Manufacturing method of split-gate flash memory cell.

Manufacturing method of split-gate flash memory cell

Номер патента: TW503527B
Опубликовано: 21-09-2002
Автор(ы): Chi-Huei Lin
Принадлежит: Nanya Plastics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for shrinking array dimensions of split gate flash memory device using multilayer etching to define cell and source line and device manufactured thereby

Номер патента: US20010015455A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Split gate flash memory device with shrunken cell and source line array dimensions

Номер патента: US6538276B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Split-gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US6709925B1. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Space process to prevent the reverse tunneling in split gate flash

Номер патента: US20050184331A1. Автор: Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Yi-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

A system and method of forming a split-gate flash memory cell

Номер патента: TWI302035B. Автор: Kuang Yang,David Ho,Michael Wu,Eugene Chu,Fei Yuh Chen,Yuh Hwa Chang,Eric Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-11.

Split-gate flash memory devices and methods for forming the same

Номер патента: TWI328281B. Автор: Chiashiung Tsai,Chi Hsin Lo,Shihchang Liu,Chi Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-08-01.

Split-gate flash memory devices and methods for forming the same

Номер патента: TW200810093A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chi-Hsin Lo,Shih-Chang Liu,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-02-16.

Poly tip and self aligned source for split-gate flash cell

Номер патента: US6259131B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Di-Son Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Gate electrode of split gate type flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100509828B1. Автор: 김재영,최태호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-24.

Split gate flash memory cell and its manufacturing method

Номер патента: JP2004111891A. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim,崔　泰　豪,金　在　榮. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US9536969B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Asymmetric formation approach for a floating gate of a split gate flash memory structure

Номер патента: US09691883B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Interdigitated capacitor in split-gate flash technology

Номер патента: US09691780B2. Автор: Wan-Chen Chen,Yu-Hsiung Wang,Han-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Split gate flash memory cells with a trench-formed select gate

Номер патента: US20220093765A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of making the selection gate in a split-gate flash EEPROM cell its and structure

Номер патента: US20050026368A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chrong-Jung Lin,Jack Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Split-gate flash cell with composite control gate and method for forming the same

Номер патента: US20150228738A1. Автор: Wen-Bin Tsai,Hsin-I Li,Kin Fung Lam. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20150084112A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20120168842A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20140027833A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-01-30.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20160126359A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Integrierter schaltkreis mit einer oder einem paar von split-gate-flash-speicherzellen und verfahren zum bilden einer split-gate-speichervorrichtung

Номер патента: DE102016100018B4. Автор: Wei Cheng Wu,Jui-Tsung Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing of split-gate flash memory

Номер патента: TW432512B. Автор: Jr-Mu Huang,Rung-Yu Tsai,Shing-Hua Ren,Shu-Huei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Split-gate flash memory cell with a tip in the middle of the floating gate

Номер патента: US6528844B1. Автор: Peter J. Hopper,Yuri Mirgorodski. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-03-04.

A new split gate flash memory and process for forming same

Номер патента: TW407380B. Автор: Yu-Hau Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-10-01.

Method to fabricate a non-smiling effect structure in split-gate flash with self-aligned isolation

Номер патента: US6358796B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Juang-Ke Yeh,Yai-Fen Lin,Chang-Song Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-03-19.

Spacer process to prevent reverse tunneling in split gate flash

Номер патента: TWI287859B. Автор: Yi-Chun Lin,Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-10-01.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with low resistance source regions and high source coupling, and a memory array made thereby

Номер патента: KR100855885B1. Автор: 왕치신,레비아미태이. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2008-09-03.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Manufacturing method of split gate trench device

Номер патента: US20240128343A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137002A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Evans Yang,Lein-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047766A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: WO2013066584A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-05-10.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: EP2748842A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: WO2013028358A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US20040197996A1. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20130026552A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Quek,Shyue Seng (Jason) Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-01-31.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US09653471B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of manufacture of vertical split gate flash memory device

Номер патента: US6087222A. Автор: Shui-Hung Chen,Di-Son Kuo,Chrong Jung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US8921917B2. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-12-30.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Novel select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20220320304A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US09741868B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods and systems for erase biasing of split-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory cell structure for improving erase speed

Номер патента: US09917165B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09472645B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Array of split gate non-volatile floating gate memory cells having improved strapping of the coupling gates

Номер патента: US8513728B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Parviz Ghazavi,Shiuh-Luen Wang,Henry A. Om'Mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Scalable split-gate flash memory cell with high source-coupling patio

Номер патента: TW200634991A. Автор: Te-Hsun Hsu,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-01.

Scalable split-gate flash memory cell with high source-coupling patio

Номер патента: TWI302364B. Автор: Hung Cheng Sung,Tehsun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-21.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL WITH IMPROVED CONTROL GATE CAPACITIVE COUPLING, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20220293756A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Method of forming split-gate flash memory cell with spacer defined floating gate and discretely formed polysilicon gates

Номер патента: EP3994731B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: TW571438B. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Ching-Song Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-11.

Split gate flash memory cells with a trench-formed select gate

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160181266A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Split-gate flash memory cell with improved scaling using enhanced lateral control gate to floating gate coupling

Номер патента: CN106575656A. Автор: J.杨,C.陈,M.吴,N.杜,C.苏. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Split-gate flash memory cell with improved scaling using enhanced lateral control gate to floating gate coupling

Номер патента: EP3178111B1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US9484352B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Split-gate flash memory cell with improved scaling using enhanced lateral control gate to floating gate coupling

Номер патента: TW201611247A. Автор: 陳俊明,楊正威,堅昇蘇,吳滿堂,恩漢杜. Владелец: 超捷公司. Дата публикации: 2016-03-16.

Self-Aligned Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20160308069A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Mirror image Split-gate flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN104465524B. Автор: 李冰寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2018-04-27.

Mirroring split gate flash memory and formation method thereof

Номер патента: CN104465524A. Автор: 李冰寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-03-25.

Split gate flash cell with extremely small cell size

Номер патента: US6194272B1. Автор: Kuo-Tung Sung. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2001-02-27.

Method of forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell for FinFET

Номер патента: US11856771B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell for FINFET and forming method thereof

Номер патента: US11882699B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: US20140217489A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US6958273B2. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-25.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gate spacers, and a memory array made thereby

Номер патента: TW514994B. Автор: Jr-Shing Wang. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2002-12-21.

Method Of Programming A Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cell Having A Separate Erase Gate

Номер патента: US20130107631A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of forming a polysilicon sidewall oxide spacer in a memory cell

Номер патента: WO2017100745A1. Автор: Jack Wong,Sajid KABEER,Mel HYMAS,Santosh Murali,Brad KOPP. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-06-15.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A4. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-10.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: US09960242B2. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Flash memory cell with a flair gate

Номер патента: US20080277712A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

NOVEL SELECT GATE SPACER FORMATION TO FACILITATE EMBEDDING OF SPLIT GATE FLASH MEMORY

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Lin Meng-Han,HSIEH Chih-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: TW201644040A. Автор: 陳俊明,楊正威,堅昇蘇,吳滿堂,恩漢杜. Владелец: 超捷公司. Дата публикации: 2016-12-16.

Manufacturing method of split gate power MOSFET device

Номер патента: CN113078066A. Автор: 张波,马涛,乔明,王正康. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-07-06.

Split Gate Flash Memory Device

Номер патента: KR100368594B1. Автор: 김동준,이용규,조민수,류의열. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-24.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Flash memory cell with flair gate

Номер патента: US9190531B2. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Poly tip formation and self-align source process for split-gate flash cell

Номер патента: US6117733A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell

Номер патента: US5872036A. Автор: Yau-Kae Sheu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Method of forming sharp beak of poly to improve erase speed in split-gate flash EEPROM

Номер патента: US5970371A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chuang-Ke Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,XING LEO,Diao Melvin,Liu Guo Yong. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Method of manufacturing split gate flash memory device

Номер патента: JP4676688B2. Автор: 昌碌文,重林尹,在▲ミン▼ 兪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-27.

Split-gate flash memory device having floating gate electrode with sharp peak

Номер патента: US6441429B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-08-27.

Method of forming a floating gate electrode in flash memory device

Номер патента: KR100647001B1. Автор: 김재헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: KR100368322B1. Автор: 이상범,김점수,정성문. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

METHOD OF MANUFACTURING AN EMBEDDED SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150295056A1. Автор: Zhang Jing,ZHANG Liqun,MA Huilin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

A system and method of forming a split-gate flash memory structure

Номер патента: TWI284942B. Автор: Lien-Yao TSAI,Jiun-Nan Chen,Shieh-Feng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-08-01.

Formation method of an array source line in nand flash memory

Номер патента: CN101164169A. Автор: S·鸟居. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-16.

The formation method of an array source line in NAND flash memory

Номер патента: TW200644184A. Автор: Satoshi Torii. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-16.

Process for preventing misalignment in split-gate flash memory cell

Номер патента: US5940706A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: US5872035A. Автор: Myung Seon Kim,Sun Haeng Back. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Self-Aligned Method Of Forming A Semiconductor Memory Array Of Floating Gate Memory Cells With Single Poly Layer

Номер патента: US20140094011A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: WO2014051856A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-04-03.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: US09461060B1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US10553596B2. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US09966380B1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory gate first approach to forming a split gate flash memory cell device

Номер патента: US9257571B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US20160379988A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Split-gate Flash Speicherelementeanordnung und Methode zum Löschen derselben

Номер патента: EP1148556A3. Автор: Michael Frey,Holger Dr. Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2008-02-27.

Split-gate flash cell formed on recessed substrate

Номер патента: US09853039B1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Sung-taeg Kang,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of stabilizing reference bit of multi-bit memory cell

Номер патента: US6466477B1. Автор: Ming-Hung Chou,Smile Huang,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with non-linear elongated floating gate, and a memory array made thereby

Номер патента: TW200401408A. Автор: Sohrab Kianian. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2004-01-16.

Methods of forming a memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US8329513B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: WO2020040894A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-02-27.

Split gate flash memory cell with ballistic injection

Номер патента: US20080296652A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Split-gate flash memory cell with improved control gate capacitive coupling, and method of making same

Номер патента: EP4305670A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Four Gate, Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20210110873A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Si|icon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Split-gate flash memory cell with improved control gate capacitive coupling, and method of making same

Номер патента: US11799005B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: EP2973581A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Programmable Charge Storage Transistor, An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells, And A Method Of Forming An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20190198673A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Programmable charge-storage transistor, an array of elevationally-extending strings of memory cells, and a method of forming an array of elevationally-extending strings of memory cells

Номер патента: US11424363B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of split gate type flash memory device

Номер патента: JP4283763B2. Автор: ジンヒョジュン. Владелец: アナムセミコンダクターリミテッド. Дата публикации: 2009-06-24.

Spacer for a split gate flash memory cell and a memory cell employing the same

Номер патента: US20050176201A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Liu,Chi-Hsin Lo,Chih-Ta Wu,Yeur-Luen Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless memory array

Номер патента: US6667510B2. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-23.

Method of manufacturing split gate flash memory device

Номер патента: JP5192636B2. Автор: 義烈柳,▲チョル▼純權,鎭宇金,龍希金,大根金,周燦金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-08.

Method of making select gate self-aligned to floating for split gate flash memory structure

Номер патента: US6251727B1. Автор: Bin-Shing Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Split-gate flash memory structure and method of manufacture

Номер патента: US20030227047A1. Автор: Chih-Wei Hung,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Method of forming a floating gate for a split-gate flash memory device

Номер патента: TWI284902B. Автор: Chia-Chen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-08-01.

Method of forming a floating gate for a split-gate flash memory device

Номер патента: TW200522080A. Автор: Chia-Chen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: KR20050070862A. Автор: 정진효. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for manufacturing split gate flash memory device

Номер патента: JP4184337B2. Автор: ジンヒョジュン. Владелец: アナムセミコンダクターリミテッド. Дата публикации: 2008-11-19.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with horizontally oriented edges, and a memory array made thereby

Номер патента: TW560012B. Автор: Chih-Hsin Wang,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2003-11-01.

Programmable Charge Storage Transistor, an Array of Elevationally-Extending Strings of Memory Cells, Methods of Forming Si3Nx, Methods of Forming Insulator Material That is Between a Control Gate and Charge-Storage Material of a Programmable Charge-Storage Transistor, Methods of Forming an Array of Elevationally-Extending Strings of Memory Cells, a Programmable Charge-Storage Transistor Manufactured in Accordance with Methods, and an Array of Elevationally-Extending Strings of Memory Cells Man

Номер патента: US20200052134A1. Автор: Li Jie,WANG FEI,Liang Dong,Khandekar Anish A.,Shrotri Kunal,Xu Zhixin,Hull Jeffery B.,Mao Duo,Eng Ee Ee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

Programmable Charge Storage Transistor, An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells, And A Method Of Forming An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20190198673A1. Автор: Liu Haitao,Fayrushin Albert,Karda Kamal M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Self-aligned non-volatile random access memory cell and process to make the same

Номер патента: US20020109179A1. Автор: Jed H. Rankin,Chung H. Lam,Dana Lee,Dale W. Martin,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

SPLIT GATE FLASH CELL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150084112A1. Автор: Wang Yimin. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

SPLIT-GATE FLASH CELL WITH COMPOSITE CONTROL GATE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150228738A1. Автор: Tsai Wen-Bin,Lam Kin Fung,Li Hsin-I. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of operating a semiconductor memory array of floating gate memory cells with horizontally oriented edges

Номер патента: US20040212009A1. Автор: Chih Wang,Bing Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631A4. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Integration Of Split Gate Flash Memory Array And Logic Devices

Номер патента: US20160260728A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

SELECT GATE SELF-ALIGNED PATTERNING IN SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20200161318A1. Автор: Bo Xiangzheng,Grider,III Douglas Tad,MACPEAK John. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190181269A1. Автор: Kumar Ankit,Kumar Manoj,Lee Chia-Hao. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

SELECT GATE SELF-ALIGNED PATTERNING IN SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Bo Xiangzheng,Grider,III Douglas Tad,MACPEAK John. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

METHOD FOR FORMING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL DEVICE WITH A LOW POWER LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160365350A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Structure of split gate type flash EEPROM cell and method of operating the same

Номер патента: KR100309815B1. Автор: 손재현,장상환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY WITH IMPROVED PROGRAM EFFICIENCY

Номер патента: US20160268387A1. Автор: Toh Eng Huat,Tan Shyue Seng (Jason). Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Contact Formation for Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20160276159A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,WU Wei-Cheng,Kao Ya-Chen,Huang Chin-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Dual bit split gate flash memory device and method for driving the same

Номер патента: KR100488583B1. Автор: 김진우,한정욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-08.

