Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • [split gate flash memory cell and manufacturing method thereof]

[split gate flash memory cell and manufacturing method thereof]

Номер патента: US20050037566A1
Опубликовано: 17-02-2005
Автор(ы): Tzu-Ching Tsai, Yi-Nan Chen
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032242A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory cell with a vertical transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20050167721A1. Автор: Shian-Jyh Lin,Yu-Sheng Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240315000A1. Автор: Kai Jen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970077656A. Автор: 전영권. Владелец: Lg 반도체주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080239815A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Mitsutaka Izawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371400A1. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory cell, integrated circuit, and manufacturing method of memory cell

Номер патента: US20240016072A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Cheng-Chun Chang,Xinyu Bao,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory cell, integrated circuit, and manufacturing method of memory cell

Номер патента: US11825753B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin,Da-Ching Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory cell, integrated circuit, and manufacturing method of memory cell

Номер патента: US20240016070A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin,Da-Ching Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensional flash memory comprising connection part, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240260272A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-08-01.

Eeprom flash memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970003845B1. Автор: 박근형. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1997-03-22.

Three dimensional flash memory for increasing cell current and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101872108B1. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-06-27.

3d flash memory with improved stack connection and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20220134259A. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-05.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Three-dimensional flash memory with reduced wire length and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230143256A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory cell, semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: JP2007005609A. Автор: Takashi Yokoyama,哲也 大西,Tetsuya Onishi,敬 横山,Shinji Horii,新司 堀井. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

High-density vertical-type semiconductor memory cell string, cell string array and fabricating method thereof

Номер патента: KR101073640B1. Автор: 이종호. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-10-17.

Flash memory device having a profiled tunnel barrier and fabrication method thereof

Номер патента: KR20050121603A. Автор: 백승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20040018687A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method with trench source to increase the coupling of source to floating gate in split gate flash

Номер патента: US20030077868A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Di Kuo,Chrong-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Poly tip formation and self-align source process for split-gate flash cell

Номер патента: US6117733A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Low-power reading reference circuit for split-gate flash memory

Номер патента: US20070133275A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Library Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Method of fabricating a self-aligned split gate flash memory cell

Номер патента: US6562673B2. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Structure and process of manufacture of split gate flash memory cell

Номер патента: US5614746A. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Novel process for preventing the reverse tunneling during programming in split gate flash

Номер патента: US20010016385A1. Автор: Kuei-Wu Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Double sidewall short channel split gate flash memory

Номер патента: US20010000153A1. Автор: Seiki Ogura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-05.

Self-aligned structure with unique erasing gate in split gate flash

Номер патента: US20040241942A1. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Split-gate flash cell formed on recessed substrate

Номер патента: US09853039B1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Sung-taeg Kang,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A4. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional multilayer memory with interconnection of low-resistance silicides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349496A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09385314B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Heng-Yuan Lee,pei-yi Gu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fabricating AND-type flash memory cell

Номер патента: US20040157403A1. Автор: Chang Han,Bong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Mask rom structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040077131A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

High coupling split-gate transistor and method for its formation

Номер патента: US20020072174A1. Автор: Gurtej Sandhu,Sukesh Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Split gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030214864A1. Автор: Yong Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276717A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140070303A1. Автор: Kenichi Fujii,Tooru Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070228455A1. Автор: Tomoyuki Ishii,Toshiyuki Mine,Yoshitaka Sasago. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7995376B2. Автор: Daisuke Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US20160247829A1. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US9646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US09646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230262993A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030198095A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Three-dimensional flash memory having improved degree of integration, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12120872B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: EP4343871A4. Автор: Toru Nakamura,Taisuke Matsui,Takeyuki Sekimoto. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: EP4343871A1. Автор: Toru Nakamura,Taisuke Matsui,Takeyuki Sekimoto. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: EP4343872A1. Автор: Kenji Kawano,Taisuke Matsui. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Charge trapping split gate device and method of fabricating same

Номер патента: US09966477B2. Автор: Mark T. Ramsbey,Unsoon Kim,Sameer S. Haddad,Chun Chen,Kuo Tung CHANG,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Volatile/non-volatile dynamic ram cell and system

Номер патента: WO1981003393A1. Автор: A Velthoven. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1981-11-26.

Artificial indoor photovoltaic cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230422532A1. Автор: Jae Won Shim,Tae Hyuk Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217837A1. Автор: Qi Yao,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Renquan Gu,Wusheng Li,Muxin DI,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: US20210305264A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: EP4128352A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Finfet split gate non-volatile memory cells with enhanced floating gate to floating gate capacitive coupling

Номер патента: WO2021194552A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-30.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Laser-sintered perovskite solar cell and manufacturing method

Номер патента: US20240196720A1. Автор: Yusong SHENG,Dang Xu. Владелец: Wuhan Wonder Solar Energy Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Conductive flexible substrate and manufacture thereof, and OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09634269B2. Автор: Yifan Wang,Qinghua Zou,Taipi Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor manufacturing method including forming additional active layer

Номер патента: US20040185609A1. Автор: Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Yoshinori Okumura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Electroluminescent device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520453B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09917279B2. Автор: Seung-Yong Song,Cheol Jang,Jin-Kwang Kim,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

OLED display device comprising an insulative layer of varying thickness and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773851B2. Автор: Hejing ZHANG,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Light emitting device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09748513B2. Автор: Changyan WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530989B2. Автор: Il-Nam Kim,Min-Woo Kim,Won-Sang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Highly reliable nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379322B2. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-28.

OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09893132B2. Автор: Yifan Wang,Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

OLED display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461095B2. Автор: Hejing ZHANG,Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: US09960242B2. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates

Номер патента: US10249631B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: WO2015017495A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: EP3243219A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: EP3371829A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: WO2016111742A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: EP3449501A1. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: WO2016111796A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: EP2748842A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: WO2013028358A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: WO2013066584A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-05-10.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US20230145117A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: EP4181132A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory cell, memory array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397426A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional flash memory including middle metallization layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955177B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Substrate for solar cell, solar cell, and solar cell manufacturing method

Номер патента: US20240250202A1. Автор: Jungbae Kim,Jeongho Seo,JunYoung KANG,HyangJu MUN,SeonKi MIN,WonSuk SHIN,HyunKyo SHIN,YoungTae YOON,KyoungJin LIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Substrate for solar cell, solar cell, and solar cell manufacturing method

Номер патента: US12062733B2. Автор: Jungbae Kim,Jeongho Seo,JunYoung KANG,HyangJu MUN,SeonKi MIN,WonSuk SHIN,HyunKyo SHIN,YoungTae YOON,KyoungJin LIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Photovoltaic cell and photovoltaic cell manufacturing method

Номер патента: US09450138B2. Автор: Shunichi Sato,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Substrate for solar cell, solar cell, and solar cell manufacturing method

Номер патента: EP3982425A1. Автор: Hyun Kyo Shin,Won Suk Shin,Jung Bae Kim,Jeong Ho Seo,Jun Young Kang,Hyang Ju Mun,Seon Ki Min,Young Tae Yoon,Kyoung Jin Lim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-13.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Mono gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US7227216B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-05.

