Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2
Опубликовано: 19-09-2023
Автор(ы): Daehan Kim, Myungnam Lee, Wontaeck Jung
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory apparatus and method of operation using periodic normal erase dummy cycle to improve stripe erase endurance and data retention

Номер патента: US20220399066A1. Автор: Ravi Kumar,Dengtao Zhao,Chin-Yi Chen,Anubhav Khandelwal,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Mlc programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230290419A1. Автор: Xiang Yang,Takayuki Inoue,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Data storage systems and methods for improved recovery after a write abort event

Номер патента: US11264104B2. Автор: Bo Lei,Dongxiang Liao,Chao-Han Cheng,Mohsen Purahmad. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Data Storage Systems and Methods for Improved Recovery After a Write Abort Event

Номер патента: US20200350025A1. Автор: Bo Lei,Dongxiang Liao,Chao-Han Cheng,Mohsen Purahmad. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437540A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods of performing read count leveling for multiple portions of a block of memory cells

Номер патента: US20190287619A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Analog sensing of memory cells with a source follower driver in a semiconductor memory device

Номер патента: US20130272070A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Rooparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230223078A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Nonvolatile memory device and an erase method thereof

Номер патента: US20190156896A1. Автор: Jin-woo Park,Seung-Bum Kim,Se-Hwan Park,Deok-Woo Lee,Ji-Yoon Park,Wan-Dong KIM,You-Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Nonvolatile memory device and an erase method thereof

Номер патента: US20190392904A1. Автор: Jin-woo Park,Seung-Bum Kim,Se-Hwan Park,Deok-Woo Lee,Ji-Yoon Park,Wan-Dong KIM,You-Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory apparatus and method of operation using state dependent strobe tier scan to reduce peak ICC

Номер патента: US12057175B2. Автор: Xiang Yang,Hiroyuki Mizukoshi,Deepanshu Dutta,Chin-Yi Chen,Jiahui Yuan,Muhammad Masuduzzaman,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Multiple step programming in a memory device

Номер патента: US20140369117A1. Автор: Violante Moschiano,Mason Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Nonvolatile memory device and threshold adjusting method of ground selection transistor thereof

Номер патента: KR101903440B1. Автор: 심재성,김동찬,이봉용,이애정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-10-02.

NAND flash memory device and method of reducing program disturb thereof

Номер патента: US12009036B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US12073895B2. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory apparatus and method of operation using state dependent strobe tier scan to reduce peak icc

Номер патента: US20230326530A1. Автор: Xiang Yang,Hiroyuki Mizukoshi,Deepanshu Dutta,Chin-Yi Chen,Jiahui Yuan,Muhammad Masuduzzaman,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus, systems, and methods to operate a memory

Номер патента: US09972391B2. Автор: Mark Helm,Koji Sakui,Takehiro Hasegawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240105270A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20230386559A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronic Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11763877B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11996136B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Method and apparatus for estimating read levels of nonvolatile memory and for programming pilot signals used for such estimation

Номер патента: US09672928B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and apparatus for estimating read levels of nonvolatile memory and for programming pilot signals used for such estimation

Номер патента: US20170133097A1. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device, a controller, and operating methods of the semiconductor memory device and the controller

Номер патента: US20210183464A1. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437539A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device, memory system, and method of operating memory device

Номер патента: US20200020404A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: WO2023197774A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230223085A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Folding circuit and nonvolatile memory devices

Номер патента: US09704589B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090016107A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US20240379178A1. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240038306A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823727B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Reading Memory Cells Coarsely Programmed via Interleaved Two-Pass Data Programming Techniques

Номер патента: US20220199154A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device, storage apparatus and method for diagnosing slow memory cells

Номер патента: US09508421B2. Автор: Masahiro Ise,Osamu Ishibashi,Yoshinori Mesaki,Michiyo Garbe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230326537A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device and a method for operating the same

Номер патента: US11942162B2. Автор: Hyung Soo Kim,Jong Min Kim,Dae Han Kim,Myoung Won YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A4. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-23.

Nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US20200303011A1. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US09747989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Dynamic program window determination in a memory device

Номер патента: US09455043B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,William H. Radke,Tommaso Vali,Massimo Rossini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and erasing method

Номер патента: US12080353B2. Автор: Masaru Yano,Toshiaki Takeshita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: US11894078B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09851912B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09514827B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: WO2023134299A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: WO2023134297A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Redundancy in microelectronic devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20210202004A1. Автор: Toru Ishikawa,Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180061510A1. Автор: Jong Won Park,Chan Woo Yang,Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, program method thereof, and operation method of controller controlling the same

Номер патента: US20130188426A1. Автор: Sang-Soo Park,Il Han Park,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-25.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory device and the writing method of the same

Номер патента: KR100833327B1. Автор: 이상선,최승혁,김정하. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-05-28.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: EP3685384A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240282391A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US10074441B2. Автор: Byoung-Sung YOU,Jae-Hyoung KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240038304A1. Автор: Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240127892A1. Автор: Yun Cheol Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Efficient reprogramming method for tightening a threshold voltage distribution in a memory device

Номер патента: US20150325297A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11937418B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230135902A1. Автор: Xu Li. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11862247B2. Автор: Xu Li. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

High performance verify techniques in a memory device

Номер патента: US20240112744A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Adaptive control of memory cell programming voltage

Номер патента: US20200090770A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: WO2019221790A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-21.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Nonvolatile memory device, method of reading data from a nonvolatile memory device, memory system and method of operating a memory system

Номер патента: CN104051016A. Автор: 金经纶,尹翔镛. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-17.

Nonvolatile memory circuit, semiconductor device, and method for reading nonvolatile memory

Номер патента: CN114913905A. Автор: 松本拓也. Владелец: Lanbishi Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Method and apparatus for controlling reading level of memory cell

Номер патента: WO2008156238A1. Автор: Jun Jin Kong,Seung-Hwan Song,Dong Ku Kang,Sung Chung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-12-24.

Semiconductor memory device and block management method of the same

Номер патента: US8127071B2. Автор: Min-Young Kim,Su-Ryun LEE,Song-ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-28.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Nonvolatile memory cells having an embedded selection element and nonvolatile memory cell arrays including the nonvolatile memory cells

Номер патента: US20210066585A1. Автор: Sang Min Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US20240062790A1. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US11837317B2. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09799404B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device performing a multiplicaiton and accumulation operation

Номер патента: US20210072956A1. Автор: Hyuk-Jin Lee,Seonghwan Cho,Jin-O SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-03-11.

Nonvolatile memory with enhanced carrier generation and method for programming the same

Номер патента: US5258949A. Автор: Ming-Bing Chang,Ko-Min Chang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A2. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A3. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: US09543024B2. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and Methods for Selecting Bit Per Cell Density of a Memory Cell Based on Data Typing

Номер патента: US20110060886A1. Автор: Robb Mankin,Robert W. Warren. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240355391A1. Автор: Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Pengyuan Zheng,Ravi Jadhav. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Method of stabilizing reference bit of multi-bit memory cell

Номер патента: US6466477B1. Автор: Ming-Hung Chou,Smile Huang,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: WO2013147818A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240079057A1. Автор: Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of erasing a nonvolatile memory for preventing over-soft-program

Номер патента: US20160078961A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210265371A1. Автор: Lifang Xu,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: WO2021173298A1. Автор: Lifang Xu,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-02.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory devices including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatuses including memory device

Номер патента: US20240215250A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile memory with page copy capability and method thereof

Номер патента: EP1465203A1. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-06.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: WO2022046451A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Mattia Robustelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: US20230034787A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: US12014779B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US7936619B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Operating method of nonvolatile memory and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09466387B2. Автор: Sang-Wan Nam,Junghoon Park,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of operating storage devices

Номер патента: US09928902B2. Автор: Sang-Won Hwang,Joon-Soo KWON,Seung-Cheol Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Flash memory devices that support incremental step-pulse programming using nonuniform verify time intervals

Номер патента: US20080137435A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Soo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Apparatus and methods for sensing hard bit and soft bits

Номер патента: US09595325B2. Автор: Tz-yi Liu,Tianhong Yan,Yingchang Chen,Chang SIAU,Gopinath Balakrishnan,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060120156A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

User device including a nonvolatile memory device and a data write method thereof

Номер патента: US11860774B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sung Won Jung,Sangkwon Moon,Seunguk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile memory device including transfer element

Номер патента: US20200152265A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Ji-Hoon Lim,June-Hong PARK,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory device

Номер патента: US20240282386A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatus and methods for sensing hard bit and soft bits

Номер патента: US20160217854A1. Автор: Tz-yi Liu,Tianhong Yan,Yingchang Chen,Chang SIAU,Gopinath Balakrishnan,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Cross-temperature compensation based on media endurance in memory devices

Номер патента: US20240069745A1. Автор: Hyungseok Kim,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

High voltage switch, nonvolatile memory device comprising same, and related method of operation

Номер патента: US9349457B2. Автор: Taehyun Kim,Youngsun Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240069803A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US12045511B2. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Reduction of power consumption in memory devices during refresh modes

Номер патента: US09984737B2. Автор: John B. Halbert,Christopher E. Cox,Kuljit Singh Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile memory having bit line discharge, and method of operation thereof

Номер патента: US20040213048A1. Автор: Kyung Han,Joo Park,Poongyeub Lee,Eungjoon Park. Владелец: Nexflash Technologies Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Circuit and method for programming charge storage memory cells

Номер патента: US20050162922A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Memory device for signed multi-bit to multi-bit multiplications

Номер патента: US20240304254A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240012568A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory system and method of programming an array of floating gate memory cells

Номер патента: TWI350541B. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

System and method for memory integrated circuit chip write abort indication

Номер патента: US09812209B2. Автор: Asaf Gueta,Inon Cohen,Arie Star. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method for memory integrated circuit chip write abort indication

Номер патента: US09659619B2. Автор: Asaf Gueta,Inon Cohen,Arie Star. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11762599B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Self Adapting Iterative Read Calibration to Retrieve Data from Memory Cells

Номер патента: US20210311668A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271416A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Data storage device, controller, and operating method of data storage device.

