Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor

Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080210976A1
Опубликовано: 04-09-2008
Автор(ы): Kaiping Liu
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: US20240047517A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A3. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210320187A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9711627B2. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293745A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170288043A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Ploss Reinhard. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device having a conductive contact in direct contact with an upper surface and a sidewall of a gate metal layer

Номер патента: US11855217B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Super-Junction Semiconductor Device Comprising Junction Termination Extension Structure and Method of Manufacturing

Номер патента: US20160322490A1. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for the same

Номер патента: US20240096962A1. Автор: Hiroaki Katou,Junpei HISADA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080057656A1. Автор: Jin Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP4310888A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240105851A1. Автор: Chen-Hua Tsai,Shyh-Horng Yang,Jiefeng Jeff Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20170288021A1. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device capable of having amorphous carbon fluoride film of low dielectric constant as interlayer insulation material and method of manufacturing the same

Номер патента: US6329295B1. Автор: Yoshihisa Matsubara,Kazuhiko Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: WO2003075326A3. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

RF switch device having a highly resistive substrate, an isolation layer therein or thereon, and a trap-rich layer therein or thereon

Номер патента: US11830908B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jin Hyo Jung,Sang Gil Kim,Ki Hun Lee,Seung Ki KO,Tae Ryoong PARK,Kyong Rok KIM. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030211694A1. Автор: Tatsuhiko Fujihira,Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030211693A1. Автор: Tatsuhiko Fujihira,Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Process for the preparation of semiconductor devices

Номер патента: US5158904A. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus

Номер патента: US12062544B2. Автор: Takashi Yoshimura,Takeshi Aiba,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device including a mesa groove and a recess groove

Номер патента: US9985127B2. Автор: Nariaki Tanaka,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US20170288050A1. Автор: Nariaki Tanaka,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus

Номер патента: US20210111026A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takeshi Aiba,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US9401301B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Semiconductor device with contracted isolation feature

Номер патента: US20210050269A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of manufacturing a semiconductor device wiring layer having an oxide layer between the polysilicon and silicide layers

Номер патента: US6586345B1. Автор: Toshiaki Ohmori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024060220A1. Автор: Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: TW200305942A. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-01.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: AU2002359813A8. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US7309627B2. Автор: Osamu Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US20060014341A1. Автор: Osamu Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20150179813A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Junya Maruyama,Akihisa Shimomura,Yasuhiro Jinbo,Fumito Isaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20120007078A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Junya Maruyama,Akihisa Shimomura,Yasuhiro Jinbo,Fumito Isaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120070970A1. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8518810B2. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2606246C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of a bridge between a recess gate and a PLC plug

Номер патента: US7855109B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device including trench with at least one of an edge of an opening and a bottom surface being round

Номер патента: US7067874B2. Автор: Katsumi Nakamura,Tadaharu Minato,Katsuomi Shiozawa,Shuuichi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-06-27.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20190319125A1. Автор: Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20210343700A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088486A1. Автор: Lu-Ping chiang,Chun-Hsu Chen,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US7153770B2. Автор: Chel-jong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170053A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10714375B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321239A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240088223A1. Автор: Chun-Han Chen,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190035792A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150279747A1. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9355916B2. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030107101A1. Автор: Kaoru Inoue,Hiroyuki Masato,Yoshito Ikeda,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Tsutomu Murakawa,Naoto Yamade,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20230268402A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device on SOI substrate

Номер патента: US5920094A. Автор: Myung-Hee Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of Manufacturing Semiconductor Devices with Multiple Silicide Regions

Номер патента: US20230369130A1. Автор: Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,Yan-Ming Tsai,Hung-Hsu CHEN,Wei-Yip Loh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20200126964A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device layout

Номер патента: US11784180B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device layout

Номер патента: US20240047452A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20180358466A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device having fin structure

Номер патента: US20240153940A1. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Shun-Li Chen,Pin-Dai Sue,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US8610221B2. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180350938A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device having an extrinsic base region with a monocrystalline region and method therefor

Номер патента: EP4386854A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device having an extrinsic base region with a monocrystalline region and method therefor

Номер патента: US20240204086A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical PN junction between body region and drift structure

Номер патента: US10964808B2. Автор: Roland Rupp,Andreas Meiser,Romain Esteve. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240243007A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including dummy gate part and method of fabricating the same

Номер патента: US8053845B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Hong-Soo Kim,Jin-Sook Choi,Sang-youn Jo,Byoung-Ho Kwon,Se-rah Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020048961A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082918A1. Автор: Yoshiharu Takada,Kazuo Fujimura,Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact

Номер патента: US12040360B2. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Minhyun LEE,Haeryong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150243523A1. Автор: Jinghua Ni,Fenglian Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258379A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US9484414B2. Автор: Hirofumi Yamamoto,Toru Hiyoshi,Shinji Matsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7211859B2. Автор: Yong-Soo Cho. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105720A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US10269575B2. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US20160196983A1. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230317522A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having an etch stopper formed of a SiN layer by low temperature ALD and method of fabricating the same

Номер патента: US20050142781A1. Автор: Joo-Won Lee,Jae-Eun Park,Kang-soo Chu,Jong-Ho Yang. Владелец: Chu Kang-Soo. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9953894B2. Автор: Yoshiharu Takada,Kazuo Fujimura,Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE THAT IS BURIED IN AN ACTIVE REGION AND A DEVICE ISOLATION FILM

Номер патента: US20160308030A1. Автор: SONG Kang Yoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US8697509B2. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Structure Combining an IC Integrated Substrate and a Carrier, and Method of Manufacturing such Structure

Номер патента: US20070145602A1. Автор: Chih-Kuang Yang. Владелец: Princo Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device with a field plate having a recessed region and an overhanging portion and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4394885A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with a field plate having a recessed region and an overhanging portion and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240222443A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10483276B2. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190035800A1. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device including nitride layer

Номер патента: US20040031985A1. Автор: Masao Inoue,Junichi Tsuchimoto,Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device including surface-treated semiconductor layer

Номер патента: US12046656B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US9786742B2. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

A method for patterning layers of semiconductor devices

Номер патента: WO2002015231A2. Автор: Steffen Schneider,Virinder Grewal,Lars Paschedag,Ricky Mc Gowan. Владелец: Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20090200575A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device by plasma etching of a double layer

Номер патента: US4698126A. Автор: Anton P. M. Van Arendonk,Alfred J. Van Roosmalen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-10-06.

Multiple gate field-effect transistors having various gate oxide thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US20240243016A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Wei Lee,Zoe Chen,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20210020761A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of forming a roughened surface capacitor with two etching steps

Номер патента: US5445986A. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10090322B2. Автор: Takashi Nakagawa,Toshiyuki Kikuchi,Masanori Nakayama,Atsushi Moriya,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295140A1. Автор: Hiroshi Kono,Masaru Furukawa,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US11764284B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device and operating method

Номер патента: US20230369408A1. Автор: Marco Bellini,Jan Vobecky,Lars Knoll,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130341646A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240096711A1. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha,Pauline Calka,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230299074A1. Автор: Jianping Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150097275A1. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Yoshiaki Kominami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US11855215B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10566244B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160005605A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200006153A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200135582A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Manufacturing method for semiconductor device including first and second thermal treatments

Номер патента: US9786513B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070117395A1. Автор: Masato Fujita,Toshihisa Koretsune. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9269619B2. Автор: Fumio Sasaki,Hisao Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240105775A1. Автор: Chih-Yung Lin,Hsiao-Han Liu,Chung-Yu Chiang,Yuan-Hung TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with selectively grown field oxide layer in edge termination region

Номер патента: US20230420577A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,Woongsun Kim,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11923420B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210288147A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device having outer terminal portions with conductive layer on outer end surfaces and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11887915B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device which includes a capacitor and an interconnection film coupled to each other and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20080135979A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Wafer level chip scale package having an enhanced heat exchange efficiency with an emf shield and a method for fabricating the same

Номер патента: US20120049385A1. Автор: Sung Min Kim,Ha Na Lee,Chang Jun Park,Kwon Whan Han,Seong Cheol Kim,Tac Keun OH,Hyeong Seok Choi,Sang Joon LIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Structure combining an ic integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure

Номер патента: US20080023811A1. Автор: Chih-Kuang Yang. Владелец: Princo Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor die with improved thermal insulation between a power portion and a peripheral portion, method of manufacturing, and package housing the die

Номер патента: US11948927B2. Автор: Davide Giuseppe Patti,Mario Antonio ALEO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor die with improved thermal insulation between a power portion and a peripheral portion, method of manufacturing, and package housing the die

Номер патента: US20200243496A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Mario Antonio ALEO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor die with improved thermal insulation between a power portion and a peripheral portion, method of manufacturing, and package housing the die

Номер патента: US20210375839A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Mario Antonio ALEO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-12-02.

Vacuum adsorption apparatus and a vacuum adsorption method of semiconductor package

Номер патента: US20150311059A1. Автор: Yong-Ki Kim,Joo-Hoon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

A method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step and a device produced thereby

Номер патента: WO1997036319A1. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: Abb Research Limited. Дата публикации: 1997-10-02.

Method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step

Номер патента: US5674765A. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1997-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080102575A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11749749B2. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Aketa,Takui Sakaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US11469252B2. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8803324B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190378757A1. Автор: Sheng Zhang,Li-Da Huang,Chee-Hau Ng,Chien-Kee Pang,Wei-Hui Gao,Wen-Bo Ding,Wen-Shen Li,Xiaoyuan Zhi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20160005860A1. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266257A1. Автор: Jongmin Baek,Jinnam Kim,Hyoseok CHOI,Seungmin LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222430A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Huang-Chao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057506B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9653283B2. Автор: Jinghua Ni,Fenglian Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120012905A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Chung-Lin Huang,Tzung Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090309166A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Fabrication method for single and dual gate spacers on a semiconductor device

Номер патента: US20070015324A1. Автор: Chih-Cheng Wang,Chao-Hsi Chung,Chu-Chun Hu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20030124839A1. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11894460B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230378352A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130075787A1. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200373227A1. Автор: Masahiko Nakamura,Yosui FUTAMURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: EP4421861A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: US20240290689A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100001352A1. Автор: Tadashi Fukase,Gen Tsutsui. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072176A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11817506B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230378372A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20070190726A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210375882A1. Автор: Da-Zen Chuang,Pin-Hsiu Hsieh,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US10991811B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US20240079266A1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20200350420A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180277545A1. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US11171223B2. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

FINFET structure and method of forming same

Номер патента: US9899380B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Finfet structure and method of forming same

Номер патента: US20160240530A1. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US20160079183A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140295662A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130113111A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9040414B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20170133264A1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Myung-Yoon Um,Gi-gwan PARK,Hyung-Dong Kim,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210166978A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240154010A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Meng-Han Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

A semiconductor device having a metal barrier layer for a dielectric material having a high dielectric constant and method of manufacture thereof

Номер патента: AU2411300A. Автор: Pradip K. Roy,Sailesh M. Merchant,Glenn B. Alers. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240063306A1. Автор: Ki Hwan Kim,Young Dae Cho,Su Jin Jung,Sung Uk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20220302294A1. Автор: Hung Hung,Hitoshi Kobayashi,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US11843053B2. Автор: Ki Hwan Kim,Young Dae Cho,Su Jin Jung,Sung Uk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods, apparatus, and manufacturing system for self-aligned patterning of contacts in a semiconductor device