An improved split gate non-volatile flash memory cell having a floating gate, control gate, select gate and an erase gate with an overhang over the floating gate, array and method of manufacturing

Номер патента: TW200917495A. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Split-gate, twin-bit non-volatile memory cell

Номер патента: US09972632B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Silicon-Metal Floating Gate And Method Of Making Same

Номер патента: US20150035040A1. Автор: Tkachev Yuri,KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng,Yoo Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20170125429A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20160197088A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having Metal Gates

Номер патента: US20180226420A1. Автор: Tran Hieu Van,Zhou Feng,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297B1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Reduced Size Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell And Method Of Making Same

Номер патента: US20170330949A1. Автор: Wang Chunming. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: US20140217489A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,LIU Andy,XING LEO,Diao Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3459104A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

A split-gate p-channel flash memory cell with programming by band-to-band hot electron method

Номер патента: TWI256073B. Автор: Wen-Ting Chu,Chia-Dar Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-06-01.

Method Of Programming A Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cell Having A Separate Erase Gate

Номер патента: US20130107631A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

SPLIT-GATE, 2-BIT NON-VOLATILE MEMORY CELL WITH ERASE GATE DISPOSED OVER WORD LINE GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20220101920A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Array of split gate non-volatile floating gate memory cells having improved strapping of the coupling gates

Номер патента: US8513728B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Parviz Ghazavi,Shiuh-Luen Wang,Henry A. Om'Mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Split-gate, 2-bit non-volatile memory cell with erase gate disposed over word line gate, and method of making same

Номер патента: TW202215440A. Автор: 王春明,邢精成,祥 劉,恩漢 杜,宋國祥. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2022-04-16.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A4. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-10.

STACKED-GATE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL, MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130221421A1. Автор: Mao Jianhong,Han Fengqin. Владелец: LEXVU OPTO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY (SHANGHAI) LTD. Дата публикации: 2013-08-29.

There is the split-gate type nonvolatile floating gate memory cell array of the coupling grid improving bridging

Номер патента: CN104335334B. Автор: H·V·特兰,P·加扎维,S-L·王,N·杜,H·A·奥马尼. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

FINFET-Based Split Gate Non-volatile Flash Memory With Extended Source Line FINFET, and Method Of Fabrication

Номер патента: US20200176578A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Finfet-based split gate non-volatile flash memory with extended source line finfet, and method of fabrication

Номер патента: EP3891802B1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

METHOD OF FORMING SPLIT-GATE, TWIN-BIT NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20180226421A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Split-Gate, Twin-Bit Non-volatile Memory Cell

Номер патента: US20170317093A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Split-gate, twin-bit non-volatile memory cell

Номер патента: EP3982394A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-13.

Split-gate, twin-bit non-volatile memory cell

Номер патента: EP3982394B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

High density flash memory cell stack, cell stack string and fabricating method thereof

Номер патента: KR100979906B1. Автор: 이종호. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2010-09-06.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Memory cell, memory device and manufacturing method of memory cell

Номер патента: KR100728586B1. Автор: 모리모토히데노리. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-06-14.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US09368522B2. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Memory cell, pixel structure and manufacturing process of memory cell for display

Номер патента: TWI336508B. Автор: Yu Cheng Chen,Ting Chang Chang,Chi Lin Chen,Chi Wen Chen,Hung Tse Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2011-01-21.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: US20160308076A1. Автор: Shigeharu Taira,Satoshi Tohoda,Naohiro HITACHI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: US20110162710A1. Автор: Takashi Komatsu,Kazuya Saito,Yusuke Mizuno,Susumu Sakio,Shunji Kuroiwa,Miwa Watai,Kensuke Hiraoka. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

3D STACKED NAND FLASH MEMORY ARRAY ENABLING TO OPERATE BY LSM AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130223142A1. Автор: Park Byung-Gook,Kim Wandong. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2013-08-29.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Flash memory device having a shared bit line and fabrication method thereof

Номер патента: KR100735753B1. Автор: 최정달,설종선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-06.

Flash memory having water vapor induced air gaps and fabricating method thereof

Номер патента: US10418370B2. Автор: LIANG Chen,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Three dimensional flash memory for improving boosting effciency during program and operation method thereof

Номер патента: KR102483064B1. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-12-30.

Three dimensional flash memory for improving boosting effciency during program and operation method thereof

Номер патента: KR20220033191A. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-03-16.

NAND FERROELECTRIC MEMORY CELL WITH THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220102379A1. Автор: Liao Min,ZHOU Yichun,HUAN Yanwei,DAI Siwei,YANG Qijun,LIU Zhaotong. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200013909A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200119208A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200127149A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190259887A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

BIFACIAL PUNCHED PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200381572A1. Автор: Chen Gang,Fang Jiebin,Ho Ta-Neng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Device for testing regional performance of plate-type SOFC (solid oxide Fuel cell) and assembly method and testing method thereof

Номер патента: CN114944501B. Автор: 徐心海,仲政,吴愉华. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-27.

SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD, SOLAR CELL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP4481869B2. Автор: 武紀 渡部,寛之 大塚,武 赤塚,直揮 石川,正俊 高橋,重徳 斎須,豊敬 植栗,聡之 生島,力 大西. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Solar cell manufacturing method, solar cell, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: KR101216996B1. Автор: 토요히로 우에구리,나오키 이시카와,타케노리 와타베,히로유키 오츠카,사토유키 오지마,마사토시 타카하시,시게노리 사이스,타케시 아카츠카,츠토무 오니시. Владелец: 나오에츠 덴시 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-01-02.

Electrolyte membrane, membrane electrode assembly, electrochemical cell, and electrolyte membrane manufacturing method

Номер патента: EP4089207A1. Автор: Hiroshi Asano,Tomohiro Kuroha,Kosuke Nunoo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-16.

SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180019066A1. Автор: Hayakawa Akinobu,OHARA Shunji,HORIKI Mayumi,UNO Tomohito. Владелец: Sekisui Chemical Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-18.

SUBSTRATE FOR SOLAR CELL, SOLAR CELL, AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220149227A1. Автор: Kim Jungbae,KANG JunYoung,MUN HyangJu,MIN SeonKi,SEO JeongHo,SHIN WonSuk,SHIN HyunKyo,YOON YoungTae,LIM KyoungJin. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180122980A1. Автор: Morikawa Hiroaki,Hama Atsuro,KOHATA Hayato,KANO Shintaro. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: US20180254359A1. Автор: Hayato Kohata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180261703A1. Автор: ENGELHART Peter,METTE Ansgar,STENZEL Florian. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

VAPOR CELL AND VAPOR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210341717A1. Автор: Hara Motoaki,ONO Takahito,YANO Yuichiro,TODA Masaya,Nishino Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160308076A1. Автор: Tohoda Satoshi,Taira Shigeharu,HITACHI Naohiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

PHOTOVOLTAIC CELL AND PHOTOVOLTAIC CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150333214A1. Автор: Sato Shunichi,Nishiyama Nobuhiko. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2015-11-19.

PHOTOVOLTAIC CELL AND PHOTOVOLTAIC CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160343898A1. Автор: Sato Shunichi,Nishiyama Nobuhiko. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2016-11-24.

A wafer manufacturing device for a solar battery cell and a wafer manufacturing method using the same

Номер патента: CN102089885B. Автор: 孔锺炫. Владелец: URBAN ENVIRONMENT ENGINEERING. Дата публикации: 2013-05-29.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: US9093590B2. Автор: Tomonari Sakamoto,Naoya Kobamoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: JP2005502206A. Автор: へゼル、ルドルフ. Владелец: へゼル、ルドルフ. Дата публикации: 2005-01-20.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: AU2016213091A1. Автор: Shunji Ohara,Akinobu Hayakawa,Mayumi Horiki,Tomohito UNO. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Fuel cell and fuel cell manufacturing method

Номер патента: JP5476708B2. Автор: 昌洋 木下. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: KR102420807B1. Автор: 히로유키 오츠카,다케노리 와타베. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-07-13.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: TWI641154B. Автор: 幸畑隼人. Владелец: 日商三菱電機股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-11.

