Semiconductor device and manufacturing method for same, crystal, and manufacturing method for same
Номер патента: US09966439B2
Опубликовано: 08-05-2018
Автор(ы): Masaya Oda, Tohru Honda, Tomohiro Yamaguchi, Toshimi Hitora
Принадлежит: Flosfia Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-05-2018
Автор(ы): Masaya Oda, Tohru Honda, Tomohiro Yamaguchi, Toshimi Hitora
Принадлежит: Flosfia Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method
Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.