Memory cells and methods of forming memory cells.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09496495B2
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Allen Mcteer, Durai Vishak Nirmal Ramaswamy, Martin Schubert, Scott E. Sills, SHU QIN, Yongjun Jeff Hu
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: US09917251B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Resistive memory cell having a single bottom electrode and two top electrodes

Номер патента: US09865814B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming resistive memory cell having a spacer region under an electrolyte region and a top electrode

Номер патента: US09865813B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Resistive Memory Cell with Sloped Bottom Electrode

Номер патента: US20150236257A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Resistive Memory Cell Having A Reduced Conductive Path Area

Номер патента: US20160190442A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Systems and methods for fabricating self-aligned resistive/magnetic memory cell

Номер патента: US09711714B2. Автор: Makoto Nagashima. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108512A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126870A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell with sloped bottom electrode

Номер патента: WO2015126906A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126861A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108514A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US20230422638A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory cell, integrated circuit, and manufacturing method of memory cell

Номер патента: US20240016072A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Cheng-Chun Chang,Xinyu Bao,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of forming non-volatile resistance variable devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry

Номер патента: US20060270099A1. Автор: John Moore,Kristy Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Memory cell constructions, and methods for fabricating memory cell constructions

Номер патента: US8921823B2. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor

Номер патента: US20130200330A1. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Memory cell, memory device, and method of fabricating memory device

Номер патента: TWI711197B. Автор: 郭仕奇,莫竣傑. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-11-21.

Semiconductor Constructions, Memory Cells, Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20140021431A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor constructions, memory cells, memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: CN104471703B. Автор: 法比欧·佩里兹,钦奇亚·佩罗内. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

Phase change memory cells and methods of forming phase change memory cells

Номер патента: US9136467B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Resistive memory cells and precursors thereof, methods of making the same, and devices including the same

Номер патента: US10897009B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Markus Kuhn,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee,Kaan OGUZ,Justin S. BROCKMAN,Huiying Liu,Ryan E Arch,Elijah V Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Non-volatile memory cell with enhanced filament formation characteristics

Номер патента: US20100032636A1. Автор: Yang Li,Insik Jin,Song S. Xue,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-02-11.

Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells array of nonvolatile memory cells

Номер патента: US8652909B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor device structures including ferroelectric memory cells

Номер патента: US09698343B2. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,D.V. Nirmal Ramaswamy,Beth R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming a chalcogenide memory cell having a horizontal electrode and a memory cell produced by the method

Номер патента: US20060281218A1. Автор: Yi Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: EP2805351A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-26.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: WO2013109920A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of forming a chalcogenide memory cell having a horizontal electrode and a memory cell produced by the method

Номер патента: TWI260743B. Автор: Yi-Chou Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-21.

Method of forming a chalcogenude memory cell having a horizontal electrode and a memory cell produced by the method

Номер патента: TW200532857A. Автор: Yi-Chou Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-01.

Method of forming a chalcogenide memory cell having a horizontal electrode and a memory cell produced by the method

Номер патента: US7112836B2. Автор: Yi Chou Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-26.

Methods of forming a ferroelectric memory cell and related semiconductor device structures

Номер патента: EP3044808A4. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Beth R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Methods of forming a ferroelectric memory cell and related semiconductor devices structures

Номер патента: TWI536625B. Автор: 謙陶,馬修Ｎ洛克萊,貝絲Ｒ曲克,ＤＶ尼爾摩拉瑪斯瓦米. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2016-06-01.

Method of manufacture of a PCRAM memory cell

Номер патента: US7550818B2. Автор: John T. Moore,Terry L. Gilton,Kristy A. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of manufacture of a PCRAM memory cell

Номер патента: US20060234425A1. Автор: John Moore,Terry Gilton,Kristy Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of manufacture of a PCRAM memory cell

Номер патента: US20040238918A1. Автор: John Moore,Terry Gilton,Kristy Campbell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells

Номер патента: US9034710B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal filament memory cells

Номер патента: US20200203604A1. Автор: Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Phase changeable memory cell array region and method of forming the same

Номер патента: US20070111440A1. Автор: Hideki Horii,Hyeong-Geun An,Sang-Yeol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Methods of forming non-volatile memory cells having multi-resistive state material between conductive electrodes

Номер патента: US8211743B2. Автор: John Smythe,Gurtej Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Resistive memory cells and precursors thereof, methods of making the same, and devices including the same

Номер патента: CN107004761B. Автор: R·皮拉里塞泰,R·S·周,H·刘,M·库恩,K·奥乌兹,B·S·多伊尔,N·慕克吉,U·沙阿,E·V·卡尔波夫,P·马吉,R·E·阿奇,J·S·布罗克曼. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells

Номер патента: US8431458B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

Array of cross point memory cells

Номер патента: WO2017019242A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US09349945B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of manufacturing a phase changeable memory cell having a buffer pattern in a data storage element and phase changeable memory manufactured thereby

Номер патента: KR20080056063A. Автор: 박상수,송윤종,유경창. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-20.

Memory cell, integrated circuit, and manufacturing method of memory cell

Номер патента: US11825753B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin,Da-Ching Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory cell, integrated circuit, and manufacturing method of memory cell

Номер патента: US20240016070A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin,Da-Ching Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20160307965A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180108708A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180323238A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20150333104A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09935154B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09419056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Non-volatile memory cell having single-layer gate, method of operating the same, and memory cell array using the same

Номер патента: KR102166525B1. Автор: 송현민. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-10-15.

Non-volatile memory cell having single-layer gate, method of operating the same, and memory cell array using the same

Номер патента: KR20150120816A. Автор: 송현민. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2015-10-28.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Memory cells, integrated devices, and methods of forming memory cells

Номер патента: US09570677B2. Автор: Ugo Russo,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Simone LAVIZZARI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods used in fabricating integrated circuitry and methods of forming 2T-1C memory cell arrays

Номер патента: US11968821B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of making semiconductor device with memory cells and peripheral transistors

Номер патента: US5352620A. Автор: Kenichi Kuroda,Kazuhiro Komori,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-10-04.

Integrated circuit, 1t-1c embedded memory cell containing same, and method of manufacturing 1t-1c memory cell for embedded memory application

Номер патента: WO2010074948A2. Автор: Gilbert Dewey,Brian S. Doyle,Satyarth Suri,Dinesh Somasekhar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of manufacturing semiconductor device having memory cell transistors

Номер патента: US20010051418A1. Автор: Kazutaka Otsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Capacitive memory structure, memory cell, electronic device, and methods thereof

Номер патента: WO2022083898A1. Автор: Tony SCHENK. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2022-04-28.

Capacitive memory structure, memory cell, electronic device, and methods thereof

Номер патента: US20240172451A1. Автор: Tony SCHENK. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Resistive switching memory having confined filament formation and methods thereof

Номер патента: US11997932B2. Автор: Wei Ti Lee,Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods for forming interconnections between top electrodes in memory cells by a two-step chemical-mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US09443763B2. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Structure and formation method of integrated circuit structure

Номер патента: US10134807B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Magnetic memory cells, semiconductor devices, and methods of formation

Номер патента: US10355044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing mask read-only memory cell

Номер патента: US20010013599A1. Автор: Ming-Jing Ho,Le-Tein Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Non-volatile memory cell and method of manufacturing a non-volatile memory cell

Номер патента: US7052962B1. Автор: Michael L. Lovejoy. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Memory cell with trench, and method for production thereof

Номер патента: US20010030337A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-18.

Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells

Номер патента: EP2973573A1. Автор: Marco Riva,Augusto Benvenuti,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells

Номер патента: WO2014149569A1. Автор: Marco Riva,Augusto Benvenuti,Luca Laurin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of making a non-volatile memory cell

Номер патента: US5633185A. Автор: Ling Chen,Tien-Ler Lin,Fuchia Shone,Tom Dang-Hsing Yiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-27.

Methods of writing and forming memory device

Номер патента: US20240215262A1. Автор: Chien-Min Lee,Xinyu Bao,Shy-Jay Lin,Tung-Ying Lee,Yen-Lin Huang,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Superconductive Memory Cells and Devices

Номер патента: US20240249770A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory cells, integrated devices, and methods of forming memory cells

Номер патента: WO2013074353A1. Автор: Ugo Russo,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Simone LAVIZZARI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

Memory cells, integrated devices, and methods of forming memory cells

Номер патента: KR101522152B1. Автор: 아고스티노 피로바노,안드레아 리델리,우고 루쏘,시모네 라비짜리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2015-05-20.

Phase-change memory cell and method of fabricating the phase-change memory cell

Номер патента: US20090072214A1. Автор: Simone Raoux,Jonathan Zanhung Sun,Hemantha Wickramasinghe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor memory in crosspoint architecture, includes chalcogenide glass forming memory cell with pn junction to bit line and electrode forming memory cell with word line

Номер патента: DE102004020575B3. Автор: Thomas Dr. Happ,Ralf Dr. Symanczyk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-25.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fbrication

Номер патента: TWI619278B. Автор: 高提傑Ｓ珊得胡,蘇密特Ｃ潘迪. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2018-03-21.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210135102A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fu-Ting Sung,Hsing-Lien Lin,Ching Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of forming multi-level cell of semiconductor memory

Номер патента: US8187918B2. Автор: Dong-ho Ahn,Gyu-Hwan OH,Soon-Oh Park,Young-Lim Park,Hyeung-Geun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Stagger memory cell array

Номер патента: US20070272985A1. Автор: Yeou-Lang Hsieh,Ching-Kun Huang,Jeng-Dong Sheu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264536A1. Автор: Hideto Takekida,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Device including memory array and method thereof

Номер патента: US20110260232A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao,Mark Michael Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Memory cell of charge-trapping non-volatile memory

Номер патента: US20230240075A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Use of a polymer spacer and si trench in a bitline junction of a flash memory cell to improve tpd characteristics

Номер патента: US20090042378A1. Автор: Calvin Gabriel,Ning Cheng,Lei Xue,Huaqiang Wu,Hiro Kinoshita,Angela Hui,Harpreet Kaur Sachar,Phillip Lawrence Jones,K.T. Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-12.

