Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTROLLABLE CHANNEL LENGTH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTROLLABLE CHANNEL LENGTH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210028166A1
Опубликовано: 28-01-2021
Автор(ы): SHIN Hyun Kwang
Принадлежит: KEY FOUNDRY CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954076B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with controllable channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378172A1. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with controllable channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US11764216B2. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with controllable channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210028166A1. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266351A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Hiroshi Sato,Shinsuke Harada,Atsushi Yao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having a field effect transistor formed on a silicon-on-insulator substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966452B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935103B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170053A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10714375B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321239A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371630A1. Автор: Wei-Ting YEH,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134798A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180342509A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799566B1. Автор: Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905641B2. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Jung-Chi Tai,Yen-Ru LEE,Lilly SU,Heng-Wen Ting,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Self-Aligned Contact and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180350927A1. Автор: Chi-Wen Liu,Tung Ying Lee,Yuan-Hung Chiu,Yee-Chia Yeo,Jeng-Ya David Yeh,Chih Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893060B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831242B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343373A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including Fin-FET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882029B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chia-Jung Hsu,Gin-Chen Huang,Feng-Cheng Yang,Tzu-Hsiang HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20110318904A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Matthias Stecher,Thomas Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190081040A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339495A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905467B2. Автор: Chi-Wen Liu,Hsin-Chieh Huang,Chih-Sheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006371A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Kuan-Lun Cheng,Jiun-Jia Huang,Ching-Wei Tsai,Tetsu Ohtou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922976B1. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Ming-Huei Lin,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113116B2. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125885B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929242B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor Device with Control Structure Including Buried Portions and Method of Manufacturing

Номер патента: US20170110574A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145540A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160240537A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device with control structure including buried portions and method of manufacturing

Номер патента: US09917186B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865504B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10446648B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343127A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Che-Chih Hsu,Chinyu Su,Po-Han Tseng,Wen Han Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057506B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090269904A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120012905A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Chung-Lin Huang,Tzung Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210202399A1. Автор: Yu Shih Wang,Ming-Hsi Yeh,Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chun-Neng LIN,Kao-Feng Lin,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213083A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343339A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Chun Hsiung Tsai,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Asymmetric semiconductor device including LDD region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125909B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Jongsung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220130677A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074028B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240363352A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139956A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258312A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190385858A1. Автор: Tai-Chun Huang,Bang-Tai Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8097914B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10038080B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Heterogeneously integrated semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303377A1. Автор: Shih-Chang Lee,Ta-Cheng Hsu,Jen-Inn Chyi,Wen-Kuan Yeh,Shih-Pang CHANG,Rong-Ren LEE,Meng-yang CHEN,Guang-Li Luo,Szu-Hung Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100052045A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Heterogeneously integrated semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11515307B2. Автор: Shih-Chang Lee,Ta-Cheng Hsu,Jen-Inn Chyi,Wen-Kuan Yeh,Shih-Pang CHANG,Rong-Ren LEE,Meng-yang CHEN,Guang-Li Luo,Szu-Hung Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Semiconductor device including gate oxide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057483B2. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, integrated circuit component and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11749729B2. Автор: Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Vertical fet devices with multiple channel lengths

Номер патента: US20180005896A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230299138A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Heterogeneously integrated semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043862A1. Автор: Shih-Chang Lee,Ta-Cheng Hsu,Jen-Inn Chyi,Wen-Kuan Yeh,Shih-Pang CHANG,Rong-Ren LEE,Meng-yang CHEN,Guang-Li Luo,Szu-Hung Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343820A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device including poly-silicon junction field-effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034084B2. Автор: Young Bae Kim. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160126325A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213314A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Chun Hsiung Tsai,Ya-Yun Cheng,Clement Hsing Jen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180175173A1. Автор: Chia-Wei Chang,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250187A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125878B2. Автор: Tomonari SHIODA,Yasunori OSHIMA,Taichi Iwasaki,Shota Yamagiwa,Hiroto Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068394B2. Автор: Chia-Wei Chang,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371731A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,June Young PARK,Jongmin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4459670A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,June Young PARK,Jongmin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954067B2. Автор: Hsin-Hung Chen,Wei-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859364B1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US8697509B2. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20210126097A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170162696A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966469B2. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160218217A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200035840A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including mosfet region and diode region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240128260A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON,Soon Jong Park. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09911814B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094713B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Device Including Electrode Trench Structure and Isolation Trench Structure and Manufacturing Method Therefore

