• Главная
  • Exposure Mask and Method for Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Exposure Mask and Method for Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230187490A1. Автор: Shinichi Hoshi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20230403855A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200052104A1. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10971619B2. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7501335B2. Автор: Kazuhiro Eguchi,Akio Kaneko,Katsuyuki Sekine,Yoshitaka Tsunashima,Motoyuki Sato,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same

Номер патента: US20020066727A1. Автор: Min-O Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Reticle chuck in exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20020013069A1. Автор: Yukihiro Yokota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for fabricating electrode and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234148A1. Автор: Cha Deok Dong,Jeong Myeong Kim,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

A semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230120791A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US12009250B2. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for manufacturing contact plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20150170966A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor chip, method for manufacturing semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20140183704A1. Автор: Akira Ide,Koji Torii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for manufacturing CCD type solid image pickup device using self-alignment process

Номер патента: US5441910A. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130264576A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020105085A1. Автор: Noriyuki Sakuma,Kenji Hinode,Takeshi Furusawa,Daisuke Ryuzaki,Shuntaro Machida,Ryou Yoneyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US5866920A. Автор: Toru Tatsumi,Kazuhiko Endo,Yoshishige Matsumoto,Yoshitake Ohnishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040124479A1. Автор: TAKAGI Takeshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9997621B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US11744073B2. Автор: Keun Lee,Kyungwook Park,Hauk Han,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Tray handling apparatus and semiconductor device inspecting method using the same

Номер патента: US20100032262A1. Автор: Sang-Yun Lee,Youn-Soo Kim,Ssang-geun Im,Seung-gyu Ko. Владелец: Intekplus Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210104463A1. Автор: Sanghoon Baek,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170018637A1. Автор: Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20230132080A1. Автор: Daehee Lee,Seungil CHAI,Kyunghee SHIN,Moonhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US9780095B2. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20170352667A1. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20170243871A1. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Plasma doping method and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20140170828A1. Автор: Jin-Ku Lee,Jae-Geun Oh,Young-Ho Lee,Mi-Ri Lee,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

System and method for deliverying laser beam and laser lift-off method using the same

Номер патента: WO2008078952A1. Автор: Beng So Ryu,Seong Hun Lee. Владелец: Qmc Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-07-03.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device and mehtod of fabricating the same

Номер патента: US20240136441A1. Автор: Ken-Ichi Goto,Cheng-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Process for fabricating small geometry semiconductor devices

Номер патента: US3858304A. Автор: Hayden M Leedy,Jr Loren G Mccray,Harry L Stover. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1975-01-07.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170062457A1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220005928A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020195618A1. Автор: Mizuhisa Nihei,Yuu Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190288074A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8294186B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190103413A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160197174A1. Автор: Hiroyuki Ueda,Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Makoto Kuwahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130292749A1. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for making aluminum nitride wafer and aluminum nitride wafer made by the same

Номер патента: US20210287996A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for making aluminum nitride wafer and aluminum nitride wafer made by the same

Номер патента: US11355448B2. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160163792A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka,Takahiro Sonoyama,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160087051A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020105098A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8071448B2. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Methods for preparing a titanium oxide film and a composite film comprising the same

Номер патента: US20160118243A1. Автор: Feng-Yu Tsai,Yuan-Yu Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-04-28.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for manufacturing high-breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: US4780426A. Автор: Yutaka Koshino,Yoshiro Baba,Jiro Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230317607A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315021A1. Автор: Jonghyun Park,Bongtae Park,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim,Juwon IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312937A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224532A1. Автор: Sunggil Kim,Jumi Bak,Eun- Young LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210074362A1. Автор: Minoru Oda,Yuka Itano,Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US12061123B2. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Stacked layer type semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20130294134A1. Автор: Ho Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240347455A1. Автор: Hyunho Kim,Jang-Gn Yun,Jeehoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240341094A1. Автор: Sangho Rha,Daeho Kim,Jiyoun Seo,Byung-Sun Park,Su Jong Kim,Mingyu JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US4860087A. Автор: Toshimasa Kihara,Kiyoshi Matsubara,Tadashi Yamaura,Norishige Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-08-22.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230402097A1. Автор: Yongjin Cho,Sooyong Lee,Kyung Jae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20190206899A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20180205002A1. Автор: Jung-Hoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090267082A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US20200135821A1. Автор: Hae Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11842780B2. Автор: Kenji Noguchi,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A3. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12009325B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US5750429A. Автор: Tomoyoshi Kushida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US20160329336A1. Автор: Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240040792A1. Автор: Bongtae Park,Youngshik Yun,Dongsik LEE,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240038660A1. Автор: Jaeho Kim,Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230328987A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US20230160754A1. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2019146300A1. Автор: Takehiro Kato,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240103070A1. Автор: Jongmin Lee,Yeonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12002511B2. Автор: Jinwoo Park,Geunwon LIM,Ilgyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258842A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US11950423B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183885A1. Автор: Jinsoo Lim,SangJun HONG,Jisung Cheon,Seongyeon WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240196617A1. Автор: Seungmin Lee,Bonghyun Choi,Jihwan Yu,Byungman Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170288014A1. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240222267A1. Автор: Byoungil Lee,Jongyoon Choi,Seungbeom KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010033025A1. Автор: Takeshi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230253456A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US11967562B2. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A3. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Modular semiconductor devices and electronic devices incorporating the same

