Stacked semiconductor devices and methods of forming same
Номер патента: US09496189B2
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Chen-Hua Yu, Chien-Hsun Lee, Jung Wei Cheng, Tsung-Ding Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Chen-Hua Yu, Chien-Hsun Lee, Jung Wei Cheng, Tsung-Ding Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
THERMAL PADS BETWEEN STACKED SEMICONDUCTOR DIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS
Номер патента: US20150221612A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.,Koopmans Michel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-08-06.