Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • SPLIT GATE FLASH MEMORY CELLS WITH A TRENCH-FORMED SELECT GATE

SPLIT GATE FLASH MEMORY CELLS WITH A TRENCH-FORMED SELECT GATE

Номер патента: US20220093765A1
Опубликовано: 24-03-2022
Автор(ы): Eng Huat Toh, Kiok Boone Elgin Quek, Shyue Seng Tan, Xinshu CAI
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Split gate flash memory cells with a trench-formed select gate

Номер патента: US20220093765A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: EP3243219A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: WO2015017495A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: US09960242B2. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: WO2016111742A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: EP3449501A1. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: EP2748842A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: WO2013028358A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: EP3371829A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: WO2016111796A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

An improved split gate non-volatile flash memory cell having a floating gate, control gate, select gate and an erase gate with an overhang over the floating gate, array and method of manufacturing

Номер патента: TW200917495A. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297B1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: US20140217489A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Array of split gate non-volatile floating gate memory cells having improved strapping of the coupling gates

Номер патента: US8513728B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Parviz Ghazavi,Shiuh-Luen Wang,Henry A. Om'Mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

There is the split-gate type nonvolatile floating gate memory cell array of the coupling grid improving bridging

Номер патента: CN104335334B. Автор: H·V·特兰,P·加扎维,S-L·王,N·杜,H·A·奥马尼. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Structure of memory cell with asymmetric cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09793278B1. Автор: Sung-Bin Lin,Yen-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory cell structure for improving erase speed

Номер патента: US09917165B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137002A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Evans Yang,Lein-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047766A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Asymmetric formation approach for a floating gate of a split gate flash memory structure

Номер патента: US09691883B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Split-gate flash cell with composite control gate and method for forming the same

Номер патента: US20150228738A1. Автор: Wen-Bin Tsai,Hsin-I Li,Kin Fung Lam. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Method Of Making Split-Gate Memory Cell With Substrate Stressor Region

Номер патента: US20150200278A1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of making the selection gate in a split-gate flash EEPROM cell its and structure

Номер патента: US20050026368A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chrong-Jung Lin,Jack Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A8. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-09-24.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: WO2016148873A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: EP3271936A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-24.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Split-gate memory cell with substrate stressor region, and method of making same

Номер патента: EP2901455A1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Split-Gate Memory Cell With Substrate Stressor Region, And Method Of Making Same

Номер патента: US20140091382A1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell

Номер патента: WO2011084915A2. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Spencer E. Williams,Cheong M. Hong,Konstantin V. Loiko. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-07-14.

Split-gate non-volatile memory (NVM) cell and method therefor

Номер патента: US09728410B2. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Split Gate FerroFET

Номер патента: US20230197807A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Flash memory and method of manufacturing a flash memory

Номер патента: US20100140686A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-10.

Split gate ferrofet

Номер патента: EP4203066A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-28.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230371250A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230328972A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4300550A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US09741868B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US09653471B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Novel select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20220320304A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Structures for split gate memory cell scaling with merged control gates

Номер патента: US09620604B2. Автор: Anirban Roy,Ko-Min Chang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Split Gate Non-volatile Memory Cell With 3D FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20160276357A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Manufacturing method of split gate trench device

Номер патента: US20240128343A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Split gate trench device

Номер патента: US20240128344A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Split gate power mosfet and split gate power mosfet manufacturing method

Номер патента: US20240088247A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Split gate power MOSFET and split gate power MOSFET manufacturing method

Номер патента: US11862695B2. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Split-gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20160099153A1. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-07.

Split-gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230065526A1. Автор: Bing Wu,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US09634105B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Split gate memory with control gate having nonplanar top surface

Номер патента: US11943920B2. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory cell with oxide cap and spacer layer for protecting a floating gate from a source implant

Номер патента: WO2019067575A1. Автор: Bomy Chen,James Walls,Mel HYMAS,Greg Stom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Structures of and methods of fabricating split gate MIS devices

Номер патента: US09425305B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Chanho Park. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method to manufacture split gate with high density plasma oxide layer as inter-polysilicon insulation layer

Номер патента: US20100099230A1. Автор: Yu Wang,Francois Hebert,Hong Chang,Yingying Lou,Sung-Shan Tai,Mengyu Pan,Yong-Zhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: US09818829B2. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-11-14.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: US09595587B2. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Split-gate MOSFET

Номер патента: US9812564B1. Автор: Hung-Wen Chou,Chih-Cheng Liu,Jiong-Guang Su. Владелец: SILICONGEAR Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Split gate power device and its method of fabrication

Номер патента: US20200273987A1. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Planar split-gate high-performance mosfet structure and manufacturing method

Номер патента: WO2007143130A3. Автор: Francois Hebert,Anup Bhalla,Daniel S Ng. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-05-02.

Split-gate jfet with field plate

Номер патента: US20200274002A1. Автор: Sheldon Douglas Haynie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Split-gate trench mosfet

Номер патента: US20220320331A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,Tsung-Wei Pai,Yun-Pu Ku. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Split-Gate Trench MOSFET

Номер патента: US20230163211A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,Tsung-Wei Pai,Yun-Pu Ku. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Split-gate trench MOSFET

Номер патента: US11749750B2. Автор: Chiao-Shun Chuang,Tsung-Wei Pai,Yun-Pu Ku. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Split poly connection via through-poly-contact (tpc) in split-gate based power mosfets

Номер патента: US20160329426A1. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-10.

Split gate semiconductor with non-uniform trench oxide

Номер патента: US20200243656A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,M. Ayman SHIBIB,Misbah Azam. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates

Номер патента: US10249631B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20150084112A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20160126359A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20120168842A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20140027833A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-01-30.

Flash memory cell with a flair gate

Номер патента: US20080277712A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Split gate memory device for improved erase speed

Номер патента: US20160087056A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen,Tsung-Hsueh Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Split-gate memory device and method for accessing the same

Номер патента: US5969383A. Автор: Ko-Min Chang,Kuo-Tung Chang,Wei-Ming Chen,Keith Forbes,Douglas R. Roberts. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-19.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Vertical three-dimensional stack NOR flash memory

Номер патента: US12114495B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Logic compatible flash memory cells

Номер патента: US09646980B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chieh-Fei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US8921917B2. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-12-30.

Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09893168B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09419129B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Flash memory cell with flair gate

Номер патента: US9190531B2. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Floating gate flash cell with extended floating gate

Номер патента: US20150228741A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20170125429A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: EP3769338A2. Автор: Zhou Feng,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: WO2019182681A2. Автор: Zhou Feng,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu,Jimho KIM. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US09847414B2. Автор: Hidefumi Takaya,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory cell with asymmetric word line and erase gate for decoupled program erase performance

Номер патента: WO2019135905A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods and structures for a split gate memory cell structure

Номер патента: US09590058B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Fabrication of a high density stacked gate eprom split cell with bit line reach-through and interruption immunity

Номер патента: US5091327A. Автор: Albert M. Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-02-25.