Gas cell and gas cell manufacturing method

Номер патента: JP7267524B2. Автор: 崇人 小野,雅也 戸田,基揚 原,仁 西野,雄一郎 矢野. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2023-05-02.

Solar cell and solar cell manufacturing method, solar cell module

Номер патента: TWI479668B. Автор: Yoichiro Nishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: WO2022030471A1. Автор: 淳一 中村,紳平 岡本. Владелец: 株式会社カネカ. Дата публикации: 2022-02-10.

Photovoltaic cell and photovoltaic cell manufacturing method

Номер патента: CN104937727A. Автор: 佐藤俊一,西山伸彦. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-23.

Fuel cell and fuel cell manufacturing method

Номер патента: JP5505500B2. Автор: 健二 壷阪,淳二 中西,大雄 吉川,恒政 西田,丈明 齋藤,明人 川角. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-05-28.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: EP3190628A4. Автор: Hiroyuki Otsuka,Takenori Watabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-22.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: TW201626593A. Автор: Hiroyuki Otsuka,Takenori Watabe. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-07-16.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: EP3101696A4. Автор: Hiroyuki Otsuka,Takenori Watabe,Ryo Mitta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-30.

SEALING MATERIAL FOR FUEL CELL, FUEL CELL, AND FUEL CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP4754339B2. Автор: 雄一 相原,勝則 酒井. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-24.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: WO2011089880A1. Автор: Naoki Murakami,Ryuichi Nakayama,Keigo Sato,Shigenori Yuya,Ryozo Kakiuchi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Silicon wafer for solar cell and the same manufacturing method

Номер патента: WO2004055909A1. Автор: Etsuo Otsuki,Hong-Jae Lee. Владелец: Samwha Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-07-01.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: AU2006253714A1. Автор: Naoki Ishikawa,Satoyuki Ojima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: WO2017045664A1. Автор: Ansgar Mette,Peter Engelhart,Florian Stenzel. Владелец: HANWHA Q CELLS GMBH. Дата публикации: 2017-03-23.

Substrate for solar cell, solar cell, and solar cell manufacturing method

Номер патента: EP3982425A4. Автор: Hyun Kyo Shin,Won Suk Shin,Jung Bae Kim,Jeong Ho Seo,Jun Young Kang,Hyang Ju Mun,Seon Ki Min,Young Tae Yoon,Kyoung Jin Lim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Flash memory device capable of preventing coupling effect and program method thereof

Номер патента: US20080094901A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US09741868B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Split-gate flash memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US6709925B1. Автор: Tae Ho Choi,Jae Yeong Kim. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09472645B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: WO2020040894A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory cell structure for improving erase speed

Номер патента: US09917165B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US09653471B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: US09461060B1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US10553596B2. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US09966380B1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Asymmetric formation approach for a floating gate of a split gate flash memory structure

Номер патента: US09691883B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Split gate flash memory cells with a trench-formed select gate

Номер патента: US20220093765A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic flash memory

Номер патента: US20020145914A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Memory gate first approach to forming a split gate flash memory cell device

Номер патента: US9257571B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Interdigitated capacitor in split-gate flash technology

Номер патента: US09691780B2. Автор: Wan-Chen Chen,Yu-Hsiung Wang,Han-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US20160379988A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US9536969B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Novel select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20220320304A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Split gate flash memory cell with ballistic injection

Номер патента: US20080296652A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137002A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Evans Yang,Lein-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047766A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of manufacturing a split-gate flash memory cell

Номер патента: US5872036A. Автор: Yau-Kae Sheu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: EP3769338A2. Автор: Zhou Feng,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: WO2019182681A2. Автор: Zhou Feng,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu,Jimho KIM. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-09-26.

Split-gate flash memory exhibiting reduced interference

Номер патента: US20150255471A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Process for preventing misalignment in split-gate flash memory cell

Номер патента: US5940706A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US8921917B2. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-12-30.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20120168842A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of forming sharp beak of poly to improve erase speed in split-gate flash EEPROM

Номер патента: US5970371A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung,Chuang-Ke Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Space process to prevent the reverse tunneling in split gate flash

Номер патента: US20050184331A1. Автор: Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Yi-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

Split gate flash cell and method for making the same

Номер патента: US20140027833A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-01-30.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20170069501A1. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Four Gate, Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20210110873A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Si|icon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US9831087B2. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Charge trapping split gate embedded flash memory and associated methods

Номер патента: US09922833B2. Автор: Yu Sun,Unsoon Kim,Calvin Gabriel,Chun Chen,Sameer Haddad,Kuo Tung CHANG,Mark Ramsbey,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Split gate flash memory device with shrunken cell and source line array dimensions

Номер патента: US6538276B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Method for shrinking array dimensions of split gate flash memory device using multilayer etching to define cell and source line and device manufactured thereby

Номер патента: US20010015455A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Split gate cells for embedded flash memory

Номер патента: US09450057B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Memories having split-gate memory cells

Номер патента: US11955180B2. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20150084112A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Split gate flash cell semiconductor device

Номер патента: US20160126359A1. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966383B2. Автор: LIANG Yi,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Split-gate flash cell with composite control gate and method for forming the same

Номер патента: US20150228738A1. Автор: Wen-Bin Tsai,Hsin-I Li,Kin Fung Lam. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Method of making the selection gate in a split-gate flash EEPROM cell its and structure

Номер патента: US20050026368A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chrong-Jung Lin,Jack Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Split-gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230065526A1. Автор: Bing Wu,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods and systems for erase biasing of split-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods and structures for a split gate memory cell structure

Номер патента: US09590058B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation

Номер патента: EP2973581A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Steven Malcolm Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4300550A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Integrierter schaltkreis mit einer oder einem paar von split-gate-flash-speicherzellen und verfahren zum bilden einer split-gate-speichervorrichtung

Номер патента: DE102016100018B4. Автор: Wei Cheng Wu,Jui-Tsung Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Split-gate Flash Speicherelementeanordnung und Methode zum Löschen derselben

Номер патента: EP1148556A3. Автор: Michael Frey,Holger Dr. Haberla. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2008-02-27.

High coupling ratio split gate memory cell

Номер патента: US20190057970A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-21.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Memory cell comprising non-self-aligned horizontal and vertical control gates

Номер патента: US09941369B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Split-gate non-volatile memory (NVM) cell and method therefor

Номер патента: US09728410B2. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory cell comprising non-self-aligned horizontal and vertical control gates

Номер патента: US09406686B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-08-02.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Solar cell string, string group, module, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257506A1. Автор: Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Electric device, battery, and battery unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297419A1. Автор: Qian Liu,Yonghuang YE,Quanguo LI,Chunpeng YU,Dejun XIAO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Structures for split gate memory cell scaling with merged control gates

Номер патента: US09620604B2. Автор: Anirban Roy,Ko-Min Chang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of split gate trench device

Номер патента: US20240128343A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

一种Split Gate-IGBT结构及其制作方法

Номер патента: CN110600543. Автор: 陈思凡,蔡铭进,徐守一. Владелец: Xiamen Xinda Mao Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US7235839B2. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: EP4407696A2. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: US20240363776A1. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile memory cell with improved isolation structures

Номер патента: US09401367B2. Автор: Swen WANG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Huge stack for flat-tubular solid oxide fuel cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379400B2. Автор: Jong Shik Chung. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-06-28.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Split Gate structure, Power MOS device and manufacturing method

Номер патента: CN113497122A. Автор: 郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Solar cell and manufacturing method thereof, and photovoltaic system

Номер патента: EP4404279A2. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Wanli Li,Yang Zou,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang,Kunzhou WANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079505A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone (fujian) Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing split gate flash EEPROM

Номер патента: KR100607785B1. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Method for manufacturing split gate flash eeprom

Номер патента: KR20060079013A. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20130244391A1. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Method of making a programmable cell and structure thereof

Номер патента: US09634014B2. Автор: Akira Ito,Qintao Zhang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Self-aligned split gate eprom process

Номер патента: US4795719A. Автор: Boaz Eitan. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1989-01-03.