Номер патента: NL2011662B1. Автор: YUN Eun-jin,Lee Wonseok,HWANG Seongsik,MOON YOUNGKUG,SOHN Donghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Storage device and related methods using timer setting

Номер патента: US09443603B2. Автор: Young Bong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190189221A1. Автор: Shin Hyun-sung,Kim Taek-Soo,CHANG Sang-Hoan,PARK Chan-lk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF PERFORMING READ OPERATIONS

Номер патента: US20140036593A1. Автор: Kim Seung-bum. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Control of memory devices possessing variable resistance characteristics

Номер патента: WO2006036622A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US11923002B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20230402074A1. Автор: Sungyong Cho,Hye-Ran Kim,Jaehyeok Baek,Min Ho MAEING,Moonchul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of programming/erasing the nonvolatile memory

Номер патента: US20110013459A1. Автор: Kai-Yuan Hsiao,Yun-Jen Ting. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: US20160180958A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: US09418000B2. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Weighted read scrub for nonvolatile memory including memory holes

Номер патента: US09760307B2. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Steven T. Sprouse,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210255796A1. Автор: Takayuki Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: WO2016105795A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

SPLIT-GATE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SPLIT-TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE EMBEDDED THEREIN, AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130242659A1. Автор: Kim Yong-Tae,Yu Tea-Kwang,Kim Kwang-Tae,Seo Bo-Young,Lee Yong-Kyu,Jeon Hee-Seog. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING SINGLE-LAYER GATE, METHOD OF OPERATING THE SAME, AND MEMORY CELL ARRAY THEREOF

Номер патента: US20150303203A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Fast programming memory device

Номер патента: US09779821B2. Автор: Giuseppe Giannini,Marco Maccarrone,Demetrio Pellicone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Inter-cell interference reduction in flash memory devices

Номер патента: US09704594B1. Автор: Robert Mateescu,Seung-Hwan Song,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile memory device, memory controller, and operating method of the same

Номер патента: KR20160007972A. Автор: 이지상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Fast programming memory device

Номер патента: US9632730B2. Автор: Giuseppe Giannini,Marco Maccarrone,Demetrio Pellicone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system for performing recovery operation, memory device, and method of operating the same

Номер патента: US11989091B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: EP2517209A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-10-31.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20190369887A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11861226B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240094959A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods and systems for compensating for degradation of resistive memory device

Номер патента: US20200051629A1. Автор: Ki-Sung Kim,Han-Sung Joo,Seung-you BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071500A1. Автор: Jin Yue,Jae Young Ahn,Kyubong JUNG,Jae Kyu Choi,Albert Fayrushin,Jun Kyu YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US11869841B2. Автор: Sidhartha Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device and stress testing method of same

Номер патента: US09627091B1. Автор: Johnny Chan,Hsi-Hsien Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device includes efuse, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09659672B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory devices, testing systems and methods

Номер патента: US09672939B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US20230123830A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US11854650B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device sideband systems and methods

Номер патента: US20230317193A1. Автор: Joshua E. Alzheimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: US09489302B2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile Memory Devices Including Variable Resistive Elements

Номер патента: US20100061146A1. Автор: Hye-jin Kim,Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-11.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

HIGH VOLTAGE SWITCH, NONVOLATILE MEMORY DEVICE COMPRISING SAME, AND RELATED METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20150138893A1. Автор: Kim Taehyun,MIN Youngsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: EP3754512A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-23.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Open channel solid state drive, nonvolatile memory system including the same and method of power loss protection of open channel solid state drive

Номер патента: US11803223B2. Автор: Jong Won Lee,In Hwan Doh,Min Seok Ko,Dae Ok KIM,In Hae Kang,Yang Woo Roh,Se Jeong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US12100475B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory device, memory system, and method of operating the memory system

Номер патента: EP4181140A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device performing ecs operation, operation method of the memory device, memory system, electronic device, and electronic system

Номер патента: US20240161807A1. Автор: Youngbin LEE,Saemi Song,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device, memory system, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US12020737B2. Автор: Hisanori Aikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US10997020B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US11031065B2. Автор: Hyun-Gi Kim,Sang-Uhn CHA,In-Woo JUN,Hoon SIN,Ye-sin Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-08.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230359524A1. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US11740967B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US11791273B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250337A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating the semiconductor memory devices

Номер патента: US20200218611A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Uhn CHA,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Integrated Circuit, Memory Cell Arrangement, Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, Method of Operating a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, and Method of Manufacturing a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell

Номер патента: US20090251950A1. Автор: Ulrich Klostermann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Apparatuses and methods for compute components formed over an array of memory cells

Номер патента: US20190355406A1. Автор: Jason T. ZAWODNY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Apparatuses and methods for compute components formed over an array of memory cells

Номер патента: US20210110858A1. Автор: Jason T. ZAWODNY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Read-out circuit for a dynamic memory circuit, memory cell array, and method for amplifying and reading data stored in a memory cell array

Номер патента: US20040090833A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20170330881A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20190214390A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells

Номер патента: WO2017196918A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Array of Cross Point Memory Cells and Methods of Forming an Array of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20200152633A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Microelectronic devices including conductive levels having varying compositions, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: WO2022203776A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

Microelectronic devices including conductive levels having varying compositions, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20220310522A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210398997A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device, memory system, and operation method of memory device

Номер патента: US20210327476A1. Автор: Ki-Seok OH,DongHun Lee,Young-Soo Sohn,Young-Hoon SON,Hyun-Yoon Cho,Kyung-Soo Ha,Changkyo LEE,Daesik Moon,Seokhun Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Device and method for determining a cell level of a resistive memory cell

Номер патента: US20150302921A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs,Manuel Le Gallo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor memory device, electronic apparatus, and method of reading data

Номер патента: US20200373313A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory devices, memory modules, and operating methods of memory devices

Номер патента: US20210217461A1. Автор: Nam Sung Kim,Seongil O,Haesuk LEE,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory element, method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory device, charge pump and method for adjusting voltage of charge pump

Номер патента: US20130114355A1. Автор: Ken Takeuchi,Kentaro Honda,Kosuke Miyaji,Shuhei TANAKAMARU. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory device, memory system, and method

Номер патента: US20230410857A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Anti-fuse memory device, memory array, and programming method of an anti-fuse memory device for preventing leakage current and program disturbance

Номер патента: US11783905B2. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Chieh-Tse Lee,Ting-Yang Yen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device power managers and methods

Номер патента: US20100191999A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US20240071447A1. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and layout, manufacturing method of the same

Номер патента: US20230354572A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US11837321B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Refresh circuit of a semiconductor memory device and refresh control method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20130201777A1. Автор: Jung-Bae Lee,Sang-Ho Shin,Min-Jeung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-08.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: WO2022132382A1. Автор: Brett D. Lowe,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20240111433A1. Автор: Haewon Lee,Jieun Shin,Sang-Kyu Kang,Ho-Cheol BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: WO2013161595A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

Resistive memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190109279A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor memory device and data read method of the same

Номер патента: US20050122830A1. Автор: Myeong-o Kim,Sung-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-09.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20230376207A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and data outputting method of the same

Номер патента: US20090167413A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Memory controller, a storage device, and an operating method of the storage device

Номер патента: US20240069790A1. Автор: Dongwoo Shin,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: US20230377669A1. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A3. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-27.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240054046A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Integrated circuit and memory device performing boot-up operation

Номер патента: US09934875B2. Автор: Jeong-Tae Hwang,Ja-Beom Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Systems and methods for ensuring high read reliability in pre-programmed memory cells

Номер патента: US20240062796A1. Автор: Doug Smith,Sushil Sakhare. Владелец: Veevx Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Method of test and repair of memory cells during power-up sequence of memory device

Номер патента: US20210065836A1. Автор: Sangyeol Lee,Jonggeon Lee,Youngman Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory cell testing feature

Номер патента: US7110303B2. Автор: Richard P. Schubert. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Memory cell testing feature

Номер патента: US20050185473A1. Автор: Richard Schubert. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

System And Method For Generating Random Numbers Based On Non-volatile Memory Cell Array Entropy

Номер патента: US20180286486A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: EP3602084A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: WO2018182922A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Read/write device, and format management method of read/write device

Номер патента: US20060047898A1. Автор: Hitoshi Ogawa,Terumi Takashi,Yoshiteru Ishida. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-03-02.

Electronic device and copyright protection method of audio data thereof

Номер патента: US9196259B2. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

System-in-package and method of testing thereof

Номер патента: US7743293B2. Автор: Meir Avraham. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2010-06-22.

System-in-package and method of testing thereof

Номер патента: WO2005043276A3. Автор: Meir Avraham. Владелец: Milsys Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Memory device to correct defect cell generated after packaging

Номер патента: US09455047B2. Автор: Cheol Kim,Jung-Sik Kim,Sang-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Self-testing data storage devices and methods

Номер патента: US09972403B2. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Jeffrey A. Bowers,Victoria Y. H. Wood,Peter L. Hagelstein. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor memory device having various column repair modes

Номер патента: US09552868B2. Автор: Jung-Taek You,Hyun-Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US11972826B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wenhsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor memory device and method of controlling timing

Номер патента: EP1903578A1. Автор: Toshikazu c/o FUJITSU LIMITED NAKAMURA,Hiroyuki c/o Fujitsu Limited Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

Memory device employing open bit line architecture for providing identical data topology on repaired memory cell block and method thereof

Номер патента: US7027339B2. Автор: Dong-Hak Shin,Byung-sik Moon,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20230352086A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US12014775B2. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device with improved operating speed

Номер патента: US5625596A. Автор: Toshiya Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-04-29.