一种Split Gate-IGBT结构及其制作方法

Номер патента: CN110600543. Автор: 陈思凡,蔡铭进,徐守一. Владелец: Xiamen Xinda Mao Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-aligned split gate eprom process

Номер патента: US4795719A. Автор: Boaz Eitan. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1989-01-03.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US09472418B2. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Split-gate lateral extended drain MOS transistor structure and process

Номер патента: US09905428B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Alexei Sadovnikov,Andrew D Strachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150069490A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Split-gate non-volatile memory cell and method

Номер патента: US20100078703A1. Автор: Brian A. Winstead,Gowrishankar L. Chindalore,Konstantin V. Loiko,Horacio P. Gasquet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory Cell With A Flat-Topped Floating Gate Structure

Номер патента: US20190206881A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory cell with a flat-topped floating gate structure

Номер патента: WO2019135906A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279853A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Split Gate Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20150236030A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of making a split gate non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Nonvolatile memory cell with improved isolation structures

Номер патента: US10115789B2. Автор: Swen WANG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2018-10-30.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: US09461060B1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Split-gate memory cell with depletion-mode floating gate channel, and method of making same

Номер патента: US09466732B2. Автор: Yuri Tkachev. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate, and method of manufacturing

Номер патента: US09793279B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming self-aligned split-gate memory cell array with metal gates and logic devices

Номер патента: US09721958B2. Автор: FENG Zhou,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Nonvolatile memory cell with improved isolation structures

Номер патента: US09401367B2. Автор: Swen WANG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Split-gate Flash Speicherelementeanordnung und Methode zum Löschen derselben

Номер патента: EP1148556A3. Автор: Michael Frey,Holger Dr. Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2008-02-27.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Apparatus of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a multi-split gate

Номер патента: US20180145139A1. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Johnatan A. Kantarovsky,David Mistele. Владелец: TowerJazz Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Compact EEPROM memory cell with a gate dielectric layer having two different thicknesses

Номер патента: US12052861B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

Split-gate mosfet with gate shield

Номер патента: US20220165863A1. Автор: David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Jason Appell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Split Gate MOSFET器件及制备方法

Номер патента: CN115394854. Автор: 常虹,苏毅,袁力鹏,完颜文娟,唐呈前. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Pillar cell flash memory technology

Номер патента: WO2005062378A1. Автор: Jeffrey W. Lutze,Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-07-07.

Flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US7235839B2. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Flash memory devices

Номер патента: US09799664B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Split gate power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162302A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

A split-gate p-channel flash memory cell with programming by band-to-band hot electron method

Номер патента: TWI256073B. Автор: Wen-Ting Chu,Chia-Dar Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-06-01.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: WO2013066584A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-05-10.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Integrierter schaltkreis mit einer oder einem paar von split-gate-flash-speicherzellen und verfahren zum bilden einer split-gate-speichervorrichtung

Номер патента: DE102016100018B4. Автор: Wei Cheng Wu,Jui-Tsung Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Split gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20140239372A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-28.

Self-aligned source for split-gate non-volatile memory cell

Номер патента: US09659946B2. Автор: Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Yueh-hsin CHEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Formation of self-aligned source for split-gate non-volatile memory cell

Номер патента: US09484261B2. Автор: Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Yueh-hsin CHEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US10553596B2. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US09966380B1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Split gate flash memory cell with ballistic injection

Номер патента: US20080296652A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

UTBB FDSOI split gate devices

Номер патента: US09978848B2. Автор: Akira Ito. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

MOSFET having dual-gate cells with an integrated channel diode

Номер патента: US09881995B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,John Manning Savidge Neilson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

MOSFET having dual-gate cells with an integrated channel diode

Номер патента: US09601612B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,John Manning Savidge Neilson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Split gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030214864A1. Автор: Yong Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

EEPROM with split gate source side injection

Номер патента: US5883409A. Автор: Eliyahou Harari,Daniel C. Guterman,Yupin Kawing Fong,Gheorghe Samachisa. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

EEPROM with split gate source side injection

Номер патента: US5313421A. Автор: Daniel C. Guterman,Yupin K. Fong,Gheorghe Samachisa,Eliyahou Harrai. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Array of non-volatile memory cells with ROM cells

Номер патента: US09601500B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xian Liu,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

MOSFET Having Dual-Gate Cells with an Integrated Channel Diode

Номер патента: US20160204249A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,John Manning Savidge Neilson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Mosfet having dual-gate cells with an integrated channel diode

Номер патента: US20170148871A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,John Manning Savidge Neilson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Flash memory with nanocrystalline silicon film floating gate

Номер патента: US20020014655A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Flash memory cell and method for operating the same

Номер патента: US20110044100A1. Автор: Shing Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Silicon-Metal Floating Gate And Method Of Making Same

Номер патента: US20150035040A1. Автор: Tkachev Yuri,KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng,Yoo Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09935119B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: WO2020040894A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-02-27.

Four Gate, Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20210110873A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Si|icon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: EP2973581A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Flash memory device and method of programming the same

Номер патента: US10636491B2. Автор: Hoyoung Shin,Myeonghee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-28.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: US20200176060A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: EP3729276A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: US20190189214A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US11804269B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20220246218A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20230095392A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Flash memory cell string

Номер патента: US20090184362A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-07-23.

All graphene flash memory device

Номер патента: US8772853B2. Автор: Ji-Young Kim,Kang-Lung Wang,Augustin J. HONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-07-08.

Cell structure and operation of self-aligned pmos flash memory

Номер патента: US20210225856A1. Автор: Xi Zhou. Владелец: Yuncong Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3459104A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Methods of forming epi semiconductor material in a trench formed above a semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US20160181426A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

METHODS OF FORMING EPI SEMICONDUCTOR MATERIAL IN A TRENCH FORMED ABOVE A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150318398A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09472645B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Interdigitated capacitor in split-gate flash technology

Номер патента: US09691780B2. Автор: Wan-Chen Chen,Yu-Hsiung Wang,Han-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Space process to prevent the reverse tunneling in split gate flash

Номер патента: US20050184331A1. Автор: Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Yi-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US9831087B2. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20170069501A1. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: WO2021173186A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US10516026B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Method Of Forming A Device With FINFET Split Gate Non-volatile Memory Cells And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20210272973A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: EP4111500A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11658224B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210313436A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230290845A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for fabricating flash memory cell

Номер патента: US20030124801A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for manufacturing semiconductor device including memory cell of nonvolatile memory, capacitance element, and transistors

Номер патента: US09947776B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile memory cells having lateral coupling structure and memory cell arrays using the same

Номер патента: US09627394B1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US9536969B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US20170062586A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US09673299B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190097009A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinner Tunnel Oxide

Номер патента: US20220013531A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of forming split gate memory cells with thinner tunnel oxide

Номер патента: EP4179570A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of forming split gate memory cells with thinner tunnel oxide

Номер патента: WO2022010546A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09484351B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170040429A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Memory cell storage node length

Номер патента: US20100091577A1. Автор: Hussein I. Hanafi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Self-aligned front-end charge trap flash memory cell and capacitor design for integrated high-density scaled devices

Номер патента: US12089411B2. Автор: Walid M. Hafez,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Daniel B. O'Brien,Tanuj Trivedi,Rohan Bambery,Christopher Alan NOLPH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Fully logic process compatible non-volatile memory cell with a high coupling ratio and process of making the same

Номер патента: US20080121973A1. Автор: Hung-Der Su. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2008-05-29.

Fully logic process compatible non-volatile memory cell with a high coupling ratio and process of making the same

Номер патента: US20090117696A1. Автор: Hung-Der Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

EEPROM memory cell with a coupler region and method of making the same

Номер патента: US09450052B1. Автор: Albert Bergemont,Eric Braun,Joel M. McGregor. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method Of Programming A Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cell Having A Separate Erase Gate

Номер патента: US20130107631A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A4. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-10.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: WO2019217022A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-11-14.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: US20030178668A1. Автор: Sohrab Kianian,Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Split gate V groove FET

Номер патента: US4163988A. Автор: Keming W. Yeh,James L. Reuter. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1979-08-07.

Vertical-channel ferroelectric flash memory

Номер патента: US20210074725A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for manufacturing split gate flash EEPROM

Номер патента: KR100607785B1. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for manufacturing split gate flash eeprom

Номер патента: KR20060079013A. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279854A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Electrically reprogrammable EPROM cell with merged transistor and optiumum area

Номер патента: US5293328A. Автор: James Brennan, Jr.,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-03-08.

