for operating the same

Номер патента: EP4379719A1. Автор: Jun-Ho SEO,Seongyong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Honeycomb structure and method of forming same

Номер патента: RU2650364C2. Автор: Томас А. ДИН,Бренда К. БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-04-11.

Systems and methods of cell measurement, using ultrashort t2*-relaxometry

Номер патента: RU2434645C2. Автор: Вэй ЛЮ,Тобиас ШЕФФТЕР,Ханнес ДАНКЕ. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2011-11-27.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: EP2026919A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: WO2007141573A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Limited. Дата публикации: 2007-12-13.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with a memory capable of batch erasing a plurality of sectors and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087364B2. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method of forming same

Номер патента: US20240151910A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: WO2011146357A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-24.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US20240249792A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wen Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A3. Автор: Mino Green. Владелец: Mino Green. Дата публикации: 2003-05-08.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: EP1438127A2. Автор: Mino Green. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2004-07-21.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A2. Автор: Mino Green. Владелец: IMPERIAL COLLEGE INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2003-01-09.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method forming same

Номер патента: CA3219265A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: EP2571826A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-03-27.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US20220347908A1. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: Pactiv Evergreen Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Polycrystalline compacts including nanoparticulate inclusions, cutting elements and earth-boring tools including such compacts, and methods of forming same

Номер патента: EP2638234A1. Автор: Anthony A. DiGiovanni. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2013-09-18.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US12011856B2. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: PACTIV LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: EP4295006A1. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,William II DAVIS. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Vehicle interior component having high surface energy bonding interface and methods of forming same

Номер патента: US20240239275A1. Автор: Jen-Chieh Lin,Arlin Lee Weikel. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Ballistic glass and methods of forming same

Номер патента: US20240151500A1. Автор: Joshua Arthur Lyon,James Eldon Lytle. Владелец: Armitek LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Electrode assembly including inner and outer baskets and methods of forming same

Номер патента: EP3902493A1. Автор: Troy Tegg,Ted DALE,Rishi MANDA. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Releasable photopolymer printing plate and method of forming same

Номер патента: EP1005668A1. Автор: Ravi Venkataraman. Владелец: Identity Group Inc. Дата публикации: 2000-06-07.

A moulded pulp fibre product, and method of forming same

Номер патента: EP4004286A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

A moulded pulp fibre product, and method of forming same

Номер патента: AU2020319934A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

A moulded pulp fibre product, and method of forming same

Номер патента: WO2021016664A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Ballistic glass and methods of forming same

Номер патента: WO2024177698A2. Автор: Joshua Arthur Lyon,James Eldon Lytle. Владелец: Armitek LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240302980A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: US12116832B2. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,II William Davis. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Inter-cell interference reduction in flash memory devices

Номер патента: US09704594B1. Автор: Robert Mateescu,Seung-Hwan Song,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and system for adaptive setting of verify levels in flash memory

Номер патента: US09431125B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Noam Presman,Ilya Bekkerman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Transverse trough coil car with modular trough forming assemblies and method of forming same

Номер патента: US09387864B2. Автор: Todd L Lydic,Jeffrey W Boring. Владелец: JAC Operations Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Shell construction for footwear and method of forming same

Номер патента: EP1565297A4. Автор: Rodney Ross Gumringer,Michael Todd Jennings. Владелец: North Face Apparel Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

Flow cell for optical detector and method of forming same

Номер патента: WO2007106156A2. Автор: Jeffrey S. Thompson,Christian A. Hilmer,Angelo Rubero, Jr.,Micheal J. Mcadams. Владелец: Dionex Corporation. Дата публикации: 2007-09-20.

Zinc oxide and cobalt oxide nanostructures and methods of making thereof

Номер патента: EP2470476A1. Автор: Shrisudersan Jayaraman. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

Disposable undergarment waistband and method of forming same

Номер патента: WO1998006368A1. Автор: John M. Tharpe. Владелец: Tharpe John M. Дата публикации: 1998-02-19.

Drive socket and method of forming same

Номер патента: WO2001003866A1. Автор: Jackie L. Hyatt. Владелец: Hand Tool Design Corporation. Дата публикации: 2001-01-18.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

A self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW538539B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Ching-Yuan Wu. Дата публикации: 2003-06-21.

A scalable split-gate flash memory cell structure and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW567611B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-12-21.

Structure of word line in split gate flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI253146B. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Hsing Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-04-11.

Structure of word line in split gate flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200501333A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Hsing Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-01.

Split gate flash memory cell with protuberant source and its formation method

Номер патента: TW448570B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie,Wen-Ding Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-08-01.

A self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless memory array

Номер патента: TW518724B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

A self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless NOR-type memory array

Номер патента: TW523919B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Device structure to increase the coupling ratio of the source of split gate flash memory device to the floating gate and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW439298B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Di-Sheng Guo,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-06-07.

