Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same
Номер патента: US7276725B2
Опубликовано: 02-10-2007
Автор(ы): Byung Soo Eun
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-10-2007
Автор(ы): Byung Soo Eun
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having fluorine-added carbon dielectric film and method of fabricating the same
Номер патента: EP1947685A2. Автор: Takashi Akahori,Akira Suzuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-23.