HIGH DENSITY MEMORY CELL STRUCTURE FITTED WITH A VERTICAL TRUCK TRANSISTOR, SELF-ALIGNED WITH A VERTICAL TRUCK CAPACITOR AND MANUFACTURING PROCESS FOR THE SAME

Номер патента: BR8803628A. Автор: Wei Hwang,Nicky Chau-Chun Lu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1989-02-14.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Finfet-based split gate non-volatile flash memory with extended source line finfet, and method of fabrication

Номер патента: EP3891802B1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

METHODS OF FORMING EPI SEMICONDUCTOR MATERIAL IN A TRENCH FORMED ABOVE A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160181426A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Selfaligned process for a flash memory

Номер патента: US20040266105A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Process for a flash memory with high breakdown resistance between gate and contact

Номер патента: US6908814B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Split-gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US6709925B1. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Charge trapping split gate device and method of fabricating same

Номер патента: US09966477B2. Автор: Mark T. Ramsbey,Unsoon Kim,Sameer S. Haddad,Chun Chen,Kuo Tung CHANG,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Split gate cells for embedded flash memory

Номер патента: US09450057B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Split gate flash memory device with shrunken cell and source line array dimensions

Номер патента: US6538276B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Method for shrinking array dimensions of split gate flash memory device using multilayer etching to define cell and source line and device manufactured thereby

Номер патента: US20010015455A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods and systems for erase biasing of split-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-24.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Method for fabricating split-gate non-volatile memory

Номер патента: US20200251481A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Novel split gate (sg) memory device and novel methods of making the sg-memory device

Номер патента: US20210151451A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Stack-gate flash cell structure having a high coupling ratio and its contactless flash memory arrays

Номер патента: US20040150032A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory cells with extended erase gate, and process of fabrication

Номер патента: US11088156B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-08-10.

Flash memory cell

Номер патента: US09978758B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

UV-blocking layer for reducing UV-induced charging of sonos dual-bit flash memory devices in beol processing

Номер патента: GB2413438A. Автор: Minh Van Ngo,Ning Cheng,Arvind Halliyal,Jaeyong Park,Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Tyagamohan Gottipati,Jeff P Erhardt,Jeffrey A Shields,Clarence Ferguson,Angela T Hui,Robert A Huertas. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Use of a polymer spacer and si trench in a bitline junction of a flash memory cell to improve tpd characteristics

Номер патента: US20090042378A1. Автор: Calvin Gabriel,Ning Cheng,Lei Xue,Huaqiang Wu,Hiro Kinoshita,Angela Hui,Harpreet Kaur Sachar,Phillip Lawrence Jones,K.T. Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-12.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

method for fabricating control gate of flash memory device

Номер патента: KR20020096469A. Автор: 박정수,양인권,양일호,길소학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Split-gate, twin-bit non-volatile memory cell

Номер патента: US09972632B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Vertical flash memory cell with buried source rail

Номер патента: US20040115886A1. Автор: Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Interdigitated capacitor to integrate with flash memory

Номер патента: US09590059B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Source-coupling, split-gate, virtual ground flash EEPROM array

Номер патента: US5412238A. Автор: Ming-Bing Chang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Compact memory device of the EEPROM type with a vertical select transistor

Номер патента: US09583193B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A3. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of manufacturing split gate type nonvolatile memory device

Номер патента: US20050095785A1. Автор: Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-05.

MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation

Номер патента: US4985717A. Автор: Sheldon Aronowitz,George P. Walker,Donald D. Forsythe,Bhaskar V. S. Gadepally. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Method for programming a cell in a source-coupling, split-gate, virtual ground flash EEPROM array

Номер патента: US5644532A. Автор: Ming-Bing Chang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-07-01.

Multi-state flash memory cell and method for programming single electron differences

Номер патента: US5740104A. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory cell comprising non-self-aligned horizontal and vertical control gates

Номер патента: US09941369B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory cell comprising non-self-aligned horizontal and vertical control gates

Номер патента: US09406686B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-08-02.

一种Split Gate结构、Power MOS器件及制作方法

Номер патента: CN113497122. Автор: 郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Split Gate structure, Power MOS device and manufacturing method

Номер патента: CN113497122A. Автор: 郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Apparatus, system and method of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a split-gate structure

Номер патента: US20210399634A1. Автор: Erez Sarig. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Address Fault Detection In A Flash Memory System

Номер патента: US20190378548A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Dynamic flash memory (dfm) with ring-type insulator in channel for improved retention

Номер патента: US20230354579A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Dynamic flash memory (dfm) with channel first scheme

Номер патента: US20230354578A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory gate first approach to forming a split gate flash memory cell device

Номер патента: US9257571B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Process for preventing misalignment in split-gate flash memory cell

Номер патента: US5940706A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell

Номер патента: US5872036A. Автор: Yau-Kae Sheu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Charge trapping split gate embedded flash memory and associated methods

Номер патента: US09922833B2. Автор: Yu Sun,Unsoon Kim,Calvin Gabriel,Chun Chen,Sameer Haddad,Kuo Tung CHANG,Mark Ramsbey,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming sharp beak of poly to improve erase speed in split-gate flash EEPROM

Номер патента: US5970371A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chuang-Ke Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

High coupling ratio split gate memory cell

Номер патента: US20190057970A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-21.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: US20210305264A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: EP4128352A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: WO2021194552A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-30.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662A. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

3D independent double gate flash memory on bounded conductor layer

Номер патента: US09520485B2. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662B. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Process for planarization of flash memory cell

Номер патента: US20020168861A1. Автор: Chun-Lien Su,Wen-Pin Lu,Hung-Yu Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Structure and method of operation for improved gate capacity for 3D NOR flash memory

Номер патента: US09589982B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US20160379988A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

SPLIT-GATE, 2-BIT NON-VOLATILE MEMORY CELL WITH ERASE GATE DISPOSED OVER WORD LINE GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20220101920A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Split-gate, 2-bit non-volatile memory cell with erase gate disposed over word line gate, and method of making same

Номер патента: TW202215440A. Автор: 王春明,邢精成,祥 劉,恩漢 杜,宋國祥. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2022-04-16.

Reduced Size Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell And Method Of Making Same

Номер патента: US20170330949A1. Автор: Wang Chunming. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD OF FORMING SPLIT-GATE, TWIN-BIT NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20180226421A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Split-Gate, Twin-Bit Non-volatile Memory Cell

Номер патента: US20170317093A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Split-gate, twin-bit non-volatile memory cell

Номер патента: EP3982394A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-13.

Split-gate, twin-bit non-volatile memory cell

Номер патента: EP3982394B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Flash memory cells having trenched storage elements

Номер патента: US20140225177A1. Автор: Wei Zheng,Unsoon Kim,Chi Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Flash memory cells having trenched storage elements

Номер патента: US09917211B2. Автор: Wei Zheng,Unsoon Kim,Chi Chang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for fabricating an integrated circuit with a dynamic memory cell configuration (DRAM) with a long retention time

Номер патента: US20020137333A1. Автор: Markus Kirchhoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of filling a trench formed in a semiconductor substrate

Номер патента: US20240096620A1. Автор: Bilel SAIDI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Method to fabricate a flash memory cell with a planar stacked gate

Номер патента: US20010012661A1. Автор: Jong Chen,Hung-Der Su,Di-Son Kuo,Chong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-09.