Номер патента: US20230411263A1. Автор: Soohan Park,KyungEun Kim,Hyesun Kim,Youjin Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

A Semiconductor Device and a Method Making the Same

Номер патента: US20220262750A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240055486A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180301446A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12082404B2. Автор: Seongjun Seo,Kang-Sup Roh,Wookhyoung LEE,Youngmo Ku,Yongin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220336586A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12089407B2. Автор: Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12125791B2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240071791A1. Автор: Jin Hee Lee,Tae Soon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Wiring layout of semiconductor device and design method of the same

Номер патента: US20050051803A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Hitomi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190273057A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070284582A1. Автор: Shinichi Saito,Yoshinobu Kimura,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240087954A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP3819932A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210143102A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230326863A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11854877B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120061817A1. Автор: Noriyuki Takahashi,Mamoru SHISHIDO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230005759A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US7235830B2. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US11996367B2. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240196622A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A2. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040259319A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20060054944A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090096097A1. Автор: Yutaka Kagaya,Hidehiro Takeshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7932121B2. Автор: Naoyuki Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20230371238A1. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20170133360A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20150349048A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US9577027B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210398946A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20220045035A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20230268248A1. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230009932A1. Автор: Sunyoung Lee,Seokcheon Baek,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A3. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230371254A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Boun Yoon,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US11751381B2. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9536849B2. Автор: Akira Yajima,Katsuhiro Torii,Hideki Harano,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170170112A1. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190080997A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10504839B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9859214B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9627359B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US11670568B2. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US11956945B2. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150357313A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10157837B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008591A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180076126A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160307877A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170207163A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230307422A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12010846B2. Автор: Sungkweon Baek,Hakseon KIM,Jaehwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same

Номер патента: US20020081754A1. Автор: Tomohiro Hosokawa,Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for manufacturing and structure of semiconductor device with polysilicon definition structure

Номер патента: US20030100149A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Calculation method for packing a plurality of wires and calculation apparatus using the same

Номер патента: US20050150680A1. Автор: Kokichi Sugihara,Masayoshi Sawai,Kohki Nagakura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Calculation method for packing a plurality of wires and calculation apparatus using the same

Номер патента: US7337096B2. Автор: Kokichi Sugihara,Masayoshi Sawai,Kohki Nagakura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2008-02-26.

Method for outputting audio data through external device and portable terminal for the same

Номер патента: EP2709002A3. Автор: Byoung-Hee Lee,Seong-Jun Ban,Min-Woo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-11.

Method for estimating battery state of charge and battery management system applying the same

Номер патента: US12085619B2. Автор: Yong Chul Sung. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Security method for monitoring an optical module and three-dimensional sensor using the same

Номер патента: US20200256906A1. Автор: Chia-Ming Fan,Ying Long Ye. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Security method for monitoring an optical module and three-dimensional sensor using the same

Номер патента: US10877080B2. Автор: Chia-Ming Fan,Ying Long Ye. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US6707839B1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: EP1104060A3. Автор: Yasutaka NEC Corporation Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Method for fabricating solid-state image pickup device using charged-coupled devices

Номер патента: WO2006080595A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230061462A1. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor element and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US6132585A. Автор: Hirofumi Ichinose,Tsutomu Murakami,Takahiro Mori,Takafumi Midorikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Method for fabricating capacitor of semiconductor memory device using amorphous carbon

Номер патента: US20060141736A1. Автор: Jae-Chang Jung,Keun-Kyu Kong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230284450A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240357806A1. Автор: Youngho KWON,Jea-Yeon Lee,Seonkyung Kim,Hyunkook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating a solid-state imaging device using photoconductive film

Номер патента: CA1153091A. Автор: Norio Koike,Toshihisa Tsukada,Hideaki Yamamoto,Toru Baji. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-08-30.

Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar

Номер патента: US5989474A. Автор: Yasuhiro Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09960177B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, electric circuit using the same and method of controlling electric circuit

Номер патента: US9293570B2. Автор: Akio Iwabuchi,Hironori Aoki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Method for fabricating vertical light emitting devices and substrate assembly for the same

Номер патента: EP2455986A3. Автор: Jianping Zhang,Chunhui Yan. Владелец: INVENLUX Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20080315369A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and process of forming the same

Номер патента: US20210083092A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8097914B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100052045A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120094452A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7915680B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090152697A1. Автор: Kazuo Kudo,Takumi Soba,Hideaki Tamimoto,Toru Ueguri. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Compound semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20060131607A1. Автор: Hisashi Yamada,Takenori Osada,Noboru Kukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110147841A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8154074B2. Автор: Takeshi Endo,Kensaku Yamamoto,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240298441A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20110133290A1. Автор: Satoru Muramatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240284678A1. Автор: Kijoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315057A1. Автор: Dahhye Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

[structure of thin-film transistor and method and equipment for fabricating the structure]

Номер патента: US20040224446A1. Автор: Wen-Chang Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US8298921B2. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8872261B2. Автор: Hiroshi Ohta,Kiyoshi Kimura,Junji Suzuki,Wataru Saito,Yasuto Sumi,Hiroyuki IRIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080150030A1. Автор: Shigeyuki Yokoyama,Yu Kosuge. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220344368A1. Автор: Sangmin Kang,Sunggil Kim,Jeeseung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for generating low color temperature light and light emitting device adopting the same

Номер патента: US20090066218A1. Автор: Ben Fan. Владелец: Heshan Lide Electronic Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US6433406B1. Автор: Hiroshi Kagiwata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-13.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030011042A1. Автор: Hiroshi Kagiwata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20170069836A1. Автор: Kazuhiro Tomioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9041202B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: EP4310917A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US20240021676A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrally bonded semiconductor device and power converter including the same

Номер патента: US11887904B2. Автор: Daisuke Oya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230354604A1. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim,Joonsung Lim,Youngbum Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and semiconductor package containing the same

Номер патента: US20080122082A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Eiji Takeichi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130062737A1. Автор: Kenji Takahashi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040356A1. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP1484796A3. Автор: Osamu Ikeda,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A3. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A2. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240071907A1. Автор: Woo Sung Yang,Ah Reum Lee,Suk Kang SUNG,Ji Mo GU,Jao Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20160013187A1. Автор: Hao ZHONG,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4262335A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11817475B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Yong-hee Cho,Seungwoo JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230024174A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090200649A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11616074B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096840A1. Автор: JongBo Shim,Eunsu LEE,Sungeun PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230329012A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040183157A1. Автор: Shinichiro Wada,Hiromi Shimamoto. Владелец: Hitachi Display Devices Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098990A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230170295A1. Автор: Jaeduk LEE,Sejun Park,Joonam KIM,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162217A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162216A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20240065002A1. Автор: Dongkyu Kim,Joonsung Kim,Yeonho JANG,Inhyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US11967623B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200258907A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20220181458A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110001228A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100270687A1. Автор: Akira Fujihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8492904B2. Автор: Akira Fujihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230117682A1. Автор: Junghyun Roh,Seungweon Ha,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344378A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8227314B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8564128B2. Автор: Junji Shiota. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240213341A1. Автор: Hitoshi Fujioka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240206174A1. Автор: Yunji Park,Seulye KIM,Sunggil Kim,Moohyun Kim,Sunhwa LIM,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for increasing the light output of microled devices using quantum dots

Номер патента: WO2018183308A1. Автор: Ernest C. Lee. Владелец: NANOSYS, INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for increasing the light output of microLED devices using quantum dots

Номер патента: AU2018244291B2. Автор: Ernest C. Lee. Владелец: Shoei Chemical Inc . Дата публикации: 2024-02-01.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Dual Gate Power Semiconductor Device and Method of Controlling a Dual Gate Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230290869A1. Автор: Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for preparing graphene and said graphene, electronic device using said graphene

Номер патента: US20150266740A1. Автор: Jinsan Moon,Kyungho JUNG,Eunseck Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US20110006834A1. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for combining heat pipes with a fixing base and structure of the same

Номер патента: US20100122799A1. Автор: Ken Hsu,Kuo-Len Lin,Chen-Hsiang Lin,Chih-Hung Cheng,Hwai-Ming Wang. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Battery, electrical device, and method and device for fabricating battery

Номер патента: EP4354618A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Optical semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US11984699B2. Автор: Hiromitsu Kawamura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for producing a hologram and a display device using the same

Номер патента: US20010001579A1. Автор: Kenichiro Takada,Tomoyuki Kanda. Владелец: DENSO Corp AND NIPPON SOKEN Inc. Дата публикации: 2001-05-24.