Номер патента: US20200066588A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210287944A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yu-Shu Lin,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and chip singulation method

Номер патента: US11798986B2. Автор: Takeshi Harada,Shinya Oda,Yoshihiro Matsushima,Yoshihiko Kawakami. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210036020A1. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and chip singulation method

Номер патента: US20220013633A1. Автор: Takeshi Harada,Shinya Oda,Yoshihiro Matsushima,Yoshihiko Kawakami. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and chip singulation method

Номер патента: US20220059651A1. Автор: Takeshi Harada,Shinya Oda,Yoshihiro Matsushima,Yoshihiko Kawakami. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11963364B2. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230019055A1. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12027614B2. Автор: Hung Hung,Hitoshi Kobayashi,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7354851B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11799034B2. Автор: Yukinori Shima,Masakatsu Ohno,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420571A1. Автор: Yukinori Shima,Masakatsu Ohno,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US20220293740A1. Автор: Yasushi Higuchi,Masahiro Sugimoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device structure with semiconductor wire

Номер патента: US20200075427A1. Автор: I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Tung-Ying Lee,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080102580A1. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20210083046A1. Автор: Chih-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098307A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20220278239A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device structure

Номер патента: US11784252B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150318368A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140370670A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor substrate structure and semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20200020573A1. Автор: Chih-Hung Lin,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor Devices Having Plug Contact Holes Extended Downward From The Main Surface Of A Semiconductor Substrate And Methods Of Fabricating Thereof

Номер патента: KR100607174B1. Автор: 윤철주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Semiconductor devices having plug contact holes extending downward from a main surface of a semiconductor substrate and methods of forming the same

Номер патента: US20050186732A1. Автор: Cheol-ju Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320181A1. Автор: Liu Han,Xin-Yong WANG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240128125A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Chia-Ling PAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240313151A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device having interconnections located both above a semiconductor region and above an isolation region adjoining it

Номер патента: US4973562A. Автор: Hubertus J. den Blanken. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor devices having planarized insulation layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120214316A1. Автор: Sung-Min Cho,Se Jung Park,Yi Koan Hong,Jin-Woo Bae,Inseak Hwang,Myangsik Han,YoungHo Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a silicon wafer is provided at its surface with field oxide regions

Номер патента: CA1330195C. Автор: Paulus A. Van Der Plas,Wilhelmina C. E. Snels. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8823155B2. Автор: Toshio NAKASAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120091555A1. Автор: Toshio NAKASAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for manufacturing a semiconductor device having a dummy section

Номер патента: US20230386922A1. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of preparing semiconductor materials

Номер патента: GB1307030A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1973-02-14.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: EP4362115A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device with stacked dies and method for fabricating the same

Номер патента: US20220367415A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Methods of semiconductor contaminant removal using supercritical fluid

Номер патента: US20140353805A1. Автор: Xunyuan Zhang,Kunaljeet Tanwar,Errol Todd Ryan,Christian Witt,Ming He,Larry Zhao,Nicholas Vincent LICAUSI,Moosung M. CHAE,Ailian Zhao,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, integrated circuit element, and method for manufacturing integrated circuit element

Номер патента: US20240170475A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10636797B2. Автор: Wen-Fu Huang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with multi-layer connecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220020636A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2849232A3. Автор: Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-06.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20230326795A1. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: EP4333075A1. Автор: Yasushi Higuchi,Shinpei Matsuda,Masahiro Sugimoto,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055471A1. Автор: Yasushi Higuchi,Shinpei Matsuda,Masahiro Sugimoto,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Methods of forming semiconductor device packages including a semiconductor device and a redistribution element, methods of forming redistribution elements and methods for packaging semiconductor devices

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Light emitting diode structure utilizing zinc oxide nanorod arrays on one or more surfaces, and a low cost method of producing such zinc oxide nanorod arrays

Номер патента: US20130328012A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel B. Thompson,Jacob J. Richardson,Ingrid Koslow,Frederick F. Lange,Jun-Seok Ha. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-12-12.

Light emitting diode structure utilizing zinc oxide nanorod arrays on one or more surfaces, and a low cost method of producing such zinc oxide nanorod arrays

Номер патента: WO2011056854A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Jun Seok Ha,Daniel B. Thompson,Jacob J. Richardson,Ingrid Koslow,Frederick F. Lange. Владелец: Lange, Maryann E.. Дата публикации: 2011-05-12.

Arrays Of Memory Cells Individually Comprising A Capacitor And A Transistor And Methods Of Forming Such Arrays

Номер патента: US20200219807A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor and methods of forming such arrays

Номер патента: EP3750181A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same

Номер патента: US8946755B2. Автор: Eric Tarsa,Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Display device having a plurality of main pads, a plurality of redundant pads, and a light-emitting device in a display area

Номер патента: US12021179B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Kuan-Feng Lee,Yuan-Lin Wu,Jia-Yuan Chen. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

System comprised of a chip and a substrate and method of assembling such a system

Номер патента: EP2104949A2. Автор: Anton Salfelner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-09-30.

Arrays Of Memory Cells Individually Comprising A Capacitor And A Transistor And Methods Of Forming Such Arrays

Номер патента: US20190295941A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor and methods of forming such arrays

Номер патента: US10615114B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor and methods of forming such arrays

Номер патента: WO2019182742A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20140183177A1. Автор: Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210226053A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20180102429A1. Автор: Sung-Soo Kim,Sun-ki MIN,Koung-Min RYU,Song-E KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11943936B2. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Wen Zhang Lin,Chrong Jung Lin,May-Be Chen,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230387291A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240072121A1. Автор: Hiroshi Kono,Tatsuo Shimizu,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US6054752A. Автор: Rajesh Kumar,Tsuyoshi Yamamoto,Yuichi Takeuchi,Mitsuhiro Kataoka,Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373146A1. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200212171A1. Автор: Manabu Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20090130848A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20070090472A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046676B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Yi-Shan Chen,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US12080707B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US11770922B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210242218A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20230124829A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2007092653A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-08-16.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240203785A1. Автор: Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu Chun Chang,Shih Hung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US12087840B2. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US11908864B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240153953A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor Device

Номер патента: US20090173969A1. Автор: Koji Hirata,Akira Suzuki,Masayoshi Kosaki,Junjiro Kikawa. Владелец: Ritsumeikan University. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007139231A1. Автор: Koji Hirata,Akira Suzuki,Masayoshi Kosaki,Junjiro Kikawa. Владелец: Ritsumeikan University. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230352545A1. Автор: Keiji Wada,Naoki Izumi,Daisuke Ichikawa,Bungo Tanaka,Mitsuhide Kori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with elongated pattern

Номер патента: US20220384268A1. Автор: Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240304617A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11864378B2. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Hongkun SHEN,Qiuhu PANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: US20130099851A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230067696A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Yi-Shan Chen,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230097227A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: EP2502267A2. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: WO2011063292A2. Автор: Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-05-26.

A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, AN ESD PROTECTION CIRCUITRY, AN INTEGRATED CIRCUIT AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150311193A1. Автор: BESSE PATRICE,LAINE Jean Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device including conductive nitride feature and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20240006505A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Hsu-Kai Chang,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device structure with high voltage device

Номер патента: US11942543B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Chen-Chien Chang,Chih-Yuan Chan,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160064338A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Yen-Ping Wang,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for the epitaxial manufacture of a semiconductor device having a multi-layer structure

Номер патента: US4274890A. Автор: Jacques J. Varon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1981-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20030030113A1. Автор: Eiji Nishibe,Masaaki Momen,Suichi Kikuchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230361111A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10658369B2. Автор: Kun-Hsin Chen,Tsuo-Wen Lu,Po-Chun Chen,Hsuan-Tung Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200243541A1. Автор: Kun-Hsin Chen,Tsuo-Wen Lu,Po-Chun Chen,Hsuan-Tung Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US3555373A. Автор: Yoshiyuki Kawana,Saburo Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1971-01-12.

Gate contact and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US12002885B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US20220085190A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11049856B2. Автор: Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Tsubasa INOUE. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240038856A1. Автор: Ya Wang,Wenxiang Xu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Dongmen SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20190296133A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200294934A1. Автор: Tsutomu Fujita,Akira Tomono,Takanobu Ono,Ippei Kume. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor epitaxial structure and semiconductor device

Номер патента: US20230026388A1. Автор: Zhibin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor epitaxial structure and semiconductor device

Номер патента: EP4113580A1. Автор: Zhibin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

A double-channel semiconductor device

Номер патента: WO2023244222A1. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Brian Harold Floyd. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US11984445B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

A circuit cell for a standard cell semiconductor device

Номер патента: EP4273929A1. Автор: Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Bilal Chehab. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor device with elongated pattern

Номер патента: US11978672B2. Автор: Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764272B2. Автор: Cesar Augusto Braz,Alessandro Ferrara,David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294769A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4610076A. Автор: Seiji Ueda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1986-09-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180269212A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device having multi-gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2005078804A1. Автор: You-Seung Jin,Jeong-hwan Yang,Jung-A Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device including an electrode having a part with an inverse tapered shape

Номер патента: US10546953B2. Автор: Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device with active pattern including a transition pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US12040324B2. Автор: Jae Hyun Lee,Jong Ha Park,Seong-Ho Song,Jong Han Lee,Jong Hoon BAEK,Da Bok JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20220223697A1. Автор: Phil Rutter,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Insulated gate semiconductor device having trench gate and inverter provided with the same

Номер патента: US5828100A. Автор: Yutaka Kobayashi,Akihiko Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20220165858A1. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130119484A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-16.

Superjunction semiconductor device with different effective epitaxial layer thicknesses and method of manufacturing same

Номер патента: US20220285487A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Won Kook CHO. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194739A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Tatsuo Shimizu,Tatsuya Nishiwaki,Shotaro BABA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8816408B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178608A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11894427B2. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10192962B2. Автор: Yuto OSAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8330233B2. Автор: Tomoyuki OMORI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6140183A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343838A1. Автор: Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220173243A1. Автор: Kilian ONG,Benjamin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12009425B2. Автор: Takahiro Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20120001260A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Hsueh I. Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device of high breakdown voltage

Номер патента: US4990982A. Автор: Kazuaki Miyata,Kayoko Omoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-02-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100207202A1. Автор: Yasuhiko Ueda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10181545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Shigeki Komori,Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11791393B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210126099A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20240170549A1. Автор: Le Li. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230361190A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, AN ESD PROTECTION CIRCUITRY, AN INTEGRATED CIRCUIT AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221633A1. Автор: BESSE PATRICE,LAINE Jean Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-08-06.

