Semiconductor device with low resistivity contact structure and method for forming the same
Номер патента: US20190097012A1
Опубликовано: 28-03-2019
Автор(ы): Chih-Wei Chang, Ching-Hwanq Su, Chun-Wen NIEH, Huang-Yi Huang, Kan-Ju LIN, Kuan-Yu YEH, Min-Hsiu HUNG, Yi-Hsiang Chao
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-03-2019
Автор(ы): Chih-Wei Chang, Ching-Hwanq Su, Chun-Wen NIEH, Huang-Yi Huang, Kan-Ju LIN, Kuan-Yu YEH, Min-Hsiu HUNG, Yi-Hsiang Chao
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having a dummy gate with a cut-out opening between adjacent fins and methods of forming the same
Номер патента: US11482420B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-10-25.