Method for scanning and processing a negative film and apparatus using the same

Номер патента: US20060238726A1. Автор: Xian-Qiang Guo. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for controlling camera operation based on haptic function and terminal supporting the same

Номер патента: US9667870B2. Автор: Cheolho CHEONG,Dongjin Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US20010033008A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for evolving root of trust and electronic device using the same

Номер патента: US20230072351A1. Автор: Mu-Lin Chao,Lung-Chih CHIEN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for evolving root of trust and electronic device using the same

Номер патента: US12093191B2. Автор: Mu-Lin Chao,Lung-Chih CHIEN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for reducing timing mismatch in sample and hold circuits using the clock

Номер патента: US20010048729A1. Автор: David Martin,Mark Spaeth. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Method For Measuring Coordinate Position And Portable Electronic Device Using The Same

Номер патента: AU2022263592A1. Автор: Chia-Chang Chiu,wei-rong Chen. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Method For Measuring Coordinate Position And Portable Electronic Device Using The Same

Номер патента: AU2022263592B2. Автор: Chia-Chang Chiu,wei-rong Chen. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for preventing misdirection of pictures and electronic device using the same

Номер патента: US09998884B2. Автор: How-Wen CHIEN. Владелец: Chiun Mai Communication Systems Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for dynamically connecting a communication channel and software system using the same

Номер патента: US20240202011A1. Автор: Chun-Hsiao Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Systems and methods for generating a location of a mobile device using base stations locations

Номер патента: WO2011019569A1. Автор: Chand Mehta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for displaying dialing information and mobile communication device using the method

Номер патента: US20090124293A1. Автор: Yuan-Mao TSUEI. Владелец: High Tech Computer Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20140348281A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor Device and IC Card Having The Same

Номер патента: US20090147862A1. Автор: Shigeo Ohyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Load ratio based scheduling method for multiple file transfer tasks and storage device using same

Номер патента: US11463506B2. Автор: Chi-Lung Lin,Chia-Hao Chen,Xiao-Wei HUANG. Владелец: QNAP Systems Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US20230057178A1. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US12066849B2. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for measuring coordinate position and portable electronic device using the same

Номер патента: US11953614B2. Автор: Chia-Chang Chiu,wei-rong Chen. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150042385A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for reaching consensus on public distributed ledgers and system using the same

Номер патента: US20190379546A1. Автор: Ming-Che Chang,Keh-Hwa Shyu,Pin-Jung Chiang. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device and system using the same

Номер патента: US20190132162A1. Автор: Masahiko Nagata,Chizuru Matsunaga,Tsukasa YOBO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for determining DC level of AC signal and DC offset of the same

Номер патента: US20030174601A1. Автор: Chin-Yin Tsai,Keng-Lon Lei. Владелец: Via Optical Solution Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for determining DC level of AC signal and DC offset of the same

Номер патента: US6992954B2. Автор: Chin-Yin Tsai,Keng-Lon Lei. Владелец: Via Optical Solution Inc. Дата публикации: 2006-01-31.

Method for processing a video signal and video display apparatus using the same

Номер патента: EP2019548A3. Автор: Hye-hyun 105 Ever Ville 1250-6 Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-03.

Method for processing a video signal and video display apparatus using the same

Номер патента: US20090027551A1. Автор: Hye-Hyun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Systems and methods for rapid availability of critical functionalities on devices using cellular operating systems

Номер патента: CA2917472C. Автор: Bryce Tennant,Thomas Warsaw. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device and test method of the same

Номер патента: US20160072511A1. Автор: Tomoyuki Maekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

System and method for detecting excessive vibration in a consumer device using computerized modeling

Номер патента: WO2021236206A1. Автор: LIANG Cheng,Neha Dixit. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160254802A1. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and driving method of the same

Номер патента: US20070153565A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroko Abe,Ryoji Nomura,Yuji Iwaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

System and method for detecting and measuring impacts in handheld devices using an acoustic transducer

Номер патента: CA2759668C. Автор: Sheldon Terry Schwandt,Denis Lahaie. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320097A1. Автор: Soo Yong Lee,Jung Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device and Semiconductor System Having The Same

Номер патента: US20230396241A1. Автор: Jae-Woo Seo,Garoom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190138389A1. Автор: Masaaki Hirano,Toru Kawanishi,Tadashi Teranuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240170067A1. Автор: Changyeon Yu,Jeunghwan Park,Hanmin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

System and methods for automatic power management or remote electronic devices using a mobile device

Номер патента: EP2616894A1. Автор: Mark Davidson,Josef Brunner,Rene Seeber. Владелец: JouleX LLC. Дата публикации: 2013-07-24.