A semiconductor device comprising an esd protection device, an esd protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2014020372A1. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US11843055B2. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7132686B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Taketomi Asami,Hiroshi Shibata,Yasuyuki Arai,Hiroki Adachi,Naoya Sakamoto,Toru Takayama,Masahiko Hayakawa,Ritsuko Kawasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Finfet cascode laterally-diffused semiconductor device

Номер патента: US20190131402A1. Автор: Akira Ito,Qing Liu. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US20240113223A1. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180308960A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device structure for anti-fuse

Номер патента: US20080258217A1. Автор: Yuan-Feng Chen. Владелец: Applied Intellectual Properties Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190103408A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US20210384308A1. Автор: Nariaki Tanaka,Go NISHIO. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11670696B2. Автор: Nariaki Tanaka,Go NISHIO. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190157445A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Method of manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure and memory

Номер патента: US20230147028A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20210399108A1. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11139382B2. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220045207A1. Автор: Dong Fang,Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device with dummy gates in peripheral region

Номер патента: US11784231B2. Автор: Takahisa Kanemura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4300559A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134970A1. Автор: Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20220415884A1. Автор: Masakiyo Sumitomo,Shuichi Toriyama,Tasbir RAHMAN. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105820A1. Автор: Yoko Iwakaji,Takako Motai,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including gate structures and gate isolation structure

Номер патента: EP4336549A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device with non-volatile memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378284A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho,Jae Hoon Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20190288036A1. Автор: Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11177381B2. Автор: Hiroaki Katou,Tatsuya Nishiwaki,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20190287961A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210083103A1. Автор: Hiroaki Katou,Tatsuya Nishiwaki,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220393008A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Tatsuo Shimizu,Yusuke Kobayashi,Hiroki Nemoto,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20220181436A1. Автор: Yasuhiro Murase,Tomoyuki Ashimine,Yuji Irie. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200058738A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20110018101A1. Автор: Tomoyuki OMORI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20210020788A1. Автор: Teruaki Kumazawa,Yusuke Yamashita,Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11387372B2. Автор: Teruaki Kumazawa,Yusuke Yamashita,Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Silicon-on-insulator semiconductor device with a static random access memory circuit

Номер патента: US20240015945A1. Автор: Promod Kumar,Olivier Weber,Pascal Urard,Christophe Lecocq,Kedar Janardan Dhori,Shafquat Jahan Ahmed. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170294518A1. Автор: Yuto OSAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190123154A1. Автор: Yuto OSAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324181A1. Автор: Jongmin Kim,Ho-ju Song,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170365571A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020135028A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150262959A1. Автор: Kazuya Kodani,Hitoshi Matsumura,Yo Sasaki,Nobumitsu Tada,Hideaki Kitazawa,Daisuke Hiratsuka,Yuuji Hisazato,Hiroki Sekiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20140167192A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor device having a multi-layer diffusion barrier and method of making the same

Номер патента: US11742393B2. Автор: Ding-I Liu,Jyh-Nan Lin,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of fabricating semiconductor device with STI structure

Номер патента: US7572713B2. Автор: Takanori Matsumoto,Katsuya Ito,Hiroaki Tsunoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20210057286A1. Автор: Po-Nien Chen,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin,Zhen Geng,Kitchun Kwong,Taicheng Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047294A1. Автор: Katsuhiko Kondo,Takuya SHIRATSURU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240087983A1. Автор: Daewoong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160322287A1. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220028839A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20230305226A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US11703639B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US12092862B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having multiple gate oxide layers and method of manufacturing thereof

Номер патента: MY129910A. Автор: Inki Kim,Sang Yeon Kim,Min Paek,Ong Boon Teong,Oh Choong Young,Ng Chun Leng,Joung Joon Ho. Владелец: SilTerra Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device having a through electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: US10269683B2. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Combined structure of flexible semiconductor device package and method of transporting the flexible semiconductor device

Номер патента: US20180261446A1. Автор: Maohua Du. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor chip package and method of assembly

Номер патента: US20230032658A1. Автор: Stefan Steinhoff. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and alignment mark

Номер патента: US20170062350A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290694A1. Автор: Ryotaro KAKIZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method for same

Номер патента: EP4239669A1. Автор: Kazuyoshi Watanabe,Yuichi Ono,Junichi Takeya,Han Nozawa. Владелец: Organo Circuit Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20230255038A1. Автор: Kazuyoshi Watanabe,Yuichi Ono,Junichi Takeya,Han Nozawa. Владелец: Organo Circuit Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11915925B2. Автор: Naoko Tsuji. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176358A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190287925A1. Автор: Kazuhiro OOSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210118472A1. Автор: Youjin JUNG,Hongseon KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device

Номер патента: US12082350B2. Автор: Shingo Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202412A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Process for fabricating semiconductor devices and a semiconductor device comprising a chip with through-vias

Номер патента: US20110278733A1. Автор: Eric Saugier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20220270969A1. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2678509C1. Автор: Акинори САКАКИБАРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145350A1. Автор: Chi-Yuan Chen,Shih-Chin Lin,Pu-Shan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of manufacturing a glass passivation type semiconductor device

Номер патента: CA1226074A. Автор: Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150043228A1. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Junichi Asada,Takeshi Ikuta,Hideyuki Kogure,Yuuta YAMADA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device having air cavity

Номер патента: US20230326789A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Print head substrate and method of manufacturing the same, and semiconductor substrate

Номер патента: US20180326725A1. Автор: Koichi Ishida,Masataka Sakurai,Ryo Kasai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200381366A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Chu LIN,Hung-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240038686A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200211942A1. Автор: Shun-Tsat TU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230275043A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220406676A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Li-Hui Cheng,Pu Wang,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device with reduced heat-induced loss

Номер патента: US20120056309A1. Автор: Youngsuk Kim. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243920A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US10002907B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170243809A1. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Adhesive composition and semiconductor device production method

Номер патента: US11795356B2. Автор: Keiko Ueno,Kazutaka Honda. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9698199B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices including scribe lane and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11756843B2. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US20020037616A1. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230352370A1. Автор: George Scott,Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240032272A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11812602B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049117A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Structure and formation method of semiconductor device with stacked conductive structures

Номер патента: US20210225697A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080054475A1. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US6545349B2. Автор: Masachika Masuda,Tamaki Wada,Akihiko Iwaya. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249369A1. Автор: Chieh-Chen Fu,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240096766A1. Автор: Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Hyeong Il Jeon. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, ESD PROTECTION DEVICES AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170179111A1. Автор: BESSE PATRICE,Salles Alain,HUOT-MARCHAND ALEXIS,Laine Jean-Philippe. Владелец: NXP USA, Inc.. Дата публикации: 2017-06-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, ESD PROTECTION DEVICES AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221629A1. Автор: BESSE PATRICE,Salles Alain,HUOT-MARCHAND ALEXIS,Laine Jean-Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device having component mounted on connection bar and lead on top side of lead frame and method of manufacturing semiconductor device thereof

Номер патента: US11521918B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor device having ring-shaped conductive spacer which connects wiring layers

Номер патента: US5929524A. Автор: Kuniaki Koyama,John Mark Drynan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device having a contact structure

Номер патента: US20230275019A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Chi-Feng Lin,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for detecting defects in semiconductor device

Номер патента: US11854913B2. Автор: Hong-Seng Shue,Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu,Wei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049116A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210066186A1. Автор: Naoki Saka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Redistribution structure for integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11854994B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240136284A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11923292B2. Автор: Donghyeon Jang,Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Jinkuk BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210249397A1. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Hyun Mog Park,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor Device and Method of Forming Mold Degating Structure for Pre-Molded Substrate

Номер патента: US20210151359A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20090209078A1. Автор: Hideki Yasuoka,Susumu Ishida,Masami Kouketsu,Kazunari Saitou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180358266A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh,Chun-Tsen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301957A1. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20190221475A1. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Jemin PARK,Jiseok Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6475829B2. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240006268A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Chen-Chiang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200035568A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,I-Ming Tseng,Ching-Ling Lin,Wen-An Liang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang,Yuan-Yu Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395505A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Contact structure and method of making

Номер патента: US20220278040A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Chi-Feng Lin,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20230268316A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chien-Ling Hwang,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160064253A1. Автор: Tohru Kumamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US20240087994A1. Автор: Kazuhiro Watanabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Instrument for production of semiconductor device and process for production thereof

Номер патента: US6221200B1. Автор: Kazuo Saito,Takeshi Ishimatsu. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 2001-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230386991A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Hung Chen,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160276313A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Ippei Kume. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20220128759A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus for producing semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220223450A1. Автор: Makoto Takahashi,Kohei Seyama. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Process for fabricating semiconductor devices and a semiconductor device comprising a chip with through-vias

Номер патента: US8586450B2. Автор: Eric Saugier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200404794A1. Автор: Shingo Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230307380A1. Автор: Ming-Chiang Lee,Yung-I Yeh,Cheng-Nan Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175170A1. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US8836075B2. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor device package, antenna device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830799B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US9564421B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240107743A1. Автор: Kiseok LEE,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110266678A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Munehiro Tada,Naoya Furutake,Mari Amano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device with packaging material and metal member protruding from the packaging material

Номер патента: US12009287B2. Автор: Keiichi Takahashi,Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090271A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: EP4246586A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277531A1. Автор: Fumio Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20170365664A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11728386B2. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Souzou KANIE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US10658467B2. Автор: Yoichi Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device and manufacture method

Номер патента: US20240258392A1. Автор: Feng Wen HSU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210175073A1. Автор: Younjoung CHO,Seung-Min Ryu,Gyu-hee Park,Jiyu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12051586B2. Автор: Younjoung CHO,Seung-Min Ryu,Gyu-hee Park,Jiyu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060151831A1. Автор: Hitoshi Ninomiya,Yoshinao Miura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20090166706A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobuhito KAWADA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and voltage transfer unit

Номер патента: US20170330886A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Operation method of semiconductor device

Номер патента: US20100135088A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20210296476A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20190296134A1. Автор: Tomoko Matsudai,Tsuneo Ogura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12080788B2. Автор: Matthew David Smith. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213308A1. Автор: Yoshifumi Matsuzaki,Azusa Sato. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device; optical device with a tapered, mqw active waveguide in optical contact with a planar, passive waveguide, method of making such devices

Номер патента: NZ279888A. Автор: Ian Francis Lealman,Michael James Robertson,Simon David Perrin. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1997-01-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Night vision device having fine-resolution image intensifier tube, microchannel plate for such an image intensifier tube, and method of making

Номер патента: US6064055A. Автор: Ronald Dorko. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240030298A1. Автор: Yosui FUTAMURA,Shunya Mikami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200152785A1. Автор: Shingo Sato,Yoshiharu Takada,Kikuo Aida,Tatsuya Nishiwaki,Tatsuya Ohguro,Kentaro Ichinoseki,Kohei Oasa,Hideharu Kojima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20170214876A1. Автор: Haruki Katagiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080720B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Capacitor, Assembly Comprising a Capacitor and a Busbar and Method of Manufacturing a Capacitor

Номер патента: US20210217562A1. Автор: Peter Urban,Otto Klug,Róbert Bösze,Dezsö Rauch,Krisztián Elekes. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2021-07-15.

Electrical plug, holder, system having an electrical plug and a holder, and method of making a connection between an electrical plug and a holder

Номер патента: US20050112915A1. Автор: Manfred Mueller. Владелец: NEWFREY LLC. Дата публикации: 2005-05-26.

Braid folding unit and a braid folding method of a shielded wire

Номер патента: US20020121185A1. Автор: Nobuaki Yamakawa. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Braid folding unit and a braid folding method of a shielded wire

Номер патента: EP1237237A3. Автор: Nobuaki c/o Yazaki Parts Co. Ltd. YAMAKAWA. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2003-11-26.

