Semiconductor device and manufacturing method of the same
Номер патента: US7915680B2
Опубликовано: 29-03-2011
Автор(ы): Mutsuo Morikado
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-03-2011
Автор(ы): Mutsuo Morikado
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with pi-shaped semiconductor conductive layer and method for making the same
Номер патента: US20100117151A1. Автор: Jyi-Tsong Lin,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2010-05-13.