Three dimensional flash memory for integrating and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301110A1. Автор: Bongseok KIM,Yun Heub Song,Inho Nam. Владелец: Iucf Hyu Industry Unversity Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2023-09-21.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008004791A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-01-10.

Thin-film type solar cell including by-pass diode and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008030019A1. Автор: Seh-Won Ahn,Hwa-Nyeon Kim,Kwang-Sun Ji,Young-Joo Eo,Bum-Sung Kim,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun,Hae-Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US20170062586A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: AU2024204864A1. Автор: HONG Chen,Yang Zou,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Solar cell and manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US20240282877A1. Автор: Xinyu Zhang,Jingsheng Jin,Bike Zhang,Mengwei Xu. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Solar cell and manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4421879A1. Автор: Xinyu Zhang,Jingsheng Jin,Bike Zhang,Mengwei Xu. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: EP4421883A2. Автор: HONG Chen,Yang Zou,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Solar cell, sliced cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: EP4421881A2. Автор: HONG Chen,Yifeng Chen,Di Liu,Wenxing Du. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Thin-film type solar cell including by-pass diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2008312A1. Автор: Seh-Won Ahn,Hwa-Nyeon Kim,Kwang-Sun Ji,Young-Joo Eo,Bum-Sung Kim,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun,Hae-Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-12-31.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Solar cell and manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023210662A1. Автор: Xinyu Zhang,Jingsheng Jin,Bike Zhang,Mengwei Xu. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Solar cell, sliced cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: AU2024216424A1. Автор: HONG Chen,Yifeng Chen,Di Liu,Wenxing Du. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447126A1. Автор: Pinru HUANG,Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US09673299B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

TFT and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, X-ray detector and display device

Номер патента: US09647019B2. Автор: Peng Li,Zongmin Tian,Huichao Gao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478562B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Zuqiang Wang,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Planar split-gate high-performance mosfet structure and manufacturing method

Номер патента: WO2007143130A3. Автор: Francois Hebert,Anup Bhalla,Daniel S Ng. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-05-02.

Battery Module with Double Fixing Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220029238A1. Автор: Ji Hoon Lim. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovotaic module, and photovotaic system

Номер патента: EP4401153A2. Автор: WEI Liu,HONG Chen,Zigang Wang,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Heterojunction cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: EP4418333A2. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Heterojunction cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: AU2024202906B2. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Memory device, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068245B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Battery Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240322354A1. Автор: Hyeok Jeong,Won Pill HWANG,Sangho BAE,Shin Chul Kim,Mincheol CHOI. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

An interdigitated back contact cell and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2024216358A1. Автор: WEI Liu,Zhiyuan Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

An interdigitated back contact solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4432370A2. Автор: WEI Liu,Zhiyuan Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Heterojunction cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: US20240347661A1. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

一种Split Gate结构、Power MOS器件及制作方法

Номер патента: CN113497122. Автор: 郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Apparatus of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a multi-split gate

Номер патента: US20180145139A1. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Johnatan A. Kantarovsky,David Mistele. Владелец: TowerJazz Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634043B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

CMP fabrication solution for split gate memory embedded in HK-MG process

Номер патента: US09496276B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Pin diode and manufacturing method thereof, and x-ray detector using pin diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484486B2. Автор: Sung Jin Choi. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Split-gate non-volatile memory cell and method

Номер патента: US20100078703A1. Автор: Brian A. Winstead,Gowrishankar L. Chindalore,Konstantin V. Loiko,Horacio P. Gasquet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Power driven optimization for flash memory

Номер патента: EP3365893A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2696371A3. Автор: Hee-Yong Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Nano-porous electrode for super capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847183B2. Автор: Myung Gi Jeong,Chanhwa Chung,Serhiy Cherevko. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-12-19.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US09634105B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory and making method thereof

Номер патента: US7268042B2. Автор: Kan Yasui,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetoelectric memory cells with domain-wall-mediated switching

Номер патента: US20180130511A1. Автор: Dmitri E. Nikonov,Alexey KOVALEV,Kirill D. Belashchenko,Oleg Tchernyshyov. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2018-05-10.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A8. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-09-24.

Detection substrate and manufacturing method thereof, flat panel detector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378100A1. Автор: Ye Zhang,Bin Zhao,Jinyu Li,Chuncheng CHE,Shuai Xu,Binbin Xu,Xuecheng Hou. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Tag for marking defective part of electrode for secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3206420A1. Автор: Eun Mi CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-25.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Circuit-board component and manufacturing method thereof, and light-emitting component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230073554A1. Автор: Feng Zhai,Chun-Lung Hsiao. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (tft) and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160027807A1. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Encapsulant film and manufacturing method thereof, solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4235812A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Through substrate via structure and manufacturing method thereof, redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087665B2. Автор: Hsiang-Hung Chang,Wei-Lan Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-09-10.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, compound, composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09932441B2. Автор: Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Split-gate lateral extended drain MOS transistor structure and process

Номер патента: US09905428B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Alexei Sadovnikov,Andrew D Strachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653484B2. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Split-gate memory device and method for accessing the same

Номер патента: US5969383A. Автор: Ko-Min Chang,Kuo-Tung Chang,Wei-Ming Chen,Keith Forbes,Douglas R. Roberts. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Three-dimensional flash memory including floating devices, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240096414A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9755086B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Mid-infrared light emitting diode and manufacturing method thereof, silicon photonic circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140187A1. Автор: Chang-Hua Liu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662A. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Substrate for solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359773A1. Автор: Jun Young Kim,Jae Do Nam,Ui Seok HWANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-10.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Manufacturing Method of Via Hole, Display Substrate, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190311943A1. Автор: Wenlong Wang,Ke Cao,Chengshao Yang,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Architectural glass made of waste solar panel and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4378906A1. Автор: Yung-Hui Chen,Shao Hua Hu,Ya Min Hsieh,Hsin Hui Chou,Hsing Wen Hsieh,Min-Jen Cheng. Владелец: Transcene Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293616A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

End cap assembly, battery cell and manufacturing method therefor, battery and power device

Номер патента: EP4071897A1. Автор: PENG Wang,Huasheng Su,Quankun Li,Chengyou Xing,Wenlong KANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Architectural Glass Made of Waste Solar Panel and Manufacturing Method thereof

Номер патента: AU2023201879A1. Автор: Yung-Hui Chen,Shao Hua Hu,Ya Min Hsieh,Hsin Hui Chou,Hsing Wen Hsieh,Ming -Jen Cheng. Владелец: Transcene Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Architectural Glass Made of Waste Solar Panel and Manufacturing Method thereof

Номер патента: AU2023201879B2. Автор: Yung-Hui Chen,Shao Hua Hu,Ya Min Hsieh,Hsin Hui Chou,Hsing Wen Hsieh,Ming -Jen Cheng. Владелец: Transcene Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Dual-gate TFT array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966450B2. Автор: Shimin Ge. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor driving backplane and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US09543415B2. Автор: Chien Hung Liu,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536890B2. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Structures of and methods of fabricating split gate MIS devices

Номер патента: US09425305B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Chanho Park. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Metal foil with conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2572840C2. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский,Андрей Геннадьевич Косолапов,Олег Филиппович Бобренок. Владелец: МСД Текнолоджис частная компания с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2016-01-20.