Memory cells, integrated devices, and methods of forming memory cells

Номер патента: US9299930B2. Автор: Ugo Russo,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Simone LAVIZZARI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Two transistor memory cells with source-drain coupling in one transistor

Номер патента: US20230413547A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9018076B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110101434A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8379428B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130137239A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070187743A1. Автор: Fumitaka Arai,Hisataka Meguro,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor memory having an arrangement of memory cells

Номер патента: US20040135190A1. Автор: Dirk Fuhrmann,Reidar Lindstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-15.

Dual OTS memory cell selection means and method

Номер патента: US09837471B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD,Mac D. Apodaca. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240074205A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20220406803A1. Автор: Ayumu OZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

A semiconductor device having embedded flash memory cells on an SOI substrate, methods of manufacturing the same, and methods of operating a flash memory cell array

Номер патента: DE102006040281B4. Автор: Danny N.Y. Pak-Chum Shum,Armin N.Y. Tilke,Jiang N.Y. Yan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-08-25.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039416A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20230269927A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20240121938A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory cell capacitor structure and method of forming the same

Номер патента: JP2722061B2. Автор: セオンジェオン−ミン,キムフワン−ミェオン. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1998-03-04.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US10665599B2. Автор: Charles H. Dennison,Gordon A. Haller,Hongbin Zhu,Brett D. Lowe,Lining He,Anish A. Khandekar,Brian Cleereman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Stacked capacitor and method for producing stacked capacitors for dynamic memory cells

Номер патента: TW200715483A. Автор: Stefan Jakschik,Peter Moll,Odo Wunnicke,Stephan P Kudelka. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-16.

Memory cell, memory array and method for defining active area of memory cell

Номер патента: US11610899B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Manufacturing method of the dynamic random access memory cell capacitor

Номер патента: TW395054B. Автор: Soon-Kyou Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of fabricating a split gate memory cell

Номер патента: TW459290B. Автор: Ranbir Singh,Patrick J Kelley,Wai Leung Chung. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of forming non-volatile memory cell

Номер патента: CN101246857B. Автор: 陈光钊,叶金瓒,罗智贤,苏金达. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-17.

Method of forming non-volatile memory cell

Номер патента: TW200834824A. Автор: Chin-Tsan Yeh,Chih-Hsien Lo,Chin-Ta Su,Kuang-Chao Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-16.

Dual ots memory cell selection means and method

Номер патента: US20170301732A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD,Mac D. Apodaca. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-10-19.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

The manufacture method of a kind of EEPROM memory cell

Номер патента: CN103579119B. Автор: 徐丹,隋建国,左燕丽. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-06-08.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09899413B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09634025B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Memory cell array structures and methods of forming the same

Номер патента: US09773844B2. Автор: Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Gabriel L. Donadio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US12114500B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,John D. Hopkins,Meng-Wei Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US09443590B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: US9496369B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: US09570592B2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device including memory cell including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276741A1. Автор: Bo Min Park,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20190354653A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of manufacturing a non-volatile memory cell and array having a trapping charge layer in a trench

Номер патента: US09882033B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US20220262420A1. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic memory cells, semiconductor devices, and methods of operation

Номер патента: US09768376B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230394214A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Methods of depositing silicon dioxide comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US7053010B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Weimin Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistors, Memory Arrays, And Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Transistor

Номер патента: US20210335793A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

Номер патента: WO2021216249A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning

Номер патента: WO2011056534A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Yoichiro Tanaka,Christopher J. Petti. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160104532A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160351261A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: EP3248220A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: EP3304596A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With 5 Volt Logic Devices

Номер патента: US20160359024A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: WO2016200623A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-12-15.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinner Tunnel Oxide

Номер патента: US20220013531A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of forming split gate memory cells with thinner tunnel oxide

Номер патента: EP4179570A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of forming split gate memory cells with thinner tunnel oxide

Номер патента: WO2022010546A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

Integrated circuit with switching unit for memory cell coupling, and method for producing an integrated circuit for memory cell coupling

Номер патента: US7791940B2. Автор: Andreas Taeuber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-09-07.

Integrated Circuit with Switching Unit for Memory Cell Coupling, and Method for Producing an Integrated Circuit for Memory Cell Coupling

Номер патента: US20090091976A1. Автор: Andreas Taeuber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-04-09.

Vertical 1t ferroelectric memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2019152087A1. Автор: Christopher J. Petti,Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-08.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US20220037587A1. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Semiconductor device containing memory cells with a fuse in static random memory cell (SRAM) device and method of manufacturing same

Номер патента: US9905512B2. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US11996130B2. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US10783961B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Silicon nanotube, field effect transistor-based memory cell, memory array and method of production

Номер патента: US20210091235A1. Автор: Muhammad Mustafa Hussain,Nazek Mohamad EL-ATAB. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of making a floating gate memory cell

Номер патента: US4735919A. Автор: Lorenzo Faraone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-04-05.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

3d cell and array structures

Номер патента: WO2024167698A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

3d cell and array structures

Номер патента: US20240274193A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Memory circuit and method of generating the same

Номер патента: US20050128818A1. Автор: Hironori Akamatsu,Yutaka Terada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Memory circuits, systems, and methods for routing the memory circuits

Номер патента: US20110019458A1. Автор: Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee,Jui-che Tsai,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of making high density semiconductor memory

Номер патента: US6455367B2. Автор: James E. Green,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-24.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming non-volatile memory cell using spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: US20070114592A1. Автор: Krishna Parat,Steven Soss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of thinning for EEPROM tunneling oxide device

Номер патента: US5439838A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240074156A1. Автор: WEI Liu,Zichen LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming a chalcogenide memory cell having an ultrasmall cross-sectional area and a chalcogenide memory cell produced by the method

Номер патента: US7279380B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-09.

3d cells and array structures

Номер патента: US20240147688A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of making static random access memory cell having a trench field plate for increased capacitance

Номер патента: US5879980A. Автор: Raymond T. Lee,Asim A. Selcuk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

3d cells and array architectures

Номер патента: WO2024097722A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-05-10.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: WO2024039417A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Semiconductor structure, and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240040777A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory array and method for forming a memory array including memory cell strings

Номер патента: CN112786611A. Автор: 徐丽芳,J·D·霍普金斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory array and method for forming a memory array including memory cell strings

Номер патента: CN112436012A. Автор: A·李,张晓松,L·威廉森,胡怡,W·Y·吴,M·J·金,Y·K·朴,王宜平,D·比林斯利,C·蒂瓦里,R·M·阿卜杜勒拉哈曼,N·比利克,柏振宇,J·M·卡什,D·诺伊迈耶. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Method of erasing a block of memory cells

Номер патента: US7791955B2. Автор: Venkatraman Prabhakar,Nirmal Ratnakumar,David Kuan-Yu Liu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US12009019B2. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230371261A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US12137566B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220392521A1. Автор: Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Inverted variable resistance memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2009008931A2. Автор: William Stanton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Vertical memory cell and conductive shield structure

Номер патента: WO2023076261A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of separating bonded substrate, method of manufacturing semiconductor storage device, and substrate separation apparatus

Номер патента: US20200294963A1. Автор: Eiichi Soda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Data processing device and method for operating data processing device

Номер патента: US11776596B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory peripheral circuit having three-dimensional transistors and method for forming the same

Номер патента: US12063784B2. Автор: LIANG Chen,Wu Tian,WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun,Lei Xue,Wenshan Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Storage device using wafer-to-wafer bonding and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125534B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1962332A3. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190333927A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210082942A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180358373A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Circuit for enhancing robustness of sub-threshold SRAM memory cell

Номер патента: US9236115B2. Автор: Yue Feng,Yuan Chen,Jun Yang,Hong Chang,Fei Pan,Xinning Liu,Na Bai,Longxing Shi,Jiafeng Zhu,Cai Gong,Yifeng Deng,Yingcheng Xia. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780104B2. Автор: Hisashi Kato,Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Selective removal of charge-trapping layer for select gate transistor and dummy memory cells in 3D stacked memory

Номер патента: US09490262B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US11830544B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US10529415B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor memory device in which an array chip including three-dimensionally disposed memory cells bonded to a control circuit chip

Номер патента: US10090315B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359006A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-10.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11810616B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: TW200737427A. Автор: Krishna Parat,Steven R Soss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-10-01.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: TWI319613B. Автор: Krishna Parat,Steven R Soss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-01-11.

Memory cell

Номер патента: WO2023111606A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Vincenzo DELLA MARCA,Antonino Conte,Nadia Miridi,Franck Melul. Владелец: Université D'aix Marseille. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: WO2021141616A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US09634105B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory cell support lattice

Номер патента: US20140054745A1. Автор: Brett Busch,Che-Chi Lee,Zhimin Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory cell support lattice

Номер патента: US20160043089A1. Автор: Brett Busch,Che-Chi Lee,Zhimin Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US11763857B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US11152074B2. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-19.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210050052A1. Автор: Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Methods Of Forming A Vertical Transistor, Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Forming Arrays Of Memory Cells

Номер патента: US20140073100A1. Автор: Surthi Shyam,Karda Kamal M.,Mathew Suraj J.,Guha Jaydip,Tsai Hung-Ming. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20240233797A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: WO2020139846A8. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-volatile memory (nvm) cell and a method of making

Номер патента: US20150179816A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Jacob T. Williams,David G. Kolar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-25.