CMP fabrication solution for split gate memory embedded in HK-MG process

Номер патента: US09496276B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Integration techniques for MIM or MIP capacitors with flash memory and/or high-κ metal gate CMOS technology

Номер патента: US09570539B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for processing a carrier, a carrier, and a split gate field effect transistor structure

Номер патента: US20150371995A1. Автор: Olaf Storbeck,Henning Feick,Thomas Bertrams,Kerstin Kaemmer,Matthias Schmeide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for processing a carrier, a carrier, and a split gate field effect transistor structure

Номер патента: US09478555B2. Автор: Olaf Storbeck,Henning Feick,Thomas Bertrams,Kerstin Kaemmer,Matthias Schmeide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for operating three-dimensional flash memory

Номер патента: US20240274203A1. Автор: Yun Heub Song,JaeMin SIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of making flash memory with high coupling ratio

Номер патента: US5427970A. Автор: Gary Hong,Chen-Chih Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Method of manufacturing a flash memory cell

Номер патента: US20030119334A1. Автор: Sang Park,Noh Kwak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Poly tip formation and self-align source process for split-gate flash cell

Номер патента: US6117733A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Split-gate flash cell formed on recessed substrate

Номер патента: US09853039B1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Sung-taeg Kang,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memories having split-gate memory cells

Номер патента: US11955180B2. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A4. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Improved flash memory cell associated decoders

Номер патента: EP4243081A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Flash Memory Cell with Dual Erase Modes for Increased Cell Endurance

Номер патента: US20190287624A1. Автор: James Walls,Luc Reboulet. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Flash memory cell with dual erase modes for increased cell endurance

Номер патента: WO2019178050A1. Автор: James Walls,Luc Reboulet. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-19.

Split gate device with doped region and method therefor

Номер патента: US10026820B2. Автор: Weize Chen,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Konstantin V. Loiko. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Split gate device with doped region and method therefor

Номер патента: US20170278937A1. Автор: Weize Chen,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Konstantin V. Loiko. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Memory Cell With Floating Gate, Coupling Gate And Erase Gate, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176460A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Catherine Decobert. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory cell with floating gate, coupling gate and erase gate, and method of making same

Номер патента: WO2020117331A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Catherine Decobert. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10361215B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10566341B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20210082927A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for forming same

Номер патента: US11069699B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20180366473A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20200168618A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20190326303A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Integration of memory cell and logic cell

Номер патента: US20240306361A1. Автор: Jui-Lin Chen,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

And type flash memory, programming method and erasing method

Номер патента: US20240071494A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US09735353B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Extended select gate lifetime

Номер патента: US09490018B2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,Kiran Pangal,Hanmant P. Belgal,Qingru Meng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Active dynamic memory cell

Номер патента: CA1322250C. Автор: Loren Thomas Lancaster. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-09-14.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: US20230043349A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for manufacturing dual damascene structure with a trench formed first

Номер патента: TW200608517A. Автор: Yu-Hua Lee,Chin-Tien Yang,Chia-Hung Lai,Juan-Jann Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

A method of filling a trench formed in a substrate with an insulating material

Номер патента: DE10234165B4. Автор: Karsten Wieczorek,Stephan Kruegel,Michael Raab. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetoelectric memory cells with domain-wall-mediated switching

Номер патента: US20180130511A1. Автор: Dmitri E. Nikonov,Alexey KOVALEV,Kirill D. Belashchenko,Oleg Tchernyshyov. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2018-05-10.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Flash memory structure with reduced dimension of gate structure

Номер патента: US20190074285A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Split-gate power module and method for suppressing oscillation therein

Номер патента: WO2003065454A3. Автор: Richard B Frey. Владелец: Advanced Power Technology. Дата публикации: 2004-02-26.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Power driven optimization for flash memory

Номер патента: EP3365893A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Single split-gate MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range

Номер патента: US5608243A. Автор: Min-Hwa Chi,Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011A3. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-06-21.

Dram gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: EP1938378A2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-07-12.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US12082513B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Split-gate power module and method for suppressing oscillation therein

Номер патента: WO2003065454A2. Автор: Richard B. Frey. Владелец: Advanced Power Technology, Inc.. Дата публикации: 2003-08-07.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: US11818886B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory cell suitable for dram memory

Номер патента: EP2225773A2. Автор: Sophie Puget,Pascale L. A. Mazoyer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Fabrication of an eeprom cell with emitter-polysilicon source/drain regions

Номер патента: WO2006016972A2. Автор: Muhammad I. Chaudhry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-16.

Fabrication of an eeprom cell with emitter-polysilicon source/drain regions

Номер патента: EP1779424A2. Автор: Muhammad I.; CHAUDHRY. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

One time programming memory cell with fin field-effect transistor using physically unclonable function technology

Номер патента: US20240021256A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Doped ternary nitride embedded resistors for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425389B2. Автор: Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174B. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174A. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

One time programming memory cell with gate-all-around transistor for physically unclonable function technology

Номер патента: US20240023328A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory cell having dielectric memory element

Номер патента: US09721655B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory cells with darlington pair bipolar junction transistor selector devices

Номер патента: US20240196628A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Praneet Adusumilli,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory

Номер патента: US20090040823A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Dynamic flash memory (dfm) with multi-cells

Номер патента: US20230354599A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory Cell with Phonon-Blocking Insulating Layer

Номер патента: US20130200476A1. Автор: WEI Tian,Zheng Gao,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Xiaohua Lou. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-08.

Racetrack memory cells with a vertical nanowire storage element

Номер патента: US9165675B2. Автор: Anthony J. Annunziata. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

AND type flash memory

Номер патента: US10790028B1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

NAND flash memory employing bit line charge/discharge circuit

Номер патента: US9190156B2. Автор: Mario Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Method for reading three-dimensional flash memory

Номер патента: US20210272637A1. Автор: Xiang FU,Zilong Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory cell with a variable element and a phase change memory

Номер патента: US20240215462A1. Автор: Ning Li,Kangguo Cheng,Juntao Li,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Jin Ping HAN,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

3D flash memory device with integrated passive device

Номер патента: US11844221B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Dynamic flash memory (dfm) with tri-gate for high efficiency operation

Номер патента: US20230354577A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

High density single-transistor antifuse memory cell

Номер патента: US09496270B2. Автор: Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for programming a non-volatile memory cell comprising a shared select transistor gate

Номер патента: US09443598B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-09-13.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US09412941B2. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of making trench DRAM cell with stacked capacitor and buried lateral contact

Номер патента: US4978634A. Автор: Masaaki Yashiro,Kiyoshi Shirai,Gishi Chung,Bing-Whey Shen,Randy McKee,Clarence Teng,Donald J. Coleman, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US20240081160A1. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-07.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US11957067B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Trench capacitor used in a semiconductor memory cell comprises a trench formed in a semiconductor substrate, an insulating collar in the upper region of the trench, upper and lower capacitor electrodes and a dielectric layer

Номер патента: DE102004019090B4. Автор: Harald Seidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-04.

Extended select gate lifetime

Номер патента: US20150078088A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Yogesh B Wakchaure,Qingru Meng,Hanmant P Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for reading three-dimensional flash memory

Номер патента: EP3891743A1. Автор: Xiang FU,Zilong Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Extended select gate lifetime

Номер патента: US20140307507A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hanmant P. Belgal,Qingru Meng,Yogesh Wakchaure. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-16.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: WO2023014413A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: EP4381505A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile storage system with adjustable select gates as a function of temperature

Номер патента: WO2019194895A1. Автор: Bo Lei,Xiying Costa,Joanna Lai,Mahim Raj GUPTA,Mohsen Purahmad. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-10-10.

Non-volatile storage system with adjustable select gates as a function of temperature

Номер патента: US20190311770A1. Автор: Bo Lei,Xiying Costa,Joanna Lai,Mahim Raj GUPTA,Mohsen Purahmad. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory Cell Manufacturing Method with a Step of Filling Space between Two Spacers and the Structure

Номер патента: KR100903460B1. Автор: 김봉길,박혁. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-06-18.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic flash memory

Номер патента: US20020145914A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20040018687A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20030077868A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Method of fabricating a self-aligned split gate flash memory cell

Номер патента: US6562673B2. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Low-power reading reference circuit for split-gate flash memory

Номер патента: US20070133275A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Library Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Structure and process of manufacture of split gate flash memory cell

Номер патента: US5614746A. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Novel process for preventing the reverse tunneling during programming in split gate flash

Номер патента: US20010016385A1. Автор: Kuei-Wu Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Double sidewall short channel split gate flash memory

Номер патента: US20010000153A1. Автор: Seiki Ogura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-05.