A method of manufacturing a semiconductor device having a flexible device, a semiconductor element, a movable gate field effect sensor, a method of using a movable gate transistor as a sensor, and a capacitive sensor

Номер патента: DE19537285B4. Автор: Raffi M. San Leandro Garabedian,Salleh M. Newark Ismail,Gary J. San Jose Pashby. Владелец: Kavlico Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9142627B2. Автор: Hiroaki Yamashita,Syotaro Ono,Masaru Izumisawa,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060202246A1. Автор: Akio Miyao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240170571A1. Автор: Masataka Nomura,Yoshinori Hoshino,Hiroya SHIMOYAMA,Toshimune Kanbara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: US20220069115A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200144308A1. Автор: Yoshinobu Asami,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11935963B2. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having high voltage protection capability

Номер патента: US5536958A. Автор: ZHENG Shen,Stephen P. Robb. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230299140A1. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for making a semiconductor device using treated photoresist as an implant mask

Номер патента: US20050224455A1. Автор: William Taylor,Cesar Garza,Patrick Montgomery. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-10-13.

Power semiconductor device

Номер патента: US20100038712A1. Автор: Hiroshi Ohta,Miho Watanabe,Wataru Saito,Wataru Sekine,Syotaro Ono,Yasuto Sumi,Masaru Izumisawa,Nana Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US9165999B2. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4148805A1. Автор: Changhyun KIM,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Dohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20220384631A1. Автор: Matthew David Smith. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20220384629A1. Автор: Akira Mukai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20140078440A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Vertical channel semiconductor device with a reduced saturation voltage

Номер патента: US10115811B2. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20230070266A1. Автор: Changhyun KIM,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Dohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Vertical channel semiconductor device with a reduced saturation voltage

Номер патента: US20180122926A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184028A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20060054924A1. Автор: Ichiro Omura,Wataru Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US20120305930A1. Автор: Naoki Makita,Hiroki Mori,Masaki Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US20150048377A1. Автор: Naoki Makita,Hiroki Mori,Masaki Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210257469A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Yusuke Kobayashi,Tatsuya Nishiwaki,Masahiko Kuraguchi,Kazuto Takao,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8884333B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Shibata,Hidetoshi Ishida,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device

Номер патента: EP4007002A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11777028B2. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi,Ryohei GEJO,Shotaro BABA,Akihiro Goryu,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a non-volatile memory with memory cells including a select transistor and a memory transistor

Номер патента: TW583765B. Автор: Jurriaan Schmitz,Franciscus Petrus Widdershoven,Michiel Slotboom. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20220157806A1. Автор: Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Tsubasa INOUE. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US20190165183A1. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20190296008A1. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210233905A1. Автор: Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Tsubasa INOUE. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20220190154A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi,Ryohei GEJO,Shotaro BABA,Akihiro Goryu,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US9780738B2. Автор: Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335561A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Wide channel semiconductor device

Номер патента: US20230378205A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Ching-Hung Kao,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin,Fu-Cheng Chang,Chia-Pin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with electrode pad having different bonding surface heights

Номер патента: US11538779B2. Автор: Hitoshi Kobayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US11901416B2. Автор: Tetsujiro Tsunoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20190139981A1. Автор: Akira Takashima,Kazuhiro Matsuo,Tomonori Aoyama,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Akiko Sekihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043643A1. Автор: Tatsuo Morita,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8729558B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Surface plasmon light emitter structure and method of manufacture

Номер патента: WO2005081813A3. Автор: Koichi Okamoto,Alex Scherer. Владелец: Alex Scherer. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170005123A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271400A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Matsuo Kishi,Takaaki Hioka,Mika Ebihara,Miei TAKAHAMA (nee SATO). Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US10170440B2. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor

Номер патента: US20030178618A1. Автор: Ichiro Murakami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282664A1. Автор: Yasutaka Shimizu,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9125308B2. Автор: Hiroyuki Okabe,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130286622A1. Автор: Hiroyuki Okabe,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Nanowire led structure with decreased leakage and method of making same

Номер патента: EP2973756A1. Автор: Scott Brad Herner,Linda Romano,Cynthia LEMAY,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: Lemay Cynthia. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315021A1. Автор: Jonghyun Park,Bongtae Park,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim,Juwon IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving manufacturing yield

Номер патента: US20010049151A1. Автор: Yuji Kayashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device having wiring layer

Номер патента: US20040188835A1. Автор: Masahiro Owada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device having silicide film and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030052372A1. Автор: Atsuhiro Nishida,Yoshikazu Ibara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337412A1. Автор: Jin-Su Lee,Hongsik CHAE,Jihoon AN,Donguk Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and wire bonding method

Номер патента: US20210288019A1. Автор: Tsutomu Sano,Kazuya Maruyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7670860B2. Автор: Takeo Yoshida. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180366414A1. Автор: Naohiro Takazawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor quantum well structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US5848085A. Автор: Jun Nitta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11476197B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266347A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Yu-Hao Ho,Yeh-Jen Huang,Li-Yang Hong. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20240030087A1. Автор: Yasuo Tanaka,Shinnosuke Soda,Yasunari Hino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20040026777A1. Автор: Kazuo Yokoyama,Shigeki Kageyama,Jun Otsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Flip-chip semiconductor device having I/O modules in an internal circuit area

Номер патента: US6858924B2. Автор: Hiroyuki Furukawa,Yoshihiro Masumura,Nobuteru Oh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor device, power conversion device using same, and driving method for semiconductor device

Номер патента: EP3952082A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

Flip-chip semiconductor device having I/O modules in an internal circuit area

Номер патента: US20030222355A1. Автор: Hiroyuki Furukawa,Yoshihiro Masumura,Nobuteru Oh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device package with clip interconnect and dual side cooling

Номер патента: US12051635B2. Автор: Maria Cristina Estacio,Elsie Agdon Cabahug,Romel N. Manatad. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with delamination reduction mechanism and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240282733A1. Автор: Jungbae Lee,Bong Woo Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconducting element, organic light emitting display including the same, and method of manufacturing the semiconducting element

Номер патента: US8981348B2. Автор: Arthur Mathea,Joerg Fischer,Marcus Schaedig. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240194613A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Semicoductor device having a hetero interface with a lowered barrier

Номер патента: US5821555A. Автор: Shinji Saito,Masayuki Ishikawa,Yukie Nishikawa,Masaaki Onomura,Peter James Parbrook. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20190043912A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20170263667A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20160197114A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020033541A1. Автор: Shotaro Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Micro semiconductor device

Номер патента: US20220131046A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chun Shih,Tzu-Yang Lin,Yen-Chun Tseng. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190385934A1. Автор: Masato Furukawa,Akitada KODAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US10978375B2. Автор: Masato Furukawa,Akitada KODAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20110193224A1. Автор: Kazuhiro Kubo,Hiroyasu Ito. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12057365B2. Автор: Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203402A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246053A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device having hall elements formed in a semiconductor substrate and a magnetic body flux concentrator

Номер патента: US10290677B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Matsuo Kishi,Takaaki Hioka,Mika Ebihara,Miei TAKAHAMA (nee SATO). Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic appliance

Номер патента: US20180026068A1. Автор: Susumu Inoue,Atsushi Fujiwara,Jun Ogi,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Surface mount devices with minimum lead inductance and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2008124259A1. Автор: Qiang Richard Chen. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device and secondary battery system

Номер патента: US20210391604A1. Автор: Takayuki Ikeda,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Ryota Tajima,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Packaged semiconductor device with interior polygonal pads

Номер патента: EP2881984A3. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Kan Wae Lam,Fei-ying WONG,Clifford John Lloyd,Chi Hoo Wan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-08.

Semiconductor device

Номер патента: EP4152378A1. Автор: Yoko Yamamoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor Die being Connected with a Clip and a Wire which is Partially Disposed Under the Clip

Номер патента: US20210175200A1. Автор: Mark Pavier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282677A1. Автор: Masaaki Mori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282678A1. Автор: Yasumasa Kasuya,Ryotaro KAKIZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing wafer notches with rounded corners and a tool therefor

Номер патента: US20030089931A1. Автор: Richard Guldi,James Garvin,Moitreyee Mukerjee-Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device with programmable feature

Номер патента: US20230389296A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Yin-Fa Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same

Номер патента: US20210181636A1. Автор: Takashi Sekito,Hiroshi Yanagita,Shigemasa NAKASUGI,Yusuke Hama,Yuriko Matsuura. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device having 3d inductor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200295123A1. Автор: Cheng-Hung Shih,Yi-Cheng Chen,Nian-Cih Yang,Shang-Jan Yang. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: EP4044214A1. Автор: Ray Huang,Jeffrey Junhao XU,Rui Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US12057470B2. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210313525A1. Автор: Nobuto Managaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Integrated circuit lead frame and semiconductor device thereof

Номер патента: US12062598B2. Автор: Yu-Hsin Wang,Nai-Jen Hsuan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Lead frame for resin-molded semiconductor device

Номер патента: US20030141579A1. Автор: Atsushi Maruyama,Yoshinori Oda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device for a system for measuring the temperature, and manufacturing method thereof

Номер патента: US9806216B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating semiconductor device with programmble feature

Номер патента: US20230389272A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Yin-Fa Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US20230320081A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190296190A1. Автор: Yoshinori Miyamoto,Keisuke HIGASHITANI,Tokutaro Okabe,Yuya KAGOSHIMA,Chiaki OZAKI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422481A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device inspection system involving superimposition of image data for detecting flaws in the semiconductor device

Номер патента: US5532607A. Автор: Wataru Nagata,Kouji Suzuki,Eiji Inuzuka,Shigehisa Oguri,Yasushi Hiruma. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1996-07-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070085128A1. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byung-Jun Park,Ho-Seok Lee,Il-Young Kwon,Hyeong-Soo Kim,Hyung-Bok Choi,Dong-Sauk Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Tools and Systems for Processing Semiconductor Devices, and Methods of Processing Semiconductor Devices

Номер патента: US20180358325A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Kuei-Wei Huang,Ai-Tee Ang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055329A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230133763A1. Автор: Sunyoung Lee,Wonchul Lee,Sohyeon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device having stacked structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096921A1. Автор: Won Je Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US20180053789A1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A LAMINATED STRUCTURE COMPRISING A BORON-DOPED SILICON GERMANIUM FILM AND A METAL FILM

Номер патента: US20130344674A1. Автор: SAKO Nobuyuki. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device having a cylindrical capacitor element

Номер патента: US20060197135A1. Автор: Yasukazu Inoue. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor device having capacitor which assures sufficient capacity without requiring large space and method of producing the same

Номер патента: US20020149083A1. Автор: Kuniko Kikuta,Masato Kawata. Владелец: Masato Kawata. Дата публикации: 2002-10-17.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230335521A1. Автор: He Chen,LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20220140468A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200294958A1. Автор: Junichi Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20200076051A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20210143168A1. Автор: Junichi Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240178093A1. Автор: Takayuki Tanaka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Hybrid bonding for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240063152A1. Автор: Jyun Yang Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US11925025B2. Автор: Junichi Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP3890039A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device, test system and method of the same

Номер патента: US9859176B1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Hung-Chih Lin,Tang-Jung CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20150001715A1. Автор: Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,Yonghoon Kim,Inho Choi,Seongho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20130313706A1. Автор: Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,Yonghoon Kim,Inho Choi,Seongho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230361055A1. Автор: Zhigang Duan,Aaron Chen. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving manufacturing yield

Номер патента: US6309898B1. Автор: Yuji Kayashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-30.