Split-Gate Flash Cell formed on Recessed Substrate

Номер патента: US20180166458A1. Автор: KANG Inkuk,CHEN Chun,Kang Sung-Taeg,Pak James,Kim Unsoon,Chang Kuo-Tung. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-14.

Split-gate flash EEPROM cell and array with low voltage erasure

Номер патента: EP0620600A2. Автор: Chen-Chi P. Chang,Mei F. Li. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-19.

Split-gate flash cell formed on recessed substrate

Номер патента: US10497710B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Sung-taeg Kang,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, and a memory array made thereby

Номер патента: US20050045940A1. Автор: Hieu Tran,Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Method Of Forming A Device With Split Gate Non-volatile Memory Cells, HV Devices Having Planar Channel Regions And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20210193671A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure of split gate flash memory unit and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110061009B. Автор: 王小川,张磊,胡涛,陈昊瑜,田志,王奇伟. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE STRUCTURE AND SPLIT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20200328281A1. Автор: LAI SHIH-CHI,KUO Chia-Ming,Chung Hung-Chih,Cheng Hsien-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581B1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Manufacturing method of split gate MOSFET

Номер патента: CN111415868A. Автор: 黄健,虞翔,张丽娜,樊君,张朝志,孙闫涛,顾昀浦,宋跃桦,吴平丽. Владелец: Jiejie Microelectronics Shanghai Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

METHOD OF MANUFACTURING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL WITH ERASE GATE

Номер патента: US20190103470A1. Автор: Fan Chen-Chih,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE WITH A DAMAGE FREE SELECT GATE AND A METHOD OF MAKING THE SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20160111510A1. Автор: Liu Ming Chyi,Liu Shih-Chang,Tseng Yuan-Tai,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170301683A1. Автор: Ren Chi,Chen Aaron. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20150364558A1. Автор: Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: US10608090B2. Автор: Chen-Chih Fan,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

A method of fabricating a split gate flash memory cell having an erase gate

Номер патента: KR102305705B1. Автор: 첸-치 판,젱-웨이 양,만-탕 우,춘-밍 첸,난 도. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2021-09-28.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US9269829B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-23.

SPLIT GATE FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150255614A1. Автор: Nagai Yukihiro,KURACHI IKUO. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Flash EEPROM cell and method of making the same

Номер патента: US5859453A. Автор: Byung Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

PATTERN LAYOUT TO PREVENT SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL FAILURE

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chang Yu-Hsing,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

FEED-FORWARD BIDIRECTIONAL IMPLANTED SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20160284716A1. Автор: Bo Xiangzheng,GRIDER Douglas Tad. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

A method for manufacturing a split gate flash memory cell having an erase gate.

Номер патента: JP7044869B2. Автор: ヤン、ジェン－ウェイ,チェン、チュン－ミン,ウー、マン－タン,ファン、チェン－チー,ドー、ナン. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Split gate flash memory cell with ballistic injection

Номер патента: US20060245256A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A4. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-21.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Four gate, split-gate flash memory array with byte erase operation

Номер патента: EP4046158B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY, METHOD OF FABRICATING SAME AND METHOD FOR CONTROL THEREOF

Номер патента: US20190355824A1. Автор: LIU Xianzhou. Владелец: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION. Дата публикации: 2019-11-21.

Split-gate flash memory, method of fabricating same and method for control thereof

Номер патента: US10700174B2. Автор: Xianzhou LIU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Split gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040075137A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

[split-gate flash memory structure and method of manufacture]

Номер патента: US20040259310A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Ko-Hsing Chang. Владелец: Ko-Hsing Chang. Дата публикации: 2004-12-23.

Integration of split gate metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memory with vertical fet

Номер патента: US20200279858A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

SELF-ALIGNED SPLIT GATE FLASH MEMORY

Номер патента: US20160043097A1. Автор: Liu Shih-Chang,Huang Wei-Hang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

TECHNIQUES TO AVOID OR LIMIT IMPLANT PUNCH THROUGH IN SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160204118A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chang Yung-Chang,Wu Chang-Ming,Chen Sheng-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Techniques to avoid or limit implant punch through in split gate flash memory devices

Номер патента: US9716097B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yung-Chang Chang,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Contact formation for split gate flash memory

Номер патента: US9390927B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chin-Yi Huang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Flash Memory Device with Three-Dimensional Half Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240136444A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US11888074B2. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Flash Memory Device with Three Dimensional Half Flash Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230253508A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Programmable Charge-Storage Transistor, An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells, And A Method Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210184044A1. Автор: Liu Haitao,Fayrushin Albert,Karda Kamal M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

INTERDIGITATED CAPACITOR IN SPLIT-GATE FLASH TECHNOLOGY

Номер патента: US20170092650A1. Автор: Wang Yu-Hsiung,Chen Wan-Chen,Chen Han-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

INTER-DIGITATED CAPACITOR IN SPLIT-GATE FLASH TECHNOLOGY

Номер патента: US20170213841A1. Автор: Wang Yu-Hsiung,Chen Wan-Chen,Chen Han-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

INTER-DIGITATED CAPACITOR IN SPLIT-GATE FLASH TECHNOLOGY

Номер патента: US20190273091A1. Автор: Wang Yu-Hsiung,Chen Wan-Chen,Chen Han-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: KR101759814B1. Автор: 김진호,유종원,난 두,스티븐 말콤 렘케,알렉산더 코토브,유리 트카체브. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2017-07-19.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: US9275748B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: EP2973581B1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-04.

Methode zum Löschen einer Split-gate Flash Speicherelementeanordnung

Номер патента: DE50115335D1. Автор: Michael Frey,Holger Dr Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-03-25.

Methode zum löschen einer split-gate flash speicherelementeanordnung

Номер патента: ATE457078T1. Автор: Michael Frey,Holger Dr Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries. Дата публикации: 2010-02-15.

Method of forming a gate electrode in a flash memory devices

Номер патента: KR100590395B1. Автор: 이병기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-15.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate and pointed channel region

Номер патента: US7208376B2. Автор: Bomy Chen,Wen-Juei Lu,Ying Kit Tsui. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Method Of Forming A Device With Split Gate Non-volatile Memory Cells, HV Devices Having Planar Channel Regions And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20220231037A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Three-dimensional flash memory including floating devices, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240096414A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09842846B2. Автор: Hiroaki Mizushima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Structure and method of operation for improved gate capacity for 3D NOR flash memory

Номер патента: US09589982B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Split gate cells for embedded flash memory

Номер патента: US09450057B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

ASYMMETRIC FORMATION APPROACH FOR A FLOATING GATE OF A SPLIT GATE FLASH MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20150372121A1. Автор: Liu Shih-Chang,Tseng Yuan-Tai,Wu Chang-Ming,Chen Sheng-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing split gate flash EEPROM

Номер патента: KR100607785B1. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for manufacturing split gate flash eeprom

Номер патента: KR20060079013A. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of reading six-transistor cross-coupled thyristor-based SRAM memory cells

Номер патента: US09741413B2. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: US20030178668A1. Автор: Sohrab Kianian,Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: EP1661139A2. Автор: Bradley N. Engel,Jon M. Slaughter,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-05-31.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: WO2005024905A2. Автор: Bradley N. Engel,Jon M. Slaughter,Eric J. Salter. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: EP1661139A4. Автор: Bradley N Engel,Jon M Slaughter,Eric J Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-11.

Test line patterns in split-gate flash technology

Номер патента: US09983257B2. Автор: Wei Cheng Wu,Jui-Tsung Lien,Fang-Lan Chu,Hong-Da Lin,Ku-Ning Chang,Yu-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Arrays of Memory Cells and Methods of Forming an Array of Vertically Stacked Tiers of Memory Cells

Номер патента: US20190189689A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20150123070A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Arrays of memory cells and methods of forming an array of vertically stacked tiers of memory cells

Номер патента: US10256275B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20190296023A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory cells, methods of forming an array of two transistor-one capacitor memory cells, and methods used in fabricating integrated circuitry

Номер патента: US10622363B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20200219886A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200350325A1. Автор: ZHANG LEI,Hu Tao,Wang XiaoChuan,WANG Qiwei,Chen Haoyu,TIAN Zhi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: WO2019217022A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-11-14.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A4. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149B1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

GATE STRUCTURE OF SPLIT-GATE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200251565A1. Автор: Su Jiong-Guang,Chou Hung-Wen,Chen Shao-Hua. Владелец: Silicongear Corporation. Дата публикации: 2020-08-06.

Architecture to Improve Cell Size for Compact Array of Split Gate Flash Cell with Buried Common Source Structure

Номер патента: US20150021679A1. Автор: Tsair Yong-Shiuan,Tsao Tsun-Kai,Shen Ming-Huei,HUANG Wen-Tuo,Liu Po-Wei,Hsu Yu-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

ARCHITECTURE TO IMPROVE CELL SIZE FOR COMPACT ARRAY OF SPLIT GATE FLASH CELL

Номер патента: US20140264534A1. Автор: Chu Wen-Ting,Tsair Yong-Shiuan,HUANG Wen-Tuo,Liu Po-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Do Nhan,Tkachev Yuri,KOTOV Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Split Gate Flash Memory Structure with a Damage Free Select Gate and a Method of Making the Split Gate Flash Memory Structure

Номер патента: US20150380568A1. Автор: Liu Ming Chyi,Liu Shih-Chang,Tseng Yuan-Tai,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell with polysilicon spacers

Номер патента: US6245614B1. Автор: Tsong-Minn Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: TWI681543B. Автор: 楊正威,堅昇蘇,恩漢杜. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Split-gate flash memory layout, mask and manufacturing method

Номер патента: CN105977259A. Автор: 徐涛,陈宏�,王卉,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-09-28.

Split-Gate Flash Memory Cell With Improved Scaling Using Enhanced Lateral Control Gate To Floating Gate Coupling

Номер патента: US20160043095A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Pattern Layout to Prevent Split Gate Flash Memory Cell Failure

Номер патента: US20150372136A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chang Yu-Hsing,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Split-Gate Flash Memory Cell With Improved Read Performance

Номер патента: US20190392899A1. Автор: Daryanani Sonu,Martin Matthew G.,Festes Gilles. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-26.

Virtual-ground, split-gate flash memory cell arrangements and method for producing same

Номер патента: US6518619B2. Автор: Robertus Dominicus Joseph Verhaar,Guido Jozef Maria Dormans. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-02-11.

Methods of fabricating embedded electronic devices including charge trap memory cells

Номер патента: US09508733B1. Автор: Young Joon Kwon,Tae Ho Lee,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Split-Gate Flash Memory Having Mirror Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190335A1. Автор: Li Binghan. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY EXHIBITING REDUCED INTERFERENCE

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Quek Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180182769A1. Автор: Chun-Yen Chang,Chun-Hu CHENG,Yu-Chien Chiu. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing ferroelectric-based 3-dimensional flash memory

Номер патента: US20240196624A1. Автор: Changhwan Choi,Yunheub Song,JaeMin SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical memory cell

Номер патента: WO2013016102A3. Автор: Kurt D. Beigel,Sahn D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Memory Cells, Arrays Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20180197864A1. Автор: Sills Scott E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Method Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Programmable Memory Cells And Method Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200066747A1. Автор: Khandekar Anish A.,Kiehlbauch Mark W.,Dorhout Justin B.,Lomeli Nancy M.,Howder Collin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells, Methods Of Forming Polysilicon, Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor, And Electronic Components Comprising Polysilicon

Номер патента: US20180108670A1. Автор: Khandekar Anish A.,Shrotri Kunal,Pavlopoulos Dimitrios. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells, Methods Of Forming Polysilicon, Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor, And Electronic Components Comprising Polysilicon

Номер патента: US20180294275A1. Автор: Khandekar Anish A.,Shrotri Kunal,Pavlopoulos Dimitrios. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-11.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells, Methods Of Forming Polysilicon, Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor, And Electronic Components Comprising Polysilicon

Номер патента: US20190341398A1. Автор: Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods of forming an array of elevationally-extending strings of memory cells, methods of forming polysilicon, elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor, and electronic components comprising polysilicon

Номер патента: US10014311B2. Автор: Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Split Gate Flash Cell

Номер патента: US20140091380A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-04-03.

SPLIT GATE FLASH CELL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160126359A1. Автор: Wang Yimin. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: US6743676B2. Автор: Keun Woo Lee,Keon Soo Shim,Sung Kee Park,Ki Seog Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-01.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: TWI223407B. Автор: Chih-Hsin Wang,Sohrab Kianian. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method Of Forming A Polysilicon Sidewall Oxide Region In A Memory Cell

Номер патента: US20170170303A1. Автор: Hymas Mel,WONG JACK,Murali Santosh,Kabeer Sajid,Kopp Brad. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-06-15.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of strip-shaped conductive structures and non-volatile memory cell

Номер патента: US09390931B1. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method of thin film transistor, manufacturing method of array substrate and array substrate

Номер патента: US09806108B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, electronic device

Номер патента: EP4380329A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for preventing floating gate of split-gate flash memory and word line polysilicon residue

Номер патента: CN106876399B. Автор: 徐涛,陈宏�,张博,王卉,孔蔚然,曹子贵,李冰寒,汤志林. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for forming dummy layer of split gate flash memory device

Номер патента: JP4330523B2. Автор: ジンヒョジュン. Владелец: アナムセミコンダクターリミテッド. Дата публикации: 2009-09-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Avoid method and Split-gate flash memory manufacture method that etching polysilicon remains

Номер патента: CN106206597A. Автор: 徐涛,陈宏�,王卉,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-12-07.

Process for fabrication of split-gate virtual phase charge coupled devices

Номер патента: US20010031517A1. Автор: Jaroslav Hynecek. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-10-18.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US12112806B2. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20220172783A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20230307057A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A FINGER TRENCH CAPACITOR WITH A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20160379988A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,LIU Chen-Chin,Wang Yu-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Method of making separate sidewall oxidation of a flash memory cell

Номер патента: EP1535337B1. Автор: Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-12-15.

