半导体装置及其制造方法、基板及其制造方法和制造装置
Номер патента: CN111524809A
Опубликовано: 11-08-2020
Автор(ы): 太田千春, 西尾让司, 饭岛良介
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-08-2020
Автор(ы): 太田千春, 西尾让司, 饭岛良介
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including transistor and method of manufacturing the same
Номер патента: US8937343B2. Автор: NaeIn Lee,Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-20.