Self-aligned structure with unique erasing gate in split gate flash

Номер патента: US20040241942A1. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

High coupling split-gate transistor and method for its formation

Номер патента: US20020072174A1. Автор: Gurtej Sandhu,Sukesh Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Layout of a flash memory having symmetric select transistors

Номер патента: US20050040457A1. Автор: Ming-Hung Chou,Jen-Ren Huang. Владелец: MARCRONIX INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Stacked-gate flash memory device

Номер патента: US20030030096A1. Автор: Scott Hsu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Self-aligned 2-bit "double poly cmp" flash memory cell

Номер патента: EP1556867A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-27.

Self-aligned 2-bit 'double poly cmp' flash memory cell

Номер патента: WO2004038728A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods and apparatus for wordline protection in flash memory devices

Номер патента: WO2005112120A1. Автор: Mark William Randolph. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-11-24.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Disabling flash memory to protect memory contents

Номер патента: US20030228728A1. Автор: Hung-Chang Yu,Fei-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US12112809B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09666294B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09411681B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: WO2019055182A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-03-21.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235512A2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235513A2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235513A3. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP4235512A3. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Fabrication of an eeprom cell with sige source/drain regions

Номер патента: EP1787324A1. Автор: Muhammad I. Chaudhry. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-23.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Reconfigurable programmable logic device with P-channel non-volatile memory cells

Номер патента: US20080024164A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: WO2009070406A3. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: William Radke. Дата публикации: 2009-08-13.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: US8499229B2. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Layout of flash memory and formation method of the same

Номер патента: US6067249A. Автор: Hee-Youl Lee,Jae-Hyun Sone. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

System and method for implementing configurable convoluted neural networks with flash memories

Номер патента: EP3665722A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-17.

Flash memory for reducing reliability degradation of os data due to smt process and method for operating the same

Номер патента: US20240152280A1. Автор: Sungjun HONG,Dongwoo Shin,Hyojin AHN,Changjun LEE,SeongKuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Flash memory with high integration

Номер патента: US20240274196A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Flash memory

Номер патента: US09947409B2. Автор: Ken Matsubara,Satoru Nakanishi,Takashi Iwase. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: US09508443B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Optimized flash memory without dedicated parity area and with reduced array size

Номер патента: US09424178B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Flash memory array and decoding architecture

Номер патента: US5856942A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Fast decoding of data stored in a flash memory

Номер патента: US09954558B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: EP4181132A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US20230145117A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: WO2022207630A3. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20130051156A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: CA3207064A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20140071760A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Nand flash memory with reconfigurable neighbor assisted llr correction with downsampling and pipelining

Номер патента: US20200043557A1. Автор: Jun Feng,Fan Zhang,Yu Cai,Norton Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Flash memory with two-stage sensing scheme

Номер патента: US20100182846A1. Автор: Juhan Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Reference voltage optimization for flash memory

Номер патента: WO2010141650A2. Автор: Xueshi Yang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2010-12-09.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

High density flash memory device , cell string fabricating method thereof

Номер патента: US20100038698A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2010-02-18.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US20230352101A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for reading three-dimensional flash memory

Номер патента: US20230197170A1. Автор: Xiang FU,Zilong Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for reading three-dimensional flash memory

Номер патента: EP4236650A3. Автор: Xiang FU,Zilong Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof

Номер патента: WO2008069539A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2008-06-12.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Semiconductor memory cell and semiconductor component as well as manufacturing methods therefore

Номер патента: US20030099131A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Systems and methods for inter-cell interference mitigation in a flash memory

Номер патента: US20190179703A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Systems and methods for inter-cell interference mitigation in a flash memory

Номер патента: US20160124808A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938A1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938B1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-12-19.

Flash memory device

Номер патента: US20220051743A1. Автор: TING Li,Yu Wang,Xu HOU,Huangpeng ZHANG,Shiyang Yang,Huamin CAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

SRAM cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US7408815B2. Автор: William C. Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Nor flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090159956A1. Автор: Kazuhiro Asada,Hideyuki Yamawaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for fabricating AND-type flash memory cell

Номер патента: US20040157403A1. Автор: Chang Han,Bong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for forming flash memory cell

Номер патента: US20020177274A1. Автор: Ping-Yi Chang,Wan-Yi Liu,Shu-Li Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Flash Memory Storage System and Method

Номер патента: US20100274955A1. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2010-10-28.

Flash memory storage system and method

Номер патента: US8069302B2. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser,Arik Eyal. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Using Different Programming Modes to Store Data to a Memory Cell

Номер патента: US20150179268A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Dadi Setiadi,Rodney Virgil Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Control apparatus and control method with multiple flash memory card channels

Номер патента: US09658958B2. Автор: MIAO Chen,Yuanlong Wang. Владелец: NOREL SYSTEMS Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell

Номер патента: EP1847999A9. Автор: Jens Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-15.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Debris removal from a trench formed on a photolithographic mask

Номер патента: EP3726566B1. Автор: Kenneth Gilbert Roessler,Tod Evan Robinson,Bernabe J. Arruza. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device including application of different voltages to memory cells based on their proximity to a selected memory cell

Номер патента: USRE50025E1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of using a trench forming assembly having removable pin anchoring mechanism

Номер патента: US6533497B2. Автор: Charles E. Gunter. Владелец: ABT Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Mounting bracket assembly for connecting frame members of a trench-forming assembly and associated method of fabricating frame members

Номер патента: EP1416091A2. Автор: Timothy Harold Wallace,Barry Clifton Williams. Владелец: ABT Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Circuit and method for sensing memory cell having multiple threshold voltages

Номер патента: US6069830A. Автор: Seok-Ho Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US20160329100A1. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-10.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

Method and apparatus for stabilizing a trench form during construction

Номер патента: AU5362494A. Автор: John V Beamer. Владелец: Construction Casting Co. Дата публикации: 1994-05-09.

Debris removal from a trench formed on a photolithographic mask

Номер патента: EP3726566A1. Автор: Kenneth Gilbert Roessler,Tod Evan Robinson,Bernabe J. Arruza. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2020-10-21.

Memory cells incorporating a buffer circuit and memory comprising such a memory cell

Номер патента: US20030016563A1. Автор: Christophe Frey. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-01-23.

Method for repairing memory cell

Номер патента: US20040001369A1. Автор: Cheng-Cheng Wu,Yu-Lin Shen,Chin-Min Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Method for erasing split-gate flash memory

Номер патента: US5978274A. Автор: Lin-Song Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Anirban Roy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-23.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US09449707B2. Автор: Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells

Номер патента: US9633735B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Split gate programming

Номер патента: US20140003155A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-02.

Common source architecture for split gate memory

Номер патента: US09536614B2. Автор: Ronald J. Syzdek,Gilles J. Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for programming a split-gate memory cell and corresponding memory device

Номер патента: US20190237141A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Marc Mantelli. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-08-01.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Memory having p-type split gate memory cells and method of operation

Номер патента: US20090296491A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Cheong M. Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Sequence detection for flash memory with inter-cell interference

Номер патента: US20130107622A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Flash memory arrangement with a common read-write circuit shared by partial matrices of a memory column

Номер патента: US09754669B2. Автор: Stefan Guenther. Владелец: Anvo-Systems Dresden GmbH. Дата публикации: 2017-09-05.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Split gate valve with biasing mechanism

Номер патента: US09845891B2. Автор: Loc Gia Hoang,S. Mark Svoboda. Владелец: Cameron International Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Flash memory erase method

Номер патента: US20020154544A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho,Smile Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Flash memory programming check circuit

Номер патента: US20220068411A1. Автор: Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

System, method and apparatus for split gate valve with mechanically isolated seal surfaces

Номер патента: CA2675395C. Автор: David D. Comeaux,Robert K. Law,Anton J. Dach, Jr.. Владелец: Vetco Gray LLC. Дата публикации: 2012-05-08.