Nonvolatile memory apparatus and an operating method of a nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325975A1. Автор: Kwi Dong Kim,Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Contact Formation for Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20150048433A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,WU Wei-Cheng,Kao Ya-Chen,Huang Chin-Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-19.

Self-Aligned Split Gate Flash Memory

Номер патента: US20160086965A1. Автор: Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming,Yang Tsung-Hsueh,Min Chung-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20190355424A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang,Liang Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Split-gate flash memory sharing word line

Номер патента: CN101694845A. Автор: 曹子贵,顾靖. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-04-14.

Split-gate flash memory array with byte erase operation

Номер патента: US10607703B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Hsuan Liang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

A kind of method for preventing Split-gate flash memory floating boom and wordline residual polycrystalline silicon

Номер патента: CN106876399A. Автор: 徐涛,陈宏�,张博,王卉,孔蔚然,曹子贵,李冰寒,汤志林. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming a floating gate in a flash memory cell

Номер патента: KR100612559B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-11.

Method of forming a floating gate in a flash memory cell

Номер патента: KR100671628B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20200402584A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050173753A1. Автор: Sang-soo Kim,Byung-Sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080035986A1. Автор: Sang-soo Kim,Byung-Sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Programmable Charge Storage Transistor, An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells, Methods Of Forming Si3Nx, Methods Of Forming Insulator Material That Is Between A Control Gate And Charge-Storage Material Of A Programmable Charge-Storage Transistor, Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells, A Programmable Charge-Storage Transistor Manufactured In Accordance With Methods, And An Array Of Elevationally-Extending Strings of Memory Cells Manufactured In Accordance With Methods

Номер патента: US20190326445A1. Автор: Dong Liang,Fei Wang,Jie Li,Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar,Jeffery B. Hull,Zhixin XU,Duo Mao,Ee Ee Eng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-07-15.

Memory Cells, Arrays of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, Methods of Forming an Array of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, and Methods Used in Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20220077149A1. Автор: Sills Scott E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for programming multi-level nitride read-only memory cells

Номер патента: US20070247925A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Arrays Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Comprising A Programmable Charge Storage Transistor

Номер патента: US20180047739A1. Автор: Carter Chet E.,Tessariol Paolo,Roberts Martin C.,Parekh Kunal R.,Chary Indra V.,Dorhout Justin B.,Park Matthew,Greeley Joseph Neil,Meyer Ryan,Shamanna Vinayak. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20150123070A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Arrays of Memory Cells and Methods of Forming an Array of Vertically Stacked Tiers of Memory Cells

Номер патента: US20190189689A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Arrays Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Comprising A Programmable Charge Storage Transistor

Номер патента: US20190229127A1. Автор: Carter Chet E.,Tessariol Paolo,Roberts Martin C.,Parekh Kunal R.,Chary Indra V.,Dorhout Justin B.,Park Matthew,Greeley Joseph Neil,Meyer Ryan,Shamanna Vinayak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-25.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Arrays Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Comprising A Programmable Charge Storage Transistor

Номер патента: US20180286879A1. Автор: Ryan Meyer,Joseph Neil Greeley,Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,Chet E. Carter,Paolo Tessariol,Martin C. Roberts,Matthew Park,Indra V. Chary,Vinayak Shamanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Yamamura Kazuhisa,KOSUGI Kazumasa,KAMADA Shintaro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods of forming an array of elevationally-extending strings of memory cells comprising a programmable charge storage transistor and arrays of elevationally-extending strings of memory cells comprising a programmable charge storage transistor

Номер патента: US10727242B2. Автор: Ryan Meyer,Joseph Neil Greeley,Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,Chet E. Carter,Paolo Tessariol,Martin C. Roberts,Matthew Park,Indra V. Chary,Vinayak Shamanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-12.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20180061840A1. Автор: Sills Scott E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20200219886A1. Автор: Sills Scott E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20190296023A1. Автор: Sills Scott E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

SPLIT GATE FLASH CELL AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140027833A1. Автор: Wang Yimin. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2014-01-30.

Test Line Patterns in Split-Gate Flash Technology

Номер патента: US20170110202A1. Автор: Wu Wei Cheng,Wang Yu-Chen,Lien Jui-Tsung,Chu Fang-Lan,Lin Hong-Da,Chang Ku-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20190198526A1. Автор: Carter Chet E.,Howder Collin,Meyer Ryan M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Greeley Joseph Neil,Ng Wei Yeeng,John Tom J.,Laboriante Ian,Hui Ho Yee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of manufacturing a thin film layer, and method of manufacturing a gate structure, capacitor and flash memory device using the same

Номер патента: KR100667633B1. Автор: 임재순,김기철,이진일,임한진,조규호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-12.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: KR100691932B1. Автор: 홍동균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-09.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: KR100482765B1. Автор: 박상욱,이승철,조정일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-14.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried source line and floating gate, and a memory array made thereby

Номер патента: KR100472163B1. Автор: 후여웬,키아니안소랩. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming a field oxide layer in flash memory device

Номер патента: KR100650815B1. Автор: 이재중. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-27.

Memory array and method of forming a memory array including a string of memory cells

Номер патента: CN112652627A. Автор: Y·J·胡,D·比林斯利,J·D·格林利. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Methods of erasing and designing electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7453736B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-18.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: US20050047198A1. Автор: Jon Slaughter,Bradley Engel,Eric Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-03-03.

Structure and process of manufacture of split gate flash memory cell

Номер патента: US5614746A. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Method of fabricating a self-aligned split gate flash memory cell

Номер патента: US6562673B2. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20040018687A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20030077868A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Low-power reading reference circuit for split-gate flash memory

Номер патента: US20070133275A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Library Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Novel process for preventing the reverse tunneling during programming in split gate flash

Номер патента: US20010016385A1. Автор: Kuei-Wu Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Self-aligned structure with unique erasing gate in split gate flash

Номер патента: US20040241942A1. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Power driven optimization for flash memory

Номер патента: EP3365893A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Micromechanical component and method of its manufacturing

Номер патента: RU2371378C2. Автор: Вольфрам ГАЙГЕР,Уве БРЕНГ. Владелец: Литеф ГмбХ. Дата публикации: 2009-10-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Film manufacturing method

Номер патента: RU2346359C2. Автор: Хайнрих ВИЛЬД,Людвиг БРЕМ,Ахим ХАНЗЕН. Владелец: Леонхард Курц Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Photoconverter manufacturing method

Номер патента: RU2730050C1. Автор: Андрей Александрович Лебедев,Татьяна Владимировна Николаева,Анастасия Александровна Наумова,Наргиза Тухтамышевна Вагапова,Марлен Борисович Каган,Борис Викторович Жалнин,Елена Владимировна Обручева,Сергей Константинович Шаров,Марина Александровна Генали,Сергей Вячеславович Пушко. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Квант". Дата публикации: 2020-08-14.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Mosaic photodetector with limiting efficiency of image conversion: structures and methods of its manufacturing (versions)

Номер патента: RU2731460C1. Автор: Александр Иванович Козлов,Михаил Алексеевич Демьяненко,Виктор Николаевич Овсюк,Андрей Рудольфович Новоселов. Владелец: Андрей Рудольфович Новоселов. Дата публикации: 2020-09-03.

Avalanche photodetector (embodiments) and method of manufacturing thereof (embodiments)

Номер патента: RU2732695C1. Автор: Сергей Витальевич Богданов,Виталий Эммануилович Шубин,Дмитрий Алексеевич Шушаков,Николай Афанасьевич Колобов,Константин Юрьевич Ситарский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Детектор Фотонный Аналоговый" (Ооо "Дефан"). Дата публикации: 2020-09-21.

Method of the three-dimensional multi-crystal module on flexible board manufacturing

Номер патента: RU2657092C1. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Анатолий Иванович Погалов,Евгений Юрьевич Чугунов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2018-06-08.

Multispectral light-sensitive device and method of making said device

Номер патента: RU2512074C1. Автор: Сяопин ХУ. Владелец: БОЛИ МЕДИА КОММУНИКЕЙШНЗ (ШЭНЬЧЖЭНЬ) КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-04-10.

Three dimensional flash memory for integrating and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301110A1. Автор: Bongseok KIM,Yun Heub Song,Inho Nam. Владелец: Iucf Hyu Industry Unversity Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2721306C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Manufacturing Method of Via Hole, Display Substrate, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190311943A1. Автор: Wenlong Wang,Ke Cao,Chengshao Yang,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Substrate for optical device, optical device package, manufacturing method of substrate for optical device, and manufacturing method of optical device package

Номер патента: US20190296195A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Mask manufacturing apparatus and, manufacturing method of mask and, mask for lithography

Номер патента: US20180348651A1. Автор: In Ki Kim,Jun Suk RHO,Heon Yeong JEONG. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2018-12-06.

Core-shell nano particle for formation of transparent conductive film, and manufacturing method of transparent conductive film using the same

Номер патента: US09761344B2. Автор: Seokhee Yoon,Bugon SHIN,Seokhyun Yoon,Jinmi JUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Indium Phosphide Substrate Manufacturing Method and Epitaxial Wafer Manufacturing Method

Номер патента: US20130109156A1. Автор: Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus

Номер патента: KR100401316B1. Автор: 아까히라마꼬또,야마구찌히로미쯔. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-10-10.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Double sidewall short channel split gate flash memory

Номер патента: US20010000153A1. Автор: Seiki Ogura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-05.

Wide tape out of amorphous alloy based on iron and method of its manufacturing

Номер патента: RU2569327C1. Автор: Цзянь ВАН,Пэй ЧЖАО,Цюань ЛИ,Шаосюн ЧЖОУ,Годун ЛЮ,Вэньчжи ЧЭНЬ,Лидун ДИН,Чжиин ЧЖАН. Владелец: Эдванст Текнолоджи Энд Матириалз Ко., Лтд. Дата публикации: 2015-11-20.

Manufacturing method for semi-finished part for electric contacts, semi-finished part and electric contact part

Номер патента: RU2501133C2. Автор: Андреас КРАУС,Хельмут ХАЙНЦЕЛЬ,Эвелин МАЛЕ-МЁСНЕР,Йоханн ВЕНЦ. Владелец: Додуко Гмбх. Дата публикации: 2013-12-10.

Battery and battery manufacturing method

Номер патента: RU2693575C1. Автор: Томотака ХАГИНО,Юта НЕМОТО,Томохиро ОНО,Еити НАРУСЕ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-07-03.

Cooling module and manufacturing method

Номер патента: RU2559214C2. Автор: БОРК Феликс ФОН,Бьерн ЭБЕРЛЕ. Владелец: Акасол Гмбх. Дата публикации: 2015-08-10.

Manufacturing method of high purity manganese sulphate from the waste liquid of battery recycling process

Номер патента: US09954258B2. Автор: Young Jun Song. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Kangwon National University. Дата публикации: 2018-04-24.

Superconductive wire and method of its manufacturing

Номер патента: RU2332737C2. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ,Косо ФУДЗИНО,Маса КОНИСИ,Масая КОНИСИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-08-27.

Manufacturing method of thin band from magnetically soft alloy and band obtained by this method

Номер патента: RU2630737C2. Автор: Тьери ВЭКЕРЛЬ,Реми БАТОННЕ. Владелец: Аперам. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of ignitor manufacture and ignitor

Номер патента: RU2406196C2. Автор: Орельен ЖАНКОВИАК,Филипп БЛАНШАР,Франсуа КОЛЛАРДЭ. Владелец: Вибро Метер Франс. Дата публикации: 2010-12-10.

Manufacturing method of electrode plate, manufacturing method of secondary battery, electrode plate, and secondary battery

Номер патента: US20230042958A1. Автор: Kentaro Tsukamoto,Yoshifumi Magari. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Manufacturing method of dielectric waveguide radio-frequency device

Номер патента: US20240304977A1. Автор: Bin Lin,Hetian Hou,Haoji Wang,Tianyi Sui. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing device of packed electrode and manufacturing method of packed electrode

Номер патента: RU2540407C1. Автор: Хироси ЮХАРА,Манабу ЯМАСИТА,Такахиро ЯНАГИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-02-10.

Manufacturing method of magnets from rare-earth metals

Номер патента: RU2538272C2. Автор: Такеси ЯМАМОТО,Норитака МИЯМОТО,Тецуя СЁДЗИ,Синья ОМУРА,Дайсюкэ ИТИГОДЗАКИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-01-10.

Coupling mechanism for fluid medium pipelines, its manufacturing method, and fuel cell system including coupling mechanism for fluid medium pipelines

Номер патента: RU2404391C1. Автор: Тору НАКАКУБО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-11-20.

Fuse manufacturing method and fuse

Номер патента: US20180122606A1. Автор: Mitsuru Ando,Yoshinobu Miyata. Владелец: Pacific Engineering Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Particle aggregate manufacturing method, electrode plate manufacturing method, and particle aggregate

Номер патента: US11998888B2. Автор: Takenori Ikeda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Fuse unit and method of manufacturing fuse unit

Номер патента: US10510505B2. Автор: Masahiro Kimura,Toshihisa Iwakura. Владелец: Pacific Engineering Corp. Дата публикации: 2019-12-17.

Fuse unit and method of manufacturing fuse unit

Номер патента: US20180301307A1. Автор: Masahiro Kimura,Toshihisa Iwakura. Владелец: Pacific Engineering Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells

Номер патента: US9633735B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for erasing split-gate flash memory

Номер патента: US5978274A. Автор: Lin-Song Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Manufacturing method of split-gate flash memory

Номер патента: CN105514046A. Автор: 徐涛,陈宏�,王卉,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-04-20.

[split gate flash memory cell and manufacturing method thereof]

Номер патента: US20050037566A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Layout and mask of split-gate flash memory and layout manufacturing method

Номер патента: CN110828463B. Автор: 陈宏�. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

Low-power reading reference circuit of split-gate flash memory

Номер патента: TW200723285A. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Libarary Company. Дата публикации: 2007-06-16.

High density flash memory device , cell string fabricating method thereof

Номер патента: US20100038698A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2010-02-18.

High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof

Номер патента: WO2008069539A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2008-06-12.