Номер патента: US20200303528A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-24.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20160027682A1. Автор: Satoshi Kato,Hiroyuki Fukumizu,Kenichi Yoshino,Shintaro Okujo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: US20040104404A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9287261B2. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110204451A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150091102A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871101B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265485A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748363B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222430A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Huang-Chao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923001B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method

Номер патента: US9646855B2. Автор: Oliver Haeberlen,Markus Zundel,Walter Rieger,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087846B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371977A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160276222A1. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the same

Номер патента: US20200251557A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-08-06.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US8987829B2. Автор: Hiroki Okamoto,Yoshiaki Shimooka,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060138593A1. Автор: Min Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210225758A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929167B2. Автор: Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Tsun-Kai Tsao,Shun-Shing Yang,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,S. K. Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device with multiple substrates electrically connected through an insulating film and manufacturing method

Номер патента: US10134795B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230163071A1. Автор: Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374805A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Ching Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831093B2. Автор: Hideki Sugiyama,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020105086A1. Автор: Toru Yoshie. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031B1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031A1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-14.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855194B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Kosei Noda,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INSULATING FILM WITH DIFFERENT STRESS LEVELS IN ADJACENT REGIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Murata Tatsunori. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098838A1. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7008831B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling channel length for vertical FETs

Номер патента: US09806153B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device for avoiding short circuit between adjacent storage nodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US10431587B2. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150318389A1. Автор: Hiroyuki Matsushima,Ryuta Tsuchiya,Naoki Tega,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082892A1. Автор: Yong Woo Lee,Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100013025A1. Автор: Ryo Tanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor Device with Embedded Schottky Diode And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220045223A1. Автор: Qian Sun,Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG,Ho Nam LEE. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09805954B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140231827A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299207A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341470A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device including bonded substrates and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363665A1. Автор: Minho JANG,Doyeon Kim,Doowon Kwon,Kyungtae Lim,GwideokRyan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899469B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Shinya Nishimura,Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09887298B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190058033A1. Автор: Jung-Hung CHANG,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082918A1. Автор: Yoshiharu Takada,Kazuo Fujimura,Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014793A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074224B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954112B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170358646A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12058856B2. Автор: Wei Cheng Wu,Li-Feng Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240365542A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09875902B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230108412A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Akihiro Hanada,Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080135927A1. Автор: Naoto Fujishima,Masaharu Yamaji,Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09917128B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with suppressed decrease in breakdown voltage of an insulation film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09871098B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09818785B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Ferroelectric semiconductor device including a ferroelectric and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210159340A1. Автор: Sangwoo Lee,Mirco Cantoro,Minhee Cho,Woobin SONG,Beomyong Hwang,Heiseung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device including source/drain epitaxial layer having facets and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200105888A1. Автор: Chao-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282820A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Song-Bor Lee,Jung-Ting Chen,Ting Tsai,Chung-Wei HUNG,Ying-Hua LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Trench type schottky junction semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130105820A1. Автор: Natsuki Yokoyama,Kumiko Konishi,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Ferroelectric semiconductor device including a ferroelectric and manufacturing method thereof

Номер патента: US11342456B2. Автор: Sangwoo Lee,Mirco Cantoro,Minhee Cho,Woobin SONG,Beomyong Hwang,Heiseung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-24.

Ferroelectric semiconductor device including a ferroelectric and manufacturing method thereof

Номер патента: US10916655B2. Автор: Sangwoo Lee,Mirco Cantoro,Minhee Cho,Woobin SONG,Beomyong Hwang,Heiseung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882013B2. Автор: Mu-Tsang Lin,Kuo Hui Chang,Jung-Wang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865615B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871143B2. Автор: Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043090A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139965A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991395B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09852992B2. Автор: Dian-Hau Chen,Jye-Yen Cheng,Yu-Bey Wu,Sheng-Hsuan Wei,Li-Yu LEE,TaiYang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130181271A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu,Kazuto Mori. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365455A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: EP1424734A2. Автор: Yasunori c/o NEC Compound Semiconductor Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-02.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: EP1424734A3. Автор: Yasunori c/o NEC Compound Semiconductor Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2005-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11062996B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343648A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Fiber SOI substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US8598017B2. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Fiber soi substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130023090A1. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10818813B2. Автор: Takashi Ogura,Shigeaki Shimizu,Shinichi Watanuki,Tomoo Nakayama,Teruhiro KUWAJIMA,Futoshi Komatsu,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device having a through-silicon via and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899297B1. Автор: Victor Y. Lu,Pu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12033970B2. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Hun Bae,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Seok Geun Ahn,Young Rae Kim,Min Yoo,Ah Ra Jo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749565B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324181A1. Автор: Jongmin Kim,Ho-ju Song,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040280B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321756A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905456B1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Jeng Chang HER,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786763B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7915731B2. Автор: Masafumi Uehara,Hiroshi Ishizeki. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021631A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190287925A1. Автор: Kazuhiro OOSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140232011A1. Автор: Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12035542B2. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240015988A1. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371280A1. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11545437B2. Автор: Takashi Watanabe,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150171003A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Toshiyuki Morita,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114512B2. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374910A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905589B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Satoru Idojiri,Koichi Takeshima,Masakatsu Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134673B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, power amplification circuit, and electronic device