Non-volatile memory (NVM) cell and a method of making

Номер патента: US9397201B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Jacob T. Williams,David G. Kolar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230363148A1. Автор: Tsuyoshi Tomoyama,Yuki Munetaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09735200B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Single poly nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US09659951B1. Автор: Jeong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09425390B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Vertical memory cell

Номер патента: WO2013016102A3. Автор: Kurt D. Beigel,Sahn D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Self-Aligned Method Of Forming A Semiconductor Memory Array Of Floating Gate Memory Cells With Single Poly Layer

Номер патента: US20140094011A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Flash memory cell

Номер патента: US11758720B2. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: WO2014051856A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods Of Forming A Nonvolatile Memory Cell And Methods Of Forming An Array Of Nonvolatile Memory Cells

Номер патента: US20140120686A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Sills Scott E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US7276752B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Writing To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20140104932A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and reading from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: US8634224B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: TWI490860B. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: SG188200A1. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220036932A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor memories and methods for manufacturing same

Номер патента: US10381078B2. Автор: Chanho Kim,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Dong-Kil Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor memories and methods for manufacturing same

Номер патента: US20190130974A1. Автор: Chanho Kim,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Dong-Kil Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods of forming a memory structure

Номер патента: US20190165263A1. Автор: James A. Cultra,Andrew J. Hansen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Resistive memory devices and methods of operating resistive memory devices

Номер патента: US20210020236A1. Автор: Jinyoung Kim,Jongmin Baek,Junho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210159231A1. Автор: Minsu Lee,Kiseok LEE,Minhee Cho,Woobin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Single poly nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US09935117B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Redaelli Andrea,Servalli Giorgio,Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Redaelli Andrea,Servalli Giorgio,Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20150325627A1. Автор: Redaelli Andrea,Servalli Giorgio,Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170338411A1. Автор: Redaelli Andrea,Servalli Giorgio,Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-11-23.

Bi-directional read/program non-volatile floating gate memory cell and array thereof, and method of formation

Номер патента: US7151021B2. Автор: Bomy Chen,Dana Lee,Jack Frayer. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-19.

Apparatus and methods for programming memory cells

Номер патента: US20230410910A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190279985A1. Автор: Pierre C. Fazan. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Memory cell, pixel structure and fabrication process of memory cell

Номер патента: US20070099376A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-05-03.

Memory cell located pulse generator

Номер патента: US10127979B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD,Mac D. Apodaca. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

System and method for read speed improvement in 3t dram

Номер патента: US20220139440A1. Автор: Yih Wang,Yi-Hsun CHIU,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory device, semiconductor device, and electronic device each including redundant memory cell

Номер патента: US11823733B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Fabrication process of memory cell

Номер патента: US20080108195A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-05-08.

Integrated Circuitry Comprising Nonvolatile memory Cells And Methods Of Forming A Nonvolatile Memory Cell

Номер патента: US20120097913A1. Автор: Jun Liu,John K. Zahurak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Integrated Circuitry Comprising Nonvolatile Memory Cells And Methods Of Forming A Nonvolatile Memory Cell

Номер патента: US20140057406A1. Автор: Liu Jun,Zahurak John K.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor Constructions, Memory Cells, Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20150001461A1. Автор: Pellizzer Fabio,Perrone Cinzia. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Integrated Circuitry Comprising Nonvolatile Memory Cells And Methods Of Forming A Nonvolatile Memory Cell

Номер патента: US20150054067A1. Автор: Liu Jun,Zahurak John K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Integrated Circuitry Comprising Nonvolatile Memory Cells And Methods Of Forming A Nonvolatile Memory Cell

Номер патента: US20160133835A1. Автор: Jun Liu,John K. Zahurak. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-12.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Van Gerpen Damon E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells and methods of forming a nonvolatile memory cell

Номер патента: US8883604B2. Автор: Jun Liu,John K. Zahurak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells and methods of forming a nonvolatile memory cell

Номер патента: CN103180950A. Автор: 刘峻,约翰·K·查胡瑞. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-26.

Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells and methods of forming a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2012054155A2. Автор: Jun Liu,John K. Zahurak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells and methods of forming a nonvolatile memory cell

Номер патента: US9705078B2. Автор: Jun Liu,John K. Zahurak. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cell arrangement

Номер патента: US20210091097A1. Автор: Menno Mennenga. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20130208532A1. Автор: Meade Roy E. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20150085565A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20180082730A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20190311760A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-10.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20160358641A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-12-08.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US8902639B2. Автор: Roy E Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US9830970B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10360967B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US9419215B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods of making random access memory devices, transistors, and memory cells

Номер патента: US8470666B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: TW201203243A. Автор: Roy E Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-16.

Neural network circuit comprising nonvolatile memory cells and reference-current cells

Номер патента: US11942163B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US11910591B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

One transistor and one ferroelectric capacitor memory cells in diagonal arrangements

Номер патента: US20200091162A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20210125990A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20220045065A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230343404A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Gu-Huan Li,Chun-Ying LEE LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240155827A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US12002528B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory Cells, Integrated Devices, and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20140206171A1. Автор: Pirovano Agostino,Russo Ugo,Redaelli Andrea,Lavizzari Simone. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory Cells, Integrated Devices, and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20160172587A1. Автор: Pirovano Agostino,Russo Ugo,Redaelli Andrea,Lavizzari Simone. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20140038367A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20130003452A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method and structure for integrating capacitor-less memory cell with logic

Номер патента: WO2010080277A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Memory cell, memory array, method of forming and operating memory cell

Номер патента: US20190334080A1. Автор: Fei Li,Sunny Yan Hwee LUA,Karim Ali Abdeltawwab Ahmed. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-31.

SRAM structure and method

Номер патента: US11749340B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: KIM Changhan. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device capable of concurrently transferring data over read paths and write paths to a memory cell array

Номер патента: US5657273A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Takao Watanabe,Kazushige Ayukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US11839090B2. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

A charge storage cell and method of manufacturing a charge storage cell

Номер патента: EP4250361A2. Автор: Laurence Stark. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

A charge storage cell and method of manufacturing a charge storage cell

Номер патента: EP4250361A3. Автор: Laurence Stark. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US11980041B2. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20200295084A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20200295085A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20200127053A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20210296401A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods of Forming Vertically-Stacked Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20140162418A1. Автор: Simsek-Ege Fatma Arzum,Keshav Saurabh,Pook Scott. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

MEMORY DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS OF FORMING ARRAYS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20180190717A1. Автор: SUGIOKA Shigeru. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160104532A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

MEMORY CELL, MEMORY DEVICE, AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210104659A1. Автор: YU Jun,FUKUZAWA Hideaki,WANG Xinpeng,Han Michael,Bliznetsov Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

VERTICAL 1T-1R MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150131360A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

VERTICAL 1T FERROELECTRIC MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190237470A1. Автор: Petti Christopher J.,Mine Teruyuki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160351261A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20170069501A1. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US9831087B2. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: US20230043349A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US11942136B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20200211615A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-02.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: US20210210497A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Methods of Fabricating Integrated Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20150140753A1. Автор: Wilson Aaron R.,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-05-21.

Methods of Fabricating Integrated Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20140273462A1. Автор: Wilson Aaron R.,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Charge-trap memory cell, method of fabricating a charge-trap memory cell, and system having a charge-trap memory cell

Номер патента: KR101612453B1. Автор: 니르말 라마스와미,구르테지 에스. 산두. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2016-04-14.

Methods of fabricating integrated structures, and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US9305938B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Aaron R. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

One transistor SOI non-volatile random access memory cell

Номер патента: US20050250261A1. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Methods of Fabricating Integrated Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20150348991A1. Автор: Wilson Aaron R.,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220149845A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200313675A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20240063798A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20210234544A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200186150A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Fin field effect transistor memory cell, fin field effect transistor memory cell array, and method for manufacturing fin field effect transistor memory cell

Номер патента: JP2006511089A. Автор: ドレースコーンフェルト，ラース,ハートヴィッヒ，ジェシカ,ホフマン，フランツ,クレッツ，ヨハネス,シュペヒト，ミヒャエル. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-30.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

VERTICAL TRANSISTOR, MEMORY CELL, DEVICE, SYSTEM AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Forbes Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170012053A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20220035981A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

MEMORY CELL ARRAY STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150029775A1. Автор: Sciarrillo Samuele,Ravasio Marcello,Somaschini Roberto,Donadio Gabriel L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190081071A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-14.

MEMORY CELL ARRAY STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160104748A1. Автор: Sciarrillo Samuele,Ravasio Marcello,Somaschini Roberto,Donadio Gabriel L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20180166464A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170200737A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20170229470A1. Автор: ZHU Hongbin,Khandekar Anish A.,Dennison Charles H.,Haller Gordon A.,Lowe Brett D.,Cleereman Brian,He Lining. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190229126A1. Автор: ZHU Hongbin,Khandekar Anish A.,Dennison Charles H.,Haller Gordon A.,Lowe Brett D.,Cleereman Brian,He Lining. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20200258910A1. Автор: Hopkins John D.,Simsek-Ege Fatma Arzum,Kuo Meng-Wei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-13.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20160284719A1. Автор: ZHU Hongbin,Khandekar Anish A.,Dennison Charles H.,Haller Gordon A.,Lowe Brett D.,Cleereman Brian,He Lining. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20160293623A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,John D. Hopkins,Meng-Wei Kuo. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-10-06.

MEMORY CELL ARRAY CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190354653A1. Автор: WENG Chi-Hsiang,CHIH Yu-Der. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells

Номер патента: US20190355745A1. Автор: Sun Jie,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Phase changeable memory cell array region and methods of forming the same

Номер патента: KR100675289B1. Автор: 안형근,히데끼 호리이,강상열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US10153298B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Fabrication process of memory cell

Номер патента: US7445972B2. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-04.

The non-volatile memory device with NAND cell structure includes plural memory cell serials, BLs & selective transistors at 1st & 2nd memory cell serials are separately serial with BL contact & 2 ends of memory cell.

Номер патента: TW333695B. Автор: Jung-Dal Choi,Dong-Jun Kim,Jong-Han Kim,Wang-Chul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-11.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20190006420A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3852144A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-21.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20170358627A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Process of forming a semiconductor memory cell with continuous polysilicon run circuit elements

Номер патента: US4214917A. Автор: Kenneth L. Clark,George S. Leach,Robert W. Howard. Владелец: Emm Semi Inc. Дата публикации: 1980-07-29.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20160329377A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

METHODS OF FORMING A FERROELECTRIC MEMORY CELL AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20150076437A1. Автор: Rocklein Matthew N.,TAO Qian,Cook Beth R.,Ramaswamy D. V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Memory cell, memory device, and operation method of memory cell

Номер патента: US20200083236A1. Автор: Jian Shen,Wenxuan WANG,Yunning LI. Владелец: Shenzhen Weitongbo Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140284683A1. Автор: Sachiyo Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Manufacturing method of a dynamic random access memory cell

Номер патента: KR20000018661A. Автор: Jeong Su Park,Hyeon Jo Yang. Владелец: Hyundai Micro Electronics Co. Дата публикации: 2000-04-06.