Method for generating injected current of fuel cell stack and apparatus performing the same

Номер патента: US20140175890A1. Автор: Jin-ho Cho,Hyun-seok Park,Sung-Mog Yu. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for providing device sharing service in isolation environment and server performing the same

Номер патента: US20230297667A1. Автор: Min Chul Kim,Hyung Sub Kim,Chul Oh Park. Владелец: Ermind Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for deriving a temporal predictive motion vector, and apparatus using the method

Номер патента: CA2937483C. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for maintening transmission control protocol connection and computer system using the method

Номер патента: US20160234316A1. Автор: Shu-Chun Liao,Ching-Ho Tsai,Siang-Sheng Jheng. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Electrode and method of producing the same, and electrochemical device using the same

Номер патента: CA3197001A1. Автор: Masatsugu Morimitsu. Владелец: Doshisha Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for fabricating selector and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240237559A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for non-contact incoming call rejection and communication system using the same

Номер патента: US20150271325A1. Автор: Chien-Cheng Lee,Shang-Fei SHEN. Владелец: YUAN ZE UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for reporting transmission state by internet protocol and network using the same

Номер патента: US20060104272A1. Автор: Youn-Taek Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for reporting transmission state by internet protocol and network using the same

Номер патента: US7505469B2. Автор: Youn-Taek Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-17.

Methods for generating and manipulating the grouped photos and apparatuses using the same

Номер патента: US20150264218A1. Автор: Zhao-Yuan Lin. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240260280A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Joo-Heon Kang,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for limiting voltage of module, and apparatus and system for applying the same

Номер патента: US12081167B2. Автор: Renxian CAO,Zongjun YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems And Methods For Determining A Location Of An Electronic Device Using Bilateration

Номер патента: US20210176602A1. Автор: Neal C. Fairbanks,Frederick R. Nader,Collin M. Rusk. Владелец: Kenmar Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Systems And Methods For Determining A Location Of An Electronic Device Using Bilateration

Номер патента: US20200351622A1. Автор: Neal C. Fairbanks,Frederick R. Nader,Collin M. Rusk. Владелец: Kenmar Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Systems And Methods For Determining A Location Of An Electronic Device Using Bilateration

Номер патента: US20190373415A1. Автор: Neal Fairbanks,Frederick R. Nader,Collin M. Rusk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-05.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for deriving a merge candidate block and device using same

Номер патента: CA2968598C. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20090050871A1. Автор: Yuichi Matsui. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240268113A1. Автор: Jaehoon Lee,Jeehoon HAN,Sanghun Chun,Donghyuck Jang,Kyung Taek CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315034A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432806A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12120882B2. Автор: Jihwan Kim,Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4447632A1. Автор: Sujin PARK,HongSoo KIM,Hee-Sung KAM,Byungjoo Go,Janghee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for reducing PAPR of OFDM signal and OFDM transmitter using the same background

Номер патента: US9692627B2. Автор: Ki Hyun Kim,Byung Su Kang. Владелец: FCI Inc Korea. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for data transmission and base station and user equipment using the same

Номер патента: US20130039295A1. Автор: Chie-Ming Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-02-14.

Method for testing the error ratio of a device using a preliminary probability

Номер патента: US20060002460A1. Автор: Thomas Maucksch,Uwe Baeder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for testing the error ratio of a device using a preliminary probability

Номер патента: EP1502377A1. Автор: Uwe Bader,Thomas Maucksch. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-02-02.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for receiving downlink control information band and user equipment using the same

Номер патента: AU2021202964A1. Автор: Chien-Min Lee. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods for establishing a direct connection between apparatuses and systems using the same

Номер патента: US20160021690A1. Автор: Ming-Fong Yeh. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Method for configuring resource of iab node, and device using method

Номер патента: US20240015705A1. Автор: Hyunsoo Ko,Hyangsun YOU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

System and method for establishing dynamic home agent addresses and home addresses using the mobile ipv6 protocol

Номер патента: EP1779629A1. Автор: Jagadish Maturi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-05-02.

System and method for establishing dynamic home agent addresses and home addresses using the mobile ipv6 protocol

Номер патента: WO2006016266A1. Автор: Jagadish Maturi. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-02-16.

Apparatus and method for laying out wireless cell, and recording medium for programs achieving the same

Номер патента: US7627323B2. Автор: Jun Saito,Tsutomu Hara,Hitoshi Yokota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-12-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230422509A1. Автор: Seongjun Seo,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060033526A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240099012A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10693476B2. Автор: Yuichi Maruyama,Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344382A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240074203A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240215248A1. Автор: Hyun-mook CHOI,Jihong Kim,Chae Lyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for changing pmtu on dynamic ip network and apparatus using the method

Номер патента: EP1491005A4. Автор: Young-Keun Kim,Jae-Hwang Lee,Sun-Woo Kim,Hak-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for dynamic configuration of multimedia content encoder and apparatus for implementing the same

Номер патента: US20240031629A1. Автор: Sassan Pejhan. Владелец: Ateme SA. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for dynamic configuration of multimedia content encoder and apparatus for implementing the same

Номер патента: EP4311242A1. Автор: Sassan Pejhan. Владелец: Ateme SA. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for a symbol enumeration ordering procedure and an apparatus using the method

Номер патента: WO2016198462A3. Автор: Gerhard Fettweis,Esther PEREZ ADEVA. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT DRESDEN. Дата публикации: 2017-01-19.