Номер патента: US20240274688A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351268A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040228B2. Автор: Satoshi Wakatsuki,Masakatsu Takeuchi,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino,Misuzu SATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200266168A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170062345A1. Автор: Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069025A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130020706A1. Автор: Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Takashi Furuhashi,Miyoko Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057422B2. Автор: Shinya Arai,Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070111504A1. Автор: Min Hong. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Pad structure and manufacturing method thereof in semiconductor device

Номер патента: US10840198B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Hung-Shu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250002A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110275213A1. Автор: Tatsuya Kato,Masato Endo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7999393B2. Автор: Tatsuya Kato,Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134666A1. Автор: Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Chi-Lin Teng,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US12119299B2. Автор: Sho Nakagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363527A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10957641B2. Автор: Masahiro Inohara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10615115B2. Автор: Masahiro Inohara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881870B2. Автор: Dian-Hau Chen,Jye-Yen Cheng,Yu-Bey Wu,Pei-Ru Lee,Tai-Yang Wu,Sheng-Hsuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859294B2. Автор: Kwang Hee Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101014473B1. Автор: 다카시 히라오,다카히로 히라마츠,마모루 후루타,히로시 후루타,도키요시 마츠다. Владелец: 자이단호진 고치켄산교신코센타. Дата публикации: 2011-02-14.

Semiconductor device having signal line above main ground or main VDD line, and manufacturing method thereof

Номер патента: US6445018B1. Автор: Katsumi Okuaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-03.

Semiconductor device with self-aligned contact structure for field effect transistors and manufacturing method for these

Номер патента: DE4113962C2. Автор: Yasushi Matsui,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Yoshinori Okumura,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250133A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Chi-Min Chen,Yin-Hao Wu,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: MY138802A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Toru Takayama,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2009-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Device And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240258431A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3365918A1. Автор: Teruaki Kumazawa,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-29.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductror device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090096020A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853099B1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136402A1. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105845A1. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110183484A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046671B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090189199A1. Автор: Naoharu Sugiyama,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8816408B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929279B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140077292A1. Автор: Hideki Okumura,Takuya Nogami,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043988A1. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210083109A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Kai-Yi Huang,Chih-Hua Liu,I-Jhen Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: EP4427264A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: US12074198B2. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991383B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322034A1. Автор: Keita AOYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837538B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsin Chien,Chen-Han CHOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190165153A1. Автор: Shun-Cheng Yang,Chao-Hsin Wu,Li-Cheng CHANG,Cheng-Jia DAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240055475A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui,Yuichi Iwasaki,Ryouta TANAKA. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243195A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250171A1. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282832A1. Автор: Yangbeom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate structure of semiconductor device with controlled work function using atomic layer deposition and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20230000226A. Автор: 최창환,이주현,최문석,김민혁,한훈희,김위남. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-01-02.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US7687362B2. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080185663A1. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847396B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105454A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yi-Tse Hung,Meng-Zhan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030127685A1. Автор: Takashi Kuroi,Katsuyuki Horita,Katsuomi Shiozawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140113687A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087831B2. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021481A1. Автор: Jae Hoon Lee,Young Sun KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230144657A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100244194A1. Автор: Mitsuo Horie,Atsuya MASADA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030134494A1. Автор: Masahiro Ikehara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243179A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080153212A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098662A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070238290A1. Автор: Tadashi Miwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200185533A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140151720A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837516B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180012984A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20170005185A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9780203B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof

Номер патента: US8624374B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Chia-Ching Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof

Номер патента: TW201135895A. Автор: Yi-Chuan Ding,Chia-Ching Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2011-10-16.

Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof

Номер патента: TWI489609B. Автор: Chia Ching Chen,Yi Chuan Ding. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2015-06-21.

process gas flow apparatus of semiconductor device manufacturing equipment make using of the radio frequency power, process gas flow system and method thereof

Номер патента: KR100500470B1. Автор: 박진준,최성석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-12.

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor integrated circuit device with wiring structure effective for migration and mask misalignment and manufacturing method

Номер патента: KR960026409A. Автор: 도모미쯔 사다께. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226312A1. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941180B2. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215462A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929069B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Lin-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793180B2. Автор: Doo Hyun Park,Seung Chul Han,Jong Sik Paek,Joo Hyun Kim,Won Chul Do,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Young Rae Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170110412A1. Автор: Chen-Hua Yu,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Tzu-Chun Tang,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor Device with Compartment Shield Formed from Metal Bars and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230230934A1. Автор: KyoWang Koo,HeeYoun Kim,SeongKuk Kim,YongKook Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor Device with Compartment Shield Formed from Metal Bars and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240258246A1. Автор: KyoWang Koo,HeeYoun Kim,SeongKuk Kim,YongKook Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140084298A1. Автор: Masayuki Iwami,Sadahiro Kato,Tatsuyuki Shinagawa,Takuya Kokawa,Kazuyuki UMENO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284684A1. Автор: Masahiro Inohara,Masayuki Miura,Shinya Watanabe,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9607962B2. Автор: Kentaro Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148897A1. Автор: Kentaro Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240222490A1. Автор: Zilan Li,Lezhi WANG. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor transistor device structure with back side source/drain contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169083A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with stepped source structure

Номер патента: US11765896B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20170118419A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20150243702A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US9578263B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE TYPE HAVING A FRAME FOR DISCHARGING THE HEAT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2742925A1. Автор: Hizao Tomizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE TYPE HAVING A FRAME FOR DISCHARGING THE HEAT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2742925B1. Автор: Hizao Tomizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-12.

Imager device with opaque layer blocking light from the peripheral circuitry and its manufacturing method

Номер патента: WO2007064771A3. Автор: Zhaohui Yang,Ulrich C Boettiger. Владелец: Ulrich C Boettiger. Дата публикации: 2007-07-19.

Imager device with opaque layer blocking light from the peripheral circuitry and its manufacturing method

Номер патента: WO2007064771A2. Автор: Zhaohui Yang,Ulrich C. Boettiger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-06-07.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

SOLID STATE IMAGE RECOVERY DEVICE, WITH A UNIFORM DISTRIBUTION OF DRUGS IN THE SAME AND RELATIVE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: IT1197967B. Автор: Kanbe Hideo,Kato Yasaburo,Suzuki Toshihiki,Isawa Nobuyuki,Hamasaki Masaharu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-12-21.

Imaging device with vertical charge transfer paths having appropriate lengths and/or vent portions

Номер патента: US6985182B1. Автор: Takumi Yamaguchi,Sei Suzuki,Yasuhiro Morinaka,Hiroyoshi Komobuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-10.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080720B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021122B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040368B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332308A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09816173B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831309B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157466A1. Автор: Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140367767A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Ryota Fujitsuka,Takeshi SHUNDO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Sonos structure, manufacturing method thereof and semiconductor with the same structure

Номер патента: US20130313628A1. Автор: Zhi Tian. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190115425A1. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7745318B2. Автор: Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

3D semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859299B2. Автор: Ki Hong Lee,In Su Park,Hye Jeong CHEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with gate electrode of titanium nitride film laminated structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR980005435A. Автор: 이덕형,염계희. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Semiconductor device with a bond pad and a sandwich passivation layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230029075A1. Автор: Ching-Lun Lee. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device having memory and logic circuit accumulated together on one chip and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20030084763A. Автор: 가지따아끼히로. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-11-01.

Semiconductor device of stacked structure having through electrode, semiconductor memory device, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: KR101817156B1. Автор: 이동혁,유장우,이호철,김중식. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2018-01-10.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

PIEZOELECTRIC MEMS DEVICE WITH A SUSPENDED MEMBRANE HAVING HIGH MECHANICAL SHOCK RESISTANCE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20200194659A1. Автор: Giusti Domenico,Prelini Carlo Luigi. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Deep ultraviolet light-emitting device with P-type region growing in parallel in quantum well region and preparation method thereof

Номер патента: CN112467003A. Автор: 章勇,尹以安,张珂铭. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-09.