A split gate flash memory cell with self-aligned process

Номер патента: TW454344B. Автор: Len-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell

Номер патента: KR100269509B1. Автор: 게니치 오야마. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing split gate flash memory cell

Номер патента: JPH10335498A. Автор: Kenichi Koyama,健一小山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

Split Gate Flash Memory Cell Structure

Номер патента: KR100299595B1. Автор: 슈 야우-카에. Владелец: 유나이티드 마이크로일렉트로닉스 코퍼레이션. Дата публикации: 2001-10-27.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Split-gate flash memory array with byte erase operation

Номер патента: EP3794594B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Hsuan Liang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method of manufacturing in Split gate flash memory device

Номер патента: KR100435261B1. Автор: 박재현,박상욱,김진우,김대근,유재민,조민수,김용희,권철순,김주찬,이돈우,류의열,김국민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-06-11.

Split gate flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: EP3629331A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-01.

Split gate flash memory and preparation method thereof

Номер патента: CN110911414B. Автор: 王卉,付博,曹启鹏. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-06-02.

Split gate flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: WO2016118238A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-28.

Split-gate flash memory device and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: WO2022041768A1. Автор: 李小红,张松,刘群,梁志彬,王德进,金炎. Владелец: 无锡华润上华科技有限公司. Дата публикации: 2022-03-03.

Split gate flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: EP3629331B1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Method of fabricating uniform tunnel dielectric for embedded flash memory cells

Номер патента: CN107039452B. Автор: 黄仲仁,杨宗谕,潘瑞彧,徐丞伯,林敬儒,吴云骥,屈岳杰. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-21.

Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device

Номер патента: KR100945469B1. Автор: 야마자키순페이,무라카미마사카즈,오타니히사시,쿠와바라히데아키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2010-03-05.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US10997020B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230359524A1. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US11740967B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming split-gate flash cell for salicide and self-align contact

Номер патента: US6284596B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-09-04.

Programmable metallization memory cell with planarized silver electrode

Номер патента: US20120142169A1. Автор: Yang Dong,WEI Tian,DeXin Wang,Ming Sun,Dimitar V. Dimitrov,Venugopalan Vaithyanathan,Muralikrishnan Balakrishnan,Ivan Petrov Ivanov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Memory cell and method of forming a magnetic tunnel junction (MTJ) of a memory cell

Номер патента: CN101911326B. Автор: 升·H·康,顾时群,马修·M·诺瓦克. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

Method to form self-aligned split gate flash with L-shaped wordline spacers

Номер патента: US6784039B2. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Method of producing cylinderical storage node of stacked capacitor in memory cell

Номер патента: KR100227771B1. Автор: 하루오 이와사끼. Владелец: 닛본덴기 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-11-01.

Method of improving erase voltage distribution for a flash memory array having dummy wordlines

Номер патента: US20060007752A1. Автор: Zhigang Wang,Nian Yang,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-01-12.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020011608A1. Автор: Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: EP3245018A1. Автор: Urban Harrysson. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-11-22.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Anirban Roy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-23.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US09449707B2. Автор: Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Molded part, molded part manufacturing method, method of molded part gluing with object and application of fabric or unidirectional fabric

Номер патента: RU2742777C1. Автор: Карстен ФОЛЬКМАНН. Владелец: Ако Зеверин Альманн Гмбх Унд Ко Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of predicting hydrogen content in steel of steel strip, method of controlling hydrogen content in steel, manufacturing method, method of forming prediction model of hydrogen content in steel, and device that predicts hydrogen content in steel

Номер патента: US20230313355A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Soshi Yoshimoto,Maiko HIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Polymer particle manufacturing method, method of obtaining liquid mixture including polymer particles and organotellurium compound, tellurium recovery method, and dispersion of polymer particles

Номер патента: US20230295384A1. Автор: Masatoshi Tosaka,Shigeru Yamago. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of operating memory involving identifiers indicating repair of a memory cell

Номер патента: US20150262716A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of operating physically unclonable function circuit, physically unclonable function circuit and semiconductor chip

Номер патента: US11366604B1. Автор: Yu-Syuan Lin,Cheng-Hsiao Lai,Ming-Jen Chang,Yung-Tsai Hsu,Ying-Ting Lin,Chi-Fa Lien,Ko-Chin Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US6815322B2. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20040014283A1. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-22.

Three-dimensional flash memory having improved degree of integration, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12120872B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Mask rom structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040077131A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Integral frame structure from the layered polymer composite material, method of its manufacturing and tooling for the method implementation

Номер патента: RU2664043C2. Автор: Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Владимир Владимирович Агапов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Сергей Александрович Гордеев,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро "Пластик". Дата публикации: 2018-08-14.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Manufacturing method of a flash memory cell

Номер патента: US20060216893A1. Автор: Leo Wang,Cheng-Tung Huang,Saysamone Pittikoun,Chao-Wei Kuo,Chien-Chih Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Method of the heating unit manufacturing intended for use with the liquid filled cartridge

Номер патента: RU2655184C2. Автор: Флавьен ДЮБЬЕФ,Мишель Торанс,Алексис Луве,Иван Дегумуа. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070281417A1. Автор: Daniel Koehler,Peter Baars,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Joern Regul. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory block and buried layer manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290386A1. Автор: Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Current lead (versions), current lead section (versions), coupling for connection of current lead sections and manufacturing method of current lead section and coupling

Номер патента: RU2439764C1. Автор: Николай Даниелян,Фатыма Ферхатовна Яшина. Владелец: Фатыма Ферхатовна Яшина. Дата публикации: 2012-01-10.

Betatron structure and betatron structure manufacturing method

Номер патента: RU2434369C2. Автор: Феликс К. ЧЕН,Джойс ВОНГ,Гари В. КОРРИС,Стефен С. БАЛКУНАС,Цзылу ЧЖОУ,Джеймс ХОГ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2011-11-20.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing crystal element and crystal resonator manufactured thereby

Номер патента: US20100327987A1. Автор: Takehiro Takahashi. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Display device and manufacturing method

Номер патента: WO2013119009A1. Автор: Jong Won Lee,Chang Ho Cho,Sung Ki Min,Dong Hee Shim,Sang Yoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-15.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of printed-circuit boards and device for production of conducting circuit

Номер патента: RU2697508C1. Автор: Эдуард Владимирович Репницын. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа"). Дата публикации: 2019-08-15.

Manufacturing method of textured printed-circuit board

Номер патента: RU2604721C1. Автор: Сергей Владимирович Мартынов,Юрий Федорович Воронцов,Людмила Тимофеевна Захарова,Анатолий Григорьевич Полиенко,Денис Александрович Лучкин,Валентина Алексеевна Тетерева. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2016-12-10.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

System And Method To Inhibit Erasing Of Portion Of Sector Of Split Gate Flash Memory Cells

Номер патента: US20160027517A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

System and method for reducing disturbances during programming of split gate flash memory cells

Номер патента: EP3143625A1. Автор: Anh Ly,Jinho Kim,Viktor Markov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells

Номер патента: EP3172733A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-31.

System and method for reducing disturbances during programming of split gate flash memory cells

Номер патента: KR101752617B1. Автор: 김진호,안 리,빅토르 마르코브. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2017-06-29.

Erase method of split gate flash memory reference cells

Номер патента: US6711062B1. Автор: Shao-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-03-23.

Wordline decoder of split-gate flash memory

Номер патента: KR100476889B1. Автор: 심성훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-17.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method Of Operating A Split Gate Flash Memory Cell With Coupling Gate

Номер патента: US20140198578A1. Автор: Tadayoni Mandana,Do Nhan,Tkachev Yuri,Cuevas Elizabeth A.,"Ommani Henry A.". Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

Lay out structure of split-gate type flash memory

Номер патента: KR100316062B1. Автор: 김성래,한영수,왕종현. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-19.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Driving system and driving method of display panel

Номер патента: US12067926B2. Автор: BO XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Remapping memory cells based on future endurance measurements

Номер патента: US09442838B2. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

System and method for inhibiting erasure of a portion of a sector of a split gate flash memory cell

Номер патента: JP6532522B2. Автор: ジンホキム,ニャンドゥ,ユリトカチョフ,カイマンユエ,カイマンユエ,シャオチョウチャン,ニンバイ. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods of driving a memory

Номер патента: US9105339B2. Автор: Jun-Jin Kong,Moshe Twitto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-11.

Method and apparatus for recovering deleted data on low flash memory formatted with ubifs

Номер патента: US20240281333A1. Автор: WOO Sung Yun,Sang Jin Lee,Youngki Jung,Junho Kim,Jungheum PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of controlling program operation of flash memory device with reduced program time

Номер патента: US20070002614A1. Автор: Byoung Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Color filter manufacturing method, color filter manufacturing apparatus, color filter, method of planarizing surfaces of colored portions of color filter, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having the display device, method of manufacturing display device panel, apparatus for manufacturing display device panel, ink amount determining method, and ink amount determining apparatus

Номер патента: KR100408459B1. Автор: 후지이께히로시,사또히로시,가시와자끼아끼오,이와따겐이찌,니시아끼오. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-06.

Programming method suitable for split gate flash memory

Номер патента: CN108257638B. Автор: 杨光军. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-01-29.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Flash memory controller that can quickly enter power saving mode after entering idle state, associated flash memory device, and associated control method

Номер патента: US20240176517A1. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Driving system and driving method of display panel

Номер патента: US20240013701A1. Автор: BO XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory and a method of writing data thereto

Номер патента: US5400280A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Method of forming well pick up in a flash memory cell

Номер патента: KR100600330B1. Автор: 김기석,유영선,이영복,장상환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220223223A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200395094A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210118520A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230245710A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US11804279B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20130250696A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12009046B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of programming data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20240212761A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240127898A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonconsecutive sensing of multilevel memory cells

Номер патента: US20180342303A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of measuring threshold voltage for a NAND flash memory device

Номер патента: TWI254800B. Автор: Doe-Cook Kim,Jin-Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Apparatus and methods of programming memory cells using adjustable charge state level(s)

Номер патента: US9336083B2. Автор: Bruce A. Liikanen,John L. Seabury. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

NEUROMORPHIC MEMORIES WITH SPLIT GATE FLASH MULTI-LEVEL CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Zhang Fan,Tan Shyue Seng,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu,SIAH Soh Yun,CHAN Tze Ho Simon. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR20170132714A. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2017-12-04.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR102465220B1. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory cell with high-k antifuse for reverse bias programming

Номер патента: WO2007005273A1. Автор: James M. Cleeves. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-11.

Memory apparatus and method of evenly using the blocks of a flash memory

Номер патента: CN101458956A. Автор: 张文忠,林建成. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Operation method of memory device

Номер патента: US20240079069A1. Автор: Jun-Ho SEO,Hyeyoung Hong,Seongyong KIM,Miju YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

NOR flash memory device with a serial sensing operation and method of sensing data bits in a NOR flash memory device

Номер патента: US7773419B2. Автор: Young-Ho Lim,Dae-Han Kim,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-10.

Programming methods of memory systems having a multilevel cell flash memory

Номер патента: US7755950B2. Автор: Jin-Hyeok Choi,Jae-Sung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-13.

Programming and erasing method for a split gate flash EEPROM

Номер патента: TW413818B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Di-Sheng Guo,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-01.

Planar substrate structuring method, planar substrate manufacturing method, method of electrically contacting parts

Номер патента: JP4528124B2. Автор: クエンザー，ハンス−ヨアヒム,シュルツ，アルネ，ヴァイト,メルツ，ピーター. Владелец: フラウンホファーゲセルシャフトツールフェールデルンクダーアンゲヴァンテンフォルシュンクエー．ファオ．. Дата публикации: 2010-08-18.

SYSTEMS AND METHODS TO MITIGATE PROGRAM GATE DISTURB IN SPLIT-GATE FLASH CELL ARRAYS

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Roy Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Low Leakage, Low Threshold Voltage, Split-Gate Flash Cell Operation

Номер патента: US20140269062A1. Автор: Kim Jinho,Do Nhan,Tkachev Yuri,KOTOV Alexander,Yoo Jong-Won,Lemke Steven Malcolm. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Anti-cd22 antibodies; polynucleotides that encode them; vector and host cell that includes them; manufacturing method; method of detecting the antibody in a biological sample; immunoconjugate comprising the antibody; composition that comprises it and its use to treat proliferative cell disorders b.

Номер патента: CL2007001536A1. Автор: Yan Wu,Wei-Ching Liang,Jr Allen J Ebens,Shang-Fan Yu,Alane M Gray. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2008-01-25.

METHOD OF READING PAGE DATA OF A NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150193157A1. Автор: Hwang Sun-Mo. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

The redundancy redundant guard method of write error in a kind of flash memory main control module

Номер патента: CN109947374A. Автор: 陈育鸣,李庭育,洪振洲,魏智汎. Владелец: Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-28.

Method of Controlling a Program Control of a Flash Memory Device

Номер патента: US20090285025A1. Автор: Gi Seok Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

METHODS OF OPERATING MEMORY INVOLVING IDENTIFIERS INDICATING REPAIR OF A MEMORY CELL

Номер патента: US20150262716A1. Автор: Hendrickson Nicholas. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of adjusting read voltages for a nand flash memory device

Номер патента: KR101429184B1. Автор: 황선모,한승현. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2014-08-12.

Method of managing and writing log file for flash memory

Номер патента: KR100939814B1. Автор: 정무경,안대현,하신수. Владелец: 주식회사 휴원. Дата публикации: 2010-02-02.

Program method of blocking program error for multi bit flash memory device

Номер патента: KR100794311B1. Автор: 이승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-11.

Method of operating an integrated circuit having at least one memory cell

Номер патента: US7688634B2. Автор: Andreas Kux,Detlev Richter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-03-30.

Method of apparatus for preventing overtunneling in pfet-based nonvolatile memory cells

Номер патента: AU2003256994A1. Автор: Christopher J. Diorio,Alberto Pesavento,Shail Srinivas,Chad Lindhorst,Troy Gilliland. Владелец: Impinj Inc. Дата публикации: 2004-04-30.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Aircraft with intermittent braces and manufacturing method

Номер патента: RU2435701C1. Автор: Лоран ГОТИ,Филипп БЕРНАДЕТ. Владелец: Эрбюс Операсьон (С.А.С). Дата публикации: 2011-12-10.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of the component with abradable coating

Номер патента: RU2646656C2. Автор: Лоран ФЕРРЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2018-03-06.