METHOD FOR PERFORMING CoMP OPERATION IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND APPARATUS FOR THE SAME

Номер патента: US20160353457A1. Автор: Jian Xu,Kyungmin Park,Daewook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for testing the error ratio of a device using a preliminary probability

Номер патента: WO2003096601A8. Автор: Thomas Maucksch,Uwe Baeder. Владелец: Uwe Baeder. Дата публикации: 2004-03-18.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Exposure mask, exposure method, and method of manufacturing optical element

Номер патента: US20100239963A1. Автор: Makoto Ogusu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for producing silver halide grain and silver halide emulsion using the grain

Номер патента: US5587281A. Автор: Junichi Yamanouchi,Mitsuo Saitou,Yoichi Hosoya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-24.

Driving method for in-cell touch display and mobile device using the same

Номер патента: US20170269781A1. Автор: Ho-Nien Yang,Shen-Chia HUANG. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for enhancing quality of audio data, and device using the same

Номер патента: US20230274754A1. Автор: Sungwon Kim,Kanghun AHN. Владелец: Deephearing Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for object segmentation based on deep-learning and system for performing the same

Номер патента: US20220245818A1. Автор: Seung On Bang. Владелец: Gynetworks Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Etalons and methods and systems for fabricating same

Номер патента: US9903759B2. Автор: Dar-Tson SHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Etalons and methods and systems for fabricating same

Номер патента: US20160273964A1. Автор: Dar-Tson SHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for estimating collision risk according to road environment and vehicle system the same

Номер патента: US20240317216A1. Автор: Eunsan JO. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and Methods for Monitoring Operations of an Infusion Delivery Device Using a Pressure Sensor

Номер патента: US20240366868A1. Автор: Scott Stewart,Abigail H. Kruegle. Владелец: Embecta Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

System and method for applying deep learning tools to machine vision and interface for the same

Номер патента: EP4427204A1. Автор: Reto Wyss,John P. PETRY III. Владелец: Cognex Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

System and method for managing service requests of a restoring device using a digital twin

Номер патента: US20240289161A1. Автор: Parminder Singh Sethi,Atishay Jain,Nithish Kn. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Driving method for in-cell touch display and mobile device using the same

Номер патента: US20190346963A1. Автор: Ho-Nien Yang,Shen-Chia HUANG. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for secret notation of alphanumerical access codes and device for performing the same

Номер патента: WO1994012966A1. Автор: Leif Peterson. Владелец: Leif Peterson. Дата публикации: 1994-06-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for enhancing quality of audio data, and device using the same

Номер патента: US11830513B2. Автор: Sungwon Kim,Kanghun AHN. Владелец: Deephearing Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and systems using the same

Номер патента: US20200133721A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices and integrated circuits including the same

Номер патента: US20150179249A1. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170262393A1. Автор: Shigeaki Takaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Integrated optical semiconductor device and optical gyroscope usinng the same

Номер патента: US5724462A. Автор: Ryoji Suzuki,Toshiya Yuhara,Shigehisa Tanaka,Tatemi Ido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1998-03-03.

Method for intelligent control of an elevator and device using the same

Номер патента: US11772931B2. Автор: Shiaw-Herng Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160098280A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Memory self-test circuit, semiconductor device and ic card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20090316488A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory self-test circuit, semiconductor device and IC card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20070279997A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for thermal performance monitoring of a nuclear power plant using the ncv method

Номер патента: US20240296966A1. Автор: Fred Donald Lang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-05.

Shielding method for a part of a screen and portable terminal using the same

Номер патента: US20150169181A1. Автор: Feifei Wang,Maoda XU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for providing fleet service based on smell information and apparatus for the same

Номер патента: US20220405716A1. Автор: Tae Hee Lee,Young Jun Moon,Jae Jun Ha. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Methods for improving the hydrophilicity of contact lenses and contact lenses having the same

Номер патента: US20070097315A1. Автор: Jerome Legerton,Ramazan Benrashid,Ali Dahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and memory card having the same

Номер патента: WO2006038470A1. Автор: Nobuyoshi Nara. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and system using the same

Номер патента: US20220027225A1. Автор: Shinichi Shibahara,Kiyoshi Hayase,Yuki Hayakawa,Yoichi Yuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Method for managing chart using speech recognition and device using same

