몰드비아를 갖는 적층 반도체 패키지 및 그의 제조방법
Номер патента: KR20180124256A
Опубликовано: 21-11-2018
Автор(ы): 고은, 이상은, 이형동
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-11-2018
Автор(ы): 고은, 이상은, 이형동
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor package having through electrodes that reduce leakage current and method for manufacturing the same
Номер патента: US20120045895A1. Автор: Sung Min Kim,Sung Cheol Kim,Seung Hee JO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.