Semiconductor device including variable resistance pattern and electronic system including the semiconductor device

Номер патента: US20240105603A1. Автор: Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170084678A1. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device including variable resistance pattern and electronic system including the semiconductor device

Номер патента: EP4344384A1. Автор: Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Prediction Of Semiconductor Device Performance

Номер патента: US20230268236A1. Автор: Vladimir Bulovic,Anthony T. TROUPE,Brandon T. MOTES,Dane William DEQUILETTES. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-24.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Liquid impingement cooling module for semiconductor devices

Номер патента: US5270572A. Автор: Kenichi Kasai,Noriyuki Ashiwake,Toshio Hatsuda,Toshio Hatada,Motohiro Sato,Tadakatsu Nakajima,Shigeo Ohashi,Shigeyuki Sasaki,Atsuo Nishihara,Takahiro Daikoku,Heikichi Kuwahara,Hiroshi Inouye. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-12-14.

Semiconductor fuses, semiconductor devices containing the same, and methods of making and using the same

Номер патента: US20040038458A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395303A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11961774B2. Автор: CHEN Huang,Meng-Feng Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230275069A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Toshiyuki Hata,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260952A1. Автор: Hideki Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240047607A1. Автор: Meng-yang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220077008A1. Автор: CHEN Huang,Meng-Feng Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US4996578A. Автор: Keiji Kamasaki,Hideaki Motojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-02-26.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20200203058A1. Автор: Satoshi Kageyama,Toshiyuki Ishikawa,Tetsuya Kagawa,Isamu Nishimura,Nobuyuki Kasahara,Daiki Yanagishima,Michihiko Mifuji,Kosei OSADA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230298805A1. Автор: Satoshi Kageyama,Toshiyuki Ishikawa,Tetsuya Kagawa,Isamu Nishimura,Nobuyuki Kasahara,Daiki Yanagishima,Michihiko Mifuji,Kosei OSADA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239467A1. Автор: Masaki Aoshima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20160027714A1. Автор: Makoto Imai,Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US20120068357A1. Автор: Yasuhito Saito,Masahiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170250293A1. Автор: Yoshito Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device including write transistor and read transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20230197142A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11837682B2. Автор: Meng-yang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20230245958A1. Автор: Hideo Hara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240063150A1. Автор: Taro IGOSHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240179923A1. Автор: Xinyu Bao,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US6818974B2. Автор: Kazuo Yokoyama,Shigeki Kageyama,Jun Otsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20200152830A1. Автор: Meng-yang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, method for operating same, and semiconductor structure

Номер патента: US20240049446A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186287A1. Автор: Yasutaka Shimizu,Yuji Miyazaki,Haruhiko Murakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Press-pack semiconductor device package

Номер патента: EP4285406A1. Автор: Yangang WANG,Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203808A1. Автор: Koichi Kitaguro. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Sinterable bonding material and semiconductor device using the same

Номер патента: US20170294404A1. Автор: Tadashi Takano,Hajime Inoue. Владелец: Henkel IP and Holding GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230343896A1. Автор: Wei-Shan Yeoh,Tzu-Yun FENG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210159199A1. Автор: Takumi Ihara,Masanori NATSUAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20220148991A1. Автор: Takumi Ihara,Masanori NATSUAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A3. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317632A1. Автор: Takuya Konno,Sachiyo Ito,Mayuka OJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic appliance

Номер патента: EP3266044A1. Автор: Susumu Inoue,Atsushi Fujiwara,Jun Ogi,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic appliance

Номер патента: US10199419B2. Автор: Susumu Inoue,Atsushi Fujiwara,Jun Ogi,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic appliance

Номер патента: WO2016139914A1. Автор: Susumu Inoue,Atsushi Fujiwara,Jun Ogi,Junichiro Fujimagari. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-09.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10217879B2. Автор: Yoshito Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11694985B2. Автор: Takumi Ihara,Masanori NATSUAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230120682A1. Автор: Jina Kim,Youngsin KIM,Donghwa Shin,Kang-Uk Kim,Seok-hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device structure with overlay mark

Номер патента: US20230326868A1. Автор: Chun-Yen Wei. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20210375727A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Sinterable bonding material and semiconductor device using the same

Номер патента: EP3238239A1. Автор: Tadashi Takano,Hajime Inoue. Владелец: Henkel IP and Holding GmbH. Дата публикации: 2017-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230402432A1. Автор: Masaaki Matsuo,Kenji Hayashi,Makoto IKENAGA,Ryuta Watanabe,Akihiro Suzaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and stencil mask

Номер патента: US20060071183A1. Автор: Takeshi Shibata,Hisanori Misawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Electrode assembly with improved connection between current collector and electrode tab, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210036297A1. Автор: Kyung Min Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US20050093026A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Optical semiconductor device and method for controlling driving circuit

Номер патента: US20150280394A1. Автор: Tatsuya Usuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Implantable medical electrical lead connector assemblies and methods of manufacture

Номер патента: EP3113833A1. Автор: Jonathan A. Hughes. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-01-11.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US7468543B2. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-23.

Semiconductor device having polycrystalline silicon region forming a lead-out electrode region and extended beneath active region of transistor

Номер патента: US5391912A. Автор: Kazuo Nakazato,Masatada Horiuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-21.

System with a hearing device and a charger, charger, method of tuning a charger and computer program product

Номер патента: WO2023033736A1. Автор: Nishshanka Bandara Narampanawe,Heng Goh Yap,Chuan En Andrew Ong,Sooriya Bandara Rathnayaka Mudiyanselage. Владелец: Sivantos Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor storage device having first and second memory strings formed on opposite sides of the same pillar and method of performing a read operation therein

Номер патента: US11715527B2. Автор: Takashi Maeda,Takayuki Miyazaki,Kazutaka IKEGAMI,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Imaging device having a modulator that includes at least a first grating pattern and a second grating patern having a phase deviating from a phase of the first grating pattern

Номер патента: US11812163B2. Автор: Yusuke Nakamura,Keisuke Inata,Mayumi Nakade. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory device having a switching element thicker at a first side than at a second side and method of forming the same

Номер патента: US20230403953A1. Автор: Kazutaka Yamane,Chim Seng Seet,Mei Zhen Ng,Ju Dy Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Display device having different modes for transmitting a sensing signal in an area and a driving method thereof

Номер патента: US11782553B2. Автор: Soon Gyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Predictive coding method, a predictive coding device and a predictive coding method of a motion vector and a predictive decoding method, a predictive decoding device and a motion vector prediction decoding program

Номер патента: RU2697738C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Йосинори СУДЗУКИ,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2019-08-19.

Data transmission system and a terminal management method of the same

Номер патента: US5963558A. Автор: Shigekazu Harada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Voltage converter and a voltage conversion method of the voltage converter

Номер патента: US20160036328A1. Автор: Yus Ko,Gwang-yol NOH,Dongjin KEUM,Hwayeal Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240268114A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282362A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282361A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292597A1. Автор: Daehyun Kim,Yongjun CHOI,Yoojin JEONG,Junsik Yu,Taekyung Yoon,Junghwan HUH,Yeajin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of placing a semiconducting nanostructure and semiconductor device including the semiconducting nanostructure

Номер патента: US8604559B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,Cherie R. Kagan,Supratik Guha,Emanuel Tutuc. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of placing a semiconducting nanostructure and semiconductor device including the semiconducting nanostructure

Номер патента: US20110180777A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,Cherie R. Kagan,Supratik Guha,Emanuel Tutuc. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074169A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Electric watercraft charging system and method of charging an electric watercraft

Номер патента: WO2024115981A2. Автор: Guillaume DOYON,Adrien LETELLIER. Владелец: BRP US INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Electric watercraft charging system and method of charging an electric watercraft

Номер патента: WO2024115981A3. Автор: Guillaume DOYON,Adrien LETELLIER. Владелец: BRP US INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of managing mobility, user equipment and a base station

Номер патента: RU2721232C2. Автор: Вэй ЦЮАНЬ,Цзянь Чжан,Бинчжао ЛИ,Вэйхуа ЛЮ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method of managing mobility, user equipment and a base station

Номер патента: RU2710665C1. Автор: Вэй ЦЮАНЬ,Цзянь Чжан,Бинчжао ЛИ,Вэйхуа ЛЮ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-12-30.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US11950409B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Field pole members and methods of forming same for electrodynamic machines

Номер патента: EP1987583A2. Автор: John Petro,Ken Wasson,Jeremy Mayer. Владелец: NovaTorque Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Lighting device having a plurality of light sources

Номер патента: US8686638B2. Автор: Alexandra Marwede,Ronny Dehmel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2014-04-01.

A method and device for on-site evaluating quality of an image

Номер патента: CA3216789A1. Автор: Poul Anker Skaarup Lübker,Shavkat MINGALIEV,Xavier TOLRON. Владелец: Ventus Engineering GmbH. Дата публикации: 2022-11-03.

A method and device for on-site evaluating quality of an image

Номер патента: US20240202894A1. Автор: Poul Anker Skaarup Lübker,Shavkat MINGALIEV,Xavier TOLRON. Владелец: Ventus Engineering GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

A method and device for on-site evaluating quality of an image

Номер патента: WO2022229082A1. Автор: Poul Anker Skaarup Lübker,Shavkat MINGALIEV,Xavier TOLRON. Владелец: Ventus Engineering GmbH. Дата публикации: 2022-11-03.

A method and device for on-site evaluating quality of an image

Номер патента: EP4083912A1. Автор: Poul Anker Skaarup Lübker,Shavkat MINGALIEV,Xavier TOLRON. Владелец: Ventus Engineering GmbH. Дата публикации: 2022-11-02.

A method and device for on-site evaluating quality of an image

Номер патента: EP4128146A1. Автор: Poul Anker Skaarup Lübker,Shavkat MINGALIEV,Xavier TOLRON. Владелец: Ventus Engineering GmbH. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20080001200A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-03.

System and method of packet recovery using partial recovery codes

Номер патента: WO2006014336A1. Автор: Hayder Radha,Shirish S. Karande. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230225216A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240090199A1. Автор: Jaehyun Kim,Kiyong Kim,JongYoung Park,Jingyu Park,Taeyoung Koh,Sundoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4364542A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Method of manufacturing a magnetoresistive-based device

Номер патента: US8747680B1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US11804263B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20070228435A1. Автор: Jar-Ming Ho,Shian-Jyh Lin,Chin-Tien Yang,Chien-Li Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20180076620A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Toshiya Mitomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device including pad pattern

Номер патента: US20230397405A1. Автор: MinSu CHOI,Soyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems, apparatus and methods facilitating communication between an implantable device and an external device

Номер патента: EP3341075A1. Автор: Bo Zhang,Matthew R. Yoder. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-07-04.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180198442A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Power supply semiconductor device and switched capacitor converter

Номер патента: US20230361673A1. Автор: Isao Takobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing capacitor connecting line of memory

Номер патента: US12004343B2. Автор: Yang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Power supply semiconductor device and switched capacitor converter

Номер патента: US20230361672A1. Автор: Isao Takobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

A duodenal anchor for holding in place an implant in a duodenum of a patient, an implant for placement in a duodenum of a patient, a connector for connecting a duodenal anchor and a gastric anchor, an implant system for implantation in a patient's gastric tract, comprising a gastric anchor, a duodenal anchor, and a connector, and methods of treating a patient

Номер патента: WO2024149808A1. Автор: Youssef Biadillah,Yonatan GRAY,Christophe NAZ,Leonard Raphaël BAERD. Владелец: Bariatek Medical. Дата публикации: 2024-07-18.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having scan test circuit that switches clock signal between shift mode and capture mode, and method of testing the semiconductor device

Номер патента: US20020136064A1. Автор: Masayuki Yoshiyama. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2002-09-26.