Deep ultraviolet light-emitting device with P-type region growing in parallel in quantum well region and preparation method thereof

Номер патента: CN112467003B. Автор: 章勇,尹以安,张珂铭. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230217642A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332032A1. Автор: Hyun Cho,Dong Jin Kim,Jae Hun Bae,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Won Chul Do,Jun Hwan Park,Ji Hun Lee,Dong Hoon Han,Curtis Zwenger,Seung Nam Son,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with reinforced integrated circuitry and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019245708A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-26.

Direct cooling type semiconductor package unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266251A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device substrate, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060040424A1. Автор: Akio Rokugawa,Kiyoshi Ooi,Yasuyoshi Horikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304583A1. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170271271A1. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device thermal management module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355699A1. Автор: Dae Young Kong,Hyoung Soon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-10-24.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997470B2. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6593611B1. Автор: Kiyoshi Mori,Yutaka Inaba,Junichi Tsuchimoto,Tamotu Ogata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837701B2. Автор: Han-Chee Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220285320A1. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11721672B2. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059493A1. Автор: Yoshiharu Okada,Masatoshi Kawato,Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160163638A1. Автор: Tetsuya Watanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9559050B2. Автор: Tetsuya Watanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010050363A1. Автор: Haruhiko Ono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020022353A1. Автор: Shuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240313151A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09978657B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Nai-wei LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837369B2. Автор: Kazuyuki Nakagawa,Shinji Baba,Toshihiro Iwasaki,Yoshikazu Shimote. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299462A1. Автор: Han-Chee Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257332A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11502057B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371743A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Hung Chen,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812388B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013477A1. Автор: Susumu Yamamoto,Kazuhiro Kato,Masayuki Miura,Soichi Homma,Takeori Maeda,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140353832A1. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014146A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804449B2. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060071346A1. Автор: ATSUSHI Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140151718A1. Автор: Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246539A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145350A1. Автор: Chi-Yuan Chen,Shih-Chin Lin,Pu-Shan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107064B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Hao-Jan Pei,Chih-Chiang Tsao,Jen-Jui Yu,Hsuan-Ting Kuo,Mao-Yen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371813A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Hao-Jan Pei,Chih-Chiang Tsao,Jen-Jui Yu,Hsuan-Ting Kuo,Mao-Yen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210287998A1. Автор: Masaki Noguchi,Tatsufumi Hamada,Tatsunori Isogai,Shinichi Sotome. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US7897524B2. Автор: Masaki Kamimura,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Molding apparatus and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US12011859B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210143117A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220037266A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,I-Ting Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11769739B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,I-Ting Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411330A1. Автор: Tatsuo Migita,Masatoshi Shomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040314B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150084159A1. Автор: Tetsuya Watanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220406676A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Li-Hui Cheng,Pu Wang,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100136716A1. Автор: Hisashi Okuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307391A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057415B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220262705A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Jen-Yu Wang,Sheng-Tsung HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device including conductor patterns as electrodes of a capacitive element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9281272B2. Автор: Tetsuya Watanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Semiconductor device and Manufacturing method thereof

Номер патента: US20070228483A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Molded semiconductor device and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US20240293962A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359221A1. Автор: Chen-Hao LIEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150076611A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122981A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837460B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Yosuke Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196590A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210175256A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321903A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060081852A1. Автор: Kazushige Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935141B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060202246A1. Автор: Akio Miyao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9842877B2. Автор: Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069038A1. Автор: Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240206149A1. Автор: Hyoseok Kim,Yongseok Kim,Minjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device for a system for measuring the temperature, and manufacturing method thereof

Номер патента: US9806216B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230157005A1. Автор: Yu-Ying Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and manufacture method

Номер патента: US20240258392A1. Автор: Feng Wen HSU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method for same, crystal, and manufacturing method for same

Номер патента: US09966439B2. Автор: Tomohiro Yamaguchi,Masaya Oda,Toshimi Hitora,Tohru Honda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859293B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220148987A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200328170A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11842970B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258253A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929113B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210300A1. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7875875B2. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09927654B2. Автор: Masami Jintyou,Yamato Aihara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with pad structure resistant to plasma damage and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014154A1. Автор: Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-11.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030234445A1. Автор: Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-12-25.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100193802A1. Автор: Ssu-Yuan Weng. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010045652A1. Автор: Yoshihiko Toyoda,Takeshi Mori,Tetsuo Fukada,Yoshiyuki Kitazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Metal film resistor structure and manufacturing method