Method of making memory chips using memory tester providing fast repair

Номер патента: US5795797A. Автор: Michael A. Chester,Steven A. Michaelson. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Method and apparatus for testing random access memory devices

Номер патента: US6018484A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-25.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US20220318011A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US20210124578A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Nonvolatile memory device and method of throttling temperature of nonvolatile memory device

Номер патента: US10445010B2. Автор: Sung-Won Jeong,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Nonvolatile Memory Devices and Related Methods and Systems

Номер патента: US20110157960A1. Автор: Shoichi Kawamura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-30.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US12014175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile memory cell and nonvolatile memory device comprising the same

Номер патента: US20210193207A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09780115B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09379005B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US12020758B2. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US11915763B2. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: EP3832468A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices

Номер патента: US6081878A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2000-06-27.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US20210064390A1. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory cell and manufacturing method thereof, variable resistance nonvolatile memory device, and nonvolatile memory cell design method

Номер патента: JP5119436B2. Автор: 寛 中西,秀明 笠井,智弥 岸. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2013-01-16.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US09569640B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Multi-channel nonvolatile memory management

Номер патента: US20180356982A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Multi-channel nonvolatile memory power loss management

Номер патента: US20180356981A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

NONVOLATILE MEMORY CELLS HAVING AN EMBEDDED SELECTION ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY CELL ARRAYS INCLUDING THE NONVOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20210066585A1. Автор: LEE Sang Min. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240096392A1. Автор: Jin Woong Kim,Ji Hoon Yim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: US11823757B2. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Operating method of error correction code decoder and memory controller including the error correction code decoder

Номер патента: US09602134B2. Автор: Young-Jin Cho,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: EP2954415A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and method for writing therefor

Номер патента: US20140029358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022132537A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Shicong Wang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Nonvolatile memory element, nonvolatile memory apparatus, nonvolatile semiconductor apparatus, and method of manufacturing nonvolatile memory element

Номер патента: US9236381B2. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Kazuhiko Shimakawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Nonvolatile memory element, nonvolatile memory apparatus, nonvolatile semiconductor apparatus, and method of manufacturing nonvolatile memory element

Номер патента: US20090224224A1. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Kazuhiko Shimakawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Operating Method of Controller Controlling Nonvolatile Memory Device and Mapping Pattern Selecting Method of Selecting Mapping Pattern Mapping Polar Coded Code Word with Multi Bit Data of Nonvolatile Memory Device

Номер патента: US20130283128A1. Автор: Junjin Kong,Kijun Lee,Myungkyu Lee,Dong-Min Shin,Seung-Chan Lim,Kyeongcheol Yang. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2013-10-24.

Apparatus and method capable of removing duplication write of data in memory

Номер патента: US10460774B2. Автор: Dong-Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Unidirectional spin torque transfer magnetic memory cell structure

Номер патента: US09589618B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US09478288B1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20150186042A1. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-02.

A modifiable circuit, methods of use and making thereof

Номер патента: EP1494283A1. Автор: Vafa J. Rakshani,Edmund H. Spittles,Tim Sippel,Richard Unda,Manolito Catalasan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Reducing leakage current in a memory device

Номер патента: US09916904B2. Автор: Nan Chen,Mehdi Hamidi Sani,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Page migration in a hybrid memory device

Номер патента: US09910605B2. Автор: Niladrish Chatterjee,James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

A memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: GB2520291A. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Operating method of error correction code decoder and memory controller including the error correction code decoder

Номер патента: US20150046771A1. Автор: Young-Jin Cho,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-12.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Resistive memory cell fabrication methods and devices

Номер патента: US20140363947A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND OPERATING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160011779A1. Автор: LEE JI-SANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Volatile memory device and method of refreshing same

Номер патента: US5742554A. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-04-21.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20210183887A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: EP4109537A2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: EP2586060A2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20200119046A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20230413559A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240233788A9. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230301081A1. Автор: Lifang Xu,Christopher J. Larsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240276730A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US12127401B2. Автор: Lifang Xu,Christopher J. Larsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Matrix-addressable apparatus with one or more memory devices

Номер патента: US20030099126A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

OPEN CHANNEL SOLID STATE DRIVE, NONVOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME AND METHOD OF POWER LOSS PROTECTION OF OPEN CHANNEL SOLID STATE DRIVE

Номер патента: US20200183474A1. Автор: LEE Jong Won,Ko Min Seok,DOH In Hwan,JANG SE JEONG,KIM Dae Ok,KANG IN HAE,ROH YANG WOO. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device repair method and system

Номер патента: EP4084005A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20220091914A1. Автор: Jan Otterstedt,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-24.

Otp memory device, method for operating same and method for fabricating same

Номер патента: US20240087660A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Devices including floating vias and related systems and methods

Номер патента: US11355508B2. Автор: Hongqi Li,James A. Cultra,Sri Sai Sivakumar Vegunta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same

Номер патента: US6411546B1. Автор: Petro Estakhri,Mahmud Assar,Parviz Keshtbod,Siamack Nemazie. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2002-06-25.

Phase-changeable memory device and read method thereof

Номер патента: US20070133271A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho,Yu-Hwan Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Microelectronic devices, related electronic systems, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US11916032B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Device and method for determining a cell level of a resistive memory cell

Номер патента: GB201407089D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20210057415A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Program current controller and sense circuit for cross-point memory devices

Номер патента: US20240321355A1. Автор: Andrea Ghetti,Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220277786A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Multistage memory cell read

Номер патента: US09543005B2. Автор: CHAOHONG HU,Balaji Srinivasan,Kiran Pangal,Sandeep K Guliani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory devices including contact structures and related electronic systems

Номер патента: US20240038673A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200251153A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277171A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Method and apparatus to control a power consumption of a memory device

Номер патента: US20060067150A1. Автор: Jun Shi,Sandeep Jain,Animesh Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US20210343329A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

System and method for hidden refresh rate modification

Номер патента: US20120155201A1. Автор: John R. Wilford,John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

System and method for hidden-refresh rate modification

Номер патента: WO2006130276A1. Автор: John R. Wilford,John Schreck. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-12-07.

System and method for hidden-refresh rate modification

Номер патента: EP1886316A1. Автор: John R. Wilford,John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-13.

Apparatus and method for hidden-refresh modification

Номер патента: US20140043919A1. Автор: John R. Wilford,John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240090209A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Yi-Hsun CHIU,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of operating resistive memory device to increase read margin

Номер патента: US20200118626A1. Автор: Kwang-Woo LEE,Kyu-Rie SIM,Han-bin Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Device and method for low latency memory access

Номер патента: WO2021162843A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US20160307627A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Device and method for low latency memory access

Номер патента: US20210248093A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8674336B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US20220059173A1. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US11823743B2. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: US11132142B2. Автор: Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon,Myung Ho Bae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US20220277796A1. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Memory register definition systems and methods

Номер патента: US20090141564A1. Автор: George Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Writing To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20140104932A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and reading from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: US8634224B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: TWI490860B. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5555210A. Автор: Yoshiharu Kato. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor memory device for use in apparatus requiring high-speed access to memory cells

Номер патента: USRE36404E. Автор: Kenichi Nakamura,Yasushi Kameda,Hiroshi Takamoto,Takayuki Harima,Makoto Segawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Memory device having error detection function, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20220085019A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method and circuit for reducing leakage and increasing read stability in a memory device

Номер патента: US20060206739A1. Автор: Hyung-il Kim,Jae-Joon Kim,Kaushik Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Systems and methods for accessing a data storage device

Номер патента: WO1997005617A3. Автор: Richard A Hussong,Michael J Yetsko. Владелец: Michael J Yetsko. Дата публикации: 1997-05-01.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09501373B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device with improved cell arrangement

Номер патента: US4855956A. Автор: Takahiko Urai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

Self-timing read architecture for semiconductor memory and method for providing the same

Номер патента: US20080144401A1. Автор: Nasim Ahmad. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Memory controller including address translation module, memory system including the memory controller, and operating method of the memory controller

Номер патента: US11055229B2. Автор: Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-06.

Memory controller, memory system including the same, and operating method of the memory controller

Номер патента: US20200167290A1. Автор: Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Methods and systems for detecting degradation of resistive memory devices

Номер патента: US20200051628A1. Автор: Ki-Sung Kim,Han-Sung Joo,Seung-you BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US11568930B2. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Method of operating semiconductor devices

Номер патента: US7990779B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-02.

Microelectronic devices including support pillar structures, and related memory devices

Номер патента: US20220367500A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of operating semiconductor devices

Номер патента: US20100118623A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Non-volatile memory device and method of processing the read information of a memory cell

Номер патента: DE602006004038D1. Автор: Jaeseok Park,Dae Sik Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor memory device having serial data input and output circuit

Номер патента: CA1246741A. Автор: Junji Ogawa,Masaaki Noguchi,Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1988-12-13.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: US20200258565A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Microelectronic devices including stadium structures, and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20210343637A1. Автор: Roger W. Lindsay,Matthew Holland,Darwin A. Clampitt,Jeffrey D. Runia,Chamunda N. Chamunda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and system for repairing memory device

Номер патента: US12026073B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus with data-rate-based voltage control mechanism and methods for operating the same

Номер патента: US20240221813A1. Автор: Gary L. Howe,James S. Rehmeyer,Miles S. Wiscombe,Eric J. Stave. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Device including input/output circuit, a system including the device, and an operating method of the system

Номер патента: US20240212726A1. Автор: Jungmin Seo,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus with data-rate-based voltage control mechanism and methods for operating the same

Номер патента: US11881245B2. Автор: Gary L. Howe,James S. Rehmeyer,Miles S. Wiscombe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

GOA circuit, display device and drive method of GOA circuit

Номер патента: US09898984B2. Автор: Yao Yan,Ronglei DAI,Juncheng Xiao,Shangcao CAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

Methods of forming devices including air gaps, and related devices, and electronic systems

Номер патента: WO2020040834A1. Автор: Kuo-Chen Wang,Mohd Kamran Akhtar,Katsumi Koge,Guangjun Yang,Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11775459B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Lens device and position detection method of movable optical element

Номер патента: US09503676B2. Автор: Mamoru Miyashita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Fluid dynamic bearing motor for use with a range of rotational speed rated disc drive memory device products

Номер патента: SG168501A1. Автор: Chris M Woldemar,PohLye Lim,PowMing Yap,Chunhong D Jing,Weirhen S Hoon,Gregor Paco Flores,Anthony J Aiello. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-02-28.