A method for imaging of manufacturing processes

Номер патента: EP1229722A3. Автор: Mika Petri Valkonen,Jorma Heikki Antero Snellman. Владелец: Procemex Oy. Дата публикации: 2003-10-29.

Anchoring assembly, combination of an anchoring assembly and a structural element, method of manufacturing an anchoring assembly, method for mounting an achoring assembly in an elongate opening in a structural element

Номер патента: WO2023237664A1. Автор: Marek Juzak,Frank Nijdam. Владелец: J. VAN WALRAVEN HOLDING B.V.. Дата публикации: 2023-12-14.

Revolver handgun having an ambidextrous, integrated, combined, lockable safety and handgun lock and a method of operating the lockable safety and handgun lock

Номер патента: WO2008051195A3. Автор: W Thomas Mcclellan. Владелец: W Thomas Mcclellan. Дата публикации: 2009-04-02.

Revolver handgun having an ambidextrous, integrated, combined, lockable safety and handgun lock and a method of operating the lockable safety and handgun lock

Номер патента: US20070234622A1. Автор: W. McClellan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Revolver handgun having an ambidextrous, integrated, combined, lockable safety and handgun lock and a method of operating the lockable safety and handgun lock

Номер патента: WO2008051195A2. Автор: W. Thomas Mcclellan. Владелец: Mcclellan W Thomas. Дата публикации: 2008-05-02.

Composition of ?-caryophyllene and a statin, and methods of using same

Номер патента: EP4387605A1. Автор: Hilik MAROM,Tami Ehrmann BARR. Владелец: Orthotreat Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Reverse micelle composition for delivery of metal cations comprising a diglyceride and a phytosterol and method of preparation

Номер патента: EP1807048A1. Автор: Jean-Claude Maurel. Владелец: Medesis Pharma SA. Дата публикации: 2007-07-18.

Reverse micelle composition for delivery of metal cations comprising a diglyceride and a phytosterol and method of preparation

Номер патента: CA2584684A1. Автор: Jean-Claude Maurel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Reverse micelle composition for delivery of metal cations comprising a diglyceride and a phytosterol and method of preparation

Номер патента: IL182756A0. Автор: . Владелец: Medesis Pharma S A. Дата публикации: 2007-07-24.

Reverse micelle composition for delivery of metal cations comprising a diglyceride and a phytosterol and method of preparation

Номер патента: IL182756A. Автор: . Владелец: MEDESIS PHARMA. Дата публикации: 2011-02-28.

Compositions comprising a bactericidal/permeability increasing protein and a lipid carrier, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: CA2119262C. Автор: Craig G. Wilde,Randal W. Scott,Marian N. Marra,James L. Snable. Владелец: Incyte Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2002-06-04.

Apparatus for a smart activity assignment for a user and a creator and method of use

Номер патента: US20240303576A1. Автор: Nick Nanton. Владелец: Celebrity Branding Agency. Дата публикации: 2024-09-12.

Snaffle bit with two side members and a shackle and method of manufacturing same

Номер патента: US20090223182A1. Автор: Heinz Baumann,Valentin Völlmecke. Владелец: Herm Sprenger GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-09-10.

Seat comprising a frame and a cover, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4312663A1. Автор: Fernando Smit. Владелец: F Smit Holding BV. Дата публикации: 2024-02-07.

Turbulence-generating grid and method of design and manufacture therefor

Номер патента: US20180268085A1. Автор: John Christos Vassilicos,Paul John Kenneth BRUCE,Shaokai ZHENG,John Michael Russell GRAHAM. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Seat comprising a frame and a cover, and method of manufacturing the same

Номер патента: CA3212741A1. Автор: Fernando Smit. Владелец: F Smit Holding BV. Дата публикации: 2022-09-29.

Seat comprising a frame and a cover, and method of manufacturing the same

Номер патента: AU2022243500A1. Автор: Fernando Smit. Владелец: F Smit Holding BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Turbulence-generating grid and method of design and manufacture therefor

Номер патента: EP3377995A1. Автор: John Christos Vassilicos,Paul John Kenneth BRUCE,Shaokai ZHENG,John Michael Russell GRAHAM. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2018-09-26.

Turbulence-generating grid and method of design and manufacture therefor

Номер патента: WO2017085298A1. Автор: John Christos Vassilicos,Paul John Kenneth BRUCE,Shaokai ZHENG,John Michael Russell GRAHAM. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2017-05-26.

A multifocal lens having an optical add power progression, and a system and method of providing same

Номер патента: AU2011336183B2. Автор: Hendrik A. Weeber,Marrie H. Van Der Mooren,Carmen Canovas-Vidal. Владелец: AMO Groningen BV. Дата публикации: 2015-07-16.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: WO2023028450A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Fluid treatment separator and a system and method of treating fluid

Номер патента: US11857893B2. Автор: Ronald J. Seguin. Владелец: 1501367 ALBERTA Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Surgical drape having an extendable sleeve for covering a surgical instrument and a patient and methods of making and using same

Номер патента: US20230240782A1. Автор: Mark McBride,Carola Romero. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-03.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: CA3230100A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Container product comprising a frame and a cover and method of manufacture

Номер патента: WO2015101972A1. Автор: Yusuf Saiful Arief MOCH. Владелец: Moch Yusuf Saiful Arief. Дата публикации: 2015-07-09.

Communication substrates having variably applied ferromagnetic material, ferromagnetic composition and a system and method of applying the material to a substrate

Номер патента: US20050058828A1. Автор: Jesse Crum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-17.

Belt construction, the combination of the belt construction and a pulley and methods of making the same

Номер патента: CA2144853C. Автор: Larry A. Robertson,Ernest C. Arnsmeyer. Владелец: Dayco Products LLC. Дата публикации: 2004-07-06.

Anchoring assembly, combination of an anchoring assembly and a structural element, method of manufacturing an anchoring assembly, method for mounting an anchoring assembly in an elongate opening in a structural element

Номер патента: NL2032108B1. Автор: Juzak Marek,Nijdam Frank. Владелец: Walraven Holding Bv J Van. Дата публикации: 2023-12-18.

Antimicrobial composition including an acyl lactylate and a glycol and methods of inhibiting microbial growth utilizing the same

Номер патента: US20230266030A1. Автор: Jeffery R. Seidling,Corey T. Cunningham,Paige N. Hollmaier. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Position measuring device having a sensor for sensing the distance between a scanning unit and a scale

Номер патента: US5627466A. Автор: Alfons Spies,Josef Muller. Владелец: Dr Johannes Heidenhain GmbH. Дата публикации: 1997-05-06.

Polypeptides complementary to peptides or proteins having an amino acid sequence or nucleotide coding sequence at least partially known and methods of design therefor

Номер патента: US5212072A. Автор: Eric M. Smith,J. Edwin Blalock,Kenneth L. Bost. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 1993-05-18.

A method and system of manufacturing mechanical seal products

Номер патента: WO2022123193A1. Автор: Darren WARD,Christopher John Rea,Stephen Martin Shaw,Christopher BREFFIT. Владелец: AES Engineering Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Immunogenic composition comprising an antigenic moiety and a liposomal formulation, method of producing the composition, the composition for use as a medicament, in particular for use as a vaccin

Номер патента: CA3172986A1. Автор: Stéfan Jonathan Halbherr,Camille Peitsch,Diego VON WERDT. Владелец: Innomedica Holding AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Cement compositions containing a polysaccharide and a salt and method of cementing casing in a well

Номер патента: US4662943A. Автор: James J. Harrison,Wilford S. Baker. Владелец: Chevron Research Co. Дата публикации: 1987-05-05.

Adaptor for providing an adjustable connection between an endpiece of a lifting apparatus and a nacelle, and method of using same

Номер патента: US20240051796A1. Автор: Joris KOFMAN. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-02-15.

An aquarium management system and a computer implemented method of determining quality of an aquatic environment thereof

Номер патента: WO2024011681A1. Автор: Chun Chung Keith CHAN,Danial CHEUNG. Владелец: Expert AI Enabling Limited. Дата публикации: 2024-01-18.

Colorimetric sensor for detecting nickel ion using silver nano prism etching, a method for producing the same, and a colorimetric detection method of a nickel ion using the same

Номер патента: US20200249173A1. Автор: Yeon Hee Lee,Sujin Yoon,Kang Bong LEE,Yun Sik NAM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-08-06.

Garment having an internal airflow space between inner and outer fabrics and a separate heat insulation material in the internal airflow space

Номер патента: US11832660B2. Автор: Kazuhiro Sakurai,Nobuyoshi Miyasaka,Manabu Tokunaga,Natsumi Hara. Владелец: Makita Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Adaptor for providing an adjustable connection between an endpiece of a lifting apparatus and a nacelle, and method of using same

Номер патента: EP4264040A1. Автор: Joris KOFMAN. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2023-10-25.

Compositions comprising allyl sulfide and a surfactant and methods of using same

Номер патента: EP4247163A1. Автор: Etti Or. Владелец: Israel Ministry of Agriculture and Rural Development. Дата публикации: 2023-09-27.

Compositions comprising allyl sulfide and a surfactant and methods of using same

Номер патента: US20230413816A1. Автор: Etti Or. Владелец: Israel Ministry of Agriculture and Rural Development. Дата публикации: 2023-12-28.

Composition of β-caryophyllene and a statin, and methods of using same

Номер патента: AU2022331738A1. Автор: Tami Ehrmann BAR,Hilik MAROM. Владелец: Orthotreat Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Plant uprooting device having plant stem gripping jaws at on end of a lever and a foot formation with an arcuate shaped tread plate fixed to a lower edge of an upright foot plate to which one of the jaws is secured

Номер патента: NZ511134A. Автор: Frederick De Wet Negus. Владелец: Frederick De Wet Negus. Дата публикации: 2002-04-26.

Composition of ?-caryophyllene and a statin, and methods of using same

Номер патента: CA3228809A1. Автор: Tami Ehrmann BAR,Hilik MAROM. Владелец: Orthotreat Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Nanoporous cerium oxide with interconnected pores for catalysis and a cost- effective method of preparing thereof

Номер патента: US20190270082A1. Автор: Renju Zacharia,Mohammed J Al-Marri. Владелец: Qatar University. Дата публикации: 2019-09-05.

Apparatus for a smart activity assignment for a user and a creator and method of use

Номер патента: US11842314B1. Автор: Nick Nanton. Владелец: Celebrity Branding Agency. Дата публикации: 2023-12-12.