Sealing device manufacturing method (versions)

Номер патента: RU2256114C2. Автор: Джон В. КОСТИ,Джон М. ЛЕНЕР,Майкл А. МАКИСААК. Владелец: Сен Гобен Перформанс Плэстикс Корпорейшн. Дата публикации: 2005-07-10.

Method of sliding bearing manufacturing

Номер патента: RU2741972C2. Автор: Владимир Васильевич Быков,Вениамин Семенович Найман,Виктор Юрьевич Прохоров,Никита Владиславович Синюков,Сергей Васильевич Тащилов. Владелец: Виктор Юрьевич Прохоров. Дата публикации: 2021-02-01.

Simplified method of making part, part produced by means of such manufacturing method, and method of selection between simplified and not simplified manufacturing method

Номер патента: RU2732552C2. Автор: Пьер КОЛЕН,Ив БОННМАЙР. Владелец: Пса Отомобиль Са. Дата публикации: 2020-09-21.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Granule manufacturing method, granule, catalyst loading

Номер патента: RU2747993C2. Автор: Бёнквон ЧХВЭ,Чонкван КИМ,Чонсок ПЭ,Андреас ТИЛЬМАНН,Ларс ТОРКУЛЬ,Дидье БЕТОН,Робин КОЛЬВЕНБАХ. Владелец: Алантум Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-05-18.

Manufacturing method of arched blade of clippers, blade of clippers, and clippers manufactured with this method

Номер патента: RU2381728C1. Автор: Дзеонг Сик ХАН,Гиоунг Хее КИМ. Владелец: Гиоунг Хее КИМ. Дата публикации: 2010-02-20.

Method of manufacturing sterilised and calibrated medical device based on biosensor (versions)

Номер патента: RU2357759C2. Автор: Мария ТЕОДОРЧИК. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Manufacturing method of stator component (versions)

Номер патента: RU2362886C2. Автор: Ян ЛУНДГРЕН,Матс ХАЛЛЬКВИСТ. Владелец: Вольво Аэро Корпорейшн. Дата публикации: 2009-07-27.

Manufacturing method of shoe for brake lining

Номер патента: RU2557124C2. Автор: Томас ЯНСЕР. Владелец: Рм Белагтрегер Гмбх. Дата публикации: 2015-07-20.

Manufacturing method of bath

Номер патента: RU2651859C1. Автор: Вадим Евгеньевич Казанцев. Владелец: Вадим Евгеньевич Казанцев. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of knitted berets

Номер патента: RU2715878C1. Автор: Юлия Геннадиевна Фомина,Владимир Михайлович Апарин. Владелец: Владимир Михайлович Апарин. Дата публикации: 2020-03-03.

Manufacturing method of consumable electrode

Номер патента: RU2382826C1. Автор: Петр Семенович Альтман,Анатолий Егорович Гончаров. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2010-02-27.

Paper with high extent of counterfeit protection and method of its manufacturing

Номер патента: RU2409473C2. Автор: Шилпан Правинчандра ПАТЕЛ. Владелец: Эрроу Коутид Продактс Лтд. Дата публикации: 2011-01-20.

Liquid-permeable device, refrigerator and method of manufacture of such device

Номер патента: RU2644593C1. Автор: Минь Ли,Эньвэй ДИН,Госинь ЮЙ,Вэйин ЧЖАН,Айминь ВАН,Юншэн СУНЬ,Жуйтао ТАО. Владелец: Циндао Хайер Джойнт Сток Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-02-13.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of manufacturing color filter, color filter, image display device and electronic apparatus

Номер патента: US20090136653A1. Автор: Junichi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacture of ceramic material of high density with use of hexagonal boron nitride

Номер патента: RU2662488C1. Автор: Дзянфэн ЧЖАН,Юипин У,Гайе ЛИ,Шен ХУН,Вэнмин ГУО. Владелец: Хохай Юнивесити. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Manufacturing method of constructional element for aircraft industry, which includes differential cold hammering

Номер патента: RU2440438C2. Автор: Фабрис ЭЙМЕ,Армель ДАНИЕЛУ,Филипп ЛЕКЕ. Владелец: Алкан Реналю. Дата публикации: 2012-01-20.

Shoe insert for footwear and method of manufacturing it

Номер патента: RU2743545C1. Автор: Юрий Олегович Фомушкин. Владелец: Юрий Олегович Фомушкин. Дата публикации: 2021-02-19.

Method and device for control over manufacturing mode of pipe manufactured by electric welding by resistance method, and manufacturing method of such pipe

Номер патента: RU2682511C1. Автор: Такатоси ОКАБЕ,Тосифуми КОДАМА,Суити САТО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of manufacturing supporting substrate and led display device

Номер патента: RU2591771C1. Автор: Ся ЛАНЬ. Владелец: Бейджин Глукс Криэйтив Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-07-20.

Bionic implants and their manufacturing methods

Номер патента: RU2747014C2. Автор: Артур Фрыдрыхевич. Владелец: Аф Практыка Стоматологична Артур Фрыдрыхевич. Дата публикации: 2021-04-23.

Closure device for container neck (versions) and manufacturing method of closure device (versions)

Номер патента: RU2701615C1. Автор: Александер Дональд Мейклем МАКФЕРСОН,Дэвид Конуэй РИЧАРДСОН. Владелец: Обрист Кложерс Свитселэнд Гмбх. Дата публикации: 2019-09-30.

Heat exchanger and method of its manufacture, heat exchanger module, heat exchanger and heat source block

Номер патента: RU2642932C1. Автор: Ян Сюй,Цзин Ян,Мустафа К. ЯНИК. Владелец: Данфосс Майкро Ченл Хит Иксчейнджер (Цзясин) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-29.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Nand flash memory programming

Номер патента: US20100202217A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

NAND flash memory programming

Номер патента: US20080049518A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001029668A1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-04-26.

Sequence detection for flash memory with inter-cell interference

Номер патента: US20130107622A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US20160064092A1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Manufacturing method of refrigerant fabric and refrigerant fabric manufactured by the method

Номер патента: US20180100265A1. Автор: Seok Man GANG. Владелец: Sejong Tf Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US09401217B2. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Manufacture method of samples for linking tribotechnical tests of "shaft-insert" type

Номер патента: RU2627397C1. Автор: Алексей Михайлович Мезрин,Борис Ярославович Сачек. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (ИПМех РАН). Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing methods of products from aluminium alloys of aa2000 series

Номер патента: RU2443798C2. Автор: Эндрю НОРМАН,Сунил КХОСЛА,СХОНЕВЕЛТ Хуго ВАН. Владелец: Алерис Алюминум Кобленц Гмбх. Дата публикации: 2012-02-27.

Nanocomposite electrochemical capacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2518150C2. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Александр Петрович Кубышкин,Сергей Иванович Сиротин,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли. Владелец: ЮГ Инвестмент Лтд.. Дата публикации: 2014-06-10.

Laminated sheet and fixed laminated sheet and their manufacture method and method of use

Номер патента: RU2684368C2. Автор: Йосиаки Нецу. Владелец: Дай Ниппон Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-08.

Manufacturing method of combustible heat source with barrier

Номер патента: RU2632280C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2017-10-03.

Probe for scanning probe microscopy and method of its manufacturing (embodiments)

Номер патента: RU2660418C1. Автор: Сергей Владимирович Макаров,Иван Сергеевич Мухин,Иван Сергеевич Синев,Антон Кириллович Самусев,Филипп Эдуардович Комиссаренко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-07-06.

Manufacturing method of rotors of ball gyroscopes

Номер патента: RU2713033C1. Автор: Александр Юрьевич Филиппов,Александр Григорьевич Щербак,Даниил Павлович Елисеев,Сергей Николаевич Федорович,Татьяна Георгиевна Леонова. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2020-02-03.

Manufacturing method of briquettes with direct usage of coal with wide particle distribution by dimensions, method and facility with usage of this method

Номер патента: RU2353660C2. Автор: Чанг-О КАНГ,Гьюн Донг ПАРК,Ху Гьюн ЛИ,Джин Чан БАЕ,Хо Сик АН,Нам Хван ХЕО,Чанг Ил СОН,Джин Хо РЬЮ. Владелец: Поско. Дата публикации: 2009-04-27.

Manufacturing method of piston pin and piston pin, manufactured by this method

Номер патента: RU2356680C1. Автор: Роберт ВЕЙСС,Стивен БЭНГЗ,Джеймс ИНГДЭЛ,Пол ФЕКТО. Владелец: Бургесс-Нортон Мфг. Ко.. Дата публикации: 2009-05-27.

Tubular part with threaded element on each end and method of its manufacture

Номер патента: RU2334076C2. Автор: Жан-Люк КУЛОН,Жан-Клод МИКМАНД,Жан-Люк КУЛОН (FR),Жан-Клод МИКМАНД (FR). Владелец: Валлурек Маннесманн Ойл Энд Гэс Франс. Дата публикации: 2008-09-20.

Gear transmission with arched engagement and manufacturing method of gear wheel with internal teeth of arched form

Номер патента: RU2700221C2. Автор: Евгений Николаевич Захаров. Владелец: Евгений Николаевич Захаров. Дата публикации: 2019-09-13.

High strength antifriction composite based on polyetheretherketone for medicine and method of its production

Номер патента: RU2729653C1. Автор: Сергей Викторович Панин,Людмила Александровна Корниенко,Владислав Олегович Алексенко,Дмитрий Геннадьевич Буслович,Дык Ань Нгуен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2020-08-11.

Fluid ejection head and manufacturing method of substrate for fluid ejection head

Номер патента: RU2373067C1. Автор: Хироюки АБО,Мицуру ТИДА,Тосиясу САКАИ,Нориясу ОЗАКИ,Казуя АБЕ,Кендзи ОНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-11-20.

Manufacturing method of comb of lip screen and a comb manufactured by this method

Номер патента: RU2683372C1. Автор: Леонид Александрович Клаузер. Владелец: Леонид Александрович Клаузер. Дата публикации: 2019-03-28.

Polymer end cap, method of its manufacture, method of protection of hollow cylindrical product and product with an installed cap

Номер патента: RU2659010C1. Автор: Денис Николаевич Сницарь,Дмитрий Викторович Чернусский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мехсервис". Дата публикации: 2018-06-26.

Shoe and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2370191C2. Автор: Айнер ТРУЭЛСЕН,Айнер ТРУЭЛСЕН (DK). Владелец: Экко Ско А/С. Дата публикации: 2009-10-20.

Multilayer composite products and their manufacturing methods

Номер патента: RU2752490C2. Автор: Джеймс БЁРНС,Том ОДУМ,Джей ВЕКСИ,Джин БРАЙЕР,Дерек БАСС. Владелец: Шо Индестриз Груп, Инк.. Дата публикации: 2021-07-28.

Treatment technique of tobacco extract solution for removing of magnesium ions, manufacturing method of tobacco recycling material and restored tobacco material

Номер патента: RU2342059C2. Автор: Хиромити МУТО,Кодзи ТОРИКАИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2008-12-27.

Bimetallic current-conducting rail and method of its manufacturing

Номер патента: RU2714470C1. Автор: Игорь Венедиктович Данилов,Иосиф Сергеевич Гершман,Андрей Владимирович Сазанов. Владелец: Игорь Венедиктович Данилов. Дата публикации: 2020-02-17.

Manufacturing method of photorefrective lights

Номер патента: RU2657323C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Игорь Касьянович Мешковский,Сергей Викторович Буреев,Марина Константиновна Цибиногина,Александр Валентинович Комаров,Егише Вавикович Тер-Нерсесянц. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НПО ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-06-13.

Manufacture method of quantum dots printing ink and quantum dots printing ink manufactured with the manufacture method

Номер патента: US20180100079A1. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Manufacturing Method of Black Vinegar and Black Vinegar Manufactured by the Method

Номер патента: US20090047383A1. Автор: Yasushi Ogasawara,Hirofumi Akano,Yoshiaki Otsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Improved read mode for flash memory

Номер патента: EP1908077A2. Автор: Hounien Chen,Nancy S. Leong. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-09.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, manufacturing method of chemical liquid, and manufacturing method of chemical liquid storage body

Номер патента: US10884338B2. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Flash memory vds compensation techniques to reduce programming variability

Номер патента: WO1998044510A1. Автор: Stephen N. Keeney. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1998-10-08.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Manufacturing method of optical devices

Номер патента: US20050170084A1. Автор: Kazumasa Adachi,Motoo Takada. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Manufacturing method of 1,4-dioxane derivative, 1,4-dioxane derivative, composition containing 1,4-dioxane derivative, and manufacturing method of (1,3-dioxolane)-2- carboxylic acid derivative, (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative, and composition containing (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative

Номер патента: US20240246925A1. Автор: Daisuke Inoue,Hiroaki Adachi,Yusuke SESOKO,Munenori Inoue,Tatsuya Ueji. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with a memory capable of batch erasing a plurality of sectors and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087364B2. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing of forged aluminum wheel

Номер патента: US12115575B2. Автор: Sung Yoon,Gwan Muk KIM. Владелец: St Enter Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Manufacturing method of organic zinc catalyst and manufacturing method of polyalkylene carbonate resin

Номер патента: US09751981B2. Автор: Seung Young Park,Hyun Ju Cho,Sung-Kyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Steel wire rod for bearing steel, manufacturing method of steel wire rod for bearing steel, heat treatment method of steel bearing, steel bearing and soaking method of bearing steel

Номер патента: US09593389B2. Автор: Kwan-Ho Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Reduced voltage nonvolatile flash memory

Номер патента: US09424938B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Sound absorption material having excellent absorption characteristics and the method of its manufacture

Номер патента: RU2641875C2. Автор: Дзунг Воок ЛИ,Кие Йоун ДЗЕОНГ,Бонг Хиун ПАРК,Хио Сеок КИМ,До Хиун КИМ,Чи Хун КИМ. Владелец: Торэй Кемикал Корея Инк.. Дата публикации: 2018-01-22.

Bioresorable biological matrix for substitution of bone tissue defects and method of its obtaining

Номер патента: RU2665962C1. Автор: Владимир Георгиевич Нестеренко,Алексей Владимирович Веремеев,Роман Николаевич Болгарин,Антон Геннадиевич КУТИХИН. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Матрифлекс". Дата публикации: 2018-09-05.