Method for page writing to flash memory using channel hot-carrier injection

Номер патента: WO1997001172A1. Автор: Chi Chang,Sameer Haddad,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-01-09.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

System and method to reduce disturbances during programming of flash memory cells

Номер патента: US09418744B2. Автор: Anh Ly,Jinho Kim,Victor Markov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Split Gate-IGBT structure and device

Номер патента: CN210628318U. Автор: 陈思凡,蔡铭进,徐守一. Владелец: Xiamen Xindamao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Flash memory device for outputing data in synch with a first signal in an SDR mode and a DDR mode and a flash memory system including the same

Номер патента: US09715936B2. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for Operating a High Density Multi-Level Cell Non-Volatile Flash Memory Device

Номер патента: US20130155768A1. Автор: FENG Yan,YUE Xu,Xiaoli Ji,Ling Pu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-20.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

On-chip repair of defective address of core flash memory cells

Номер патента: US6631086B1. Автор: Colin Bill,Darlene G. Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Azrul Halim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001029668A1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-04-26.

Improved read mode for flash memory

Номер патента: EP1908077A2. Автор: Hounien Chen,Nancy S. Leong. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-09.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US20160064092A1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Detection of leakage current in flash memory

Номер патента: US20240363179A1. Автор: Guanyu Sha. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US09401217B2. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Flash memory vds compensation techniques to reduce programming variability

Номер патента: WO1998044510A1. Автор: Stephen N. Keeney. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1998-10-08.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device with a memory capable of batch erasing a plurality of sectors and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087364B2. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Capacitance coupling parameter estimation in flash memories

Номер патента: US09934867B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Meysam Asadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: US09672794B2. Автор: Michael Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Reduced voltage nonvolatile flash memory

Номер патента: US09424938B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: US20210327519A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US9514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20080225573A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen V. Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20070247896A1. Автор: Kenneth Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for verifying a programmed flash memory

Номер патента: US20050149664A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US20150310921A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US09870834B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US09514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

An ultra low power memory cell with a supply feedback loop configured for minimal leakage operation

Номер патента: WO2012153258A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-01-24.

Flash memory

Номер патента: US20170358358A1. Автор: Koichi Ando. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Flash memory device with improved management of protection information

Номер патента: US20070016735A1. Автор: Mauro Sali,Francesco Mastroianni,Antonino Mondello,Massimiliano Mollichelli,Elena Cussotto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-18.

Flash memory for adjusting trip voltage using voltage regulator and sampling switch circuit and sensing method thereof

Номер патента: US20240265977A1. Автор: Jongryul Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Avoiding errors in a flash memory by using substitution transformations

Номер патента: WO2008081426B1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Simon Litsyn. Дата публикации: 2008-08-14.

An ultra low power sram cell circuit with a supply feedback loop for near and sub threshold operation

Номер патента: WO2012153257A2. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2012-11-15.

An ultra low power sram cell circuit with a supply feedback loop for near and sub threshold operation

Номер патента: WO2012153257A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-02-21.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: EP2823486A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Unusable column mapping in flash memory devices

Номер патента: US09952775B2. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Hyungseok Kim,June Lee,Chenrong Xiong,Jaesung SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Inter-cell interference reduction in flash memory devices

Номер патента: US09704594B1. Автор: Robert Mateescu,Seung-Hwan Song,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Dedicated redundancy circuits for different operations in a flash memory device

Номер патента: US7286399B2. Автор: Young-Ho Lim,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-23.

Non-volatile memory device which supplies erasable voltage to a flash memory cell

Номер патента: US5787037A. Автор: Masakazu Amanai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Circuit for the optimization of the programming of a flash memory

Номер патента: US20120002479A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Michele Febbrarino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory devices that support incremental step-pulse programming using nonuniform verify time intervals

Номер патента: US20080137435A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Soo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Flash memory for performing margin read test operation and margin read test system including the same

Номер патента: US20240145021A1. Автор: Hyun-Jin Shin,Gyuseong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

NAND flash memory device and method of reducing program disturb thereof

Номер патента: US12009036B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Charge retention for flash memory by manipulating the program data methodology

Номер патента: US20100302846A1. Автор: Mee-Choo Ong,Kian-Huat Hoo,Sheau-Yang Ch'ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Sequence Detection for Flash Memory With Inter-Cell Interference

Номер патента: US20120099372A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Selective slow programming convergence in a flash memory device

Номер патента: EP1891644A1. Автор: Giovanni Santin,Michele Incarnati,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-27.

Charge Loss Compensation Through Augmentation of Accumulated Charge in a Memory Cell

Номер патента: US20160293250A1. Автор: Wei Wang,Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Single-ended memory cell with improved read stability, memory using the cell, and methods of operating and designing same

Номер патента: US20080192525A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Keunwoo Kim,Vinod Ramadurai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Flash memory chip processing

Номер патента: US09851921B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Sub-block page erase in 3D p-channel flash memory

Номер патента: US09607702B2. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Charge loss compensation through augmentation of accumulated charge in a memory cell

Номер патента: US09576649B2. Автор: Wei Wang,Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays

Номер патента: US09536612B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory cells wear reduction

Номер патента: US09524790B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Flash memory apparatus and initialization method for programming operation thereof

Номер патента: US09437311B1. Автор: Tsai-Ko Teng. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for Erasing a Flash Memory Cell or an Array of Such Cells Having Improved Erase Coupling Ratio

Номер патента: US20100157687A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Prateep Tuntasood,Jonathan Pabustan,Ben Sheen,Geeng-Chuan Michael Chern,Yaw Wen Hu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Sense amplifier for flash memory

Номер патента: US5999454A. Автор: Malcolm H. Smith. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Flash memory with redundancy

Номер патента: GB2308693A. Автор: Joo Weon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-02.

Trapping storage flash memory cell structure with inversion source and drain regions

Номер патента: US20080205166A1. Автор: Mu-Yi Liu,Chia-Lun Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240221826A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods, apparatus, and systems for flash memory bit line charging

Номер патента: US20080158999A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

New compensated method to implement a high voltage discharge phase after erase pulse in a flash memory device

Номер патента: WO2006033832A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Davide Manfre. Владелец: Davide Manfre. Дата публикации: 2007-02-15.

Flash memory having enhanced yield and having enhanced reliability in redundant and dummy circuits

Номер патента: US6757195B2. Автор: Mitsuru Sugita,Yoshio Kasai,Toshihiro Abe,Naoki Ootani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-29.

Flash memory with sensing amplifier using load transistors driven by coupled gate voltages

Номер патента: US20040017695A1. Автор: Hong-Ping Tsai,Yu-Ming Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240290399A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: EP4421810A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A2. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Flash memory

Номер патента: US20030043626A1. Автор: Mitsuru Sugita,Yoshio Kasai,Toshihiro Abe,Naoki Ootani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: US20240304263A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: EP4428862A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Capacitance coupling parameter estimation in flash memories

Номер патента: US20180180654A1. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Meysam Asadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Novel flash memory array and decoding architecture

Номер патента: WO1998056002A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Tsao Hsing Ya. Дата публикации: 1998-12-10.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: EP4107728A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: WO2021167648A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Sense circuit and sensing operation method in flash memory devices

Номер патента: US20210174880A1. Автор: Ke Liang,Liang Qiao,Chunyuan HOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Номер патента: WO2009079783A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-02.

A secure poly fuse rom with a power-on or on-reset hardware security features and method therefor

Номер патента: WO2002091383A2. Автор: Elie Khoury. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-11-14.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: WO2007035277A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: EP1927113A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-04.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

A secure poly fuse rom with a power-on or on-reset hardware security features and method therefor

Номер патента: EP1425752A2. Автор: Elie Khoury. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-09.