Filtration medium comprising a thermolysis product of a carbon oxychalcogenide and a metal salt, method of removing chloramine with this filtration medium and method of making this filtration medium

Номер патента: CA2859895A1. Автор: Thomas E. Wood,Allen R. Siedle,Meredith M. Doyle,Mark R. Stouffer. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-06-27.

Cooking pouch containing a raw protein portion, a raw or blanched vegetable portion and a sauce and method of making

Номер патента: CA2275501C. Автор: Leah Kay Wright. Владелец: Food Talk Inc. Дата публикации: 2007-04-10.

Belt construction, the combination of the belt construction and a puley and methods of making the same

Номер патента: US5273496A. Автор: Jack D. White, Jr.. Владелец: Dayco Products LLC. Дата публикации: 1993-12-28.

A production device of a medication comprising plateletrich plasma, and a manual production method of the medication

Номер патента: EP4311533A2. Автор: Alice Michelangeli,Valentina Menozzi,Riccardo Della Ragione. Владелец: Prometheus Srl. Дата публикации: 2024-01-31.

Adaptive interface device that is programmable and a system and method of programming an adaptive interface device

Номер патента: US9886099B2. Автор: Seth Raphael,Jay Silver,Yotam Mann. Владелец: Joylabz LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Carbon fiber reinforced plastic electrofusion fitting and a self-monitoring method of strain

Номер патента: US11911975B2. Автор: Jianfeng Shi,Riwu Yao,Jinyang ZHENG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-02-27.

Anchoring assembly, nut holder, combination of an anchoring assembly and a structural element, method of mounting an anchoring assembly in a thin-walled structural element

Номер патента: NL2031082B1. Автор: Juzak Marek,Nijdam Frank. Владелец: Walraven Holding Bv J Van. Дата публикации: 2023-09-07.

Adaptive interface device that is programmable and a system and method of programming an adaptive interface device

Номер патента: US20160070362A1. Автор: Seth Raphael,Jay Silver,Yotam Mann. Владелец: Joylabz LLC. Дата публикации: 2016-03-10.

An adaptive interface device that is programmable and a system and method of programming an adaptive interface device

Номер патента: EP3191925A1. Автор: Seth Raphael,Jay Silver,Yotam Mann. Владелец: Joylabz LLC. Дата публикации: 2017-07-19.

A production device of a medication comprising plateletrich plasma, and a manual production method of the medication

Номер патента: EP4311533A3. Автор: Alice Michelangeli,Valentina Menozzi,Riccardo Della Ragione. Владелец: Prometheus Srl. Дата публикации: 2024-02-28.

Carbon fiber reinforced plastic electrofusion fitting and a self-monitoring method of strain

Номер патента: US20200276771A1. Автор: Jianfeng Shi,Riwu Yao,Jinyang ZHENG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-09-03.

Composition containing an organosilane and a photocatalyst, and methods of treating flowering plants infected with a bacterial disease using the composition

Номер патента: US10117435B2. Автор: Christopher C. Willette,Thomas D. Anspach. Владелец: Nano Photo Sciences LLC. Дата публикации: 2018-11-06.

Antimicrobial composition including an acyl lactylate and a glycol and methods of inhibiting microbial growth utilizing the same

Номер патента: AU2017417029B2. Автор: Paige N. Anunson,Jeffery R. Seidling,Corey T. Cunningham. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Modified oncolytic vaccinia viruses expressing a cytokine and a carboxylesterase and methods of use thereof

Номер патента: CA2996120C. Автор: Nam Hee Lee,Tae Ho Hwang,Euna CHO. Владелец: SILLAJEN Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Radially extended support member for spinal nucleus implants and methods of use

Номер патента: CA2604893A1. Автор: Ann Prewett,Gerald Gontarz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Radially extended support member for spinal nucleus implants and methods of use

Номер патента: EP1981447A2. Автор: Ann Prewett,Gerald Gontarz. Владелец: Replication Medical Inc. Дата публикации: 2008-10-22.

Transformation method of gram-positive bacteria

Номер патента: EP3722429A1. Автор: Kenichi Yoshida. Владелец: Kobe University NUC. Дата публикации: 2020-10-14.

Transformation method of gram-positive bacteria

Номер патента: US20210180073A1. Автор: Kenichi Yoshida. Владелец: Kobe University NUC. Дата публикации: 2021-06-17.

Eyelash extension and method of manufacturing same

Номер патента: EP4204214A1. Автор: Kyu Sang Han,Kichul Ahn. Владелец: Kiss Nail Products Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Eyelash extension and method of manufacturing same

Номер патента: WO2022072351A1. Автор: Kyu Sang Han,Kichul Ahn. Владелец: KISS NAIL PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Method of preparing microparticles, pharmaceutical polymeric compositions, active ingredient delivery medical device and implant

Номер патента: WO2024146964A1. Автор: Roland Bodmeier,Chenghao Zhang. Владелец: Chenghao Zhang. Дата публикации: 2024-07-11.

Devices to support and position an intraocular lens within the eye and methods of use

Номер патента: CA3188684A1. Автор: Matthew Clarke,Frank Brodie,Ayman Naseri. Владелец: Long Bridge Medical Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Devices to support and position an intraocular lens within the eye and methods of use

Номер патента: AU2021322289A1. Автор: Matthew Clarke,Frank Brodie,Ayman Naseri. Владелец: Long Bridge Medical Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Devices to support and position an intraocular lens within the eye and methods of use

Номер патента: EP4192394A1. Автор: Matthew Clarke,Frank Brodie,Ayman Naseri. Владелец: Long Bridge Medical Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

Method of Manufacturing a Biodegradable Healthcare Product

Номер патента: US20220017644A1. Автор: Charles Anthony Strongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and method of operating thereof

Номер патента: US20100091554A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of manufacturing an anesthesia face mask

Номер патента: US11744975B2. Автор: Steven Saad. Владелец: Koo Medical Equipment (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Implant having an intrasaccular section and intravascular section

Номер патента: EP4026501A1. Автор: Ruijiao XU,Lacey Gorochow,Yusuf SEVENCAN. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2022-07-13.

Semiconductor Device Having Plural Selection Lines

Номер патента: US20150269988A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-09-24.

Method of treating photoresists

Номер патента: US4842992A. Автор: Tetsuji Arai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 1989-06-27.

A snus container, a method of manufacturing a snus container and a mould

Номер патента: US20240277045A1. Автор: Tommy Asterhed. Владелец: Saevjo Plastic Ab. Дата публикации: 2024-08-22.

Tobacco material, tobacco product containing additional tobacco material and method of manufacture of tobacco material

Номер патента: RU2632641C2. Автор: Масахиро ТИДА,Тадаси ТАТЕМАЦУ,Сохей МИЯГО,Йосито ГОХАРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2017-10-06.

Method of producing a high quality image on a blanket

Номер патента: US20160257110A1. Автор: Kyle Thomas Turner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of Modifying Gum Arabic, Modified Gum Arabic Obtained by the Method, and Use Thereof

Номер патента: US20080249000A1. Автор: Yasushi Sasaki,Takeshi Ogasawara,Makoto Sakata,Tsuyoshi Katayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-09.

Electro-Optic Polymer Devices Having High Performance Claddings, and Methods of Preparing the Same

Номер патента: US20230251543A1. Автор: Youngwoo Yi,Cory Steven Pecinovsky,Michael Stephen Lebby,Richard Anthony Becker. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of forming metal film and metal wiring pattern, undercoat composition for forming metal film and metal wiring pattern, and metal film

Номер патента: US20100215979A1. Автор: Tetsuya Mori,Seiji Nakajima,Hidemi Nawafune. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device and SRAM having plural power supply voltages

Номер патента: US5825707A. Автор: Kenichi Nakamura,Takayuki Otani,Makoto Segawa,Yasumitsu Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Coordinate transformation system for semiconductor device, coordinate transformation method and coordinate transformation program

Номер патента: US6721935B2. Автор: Hiroyuki Morinaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

A composite container with separable top, a body blank, and a method of separating a top end portion from a main body of the container

Номер патента: WO2020046196A8. Автор: Eva Sunning. Владелец: AR Packaging Systems AB. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, firmware writing method, and firmware writing system

Номер патента: US20230317175A1. Автор: Eikichi Shimizu. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Accessory mounting system for connection to a work component having an elongated T-shaped slot

Номер патента: US12017318B1. Автор: William D. Heidt. Владелец: Tso Products LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Backing sheet, and system and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2002028758A1. Автор: David Suda,Larry Clevenstine,Mark Buscher,Tom Cuthbertson. Владелец: CERTAINTEED CORPORATION. Дата публикации: 2002-04-11.

Method and implantable medical system for monitoring respiratory parameters and a corresponding computer program and a corresponding computer-readable storage medium

Номер патента: US20130046189A1. Автор: Jens Kirchner. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2013-02-21.

System for a head-mounted device and head-mounted device having an adjustable tint layer

Номер патента: WO2024081002A3. Автор: Michael J Oudenhoven,Austin S YOUNG. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170236591A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Silver halide emulsion and method of preparing the same

Номер патента: US20030068593A1. Автор: Masashi Shirata. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-10.

Mixture, a process and a mold for manufacturing recyclable and degradable articles

Номер патента: US20170266840A1. Автор: Adital ELA. Владелец: Criaterra Innovations Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

A method of manufacturing perovskite lead scandium tantalate

Номер патента: WO1989010335A1. Автор: Anil Patel,Roger William Whatmore,Martin Trevor Goosey,Laurence Considine. Владелец: Plessey Overseas Limited. Дата публикации: 1989-11-02.

Method of automated surface processing of the profiled large constructive element of the wind power plant, processing device and processing system

Номер патента: RU2647407C2. Автор: Тобиас ХАЙЛИГ,Инго ЯНССЕН,Эрнст-Юрген ВОЛЬФ. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of operation of kayak recovery safety system

Номер патента: CA3160537A1. Автор: Ronald Lynch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-27.

Support body for an apparatus having an extended nip for the treatment of a fibre web

Номер патента: WO2007123457A8. Автор: Tord Gustav Gustavsson. Владелец: Tord Gustav Gustavsson. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of biological wastewater purification

Номер патента: RU2751402C2. Автор: Курт ИНГЕРЛЕ. Владелец: Курт ИНГЕРЛЕ. Дата публикации: 2021-07-13.

Devices to support and position an intraocular lens within the eye and methods of use

Номер патента: US20240033072A1. Автор: Matthew Clarke,Ayman Naseri. Владелец: Long Bridge Medical Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Devices to support and position an intraocular lens within the eye and methods of use

Номер патента: US20240033073A1. Автор: Matthew Clarke,Ayman Naseri. Владелец: Long Bridge Medical Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Devices to support and position an intraocular lens within the eye and methods of use

Номер патента: US12036109B2. Автор: Matthew Clarke,Ayman Naseri. Владелец: Long Bridge Medical Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Devices to support and position an intraocular lens within the eye and methods of use

Номер патента: US20240225817A1. Автор: Matthew Clarke,Ayman Naseri. Владелец: Long Bridge Medical Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of drying web of cigarette paper and cigarette paper obtained thereby

Номер патента: RU2672638C2. Автор: Жан-Доминик БОНФАНТИ. Владелец: Аллиман. Дата публикации: 2018-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US6472902B2. Автор: Hiroshi Seki,Ayako Katsuno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-29.