Pipe and pipe manufacturing method

Номер патента: RU2732395C2. Автор: Кристер ВИКМАН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2020-09-16.

Manufacturing method of detail from steel with coating, allowing ultrahigh durability after thermal treatment

Номер патента: RU2371519C2. Автор: Жак ДЕВРОК,Жан-Пьер ЛОРАН. Владелец: АРСЕЛОР Франс. Дата публикации: 2009-10-27.

Absorbing product manufacturing method

Номер патента: RU2692922C1. Автор: Хироми ХАГИТА. Владелец: ЮНИЧАРМ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-06-28.

Candle, giving flame colour and method of making same

Номер патента: RU2591851C2. Автор: Синь ЛВ. Владелец: Цзяньдэ Цзясюань Артиклз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-07-20.

Uv curable polymer composition, sliding coupling and manufacturing method of sliding coupling

Номер патента: RU2586217C1. Автор: Тадахико КАРАКИ,Кунихиро МАЦУМОТО,Коитиро САГИЯМА. Владелец: Минебеа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-06-10.

Electrochemical manufacture method of tungsten silicide powder

Номер патента: RU2629190C2. Автор: Хасби Билялович Кушхов,Марина Нургалиевна Адамокова,Рузана Мухамедовна Мамхегова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2017-08-25.

Manufacturing method of electrochemical energy converter, and electrochemical energy converter

Номер патента: RU2502158C2. Автор: Збигнев МАГОНСКИ,Барбара ДЖЮРДЖЯ. Владелец: АГХ Научно-технический университет. Дата публикации: 2013-12-20.

Sample for the reinforcing threads and polymer binder adhesion connection strength determining and its manufacturing method

Номер патента: RU2683106C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Юрий Валентинович Антипов,Павел Михайлович Хавалкин. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения" (АО "ЦНИИСМ"). Дата публикации: 2019-03-26.

Manufacturing method of metal rod reinforced with fibres, and obtained rod

Номер патента: RU2495286C1. Автор: Ришар МАССОН,Патрик ДЁНЛЕАВИ,Жан-Мишель ФРАНШЭ,Жиль КЛЕН. Владелец: Мессье - Бюгатти - Довти. Дата публикации: 2013-10-10.

Manufacturing method of nanometre, monodisperse and stable metallic silver and products obtained from it

Номер патента: RU2430169C2. Автор: ПЕРЕС Рикардо БЕНАВИДЕС,РОХАС Хосе Гертрудис БОКАНЕГРА,МАРТИНЕС Хесус Мануэль МАРТИНЕС,Факундо РУИС,ДУРАН Алма Гвадалупе ВАСКЕС,КАСТАНЬОН Габриэль Алехандро МАРТИНЕС. Владелец: Сервисьос Административос Пеньолес С.А. Де К.В.. Дата публикации: 2011-09-27.

Printing material with protection against forgery with thermally transferred pattern, special foil for thermal transfer and manufacturing method of such material

Номер патента: RU2539342C1. Автор: Фэй ЧЭНЬ,Минфа ЧЭНЬ. Владелец: Ханьнань Ппк Нетворк Текнолоджи Ко. Лтд. Дата публикации: 2015-01-20.

Fuel assembly manufacturing method

Номер патента: RU2732730C1. Автор: Николай Михайлович Лебедев,Михаил Григорьевич Зарубин,Александр Владимирович Струков,Александр Николаевич Грот,Илья Владимирович Мокшин,Дмитрий Александрович Красильников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Александра-Плюс". Дата публикации: 2020-09-22.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Systems and methods of on demand manufacturing of customized products

Номер патента: WO2011140568A3. Автор: Darrin G. HEGEMIER,Darryl R. Kuhn,Frank M. Tyneski,David M. Peace. Владелец: Skinit, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of manufacturing panel, panel and furniture comprising panel

Номер патента: AU2021374545B2. Автор: Luhao Leng. Владелец: New Tec Integration Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of aircraft member

Номер патента: EP4071258A1. Автор: Hiroki Mori,Takayuki Takahashi,Yoshihito Kawamura,Michiaki Yamasaki,Minami Sasaki. Владелец: Kumamoto University NUC. Дата публикации: 2022-10-12.

Manufacturing method of tire having sensor container and tire manufactured by the same

Номер патента: US20230036044A1. Автор: Byung Lip Kim,Kwang Yong Lee. Владелец: Hankook Tire and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of additive manufacturing for manufacturing molds an additive manufacturing system for manufacturing molds

Номер патента: EP4400243A1. Автор: Jose Antonio DIESTE MARCIAL,Alberto LAGUIA PEREZ,Iván MONZON CATALAN,Berta GONZALVO BAS,Pascual Gracia Aranega,Alejandro MARQUÉS PAOLA. Владелец: Fundacion AITIIP. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of manufacturing double layer type transmission planetary gear carrier and planetary gear carrier manufactured by the same

Номер патента: US20200232553A1. Автор: Hyung-Sop Yoon,Young-Ji Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method, manufacturing apparatus, data processing method, data processing apparatus, data carrier

Номер патента: EP3221127A1. Автор: Hans Kimblad,Cornelia OLSÉRIUS,Ralf CARLSTRÖM,Bo ROSENQUIST. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-09-27.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of manufacturing articles utilizing foam particles

Номер патента: US20240253300A1. Автор: Denis Schiller,Krissy Yetman,Jay CONSTANTINOU,Harleigh Doremus,Luis FOLGAR,Brandon KVAMME. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Beef jerky and manufacturing method therefor

Номер патента: NL2035187B1. Автор: Chen Hao,WANG Chunjie,Huasai Simujide,Chen Aorigele. Владелец: Univ Inner Mongolia Agri. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of manufacturing rust-preventing cover

Номер патента: US6053998A. Автор: Haruyuki Yamazaki,Makoto Nitta. Владелец: Nihon Sekiso Kogyo Ltd. Дата публикации: 2000-04-25.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Capacitance coupling parameter estimation in flash memories

Номер патента: US09934867B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Meysam Asadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of alignment layer and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US09880423B2. Автор: Xiao Xin,Feifei Zhang,Wenpeng ZHANG,Xing Qin,Peiqiang GUAN,Xiaohui Yi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Three-layer wall panel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2655489C1. Автор: Владимир Викторович Молодин,Владимир Викторович Уткин,Лилия Владимировна Ильина,Виктор Александрович Беккер. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет (Сибстрин). Дата публикации: 2018-05-28.

Connection device and manufacturing method of clamping ring to be used in such connection device

Номер патента: RU2454593C1. Автор: Андреас Якобюс Луи НЕЙСЕН. Владелец: Георг Фишер Вага Н.В.. Дата публикации: 2012-06-27.

Functional purpose floury confectionary product manufacturing method

Номер патента: RU2729462C1. Автор: Денис Александрович Бараненко,Артем Ильич Лепешкин,Оксана Владимировна Головинская,Вера Анатольевна Иванова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2020-08-06.

Elevator structure and method of elevator manufacturing

Номер патента: RU2538742C2. Автор: Марк Пикок,Чжичжун ЯНЬ. Владелец: Коне Корпорейшн. Дата публикации: 2015-01-10.

Manufacturing method of shaped composite materials, and composite washer

Номер патента: RU2395729C2. Автор: Мэтью А. КОРДИВАРИ,Василий ГОЦКО,Тимоти Дж. ХАГЭН,Фрэнк Дж. КАРПОВИЧ. Владелец: Сэнт-Гобэн Перформанс Пластикс Корпорейшн. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of manufacturing items from light austenitic structural steel and item from light austenitic structural steel (versions)

Номер патента: RU2544970C2. Автор: Бьянка ШПРИНГУБ,Захариас ГЕОРГЕУ,Даниела ДЖОН,Мануэль ОТТО,Томас ЭВЕРТЦ,Руне ШМИДТ-ЮРГЕНСЕН. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2015-03-20.

Composite hollow shell manufacturing method

Номер патента: RU2740963C1. Автор: Василий Васильевич Саушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ЭЛЕКТРОМАШ». Дата публикации: 2021-01-22.

Side material and method for its manufacture, and manufacturing method of plated element for heat exchanger

Номер патента: RU2456526C2. Автор: Хироси КУНИИ,Тосики УЕДА,Кендзи ТОКУДА,Ясухиро НИСИОКА,Дзицуто СИКАТА,Хидеаки ХАКУЯ. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се. Дата публикации: 2012-07-20.

Manufacturing method of forges from austenite steels stabilised with titanium

Номер патента: RU2373297C1. Автор: Андрей Геннадьевич Лебедев,Владимир Семенович Дуб,Леонид Яковлевич Левков,Дмитрий Александрович Шурыгин,Светлана Николаевна Баринова,Яков Маркович Васильев,Виталий Георгиевич Волков,Олег Степанович Коростин,Владимир Васильевич Чуев. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения" ОАО НПО "ЦНИИТМАШ". Дата публикации: 2009-11-20.

Method of manufacturing virtual reality gloves (options)

Номер патента: RU2670649C9. Автор: Андрей Сергеевич Камоцкий. Владелец: Федоров Александр Владимирович. Дата публикации: 2018-12-11.

Syrup manufacturing method for preparation of drinks and accordingly soft drink made from it

Номер патента: RU2341156C2. Автор: Ян ВАЛОВИЧ,Владимир НУЛИЦЕК,Ян ВАЛОВИЧ (AT),Владимир НУЛИЦЕК (AT). Владелец: Винцергеноссеншафт Ст.Мартинус Регистрирте Геноссеншафт Мит Бешренктер Хафтунг, А-7082 Доннерскирхен. Дата публикации: 2008-12-20.

Element for neutralising or decreasing toxic level of waste gases and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2352794C2. Автор: Рольф БРЮКК,Петер ХИРТ,Томас ХЭРИГ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2009-04-20.

Method of drying cloth manufacturing and drying cloth with air holes from the backside for improved sheet stability

Номер патента: RU2324024C2. Автор: Морис ПАКУИН,Мэри М. ТОУНИ. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-05-10.

Manufacturing method of agglomerate for blast-furnace melting

Номер патента: RU2353674C1. Автор: Валерий Николаевич Логинов,Александр Станиславович Нестеров,Владимир Сергеевич Якушев,Вадим Иванович Большаков,Вениамин Павлович Невраев,Михаил Степанович Табаков,Михаил Андреевич Гуркин,Евгений Анатольевич Кашкаров,Валерий Юрьевич Кучин. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2009-04-27.

Soap manufacture method

Номер патента: RU2671820C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2018-11-07.

Manufacturing method of active mass of cathode of lithium current source

Номер патента: RU2424599C1. Автор: Константин Сергеевич Смирнов,Людмила Николаевна Смирнова,Иван Александрович Пуцылов,Владимир Александрович Жорин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ(ТУ)"). Дата публикации: 2011-07-20.

Drive and stator element, and rotor of electric motor with movable cavity, and stator and rotor manufacturing methods

Номер патента: RU2459088C2. Автор: Оливье СИНДТ,Жульен РАМЬЕ,Хусейн АКБАРИ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2012-08-20.

Refrigerating unit, and manufacturing method of refrigerating unit

Номер патента: RU2509269C2. Автор: Астрид КЛИНГСХИРН,Зандро КОН. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-03-10.

Sealed pipe connection to be used in oil industry, and manufacturing method of above mentioned connection

Номер патента: RU2503874C2. Автор: Эрик ВЕРЖЕ,Бертранд Меллон,Дали Дали,Силвен Бегне. Владелец: Сумитомо Метал Индастрис, Лтд.. Дата публикации: 2014-01-10.

Manufacturing method of textured electrical steel with high magnetic properties

Номер патента: RU2552792C2. Автор: Каньи ШЭНЬ,Вэйчжун ЦЗИНЬ,Гохуа ЯН,Хуаньдэ СУНЬ,Мэйхун Ю,Цзе ХУАНЬ,Дэцзян ХУ,Гоубао ЛИ. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-06-10.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Flash memory erase method

Номер патента: US20020154544A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho,Smile Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Thermal insulator, thermal insulating component, method of manufacturing thermal insulating small fiber and method of manufacturing thermal insulator

Номер патента: US20110262749A1. Автор: Eisuke Sasaoka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Manufacturing method of rotary grindstone and rotary grindstone which has been manufactured by the manufacturing method

Номер патента: PH12014000264B1. Автор: RI Gakusho,YANAGIURA Yoshikazu. Владелец: Fuji Grinding Wheel Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-04.

Manufacturing method of rotary grindstone and rotary grindstone which has been manufactured by the manufacturing method

Номер патента: PH12014000264A1. Автор: Yoshikazu Yanagiura,Gakusho Ri. Владелец: Fuji Grinding Wheel Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-04.

Manufacturing method of rotary grindstone and rotary grindstone which has been manufactured by the manufacturing method

Номер патента: MY169246A. Автор: RI Gakusho,YANAGIURA Yoshikazu. Владелец: Fuji Grinding Wheel Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Exposure mask, method of designing and manufacturing the same, exposure method and apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171A1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Cold-rolled steel sheet manufacturing method and cold-rolled steel sheet manufacturing facility

Номер патента: EP4299203A1. Автор: Tetsuya Arakawa,Yukihiro Matsubara,Masaki Hino,Daiki Hioka,Miwa Ohashi,Noriki Fujita. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Device structure to increase the coupling ratio of the source of split gate flash memory device to the floating gate and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW439298B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Di-Sheng Guo,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-06-07.

Structure and manufacturing method of split-gate flash memory

Номер патента: TW515094B. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-12-21.

The manufacturing method and Split-gate flash memory of Split-gate flash memory

Номер патента: CN109903797A. Автор: 杨辉,陈宏�,王卉,曹启鹏,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Poly-silicon spacer manufacturing method of split gate flash memory cell

Номер патента: TW530379B. Автор: Chi-Shan Wu,Shiou Ouyang,Ji-Shing Luo,Bi-Lin Chen,Hung-Jeng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-01.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of split-gate type flash memory with capacitor

Номер патента: TW413910B. Автор: Hung-Cheng Sung,Din-Son Kuo,Chung-Ker Yeh,Jia-Da Hshieh,Ya-Fen Lind. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-01.