Magnetic disk device and automatic adaptation method of its parameter

Номер патента: US20010013986A1. Автор: Reijiro Tsuchiya,Tetsuya Makiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Storage array controller with a nonvolatile memory as a cache memory and control method of the same

Номер патента: US7055001B2. Автор: Sumihiro Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Storage device, nonvolatile memory system including memory controller, and operating method of the storage device

Номер патента: US11947466B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Myeongjong Ju,Mingon Shin,Hwasoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells

Номер патента: US20120278682A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells

Номер патента: US20130117637A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Ultrasonic measuring device, and ultrasonic measuring method of flow rate

Номер патента: RU2488836C2. Автор: Торальф ДИЦ,Ларс ЭМИХЕН,Джон ЛЭНСИНГ. Владелец: ЗИК Энджиниринг ГмбХ. Дата публикации: 2013-07-27.

Image sensor, optical pointing device and motion calculating method of optical pointing device

Номер патента: US20050200600A1. Автор: Bang-Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Storage device and data management method of storage device

Номер патента: US20180357158A1. Автор: Takayuki Okinaga,Shuichiro Azuma,Kazuki Makuni,Yu NAKASE. Владелец: BUFFALO INC. Дата публикации: 2018-12-13.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: EP3695418A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-08-19.

Storage device and data processing method of storage device

Номер патента: EP2151784A3. Автор: Shin c/o Hitachi Ltd Intellectual Property Group Nishihara,Shuichi c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Yagi,Yasuyuki c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Nagasoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-09.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US12108138B2. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Display device and image display method of the same

Номер патента: EP3699902A1. Автор: Kwansik Yang,Kilsoo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Power supply system, electronic device, and electricity distribution method of electronic device

Номер патента: US09935467B2. Автор: Zhiji DENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Storage control device controlling access to a storage device and access controlling method of a storage device

Номер патента: US09632950B2. Автор: Motohiro Sakai,Akihito Kobayashi,Takuro Kumabe,Shinichiro Matsumura,Takahiro Ohyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Image display device and memory management method of the same

Номер патента: US09529931B2. Автор: Chulmin Son. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Electronic device and gesture input method of item selection

Номер патента: US09529530B2. Автор: Edward Lau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-27.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: EP3866148A1. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Display device and haptic feedback method of the same

Номер патента: US11762469B2. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Ga Na KIM,Jae Been LEE,Eun Kyung Yeon,So Young YEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Radar device and data output method of radar device

Номер патента: EP4411416A1. Автор: Hirosada Miyaoka,Ryosuke Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Display device and bonding detection method of display device

Номер патента: US20220084894A1. Автор: Wei Li,Chienpang HUANG,Chuntong JIANG,Kaifang ZHU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: US20240274102A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: EP4418254A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

HDMI-CEC device and address allocation method of HDMI-CEC device network

Номер патента: US09411768B2. Автор: Jeng-Li Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Network processing device and networks processing method of communication frames

Номер патента: EP3809639A1. Автор: Keiichiro Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Electronic devices and corresponding hybrid methods of low light image enhancement

Номер патента: US12079973B2. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Machine learning device and maching learning method of machine learning device

Номер патента: US20190370661A1. Автор: Namyeong Kwon,Hayoung JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Storage device and garbage collection method of data storage system having the storage device

Номер патента: US09858182B2. Автор: JongWon Lee,Kangho Roh,Wooseok CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20150363336A1. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son,Jung-Soo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Processor, memory device, computer system, and method for transferring data

Номер патента: US8532296B2. Автор: Tatsunori Kanai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Magnetic field sensing device and a fabricating method of the same

Номер патента: US7338816B2. Автор: Kyung-Won Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Electronic device and screen display method of electronic device

Номер патента: US20210132790A1. Автор: Daehyun Kim,Soyoung KIM,Geon-soo Kim,Minsik Kim,Hyun-Suk Choi,Ji-Woo LEE,Jongmoo Lee,Jin-Wan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US20180097987A1. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Electronic device and operation control method of electronic device

Номер патента: US20190156746A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Seung-jae Lee,Young-Do Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Vehicle control device and data adjustment method of database

Номер патента: US20230365142A1. Автор: Takashi Okada,Yuuki Okuda. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: US20170293909A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: EP4254973A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US20230319389A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic device, system of electronic device, and system operating method of electronic device

Номер патента: US20200293262A1. Автор: Dae Won Kim,Ho Jung Lee,Young Seok Kim,Kee Hyun Nam,Hyoung Cheol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230400577A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Source device and power control method of source device

Номер патента: US11886265B2. Автор: Zhenliu LI. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: EP3440610A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-13.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: WO2019072692A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2019-04-18.

Image processing device and image processing method of generating layout including multiple images

Номер патента: US20240202868A1. Автор: Chia-Wei Hsiao. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US10237471B2. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Induction heating device and vessel-sensing method of the induction heating device

Номер патента: US11672053B2. Автор: Shinjae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-06.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US11781420B2. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: Chengdu Univeristy of Technology. Дата публикации: 2023-10-10.

Display device and image display method of multi-monitor system

Номер патента: US20210407374A1. Автор: Daisuke Moriwaki. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Touch display device and touch driving method of same

Номер патента: US11768556B2. Автор: Jian Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Image sensing device and image processing method of the same

Номер патента: US20230300481A1. Автор: Hee Kang,Chan Young Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Flexible display device and deformation compensation method of flexible display screen

Номер патента: US20190302848A1. Автор: WEN Han,Rong MA. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Automatic detecting device and automatic detecting method of manufacturing equipment

Номер патента: US20220004180A1. Автор: Ching-Pei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Electronic Devices and Corresponding Hybrid Methods of Low Light Image Enhancement

Номер патента: US20230036222A1. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US11320700B2. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US20220307367A1. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-29.

Image forming apparatus configured to partition menu information transmitted from a main device to a control device, control device, and screen display method of performing same

Номер патента: US10491763B2. Автор: Hisashi NAITOH. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Data Driving Device and Panel Driving Method of Data Driving Device

Номер патента: US20220189374A1. Автор: Hyun Woo Jeong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

A developing device and a developing method of substrate

Номер патента: US20210356808A1. Автор: PENG Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Projection device and safety protection method of projection device

Номер патента: US20240215133A1. Автор: Sheng-Han Yang,Yao Lei Huang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US20220066268A1. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

External data-input device and speech inputting method of portable electronical device

Номер патента: US20030008678A1. Автор: Winky Lin. Владелец: Silitek Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Display device and image display method of display device

Номер патента: US20200059627A1. Автор: Keita SANO. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: US20240256175A1. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: EP4421640A2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Storage system and method of operating the same

Номер патента: US11579775B2. Автор: Dong-Gun KIM,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-14.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: EP4459471A1. Автор: YoungMin Lee,Gyuseok Choe,Myungsub SHIN,Seongyong JANG,Seongheum BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240370196A1. Автор: YoungMin Lee,Gyuseok Choe,Myungsub SHIN,Seongyong JANG,Seongheum BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09898199B2. Автор: Jun Seop Chung,An Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Electronic computing device and a reboot method executable by same

Номер патента: US8935522B2. Автор: Chi-Chang Lu,Deng-Rung Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-13.

Microcontroller and method for manufacturing the same

Номер патента: US09477294B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Hidetomo Kobayashi,Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US09424442B2. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Storage device, method of operating storage device, computing system including storage device and host device for controlling storage device, and method of operating computing system

Номер патента: US20210049096A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

STORAGE DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A CONTROLLER FOR CONTROLLING A WRITE OPERATION OF THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND AN OPERATING METHOD OF THE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20170052732A1. Автор: SON Hong Rak,YOON PILSANG,OH Eun Chu,KONG Jun Jin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Storage device and storage system for direct storage

Номер патента: US20240176540A1. Автор: Beomsig Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Information processing apparatus and start-up method of the same

Номер патента: US11914714B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210247932A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Device and method for detecting fluid transparency

Номер патента: US20200340916A1. Автор: Yongzhong Nie,Zhongping Zhang. Владелец: Fatri United Testing and Control Quanzhou Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Computing device and method for detecting clock domain crossing violation in design of memory device

Номер патента: US12073159B2. Автор: Sojung PARK,Hyungjung SEO,Youngrok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

STORAGE DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND CONTROLLER, OPERATING METHOD OF STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR ACCESSING STORAGE DEVICE

Номер патента: US20170192902A1. Автор: Park Younwon,KIM Dong-min,HWANG JooYoung,YOON SONGHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-06.

Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device

Номер патента: US20240160794A1. Автор: Jimin Ryu,Jisoo Kim,Younsung CHU,Yonghwan Song,Jaegyu LEE,Daejin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device

Номер патента: EP4369225A1. Автор: Jimin Ryu,Jisoo Kim,Younsung CHU,Yonghwan Song,Jaegyu LEE,Daejin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Adaptive error recovery when program status failure occurs in a memory device

Номер патента: US20240272983A1. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of managing free space in nonvolatile memory, access device for recording data in information recording device including nonvolatile memory, information recording device, and information recording system

Номер патента: JPWO2018186455A1. Автор: 卓治 前田,前田　卓治. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND READING METHOD OF STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220276802A1. Автор: Kim Jinyoung,PARK Sehwan,Park Ilhan,SEO Youngdeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-01.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

System and method for proximity detection

Номер патента: US09726749B2. Автор: Gaurav Sharma,William Fletcher,Ujjual Nath,Douglas MacGlashan,Brian Billett. Владелец: KAARYA LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

AVAILABLE-SPACE MANAGEMENT METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY, ACCESS DEVICE WHICH STORES DATA TO INFORMATION STORAGE DEVICE WITH NONVOLATILE MEMORY, INFORMATION STORAGE DEVICE, AND INFORMATION STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20190354306A1. Автор: Maeda Takuji. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same

Номер патента: US20120012834A1. Автор: Tohru Sonoda,Emi Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

System and method for high performance and low cost flash translation layer

Номер патента: US09575884B2. Автор: Anand Srinivasan,Hyunsuk Shin,Dexter T. CHUN,Steven Haehnichen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Image display device and method thereof

Номер патента: US09487172B2. Автор: Hansung Lee,Seungman KIM,Bosang Kim,Junbum Park,Jeongeun Shin,Hyokak Kim,Keunyung Byun,Sungjea Ko. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile Memory Device Having Authentication, and Methods of Operation and Manufacture Thereof

Номер патента: US20140245384A1. Автор: Chen Hui,Shieh Ming-Huei,Shekar Krishna Chandra. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile Memory Device Having Authentication, and Methods of Operation and Manufacture Thereof

Номер патента: US20150310203A1. Автор: Chen Hui,Shieh Ming-Huei,Shekar Krishna Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Physical layer device operation system and method

Номер патента: US20170161139A1. Автор: Douglas D. Boom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Electronic device and vehicle control method of electronic device, server and method for providing precise map data of server

Номер патента: US12045064B2. Автор: Aron Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Physical layer device operation system and method

Номер патента: US09766971B2. Автор: Douglas D. Boom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Storage device and storage system for direct storage

Номер патента: EP4379524A1. Автор: Beomsig Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Simulation device and method for studying the influence of wetland plant litter decomposition on water quality

Номер патента: US20190234927A1. Автор: Wei Li,XU Pan,Lijuan CUI,Manyin ZHANG,Ziliang Guo,Changjun Gao,Yinuo ZHU,Yunmei PING. Владелец: Research Institute Of Forestry New Technology Chi. Дата публикации: 2019-08-01.

