Methods of Fabricating Integrated Structures, and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells
Номер патента: US20150140753A1
Опубликовано: 21-05-2015
Автор(ы): Simsek-Ege Fatma Arzum, Wilson Aaron R.
Принадлежит: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-05-2015
Автор(ы): Simsek-Ege Fatma Arzum, Wilson Aaron R.
Принадлежит: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of fabricating integrated structures, and methods of forming vertically-stacked memory cells
Номер патента: US9305938B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Aaron R. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.