Semiconductor device and fabrication method thereof
Номер патента: US20190035792A1
Опубликовано: 31-01-2019
Автор(ы): Ger-Pin Lin, Shu-Yen Chan, Tien-Chen Chan, Tsuo-Wen Lu
Принадлежит: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd, United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-01-2019
Автор(ы): Ger-Pin Lin, Shu-Yen Chan, Tien-Chen Chan, Tsuo-Wen Lu
Принадлежит: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd, United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having multiple work functions and manufacturing method thereof
Номер патента: US20180269106A1. Автор: Jie Zhao,Jiaqi Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.