Chemical resistant composite support pad mold and method of manufacturing the support pad

Номер патента: US20170136663A1. Автор: Paul Kirby Reber. Владелец: Great Plains Coatings Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Processing Liquid for Lithographic Printing Plate Development and Method of Producing Lithographic Printing Plates

Номер патента: EP2128704A3. Автор: Mitsunori Hirano,Mamoru Kuramoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Assisted walking device and method of use

Номер патента: US20210299391A1. Автор: Jeffrey L. James. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of surgical treatment of primary and metastatic spinal tumours

Номер патента: RU2719648C1. Автор: Сергей Алексеевич Алексеев,Павел Иванович Балаев,Сергей Владимирович Люлин,Сергей Константинович Гордеев,Марина Владимировна Сомова,Виктор Олегович Барзинский. Владелец: Сергей Константинович Гордеев. Дата публикации: 2020-04-21.

A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge

Номер патента: GB2326496A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-23.

Medical device for releasing an implant and improved osseodisintegratable implant

Номер патента: EP4241730A3. Автор: Rolf G. WINNEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-20.

Implant having an intrasaccular section and intravascular section

Номер патента: US20230017191A1. Автор: Ruijiao XU,Lacey Gorochow,Yusuf SEVENCAN. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Implant having an intrasaccular section and intravascular section

Номер патента: EP3838186A2. Автор: Ruijiao XU,Lacey Gorochow,Yusuf SEVENCAN. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Fire Extinguishing Device Having Fire Extinguishing Agent And Fire Extinguishing Capsule

Номер патента: US20240216735A1. Автор: Byung Yul Kim. Владелец: Firekim Energy Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Gravel scarifying and levelling device with integrated roller device and methods of use thereof

Номер патента: US12077922B2. Автор: Norman L Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Self-assembling modular percutaneous valve and methods of folding, assembly and delivery

Номер патента: US12064342B2. Автор: Jacob Richter,Yoram Richter,Ety Weisz. Владелец: Valve Medical Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Interspinous process implant having deployable wings and method of implantation

Номер патента: US8128702B2. Автор: Steven T. Mitchell,Charles J. Winslow,John J. Flynn,James F. Zucherman,Ken Y. Hsu,Henry A. Klyce,Scott A. Yerby,John A. Markwart. Владелец: Kyphon SARL. Дата публикации: 2012-03-06.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US9368059B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Eyelash extension and method of manufacturing same

Номер патента: US20230397682A1. Автор: Kyu Sang Han,Kichul Ahn. Владелец: Kiss Nail Products Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Implantable device, in particular an implantable breast device

Номер патента: US20240016599A1. Автор: Jaime Andres DESTOUESSE VILLA,Shengheng CAO. Владелец: Lattice Medical. Дата публикации: 2024-01-18.

An implantable device for branched lumens with associated systems and methods

Номер патента: AU2022258004A1. Автор: Martin J. Sector,Dustin C. Burkart,John Voorhees. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Door handle arrangement for a door of a vehicle and method of making

Номер патента: US20020056171A1. Автор: Martin Lindmayer,Rudi Koelle. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2002-05-16.

Thermally developable materials containing organic silver salts with rod-like morphology and method of making and using

Номер патента: US20050233268A1. Автор: Chaofeng Zou,Dirk Hasberg. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-10-20.

Treatment device and method of use

Номер патента: EP2621569A1. Автор: Noel Martin Davis,Peter John Bachelor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-07.

Liquid crystal display having OCB mode liquid crystal layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170856A1. Автор: Kyung-Ho Choi. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20170278575A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Medical implant delivery system and method of use

Номер патента: US20200107949A1. Автор: Mehran Bashiri,Elena Oo,Henry LUK. Владелец: Stryker European Holdings I LLC. Дата публикации: 2020-04-09.

Closed loop parameter adjustment for sensor modules of an implantable medical device

Номер патента: EP2364181A1. Автор: James D. Reinke,Timothy Davis,John Robert Hamilton,Kaustubh R. Patil,Robert Michael Ecker. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2011-09-14.

Closed loop parameter adjustment for sensor modules of an implantable medical device

Номер патента: WO2010053794A1. Автор: James D. Reinke,Timothy Davis,John Robert Hamilton,Kaustubh R. Patil,Robert Michael Ecker. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2010-05-14.

Optical semiconductor device, light phase control device, light intensity control device, and method of producing optical semiconductor device

Номер патента: US20050047704A1. Автор: Fumio Ohtake. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Breast pad and method of manufacture

Номер патента: WO2021069888A1. Автор: Chris Lewis,Ben Diamant. Владелец: Mayborn (Uk) Limited. Дата публикации: 2021-04-15.

Breast pad and method of manufacture

Номер патента: AU2020364105A1. Автор: Chris Lewis,Ben Diamant. Владелец: Mayborn UK Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Breast pad and method of manufacture

Номер патента: CA3153314A1. Автор: Chris Lewis,Ben Diamant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-15.

Breast pad and method of manufacture

Номер патента: EP4041166A1. Автор: Chris Lewis,Ben Diamant. Владелец: Mayborn UK Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240524A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device having plural selection lines

Номер патента: US20130135947A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Liquid ejecting apparatus and maintenance method of liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20200094570A1. Автор: Daisuke Matsumoto,Yasuyuki Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of Forming a Suture-Button-Graft Combination and Facilitating Construct

Номер патента: US20210259676A1. Автор: John Thomas Ferguson,Elliot Bixby,Edwin Anderson. Владелец: Riverpoint Medical LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Can caddie and method of forming the same

Номер патента: US20030052242A1. Автор: Theodore Salani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Can caddie and method of forming the same

Номер патента: WO2003012241A2. Автор: Theodore R. Salani. Владелец: Salani Theodore R. Дата публикации: 2003-02-13.

System and method of acquiring multi-energy ct imaging data

Номер патента: US20120236984A1. Автор: Jiang Hsieh,Xiaoye Wu,Thomas L. Toth,Naveen Chandra. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-09-20.

Fastening System, and Methods of Making and Using the System

Номер патента: US20210246922A1. Автор: Robert J. Bingham,Emanuel GUZMAN. Владелец: Rigidcore Group LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Cannula lined with tissue in-growth material and method of using the same

Номер патента: EP2739347A1. Автор: Robert C. Farnan,Oliver Marseille. Владелец: CircuLite Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Fastening system, and methods of making and using the system

Номер патента: US12092148B2. Автор: Robert J. Bingham,Emanuel GUZMAN. Владелец: Rigidcore Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of eliminating the colmatation during block underground leaching

Номер патента: RU2685520C1. Автор: Валерий Васильевич Медведев,Артем Михайлович Зозуля,Василий Афанасьевич Овсейчук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Забайкальский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ЗабГУ"). Дата публикации: 2019-04-19.

Use of a method for the preparation of a projectile comprising a ceramic body and at least a titanium layer.

Номер патента: EP2018879B1. Автор: Günter Rübig,Sorin Dr. Lenz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-27.

Electro-optic polymer devices having high performance claddings, and methods of preparing the same

Номер патента: US11927868B2. Автор: Youngwoo Yi,Cory Steven Pecinovsky,Michael Stephen Lebby,Richard Anthony Becker. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Electro-optic polymer devices having high performance claddings, and methods of preparing the same

Номер патента: US20200183245A1. Автор: Youngwoo Yi,Cory Steven Pecinovsky,Michael Stephen Lebby,Richard Anthony Becker. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Electro-Optic Polymer Devices Having High Performance Claddings, and Methods of Preparing the Same

Номер патента: US20240176202A1. Автор: Youngwoo Yi,Cory Steven Pecinovsky,Michael Stephen Lebby,Richard Anthony Becker. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including repair storage

Номер патента: US20230307076A1. Автор: Yoseop Lim,Dongkwan HAN,Seohyun Kang,Hyeonuk Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Glenoid Component for Use in Shoulder Arthroplasty and Associated Method of Implanting Same

Номер патента: US20100241235A1. Автор: Carl Basamania,Kyle E. Lappin. Владелец: DePuy Products Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Lead connector assembly for medical device and method of assembly

Номер патента: US5336246A. Автор: Muditha Dantanarayana. Владелец: Telectronics Pacing Systems Inc. Дата публикации: 1994-08-09.

METHOD OF PRODUCING CONTROLLED GLASS/δ*-Bi2O3+Bi2SiO5 HETEROSTRUCTURE IN SYSTEM Bi2O3-SiO2 (VERSIONS)

Номер патента: RU2691334C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-06-11.

A TYPE ASSEMBLY COMPRISING AT LEAST ONE IMPLANT, A PREHENSEUR, AND AN IMPLANT TRACEABILITY ELEMENT, AND A TRACABLE MANIPULATION METHOD OF THE IMPLANT OF SUCH AN ASSEMBLY

Номер патента: FR3000380B1. Автор: Guillaume Derouet,Maxime DECHELETTE. Владелец: NEOSTEO. Дата публикации: 2016-02-12.

Bamboo chair and method of manufacturing the bamboo chair

Номер патента: US8147002B2. Автор: Konstantin Grcic,KaoMing Chen. Владелец: National Taiwan Craft Res Inst. Дата публикации: 2012-04-03.

Identification of Outlier Semiconductor Devices Using Data-Driven Statistical Characterization

Номер патента: US20080262793A1. Автор: Suresh Subramaniam,Amit Vijay NAHAR,Thomas John ANDERSON,Kenneth Michael BUTLER,John Michael CARULLI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Image display device, wire grid polarizing plate, method of manufacturing plate, method of observing wire grid polarizing plate, and method of estimating polarization axis direction of wire grid polarizing plate

Номер патента: US11960079B2. Автор: Naoki Inoue,Masaru Sugiyama,Nao KITAMICHI. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor Devices, Operating Methods Thereof, And Memory Systems Including The Same

Номер патента: US20120081986A1. Автор: Jung-han Kim,Jong Doo Joo,Cheol Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device for ambient sensing including a cavity and corresponding manufacturing process.

Номер патента: EP3872472A1. Автор: Giorgio Allegato,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-09-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2641617C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: MY118977A. Автор: Yoshitada Morikawa,Mitsuyoshi Shirai,Yoshiaki Mitsuoka,Miho Yamaguchi,Michio Koumoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-02-28.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A LAMINATED STRUCTURE COMPRISING A BORON-DOPED SILICON GERMANIUM FILM AND A METAL FILM

Номер патента: US20130011988A1. Автор: SAKO Nobuyuki. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device having at least one contact applied to a semiconductor material of the type aiibvi and method of manufacturing such a device

Номер патента: CA838344A. Автор: Koelmans Hein. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-03-31.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A REDISTRIBUTION ELEMENT, METHODS OF FORMING REDISTRIBUTION ELEMENTS AND METHODS FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Corisis David J.,Kuan Lee Choon,Hui Chong Chin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Textile fabric consisting of a fibrous web and a support, and method of manufacturing same

Номер патента: CS181028B1. Автор: Miloslav Pavek,Karel Machuta. Владелец: Karel Machuta. Дата публикации: 1978-02-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.