Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor
Номер патента: US20080210976A1
Опубликовано: 04-09-2008
Автор(ы): Kaiping Liu
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-09-2008
Автор(ы): Kaiping Liu
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region
Номер патента: US20240047517A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.