METHOD FOR FORMING NON-VOLATILE MEMORY CELL, NON-VOLATILE MEMORY CELL FORMED ACCORDING TO SAID METHOD AND MICROELECTRONIC DEVICE COMPRISING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: US20180277760A1. Автор: WACQUEZ Romain,COIGNUS Jean,KRAKOVINSKY Alexis,BOCQUET Marc,DELLA MARCA Vincenzo,PORTAL Jean-Michel. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD FOR FORMING A NON-VOLATILE MEMORY CELL, NON-VOLATILE MEMORY CELL FORMED ACCORDING TO THIS METHOD AND MICROELECTRONIC DEVICE COMPRISING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: FR3064395A1. Автор: Romain Wacquez,Jean Coignus,Jean-Michel PORTAL,Alexis KRAKOVINSKY,Marc BOCQUET,Vincenzo DELLA MARCA. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2018-09-28.

PROCESS FOR FORMING A NON-VOLATILE MEMORY CELL, NON-VOLATILE MEMORY CELL SHAPED ACCORDING TO THIS PROCESS AND MICROELECTRONIC DEVICE INCLUDING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: FR3064395B1. Автор: Romain Wacquez,Jean Coignus,Jean-Michel PORTAL,Alexis KRAKOVINSKY,Marc BOCQUET,Marca Vincenzo Della. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2021-12-10.

Method of Forming Split Gate Memory Cells

Номер патента: US20210005725A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,XING LEO,Diao Melvin,Liu Guo Yong. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Method Of Forming Split-Gate Memory Cell Array Along With Low And High Voltage Logic Devices

Номер патента: US20160218195A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Kim Jinho,Do Nhan,Tkachev Yuri,Villard Bruno,Decobert Catherine,GHAZAVI PARVIZ,Festes Gilles,Cuevas Elizabeth,Bertello Bernard,Thiery Jean Francois. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With 5 Volt Logic Devices

Номер патента: US20160359024A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of forming non-volatile memory cell

Номер патента: US7763517B2. Автор: Chin-Tsan Yeh,Chih-Hsien Lo,Chin-Ta Su,Kuang-Chao Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of forming split gate memory cell

Номер патента: CN112185970A. Автор: 邢精成,N.杜,X.刘,C.王,刁颖,G.Y.刘. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: US11018147B1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Method of forming split gate memory cells using thin side edge tunnel oxide

Номер патента: CN116058093A. Автор: N·多,金珍浩,P·加扎维,E·奎瓦斯,Y·卡其夫,B·贝尔泰洛,G·费斯特斯,B·维拉德,C·德科贝尔特,J·F·蒂耶里. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-02.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: EP3304596B1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-06.

Method of forming split gate memory cells

Номер патента: EP3970188B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning

Номер патента: TW201126572A. Автор: Yoichiro Tanaka,Roy E Scheuerlein,Christopher J Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-01.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4179570B1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY CELL, NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY DEVICE, MONITORING METHOD, AND NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20220037587A1. Автор: KAKINUMA Yuji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-02-03.

SILICON NANOTUBE, FIELD EFFECT TRANSISTOR-BASED MEMORY CELL, MEMORY ARRAY AND METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20210091235A1. Автор: HUSSAIN Muhammad Mustafa,EL-ATAB Nazek Mohamad. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

METHODS OF FORMING A FERROELECTRIC MEMORY CELL

Номер патента: US20170186757A1. Автор: Ramaswamy D.V. Nirmal,Rocklein Matthew N.,TAO Qian,Cook Beth R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING SINGLE-LAYER GATE, METHOD OF OPERATING THE SAME, AND MEMORY CELL ARRAY THEREOF

Номер патента: US20150303203A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

SWITCH AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND RESISTIVE MEMORY CELL AND ELECTRONIC DEVICE, INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190319070A1. Автор: Kim Soo Gil,KIM Beom Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Switch and method for fabricating the same, and resistive memory cell and electronic device, including the same

Номер патента: US20170365640A1. Автор: Beom Yong KIM,Soo Gil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods of fabricating memory devices with memory cell transistors having gate sidewall spacers with different dielectric properties

Номер патента: US20070122970A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Sung-Bong Kim. Владелец: Sung-Bong Kim. Дата публикации: 2007-05-31.

Memory device and method for simultaneously programming and/or reading memory cells on different levels

Номер патента: US20050063220A1. Автор: Mark JOHNSON. Владелец: Johnson Mark G.. Дата публикации: 2005-03-24.

Switch and method for fabricating the same, and resistive memory cell and electronic device, including the same

Номер патента: US20170365640A1. Автор: Beom Yong KIM,Soo Gil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

CAPACITOR-LESS MEMORY CELL, DEVICE, SYSTEM AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20130252390A1. Автор: Gonzalez Fernando,Mouli Chandra V.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

RESISTIVE MEMORY CELLS AND PRECURSORS THEREOF, METHODS OF MAKING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180062077A1. Автор: Kuhn Markus,Mukherjee Niloy,Pillarisetty Ravi,Majhi Prashant,Shah Uday,LIU Huiying,Oguz Kaan,BROCKMAN Justin S.,ARCH RYAN E,KARPOV ELIJAH V. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-03-01.

MEMORY CELLS, SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20160111632A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Pandey Sumeet C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

CAPACITOR-LESS MEMORY CELL, DEVICE, SYSTEM AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140219017A1. Автор: Gonzalez Fernando,Mouli Chandra V.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

ANTI-FUSE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELLS, ARRAYS THEREOF, AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170186756A1. Автор: Choi Kwang Il. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

SINGLE POLY NONVOLATILE MEMORY CELLS, ARRAYS THEREOF, AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170229471A1. Автор: Kim Nam Yoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

MAGNETIC MEMORY CELLS, SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF FORMATION

Номер патента: US20160268337A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Pandey Sumeet C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

MAGNETIC MEMORY CELLS, SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20160351793A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Kula Witold. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

RESISTIVE MEMORY CELLS AND PRECURSORS THEREOF, METHODS OF MAKING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190348604A1. Автор: Kuhn Markus,Mukherjee Niloy,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Majhi Prashant,Shah Uday,LIU Huiying,Oguz Kaan,Doyle Brian S.,BROCKMAN Justin S.,ARCH RYAN E,KARPOV ELIJAH V. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-11-14.

Phase changeable memory cells having voids and methods of fabricating the same

Номер патента: KR100437457B1. Автор: 주재현,호리이. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-06-23.

Anti-fuse type nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US9941289B2. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory cell access devices and methods of making the same

Номер патента: US20070262395A1. Автор: Casey Smith,Kunal Parekh,Jasper Gibbons,Darren Young. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Capacitor-less volatile memory cell, device, system and method of making same

Номер патента: TWI371850B. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra V Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Method Of Manufacturing A Non-volatile Memory Cell And Array Having A Trapping Charge Layer In A Trench

Номер патента: US20170148902A1. Автор: Do Nhan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Solar cell and a manufacturing method therefor

Номер патента: US12148846B2. Автор: Hua Li,Hongchao Zhang,Jiyu Liu,Hongbo TONG. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: YANG Guangjun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Photovoltaic cell and preparation method therefor

Номер патента: US20220384665A1. Автор: CHEN ZHU,Jun Lu,Jianbo Wang,Yunlai Yuan. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING SELF-ALIGNED RESISTIVE/MAGNETIC MEMORY CELL

Номер патента: US20130224888A1. Автор: Nagashima Makoto. Владелец: 4D-S PTY, LTD. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of making a split gate memory cell

Номер патента: US20160126327A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Sung-taeg Kang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-05.

Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells

Номер патента: US20140269046A1. Автор: Marco Riva,Augusto Benvenuti,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING SELF-ALIGNED RESISTIVE/MAGNETIC MEMORY CELL

Номер патента: US20170244025A1. Автор: Nagashima Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

DUAL OTS MEMORY CELL SELECTION MEANS AND METHOD

Номер патента: US20170301732A1. Автор: Shepard Daniel Robert,APODACA Mac D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Method of fabricating a split gate memory cell

Номер патента: US6168995B1. Автор: Ranbir Singh,Patrick J. Kelley,Chung Wai Leung. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-02.

Method of manufacturing a code address memory cell

Номер патента: KR100426481B1. Автор: 조민국,김점수,정성문,이영복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-13.

System and method for processing an organic memory cell

Номер патента: WO2007050270A3. Автор: Minh Van Ngo,Igor Sokolik,Nicholas H Tripsas,Suzette K Pangrle,Nicolay F Yudanov,Richard P Kingborough,William G Leonard. Владелец: William G Leonard. Дата публикации: 2007-10-18.

System and method for processing an organic memory cell

Номер патента: WO2007050270A2. Автор: Suzette K. Pangrle,Minh Van Ngo,Nicholas H. Tripsas,Igor Sokolik,Richard P. Kingborough,William G. Leonard,Nicolay F. Yudanov. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-03.

Lid for a memory cell, memory cell and method for manufacturing a lid for a memory cell

Номер патента: DE102015215245B4. Автор: Tobias Zeilinger,Matthias Tschech. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Memory module of an electrical memory and method for determining the cell voltages of memory cells of a memory module

Номер патента: DE102009000722B4. Автор: Andre Boehm. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-Volatile Memory Cell with Precessional Switching

Номер патента: US20100195380A1. Автор: WEI Tian,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Dimitar Dimitrov,Brian Seungwhan Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-08-05.

Fuel cell separator and method for manufacturing same

Номер патента: US20230395821A1. Автор: Seung Gyun Ahn,Chang Hyun Shin,Soo Jin Chung,Se Heon KIM,Soon Tae PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-07.

Fuel cell separator and method for manufacturing same

Номер патента: EP4220784A1. Автор: Seung Gyun Ahn,Chang Hyun Shin,Soo Jin Chung,Se Heon KIM,Soon Tae PARK. Владелец: DONGWOO HST Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Composite Pole Piece, Battery Cell and Preparation Method of Composite Pole Piece

Номер патента: US20240030412A1. Автор: LEI Wei,Zhou Xu,Rui Wang,Jicheng Chen,Hongjiang YU. Владелец: Jiangsu Zenergy Battery Technologies Co ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Composite cathode frame assembly, battery cell and assembly method of battery cell

Номер патента: AU2024200733A1. Автор: Ling Fang,Feng Guo,Yanhong Li,Wen Huang,Xinrui Zhang,Yinglai WANG,Jiayuan XIANG,Liukou XU,Qinxu JIANG,Xiangdang CHEN,Shuting WEN,Huayan CAO. Владелец: Zhejiang Narada Power Source Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Composite cathode frame assembly, battery core and assembly method of the battery core

Номер патента: US20240274983A1. Автор: Ling Fang,Feng Guo,Yanhong Li,Wen Huang,Xinrui Zhang,Yinglai WANG,Jiayuan XIANG,Liukou XU,Qinxu JIANG,Xiangdang CHEN,Shuting WEN,Huayan CAO. Владелец: Zhejiang Narada Power Source Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of compressing fuel cell electrodes, resultant fuel cell, and a housing for the fuel cell which utilizes electrolyte reservoirs

Номер патента: US09453834B2. Автор: Joe FODOR,Karl R. Wolf, JR.. Владелец: Alcotek Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Fuel cell system and control method of fuel cell system

Номер патента: US09413021B2. Автор: Koichiro Miyata,Akiji ANDO,Osamu Ohgami. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210134359A1. Автор: Ji Hyun Seo,Jong Kyung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor storage device having first and second memory strings formed on opposite sides of the same pillar and method of performing a read operation therein

Номер патента: US11715527B2. Автор: Takashi Maeda,Takayuki Miyazaki,Kazutaka IKEGAMI,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Apparatus and methods for programming memory cells

Номер патента: US11908524B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Programmable Array logic Circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: US20030222675A1. Автор: Richard Lienau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

A programmable array logic circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: WO2001054133A9. Автор: Richard M Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Programmable logic device with partially configurable memory cells and a method for configuration

Номер патента: US5781756A. Автор: Lawrence C. Hung. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11894066B2. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device configured to generate read current based on size of memory cell and value of read current actually applied to memory cell

Номер патента: US20240062795A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile configuration cells and cell arrays

Номер патента: US6052309A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: WO2021167638A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: EP4049279A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Appratus and methods for determination of capacitive and resistive characteristics of access lines

Номер патента: US20210199703A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Determination of a bias voltage to apply to one or more memory cells in a neural network

Номер патента: US20240062813A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Classification of error rate of data retrieved from memory cells

Номер патента: US12009034B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Differential subthreshold read of memory cell pair in a memory device

Номер патента: US20230377646A1. Автор: Umberto Di Vincenzo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: WO2023014413A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Erasable programmable single-poly non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11818887B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: EP4381505A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US20210166736A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US11735234B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory cells counts incrementing method, involves adding constant to memory contents of memory cells, which corresponds to memory cells following directly memory cells at end of sequence of incremented memory cells

Номер патента: DE102007001043A1. Автор: Kurt Dr. Schmidt. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-04-30.

Josephson memory cells having improved ndro sensing

Номер патента: CA1101546A. Автор: Walter H. Henkels. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-19.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230269926A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Select device for memory cell applications

Номер патента: EP3207575A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

Select device for memory cell applications

Номер патента: WO2016060973A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Memory cell, memory device and manufacturing method of memory cell

Номер патента: KR100728586B1. Автор: 모리모토히데노리. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of Manufacturing a Resistivity Changing Memory Cell, Resistivity Changing Memory Cell, Integrated Circuit, and Memory Module

Номер патента: US20100032642A1. Автор: Rainer Leuschner,Chanro Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths

Номер патента: US8685785B2. Автор: Michele M. Franceschini,John P. Karidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Memory cell, semiconductor device and method of operating random access memory

Номер патента: CN111128266A. Автор: 张晓强,兰迪·奥斯本. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Memory cell, memory device and method for forming memory device

Номер патента: TWI791158B. Автор: 蔡正原,海光金,江法伸,吳啟明,蔡子中. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-01.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: US20090055700A1. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Apparatus with memory cell calibration mechanism and methods for operating the same

Номер патента: US20240329867A1. Автор: Lei Zhang,Steve Kientz,Yee Yang Tay,Edric Goh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus with memory cell calibration mechanism and methods for operating the same

Номер патента: WO2024205860A2. Автор: Lei Zhang,Yee Yang Tay,Edric Goh,Steve KEINTZ. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230253041A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20220359010A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US09779791B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuits and methods for limiting current in random access memory cells

Номер патента: US09620209B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yi-Chun Shih,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuits and methods for limiting current in random access memory cells

Номер патента: US09437292B1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yi-Chun Shih,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20210407594A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of programming a non-volatile memory cell to eliminate or to minimize program deceleration

Номер патента: US20050078526A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of programming a non-volatile memory cell by controlling the channel current during the rise period

Номер патента: US20060285394A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Dang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230377648A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Writing circuit for a magnetoresistive memory cell, memory cell arrangement and method of writing into a magnetoresistive memory cell of a memory cell arrangement

Номер патента: US20130343116A1. Автор: Kejie Huang,Yan Hwee Sunny Lua. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-12-26.

Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks

Номер патента: US5920501A. Автор: Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: US8145968B2. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: WO2009025432A1. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2009-02-26.

A device and method to read a 2-transistor flash memory cell

Номер патента: WO2003050813A3. Автор: Roger Cuppens,Franciscus P Widdershoven,Anthonie M H Ditewig. Владелец: Anthonie M H Ditewig. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of test and repair of memory cells during power-up sequence of memory device

Номер патента: US20210065836A1. Автор: Sangyeol Lee,Jonggeon Lee,Youngman Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Reading of a nonvolatile memory cell by taking account of the stored state of a neighboring memory cell

Номер патента: WO2008083137A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

One-time programmable (otp) memory cell circuits employing a diode circuit for area reduction, and related otp memory cell array circuits and methods

Номер патента: EP4233054A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Anne Srikanth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US20180122443A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US20140056070A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: EP2888740A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US20150063022A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Circuit and method for refreshing data stored in a memory cell

Номер патента: US20010036117A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Compositions comprising human embryonic stem cells and their derivatives, methods of use, and methods of preparation

Номер патента: US09804151B2. Автор: Geeta Shroff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Compositions comprising human embryonic stem cells and their derivatives, methods of use, and methods of preparation

Номер патента: US09488643B2. Автор: Geeta Shroff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Compositions comprising human embryonic stem cells and their derivatives, methods of use, and methods of preparation

Номер патента: US09482660B2. Автор: Geeta Shroff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Compositions comprising human embryonic stem cells and their derivatives, methods of use, and methods of preparation

Номер патента: EP2422794A2. Автор: Geeta Shroff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-29.

Systems and methods to store multi-level data

Номер патента: US20240242763A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and method for reading a phase-change memory cell

Номер патента: US09431102B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Neuromorphic computing device and method of designing the same

Номер патента: US20220366976A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170271016A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Hyun Joo,Sungyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US12119079B2. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20240371418A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09564229B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09424931B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US20240249792A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wen Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200350022A1. Автор: Heon Jin CHOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory device and method for computing-in-memory (cim)

Номер патента: US20240257865A1. Автор: Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Volatile memory devices and methods of operating same to improve reliability

Номер патента: US20240212775A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatuses and methods for setting a signal in variable resistance memory

Номер патента: US09672888B2. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatuses and methods for setting a signal in variable resistance memory

Номер патента: US09530477B2. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Apparatus and method of performing erase and erase verify operations

Номер патента: US12087375B2. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Anirban Roy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-23.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US09449707B2. Автор: Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09899097B2. Автор: Youngmin Kim,Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus and method for reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12112826B2. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US9779838B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US20160062860A1. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-03-03.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Electronic devices transmitting encoded data, and methods of operating the same

Номер патента: US20240248608A1. Автор: Ho-Youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12050782B2. Автор: JeongWoo Park,Seungil Kim,Byungjune SONG,Wonho Kang,Gyeongtae Yu,Kyoungback Lee,Jeongsu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Device and method for setting resistive random access memory cell

Номер патента: US09576656B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus and method for selectively reducing charge pump speed during erase operations

Номер патента: US20240257878A1. Автор: Mark Shlick,Shemmer Choresh,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Apparatus and method for selectively reducing charge pump speed during erase operations

Номер патента: WO2024158450A1. Автор: Mark Shlick,Shemmer Choresh,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

METHOD OF performing A CHIP BURN-IN SCANNING with increased EFFICIENCY

Номер патента: US20120131398A1. Автор: Shi-Huei Liu,Lien-Sheng Yang,Wei-Ju Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatus to store data and methods to read memory cells

Номер патента: US09431103B2. Автор: Siamak Tavallaei. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive memory system, driver circuit thereof and method for setting resistance thereof

Номер патента: US09443588B2. Автор: Chia-Chen Kuo,Meng-Fan Chang,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Ling Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-13.

System and method for early write to memory by holding bitline at fixed potential

Номер патента: WO2003003376A1. Автор: Harold Pilo,John E. Barth, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-01-09.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Storage module and method for using healing effects of a quarantine process

Номер патента: WO2016028376A1. Автор: Abhijeet Manohar,Dana Lee,Henry Chin,Daniel E. Tuers. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-02-25.

Storage module and method for using healing effects of a quarantine process

Номер патента: WO2016028372A1. Автор: Abhijeet Manohar,Dana Lee,Henry Chin,Daniel E. Tuers. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-02-25.