Method for improving oxide quality of split-gate flash memory

Номер патента: TW432462B. Автор: Jr-Mu Huang,Rung-Yu Tsai,Shing-Hua Ren,Shu-Huei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Erasing method of split-gate flash memory of shared word line

Номер патента: CN101853704A. Автор: 胡剑,孔蔚然,顾靖. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Split-gate flash memory and manufacturing method of the same

Номер патента: TWI245415B. Автор: Ting-Sing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-11.

Split-gate flash memory and manufacturing method of the same

Номер патента: TW200603389A. Автор: Ting-Sing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-01-16.

Failure test method of split gate flash memory

Номер патента: TWI269880B. Автор: Lih-Wei Lin,Chih-Hung Cho,Ming-Shiahn Tsai,Shih-Tse Hsu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Failure test method of split gate flash memory

Номер патента: TW200615555A. Автор: Lih-Wei Lin,Chih-Hung Cho,Ming-Shiahn Tsai,Shih-Tse Hsu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-16.

Fabrication method of split-gate flash memory

Номер патента: TW451480B. Автор: Tsong-Minn Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

A self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW538539B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Ching-Yuan Wu. Дата публикации: 2003-06-21.

A scalable split-gate flash memory cell structure and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW567611B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-12-21.

Reference cell circuit of split-gate flash memory

Номер патента: TW594784B. Автор: Ching-Huang Wang,Yu-De Chr,Jeng-Shiung Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-06-21.

Manufacturing method for split gate flash memory

Номер патента: TW367593B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chia-Dar Hsieh,Di-Sheng Guo,Zhuang-Ge Ye. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-21.

Manufacturing method for improved endurance split gate flash memory

Номер патента: TW357403B. Автор: Jr-Feng Lin,Chi-Shiang Li,Lung-Shiang Juang,An-Min Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-01.

Split-gate flash memory manufacturing method

Номер патента: TW499710B. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-08-21.

A self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless memory array

Номер патента: TW518724B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

A self-aligned split-gate flash memory cell and its contactless NOR-type memory array

Номер патента: TW523919B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Split gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200421600A. Автор: Ko-Hsing Chang,Hann-Jye Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-10-16.

Structure and fabrication method of split gate flash ROM

Номер патента: TW328177B. Автор: Gwo-Donq Sonq. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1998-03-11.

Manufacture of split-gate type flash memory with buried source

Номер патента: TW411555B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Jen Tsau,Di-Sheng Guo,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-11.

Array Of Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cells Having Improved Strapping Of The Coupling Gates

Номер патента: US20130126958A1. Автор: Van Tran Hieu,Do Nhan,GHAZAVI PARVIZ,"Ommani Henry A.",Wang Shiuh-Luen. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

A self-aligned split-gate flash memory cell having a single-side tip-shaped floating-gate structure and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW543186B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-07-21.

A self-aligned split-gate flash memory cell having an integrated source-side erase structure and its contactless flash memory arrays

Номер патента: TW533538B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Process of fabricating split-gate flash memory cell

Номер патента: TW288206B. Автор: Yuan-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-10-11.

Structure of word line in split gate flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200501333A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Hsing Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-01.

A kind of Split-gate MOS structure

Номер патента: CN208422923U. Автор: 姜帆,陈利,陈剑,张军亮,陈译. Владелец: Xiamen Core 1 Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Method for eliminating current leakage of bit lines in split-gate flash memory cells

Номер патента: TW546786B. Автор: Cheng-Ming Huang,Han-Ping Chen,Hung-Jeng Sung,De-Shiun Shiu,Li-Wen Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

Structure of word line in split gate flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI253146B. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Hsing Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-04-11.

Split gate flash memory cell with protuberant source and its formation method

Номер патента: TW448570B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie,Wen-Ding Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-08-01.

Manufacturing method of self-aligned split-gate flash memory

Номер патента: TW513807B. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Manufacturing method of self-aligned split gate flash memory

Номер патента: TW442968B. Автор: Jr-Ren Huang,Shr-Fang Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-23.

Method Of Operating A Split Gate Flash Memory Cell With Coupling Gate

Номер патента: US20130121085A1. Автор: Tadayoni Mandana,Do Nhan,Tkachev Yuri,Cuevas Elizabeth A.,"Ommani Henry A.". Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

METHODS AND SYSTEMS FOR ERASE BIASING OF SPLIT-GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Kang Sung-Taeg,Winstead Brian A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Contactless split-gate flash memory of shared word line and manufacture method thereof

Номер патента: CN101807581B. Автор: 张�雄,曹子贵,谢中华. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

Method of manufacturing a split-gate flash memory device

Номер патента: TW200625609A. Автор: Ming-Tzong Yang,Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-16.

Production method of split-gate type nonvolatile storage of embedded floating gate

Номер патента: CN101777520B. Автор: 江红,李冰寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-06-26.

Split-gate flash memory cell and method for forming the same

Номер патента: TWI673855B. Автор: 李家豪,馬洛宜庫馬,恩凱特庫馬. Владелец: 世界先進積體電路股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Erasing speed improving method for split-gate flash memory

Номер патента: TW367625B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chia-Dar Hsieh,Di-Sheng Guo,Zhuang-Ge Ye. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-21.

Split gate flash memory with contactless control gate

Номер патента: TW533552B. Автор: Jian-Wei LIN,Jing-Wen Juo,Da-Chuen He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

Method for producing spacer for split-gate flash memory

Номер патента: TW382778B. Автор: Ming-Yi Lin,Li-Min Huang,Wen-Jeng Chian,Jen-Peng Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-02-21.

Erase method of the split gate flash memory

Номер патента: TW406436B. Автор: Lin-Sung Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-09-21.

Method of manufacturing a split-gate flash memory device

Номер патента: TWI251339B. Автор: Ming-Tzong Yang,Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-03-11.

Manufacture of split gate type semiconductor device

Номер патента: JPH1022404A. Автор: Masaaki Yoshida,雅昭吉田. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-23.

SPLIT-GATE FLASH MEMORY WITH IMPROVED PROGRAM EFFICIENCY

Номер патента: US20130032869A1. Автор: Toh Eng Huat,Tan Shyue Seng (Jason). Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

Split-gate flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN103165615B. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Split-gate flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN103050446B. Автор: 张�雄. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-12-28.

Split-gate flash memory and preparation method thereof

Номер патента: CN109872994B. Автор: 陈宏�,王卉,曹启鹏,段新一. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-09-03.

Manufacturing method of selective gate pole of gate separating type quickflash memory cell

Номер патента: CN1200448C. Автор: 朱文定,林崇荣,叶壮格. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-05-04.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: TW502447B. Автор: Chih-Hsin Wang. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Method of transferring thin film element, manufacturing method, method of manufacturing thin-film device, and electronic apparatus

Номер патента: JP2007088235A. Автор: 泰明小平,Yasuaki Kodaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20120248504A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Method of manufacturing split gate flash device

Номер патента: TW200816391A. Автор: Houng-Chi Wei,Chin-Chung Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

METHODS OF FLASH DUAL INLINE MEMORY MODULES WITH FLASH MEMORY

Номер патента: US20130003288A1. Автор: Okin Kenneth A.,Kanapathippillai Ruban. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

Split-gate flash EEPROM IC and its fabricating method

Номер патента: TW231372B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-10-01.

Scalable split-gate flash cell structure and its contactless divided diffusion bit-line arrays

Номер патента: TW200428600A. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Split-gate flash cell with undoped floating gate

Номер патента: TW411629B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Di-Sheng Guo,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-11.

SPLIT GATE FLASH CELL AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120168842A1. Автор: . Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Scalable split-gate flash cell structure and its contactless divided diffusion bit-line arrays

Номер патента: TW591764B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

METHOD OF BURN-IN TEST OF EEPROM OR FLASH MEMORIES

Номер патента: US20130064015A1. Автор: Tailliet François. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2013-03-14.

Self-Aligned Method Of Forming A Semiconductor Memory Array Of Floating Gate Memory Cells With Single Poly Layer

Номер патента: US20140094011A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Liu Xian,Tiwari Vipin. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

The method of persistence index metadata is postponed in flash-memory storage system

Номер патента: CN103268291B. Автор: 陆游游,舒继武. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-24.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DISC, OPTICAL DISC MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISC RECORDING DEVICE AND OPTICAL DISC REPRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20120002517A1. Автор: Yamaoka Masaru,Shoji Mamoru,Nishikiori Keiji,Usui Makoto,Moriya Mitsuro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing and Detecting Device and Method of Birefringent Lens Grating

Номер патента: US20120003380A1. Автор: Yu Bin. Владелец: Shenzhen Super Perfect Optics LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Gas mixing device, synthetic gas manufacturing apparatus, gas mixing method, and synthetic gas manufacturing method

Номер патента: US20120001125A1. Автор: Oguro Shuichi,Yamada Nobuhiro. Владелец: JDC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heat-exchanger manufacturing method, heat exchanger heat exchange block manufacturing method (versions), manufacturing method of intermediate and/or upper heat exchange blocks of heat exchanger, and manufacturing method of lower heat exchange block of heat exchanger

Номер патента: RU2342239C2. Автор: Сергей Николаевич Селиванов,Николай Павлович Селиванов,Игорь Сергеевич Кузнецов,Андрей Владимирович Федосеев. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2008-12-27.

PLATE, HEAT EXCHANGER AND METHOD OF MANUFACTURING A HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20120000637A1. Автор: NOËL-BARON Olivier,Vännman Erik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of large-sized thick-walled composite polymeric parts by using rtm (resin transfer moulding) method (versions)

Номер патента: RU2376140C1. Автор: Александр Николаевич Козловский,Йордан Стоянов Яламов,Стефан Йорданов Яламов,Еленка Тончева Яламова. Владелец: Еленка Тончева Яламова. Дата публикации: 2009-12-20.

Manufacture method of blood serum standard positive panel for quality control of immunoenzymometric test systems designed for detection of virus-specific antibodies to viral respiratory infections in biological liquids of bovine animals

Номер патента: RU2392331C2. Автор: Дмитрий Александрович Салов,Наталья Анатольевна Бондарева,Ирина Николаевна Матвеева,Иван Иванович Кочиш,Наталья Киреевна Еремец,Светлана Владимировна Кузнецова,Лариса Сергеевна Люлькова,Иван Александрович Бараковский,Екатерина Владимировна Рахманина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский и технологический институт биологической промышленности РАСХН. Дата публикации: 2010-06-20.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of manufacturing bar of variable section from composite material

Номер патента: RU2339773C2. Автор: Лев Валентинович Фурсов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Композит-Сервис". Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method of heat-insulating ceramic material

Номер патента: RU2355665C1. Автор: Василий Михайлович Кнатько,Михаил Васильевич Кнатько,Елена Васильевна Щербакова,Сергей Анатольевич Бегоулев. Владелец: Сергей Анатольевич Бегоулев. Дата публикации: 2009-05-20.

Manufacturing method of composite magnesium-silicate proppant, and proppant itself

Номер патента: RU2476477C1. Автор: Виктор Георгиевич Пейчев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Форэс". Дата публикации: 2013-02-27.

Manufacturing method of reinforcement cage for reinforced-concrete members

Номер патента: RU2388876C2. Автор: Николай Алексеевич Ильин,Александр Петрович Шепелев,Павел Николаевич Славкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный архитектурно-строительный университет" (СГАСУ). Дата публикации: 2010-05-10.

MANUFACTURING METHOD OF BOTTLES, AND FAMILY OF BOTTLES OPERATING UNDER PRESSURE OF 100 TO 200 kgf/cm2

Номер патента: RU2480666C2. Автор: Сергей Алексеевич Федулов,Владимир Иванович Алексеенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РИФ" технологии". Дата публикации: 2013-04-27.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of natural clayey suspension manufacturing for electrode material production

Номер патента: RU2337895C2. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Сергей Геннадьевич Ионов,Анатолий Николаевич Селезнев,Алексей Валерьевич Кепман,Василий Андреевич Крюковский,Иван Михайлович Афанасов,Владимир Анатольевич Морозов,Станислав Николаевич Саввин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Институт новых углеродных материалов и технологий" (ЗАО "ИНУМиТ"). Дата публикации: 2008-11-10.

Method of brick fuel manufacturing

Номер патента: RU2375414C1. Автор: Павел Иванович Шашмурин,Владимир Семёнович Загайнов,Михаил Иванович Стуков,Евгений Иосифович Андрейков,Яков Борисович Куколев,Михаил Юрьевич Посохов. Владелец: Закрытое акционерное общество научно-производственное объединение "Восточный научно-исследовательский углехимический институт" (ЗАО "НПО "ВУХИН"). Дата публикации: 2009-12-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Screen vacuum heat insulation of cryogenic tank of rocket space upper stage and method of fabrication thereof

Номер патента: RU2384492C2. Автор: Евгений Николаевич Туманин,Михаил Викторович Рожков. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2010-03-20.

Manufacturing method of structural decorative sheet panel (versions)

Номер патента: RU2580115C2. Автор: Александр Витольдович Малицкий. Владелец: Александр Витольдович Малицкий. Дата публикации: 2016-04-10.

Nor-type channel-program channel-erase contactless flash memory on soi

Номер патента: WO2005081769B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2006-02-23.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Floor covering manufacturing method

Номер патента: RU2380465C1. Автор: Анатолий Константинович Нуждин,Владимир Александрович Ильин,Лариса Вениаминовна Александрова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Таркетт" (ЗАО "Таркетт"). Дата публикации: 2010-01-27.

Manufacturing method of decorative ceramic products

Номер патента: RU2349561C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Юли Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2009-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method of honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases of internal combustion engine, and application method of substrate onto honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases

Номер патента: RU2553004C1. Автор: Рудольф Юрьевич Соловьев,Елизавета Юрьевна Кудряшова,Ксения Сергеевна Поджарая. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский технологический институт ремонта и эксплуатации машинно-тракторного парка Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ГОСНИТИ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2015-06-10.

Woven circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600037C2. Автор: Николай Владимирович Иванов. Владелец: Николай Владимирович Иванов. Дата публикации: 2016-10-20.

Manufacturing method of multi-layer ice cover for figure-skating

Номер патента: RU2364804C1. Автор: Борис Алексеевич Кузнецов,Галина Юрьевна Гончарова,Михаил Владимирович Загайнов,Надежда Николаевна Калуцких. Владелец: Михаил Владимирович Загайнов. Дата публикации: 2009-08-20.