Split gate power MOSFET and split gate power MOSFET manufacturing method

Номер патента: US11862695B2. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Split gate trench device

Номер патента: US20240128344A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Split gate power mosfet and split gate power mosfet manufacturing method

Номер патента: US20240088247A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237368A1. Автор: Ilhyoung Jung,Hyunho Kim,Giwon Lee,Kyungdong LEE. Владелец: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method to manufacture split gate with high density plasma oxide layer as inter-polysilicon insulation layer

Номер патента: US20100099230A1. Автор: Yu Wang,Francois Hebert,Hong Chang,Yingying Lou,Sung-Shan Tai,Mengyu Pan,Yong-Zhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210082495A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Wavelength conversion device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044868B2. Автор: Chi-Tang Hsieh,I-Hua Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240280855A1. Автор: Chien-Tzu Chu,Chao-Chin Sung,Chueh-Yuan NIEN,Chao-Sen Yang. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Solid polymer electrolyte with elastic properties and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243355A1. Автор: Manveer S. Sidhu. Владелец: Nuvvon Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Battery module and manufacturing method of battery module

Номер патента: US20200106065A1. Автор: Keiichi Ito. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Solid polymer electrolyte with elastic properties and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024155614A1. Автор: Manveer S. Sidhu. Владелец: Nuvvon, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Solar cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997647B2. Автор: Youngho Choe,Jaewon Chang,Yoonsil Jin,Goohwan Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-06-12.

Array substrate comprising separating region and manfacturing method thereof,display apparatus

Номер патента: US09905591B2. Автор: Tao Wu,Chun Li,Hongwei Sun,Yanming Wang,Ruitao Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09893168B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853033B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09817264B2. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09804459B2. Автор: Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640673B2. Автор: Junghoon Choi,Goohwan Shim,Hayan BAEK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light emitting display device, driving method thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09501978B2. Автор: Dong-Wook Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09484351B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425345B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09419129B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150069490A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Split-gate non-volatile memory (nvm) cell and method therefor

Номер патента: US20160099153A1. Автор: Craig T. Swift,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-07.

Split Gate Non-volatile Memory Cell With 3D FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20160276357A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: WO2016148873A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: EP3271936A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-24.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170254933A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High-efficiency oxidized vcsel including current diffusion layer having high-doping emission region, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200203928A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-06-25.

High-efficiency oxide vcsel with improved light extraction, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200059072A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-02-20.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: EP3796385A1. Автор: Zhen Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20200401005A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for fabricating split-gate non-volatile memory

Номер патента: US20200251481A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Pattern of a flim layer including aluminum, and manufacturing method and aftertreatment method thereof

Номер патента: US20190062925A1. Автор: Jihoon Lee,Soondong LEE,Xiaodi Huo,Guote Wu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Brushless direct currency (bldc) motor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200195088A1. Автор: Hyun Tae LEE,Gyu Sang Yu,Dong Heon Mo,Jung Kil Lee. Владелец: COAVIS. Дата публикации: 2020-06-18.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240275024A1. Автор: Ying-Jen Chen,Yan-Zheng WU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Conductive paste, manufacturing method thereof, capacitor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266119A1. Автор: Ching Feng Lin,Chieh Lin,Shang-Che Lan,Shuo Yan MA. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Pad for wireless charging and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184497A1. Автор: I-Kuang Lai. Владелец: E-Century Technical & Industrial Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068416B2. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Back-channel-etched tft substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157431A1. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Pixel array structure having doped active layer with uneven thickness and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09985140B2. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

UTBB FDSOI split gate devices

Номер патента: US09978848B2. Автор: Akira Ito. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09958748B2. Автор: Bo Feng,Yu Ma. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Chip electronic component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09945042B2. Автор: Hye Yeon Cha,Tae Young Kim,Chan Yoon,Dong Hwan Lee,Jung Hyuk JUNG,Hye Min BANG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Tensile conducting monofilament and conducting wire and manufacturing method thereof

Номер патента: US09887021B2. Автор: Zhao-Yuan LI,Ben-Yi YAO. Владелец: Dongguan City Huayang Lighting Co ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Mask, manufacturing method thereof and manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US09741828B2. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Invisible light flat plate detector and manufacturing method thereof, imaging apparatus

Номер патента: US09705024B2. Автор: FENG Jiang,Xingdong LIU,Chungchun LEE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Film for cell pouch and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442452A1. Автор: Ji Min Lee,Hee Sik Han,Sung Chul Shin,Nok Jung Song,Han Chul Park,Doohee LEE,Geon Ryong Kim,Moonkyu Song,Huihun KIM. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09651839B2. Автор: Xiaojing QI,Like HU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Co-planar oxide semiconductor TFT substrate structure and manufacture method thereof

Номер патента: US09614104B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09502444B2. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

EEPROM with split gate source side injection

Номер патента: US5883409A. Автор: Eliyahou Harari,Daniel C. Guterman,Yupin Kawing Fong,Gheorghe Samachisa. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

EEPROM with split gate source side injection

Номер патента: US5313421A. Автор: Daniel C. Guterman,Yupin K. Fong,Gheorghe Samachisa,Eliyahou Harrai. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Three-dimensional memory devices and manufacturing methods thereof and three-dimensional memories

Номер патента: US20230422528A1. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US10516026B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190097009A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory cell transistor having different source/drain junction profiles connected to DC node and BC node and manufacturing method thereof

Номер патента: US6949783B2. Автор: Su-Jin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Battery cell stack and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4178010A1. Автор: Seo Roh RHEE,Tak Kyung Yoo,Ji San Kim,Chi Min Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

N-type monocrystalline silicon double-sided solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2022291551A1. Автор: Kun Hou,Gongqing ZHOU,Shixiang Tan,Taosheng YUAN. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Bidirectional conduction trench gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170411A1. Автор: Dong Fang,Bo Zhang,Yong Chen,Ming Qiao,Wenliang LIU,Fabei ZHANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-01.

Circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006748A1. Автор: Chih-Chieh Fu,Yu-Jia Men. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Sensor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180366381A1. Автор: Yangyuan LI,Shaobo DING. Владелец: Microarray Microelectronics Corp ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358946A1. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20050023601A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Perovskite silicon-based laminated solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4432810A1. Автор: Xin Dong,Lei DING,Bo He,Yongcai He,Yonglei Wang. Владелец: Xian Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Wireless communication module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150044976A1. Автор: Hyung Goo BAEK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Retinal prosthesis system using nanowire light detector, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09795787B2. Автор: Suk Won Jung,Sangmin Lee,Jong Yoon Shin,Dong Il Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761596B2. Автор: Yu-Ming Cheng. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Display panel motherboard and manufacturing method thereof

Номер патента: US09730331B2. Автор: PENG Shen,Guang Yang,Yanming Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate with high qualified rate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09716114B2. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711510B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Array substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and display device

Номер патента: US09543325B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09449995B2. Автор: Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

Flash memory device controlling common source line voltage, program verify method thereof, and memory system including that

Номер патента: KR101435889B1. Автор: 강상구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-09-01.