Loading data with error detection in a power on sequence of flash memory device

Номер патента: US20080291733A1. Автор: Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu,Chou-Ying Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Efficient search for optimal read thresholds in flash memory

Номер патента: US09697075B2. Автор: Barak Baum,Yonathan Tate,Moti Teitel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Flash memory system

Номер патента: US09588883B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory cell with decoupled read/write path

Номер патента: US09530462B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Systems-On-Chips Including Programmed Memory Cells and Programmable and Erasable Memory Cells

Номер патента: US20060250844A1. Автор: Byeong-Hoon Lee,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Soft erasure of memory cells

Номер патента: US20140071751A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Antoine Khoueir,Dadi Setiadi,Rodney Virgil Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

A device and method to read a 2-transistor flash memory cell

Номер патента: WO2003050813A3. Автор: Roger Cuppens,Franciscus P Widdershoven,Anthonie M H Ditewig. Владелец: Anthonie M H Ditewig. Дата публикации: 2003-11-27.

Method for operating non-volatile memory cells

Номер патента: US20010015911A1. Автор: Kou-Su Chen,Shih-Chun Fu,Jui-Te Chan. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Nand flash memory programming

Номер патента: US20100202217A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

NAND flash memory programming

Номер патента: US20080049518A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for manufacturing non-volatile memory cell array

Номер патента: US20020031012A1. Автор: Kou-Su Chen,Shih-Chun Fu,Juo-Te Chan. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

States Encoding in Multi-Bit Cell Flash Memory for Optimizing Error Rate

Номер патента: US20090113120A1. Автор: Mark Murin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001232A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001228A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20010055224A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-27.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020031010A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Discharge circuit for a word-erasable flash memory device

Номер патента: US20070007561A1. Автор: Antonino Conte,Mario Micciche,Giampiero Sberno,Enrico Castaldo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-11.

Voltage reference generator for flash memory

Номер патента: US20090323413A1. Автор: Gerald J. Barkley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for determining an optimal voltage pulse for programming a flash memory cell

Номер патента: US09627074B2. Автор: Jean Coignus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-18.

Data conditioning to improve flash memory reliability

Номер патента: US09471425B2. Автор: Vishal Sarin,William H. Radke,Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and system for adaptive setting of verify levels in flash memory

Номер патента: US09431125B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Noam Presman,Ilya Bekkerman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Method for reading data stored in a flash memory according to a voltage characteristic and memory controller thereof

Номер патента: US11881269B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods for erasing, reading and programming flash memories

Номер патента: US20150103603A1. Автор: Yoh Tz Chang,Kai Tao. Владелец: Siltech Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for Reading Data Stored in a Flash Memory According to a Voltage Characteristic and Memory Controller Thereof

Номер патента: US20240127894A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for compacting the erased threshold voltage distribution of flash memory devices during writing operations

Номер патента: US20080049521A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Federico Pio,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for inspecting the electrical performance of a flash memory cell

Номер патента: US7940584B2. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Memory system that uses NAND flash memory as a memory chip

Номер патента: US11309051B2. Автор: Takehiko Amaki,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: EP1224549B1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-08-27.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: EP2519950A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

Flash memory with multiple status reading capability

Номер патента: US20030117860A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Row redundancy for flash memories

Номер патента: GB9202002D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-18.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09852788B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Systems, and devices, and methods for programming a resistive memory cell

Номер патента: US09576658B2. Автор: Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09484097B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Write assist circuit and memory cell

Номер патента: US09449680B2. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module

Номер патента: US09431118B1. Автор: Hanan Weingarten,Ilan Bar. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and apparatus for storing data in a flash memory including single level memory cells and multi level memory cells

Номер патента: US8495320B1. Автор: Lau Nguyen,Joseph Sheredy. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Extending flash memory data retension via rewrite refresh

Номер патента: WO2009086177A1. Автор: Mark W. Randolph,Darlene G. Hamilton,Don Carlos Darling,Ron Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Sectored flash memory comprising means for controlling and for refreshing memory cells

Номер патента: US6965526B2. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-11-15.

Address transition detection sensing interface for flash memory having multi-bit cells

Номер патента: US5594691A. Автор: Amir Bashir. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Non-destructive mode cache programming in nand flash memory devices

Номер патента: US20240127899A1. Автор: Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11847557B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Flash memory device for adjusting trip voltage using voltage regulator and sensing method thereof

Номер патента: US20240029798A1. Автор: Kiwhan Song,Tae-Hong Kwon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nand flash memory

Номер патента: US20100091566A1. Автор: Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US20100118613A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Compensation method to achieve uniform programming speed of flash memory devices

Номер патента: WO2009002619A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Fan Wan Lai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Apparatus, method, and system for flash memory

Номер патента: US20080158950A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for extracting substrate coupling coefficient of a flash memory

Номер патента: US6292393B1. Автор: Chih-Mu Huang,Chuan-Jane Chao,Chi-Hung Kao,Jung-Yu Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Using a logical to physical map for direct user space communication with a data storage device

Номер патента: EP2929439A1. Автор: Albert T. Borchers,Andrew T. Swing,Thomas J. Norrie,Benjamin S. Gelb. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2015-10-14.

Improved erase method for a dual bit memory cell

Номер патента: EP1497833A1. Автор: Binh Q. Le,Kulachet Tanpairoj,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Eric M. Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Using a logical to physical map for direct user space communication with a data storage device

Номер патента: WO2014093222A1. Автор: Albert T. Borchers,Andrew T. Swing,Thomas J. Norrie,Benjamin S. Gelb. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same

Номер патента: US09449704B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks

Номер патента: US5920501A. Автор: Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Flash memory having transistor redundancy

Номер патента: US5559742A. Автор: Fernando Gonzalez,Roger R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-09-24.

Bit map addressing schemes for flash/memory

Номер патента: US5781472A. Автор: Mark E. Bauer,Sherif Sweha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Decoding method in an NROM flash memory array

Номер патента: US7881121B2. Автор: Cheng-Jye Liu,Jongoh Kim,Yi-Jin Kwon. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Space efficient column decoder for flash memory redundant columns

Номер патента: US5729551A. Автор: Eung Joon Park,Hsi-Hsien Hung. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1998-03-17.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-bit data

Номер патента: US20080316819A1. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

System and method for writing data to memory cells so as to enable faster reads of the data using dual wordline drivers

Номер патента: US5959897A. Автор: Christophe J. Chevallier,Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman,Darrell D. Binerson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Semiconductor memory and method for substituting a redundancy memory cell

Номер патента: US5684740A. Автор: Masayoshi Hirata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-04.