Transponder key testing device and method of testing a transponder key

Номер патента: EP3005320A1. Автор: Gregory CHAMBERS,Simon Ashby. Владелец: ASHBY Simon. Дата публикации: 2016-04-13.

STORAGE DEVICE, NONVOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING MEMORY CONTROLLER, AND OPERATING METHOD OF THE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20210165747A1. Автор: Lee Seungjae,SHIN Mingon,LEE Hwasoo,Ju Myeongjong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

Apparatus for collecting garbage block of nonvolatile memory according to power state and method of collecting the same

Номер патента: EP1818829B1. Автор: Dong-Kun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-06.

Storage device, nonvolatile memory system including memory controller, and operating method of the storage device

Номер патента: EP3832505A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Myeongjong Ju,Mingon Shin,Hwasoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Insulator detection device and insulator detection method

Номер патента: MY178813A. Автор: KAMEYAMA Satoru,Watabe Yusuke. Владелец: Meidensha Electric Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US20210278718A1. Автор: Bin Peng,Zhijun Xu,Yongan FENG,Daoping YU,Chengming WEI. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Multi-network systems and methods for providing current biographical data of a user to trusted parties

Номер патента: WO2018222335A1. Автор: Muhammad Yaseen Ali. Владелец: MasterCard International Incorporated. Дата публикации: 2018-12-06.

Multi-network systems and methods for providing current biographical data of a user to trusted parties

Номер патента: US20180349426A1. Автор: Muhammad Yaseen Ali. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Trailer tracking apparatus and method

Номер патента: EP3262609A1. Автор: Jeremy Greenwood,Giovanni Strano. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2018-01-03.

System and method for location-based security

Номер патента: US09848291B2. Автор: Timothy Schaefer,Gary Jason MYERS,Matthias WELSH,II Robert Wayne KNIGHT. Владелец: Booz Allen Hamilton Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09568615B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory compaction management in memory devices

Номер патента: US20230393938A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and method of detecting potential security violations of direct access non-volatile memory device

Номер патента: US20200327258A1. Автор: Ariel Navon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory compaction management in memory devices

Номер патента: US11934266B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory controller, storage device including the same, and operating method of the memory controller

Номер патента: US20230273884A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Jisoo Kim,Mingon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of optimizing focus of optical inspection apparatus and method and apparatus of detecting defects using the same

Номер патента: US20040178351A1. Автор: Seong-jin Kim,Deok-yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Wearable biosignal interface and method thereof

Номер патента: US20190171288A1. Автор: Seung Keun Yoon,Chang Mok Choi,Sang Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory device and control method for memory device

Номер патента: US11983068B1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Single-level cell block storing data for migration to multiple multi-level cell blocks

Номер патента: US20240061597A1. Автор: Nathaniel WESSEL,Johnny Au LAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Single-level cell block storing data for migration to multiple multi-level cell blocks

Номер патента: US11995328B2. Автор: Nathaniel WESSEL,Johnny Au LAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Electronic device and computing system including same

Номер патента: US11995002B1. Автор: Ju Hyun Kim,Gayoung LEE,Jae Wan YEON. Владелец: Metisx Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Compositions and Methods for the Detection of Mycoplasma

Номер патента: US20240280575A1. Автор: Raghavan PALANIAPPAN,Ethan Everett POPE,Maha YERRAMILLI. Владелец: Idexx Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Software update system and method for portable ota supporting mobile terminal

Номер патента: RU2419839C2. Автор: Сунг Дзо ОХ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2011-05-27.

System and method for self-healing basic input/output system boot image and secure recovery

Номер патента: US09846617B2. Автор: Mukund P. Khatri,Johan Rahardjo. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Virtual reality device and operation method of virtual reality device

Номер патента: US20190158818A1. Автор: Chia-Wei Lin,Che-Chia HO. Владелец: Suzhou Raken Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Electronic device for performing edge computing service and operation method of electronic device

Номер патента: US20230300107A1. Автор: Youngwook Kim,SangCheol LEE,Jinhyoung Kim,Wonbo Lee,Hongshik Kim,Ansik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device for performing edge computing service and operation method of electronic device

Номер патента: US12058100B2. Автор: Youngwook Kim,SangCheol LEE,Jinhyoung Kim,Wonbo Lee,Hongshik Kim,Ansik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240249671A1. Автор: Changhun KIM,Deukgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Touch panel, display device and manufacturing method of touch panel

Номер патента: US20190377450A1. Автор: Lei Zhang,Jiawei XU,Tsung Chieh KUO,Xiaoyue HE,Qingpu Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Content delivery system, method of operating content delivery system, mobile object, method of operating mobile object, terminal device, method of operating terminal device, and program

Номер патента: EP4460009A1. Автор: Tetsugoro Ihara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Systems and methods for managing a customer account switch

Номер патента: US09830648B2. Автор: Gagan Kanjlia,Vishal Puri,Evan S. Klein,Michael B. Kieman. Владелец: Capital One Financial Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Control device, storage device, and computer-readable recording medium having stored therein control program

Номер патента: US09703695B2. Автор: Masatoshi Nakamura,Hidefumi Kobayashi,Marie Abe,Yoshihito Konta,Atsushi IGASHIRA,Koutarou Nimura,Mihoko Tojo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

OLED package device and package method of OLED panel

Номер патента: US09590206B2. Автор: Kai Shi,Lindou CHEN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Driving device and driving method of liquid crystal display device and liquid crystal display device

Номер патента: US09530376B2. Автор: Liang Zhang,Bin Zhang,Chunbing Zhang,Shuai Hou,Yiqiang LAI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Storage device for performing dump operation, method of operating storage device, computing system including storage device and host device for controlling storage device, and method of operating computing system

Номер патента: US11455249B2. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Characteristic evaluation device and characteristic evaluation method of shaft coupling

Номер патента: US12021466B2. Автор: Takayuki Satomi,Taichi Sasaki,Ryuta Sato,Makoto TANIYAMA,Masaharu Hirosawa. Владелец: Miki Pulley Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Pointer driving motor unit, electronic device, and control method of pointer driving motor unit

Номер патента: US20170192394A1. Автор: Kazuhiro Koyama. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Drive circuit of display panel, display device, and drive method of display panel

Номер патента: US20240194157A1. Автор: Seiichiro Jinta,Takuya Naruta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Display device and display method of display device

Номер патента: US20240219746A1. Автор: Guowei Zha,Fancheng LIU,Yunni CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210408501A1. Автор: Qing Zhang,Quanpeng YU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240232640A9. Автор: Byungsoo Oh,Taegeon UM,Minhyeok KWEUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Touch panel, display device and attaching method of glass cover

Номер патента: US20240152224A1. Автор: Mingjun Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Electronic device and image compression method of electronic device

Номер патента: US20200221103A1. Автор: Do-Han Kim,Chang-woo Lee,Jin-Min Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Visible light communication device, display substrate, display device and manufacturing method of the display substrate

Номер патента: US20240244854A1. Автор: Rui Huang,Weijie Wang,Yujie Liu,Zhongyuan Sun,Renquan Gu,Biqi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

An air quality monitoring device and associated method of manufacturing

Номер патента: EP4332568A1. Автор: Rahul AVASTHI. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Heat Dissipation Film, Display Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210368657A1. Автор: Xiaoxia Liu,Binfeng Feng,Fuzheng Xie. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-transitory computer-readable medium, print image control device, and control method of print image control device

Номер патента: EP3715135A1. Автор: Takeshi Watanabe,Chisato Inoue. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240135189A1. Автор: Byungsoo Oh,Taegeon UM,Minhyeok KWEUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Multicolor display optical composition, optical device, and display method of optical device

Номер патента: US7746542B2. Автор: Daisuke Nakayama,Ryojiro Akashi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

Backlight module, display device and assembling method thereof

Номер патента: US20210026058A1. Автор: Xiang Li,Yang Shi. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of manufacturing optical device having array of reflective units on optical element surfaces

Номер патента: US12013540B2. Автор: Jeong Hun Ha. Владелец: LetinAR Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Backplane, backlight source, display device and manufacturing method of backplane

Номер патента: US12057536B2. Автор: Ke Wang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Driving circuit of display device, display device and driving control method of display device

Номер патента: US20060061522A1. Автор: Eiichi Urushibata. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: EP3571835A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-27.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: US20190347963A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: WO2018135142A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Driving device and driving method of amoled

Номер патента: US20160343296A1. Автор: Zhenling Wang,Taijiun HWANG,Pingsheng KUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Mainboard device and update method of basic input-output system thereof

Номер патента: US20240143053A1. Автор: Keng Hao HSU,Che Min Liao. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus having an input device and a display, method of controlling apparatus and computer-readable recording medium

Номер патента: US20080203315A1. Автор: Koichiro Kasama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Display module, display device, and preparation method of display device

Номер патента: US20240241550A1. Автор: Zhiwei Wang. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Gamma voltage generator, display device, and driving method of display pannel

Номер патента: US20240282239A1. Автор: Haijiang YUAN,Mancheng ZHOU. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Foldable display device and driving method of foldable display device