Flash memory controller circuit and storage system and data transfer method thereof

Номер патента: TWI425512B. Автор: Chih Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-01.

Flash memory device and system including program sequencer and program method thereof

Номер патента: KR101734204B1. Автор: 박재우,이성수,주상현,최기환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-05-12.

Flash memory device for controlling variable program voltages and program method thereof

Номер патента: KR101347287B1. Автор: 김무성,이성수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-01-03.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

The flash memory device of three rank storage elements and control method thereof

Номер патента: CN103093822B. Автор: 沈扬智,杨宗杰,郭郡杰,林璟辉. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-10.

Flash memory device capable of improving program performance and programming method thereof

Номер патента: KR100884234B1. Автор: 최윤호,이진욱,김경애. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-02-18.

Flash memory controller circuit and storage system and data transfer method thereof

Номер патента: TW201101306A. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-01.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Large area dye-sensitized solar cell and the thermal spraying fabrication methods thereof

Номер патента: TW201010108A. Автор: Chih-Cheng Chou,Chien-Chon Chen,Wei-Guang Diau,Yun-Pei Chen,Chin-Shing Chen,Shih-Shun Chen. Владелец: Dc Solar Corp. Дата публикации: 2010-03-01.

Anti-fuse memory cell circuit, array circuit and read-write method thereof

Номер патента: CN112582013A. Автор: 李新. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for optimizing reading voltage of memory cell, controller of 3D memory and operation method thereof

Номер патента: CN113223593B. Автор: 张旭航,曹芮,肖自铧,喻小帆. Владелец: Lianyun Technology Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダー テーラー アルフレッド,ディ パルマ ルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エー オーストラリア ピィー・ティー・ワイ リミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティム ジェイ フェントン,ポール ヴィー シクルーナ,ディック エイチ ポーウェル. Владелец: テューミ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Printing machine for printing the electrodes of a solar cell and solar cell manufacturing method

Номер патента: TW201126738A. Автор: Yu-Chou Lee,Hsin-Jung Feng,Ming-Chung Hsu,Jeng-Yuan Lu,Fang-Tsung Hsieh. Владелец: Tainergy Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-01.

Culture medium for obtaining mesenchymal stem cells and exosomes thereof and preparation method thereof

Номер патента: CN114480273A. Автор: 雷鸣,田朋飞,陈相波,应荣. Владелец: Hangzhou Rongze Biotechnology Group Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Canine umbilical cord mesenchymal stem cells and preparation method and cryopreservation method thereof

Номер патента: CN108456657B. Автор: 王小武,迟大明,朱春颖,郭春明,许晓椿. Владелец: Tianjin Boyalife Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

BAK cell and preparation kit and preparation method thereof

Номер патента: CN110656084A. Автор: 刘永进,秦森邦,古筝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-07.

Biological glue for promoting blood vessel reconstruction after cell and organ transplantation and preparation method thereof

Номер патента: CN107693849B. Автор: 鲁翠涛,赵应征,傅红兴,刘成洋,蒋煊,朱群燕. Владелец: Wenzhou Medical University. Дата публикации: 2020-11-03.

Car library and scFv manufacturing method

Номер патента: AU2023204079A1. Автор: Hiroshi Fujiwara,Masaki Yasukawa,Toshiki Ochi,Katsuto Takenaka. Владелец: Univ Nat Corp Ehime Univ. Дата публикации: 2023-07-13.

Laminate manufacturing jig, laminate manufacturing method, package, laminate, electrolytic cell, and electrolytic cell manufacturing method

Номер патента: JP7194297B2. Автор: 挙 山本,卓也 森川,衛 松岡,義史 和田,博 立原,明恭 船川,佳典 角. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Fuel cell electrode, fuel cell electrode manufacturing method, polymer electrolyte fuel cell, and catalyst ink manufacturing method

Номер патента: JP6196283B2. Автор: 将典 相武,ラルフ・マンソン・アテン,ランダル・ルイス・ペリー,マーク・ゲリット・ロウロフス,ロバート・クレイトン・ウィーランド. Владелец: Chemours Co FC LLC. Дата публикации: 2017-09-13.

Magnetometer, gas cell, and gas cell manufacturing method

Номер патента: JP5994293B2. Автор: 公夫 長坂,長坂　公夫,忍 横川. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-21.

Fuel cell and fuel cell manufacturing method

Номер патента: JP5046383B2. Автор: 直樹 戸嶋,秀夫 猶原,貴博 吉本. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2012-10-10.

Fuel cell and fuel cell manufacturing method

Номер патента: JP5365290B2. Автор: 智暁 内山. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Fuel cell and fuel cell manufacturing method

Номер патента: JP4872202B2. Автор: 宣之 小林. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-02-08.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for erasing split-gate flash memory

Номер патента: US5978274A. Автор: Lin-Song Wang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Anirban Roy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-23.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US09449707B2. Автор: Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Split gate programming

Номер патента: US20140003155A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for programming a split-gate memory cell and corresponding memory device

Номер патента: US20190237141A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Marc Mantelli. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-08-01.

System and method to inhibit erasing of portion of sector of split gate flash memory cells

Номер патента: US9633735B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xiaozhou QIAN,Yuri Tkachev,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Common source architecture for split gate memory

Номер патента: US09536614B2. Автор: Ronald J. Syzdek,Gilles J. Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory for adjusting trip voltage using voltage regulator and sampling switch circuit and sensing method thereof

Номер патента: US20240265977A1. Автор: Jongryul Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory having p-type split gate memory cells and method of operation

Номер патента: US20090296491A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Cheong M. Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: US20240304263A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory reducing program rising time and program method thereof

Номер патента: EP4428862A1. Автор: Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Minseo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240290399A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Split gate valve with biasing mechanism

Номер патента: US09845891B2. Автор: Loc Gia Hoang,S. Mark Svoboda. Владелец: Cameron International Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US20160064092A1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system, program method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09460796B2. Автор: Song-ho Yoon,Woon-Jae Chung,In-Hwan Choi,Jun-Ho Jang,Kyung-wook Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US09401217B2. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for verifying a programmed flash memory

Номер патента: US20050149664A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Reduced voltage nonvolatile flash memory

Номер патента: US09424938B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Sequence Detection for Flash Memory With Inter-Cell Interference

Номер патента: US20120099372A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for page writing to flash memory using channel hot-carrier injection

Номер патента: WO1997001172A1. Автор: Chi Chang,Sameer Haddad,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-01-09.

Flash memory programming check circuit

Номер патента: US20220068411A1. Автор: Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Liquid crystal panel and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696591B2. Автор: Jikai YAO,Jaegeon You,Chengtan Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

New compensated method to implement a high voltage discharge phase after erase pulse in a flash memory device

Номер патента: WO2006033832A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Davide Manfre. Владелец: Davide Manfre. Дата публикации: 2007-02-15.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: EP4421810A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A2. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Dna-rna hybrid particles and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170240889A1. Автор: Jong-Bum LEE,Yong-Kuk Park. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2017-08-24.