Номер патента: WO2013056523A1. Автор: Xiaoxu KANG,Shaohai Zeng,Qingyun Zuo. Владелец: SHANGHAI IC R&D CENTER CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831205B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor chip scale package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941240B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076558A1. Автор: Kiyoyuki Morita,Hiroyuki Kamada,Keita Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240274493A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Hui-Chang Yu,Shu-Shen Yeh,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230119631A1. Автор: SHIH-AN Liao,Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304607A1. Автор: Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240306368A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113044B2. Автор: Chin-Li Kao,An-Hsuan HSU,Shan-Bo WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09875982B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8975620B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan,Hsing-Yi Wu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-10.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140042404A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan,Hsing-Yi Wu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Tatsuo Morita,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130334611A1. Автор: Yoshitaka Dozen,Hidekazu Takahashi,Eiji Sugiyama,Kyosuke Ito,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND Manufacturing METHOD THEREOF

Номер патента: US20240203920A1. Автор: SHIH-AN Liao,Min-Hsun Hsieh,Jan-Way CHIEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010040251A1. Автор: Shinya Watanabe,Shunji Yasumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284685A1. Автор: Ryoya Hasebe,Tomoki AKIMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Multi-chip semiconductor package, vertically-stacked devices and manufacturing thereof

Номер патента: US09893037B1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20080090331A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180136390A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080239815A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Mitsutaka Izawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301431A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Feng-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150187716A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Feng-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180166384A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10269709B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170141032A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150349247A1. Автор: Aoi HIDAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20050194693A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210313525A1. Автор: Nobuto Managaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070224805A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150262969A1. Автор: Nobutaka Kasuya,Junichi SAIJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060220231A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4421864A1. Автор: Tai-Yu Chen,Yu-Jin Li,Chun-Yin Lin,Pu-Shan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Piezoelectric mems device with a suspended membrane having high mechanical shock resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20230320222A1. Автор: Domenico Giusti,Carlo Luigi PRELINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor laser device with a current non-injection region near a resonator end face, and fabrication method thereof

Номер патента: EP1198042A3. Автор: Fusao Yamanaka,Toshiaki Fukunaga,Toshiaki Kuniyasu. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-28.

Diode carrier arrangement, overvoltage protection device with the same, motor vehicle component with the same and manufacturing method for a diode carrier arrangement

Номер патента: EP4293885A1. Автор: Janko COTAR MLAKAR. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2023-12-20.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Diode carrier arrangement, overvoltage protection device with the same, motor vehicle component with the same and manufacturing method for a diode carrier arrangement

Номер патента: US20240322656A1. Автор: Janko COTAR MLAKAR. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including a magnetic tunnel junction device including a laminated structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US8383427B2. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

Organic semiconductor device comprising organic-inorganic nano composite dielectric layer, organic-inorganic nano composite dielectric solution, and method thereof

Номер патента: KR100878225B1. Автор: 김선일,설영국,이내응,노화영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2009-01-13.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Organic light-emitting device with an organic-inorganic hybrid hole-injection/transporting layer and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100870542B1. Автор: 박성수,박진우,김영규,하창식. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-11-26.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Memory device with a length-controllable channel

Номер патента: US8044449B2. Автор: Meng-Hung Chen,Hung-Chang Liao,Shian-Jyh Lin,Pei-Ing Lee,Chung-Yuan Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Memory device with a length-controllable channel

Номер патента: US20090166703A1. Автор: Meng-Hung Chen,Hung-Chang Liao,Shian-Jyh Lin,Pei-Ing Lee,Chung-Yuan Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

A semiconductor memory device with mos transistors, each including a floating gate and a control gate, control method thereof and a memory card including the same

Номер патента: KR100677802B1. Автор: 노조미 가사이,다꾸야 후지모또,요시하루 히라따. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-02-02.

