Semiconductor device including interconnection structure including mxene and method of manufacturing the same
Номер патента: US20230123138A1
Опубликовано: 20-04-2023
Автор(ы): Jae Hyun Han, Won Tae KOO
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-04-2023
Автор(ы): Jae Hyun Han, Won Tae KOO
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Interconnect structure including a heat dissipation layer and methods of forming the same
Номер патента: US11996363B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.