DNA-RNA hybrid particles and manufacturing method thereof

Номер патента: US10253317B2. Автор: Jong-Bum LEE,Yong-Kuk Park. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2019-04-09.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US12105386B2. Автор: Guangkun LIU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: EP2823486A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Display substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal cell as well as display

Номер патента: US09740051B2. Автор: Tingze Dong,Zhinan Zhang,Xing Qin,Xiuliang WANG,Xuejiao Huang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Interventional medical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09433709B2. Автор: Yan Hu,Qiyi Luo,Zhirong Tang,Peng Huang,Chengyun Yue,Junfei Li,Xu CAI,Dadong Zhang. Владелец: Shanghai Microport Medical Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20230036141A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory device with improved management of protection information

Номер патента: US20070016735A1. Автор: Mauro Sali,Francesco Mastroianni,Antonino Mondello,Massimiliano Mollichelli,Elena Cussotto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-18.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Capacitance coupling parameter estimation in flash memories

Номер патента: US09934867B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Meysam Asadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Humidity sensitive nano-photonics and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240125974A1. Автор: Jae Kyoung Kim,Jun Suk RHO,Trevon Badloe,Young Hwan YANG,Byoung Su KO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-04-18.

Spunbond nonwoven fabric with improved opening quality and no hazardous residue, manufacturing method thereof and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: US20230279594A1. Автор: Min-Ho Lee,Dongheon KANG,Woo-Seok Choi,Young-Shin Park,Hee-jung CHO,Jung-soon JANG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Nutrition gum and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006126786A1. Автор: Seung Hee Shin. Владелец: Seung Hee Shin. Дата публикации: 2006-11-30.

Display panel and manufacturing method thereof, mask and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09880426B2. Автор: Huifang Yuan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Split Gate-IGBT structure and device

Номер патента: CN210628318U. Автор: 陈思凡,蔡铭进,徐守一. Владелец: Xiamen Xindamao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Film and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600431C2. Автор: Людвиг БРЕМ,Дитер ГАЙМ,Ханс Петер БЕЦОЛЬД. Владелец: Леонхард Курц Штифтунг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-10-20.

Micro total analysis system, operating method and manufacturing method thereof

Номер патента: US11703478B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Hydrophilic acrylic-modified polyurethane and method for preparing same, and water-based paint composition prepared therefrom and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230235112A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im,Seong Ye SEO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11718567B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12024469B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Flash memory chip processing

Номер патента: US09851921B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Flash memory cells wear reduction

Номер патента: US09524790B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

High-strength sheet steel with coating obtained with hot dipping, which has high impact strength at low temperatures, for being used in forming, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2430185C2. Автор: Масаюки АБЕ,Синити ЯМАГУТИ,Ясуто ГОТО,Хиронори САТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-09-27.

High-strength steel pipes with low ratio of yield strength to ultimate strength, welded with electric contact welding, steel strip for pipes, welded with electric contact welding, and manufacturing methods thereof

Номер патента: RU2605396C2. Автор: Ясухиро МАЦУКИ,Томохиро ИНОУЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-12-20.

System, method and apparatus for split gate valve with mechanically isolated seal surfaces

Номер патента: CA2675395C. Автор: David D. Comeaux,Robert K. Law,Anton J. Dach, Jr.. Владелец: Vetco Gray LLC. Дата публикации: 2012-05-08.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Sequence detection for flash memory with inter-cell interference

Номер патента: US20130107622A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Porous tricalcium phosphate material, method for bone healing using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2022201939A1. Автор: Yu-Hao Chan,Yi-Jen Sheng,Yu-Quan Peng. Владелец: Popeye Marine Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2819930A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2015-01-07.

Plated steel sheets for hot press forming having excellent hydrogen brittleness resistance and impact resistance, hot press formed parts, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP4242341A1. Автор: Sang-Heon Kim,Seong-Woo Kim,Jin-keun Oh,Sang-Bin Han. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Moisture permeable waterproof fabric and manufacturing method thereof

Номер патента: WO1995011332A1. Автор: In Hee Kim,Youn Heum Park. Владелец: Sung Won Ind. Co., Ltd.. Дата публикации: 1995-04-27.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Color liquid crystal display panel comprising dichroic dyes mixed in a liquid crystal material and manufacturing method thereof

Номер патента: US09459487B2. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Element for neutralising or decreasing toxic level of waste gases and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2352794C2. Автор: Рольф БРЮКК,Петер ХИРТ,Томас ХЭРИГ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2009-04-20.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Spherical silicon oxycarbide particle material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160368776A1. Автор: KEIZO Iwatani,TETSURO Kizaki. Владелец: JNC Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001029668A1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-04-26.

Composite nanofiber catalyst having improved lifespan performance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200261890A1. Автор: Ji Min Lee,Dong Hoon Nam,Joo Hyun Park,Hoon Mo Park,Yong Ho Choa,Kyung Moon Lee,Seung Hyeon CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-08-20.

Improved read mode for flash memory

Номер патента: EP1908077A2. Автор: Hounien Chen,Nancy S. Leong. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-09.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Granule aggregate for substituting bone and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019031772A3. Автор: Ki Soo Kim,Seok Beom Song. Владелец: BIOALPHA CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin cycloidal speed reducer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12013012B2. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: Bonsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing methed thereof

Номер патента: US20140332437A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-11-13.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Led illumination apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120294018A1. Автор: Sung-Chul Park,Cheol-Hyun Kim. Владелец: V L SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Protective film for substrate, manufacturing method thereof, substrate and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210341650A1. Автор: HAO Yan,Yu Zhang,Zhiliang Jiang,Zhenghong Wang,Haitao YI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Gel nail sticker containing graphene and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230074733A1. Автор: Shin Woong KOH. Владелец: Transurfing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Nanotube dispersion, nanotube film using the nanotube dispersion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230340281A1. Автор: Sang Seok Lee,Dong Su Lee,Jungwon Kim,Jangyup Son,Seokhoon AHN,Se Gyu Jang,Yongho Joo,Dae-Young Jeon,Sukang Bae. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory apparatus and data reading method thereof

Номер патента: US20210319835A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Ultra-high strength cold-rolled steel sheet having excellent elongation and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442851A1. Автор: Eun-Young Kim,Min-Seo KOO. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and calculating method thereof

Номер патента: US20240347106A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and driving method thereof

Номер патента: US09984637B2. Автор: Yue Shi,Kaidi Fang,Hao CHU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Display panel and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09953596B2. Автор: Ang Xiao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09664956B2. Автор: Seon Uk LEE,Jung Suk Bang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09632351B2. Автор: Sang-Uk Lim,Byoung Sun NA,Wan-Soon Im,Seong Young Lee,Hee June KWAK,Seok Kyu Yoon,Seung Soo Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system to determine interference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US09595341B2. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Display device including touch sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09552092B2. Автор: Joon Hak Oh,Jong Seo Lee,Seung Mi Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Radioactive element absorbent containing magnesium silicate and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4454749A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jin Kyu Kang,Dong Gyun Kang,Seung Yun HAN,Seo Yoon Kim,Dong Min SEONG,Dae Uk Kim,Bong Seok Choi,Ho Jae Kim,Su Jin Jo,Bo Gyeong Choi. Владелец: Giant Chemical Co ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Conductive roller and manufacturing method thereof

Номер патента: US09535354B2. Автор: Junichi Takano,Hirotaka Tagawa,Izumi Yoshimura,Daijirou Sirakura. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09494828B2. Автор: Sang-Myoung LEE,Do Yeong PARK,Seung Jun YU,Young goo Song,Sang Woo WHANGBO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20090161432A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240221826A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20210125663A1. Автор: Meng-Fan Chang,Xin Si,Wei-Hsing Huang,Yung-Ning Tu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US20150213879A1. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Hybrid structure for computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20240220743A1. Автор: Meng-Fan Chang,Ping-Chun Wu,Li-Yang Hong,Jin-Sheng Ren,Ho-Yu CHEN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-04.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Flash memory vds compensation techniques to reduce programming variability

Номер патента: WO1998044510A1. Автор: Stephen N. Keeney. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1998-10-08.