Stereoscopic display device with liquid crystal shutter light filter for naked eye viewing and a display method thereof

Номер патента: US8248459B2. Автор: Wei Sun,Zhaohong Zhang,Kaiming Zhang. Владелец: Kaiming Zhang. Дата публикации: 2012-08-21.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Electronic device with connector supporting multiple connection standards and signal switching method and power supply method thereof

Номер патента: US11809247B2. Автор: Ming-Zong Wu. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284661A1. Автор: Sheng Chieh Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110248248A1. Автор: Takaaki Ukeda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Camera module, circuit board assembly and manufacturing method thereof, and electronic device with camera module

Номер патента: US12041335B2. Автор: YE Wu,TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Feifan CHEN. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032242A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244831A1. Автор: Yongjin Lee,Min Hee Cho,Sanghoon Uhm,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240147712A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device including a buried cell array transistor (bcat) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251547A1. Автор: Jungwoo Song,Byeongjun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324227A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298437A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Device with an RFID transponder in an electrically conductive object and manufacturing method thereof

Номер патента: DE102008049371A1. Автор: Rolf VOIGTLÄNDER,Henrik Bufe,Hans-Peter Dr. Monser,Volker PÖNITZ. Владелец: Muehlbauer GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-09-10.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダー テーラー アルフレッド,ディ パルマ ルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エー オーストラリア ピィー・ティー・ワイ リミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティム ジェイ フェントン,ポール ヴィー シクルーナ,ディック エイチ ポーウェル. Владелец: テューミ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Devices With An Enhanced Boiling Surface With Features Directing Bubble and Liquid Flow and Methods Thereof

Номер патента: US20200332997A1. Автор: Satish G. Kandlikar. Владелец: ROCHESTER INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-22.

Devices With An Enhanced Boiling Surface With Features Directing Bubble and Liquid Flow and Methods Thereof

Номер патента: US20200332997A1. Автор: Kandlikar Satish G.. Владелец: ROCHESTER INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-22.

Input device with variable control lever tension with stroke during musical instrument manipulation and use method thereof

Номер патента: CN112513974A. Автор: 乔纳森·巴罗,海姆·凯莉,波阿斯·里恩施里伯,奥伦·加布里埃尔·阿尔斯海奇. Владелец: Akana Instruments Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Ultrasonic-based aerosol generation device and control method thereof

Номер патента: US20230034703A1. Автор: Jang Won Seo,Jin Chul Jung,Chul Ho Jang,Gyoung Min Go,Hyung Jin Bae,Jong Seong Jeong,Min Seok Jeong. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

LCD Device with Gamma Correction Function by Adjusting Pulse Width of PWM Signal and Related Method Thereof

Номер патента: US20070216628A1. Автор: Shiue-Tien Ju,Hsueh-Te Lu,Jiang-Ting Chen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Mems device with viewer window and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190062151A1. Автор: Shang-Ying Tsai,Jung-Huei Peng,Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chi-Hang Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Photonic semiconductor device, photonic semiconductor package using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240118491A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Hsing-Kuo Hsia,Chih-Hao Yu,Shih-Peng Tai,Jui Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Mask pattern of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080182181A1. Автор: Jun Seok Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INSULATING FILM WITH DIFFERENT STRESS LEVELS IN ADJACENT REGIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130032888A1. Автор: Murata Tatsunori. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE INCLUDING A LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120301975A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PLURAL CORE CHIPS AND INTERFACE CHIP THAT CONTROLS THE CORE CHIPS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120262196A1. Автор: YOKOU Hideyuki. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

'8'-shaped double-pancake coil of transformer and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102568771A. Автор: 李德荣,卢永安,梁湖. Владелец: LIUZHOU SOENEN SPECIAL TRANSFORMER CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Array substrate and manufacturing and maintaining method thereof and display device

Номер патента: CN102931189A. Автор: 张明,蔡振飞,郝昭慧,尹雄宣,贾丕健. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Weak alkaline reverse osmosis water and weak alkaline mineral water and manufacturing system and method thereof

Номер патента: TW201102350A. Автор: Wei Fang,Shi-Wei Kong,Ming-Yih Chang,Chi-Yu Chuang,Lin-Chi Chen. Владелец: Ming-Yih Chang. Дата публикации: 2011-01-16.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

DEVICES WITH AN ENHANCED BOILING SURFACE WITH FEATURES DIRECTING BUBBLE AND LIQUID FLOW AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20120285664A1. Автор: Kandlikar Satish G.. Владелец: ROCHESTER INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-11-15.

Antenna array base station with small space length and multiple data stream transmitting method thereof

Номер патента: CN101562503B. Автор: 孙韶辉,侯云哲. Владелец: China Academy of Telecommunications Technology CATT. Дата публикации: 2012-06-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.