Stack of horizontally extending and vertically overlapping features, methods of forming circuitry components, and methods of forming an array of memory cells
Номер патента: US09564471B2
Опубликовано: 07-02-2017
Автор(ы): Krishna K. Parat, Roger W. Lindsay, Sanh D. Tang
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-02-2017
Автор(ы): Krishna K. Parat, Roger W. Lindsay, Sanh D. Tang
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Writing To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell
Номер патента: US20140104932A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.