Memory unit with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11507275B2. Автор: Meng-Fan Chang,Pei-Jung Lu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-22.

Transpose memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, transpose memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11392820B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su,Ru-Hui LIU. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Catalyst for removing nitrogen oxides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240149218A1. Автор: Kwan-Young Lee,Do Heui KIM,Se Won JEON,Inhak SONG. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-09.

Contact lenses and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240293984A1. Автор: Han-Yi Chang,Ting-yu LI. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Plastic-metal composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: US09987780B2. Автор: Shaohua Zhang,Yuhua Lai. Владелец: Guangdong Janus Intelligent Group Corp Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Quantum dot polarizer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09921343B2. Автор: TAO Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrally cast excavator bucket and manufacturing method thereof

Номер патента: US09903093B2. Автор: Jiwen WAN. Владелец: Hubei Wanxin Precision Casting & Forging Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09874780B2. Автор: Yanan Wang,Hongquan Wei. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Scanner for two-dimensional optical scanning, manufacturing method thereof, and medical imaging apparatus using the same

Номер патента: US09835852B2. Автор: Hyeon Cheol PARK,Ki-Hun Jeong,Yeong-Hyeon SEO,Kyung Min HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-12-05.

Cutting/polishing tool and manufacturing method thereof

Номер патента: US09764442B2. Автор: Jeong-Hun Suh. Владелец: Shinhan Diamond Ind Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Heat exchanger equipped with cold reserving part and manufacturing method thereof

Номер патента: US09746245B2. Автор: Hong-Young Lim,Kwang Hun Oh,Young-Ha Jeon,Jun Young Song,Jung Sam GU,Yong Sung Kwon. Владелец: Hanon Systems Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09728265B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Color liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09638968B2. Автор: Xinhui Zhong,Kuancheng Lee. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09449679B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Chewing gum composition based on powder of dried fruit and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2584438C2. Автор: Сяоху СЯ,Сяоцюнь МО,Филип ШЕПАРД. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2016-05-20.

Composite high-temperature dynamic sealing, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2403475C2. Автор: Брайан А. ДЖЕЙМС,Джон Э. ШРЁДЕР,Ром РИЧАРДСОН,Лэнни Л. ДИТЛ,Брайан А. ДЖЕЙМС (US),Джон Э. ШРЁДЕР (US),Ром РИЧАРДСОН (US),Лэнни Л. ДИТЛ (US). Владелец: КОЛСИ ЭНДЖИНИРИНГ, ИНК.. Дата публикации: 2010-11-10.

Contactless split-gate flash memory of shared word line and manufacture method thereof

Номер патента: CN101807581B. Автор: 张�雄,曹子贵,谢中华. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

A method of operating a memory cell, nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI260637B. Автор: Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-21.

A method of operating a memory cell, nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200623131A. Автор: Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-01.

Flash memory with floating bit line and manufacturing method thereof

Номер патента: TW325595B. Автор: Menq-Song Liang,Ruey-Lin Lin,Ching-Shyang Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-21.

Array Of Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cells Having Improved Strapping Of The Coupling Gates

Номер патента: US20130126958A1. Автор: Van Tran Hieu,Do Nhan,GHAZAVI PARVIZ,"Ommani Henry A.",Wang Shiuh-Luen. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

SINGLE-GATE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL, MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130069136A1. Автор: Mao Jianhong,Han Fengqin. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

Non-voltatile flash memory having high bit-density and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200511518A. Автор: Chih-Hsun Chu,Cheng-Tung Huang,zhi-wen Zhou. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-16.

A flash memory circuit for supporting an ide apparatus and operation method thereof

Номер патента: TWI297894B. Автор: Lungyi Kuo,Yunghao Chang. Владелец: Siliconmotion Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

Flash memory control circuit and memory system and data transmission method thereof

Номер патента: CN101930407B. Автор: 叶志刚. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Flash memory with conformal floating gate and its manufacturing method

Номер патента: TW492089B. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

SEMICONDUCTOR CAPACITOR, ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND FABRICATING METHOD AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120099361A1. Автор: . Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-04-26.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Content addressable memory cell, content addressable memory device and operation method thereof, and method for data searching and comparing

Номер патента: TWI793854B. Автор: 李明修,曾柏皓,李峯旻. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-21.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

'8'-shaped double-pancake coil of transformer and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102568771A. Автор: 李德荣,卢永安,梁湖. Владелец: LIUZHOU SOENEN SPECIAL TRANSFORMER CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Array substrate and manufacturing and maintaining method thereof and display device

Номер патента: CN102931189A. Автор: 张明,蔡振飞,郝昭慧,尹雄宣,贾丕健. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Weak alkaline reverse osmosis water and weak alkaline mineral water and manufacturing system and method thereof

Номер патента: TW201102350A. Автор: Wei Fang,Shi-Wei Kong,Ming-Yih Chang,Chi-Yu Chuang,Lin-Chi Chen. Владелец: Ming-Yih Chang. Дата публикации: 2011-01-16.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

Skin substitute for automatically capturing endothelial progenitor cells and promoting vascularization and construction method thereof

Номер патента: CN101985052B. Автор: 王俊杰,王光毅,李恒宇,夏照帆,肖仕初,朱世辉,纪世召. Владелец: Second Military Medical University SMMU. Дата публикации: 2013-11-06.

ELECTROLYTE MEMBRANE, FUEL CELL, AND ELECTROLYTE MEMBRANE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120231354A1. Автор: . Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-09-13.

SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120305049A1. Автор: Yuya Shigenori,Sato Keigo,Nakayama Ryuichi,Kaito Ryozo,Murakami Naoki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-12-06.

SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120325309A1. Автор: . Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-27.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nor-type channel-program channel-erase contactless flash memory on soi

Номер патента: WO2005081769B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2006-02-23.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon-based heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2024216360A1. Автор: HONGWEI Li,Zibo MENG,Cong GUO,Yongheng WANG,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Tuyere for bottom gas metal purging in ladle and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2373023C2. Автор: . Владелец: Завьялов Олег Александрович. Дата публикации: 2009-11-20.

Woven circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600037C2. Автор: Николай Владимирович Иванов. Владелец: Николай Владимирович Иванов. Дата публикации: 2016-10-20.

Transport vehicle heater and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2435335C1. Автор: Косиро ТАГУТИ. Владелец: Косиро ТАГУТИ. Дата публикации: 2011-11-27.

FREQUENCY CALIBRATION CIRCUIT FOR AUTOMATICALLY CALIBRATING FREQUENCY AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002764A1. Автор: Hsiao Fu-Yuan,Pan Ke-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ball valve with full opening and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2369795C2. Автор: Владимир Николаевич Бекетов,Сергей Анатольевич Перепелкин,Сергей Геннадиевич Куликов,Константин Валерьевич Лаптинский,Вячеслав Алексеевич Маклаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Актан". Дата публикации: 2009-10-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.