Erase power loss indicator (EPLI) implementation in flash memory device

Номер патента: US11935603B2. Автор: Pawan Singh,Kobi Danon,Yoram Betser,Amichai GIVANT,Shivananda Shetty,Idan Koren,Amir Rochman. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Background reads to condition programmed semiconductor memory cells

Номер патента: US20180225164A1. Автор: Antoine Khoueir,Stacey Secatch,Kevin Gomez,Ryan Goss. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

Methods and systems for high write performance in multi-bit flash memory devices

Номер патента: WO2005106891A1. Автор: Mark Randolph,Darlene Hamilton,Roni Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-11-10.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11797834B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20090161432A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Flash memory device using adaptive program verification scheme and related method of operation

Номер патента: US20150262700A1. Автор: Ki Tae Park,Moo Sung Kim,Hyun jun YOON,Bo Geun KIM,Sang Yong YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Nand flash memory

Номер патента: US20100277977A1. Автор: Dai Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with MONOS type memory cell

Номер патента: US20040062080A1. Автор: Hiroshi Kato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nand-type flash memory and semiconductor memory device

Номер патента: US20090154243A1. Автор: Hiroyuki Ohtake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Flash memory storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180336954A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Method and apparatus for leakage suppression in flash memory

Номер патента: US20120262988A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Yu-Chen Wang,Nai-Ping Kuo,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Configuration of host lba interface with flash memory

Номер патента: WO2008082999A3. Автор: Barry Wright,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Alan Welsh Sinclair. Дата публикации: 2008-10-02.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: WO2001075890A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Circuit and method for programming charge storage memory cells

Номер патента: US20050162922A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Flash memory architecture implementing interconnection redundancy

Номер патента: US20240256407A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory cell imprint avoidance

Номер патента: US09721639B1. Автор: Kirk Prall,Ferdinando Bedeschi,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Flash memory controller, data processing system with flash memory controller and method of operating a flash memory controller

Номер патента: US09720797B2. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas Ralph Pachl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and methods for effectively interacting with a flash memory

Номер патента: US09690713B1. Автор: Lior Khermosh,Gal Zuckerman,Ofer Bar-Or. Владелец: Parallel Machines Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Host apparatus to independently schedule maintenance operations for respective virtual block devices in the flash memory dependent on information received from a memory controller

Номер патента: US09588904B1. Автор: Robert Lercari,Alan Chen,Mike Jadon,Craig Robertson,Andrey V. Kuzmin. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory controller having dual mode pin-out

Номер патента: US09471484B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh,Young Goan Kim,Hyun Woong Lee. Владелец: Novachips Canada Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of reducing trapped holes induced by erase operations in the tunnel oxide of flash memory cells

Номер патента: US6493280B2. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Jeffrey Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-10.

Flash memory device with NAND architecture with reduced capacitive coupling effect

Номер патента: US7394694B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-07-01.

Method of programming a memory cell to contain multiple values

Номер патента: US5831901A. Автор: Yuan Tang,Qimeng Zhou,Hsingya Arthur Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Fail number detecting circuit of flash memory

Номер патента: US20030081459A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tomoharu Tanaka,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi,Tamio Ikehashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Multi-state flash memory defect management

Номер патента: US6134143A. Автор: Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Circuit of sensing a fuse cell in a flash memory

Номер патента: US6021067A. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Storage device including flash memory and block continuous-write operation method thereof

Номер патента: EP4339954A1. Автор: Sang-Won Park,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-20.

Storage device including flash memory and block continuous-write operation method thereof

Номер патента: US20240087658A1. Автор: Sang-Won Park,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Programming a Memory Cell Using a Dual Polarity Charge Pump

Номер патента: US20150213901A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Antoine Khoueir,Dadi Setiadi,Rodney V. Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Block select circuit in a flash memory device

Номер патента: US20040156237A1. Автор: Jong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Pre-read technique for multi-pass programming of flash memory

Номер патента: US10650896B1. Автор: XIN YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Dynamic programming for flash memory

Номер патента: US20120268999A1. Автор: Ning TAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-25.

Flash memory reference voltage detection with tracking of cross-points of cell voltage distributions using histograms

Номер патента: US20150092489A1. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,Yunxiang Wu,Abdel-Hakim Alhussien. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Flash memory device and erase method thereof

Номер патента: US20080080258A1. Автор: Jong Hyun Wang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Over-sampling read operation for a flash memory device

Номер патента: US20130286741A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-31.

Over-sampling read operation for a flash memory device

Номер патента: US20120147671A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-14.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Flash memory device with sense-amplifier-bypassed trim data read

Номер патента: US20150279473A1. Автор: Sung Jin Yoo,HanKook Kang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Flash memory devices including dram

Номер патента: US20230377626A1. Автор: Walter Di Francesco,Chang SIAU,Luca Nubile,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Flash memory for reducing reliability degradation of os data due to smt process

Номер патента: US20240153567A1. Автор: Dongwoo Shin,Hoon Jo,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE,SeongKuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory block erasing in a flash memory device

Номер патента: EP1894206A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Memory block erasing in a flash memory device

Номер патента: WO2006122245A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-11-16.

Dynamic programming for flash memory

Номер патента: US20140029348A1. Автор: Ning TAN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568037A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: US20040105312A1. Автор: Yi He,Mark Randolph,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Pauling Chen,Binh Le,Edward Runnion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2004051663A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory configuration with a refresh logic circuit, and method of refreshing a memory content of the semiconductor memory configuration

Номер патента: US20010026491A1. Автор: Thomas Böhm,Thomas Rohr,Georg Braun,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-04.

Raw read based physically unclonable function for flash memory

Номер патента: US20210055912A1. Автор: Siarhei ZALIVAKA,Alexander IVANIUK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory cell sensing architecture

Номер патента: US20240257855A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Eeprom memory cell with improved protection against errors due to cell breakdown

Номер патента: US5107461A. Автор: Carlo Riva. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1992-04-21.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Differential signal path for high speed data transmission in flash memory

Номер патента: US20020085425A1. Автор: Balaji Srinivasan,Robert Baltar,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of erasing a flash memory cell

Номер патента: US20020012274A1. Автор: Hee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Devices, methods, and systems for calibrating a read voltage used for reading memory cells

Номер патента: US20240265959A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Read and write enhancements for arrays of superconducting magnetic memory cells

Номер патента: US12080343B2. Автор: William Robert Reohr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Ground reference scheme for a memory cell

Номер патента: US09934837B2. Автор: Daniele Vimercati,Umberto Di Vincenzo,Christopher John Kawamura,Scott James Derner,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus for adjusting supply level to improve write margin of a memory cell

Номер патента: US09666268B2. Автор: Yih Wang,Fatih Hamzaoglu,Muhammad M. Khellah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Flash memory system and method controlling same

Номер патента: US09535620B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Geun-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Detection and localization of failures in 3D NAND flash memory

Номер патента: US09529663B1. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Cell-level statistics collection for detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09502117B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory cell dynamic grouping using write detection

Номер патента: US09472279B2. Автор: Farid Nemati,Yi-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09329992B2. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Flash memory device having a page mode of operation

Номер патента: US5742543A. Автор: Albert Fazio. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Analog interface for a flash memory die

Номер патента: US7911834B2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Programming flash memories

Номер патента: US20040125654A1. Автор: Steve Gualandri,Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method and device for data protection in synchronous non-volatile flash memory

Номер патента: EP2287847A2. Автор: Frankie F. Roohparvar,Kevin C. Widmer. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-02-23.

Determining threshold voltage distribution in flash memory

Номер патента: US8625369B1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Sensing scheme for flash memory with multilevel cells

Номер патента: US5828616A. Автор: Albert Fazio,Mark E. Bauer,Sanjay Talreja,Gregory Atwood,Johnny Javanifard,Kevin W. Frary. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Memory system provided with nand flash memory and method including simultaneously writing data to first and second districts

Номер патента: US20150248330A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Method for operating a memory cell array

Номер патента: US7113428B2. Автор: Georg Tempel,Matthias Ernst,Martin Steinbrück,Stefan Trost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-26.

Array Of Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cells Having Improved Strapping Of The Coupling Gates

Номер патента: US20130126958A1. Автор: Van Tran Hieu,Do Nhan,GHAZAVI PARVIZ,"Ommani Henry A.",Wang Shiuh-Luen. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nor-type channel-program channel-erase contactless flash memory on soi

Номер патента: WO2005081769B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2006-02-23.

一种改善Power MOSFET Split Gate产品漏电的方法及SGT Power MOSFET

Номер патента: CN118824854A. Автор: 吴栋华,郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

A kind of Split-gate MOS structure

Номер патента: CN208422923U. Автор: 姜帆,陈利,陈剑,张军亮,陈译. Владелец: Xiamen Core 1 Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRESENTATION OF A GENERATED ROUTE WITH A SPECIFIABLE ROAD

Номер патента: US20120004842A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.