A self-aligned split-gate flash memory cell having a single-side tip-shaped floating-gate structure and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW543186B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-07-21.

Method Of Operating A Split Gate Flash Memory Cell With Coupling Gate

Номер патента: US20130121085A1. Автор: Tadayoni Mandana,Do Nhan,Tkachev Yuri,Cuevas Elizabeth A.,"Ommani Henry A.". Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

Method for eliminating current leakage of bit lines in split-gate flash memory cells

Номер патента: TW546786B. Автор: Cheng-Ming Huang,Han-Ping Chen,Hung-Jeng Sung,De-Shiun Shiu,Li-Wen Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

Process of fabricating split-gate flash memory cell

Номер патента: TW288206B. Автор: Yuan-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-10-11.

The manufacturing method and Split-gate flash memory of Split-gate flash memory

Номер патента: CN109903797A. Автор: 杨辉,陈宏�,王卉,曹启鹏,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

A self-aligned split-gate flash memory cell having an integrated source-side erase structure and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW533538B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing a split-gate flash memory device

Номер патента: TW200625609A. Автор: Ming-Tzong Yang,Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-16.

Split-gate flash memory and manufacturing method of the same

Номер патента: TWI245415B. Автор: Ting-Sing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-11.

Structure and manufacturing method of split-gate flash memory

Номер патента: TW515094B. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-12-21.

Split-gate flash memory and manufacturing method of the same

Номер патента: TW200603389A. Автор: Ting-Sing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-01-16.

Split gate flash memory with contactless control gate

Номер патента: TW533552B. Автор: Jian-Wei LIN,Jing-Wen Juo,Da-Chuen He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

Poly-silicon spacer manufacturing method of split gate flash memory cell

Номер патента: TW530379B. Автор: Chi-Shan Wu,Shiou Ouyang,Ji-Shing Luo,Bi-Lin Chen,Hung-Jeng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-01.

Split-gate flash memory cell and method for forming the same

Номер патента: TWI673855B. Автор: 李家豪,馬洛宜庫馬,恩凱特庫馬. Владелец: 世界先進積體電路股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Split gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200421600A. Автор: Ko-Hsing Chang,Hann-Jye Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-10-16.

Erasing speed improving method for split-gate flash memory

Номер патента: TW367625B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chia-Dar Hsieh,Di-Sheng Guo,Zhuang-Ge Ye. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-21.

Manufacturing method for split gate flash memory

Номер патента: TW367593B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chia-Dar Hsieh,Di-Sheng Guo,Zhuang-Ge Ye. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-21.

Manufacturing method for improved endurance split gate flash memory

Номер патента: TW357403B. Автор: Jr-Feng Lin,Chi-Shiang Li,Lung-Shiang Juang,An-Min Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-01.

Method for improving oxide quality of split-gate flash memory

Номер патента: TW432462B. Автор: Jr-Mu Huang,Rung-Yu Tsai,Shing-Hua Ren,Shu-Huei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Split-gate flash memory manufacturing method

Номер патента: TW499710B. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-08-21.

Method for producing spacer for split-gate flash memory

Номер патента: TW382778B. Автор: Ming-Yi Lin,Li-Min Huang,Wen-Jeng Chian,Jen-Peng Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-02-21.

Split-gate flash cell with undoped floating gate

Номер патента: TW411629B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Di-Sheng Guo,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-11.

Erasing method of split-gate flash memory of shared word line

Номер патента: CN101853704A. Автор: 胡剑,孔蔚然,顾靖. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Failure test method of split gate flash memory

Номер патента: TWI269880B. Автор: Lih-Wei Lin,Chih-Hung Cho,Ming-Shiahn Tsai,Shih-Tse Hsu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Failure test method of split gate flash memory

Номер патента: TW200615555A. Автор: Lih-Wei Lin,Chih-Hung Cho,Ming-Shiahn Tsai,Shih-Tse Hsu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-16.

Erase method of the split gate flash memory

Номер патента: TW406436B. Автор: Lin-Sung Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-09-21.

Method of manufacturing a split-gate flash memory device

Номер патента: TWI251339B. Автор: Ming-Tzong Yang,Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-03-11.

Fabrication method of split-gate flash memory

Номер патента: TW451480B. Автор: Tsong-Minn Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

Manufacturing method of self-aligned split-gate flash memory

Номер патента: TW513807B. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Manufacturing method of self-aligned split gate flash memory

Номер патента: TW442968B. Автор: Jr-Ren Huang,Shr-Fang Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-23.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY WITH IMPROVED PROGRAM EFFICIENCY

Номер патента: US20130032869A1. Автор: Toh Eng Huat,Tan Shyue Seng (Jason). Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

Contactless split-gate flash memory of shared word line and manufacture method thereof

Номер патента: CN101807581B. Автор: 张�雄,曹子贵,谢中华. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

Split-gate flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN103165615B. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Split-gate flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN103050446B. Автор: 张�雄. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-12-28.