Manufacturing method of friction bearing

Номер патента: RU2382248C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Валерий Александрович Иванов,Сергей Петрович Захарычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования " Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2010-02-20.

Orthopedic bedding and related manufacture method

Номер патента: RU2357638C2. Автор: Игорь Олегович Борисов. Владелец: Игорь Олегович Борисов. Дата публикации: 2009-06-10.

Manufacturing method of items in form of discs or rolls of gas-turbine engines from pelletised heat-resistant nickel alloys

Номер патента: RU2433204C1. Автор: Василий Иванович Еременко,Олег Хикметович Фаткуллин,Алексей Сергеевич Фурашов,Станислав Игоревич Фаткуллин,Анатолий Константинович Щукарев. Владелец: Олег Хикметович Фаткуллин. Дата публикации: 2011-11-10.

Manufacturing method of ultra-wideband antenna system with controlled directivity pattern

Номер патента: RU2552232C2. Автор: Борис Иосифович Суховецкий,Светлана Борисовна Суховецкая. Владелец: Борис Иосифович Суховецкий. Дата публикации: 2015-06-10.

Manufacturing method of ultralight gage sheets from high-strength titanium alloys

Номер патента: RU2381297C1. Автор: Александр Николаевич Козлов,Андрей Владимирович Зайцев,Виталий Анатольевич Михайлов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2010-02-10.

Manufacturing method of gear wheels and mandrel for realisation thereof

Номер патента: RU2376122C1. Автор: Ремир Борисович Марголит,Ольга Александровна Терехова,Евгений Васильевич Близняков. Владелец: Открытое акционерное общество "Станкон". Дата публикации: 2009-12-20.

Manufacturing method of corrugated plate for heat exchanger from composite materials

Номер патента: RU2562274C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Евгений Акимович Богачев,Александр Борисович Елаков,Леонид Владимирович Быков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ). Дата публикации: 2015-09-10.

Manufacturing method of metal high pressure vessels

Номер патента: RU2343341C2. Автор: Владимир Александрович Воробьев,Вадим Юрьевич Травин,Виктор Иванович Трегубов,Николай Александрович Макаровец,Виктор Алексеевич Корольков,Валерий Владимирович Гаевский. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Государственное научно-производственное предприятие "Сплав". Дата публикации: 2009-01-10.

Manufacturing method of vacuum arc-extinguishing chambers (vec)

Номер патента: RU2532627C2. Автор: Герман Сергеевич Белкин,Людмила Николаевна Васецова,Вера Григорьевна Горохова,Юрий Геннадиевич Ромочкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вакуумные технологии". Дата публикации: 2014-11-10.

Manufacturing method of variable cross-section waveguide

Номер патента: RU2395139C1. Автор: Георгий Георгиевич Гаврилов,Елена Вячеславовна Каламзина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2010-07-20.

Manufacturing method of inner thermal protective coating of rocket engine housing

Номер патента: RU2415289C1. Автор: Владислав Закирович Каримов,Борис Анатольевич Нестеров,Марина Ефимовна Волк. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2011-03-27.

Method of manufacturing dial of bracket or wall or long-case analogue clock, manufacturing method of dial marker of bracket or wall or long-case analogue clock

Номер патента: RU2370803C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2009-10-20.

Hollow items manufacturing method

Номер патента: RU2469121C1. Автор: Анатолий Семенович Митин,Андрей Анатольевич Митин. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2012-12-10.

Chip resistor manufacturing method

Номер патента: RU2551905C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of manufacturing of high reactivity metals and alloys ingots and vacuum-arc-refining furnace for manufacturing of reactivity metals and alloys ingots

Номер патента: RU2355791C2. Автор: Владислав Валентинович Тетюхин,Игорь Юрьевич Пузаков,Михаил Хаимович Спивак,Олег Германович Федотов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2009-05-20.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

Manufacturing method of cold-rolled strip from low-carbon steel

Номер патента: RU2381844C1. Автор: Павел Николаевич Смирнов,Эдуард Михайлович Голубчик,Валерий Петрович Торохтий,Владимир Викторович Яшин. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2010-02-20.

Manufacturing method of high-pressure cylinder from polymer composite materials, and high-pressure cylinder from polymer composite materials

Номер патента: RU2395749C1. Автор: Вячеслав Петрович Яиков. Владелец: Вячеслав Петрович Яиков. Дата публикации: 2010-07-27.

Manufacturing method of flexible relief printed-circuit boards for electronic and electrotechnical equipment

Номер патента: RU2496286C1. Автор: Юрий Дмитриевич Сасов,Вадим Александрович Усачев,Николай Александрович Голов,Наталья Валерьевна Кудрявцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2013-10-20.

Manufacturing method of charge from ballistic solid propellant

Номер патента: RU2384555C2. Автор: Геннадий Васильевич Куценко,Наиль Гумерович Ибрагимов,Владимир Федорович Молчанов,Алексей Васильевич Козьяков,Василий Тихонович Никитин,Лидия Алексеевна Журавлева,Валентина Ивановна Вшивкова,Марат Наилевич Ибрагимов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2010-03-20.

Manufacturing method of magnetic conductor of electromagnet of armour type of vibrating pump

Номер патента: RU2468489C2. Автор: Анатолий Сергеевич Поляков. Владелец: Анатолий Сергеевич Поляков. Дата публикации: 2012-11-27.

Manufacturing method of polymer high-voltage insulator

Номер патента: RU2395128C1. Автор: Виталий Васильевич Власов,Александр Васильевич Сухар,Геннадий Александрович Данилов,Василий Михайлович Сухар. Владелец: Закрытое Акционерное Общество - ЗАО "ФЕНИКС-88". Дата публикации: 2010-07-20.

Microprofile of structure of vacuum integral microwave circuit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2404481C1. Автор: Виталий Яковлевич Подвигалкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2010-11-20.

Manufacturing method of cold-rolled titanium-bearing steel

Номер патента: RU2356948C1. Автор: Вадим Григорьевич Антипанов,Клавдия Андреевна Лисичкина,Татьяна Михайловна Кочнева,Нина Ивановна Малова,Андрей Викторович Горбунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-05-27.

Manufacturing method of ceramic proppant, and proppant itself

Номер патента: RU2459852C1. Автор: Сергей Федорович Шмотьев,Брандау Торстен. Владелец: Брэйс ГмбХ. Дата публикации: 2012-08-27.

Manufacturing method of inclined pile with controlled widening

Номер патента: RU2522358C1. Автор: Михаил Александрович Самохвалов,Яков Александрович Пронозин,Юрий Владимирович Зазуля. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет" (ФГБОУ ВПО "ТюмГАСУ"). Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148982A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148981A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

CONFINEMENT GROUP FOR A PLATE HEAT EXCHANGER, A METHOD OF OBTAINING SUCH AN EXCHANGER, AND A METHOD OF ABSORBING STRESS IN A CONFINEMENT GROUP FOR PACK-TYPE PLATE HEAT EXCHANGERS

Номер патента: US20120000638A1. Автор: CIPRIANI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of ceramic molds by removed patterns

Номер патента: RU2360764C1. Автор: Сергей Владимирович Рудницкий,Виктор Михайлович Вдовец,Владимир Андреевич Никишин,Владимир Викторович Шувалов,Владимир Анатольевич Полозов,Евгений Евгеньевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of grain bread manufacturing (versions)

Номер патента: RU2341086C1. Автор: Степан Федорович Павлик,Степан Федорович Павлик (RU). Владелец: Степан Федорович Павлик. Дата публикации: 2008-12-20.

Manufacturing method of plates from duplex titanium alloys

Номер патента: RU2378410C1. Автор: Игорь Васильевич Левин,Александр Николаевич Козлов,Алексей Сергеевич Шибанов,Мария Александровна Суслова. Владелец: Открытое акционерное общество "Корпорация ВСПМО-АВИСМА". Дата публикации: 2010-01-10.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Manufacturing method of internal and external ring gear on thin-walled cylindrical hollow products

Номер патента: RU2379150C2. Автор: Даниэль ДЕРИАЦ. Владелец: Эрнст Гроб Аг. Дата публикации: 2010-01-20.

Manufacturing method of functional surface

Номер патента: RU2353706C2. Автор: Василий Михайлович Фомин,Вадим Георгиевич Гиммельман,Евгений Борисович Кабанов,Владимир Федорович Косарев,Алексей Аркадьевич Парщиков,Анатолий Павлович Алхимов,Александр Павлович Мозгов,Сергей Максимович Бондаренко,Юрий Николаевич Артеменко,Генрих Станиславович Кучинский. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро специального машинострония" (ОАО КБСМ). Дата публикации: 2009-04-27.

Manufacturing method of composite glass-metal rod

Номер патента: RU2555982C1. Автор: Павел Александрович Никифоров,Екатерина Александровна Гридасова,Ольга Николаевна Любимова,Евгений Валерьевич Любимов. Владелец: Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дальневосточный Федеральный Университет" (Двфу). Дата публикации: 2015-07-10.

Sliding bearing manufacturing method

Номер патента: RU2541606C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-20.

Номер патента: RU2552630C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of manufacturing corundum-based abrasive flour grain

Номер патента: RU2321542C2. Автор: Александр Васильевич Толчев,Дмитрий Георгиевич Клещев,Константин Борисович Голубев,Сергей Юрьевич Гуревич. Владелец: Александр Васильевич Толчев. Дата публикации: 2008-04-10.

Thin sheet manufacturing method

Номер патента: RU2522252C1. Автор: Александр Николаевич Козлов,Михаил Оттович Ледер,Александр Владимирович Берестов,Наталья Вячеславовна Шеремет. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Manufacturing method of electrodes for biological potentials removal

Номер патента: RU2342070C1. Автор: Любовь Валентиновна Лабутина,Дмитрий Николаевич Самсонов,Александр Иванович Панаков,Дмитрий Николаевич Самсонов (RU),Александр Иванович Панаков (RU),Любовь Валентиновна Лабутина (RU). Владелец: Александр Иванович Панаков. Дата публикации: 2008-12-27.

Manufacturing method of multi-layer printed-circuit boards

Номер патента: RU2462011C1. Автор: Александр Михайлович Слушков,Александр Романович Тимофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2012-09-20.

Manufacturing method of bushings cross-screw rolling mill

Номер патента: RU2378062C1. Автор: Николай Васильевич Пасечник,Владимир Иванович Котенок,Генрих Семенович Майзелис,Алексей Викторович Аникин,Михаил Евгеньевич Обухов,Михаил Григорьевич Морданов. Владелец: Открытое акционерное общество Акционерная холдинговая компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения им. академика Целикова" (ОАО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2010-01-10.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-12-10.

Manufacturing method of plate strips for main pipes on reversing mill

Номер патента: RU2490336C1. Автор: Сергей Михайлович Тихонов,Николай Борисович Скорохватов,Андрей Михайлович Корчагин,Сергей Владимирович Сосин,Геннадий Александрович Махов,Дмитрий Валерьевич Сабреев,Александр Васильевич Голованов. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2013-08-20.

Manufacturing method of sorbitised rolled wire made from high-carbon steel

Номер патента: RU2377316C1. Автор: Рафкат Спартакович Тахаутдинов,Юрий Алексеевич Бодяев,Олег Владимирович Федонин,Владимир Викторович Павлов,Олег Петрович Ширяев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Патентные услуги". Дата публикации: 2009-12-27.

Manufacturing method of preserves "daglan goyun eti" of special purpose (versions)

Номер патента: RU2341114C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-12-20.

Method for determining temperature characteristic of resistance sensitive element, device for its implementation and manufacturing method of described device

Номер патента: RU2476836C1. Автор: Вячеслав Васильевич Шевчук,Евгений Георгиевич Зубов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2013-02-27.

Manufacturing method of nozzle of combustion chamber of liquid-propellant engine (lpe)

Номер патента: RU2465483C1. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Анатолий Михайлович Гордон,Олег Георгиевич Кудашов,Иван Тихонович Коптев,Борис Иванович Омигов,Сергей Степанович Юхневич,Юрий Владимирович Шаров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2012-10-27.

Manufacturing method of pipes for process needs of oil wells

Номер патента: RU2464327C1. Автор: Наиль Мулахметович Абдуллин,Кирилл Алексеевич Иванов. Владелец: ООО "Компания ИжТехМаш". Дата публикации: 2012-10-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Manufacturing method of detonating fuse and method for obtaining hydrogen-containing paste based on hexogen or octogen for its implementation

Номер патента: RU2556651C1. Автор: Марат Растымович Хайрутдинов,Умар Хамидович Булатов,Дмитрий Владиленович Часовский,Сергей Анатольевич Уткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Детотекс" (ООО "Детотекс"). Дата публикации: 2015-07-10.

Manufacturing method of ceramic plate blocks for creep annealing furnace

Номер патента: RU2485426C1. Автор: Анатолий Алексеевич Гуляев,Людмила Алексеевна Каменских. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЦЕНТР ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИХ ТЕХНОЛОГИЙ". Дата публикации: 2013-06-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2556765C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-07-20.

Manufacturing method of high-temperature antifriction material

Номер патента: RU2542039C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Дмитрий Николаевич Кондрохин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-02-20.

Manufacturing method of candies from low-alloy steel

Номер патента: RU2353441C2. Автор: Николай Борисович Скорохватов,Александр Иванович Трайно,Александр Анатольевич Немтинов,Геннадий Александрович Махов,Александр Васильевич Голованов,Илья Владимирович Пучковский. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2009-04-27.

Method of commutator shrink ring manufacture for electric machine (versions)

Номер патента: RU2330361C1. Автор: Виктор Гаврилович Щербаков,Владимир Иванович Захаров,Юрий Михайлович Украинский,Александр Олегович Симонов,Виктор Гаврилович Щербаков (RU),Юрий Михайлович Украинский (RU),Владимир Иванович Захаров (RU),Александр Олегович Симонов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2008-07-27.

Manufacturing method of valve-inductor generator

Номер патента: RU2390905C1. Автор: Александр Дмитриевич Петрушин,Николай Сергеевич Теймуразов,Олег Андреевич Ворон,Николай Сергеевич Теймуразов (RU),Александр Дмитриевич Петрушин (RU),Олег Андреевич Ворон (RU). Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2010-05-27.

Manufacturing method of split-gate flash memory cell

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты