SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING SELF-ALIGNED RESISTIVE/MAGNETIC MEMORY CELL
Номер патента: US20130224888A1
Опубликовано: 29-08-2013
Автор(ы): Nagashima Makoto
Принадлежит: 4D-S PTY, LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-08-2013
Автор(ы): Nagashima Makoto
Принадлежит: 4D-S PTY, LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Systems and methods for fabricating self-aligned resistive/magnetic memory cell
Номер патента: US09711714B2. Автор: Makoto Nagashima. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.