Номер патента: US20240265840A1. Автор: Guang Wang,Yajun Hei,Zhihua Yu. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display device and control method of display device

Номер патента: US20230404532A1. Автор: Riko Koshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Display device and control method for display device

Номер патента: EP4306060A1. Автор: Riko Koshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240332458A1. Автор: Qi Qi,Lei Wu,Huan WANG,Pengwei Wang,Pengwei ZHANG,Yuxuan BAI,Pengju HU,Shiwei HAN. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Sound receiving device and control method of sound receiving device

Номер патента: US12108211B2. Автор: Shang-Yuan YUAN,Hung-Bin Huang. Владелец: Chicony Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Gamma voltage generator, display device, and driving method of display panel

Номер патента: US12112684B2. Автор: Haijiang YUAN,Mancheng ZHOU. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Display device and preparation method thereof

Номер патента: US20220137453A1. Автор: Guangcai Yuan,Chengtan Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Electronic device for controlling internal system of vehicle by using wireless data communication ID and operating method of the electronic device

Номер патента: US12090936B2. Автор: Jaewoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Pointer driving motor unit, electronic device, and control method of pointer driving motor unit

Номер патента: US09939785B2. Автор: Kazuhiro Koyama. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Display method of display panel, display panel and display device

Номер патента: US09916817B2. Автор: Xue Dong,Peng Liu,Pengcheng LU,Zhongjun CHEN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Liquid crystal display panel, display device, and manufacturing method of liquid crystal display panel

Номер патента: US09703141B2. Автор: Xue Dong,Ruijun Dong,Haiwei Sun. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Backlight module, display device and displaying method

Номер патента: US09690028B2. Автор: Chunmiao Zhou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Display panel, display device, and driving method of display device

Номер патента: US09659541B2. Автор: YAO Lin,Zhaokeng Cao,Huijun Jin,Shoufu Jian. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Optical scanning device, image forming apparatus including optical scanning device, and position adjustment method of synchronization detection sensor mounted in optical scanning device

Номер патента: US09621756B2. Автор: Ryotaro Todokoro. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Insulation detecting device and insulation detecting method of non-grounded power supply

Номер патента: US09575110B2. Автор: Yoshihiro Kawamura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Safety driving system of display device and safety driving method of display device

Номер патента: US09489065B2. Автор: Young-Min Bae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Electronic device, and voice recognition method of electronic device

Номер патента: EP4394762A1. Автор: Kyungtae Kim,Jungin LEE,Taewoo Lee,Gajin SONG,Seokyeong JUNG,Hoseon SHIN,Gilho LEE,Yeona HONG,Minseok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: US12016116B2. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Power characteristic measurement device, image system including power characteristic measurement device and operating method of image system

Номер патента: US20210176415A1. Автор: Jeong-gon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Terrace detection device and use method of terrace detection device

Номер патента: US20230204758A1. Автор: WEI Hu,BO LIU,Jie Wang,Hao Zhou,Xiao Zong,Wenlong Feng,Siqiao LI. Владелец: Suzhou Fangshi Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Driving device and driving method of display panel to detect whether sub-pixel circuit is in abnormal open state

Номер патента: US20220122521A1. Автор: Chun-Fu Lin,Po-Hsiang FANG,Jhih-Siou Cheng,Yi-Yang Tsai. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2022-04-21.

Electronic Control Device and Error Detection Method of Configuration Memory

Номер патента: US20200379831A1. Автор: Hideyuki Sakamoto,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo,Taisuke UETA. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Composition, cured film, structural body, optical filter, solid-state imaging element, image display device, and manufacturing method of cured film

Номер патента: US20240199854A1. Автор: Daisuke Kashiwagi,Takashi Kawashima,Keiji Yamamoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of translating between robots and different tools of robots in relation to communication between them, conversion device employing method, and autonomous mobile robot

Номер патента: US20230256604A1. Автор: Yu-Syuan Lyu. Владелец: Futaijing Precision Electronics Yantai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Electronic device and attack detection method of electronic device

Номер патента: US12086240B2. Автор: Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US12094076B2. Автор: Minsoo Kim,Jeonghyun Kim,Junkeun Yoon,Kideok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Detection device and detection method of rotor position of three-phase motor

Номер патента: US20190013718A1. Автор: Yi-Cheng Liu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Electronic device and temperature control method of electronic device

Номер патента: EP4439199A1. Автор: Sunok Jung,Seongmin Je,Hyuncheol Park,Hongji LEE,Hyoujoo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Control device and correcting method of control device with strength feedback function

Номер патента: US12115445B2. Автор: Lun-Kang LIN,I-Han Tai. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit structure, electronic device, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240361353A1. Автор: Kuang-Ming FAN,Ju-Li WANG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Wearable electronic device and event-intimating method of the same

Номер патента: US09904255B2. Автор: Chieh-Kai Wang,Chin-Wei Chou,Sung-Ting HSIEH. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Color filter array substrate, display device and manufacturing method of color filter array substrate

Номер патента: US09753342B2. Автор: Yi Chen,Fujiang JIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Driving circuit, array substrate, touch display device, and driving method of the touch display device

Номер патента: US09733759B2. Автор: Ying Sun,Yumin Xu. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Array substrate, touch display device, and driving method of the touch display device

Номер патента: US09733758B2. Автор: Ying Sun,Yumin Xu. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Display device and switching method of its display modes

Номер патента: US09514692B2. Автор: Yanbing WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Image display device and image adjustment method of image display device

Номер патента: US09478053B2. Автор: Makoto Kobayashi,Jun Yoshimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Conductive composition for forming a ground electrode of a liquid crystal display, and a method of forming a ground electrode using the same

Номер патента: US09460826B2. Автор: Eun Jeagal,Dong Min Kim,Seung-Ki Kim,Won-Young Lee,Jung Yul Lee,Ja Hun Byeon,Woo Sung Hong,You-Young Kim. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of fabricating an array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20020182809A1. Автор: Takahiro Fukumoto,Yueh Ma. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040223B2. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230065769A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Elevationally-Extending String of Memory Cells and Methods of Forming an Elevationally-Extending String of Memory Cells

Номер патента: US20230157024A1. Автор: John D. Hopkins,David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282770A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells

Номер патента: US09899451B2. Автор: Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell,Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Microelectronic devices, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240074142A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of manufacturing and operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20170345833A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-30.

Device and transmission/reception method of figure of package data in mobile communication system

Номер патента: RU2349032C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзунг-Соо ДЗУНГ,Беом-Сик БАЕ,Дае-Гиун КИМ,Йоун-Сун КИМ,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Ю-Чул КИМ,Дае-Гиун КИМ (KR),Дзин-Киу ХАН (KR),Хван-Дзоон КВОН (KR),Донг-Хи КИМ (KR),Дзунг-Соо ДЗУНГ (KR),Беом-Сик БАЕ (KR),Ю-Чул КИМ (KR),Йоун-Сун КИМ (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-03-10.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US11996405B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of manufacturing non-volatile memory having SONOS memory cells

Номер патента: US09530783B2. Автор: Sung-Bin Lin,Wen-Chung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Microelectronic devices including differently sized conductive contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040274B2. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Microelectronic devices including staircase structures, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240164083A1. Автор: Yuichi Yokoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Backflow prevention device of light metal injection device and backflow prevention method of light metal injection device

Номер патента: US20210379649A1. Автор: Tadashi Morikawa. Владелец: Sodick Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180138239A1. Автор: Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell,Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240235222A9. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Communication device and call transfer method of same

Номер патента: US20130157635A1. Автор: Qiang You. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Shear bonding device and shear bonding method of metal plates

Номер патента: US09579747B2. Автор: In Tai Jin. Владелец: Pukyong National University Business Incubator Center. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device, gate stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US09537016B1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Chun-Heng Liao,Hau-yan Lu,Chun-Yao Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Knocking determination device and knocking determination method of internal combustion engine

Номер патента: US7822533B2. Автор: Rihito Kaneko,Kenji Kasashima,Kenji Senda,Masatomo Yoshihara,Shuhei Oe,Yuuichi Takemura. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2010-10-26.

Method of manufacture of coaxial capacitor for dram memory cell and cell manufactured thereby

Номер патента: US5550076A. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Temperature warning device and temperature warning method of friction element

Номер патента: US09897202B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Hidetoshi Tsukidate,Kenichi Ooshima. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacture for self-aligned floating gate memory cell

Номер патента: US4355455A. Автор: Charles E. Boettcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

A memory device search system and method

Номер патента: WO2001052068A1. Автор: David L. Sherman. Владелец: Gigabus, Inc.. Дата публикации: 2001-07-19.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: US09838122B2. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating a self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1552549A1. Автор: Bohumil Lojek,Alan L. Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Method of fabricating a self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1552549A4. Автор: Bohumil Lojek,Alan L Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US7276752B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Electronic device and direction switching method of the electronic device

Номер патента: US09445168B2. Автор: Tao Li,Dejun Wang,Shaoping PENG,Yifei Song,Shunyong Yang. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells

Номер патента: US11037987B2. Автор: Jian Wu,Rene Meyer. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of forming a single poly cylindrical flash memory cell having high coupling ratio

Номер патента: US6103575A. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Method of making a trench capacitor and dram memory cell

Номер патента: US4679300A. Автор: Tsiu C. Chan,Yu-Pin Han. Владелец: Thomson Components-Mostek Corp. Дата публикации: 1987-07-14.

Method of manufacturing non-volatile memory having sonos memory cells

Номер патента: US20160336337A1. Автор: Sung-Bin Lin,Wen-Chung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Microelectronic devices including implant regions, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20230397418A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Martin J. BARCLAY,Zhiqiang Teo,Chun Wei Ee,Anson Lin,Yuwei MA,John D. Hopking. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240081059A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device isolation structure and method

Номер патента: US20230335582A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Shivani Srivastava,Toshihiko Miyashita,Bingwu Liu,Stephen David Snyder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Element of nonvolatile electrically alterable memory device

Номер патента: RU2637175C2. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН). Дата публикации: 2017-11-30.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240079322A1. Автор: Darwin A. Clampitt,David NEUMEYER,Shruthi Kumara Vadivel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Microelectronic devices including conductive structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20220051991A1. Автор: John D. Hopkins,Marko Milojevic,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device including vertical stack structure, method of fabricating the same, and electronic device including memory device

Номер патента: US20230093892A1. Автор: Doyoon KIM,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Yumin KIM,Seungyeul YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Microelectronic devices including slot structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12027460B2. Автор: Adam W. Saxler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Rack-mounted column, pouring device and temperature control method of drink

Номер патента: RU2493509C2. Автор: Барт Ян Бакс. Владелец: Хейнекен Сеплай Чейн Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Predictive coding method, predictive coding device and predictive coding method of motion vector and predictive decoding method, predictive decoding device and motion vector prediction decoding program

Номер патента: RU2731026C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Йосинори СУДЗУКИ,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2020-08-28.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20190285171A1. Автор: Kohei Sakai,Norihiro Akiyoshi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Electronic device and frame transmission method of electronic device

Номер патента: US11757789B2. Автор: Han-Yi Hung,Yi-Kuang Ko,Sheng-Pin Lin,Cheng-Yan Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: US11773568B2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: EP4106101A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: EP4358354A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240136834A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: CA3212739A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2022-09-29.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: AU2022245816A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: US20240056930A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2024-02-15.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: EP3736383A2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Game platform for mobile devices and a related method of operating a game platform

Номер патента: WO2020012450A3. Автор: Travis George BULFORD,Konstantinos TZINGAKIS. Владелец: Celestial Electronic Entertainment (Pty) Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture

Номер патента: CA2353326C. Автор: Kunihiro Izuno,Yuichi Fujiwara,Yoshifumi Nagai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Clamping device, electronic device and remote control method of electronic device

Номер патента: US20230362488A1. Автор: Chun-Wei Lu,Chi-Hwa Ho,Yea-Chin Yeh,Yi-Teng Tsai. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: US20230246325A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Electronic device, and wireless communication method of electronic device

Номер патента: US20190246428A1. Автор: Soo-Jin Park,Su-Ha Yoon,Eui-Chang JUNG,Sung-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: CA2824968C. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US10533660B2. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20180313446A1. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Methods of forming microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related electronic systems

Номер патента: US20240339357A1. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09570456B1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

3-d nonvolatile memory device, memory system, and method of manufacturing the 3-d nonvolatile memory device

Номер патента: CN103165620A. Автор: 全裕男. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-19.

Nonvolatile memory devices having metal silicide nanocrystals, methods of forming metal silicide nanocrystals, and methods of forming nonvolatile memory devices having metal silicide nanocrystals

Номер патента: US20080211039A1. Автор: Xiaofeng Wang,Eun-ji Jung,In-Seok Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Altering breakdown voltages in gate devices and related methods and systems

Номер патента: US20230223434A1. Автор: Haitao Liu,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy,Gaurav Musalgaonkar,Sonam Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Altering breakdown voltages in gate devices and related methods and systems

Номер патента: US12080756B2. Автор: Haitao Liu,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy,Gaurav Musalgaonkar,Sonam Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile memory transistor including active pillar having sloped sidewall, nonvolatile memory array having the transistor, and method of fabricating the transistor

Номер патента: KR100855992B1. Автор: 이길성,박찬진,김정우,박병국,한정희,채수두. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2008-09-02.

Memory device having a container-shaped electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332349A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of selectively doping chalcogenide materials and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09614153B2. Автор: Theodore M. Taylor,Prashant Raghu,Scott E. Sills,Jerome A. Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Geotextile cementing shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2632887C1. Автор: Виталий Васильевич Пронь,Сергей Михайлович Вострокнутов. Владелец: Сергей Михайлович Вострокнутов. Дата публикации: 2017-10-11.

Memory devices including conductive rails, and related methods and electronic systems

Номер патента: US20230335493A1. Автор: John D. Hopkins,John A. Smythe,Jordan D. GREENLEE,Francois H. Fabreguette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Registration device, processing machine and method of arrangement of sheet elements

Номер патента: RU2700093C1. Автор: Марко КАРДИЛЛО. Владелец: Бобст Мекс Са. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of operating microelectronic package

Номер патента: US20220157800A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Device and method of washing cylinder head channels

Номер патента: RU2692354C1. Автор: Дэминь ЦЗОУ,Цзябинь ТАНЬ. Владелец: Гуанси Юйчай Машинери Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-24.

Finfets, nonvolatile memory devices including finfets, and methods of forming the same

Номер патента: US20060292781A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Microelectronic devices including staircase structures, and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230307350A1. Автор: Lifang Xu,Richard J. Hill,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240250033A1. Автор: XIAO Li,Lifang Xu,Shuangqiang Luo,Jivaan Kishore Jhothiraman,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Antiskid system of train and method of antiskid train braking

Номер патента: RU2695252C1. Автор: Лэй Ван,Фэн ЦЯО,Чжицян СИНЬ,Янкунь ЧЖАО,Юнцзин МА. Владелец: СиАрАрСи ЧАНЧУНЬ РЭЙЛВЭЙ ВИИКЛЗ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-07-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: EP4240279A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-09-13.

Device and method for suppressing hydrocarbon-discharge for vehicle

Номер патента: EP1223324A3. Автор: Makoto c/oToyota Jidosha K.K. Yamazaki,Takashi c/oToyota Jidosha K.K. Suzuki,Masaki c/oToyota Jidosha K.K. Kusada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: US20240060039A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device

Номер патента: US20240349503A1. Автор: Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of forming microelectronic devices including differently sized conductive contact structures

Номер патента: US20240347464A1. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Field emission type electron source element, electron gun, cathode ray tube apparatus, and method for manufacturing cathode ray tube

Номер патента: US20040051461A1. Автор: Toru Kawase,Keisuke Koga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426390A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Martin Vitt,Stefan Alt. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426397A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Martin Vitt,Stefan Alt. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426393A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Tim GLÄSSER,Peter Nober,Martin Vitt,Stefan Alt,Stephan MÜCKE. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Isolator and method of forming an isolator

Номер патента: US09941565B2. Автор: Michael MORRISSEY,Stephen O'Brien,Baoxing Chen,Michael John Flynn,Patrick M. MCGUINNESS,Laurence B. O'SULLIVAN,Shane Geary,Bernard P. Stenson,Conor John McLoughlin,Sarah Carroll. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps

Номер патента: US09406688B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Temperature control device, system comprising a temperature control device, and method of changing an operating state of an electronic component

Номер патента: US20240183565A1. Автор: Lars Zimmermann,Simon Struck-Süßmeier. Владелец: Truma Qeraetechnik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Safety support device and method of using

Номер патента: US6905174B1. Автор: Lanny R. Gilbertson,Marcine L. Gilbertson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-14.

Magnetization device for an electron microscope and method

Номер патента: US20240258064A1. Автор: Helmut Soltner,Michael Schaaf,Amir Hossein Tavabi,Rafal Edward DUNIN-BORKOWSKI,Maximilian KRUTH. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Drug delivery device and method for operating a drug delivery device

Номер патента: US20240269390A1. Автор: Oliver Charles Gazeley,Prasannah Nanayakkara,Matthew Meredith Jones. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices including strings of memory cells, and related electronic systems

Номер патента: US12113019B2. Автор: John D. Hopkins,Marko Milojevic,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device having a container-shaped electrode

Номер патента: US20240332348A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatuses including electrodes having a conductive barrier material and methods of forming same

Номер патента: US20140239245A1. Автор: Andrea Gotti,Swapnil A. Lengade,John M. Meldrim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Resistance variable memory cell structures and methods

Номер патента: WO2011149505A2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-12-01.

Device for exhaust gas heat utilization, exhaust gas module having such a device, and method of manufacturing the device

Номер патента: US09991435B2. Автор: Anh-Duy Khuc. Владелец: Faurecia Emissions Control Technologies Germany GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Microelectronic devices, related electronic systems, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230387055A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Hk embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US20150340493A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (otp) memory cells

Номер патента: WO2008030583A3. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-07-17.

Nonvolatile Memory in Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR19980074815A. Автор: 김의송. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-11-05.

Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same

Номер патента: US20020081807A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20170025429A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method and system of transformer protection and method and system of detecting a defective winding

Номер патента: CA2007833A1. Автор: Keizo Inagaki,Yoshiaki Matsui,Yoshihiro Sano,Takafumi Maeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-07-20.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Apparatuses including interconnect structures including dielectric material surrounded by conductive material, and related memory devices

Номер патента: US20240290722A1. Автор: XIAO Li,Rita J. Klein,Lifang Xu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Microelectronic device packages including wirebonding and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240153914A1. Автор: Akanksha Sahoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517B1. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2022-07-22.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517A. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of sending data, method of sending alarm, device and system

Номер патента: RU2705091C1. Автор: Куньпен ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor memory and method of producing the same

Номер патента: US20020079532A1. Автор: Akinori Kinugasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Wearable device for detecting cardiac signals, a system comprising said device and operation method thereof

Номер патента: EP3847953A1. Автор: Marco Longo. Владелец: Policardio SRL. Дата публикации: 2021-07-14.

Three-dimensional memory device without gate line slits and method for forming the same

Номер патента: US11963356B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230328983A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: EP4398662A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Display panel, display device and display panel fabrication method

Номер патента: EP3694011A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Dezhi Xu,Chengcheng Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: US20240260021A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Control device and control method of high voltage inverter

Номер патента: US20110050199A1. Автор: Jae Hyun Jeon. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Mobile telephone message display scheduling device and scheduling method

Номер патента: EP1762086A1. Автор: Zhi Qiang Xue. Владелец: GIGASET COMMUNICATIONS GMBH. Дата публикации: 2007-03-14.

Mobile Telephone Message Display Scheduling Device and Scheduling Method

Номер патента: US20080045273A1. Автор: Zhi Xue. Владелец: GIGASET COMMUNICATIONS GMBH. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Wafer transfer device and wafer transfer method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US12080579B1. Автор: Wen-Ping Tsai,Tsang-Yi Wang. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic device for controlling aggregation of packet on basis of link capacity, and operation method of electronic device

Номер патента: US20240356859A1. Автор: Youngki Hong,Youngwook Kim,Wonbo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Roller assembly, battery cell manufacturing device, and adjustment method of roller

Номер патента: US12060240B2. Автор: Keqiang Li,Jun Hu,Zhihua Wen,Gang Zeng,Yongli Zhang,Ruhu Liao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09929183B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

OLED display panel and manufacturing method thereof, display device and filling method of filling adhesive

Номер патента: US09768406B2. Автор: Kaihong MA,Zhongyuan Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming fuel-air mixture for internal combustion engine

Номер патента: RU2626190C1. Автор: Александр Васильевич Шаталов. Владелец: Александр Васильевич Шаталов. Дата публикации: 2017-07-24.

Method of making semiconductor device comprising flash memory and resulting device

Номер патента: US11810967B2. Автор: Chien-Hung Lin,Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of fabricating a semiconductor device and the semiconductor device with a capacitor structure having increased capacitance

Номер патента: US6512261B2. Автор: Akinori Kinugasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-28.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20190103407A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20210057416A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Image enhancement device and image enhancement method of thermal printer

Номер патента: EP1559561A3. Автор: Keiki Yamada,Ichiro Furuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Package structure, display panel, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190214597A1. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Beverage dispenser with an identification device and an operating method thereof

Номер патента: US11980317B2. Автор: Changhai Yu,Marko UNGER,Waihang LOUIE,Kwokwai WONG. Владелец: Sandora Household Electric Appliances Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Intelligent synthesis device and synthesis method of silver nanowires

Номер патента: LU504740B1. Автор: Wei Zhao. Владелец: Nanjing Vocational College Of Information Tech. Дата публикации: 2024-01-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Substrate for optical device, optical device package, manufacturing method of substrate for optical device, and manufacturing method of optical device package

Номер патента: US20190296195A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240038779A1. Автор: Yong Deng. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Oxidized catalytic granular bed filter device and preparation method of catalytic oxidation particles thereof

Номер патента: LU503452B1. Автор: Chunyan Diao. Владелец: Univ Guizhou Minzu. Дата публикации: 2023-08-08.

Fluid supply device and liquid discharge method of this device

Номер патента: US20200161147A1. Автор: Yukio Minami,Tsutomu Shinohara,Toshihide Yoshida. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Tuning-Fork Type Piezoelectric Vibrating Piece, Piezoelectric Frame, Piezoelectric Device, and a Manufacturing Method of Tuning-Fork Type Piezoelectric Vibrating Piece and Piezoelectric Frame

Номер патента: US20100201229A1. Автор: Takefumi Saito. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Digital broadcasting receiving apparatus and method for upgrading software thereof

Номер патента: US20080178247A1. Автор: Kyung-chul Nam,Doo-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Horn fixing device and horn fixing method of secondary battery tap ultrasonic welding device

Номер патента: US20240139888A1. Автор: Jong Sung Kim,Kang Ho Ko. Владелец: MPLUS CORP. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Wafer transfer device and wafer transfer method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP4447099A1. Автор: Wen-Ping Tsai,Tsang-Yi Wang. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US12125854B2. Автор: Yuelong SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Display panel, display device and manufacturing method of display panel

Номер патента: US09978818B2. Автор: Zhongshou Huang,Zhiliang Wang,Zhiyong XIONG. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Switch device and control method of switch device

Номер патента: US09832041B2. Автор: Osamu Shiraki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09812481B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09799642B2. Автор: Yan Wei,CHAO Xu,Heecheol KIM,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Housing, handheld device, and manufacturing method of housing

Номер патента: US09774072B2. Автор: Yen-Liang Kuo,Chih-Kuang Wang,Cheng-Han Chung. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Coil type unit for wireless power transmission, wireless power transmission device, electronic device and manufacturing method of coil type unit for wireless power transmission

Номер патента: US09761371B2. Автор: Seung Wook Park,No Il PARK,Jang Su Kim,Doo Sung Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Array substrate, display device and manufacturing method of the array substrate

Номер патента: US09543324B2. Автор: Xu Chen,Jian Guo,Zhenyu Xie,Changjiang Yan,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09461085B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09368532B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of controlling a power transfer system and power transfer system

Номер патента: US09318913B2. Автор: Remco H. W. Pijnenburg,Bruno Motte,Peter C. S. Scholtens. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of operating microelectronic package

Номер патента: US11887974B2. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022197381A3. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240113012A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022197381A2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240237195A1. Автор: Chung-Jyh Lin,Ker-Yih Kao,Chin-Ming Huang,Chien-Lin Lai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240215379A1. Автор: Fanjing Wu,Jingyuan HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Abnormality determination device and abnormality determination method of lock up clutch

Номер патента: US20190293174A1. Автор: Yoshitaka Takahashi. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Abnormality determination device and abnormality determination method of lock up clutch

Номер патента: US10690242B2. Автор: Yoshitaka Takahashi. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Photovoltaic cell device and manufacturing method of template thereof

Номер патента: US20210313180A1. Автор: Sheng-Hui Chen,Bo-Huei Liao,Shao-Ze Tseng. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-10-07.

Light transmission device, and control method of same

Номер патента: US20230261747A1. Автор: Koji Seki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Image Sensing Apparatus, Image Scanning Device and Scanning Method of Image Scanning Device

Номер патента: US20240252707A1. Автор: Min Wang,Xiao Qiu,Wuchang Qi,Juan DENG,Xiaofeng Sun. Владелец: Weihai Hualing Opto Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic device for performing mobility management of user terminal, and operation method of electronic device

Номер патента: EP4240038A1. Автор: Daeken KWON,Wansu YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Wireless device, and wireless communication method of wireless device, wireless terminal, and wireless communication method of wireless terminal, and wireless base station, and wireless communication method of wireless base station

Номер патента: US20240251319A1. Автор: Kosuke Aio. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20220006061A1. Автор: Zesheng CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20230300574A1. Автор: Md. Imtiaz HOSSAIN,Md. Zahid Hasan POLIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Wireless device, and wireless communication method of wireless device, wireless terminal, and wireless communication method of wireless terminal, and wireless base station, and wireless communication method of wireless base station

Номер патента: US12082066B2. Автор: Kosuke Aio. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Audiovisual device and control method of audiovisual device

Номер патента: US20210329372A1. Автор: Wenbo Li,Junwei Liu,Zhihong Du. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Repairing method, repairing device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09882174B2. Автор: Jun Wang,Jie Liu,Yi Qu,Jiamian SUN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Display panel, display device and manufacturing method of display panel

Номер патента: US09786864B2. Автор: Junhui Lou. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Medical device for dental prosthetic systems, a dental prosthetic system, use of the medical device and a forming method of prosthetic devices

Номер патента: US09603680B2. Автор: Alberto Salini,Matteo Antonini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Coil type unit for wireless power transmission, wireless power transmission device, electronic device and manufacturing method of coil type unit for wireless power transmission

Номер патента: US09472340B2. Автор: Chang Bae Lee,Seung Wook Park,Chang Ryul JUNG,No Il PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Elevationally-Extending String Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Method Of Forming An Elevationally-Extending String Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor

Номер патента: US20180019255A1. Автор: Hopkins John D.,Larsen Christopher,HU Yushi,Daycock David,Pavlopoulos Dimitrios. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022081277A2. Автор: Haitao Liu,Kunal R. Parekh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-21.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing castings from noncompact steel wastes and device for pressing blocks of steel consumable electrodes for method embodiment

Номер патента: RU2148665C1. Автор: В.Ф. Новиков,А.Е. Гончаров,А.И. Гришечкин,Н.С. Брюнеткин,М.Х. Спивак,О.Г. Федотов. Владелец: ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение. Дата публикации: 2000-05-10.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Video Signal Interpolation Device, Video Display Device, and Video Signal Interpolation Method

Номер патента: US20120002105A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF PERFORMING READ OPERATIONS

Номер патента: US20120008389A1. Автор: Kim Seung-bum. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

Structure of nonvolatile memory having high coupling ratio and method thereof

Номер патента: TW364210B. Автор: Ko-Hsing Chang,Lin-Sung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-11.

Nanocrystal nonvolatile memory based on strained silicon and manufacturing method of memory

Номер патента: CN102117812A. Автор: 刘明,王永,王琴,杨潇楠. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-07-06.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS PERFORMING FTL FUNCTION AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120179859A1. Автор: Kwak Jeong Soon,KIM Eui Jin. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Display device and display method

Номер патента: US20120001877A1. Автор: Morii Hideki,Yanagi Toshihiro,Miyata Hidekazu. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRASONIC SENSOR MODULE ATTACHING DEVICE AND ATTACHING METHOD

Номер патента: US20120000302A1. Автор: Inoue Satoru,MATSUMOTO Toru,Nishimoto Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Phase change device and the method of forming the same and phase change memory cell

Номер патента: TWI292950B. Автор: Ming Hsiu Lee,Yi Chou Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-21.

Phase change device and the method of forming the same and phase change memory cell

Номер патента: TW200618255A. Автор: Yi-Chou Chen,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of heating cathode and igniting arc discharge with metal wire between electrodes

Номер патента: RU2388192C2. Автор: Борис Николаевич Швилкин,Наталия Аркадьевна Мискинова,Рунар Николаевич Кузьмин. Владелец: Борис Николаевич Швилкин. Дата публикации: 2010-04-27.

Method of producing norbornene-substituted cyclopropane fullerene derivatives and polymers based thereon

Номер патента: RU2579148C1. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Раиса Зигандаровна Биглова,Юлия Николаевна Биглова,Мансур Сагарьярович Мифтахов,Владимир Владимирович Михеев,Седа Арамовна Торосян,Вадим Венерович Загитов,Фануза Арслановна Гималова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20120039109A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Srinivasan Bhaskar. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20130001498A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Phase Change Memory Cells, Methods Of Forming Phase Change Memory Cells, And Methods Of Forming Heater Material For Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140117302A1. Автор: Goswami Jaydeb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of hitting of ground targets

Номер патента: RU2146350C1. Автор: Б.П. Таланов. Владелец: Таланов Борис Петрович. Дата публикации: 2000-03-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.