Номер патента: US20240071581A1. Автор: Byung Joon Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for prognosing the recurrence of gastrointestinal and other cancers using the shc proteins

Номер патента: CA2637195A1. Автор: Raymond A. Frackelton, Jr.,Laurie Jean Hafer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for determining the free chlorine concentration in a tower using the chlorine as an active base

Номер патента: AU2018373314B2. Автор: Claude Grimaud. Владелец: Suez International SAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for Operating Non-Volatile Memory and Data Storage System Using the Same

Номер патента: US20130024610A1. Автор: Hsiao-Te Chang,Jieh-Hsin CHIEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for operating non-volatile memory and data storage system using the same

Номер патента: US8756366B2. Автор: Hsiao-Te Chang,Jieh-Hsin CHIEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-06-17.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US20110010489A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US9098395B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Data writing method for a flash memory, and controller and storage system using the same

Номер патента: US20110087827A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US10942674B2. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for metering water usage of tap water and apparatus using the same

Номер патента: US20230135090A1. Автор: Ki Hyun Kim. Владелец: Geogrid Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Data writing method for non-volatile memory, and controller and storage system using the same

Номер патента: US20110202780A1. Автор: Hong-Lipp Ko. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190187933A1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for compensating voltages and organic light emitting diode display using the same

Номер патента: US20150035736A1. Автор: Chin-I Chiang,Chia Yi LU. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Methods for dynamically selecting a booting operating system and apparatuses using the same

Номер патента: US20150268964A1. Автор: Shu-Lin Chao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for adjusting training of a specific user and server using the same

Номер патента: US20200143698A1. Автор: Ho Cheon Wey,Ki Hyun Park,Dai Il Heo. Владелец: Tekvillecom Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20150063000A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20160260498A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170337982A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9728270B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9343173B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10074442B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-11.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US11455703B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20210183006A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170084318A1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for testing semiconductor chips and semiconductor device

Номер патента: US20020184581A1. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

System and method for applying deep learning tools to machine vision and interface for the same

Номер патента: WO2023075825A1. Автор: Reto Wyss,John P. PETRY III. Владелец: Cognex Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for the univocal marking of materials, and ink for carring out the same

Номер патента: NZ575683A. Автор: Claudio Selva. Владелец: Claudio Selva. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10360105B2. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160179377A1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160372178A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for compensating driving parameters for a display and circuit system for the same

Номер патента: US20230274710A1. Автор: Yung-Chih Chen,Chun-Yuan Shih. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170038428A1. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for detecting defects in a material and a system for accomplishing the same

Номер патента: US20020131631A1. Автор: Hui Ma,Catherine Vartuli,Erik Houge,Mike Antonell,Pam Cavanagh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for providing an on-chip variation determination and integrated circuit utilizing the same

Номер патента: US20160054387A1. Автор: Yipin WU,Heng-Meng LIU,Kok-Tiong TEE. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150332744A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160334827A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20200357445A1. Автор: Yoo Jong Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10921514B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160064049A1. Автор: Byung Deuk Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

System and Method for Transferring Configuration Information to an Embedded Device Using a Command Line Interface

Номер патента: US20090327682A1. Автор: WEI Liu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141691A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor Device and Processor System including the Same

Номер патента: EP2793137A3. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor device and memory system having the same

Номер патента: US20150026364A1. Автор: Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150221395A1. Автор: Tae Kyun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and processor system including the same

Номер патента: US20140310452A1. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141687A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190391325A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160336058A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for event log management of memory errors and server computer utilizing the same

Номер патента: US20200341831A1. Автор: Rui-Guang Chen,Chuan-Chieh WANG. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for thermal performance monitoring of a nuclear power plant using the ncv method

Номер патента: US20240127978A1. Автор: Fred Donald Lang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for classifying fundus image of subject and device using same

Номер патента: US12008748B2. Автор: Hyun-Jun Kim,Kyuhwan JUNG,Jae Min SON,Sang Keun KIM. Владелец: Vuno Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for generating neural network model and control device using neural network model

Номер патента: US20210390412A1. Автор: Masatoshi Ogawa,Noriyasu Aso. Владелец: TRANSTRON INC. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Photoactivated blood products and methods and apparatus for fabrication and use of same

Номер патента: EP3976109A1. Автор: JR. Nicholas William MEDENDORP,Katelyn REIGHARD CRIZER. Владелец: Know Bio LLC. Дата публикации: 2022-04-06.

Scrub-resistant ink and methods and apparatus for fabrication and use thereof

Номер патента: US20220306879A1. Автор: Eric Stroud,Gary J. Pieringer. Владелец: VISCOT MEDICAL LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Scrub-resistant ink and methods and apparatus for fabrication and use thereof

Номер патента: US20200392356A1. Автор: Eric Stroud,Gary J. Pieringer. Владелец: VISCOT MEDICAL LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Bone plug anchoring device and method for anchoring one or more tendons or other grafts using the bone plug anchoring device

Номер патента: US20010018613A1. Автор: Douglas Huene. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: US20020173015A1. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: WO2002092497A3. Автор: Axel Scherer. Владелец: Axel Scherer. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: WO2002092497A2. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-11-21.

Plating pretreatment solution and method for producing aluminum substrate for hard disk devices using same

Номер патента: MY162728A. Автор: Takahiro Yoshida,Nobuaki Mukai. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

Method for manufacturing a hoisting rope, hoisting rope and elevator using the same

Номер патента: WO2016059165A1. Автор: Hannu Lehtinen,Riku Lampinen. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-21.

Color slide fastener and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010007376A1. Автор: Young-Chul Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for moving and positioning of glass sheets and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2266263C2. Автор: Петер ЛИЗЕЦ. Владелец: Текнопат Аг. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for protecting laser working unit against dust and device for performing the same

Номер патента: RU2265507C2. Автор: Манфред ЙЕНДИК. Владелец: Рексам Аб. Дата публикации: 2005-12-10.

Bellows core and method and apparatus for fabrication thereof

Номер патента: US4924756A. Автор: Amitava Datta,Donald N. Berube. Владелец: EG&G Sealol Inc. Дата публикации: 1990-05-15.

Lamp and method and apparatus for fabricating lamp

Номер патента: US7575495B2. Автор: Kazuhiro Yamazaki,Fujihiko Sugiyama,Chiharu Matsunaga,Masahiro Enoki. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Tray for transporting semiconductor device and tray system comprising the same

Номер патента: US20240286788A1. Автор: Jae Hong Park,Tae-Geon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Free air dilution smoke filter and method and apparatus for fabricating same

Номер патента: CA1182712A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-02-19.

Cu-based alloy and method of manufacturing high strength and high thermal conductive forged article using the same

Номер патента: CA2418492C. Автор: Kazuaki Mino. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Method for reducing printing position error and image forming apparatus using the same

Номер патента: US7192205B2. Автор: Hyoung-Il Kim,Kyung-Pyo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for emulsifying a triepitope peptide with montanide and kits for performing the same

Номер патента: EP3082854A1. Автор: Jeanne Menez-Jamet. Владелец: Vaxon Biotech SA. Дата публикации: 2016-10-26.

Method for Emulsifying a Triepitope Peptide with Montanide and Kits for Performing the Same

Номер патента: US20190151427A1. Автор: Jeanne Menez-Jamet. Владелец: Vaxon Biotech SA. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for emulsifying a triepitope peptide with montanide and kits for performing the same

Номер патента: US20170000866A1. Автор: Jeanne Menez-Jamet. Владелец: Vaxon Biotech SA. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for preparing modified silica film and modified silica film prepared from the same

Номер патента: US20140323630A1. Автор: Shigeto Kobori. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Prefabricated lath panel and method of installation of a covering onto a pre-existing substructure using the same

Номер патента: CA2973269C. Автор: Jasmin Cameron. Владелец: 9151-1626 Quebec Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for producing a homogeneous mixture and the homogeneous mixture using the same

Номер патента: US20240149227A1. Автор: Pio KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for producing and harvesting ethanol and apparatus for producing and harvesting the same

Номер патента: WO2011092638A2. Автор: Dan Nilsson. Владелец: Scale Biofuel ApS. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020101483A1. Автор: Ryoichi Yamamoto,Masao Mitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for manufacturing a fish sauce and a fish sauce prepared by the same

Номер патента: CA2888314C. Автор: Ho Woo Lee,Ji Young Oh,Dae Ik Kang. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing a 3d shaped article, and device using a sieve plate

Номер патента: US20230321723A1. Автор: Ingo Ederer,Alfred Grießer,David Deck. Владелец: Exentis Group Ag. Дата публикации: 2023-10-12.

Roll stocker and method for fabricating liquid crystal display device using the same

Номер патента: US20090180844A1. Автор: Byoung Chul Choi,Jung Seung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for removing basic components having disagreeable odors from a gas containing the same

Номер патента: CA1099487A. Автор: Zenya Shiiki,Masaaki Nakao. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 1981-04-21.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ENERGY MANAGEMENT

Номер патента: US20120004784A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120002071A1. Автор: Nishiyama Tomohiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR DELIVERING A STENT INTO AN OSTIUM

Номер патента: US20120004717A1. Автор: KROLIK Jeff,Khosravi Fred,Sanati Arashmidos,Kim Elliot. Владелец: INCEPT LLC. Дата публикации: 2012-01-05.