Sram having variable power supply and method therefor

Номер патента: WO2008016737A2. Автор: Lawrence F. Childs,Craig D. Gunderson,Olga R. Lu. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-02-07.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US09905284B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Electronic device and method for operating electronic device

Номер патента: US09508457B2. Автор: Dong-Keun Kim,Ji-Hyae Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Storage module and method for using healing effects of a quarantine process

Номер патента: US09455038B2. Автор: Abhijeet Manohar,Dana Lee,Henry Chin,Daniel E. Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Apparatuses, sense circuits, and methods for compensating for a wordline voltage increase

Номер патента: EP2959486A1. Автор: Daniele Vimercati,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-30.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09847118B1. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory cell retention enhancement through erase state modification

Номер патента: US09672909B2. Автор: Santosh Murali,Jim Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of programming MLC memory device and related MLC memory device

Номер патента: US12119053B2. Автор: Chien-Hung Chen,Chia-Wen Wang,Chia-Hui Huang,Chih-Yang Hsu,Jen-Yang Hsueh,Ling-Hsiu Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002374A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Charge-Trapping Memory Device and Methods for its Manufacturing and Operation

Номер патента: US20080279004A1. Автор: Tholasampatti Subramanian Sudhindra Prasad. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Circuit and method for testing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1333446A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-08-18.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002341A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US6597606B2. Автор: Kerry D. Tedrow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Magnetic memory having ROM-like storage and method therefore

Номер патента: US09576636B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatuses and methods for sensing using an integration component

Номер патента: US09552875B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Systems and methods to store multi-level data

Номер патента: US11948628B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Systems and methods to store multi-level data

Номер патента: US20210375356A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and method for performing consecutive memory accesses

Номер патента: US12027200B2. Автор: CHRISTIAN Weis,Andre GUNTORO,Leonardo Luiz Ecco,Norbert Wehn,Chirag SUDARSHAN,Taha Ibrahim Ibrahim Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20130250652A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory device for performing foggy-fine program operation and method of operating the memory device

Номер патента: US20240161831A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Digit line voltage boosting systems and methods

Номер патента: US12094512B2. Автор: Angelo Visconti,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory devices and methods for controlling row hammer

Номер патента: US12119044B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US09799388B1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US20240005989A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US11804265B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Device and method for associating information concerning memory cells of a memory with an external memory

Номер патента: US20030120891A1. Автор: Martin Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor integrated circuit memory and method of connecting redundant columns of memory cells in the memory

Номер патента: TW411464B. Автор: Robert J Proebsting. Владелец: Townsend & Townsend & Crew Llp. Дата публикации: 2000-11-11.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20230036141A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120303871A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Neuromorphic computing device and method of designing the same

Номер патента: US11881260B2. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20230282252A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of performing read count leveling for multiple portions of a block of memory cells

Номер патента: US20190287619A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220215887A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US09583199B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Reading a multi-bit value from a memory cell

Номер патента: US09449682B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory unit and method of operating a memory unit sector

Номер патента: US10083743B2. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-25.

Memory device and method thereof

Номер патента: US20200135272A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jin Cai,Jau-Yi Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Ferroelectric memory and method of testing the same

Номер патента: US20040179385A1. Автор: Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: US20210142838A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: WO2021093263A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier, memory device including sense amplifier and operating method of memory device

Номер патента: US20240096402A1. Автор: Kyuchang KANG,Changyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Forming method of memory device

Номер патента: US20240087629A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11875845B2. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor memory device detecting program failure, and method of operating the same

Номер патента: US11961571B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230395163A1. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US7349253B2. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-03-25.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

Redundancy concept for memory circuits having ROM memory cells

Номер патента: US5986952A. Автор: Manfred Bromba,Eckehard Plättner,Konrad SCHÖNEMANN,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Klaus Bernauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-16.

Memory device having pipelined access and method for pipelining data access

Номер патента: US5901092A. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

Methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090016107A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Apparatuses and methods of memory access control

Номер патента: US20230402070A1. Автор: Hidekazu Noguchi,Yoshio Mizukane,Manami Senoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for rapid data destruction

Номер патента: US20210202013A1. Автор: Dan Xu,Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US11798647B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Readout circuit, memory, and method of reading out data of memory

Номер патента: US11830569B2. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of reading from and writing to magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20130250667A1. Автор: Parviz Keshtbod,Siamack Nemazie,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Apparatus and methods for performing successive array operations in a memory

Номер патента: US20230298680A1. Автор: Violante Moschiano,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco,Dheeraj Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Storage device for determining memory cell type after data input during program operation and operating method thereof

Номер патента: US20240274201A1. Автор: Dong Sop LEE,Ie Ryung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09928914B2. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory apparatus and method of operation using one pulse smart verify

Номер патента: US20220165342A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-26.

Storage medium, system and method utilizing the same

Номер патента: US9009571B2. Автор: Hsu-Ping Ou,Cheng-wei LIU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-04-14.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset cancellation and methods of operating same

Номер патента: US20240062806A1. Автор: Eunki Hong,Minsoo Jang,Seungki HONG,Jaeseong Lim,Jinsol PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Storage medium, system and method utilizing the same

Номер патента: US20140136929A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Cheng-wei LIU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of data write therein

Номер патента: US20130088924A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory, and method for reading data

Номер патента: US20100118609A1. Автор: Masahiko Kashimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

An ultra low power memory cell with a supply feedback loop configured for minimal leakage operation

Номер патента: WO2012153258A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-01-24.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Method of operating an integrated circuit and integrated circuit

Номер патента: US20230238057A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Apparatuses and methods for ordering bits in a memory device

Номер патента: US11782721B2. Автор: Fa-Long Luo,Glen E. Hush,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US20230377661A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Resistive memory device and method for reading data in the resistive memory device

Номер патента: US11798621B2. Автор: Chan Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220223223A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200395094A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210118520A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230245710A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US11804279B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20220130470A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method and system for iteratively testing and repairing an array of memory cells

Номер патента: US20130232384A1. Автор: Yosef Solt,Michael Levi,Reshef Bar Yoel,Yosef Haviv. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Apparatuses and methods for ordering bits in a memory device

Номер патента: EP3899943A1. Автор: Fa-Long Luo,Glen E. Hush,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Apparatuses and methods for ordering bits in a memory device

Номер патента: US20200201649A1. Автор: Fa-Long Luo,Glen E. Hush,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Apparatuses and methods for ordering bits in a memory device

Номер патента: US20240036875A1. Автор: Fa-Long Luo,Glen E. Hush,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Reading Circuit and Method for a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190108886A1. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-11.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12009046B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile semiconductor memory device including application of different voltages to memory cells based on their proximity to a selected memory cell

Номер патента: USRE50025E1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods for determining an expected data age of memory cells

Номер патента: US10629280B1. Автор: Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Memory cell array divided type multi-port semiconductor memory device

Номер патента: US5249165A. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Nonvolatile SRAM cells and cell arrays

Номер патента: US5812450A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Ternary memory cell for logic-in-memory and memory device comprising same

Номер патента: US11727988B2. Автор: Jae Won Jeong,Kyung Rok Kim,Young Eun Choi. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Apparatus and method for reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20230402071A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Sensing techniques for differential memory cells

Номер патента: WO2023278948A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Track Charge Loss based on Signal and Noise Characteristics of Memory Cells Collected in Calibration Operations

Номер патента: US20220044751A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory device and method thereof

Номер патента: US20210065792A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jin Cai,Jau-Yi Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device and method thereof

Номер патента: US11443803B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Jin Cai,Jau-Yi Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

Operation method of memory system, memory system and electronic device

Номер патента: US20240176500A1. Автор: Jie Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Reading circuit and method for a non-volatile memory device

Номер патента: US10593410B2. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-17.

Association memory and memory cell thereof

Номер патента: US20030095425A1. Автор: Tsuyoshi Higuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US20170372795A1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09842661B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09697913B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile configuration cells and cell arrays

Номер патента: US6078521A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20230214132A1. Автор: JeongWoo Park,Seungil Kim,Byungjune SONG,Wonho Kang,Gyeongtae Yu,Kyoungback Lee,Jeongsu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US20240029809A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11869624B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: EP4209913A1. Автор: JeongWoo Park,Seungil Kim,Byungjune SONG,Wonho Kang,Gyeongtae Yu,Kyoungback Lee,Jeongsu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-12.

Apparatus and method for handling temperature dependent failures in a memory device

Номер патента: US20210210157A1. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Aneesh Puthoor,Harvijay Singh. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Nonvolatile memory apparatus, write method of the nonvolatile memory apparatus, and system using the nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20200321043A1. Автор: Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US12009027B2. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Representing data using a group of multilevel memory cells

Номер патента: US09601189B2. Автор: Doe Hyun Yoon,Robert Schreiber,Naveen Muralimanohar,Jichuan Chang,Norman P. Jouppi. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-21.

Circuit and method for setting the time duration of a write to a memory cell

Номер патента: US5864696A. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-01-26.

Parallel-dichotomic serial sensing method for sensing multiple-level non-volatile memory cells, and sensing circuit for actuating such method

Номер патента: US5729490A. Автор: Guido Torelli,Vincenzo Daniele,Roberto Gastaldi,Cristiano Calligaro,Alessandro Manstretta,Nicola Telecco. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-03-17.

Integrated circuit memory devices that map nondefective memory cell blocks into continuous addresses

Номер патента: US5848009A. Автор: Young-Ho Lim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-08.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Method for inspecting the electrical performance of a flash memory cell

Номер патента: US7940584B2. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

System and method for storing and retrieving multibit data in non-volatile memory using current multipliers

Номер патента: EP3735691A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-11.

System And Method For Storing And Retrieving Multibit Data In Non-volatile Memory Using Current Multipliers

Номер патента: US20190206486A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

System and method for storing and retrieving multibit data in non-volatile memory using current multipliers

Номер патента: WO2019135866A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20200005841A1. Автор: Cheng Hung Lee,Shih-Lien Linus Lu,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: TW200910351A. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-01.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: TWI368222B. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-11.

WRITING CIRCUIT FOR A MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL, MEMORY CELL ARRANGEMENT AND METHOD OF WRITING INTO A MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL OF A MEMORY CELL ARRANGEMENT

Номер патента: US20130343116A1. Автор: Lua Yan Hwee Sunny,Huang Kejie. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2013-12-26.

Circuit for parallel programming nonvolatile memory cells, with adjustable programming speed

Номер патента: US6163483A. Автор: Roberto Canegallo,Pier Luigi Rolandi,Marco Pasotti,Giovanni Guaitini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-12-19.

Method and apparatus for operating nonvolatile memory cells in a series arrangement

Номер патента: US20060050555A1. Автор: Chih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus and methods for thermal management in a memory

Номер патента: US20230326527A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Jeremy Binfet. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus and methods for thermal management in a memory

Номер патента: US11915764B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Jeremy Binfet. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of improving programming operations in 3d nand systems

Номер патента: US20240168640A1. Автор: Feng Xu,Da Li,Jianquan Jia,Zhe Luo,XiangNan Zhao,Yaoyao TIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Compound Feature Generation in Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20210271422A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Circuit arrangement and method for operating a circuit arrangement

Номер патента: US20080198653A1. Автор: Roland Thewes,Ralf Brederlow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-21.

Method of combining multilevel memory cells for an error correction scheme

Номер патента: US7243277B2. Автор: Hsie-Chia Chang,Ta-Hui Wang,Jieh-Tsorng Wu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2007-07-10.

Circuit arrangement and method for operating a circuit arrangement

Номер патента: US7688625B2. Автор: Roland Thewes,Ralf Brederlow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-03-30.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Systems and methods for reading bit state in arrays of memory cells

Номер патента: US20230282263A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and techniques for accessing multiple memory cells concurrently

Номер патента: US20240013833A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Computing-in-Memory Chip and Memory Cell Array Structure

Номер патента: US20210151106A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US20170263301A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of combining multilevel memory cells for an error correction scheme

Номер патента: US20060015793A1. Автор: Hsie-Chia Chang,Ta-Hui Wang,Jieh-Tsorng Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Apparatuses, sense circuits, and methods for compensating for a wordline voltage increase

Номер патента: WO2014130315A1. Автор: Daniele Vimercati,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: WO2017189266A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-11-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200395055A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Test circuit for a semiconductor memory device and method for burn-in test

Номер патента: US6055199A. Автор: Takashi Kono,Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani,Kei Hamade. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: WO2023219813A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Performing data operations on grouped memory cells

Номер патента: US20240094942A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US11955184B2. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: US20210304812A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: EP4111451A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: WO2021202064A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-07.

Performing data operations on grouped memory cells

Номер патента: US11861208B2. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: US20220270667A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US20230368846A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of programming mlc memory device and related mlc memory device

Номер патента: US20230238058A1. Автор: Chien-Hung Chen,Chia-Wen Wang,Chia-Hui Huang,Chih-Yang Hsu,Jen-Yang Hsueh,Ling-Hsiu Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US11948638B2. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Multiple write configurations for a memory cell

Номер патента: US7852657B2. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-14.

Apparatuses and methods for sensing using an integration component

Номер патента: US20160189771A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-30.

Synapse memory cell driver

Номер патента: US20190228295A1. Автор: Takeo Yasuda,Masatoshi Ishii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Managing programming convergence associated with memory cells of a memory sub-system

Номер патента: US11862257B2. Автор: Jun Xu,Violante Moschiano,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory configured to generate a data value from a data line connected to more than one string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190341115A1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for checking the functioning of memory cells of an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20020026608A1. Автор: Erwin Hammerl,Wilfried Daehn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US11990186B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Appartuses and methods for sensing using an integration component

Номер патента: US20160049194A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Memory device and method for controlling current during programming of memory cells

Номер патента: TW200828323A. Автор: Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Recovery of interfacial defects in memory cells

Номер патента: US9734919B2. Автор: Mai A. Ghaly. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device allowing repair of a defective memory cell with a redundant circuit in a multibit test mode

Номер патента: US6003148A. Автор: Takashi Ito,Tadaaki Yamauchi,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US20160351260A1. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-12-01.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US20150348632A1. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Mitigation of data retention drift by progrmming neighboring memory cells

Номер патента: US20160307631A1. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Conditional drift cancellation operations in programming memory cells to store data

Номер патента: US11430518B1. Автор: Hongmei Wang,Nevil N. Gajera,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US11880571B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Reusing sneak current in accessing memory cells

Номер патента: US20170243642A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Erik Ordentlich,Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-08-24.

Conditional Drift Cancellation Operations in Programming Memory Cells to Store Data

Номер патента: US20220415394A1. Автор: Hongmei Wang,Nevil N. Gajera,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Programming intermediate state to store data in self-selecting memory cells

Номер патента: EP4348649A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Francesco Douglas Verna-Ketel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Decoding of high-density memory cells in a solid-state drive

Номер патента: US20200264974A1. Автор: Nilesh N. Khude,Vijay Ahirwar,Sri Varsha Rottela,B. Hari RAM. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Latency control circuit and method of latency control

Номер патента: US20040008566A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-15.

Programming nonvolatile memory cells using resolution-based and level-based voltage increments

Номер патента: US20180053555A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-22.

SRAM memory cell design having complementary dual pass gates

Номер патента: US5831897A. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1998-11-03.

Memory device and method having banks of different sizes

Номер патента: US20070280027A1. Автор: Beth Skidmore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory array circuit with two-bit memory cells

Номер патента: US20060239059A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Anti-fuse memory cell state detection circuit and memory

Номер патента: US11854633B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US20160329100A1. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-10.

System and method for hidden-refresh rate modification

Номер патента: WO2006130276A1. Автор: John R. Wilford,John Schreck. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-12-07.

System and method for hidden-refresh rate modification

Номер патента: EP1886316A1. Автор: John R. Wilford,John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-13.

Apparatus, system, and method for writing multiple magnetic random access memory cells with a single field line

Номер патента: EP2766906A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Memory cell array and semiconductor memory

Номер патента: US20080291725A1. Автор: Nobukazu Murata,Tomonori Terasawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Permutation coding for improved memory cell operations

Номер патента: US20190355413A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: WO2022094423A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-05.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: SG11201807496XA. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory cell with access line disturbance mitigation

Номер патента: US20210020222A1. Автор: Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110128778A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-06-02.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8154914B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-04-10.

Reading memory cells

Номер патента: EP1225587A3. Автор: Josh N. Hogan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-04-23.

Reading memory cells

Номер патента: EP1225587A2. Автор: Josh N. Hogan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for accessing a memory cell in an integrated circuit, method of determining a set of word line voltage identifiers in an integrated circuit, method for classifying memory cells in an integrated circuit, method for determining a word line voltage for accessing a memory cell in an integrated circuit and integrated circuits

Номер патента: US20080253217A1. Автор: Konrad Seidel,Detlev Richter,Luca De Ambroggi,Andreas Taeuber,Robert Petter,Marco Ziegelmayer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-16.

Control circuit and method for controlling a data line switching circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US5654936A. Автор: Ho-Yeol Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Integrated circuits including memory cells

Номер патента: US20240116293A1. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory cell read failure reduction

Номер патента: US20090067238A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device configured to store parity data and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240021223A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Compositions and methods for treatment of tamoxifen resistant breast cancer

Номер патента: US20140171483A1. Автор: Saraswati Sukumar,Kideok Jin. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-19.

Compositions and methods for treatment of tamoxifen resistant breast cancer

Номер патента: WO2012118915A3. Автор: Saraswati Sukumar,Kideok Jin. Владелец: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-22.

Compositions and methods for treatment of tamoxifen resistant breast cancer

Номер патента: WO2012118915A2. Автор: Saraswati Sukumar,Kideok Jin. Владелец: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-07.

Recombinant fibrinogen high-production line and method for producing same

Номер патента: US20160318990A1. Автор: Kouji Murakami,Shoji Ideno,Shusei Uno,Momoko OTAKI. Владелец: JAPAN BLOOD PRODUCTS ORGANIZATION. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of trimming reference voltage of a flash memory cell and apparatus of trimming reference voltage of a flash memory cell

Номер патента: KR100685642B1. Автор: 김용환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor integrated circuit system and method for driving the same

Номер патента: US8885402B2. Автор: Hae Chan PARK,Soo Gil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor integrated circuit system and method for driving the same

Номер патента: US20130077392A1. Автор: Hae Chan PARK,Soo Gil Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor integrated circuit system and method for driving the same

Номер патента: US20140286090A1. Автор: Hae Chan PARK,Soo Gil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor integrated circuit system and method for driving the same

Номер патента: US8780621B2. Автор: Hae Chan PARK,Soo Gil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor integrated circuit system and method for driving the same

Номер патента: US20140286089A1. Автор: Hae Chan PARK,Soo Gil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Digit Line Voltage Boosting Systems and Methods

Номер патента: US20240071457A1. Автор: Angelo Visconti,Andrea Locateiii. Владелец: Micron Technoiogy Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

VERTICAL TRANSISTOR, MEMORY CELL, DEVICE, SYSTEM AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Forbes Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Memory cell array circuit and method of forming the same

DRAM having memory cells each using one transfer gate and one capacitor to store plural bit data

Номер патента: US5995403A. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

System and method for performing a partial dram refresh

Номер патента: WO2002078006A1. Автор: Haitao Zhang,Qiuzhen Zou,Stephen M. Simmonds,Jalal El Husseini. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2002-10-03.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: EP2888740A4. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

High speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: TW594768B. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-21.

Particle-drop structures and methods for making and using the same

Номер патента: EP4455301A2. Автор: Dino Di Carlo,Chueh-Yu Wu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-30.

Conductivity/resistivity cell, water purification system, and method of determining the conductivity and/or resistivity of a sample liquid

Номер патента: WO2024149708A1. Автор: Laurent Moreau,Pierre CARUSO. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-18.

METHODS OF PROGRAMMING DIFFERENT PORTIONS OF MEMORY CELLS OF A STRING OF SERIES-CONNECTED MEMORY CELLS

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Xu Jun,Liang Ke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-19.

Isolated populations of female germline stem cells and cell preparations and compositions thereof

Номер патента: US09962411B2. Автор: Jonathan Lee Tilly,Joshua Johnson. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

A memory system detecting th distributionof unstable memory cell and the method for detecting the distribution of unstable memory cell

Номер патента: KR101603099B1. Автор: 김선택,경윤영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-03-28.

Device for e.g. detecting hardware error during addressing memory cell matrix in safety-critical user-specific integrated circuits, has test memory cell attached to memory cell, where code word is formed from address and parity bits

Номер патента: DE102009001352A1. Автор: Jo Pletinckx. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2010-09-09.

Method for obtaining female germline stem cells and uses thereof

Номер патента: US8652840B2. Автор: Jonathan Lee Tilly,Joshua Johnson. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Driving method of integrated memory with recordable memory cells and corresponding integrated memory

Номер патента: JP2002540554A. Автор: ボエーム，トーマス,ブラウン，ゲオルク. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-26.

Integrated circuit having memory cells for storing data bits and method for writing write data bits to memory cells in integrated circuits

Номер патента: JP3754593B2. Автор: リーヒウン,イーンルオンマーク. Владелец: ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド. Дата публикации: 2006-03-15.

Method of writing to a magnetoresistive memory cell and porcelain resistive memory written and sold by the method

Номер патента: JP2004528665A. Автор: マルティンフライターク，,シュテファンミーターナー，,ウォルフギャングラベルグ，. Владелец: インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト. Дата публикации: 2004-09-16.

Read operation performing method for use in memory cell string, involves applying write sense current across magnetic random access memory cell, and determining whether one voltage across string differs from another voltage

Номер патента: DE102004039235A1. Автор: Frederick A. Palo Alto Perner,Kenneth K. Smith,Richard L. Hilton,Corbin L. Pullmann Champion. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-18.

Fuse memory cell, memory array and working method of memory array

Номер патента: CN113096717A. Автор: 李晓华. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-09.

METHOD OF TEST AND REPAIR OF MEMORY CELLS DURING POWER-UP SEQUENCE OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210065836A1. Автор: Lee Sangyeol,AHN Youngman,LEE Jonggeon. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Electrically programmable memory comprising means for optimizing the programming times of a set of binary words, and method for registering in a row of memory cells

Номер патента: FR2837974A1. Автор: Mathieu Lisart,Michel Farges. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-03.

SYSTEM AND METHOD FOR REMOVING MEMORY DAMAGE FROM FAILURE MEMORY CELLS

Номер патента: FR2824415A1. Автор: Brian William Hugues. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-11-08.

Non-volatile memory device and method capable of re-verifying a verified memory cell

Номер патента: US20080158993A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Chi-Weon Yoon,Kee-Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Apparatus and method for programming an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements

Номер патента: US20070008785A1. Автор: Roy Scheuerlein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Apparatus and method for reading an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements

Номер патента: US20070008786A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Apparatus and method for programming an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements

Номер патента: WO2007008701A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2007-08-30.

Apparatus and method for programming an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements

Номер патента: US7362604B2. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-04-22.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: TW200923960A. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu-Jen Ting. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-01.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: TWI316256B. Автор: Chun Shiah,Ho Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

CAPACITOR-LESS MEMORY CELL, DEVICE, SYSTEM AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140036584A1. Автор: Gonzalez Fernando,Mouli Chandra V.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of discriminating logic state of memory cell and sense amplifier

Номер патента: JPS56127992A. Автор: Wai Chiyan Jiyon. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1981-10-07.

Method of controlling non-volatile ferroelectric memory cell for inducing a large amount of electric charge representative of data bit

Номер патента: US5768176A. Автор: Yuukoh Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of adjuvant treatment with chlorophyllin containing therapeutic preparation including for radioprotection of normal tissues during radiation therapy and kit therefor

Номер патента: US20170290843A1. Автор: DEEPAK SHARMA,Santosh Kumar Sandur,Raghavendra Shridhar Patwardhan,Rahul Checker,Jayakumar Sundarraj,Subrata Chattopadhyay,Vikram Prakash Gota,Preetha Sasi. Владелец: India Atomic Energy Department of. Дата публикации: 2017-10-12.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device testable on quality of multiple memory cells in parallel and testing method of the same

Номер патента: US20090316495A1. Автор: Hideo Inaba,Tadashi Onodera. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of culturing animal cells and engineering tissue and tissue-like structures

Номер патента: WO2020193791A1. Автор: Christophe Egles,Pascale VIGNERON,Claude-Olivier Sarde. Владелец: Universite De Technologie De Compiegne. Дата публикации: 2020-10-01.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

METHOD OF READING AND WRITING NONVOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130229875A1. Автор: La Rosa Francesco,Fornara Pascal,Lopez Laurent,Regnier Arnaud,NIEL Stephan,Boivin Philippe,Pizzuto Olivier. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2013-09-05.

CIRCUIT ARRANGMENT AND A METHOD OF WRITING STATES TO A MEMORY CELL

Номер патента: US20140003126A1. Автор: Huang Kejie. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2014-01-02.

APPARATUSES AND METHODS TO CONTROL OPERATIONS PERFORMED ON RESISTIVE MEMORY CELLS

Номер патента: US20200005866A1. Автор: Hamzaoglu Fatih,Arslan Umut,JAIN Pulkit. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

APPARATUSES AND METHODS INVOLVING ACCESSING DISTRIBUTED SUB-BLOCKS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20210020214A1. Автор: Tanzawa Toru. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US20150063022A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

APPARATUSES AND METHODS INVOLVING ACCESSING DISTRIBUTED SUB-BLOCKS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20180122443A1. Автор: Tanzawa Toru. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING ERASING DATA IN FERROELECTRIC MEMORY CELLS

Номер патента: US20210210131A1. Автор: MATSUBARA Yasushi,Sakurai Kiyotake. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20200185020A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Circuits and methods for limiting current in random access memory cells

Номер патента: US20160240251A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yi-Chun Shih,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

APPARATUSES AND METHODS INVOLVING ACCESSING DISTRIBUTED SUB-BLOCKS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20190279695A1. Автор: Tanzawa Toru. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING ERASING DATA IN FERROELECTRIC MEMORY CELLS

Номер патента: US20190287602A1. Автор: MATSUBARA Yasushi,Sakurai Kiyotake. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-19.

System And Method For Programming Split-Gate, Non-volatile Memory Cells

Номер патента: US20160336072A1. Автор: Qian Xiaozhou,MARKOV Viktor,KOTOV Alexander,Yoo Jong-Won,PI XIAO YAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Circuits and Methods for Limiting Current In Random Access Memory Cells

Номер патента: US20160358651A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHOU Chung-Cheng,LEE Po-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Systems and methods for adjusting programming thresholds of polymer memory cells

Номер патента: TWI401684B. Автор: David Gaun,Stuart Spitzer,Juri H Krieger. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Apparatus and method for self-refreshing dynamic random access memory cells

Номер патента: US7362640B2. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-22.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Forming A Nonvolatile Memory Cell And Methods Of Forming An Array Of Nonvolatile Memory Cells Array Of Nonvolatile Memory Cells

Номер патента: US20120264272A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Methods Of Forming A Vertical Transistor And At Least A Conductive Line Electrically Coupled Therewith, Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Forming Arrays Of Memory Cells

Номер патента: US20120214285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

Phase Change Memory Cells, Methods Of Forming Phase Change Memory Cells, And Methods Of Forming Heater Material For Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140117302A1. Автор: Goswami Jaydeb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

METHODS OF FORMING A NONVOLATILE MEMORY CELL AND METHODS OF FORMING AN ARRAY OF NONVOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20120164798A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Sills Scott E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20120039109A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Srinivasan Bhaskar. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20130001498A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Memory cell, memory device and method for manufacturing memory cell

Номер патента: TW201209999A. Автор: Po-Chou Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20130285002A1. Автор: Bez Roberto,Van Gerpen Damon E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20130285003A1. Автор: Van Gerpen Damon E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory Cells, Integrated Devices, and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130126812A1. Автор: Pirovano Agostino,Russo Ugo,Redaelli Andrea,Lavizzari Simone. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

Memory array and method for forming a memory array including memory cell strings

Номер патента: CN118946151A. Автор: 张晓松,胡怡,W·Y·吴,C·蒂瓦里,T·J·约翰. Владелец: North Star Franchise Group Co ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of improving height difference between memory cell array of memory and peripheral circuit

Номер патента: TW302541B. Автор: Bin Liu,Jaw-Min Ger. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1997-04-11.

Memory cell, memory structure and working method of memory

Номер патента: CN118942511A. Автор: 张雅,杨承,王一森,曾宗康,渠超越. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Nonvolatile memory cell, method of adjusting threshold of nonvolatile memory cell, and method of adjusting threshold of multiple transistors

Номер патента: JP3109453B2. Автор: 寛後藤,俊文浅川. Владелец: JFE Engineering Corp. Дата публикации: 2000-11-13.

CROSS-POINT MEMORY DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING CROSS-POINT MEMORY DEVICES AND METHODS OF ACCESSING A PLURALITY OF MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT MEMORY ARRAY

Номер патента: US20120182787A1. Автор: Liu Jun,Wells David H.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

PHASE CHANGE MEMORY CELLS INCLUDING NITROGENATED CARBON MATERIALS, METHODS OF FORMING THE SAME, AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICES INCLUDING NITROGENATED CARBON MATERIALS

Номер патента: US20130048935A1. Автор: Fumagalli Luca,GOTTI ANDREA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Floating gate of flash memory cell and method for making same and a flash memory cell

Номер патента: CN100356570C. Автор: 黄如,李炎,王阳元,蔡一茂,单晓楠,周发龙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-12-19.

MEMORY CELL, MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY CELL

Номер патента: US20120056259A1. Автор: CHANG Yao-Wen,CHEN PO-CHOU,Yang I-Chen. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

D.c. stable single device memory cell

Номер патента: CA1058753A. Автор: Shashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

Read only memory cell to provide a production method for manufacturing the read only memory cell, and its distinguishing is the MOS transistor is arranged at special angle.

Номер патента: TW331665B. Автор: Klose Helmut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-05-11.

Номер патента: RU2546109C1. Автор: Виталий Ираклиевич Пурцеладзе,Сергей Степанович Иванчев,Геннадий Анатольевич Емельянов,Виктор Михайлович Родин,Галина Викторовна Григорян,Григорий Геннадьевич Чернявский,Сергей Анатольевич Кулаченков,Денис Петрович Блинов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт синтетического каучука имени академика С.В. Лебедева" (ФГУП "НИИСК"). Дата публикации: 2015-04-10.

Memory cells and methods of forming memory cells

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты