Semiconductor device and manufacturing method of the same
Номер патента: US20160163792A1
Опубликовано: 09-06-2016
Автор(ы): Kazuya Hasegawa, Nariaki Tanaka, Noriaki Murakami, Takahiro Sonoyama, Tohru Oka
Принадлежит: Toyoda Gosei Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-06-2016
Автор(ы): Kazuya Hasegawa, Nariaki Tanaka, Noriaki Murakami, Takahiro Sonoyama, Tohru Oka
Принадлежит: Toyoda Gosei Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure
Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.