Split-gate flash memory and preparation method thereof

Номер патента: CN109872994B. Автор: 陈宏�,王卉,曹启鹏,段新一. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-09-03.

Reference cell circuit of split-gate flash memory

Номер патента: TW594784B. Автор: Ching-Huang Wang,Yu-De Chr,Jeng-Shiung Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-06-21.

Split-gate flash EEPROM IC and its fabricating method

Номер патента: TW231372B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-10-01.

Scalable split-gate flash cell structure and its contactless divided diffusion bit-line arrays

Номер патента: TW200428600A. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

SPLIT GATE FLASH CELL AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120168842A1. Автор: . Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of manufacturing split gate flash device

Номер патента: TW200816391A. Автор: Houng-Chi Wei,Chin-Chung Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Structure and fabrication method of split gate flash ROM

Номер патента: TW328177B. Автор: Gwo-Donq Sonq. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1998-03-11.

Scalable split-gate flash cell structure and its contactless divided diffusion bit-line arrays

Номер патента: TW591764B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

Joint nail package and method and means of forming same

Номер патента: CA632681A. Автор: Ferguson Richard,Gettys D. Hoyle, Jr.. Владелец: Terrell Machine Co. Дата публикации: 1961-12-12.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Method of the lime slaking and the lime slacker for the method realization

Номер патента: RU2285675C2. Автор: Борис Иванович Бутаков,Мыкола Анатолийович Иванушкин,н Павло Рубэнович Абов,Павло Рубэнович Абовян,Петро Иванович Горовой,Мыкола Васыльйович Стрельцов,Юрий Васыльйович Терещенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Николаевский глиноземный завод". Дата публикации: 2006-10-20.

Method of making metallocarbon nanocoatings

Номер патента: RU2391358C2. Автор: Александр Викторович Еремин,Александр Валентинович Емельянов,Евгений Валерьевич Гуренцов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Объединенный институт высоких температур РАН (ОИВТ РАН). Дата публикации: 2010-06-10.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: CA2561299A1. Автор: David Frank Angelico. Владелец: David Frank Angelico. Дата публикации: 2004-12-25.

Method of making and modifying electrochemical catalysts on carbon support

Номер патента: RU2595900C1. Автор: Владимир Николаевич Фатеев,Владимир Игоревич Порембский,Светлана Владимировна Акелькина,Ольга Константиновна Алексеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-08-27.

Texturizing additive for formed meat products and method for obtaining of formed meat products with the use of texturizing additive

Номер патента: RU2249417C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-04-10.

SOLAR CELLS WITH PLATED BACK SIDE SURFACE FIELD AND BACK SIDE ELECTRICAL CONTACT AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120325312A1. Автор: Fisher Kathryn C.,Shao Xiaoyan,Papa Rao Satyavolu S.,Fuller Nicholas C. M.,Hedrick Jeffrey. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Methods for differentiating cells into cells with a Müller cell phenotype, cells produced by the methods, and methods for using the cells

Номер патента: AU2016902470A0. Автор: Mark Gillies,Sook Chung,Weiyong Shen. Владелец: UNIVERSITY OF SYDNEY. Дата публикации: 2016-07-07.

Apparatus for determining distance between base of self-fired anode of aluminum cell with upper current supply and lower cut of current supply pin and method for using such apparatus

Номер патента: RU2245943C2. Автор: Ю.В. Богданов,А.А. Бахтин,В.К. Косыгин,Ю.А. Щербаков,В.К. Косыгин (RU),Ю.А. Щербаков (RU),Ю.В. Богданов (RU),А.А. Бахтин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Сибирский научно-исследовательский, конструкторский и проектный институт алюминиевой и электродной промышленности" (ОАО "СибВАМИ"). Дата публикации: 2005-02-10.

Insulated gate field effect semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2715282B2. Автор: 舜平山崎,晃間瀬. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-18.

AMORPHOUS IONICALLY CONDUCTIVE METAL OXIDES AND SOL GEL METHOD OF PREPARATION

Номер патента: US20120196189A1. Автор: BABIC Davorin,JOHNSON Lonnie G.,RAUCH William,JOHNSON David Ketema,JONES Stanley,ALLIE Lazbourne Alanzo,GRANT Adrian M.. Владелец: JOHNSON IP HOLDING, LLC. Дата публикации: 2012-08-02.

Insulated gate bipolar translator (IGBT) chip and manufacturing method of copper metallization structure on right side of IGBT chip

Номер патента: CN103165524A. Автор: 黄建伟,刘国友,覃荣震. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Insulated gate semiconductor device driving apparatus and method thereof

Номер патента: JP4853100B2. Автор: 英俊森下. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-11.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Means and Methods for Rapid Droplet, Aerosols and Swab Infection Analysis

Номер патента: US20120002199A1. Автор: Ben-David Moshe,Eruv Tomer,Gannot Gallya. Владелец: OPTICUL DIAGNOSTICS LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INDEXING CONTENT VIEWED ON AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004575A1. Автор: Thörn Ola. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Biomarkers for Inflammatory Bowel Disease and Methods Using the Same

Номер патента: US20120003158A1. Автор: Alexander Danny,SHUSTER Jeffrey,KORZENIK Joshua,ZELLA Garrett. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPORATION APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20120003740A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MICRO-RESECTING AND EVOKED POTENTIAL MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004680A1. Автор: McFarlin Kevin,Reinker David. Владелец: Medtronic Xomed, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Combinational Compositions And Methods For Treatment Of Cancer

Номер патента: US20120004191A1. Автор: . Владелец: ArQule, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

CARBON DIOXIDE-BASED GEOTHERMAL ENERGY GENERATION SYSTEMS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120001429A1. Автор: Saar Martin O.,Randolph Jimmy Bryan,Kuehn Thomas H.. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETOXIFICATION AND CANCER PREVENTION

Номер патента: US20120003340A1. Автор: . Владелец: NESTEC S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISPLAYING FIXED-SCALE CONTENT ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20120001914A1. Автор: Pan Wayne,HAMOUI Omar. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE COMMUNICATION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120002640A1. Автор: BALUJA Shumeet,Chu Michael,Matsuno Mayumi. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymerase Enhancing Factor (PEF) Extracts PEF Protein Complexes Isolated PEF Proteins and Methods for Purifying and Identifying

Номер патента: US20120003713A1. Автор: . Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CREATING, MANAGING, SHARING AND DISPLAYING PERSONALIZED FONTS ON A CLIENT-SERVER ARCHITECTURE

Номер патента: US20120001921A1. Автор: Escher Marc,Hoffman Franz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MONITORING CAMERA AND METHOD OF TRACING SOUND SOURCE

Номер патента: US20120002047A1. Автор: Kim Sung Jin,AN Kwang Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

AIRCRAFT HOVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004793A1. Автор: . Владелец: SANDEL AVIONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in tubular bodies and methods of forming same

Номер патента: MY144256A. Автор: Booth John Peter,Lovis Gordon David. Владелец: ITI Scotland Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Card Guide System and Method

Номер патента: US20120002385A1. Автор: Hanna John N.,Crowley David M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A SAFETY MECHANISM FOR A LASER-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120002691A1. Автор: TAO XIAO WEI. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY CALIBRATION CIRCUIT FOR AUTOMATICALLY CALIBRATING FREQUENCY AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002764A1. Автор: Hsiao Fu-Yuan,Pan Ke-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Insecticidal Composition and Method

Номер патента: US20120003491A1. Автор: . Владелец: ZELAM LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONDITIONALLY ATTEMPTING AN EMERGENCY CALL SETUP

Номер патента: US20120003954A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-MODAL NAVIGATION SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004841A1. Автор: . Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PICKUP APPARATUS FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE AND METHOD FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE THEREOF

Номер патента: US20120002094A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING SHORT-RANGE WIRELESS COMMUNICATIONS BETWEEN A MOBILE WIRELESS DEVICE AND AN AUXILIARY SYSTEM

Номер патента: US20120003936A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiator tube and method and apparatus for forming same

Номер патента: WO1995005571B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-04-13.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

Lithographic Apparatus and Method

Номер патента: US20120002182A1. Автор: NIENHUYS Han-Kwang,HUIJBERTS Alexander Marinus Arnoldus,Jonkers Peter Gerardus. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BASE STATION APPARATUS AND METHOD IN MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002616A1. Автор: Kiyoshima Kohei,Okubo Naoto,Ishii Hiroyuki. Владелец: NTT DOCOMO, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Pipeline Weighting Device and Method

Номер патента: US20120003049A1. Автор: Sprague Ian,McKay Charles Frederick. Владелец: CRC-EVANS CANADA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VALPROIC ACID, DERIVATIVES, ANALOGUES, AND COMPOSITIONS INCLUDING SAME AND METHODS FOR THEIR THERAPEUTIC USE

Номер патента: US20120003191A1. Автор: Burkin Dean J.,Gurpur Praveen B.,Kaufman Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE/SIRNA COMPLEXES AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003278A1. Автор: . Владелец: ENSYSCE BIOSCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR CONTROLLING BLOOD GLUCOSE LEVELS

Номер патента: US20120003339A1. Автор: MINACAPELLI Pompeo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты